JP2009511940A - 大面積有機ダイオードデバイス及びその製造方法 - Google Patents
大面積有機ダイオードデバイス及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009511940A JP2009511940A JP2008532928A JP2008532928A JP2009511940A JP 2009511940 A JP2009511940 A JP 2009511940A JP 2008532928 A JP2008532928 A JP 2008532928A JP 2008532928 A JP2008532928 A JP 2008532928A JP 2009511940 A JP2009511940 A JP 2009511940A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- barrier layer
- contact
- organic diode
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 188
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 86
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 74
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 41
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100165186 Caenorhabditis elegans bath-34 gene Proteins 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/125—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using electrolytic deposition e.g. in-situ electropolymerisation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/88—Terminals, e.g. bond pads
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
アノード層、カソード層、アノード層とカソード層との間に配置された少なくとも1つの有機層を有する有機ダイオード構造であり、アノード層及びカソード層の一方は、当該構造の第1の面の全域にわたって分布された第1の組のコンタクト領域群を有する、有機ダイオード構造、
前記構造を密閉して覆うように第1の面上に配置されたバリア層であり、第1の組のコンタクト領域群に位置整合された第1の組の開口群を備えたバリア層、及び
バリア層の第1の組の開口群を介して第1の組のコンタクト領域群に接触している、バリア層上に電気めっきされた少なくとも1つの第1の金属導体、
を有する有機ダイオードデバイスによって達成される。
アノード層とカソード層との間に少なくとも1つの有機層を設けることによって有機ダイオード構造を形成する工程であり、アノード層及びカソード層の一方に、前記構造の第1の面の全域にわたって分布された第1の組のコンタクト領域群が備えられる工程、
前記構造を密閉して覆うように第1の面上にバリア層を形成する工程であり、バリア層に、第1の組のコンタクト領域群に位置整合された第1の組の開口群が備えられる工程、及び
バリア層によって覆われた前記構造を電気めっきプロセスにかける工程であり、第1の面に少なくとも1つの第1の金属導体を形成するように第1の組のコンタクト領域群上に導電性金属が電気めっきされるように、アノード層及びカソード層の前記一方が電気めっきバスの端子の1つに接続される工程、
を有する、有機ダイオードデバイスの製造方法によって達成される。
Claims (11)
- アノード層、カソード層、前記アノード層と前記カソード層との間に配置された少なくとも1つの有機層を有する有機ダイオード構造であり、前記アノード層及び前記カソード層の一方は、当該構造の第1の面の全域にわたって分布された第1の組のコンタクト領域群を有する、有機ダイオード構造、
前記構造を密閉して覆うように前記第1の面上に配置されたバリア層であり、前記第1の組のコンタクト領域群に位置整合された第1の組の開口群を備えたバリア層、及び
前記バリア層の前記第1の組の開口群を介して前記第1の組のコンタクト領域群に接触している、前記バリア層上に電気めっきされた少なくとも1つの第1の金属導体、
を有する有機ダイオードデバイス。 - 前記少なくとも1つの第1の金属導体は前記第1の面上で格子を形成している、請求項1に記載の有機ダイオードデバイス。
- 前記少なくとも1つの第1の金属導体は0.5−100μmの厚さを有する、請求項1又は2に記載の有機ダイオードデバイス。
- 前記コンタクト領域群の各々と前記少なくとも1つの第1の金属導体との間にコンタクトピースを形成するように、前記バリア層上にめっきベースが堆積されている、請求項1乃至3の何れか一項に記載の有機ダイオードデバイス。
- 前記少なくとも1つの第1の金属導体は、前記バリア層の前記第1の組の開口群を介して前記アノード層に接触しており、前記第1の組の開口群は、前記アノード層の前記第1の組のコンタクト領域群に位置整合されており、少なくとも1つの第2の金属導体が、前記バリア層の第2の組の開口群を介して前記カソード層に接触するように前記バリア層上に電気めっきされており、前記第2の組の開口群は、前記カソード層の第2の組のコンタクト領域群に位置整合されており、前記第2の組のコンタクト領域群は前記第1の面の全域にわたって分布されており、前記第1及び第2の金属導体は互いに分離されている、請求項1乃至4の何れか一項に記載の有機ダイオードデバイス。
- アノード層とカソード層との間に少なくとも1つの有機層を設けることによって有機ダイオード構造を形成する工程であり、前記アノード層及び前記カソード層の一方に、前記構造の第1の面の全域にわたって分布された第1の組のコンタクト領域群が備えられる工程、
前記構造を密閉して覆うように前記第1の面上にバリア層を形成する工程であり、前記バリア層に、前記第1の組のコンタクト領域群に位置整合された第1の組の開口群が備えられる工程、及び
前記バリア層によって覆われた前記構造を電気めっきプロセスにかける工程であり、前記第1の面に少なくとも1つの第1の金属導体を形成するように前記第1の組のコンタクト領域群上に導電性金属が電気めっきされるように、前記アノード層及び前記カソード層の前記一方が電気めっきバスの端子の1つに接続される工程、
を有する、有機ダイオードデバイスの製造方法。 - 前記構造を電気めっきプロセスにかける工程の直前に、前記第1の面のうちの電気めっきが望まれない領域を覆う分離体の層を設ける工程を更に有する請求項6に記載の方法。
- 前記構造を電気めっきプロセスにかける工程の後に、前記分離体の層を除去する工程を更に有する請求項7に記載の方法。
- バリア層を形成する工程と前記構造を電気めっきプロセスにかける工程との間に、前記第1の組のコンタクト領域群と前記電気めっきバスの電解液との間の電気的接触を改善するために、前記バリア層の頂部に導電性材料からなるめっきベースの層を堆積する工程を更に有する請求項6乃至8の何れか一項に記載の方法。
- 前記構造を電気めっきプロセスにかける工程の後に、前記少なくとも1つの第1の金属導体によって覆われていない前記めっきベースの部分の少なくとも一部を除去する工程を更に有する請求項9に記載の方法。
- 前記めっきベースを堆積する工程は、前記めっきベースを構造化された層として堆積することを有する、請求項9又は10に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP05108973 | 2005-09-28 | ||
PCT/IB2006/053406 WO2007036850A2 (en) | 2005-09-28 | 2006-09-20 | A large area organic diode device and a method of manufacturing it |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009511940A true JP2009511940A (ja) | 2009-03-19 |
Family
ID=37900146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008532928A Ceased JP2009511940A (ja) | 2005-09-28 | 2006-09-20 | 大面積有機ダイオードデバイス及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080252205A1 (ja) |
EP (1) | EP1932194A2 (ja) |
JP (1) | JP2009511940A (ja) |
KR (1) | KR20080063794A (ja) |
CN (1) | CN101326655B (ja) |
TW (1) | TW200721561A (ja) |
WO (1) | WO2007036850A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012524973A (ja) * | 2009-04-23 | 2012-10-18 | ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー | 光電デバイスおよびその製造方法 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101345344B1 (ko) * | 2005-12-19 | 2013-12-30 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 유기 el 장치 |
EP2144290A1 (en) | 2008-07-08 | 2010-01-13 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Electronic device and method of manufacturing the same |
US20100142198A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Chih-Wen Yang | Configurable Light Emitting System |
JP2010238802A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子、電極構造、半導体発光素子の製造方法、電極構造の製造方法 |
JP2010147097A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Showa Denko Kk | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
WO2010071113A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 昭和電工株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2010141262A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子、電極構造、半導体発光素子の製造方法、電極構造の製造方法 |
EP2202819A1 (en) | 2008-12-29 | 2010-06-30 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Electro-optic device and method for manufacturing the same |
KR101695004B1 (ko) * | 2009-02-05 | 2017-01-10 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 전계 발광 장치 |
US20100294526A1 (en) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | General Electric Company | Hermetic electrical package |
US8427845B2 (en) | 2009-05-21 | 2013-04-23 | General Electric Company | Electrical connectors for optoelectronic device packaging |
EP2284922A1 (en) | 2009-08-06 | 2011-02-16 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method of manufacturing an opto-electric device |
EP2282360A1 (en) | 2009-08-06 | 2011-02-09 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Opto-electric device and method for manufacturing the same |
GB201007669D0 (en) | 2010-05-07 | 2010-06-23 | Epigem Ltd | Composite electrode for molecular electronic devices and method of manufacture thereof |
EP2398086A1 (en) | 2010-06-17 | 2011-12-21 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Opto-electric device and method of manufacturing thereof |
US9240563B2 (en) * | 2010-10-11 | 2016-01-19 | Koninklijke Philips N.V. | Multi-device OLED |
CN103155197B (zh) | 2010-10-12 | 2016-09-07 | Oled工厂有限责任公司 | 用于制造有机电子器件的方法 |
US8692457B2 (en) * | 2010-12-20 | 2014-04-08 | General Electric Company | Large area light emitting electrical package with current spreading bus |
EP2698836A1 (en) * | 2012-08-17 | 2014-02-19 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Foil, electro-optic component and method of manufacturing these |
DE102014103747B4 (de) | 2014-03-19 | 2024-06-13 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
DE102014117499A1 (de) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Osram Oled Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement |
FR3036853A1 (fr) * | 2015-05-26 | 2016-12-02 | Astron Fiamm Safety | Procede de realisation d'une diode electroluminescente organique |
KR102574483B1 (ko) * | 2016-04-11 | 2023-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN112188369B (zh) * | 2020-11-02 | 2021-08-27 | 地球山(苏州)微电子科技有限公司 | 一种扬声器及其制造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002063991A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Sony Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2002169483A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Sony Corp | ディスプレイ装置、電子機器およびディスプレイ装置の製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5432015A (en) * | 1992-05-08 | 1995-07-11 | Westaim Technologies, Inc. | Electroluminescent laminate with thick film dielectric |
US6083375A (en) * | 1998-11-02 | 2000-07-04 | International Business Machines Corporation | Process for producing corrosion-resistant terminal metal pads for thin film packages |
TW452952B (en) * | 2000-03-30 | 2001-09-01 | Delta Optoelectronics Inc | Packaging method of electro-luminescent device |
US6844957B2 (en) * | 2000-11-29 | 2005-01-18 | International Business Machines Corporation | Three level stacked reflective display |
US6888307B2 (en) * | 2001-08-21 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Patterned oxygen and moisture absorber for organic optoelectronic device structures |
US6975067B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and encapsulation method |
US7011983B2 (en) * | 2002-12-20 | 2006-03-14 | General Electric Company | Large organic devices and methods of fabricating large organic devices |
US7052355B2 (en) * | 2003-10-30 | 2006-05-30 | General Electric Company | Organic electro-optic device and method for making the same |
-
2006
- 2006-09-20 JP JP2008532928A patent/JP2009511940A/ja not_active Ceased
- 2006-09-20 CN CN2006800359249A patent/CN101326655B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-20 EP EP06809364A patent/EP1932194A2/en active Pending
- 2006-09-20 KR KR1020087010155A patent/KR20080063794A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-09-20 WO PCT/IB2006/053406 patent/WO2007036850A2/en active Application Filing
- 2006-09-20 US US12/088,433 patent/US20080252205A1/en not_active Abandoned
- 2006-09-25 TW TW095135371A patent/TW200721561A/zh unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002063991A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Sony Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2002169483A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Sony Corp | ディスプレイ装置、電子機器およびディスプレイ装置の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012524973A (ja) * | 2009-04-23 | 2012-10-18 | ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー | 光電デバイスおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101326655B (zh) | 2011-12-21 |
TW200721561A (en) | 2007-06-01 |
CN101326655A (zh) | 2008-12-17 |
WO2007036850A3 (en) | 2007-09-07 |
WO2007036850A2 (en) | 2007-04-05 |
KR20080063794A (ko) | 2008-07-07 |
EP1932194A2 (en) | 2008-06-18 |
US20080252205A1 (en) | 2008-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009511940A (ja) | 大面積有機ダイオードデバイス及びその製造方法 | |
US10964722B2 (en) | Micro LED display substrate, method for manufacturing the same, and display device | |
EP2483944B1 (en) | Process for fabricating a monolithic parallel interconnect structure of an optoelectronic device | |
KR101727344B1 (ko) | 캡슐화 광전자 장치 및 그 제조 방법 | |
TWI352555B (en) | Large organic devices and methods of fabricating l | |
CN102144314B (zh) | 用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件 | |
US8766306B2 (en) | Transparent light emitting device with controlled emission | |
KR101315086B1 (ko) | 유기 전자 장치 및 그 제조 방법 | |
KR101548400B1 (ko) | 유기 발광 다이오드,접촉 장치 및 유기 발광 다이오드의 제조 방법 | |
CN103026527B (zh) | 具有埋设电极的光电子器件 | |
JP5063778B2 (ja) | 陽極酸化したメタライゼーションを伴う発光デバイス | |
KR102321663B1 (ko) | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 | |
US20180151822A1 (en) | Lighting apparatus using organic light emitting device and method of fabricating thereof | |
JP2013514621A (ja) | 直列に接続されたoledデバイスを生成するための方法 | |
WO2012102269A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び照明装置 | |
RU2603434C2 (ru) | Усовершенствованное маскирование для рисунков на светоизлучающих устройствах | |
KR101486844B1 (ko) | 복사 방출 장치 및 복사 방출 장치의 제조 방법 | |
US11152446B2 (en) | OLED panel for lighting device and method of manufacturing the same | |
KR100612117B1 (ko) | 보조 전극을 덮는 절연막이 형성된 유기 전계 발광 소자및 그 제조 방법 | |
CN111384290B (zh) | 基于有机的发光装置 | |
TW201415685A (zh) | 有機發光二極體照明裝置 | |
KR101032950B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111111 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120918 |
|
A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20130129 |