CN101326655A - 一种大面积有机二级管器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种有机二极管器件(1)，包括具有阳极层(12)，阴极层(13)和有机层(14)的有机二极管结构(2)。阳极层(12)和阴极层(13)其中之一具有分布在所述结构(2)的面(15)上的一组接触区域(19，20)。阻挡层(16)气密性地覆盖所述结构(2)并被提供与所述的一组接触区域(19，20)对准的一组开口(23，24)。金属导体(5)被电镀在所述阻挡层(16)上并通过该组开口(23，24)与该组接触区域(19，20)接触。一种形成这种器件的方法包括形成结构(2)，形成带有该组开口(23，24)的阻挡层(16)，使所述结构(2)经受电镀工艺以形成金属导体(5)。

Description

一种大面积有机二极管器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种有机二极管器件，包括：具有阳极层、阴极层以及位于阳极层和阴极层之间的至少一个有机层的有机二极管结构。

本发明还涉及一种形成有机二极管器件的方法。

背景技术

有机二极管包括例如有机发光二极管和有机光电二极管，有机光电二极管也称为光伏二极管。有机发光二极管(OLED)在用于显示器和发光目的方面引起越来越多的关注。OLED包括位于两薄电极之间的发光有机化合物层。有机光电二极管除了吸收光并把光转换为电流以外，主要的设计与OLED相同，并在太阳能电池、光传感等中得到了应用。OLED的一个普遍问题是由于电极的小的厚度导致电极具有大的电阻率。在大面积的OLED中这意味着在这一面积上有很大的电压降并且在这一面积上发光不均匀。多大面积足以引起电压降取决于采用的材料的类型，采用的电极的厚度，显示的亮度等。总之，目前的技术中，大于几个平方厘米的OLED显示将受到亮度不均匀的困扰。相似类型的电压降问题也出现在大面积光电二极管中。

US 2004/0121508A1描述了一种解决上面提到的问题的尝试。根据这一尝试，一金属网格被嵌入薄的透明电极中的一个内以增加其导电性能。为了在大面积OLED的情况下也提供均匀的电压分布，金属网格通过导电胶或环氧被连接至电引线以便金属网格可以连接至电压源。

US 2004/0121508A1中的OLED的一个问题是制造复杂，这归因于具有非绝缘末端部分的隔离电引线，所述电引线必须通过导电胶连接至金属网格。从美学的观点来看，大量的电引线缠绕在有机发光二极管表面上也是没有吸引力的。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种有机二极管器件，其适合于大面积的应用，以及其避免了使用现有技术中的电引线并因此为制造容易并且外形美观作准备。

这一目的通过一种有机二极管器件实现，该有机二极管器件包括：

具有阳极层、阴极层以及位于阳极层和阴极层之间的至少一有机层的有机二极管结构，阳极层和阴极层的其中之一具有分布在所述结构第一表面上的第一组接触区域，

位于所述第一表面上以气密性地覆盖所述结构的阻挡层，所述阻挡层提供有与第一组接触区域对准的第一组开口，以及

至少一个第一金属导体，被电镀在所述阻挡层上并通过所述阻挡层中的第一组开口与第一组接触区域接触。

这种有机二极管器件的一个优点是在大的有机二极管器件面积上提供了均匀的电压分布从而在所述区域上提供了均匀的亮度或电流(在太阳能电池的情况下)。阻挡层保护有机二极管结构并提供长的寿命。

根据权利要求2的方法的一个优点是网格使有机二极管器件的表面分成小片(tiles)成为可能，如同可能的情况，其中每一小片具有均匀的亮度或者均匀的电流。

权利要求3的方法的一个优点是其提供了高电导率可是制造成本却很低。

权利要求4的方法的一个优点是其在第一金属导体和与之相连的阳极层或阴极层之间提供了改善的电接触。

根据权利要求5的方法的一个优点是其在有机二极管器件区域上提供了最优的电压分布和非常均匀的亮度或电流，这是由于阳极层和阴极层都被提供了金属导体。这样在阳极层中或在阴极层中将没有不希望的电压降。

本发明的另一目的是提供制造一种适用于大面积的应用的有机二极管器件的有效方法。

这一目的通过形成一种有机二极管器件的方法而实现，该方法包括步骤：

通过在阳极层和阴极层之间提供至少一个有机层而形成有机二极管结构，该阳极层和阴极层的其中之一被提供分布在所述结构的第一表面上的第一组接触区域，

在所述第一表面上形成阻挡层以气密性覆盖所述结构，所述阻挡层提供有与所述第一组接触区域对准的第一组开口，以及

使被所述阻挡层覆盖的所述结构经受电镀工艺，在电镀工艺中所述阳极层和阴极层的其中之一连接至电镀槽中的终端之一以便导电金属被电镀在第一组接触区域上以在所述第一表面上形成至少第一金属导体。

这个方法的优点是其提供了基于有机发光二极管或光电二极管技术的大面积有机二极管器件非常有效的制造方法。由于所述阻挡层的早期运用，在形成有机二极管器件的所需的进一步工艺步骤期间所述有机二极管结构被保护免受水和氧气的侵害。这使在基于水的电解液中使用电镀形成金属导体而没有损害有机二极管结构的功能的问题成为可能。

权利要求7的实施例的一个优点是这层隔离体提供了一种保持金属导体离开需要发光或吸收光的区域的有效方法。在给阳极层和阴极层都设置金属导体的情况下，根据权利要求7的方法提供了保持这些金属导体相互隔离。

权利要求8的一个优点是在电镀工艺之后对这层隔离体的去除提供了经过施加有隔离体的表面的增大的亮度或光吸收。进一步的优点是使位于隔离层下面的部件的任何后续处理变得容易。

根据权利要求9的方法的一个优点是其在电镀工艺中提供了阳极和/或阴极层的改善的电导率。这一改善的电导率大大增加了电镀速率，因为与薄阳极层和阴极层有关的电压降，首先作为形成所述金属导体的主要原因的低电导率，借助于电镀基底来避免。

根据权利要求10的方法的一个优点是去除电镀基层(plating base)的多余部分提供了使位于第一表面并连接至阳极层的第一金属导体与也位于第一表面但连接至阴极层的第二金属导体隔离。

本发明进一步的实施例和优点在下面的描述和附加的权利要求中将更加清楚。

附图说明

现在，将参照附图更具体地描述本发明：其中

图1为一顶部视图并且示出了根据本发明的有机二极管器件。

图2为一示意性的截面图并且示出了如图1中所示部分II-II中所见的根据本发明的有机二极管器件。

图3为一截面图并且示出了根据本发明的方法的第一步骤。

图4为一截面图并且示出了根据本发明的方法的第二步骤。

图5为一截面图并且示出了根据本发明的方法的第三步骤。

图6为一截面图并且示出了根据本发明的方法的第四步骤。

图7为一截面图并且示出了根据本发明的方法的第五步骤。

图8为一截面图并且示出了根据本发明的方法的第六步骤。

图9为一截面图并且示出了根据本发明的方法的第七步骤。

图10为一截面图并且示出了根据本发明的可选实施例的有机二极管器件。

具体实施方式

图1示出了以发光器件1为形式的有机二极管器件。发光器件1包括发光结构2，其在图2被更详细地示出。发光器件1有大的表面3，被分成小片4。通过如将在下面描述的电镀形成的第一金属导体5在表面3上形成一第一网格。如图1中可以看到的，第一金属导体5包括主干6和分支7以便使第一金属导体5和所有小片4接触。通过如将在下面描述的电镀形成的第二金属导体8在表面3上形成第二网格。如图1中可以看到的，第二金属导体8包括主干9和分支10以便使第二金属导体8和所有小片4接触。第一金属导体5和第二金属导体8彼此相互隔离。金属导体5，8中每一个由高电导率金属，或金属混合物组成，并且优选地包括铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、或镍(Ni)，或它们的混合物。

图2示意性地示出了沿着图1的II-II方向看的发光器件1。发光结构2包括阳极层12和阴极层13。阳极层12由至少部分半透明的导电材料构成，例如ITO(铟锡氧化物)。阳极层12由薄膜构成，这意味着阳极层12的厚度小于1u m。典型地，阳极层12在由ITO构成时，厚度为50-200nm。如果透明度是不作要求的，所述阳极层可以由ITO层和金属层的组合构成。阴极层13由至少部分半透明的材料的薄薄膜构成。例如，阴极13可由例如3nm厚的薄Al(铝)薄膜上的0.5nm的薄LiF(锂氟化物)或5nm的Ba(钡)薄膜，与10nm厚的Ag(银)薄膜一起构成，提供小于100nm的总厚度，优选为15-50nm。如果透明度是不作要求的，那么所述阴极层可以例如，由在300nm厚的铝层上的5nm厚的钡薄膜的组合构成。发光有机层14位于阳极层12和阴极层13之间。发光有机层14可以是任何类型的有机材料，例如聚合物，其可在施加的偏压下发光的并且其本身在有机发光二极管(OLED)的现有技术中是已知的。有机层14的厚度优选为和阳极层12在同一范围。层14，可选地，可以包括多个在彼此上面堆叠的有机层。

阳挡层16位于在发光结构2的第一表面15上。阻挡层16气密性地覆盖结构2的第一表面15，保护其不受水，水蒸汽和氧气的侵害。阻挡层16由介电材料构成，例如，可以包括氮化硅-氧化硅-氮化硅的层状结构，也叫做NON。进一步已知的阻挡层描述在H.Lifka和E.Haskal的WO 2003/050894中。阻挡层16的可选材料例如是碳化硅(silicon carbide)，SiC，和氧化铝(alumina)，Al₂O₃。进一步可选地，这些材料的叠层和与有机材料的组合可以用作阻挡层。

玻璃板18位于结构2的第二表面17上。玻璃板18形成衬底，其上形成结构2，如下面将示出的。阳极12被提供第一组接触区域，其中两个接触区域19，20在图2中示出。阴极层13被提供一第二组接触区域，其中接触区域22在图2中示出。在优选实施例中阴极材料采用例如沉积的方法也施加到阳极层12的将形成接触区域19，20的那些部分。该阴极材料和阴极层13本身没有电接触。这一实施例的优点是阳极层12的接触区域19，20和阴极层13的接触区域22都由一种同样类型的材料形成。这避免了在形成阳极层12和阴极层13的接触时必须使用(workwith)两种不同类型的材料的问题，如下面将进行叙述的。

阻挡层16被提供第一组开口，其中如图2所示的两个开口23，24和第一组接触区域例如19，20对准，以及第二组开口，其中如图2所示的一个开口25和第二组接触区域例如22对准。由沉积的导电材料形成的接触片26位于开口23，24，25的每一个中，并且保证阳极层12的接触区域19，22和第一金属导体5之间以及阴极13的接触区域22和第二金属导体8之间适当的电接触。接触片26优选由氮化钛(TiN)或氮化钛和铜(Cu)的叠层或铬(Cr)和铜的叠层构成。应注意到阻挡层16中的开口23，24，25被接触片26和金属导体5，8完全覆盖，这保证了发光结构2彻底的气密性覆盖。

第一和第二金属导体5，8的厚度T优选在范围0.5-100u m以内，更优选的是在范围10-50um以内。这样金属导体5，8的厚度比阳极层和阴极层的厚度大约大20-100倍。另外，金属导体5，8由上述的高电导率的材料形成。由于如下事实：第一金属导体5形成的网格内和第二金属导体8形成的网格内的电压降受到很大限制，如图1所示，从而发光器件1的所有的小片4被施加同样的偏置电压，该同样的偏置电压在工作中在整个区域上提供均匀的亮度。应注意到每一小片4的大小按照阳极层，阴极层，有机层等的类型和厚度进行设计，以便单个小片4的区域上的电压降受到很大限制。因此本发明克服了其中电压降引起发光器件区域发光不均匀的现有技术中的问题。

制造发光器件1的方法将参照图3至图9进行描述。

图3示出了第一步，其中发光结构2通过将阳极层12施加在作为衬底的玻璃板18上而形成。其它的材料，例如塑料和金属，也可以用作衬底。有机发光层14施加到阳极层12顶部，最终阴极层13施加在有机层14顶部，从而完成结构2。结构2被这样设计：给阳极层12提供第一组接触区域，表示为接触区域19和20，以及给阴极层14提供第二组接触区域，表示为接触区域22。有机发光层14作为隔离体而形成，使得第一组接触区域和第二组接触区域都可以出现在所述第一表面15。图3示出的第一步，可优选通过形成有机发光二极管(OLED)的本身已知的方法实现。

图4示出了第二步，其中阻挡层16施加在结构2的第一表面15上。阻挡层16优选采用等离子体沉积的方法被沉积。阻挡层16中的材料优选采用前述的NON。如图4所示，阻挡层16具有第一组开口，表示为与所述第一组接触区域，19，20对准的开口23，24，以及第二组开口，表示为与所述第二组接触区域，22对准的开口25。阻挡层16中的开口23，24，25可以由通过在沉积过程中在结构2上保持遮蔽掩模的光刻和后续的刻蚀而形成，或者通过其它在薄层中形成开口的本身已知的技术而形成。

图5示出了第三步，其中电镀基层27形成为在第一表面15处的阻挡层16的顶部上的层。电镀基层27的目的是提高电镀效率，下面将进行描述。因而电镀基层27通过阻挡层16中的开口23，24和25与接触区域19，20和22接触是重要的。根据一个特别优选的实施例，电镀基层27分两步进行沉积。第一步，沉积TiN。TiN具有和优选作为阻挡层16中的材料的NON结合牢固的优点，以及和优选作为阳极层12中的材料的ITO结合牢固的优点。然后，金属，例如铜，沉积在TiN上以提供良好的电导率和用于电镀工艺的良好的基层，这在下面将进行描述。沉积的TiN和Cu共同形成了电镀基层27。电镀基层27的厚度典型地在50-800nm范围内。

图6示出了第四步，其中抗蚀剂层28施加在电镀基层27上。抗蚀剂层28被图案化以提供第一组通孔(hole)，表示为与第一组接触区域即接触区域19，20对准的孔29和30，以及提供一第二组通孔，表示为与第二组接触区域即接触区域22对准的通孔32。抗蚀剂层28的图案化可以通过本身已知的技术实现，例如光刻。简言之，光刻包括施加液体聚合物，通过光照采用掩模来仅仅固化图案中需要保留的部分，并清洗去除未固化的聚合物以在希望的位置得到通孔。

图7示出了第五步，其中金属被电镀以形成第一和第二金属导体。这通过连接电镀基层27和/或阳极层12和阴极层13至第一终端33，电化学单元的阴极，而完成。图7中，阳极层12和阴极层13通过电镀基层27连接至第一终端33。然后，具有阻挡层16，电镀基层27和抗蚀剂层28的结构2被降低到包含诸如铜离子之类的合适金属离子以及以阳极35为形式的第二终端的电镀槽34中，并且经历电镀工艺，如图7示意性所示。在电镀工艺中，由于电镀基层27良好的电导率，第一和第二金属导体5，8将从电镀基层27开始向上快速生长，如图7所示。如图所示抗蚀剂层28将阻止除刚超过接触区域19，20，22以外的任何生长。第四步中，为了使发光通过第一表面15和第二表面(phase)17，抗蚀剂层28的应用被设计使得由金属导体5，8引起第一表面15的屏蔽最小，如将在下面进行叙述的。另外，抗蚀剂层28保证了第一金属导体5和第二金属导体8相互隔离。阻挡层16和电镀基层27有效地阻止电镀槽34中的液体(主要是水)和结构2之间的任何接触，并且对能够使用电镀工艺是必需的，因为如上所述，结构2本身对水非常敏感。电镀工艺被一直执行直到第一和第二金属导体5，8达到希望的厚度。

图8示出了第六步，其中抗蚀剂层28被去除。抗蚀剂层28的去除可以采用任何已知的方法，如通过合适的溶剂溶解抗蚀剂层。从图8可以看出，当抗蚀剂层28被去除后电镀基层27被露出。

图9示出了第七步也是最后一步，其中为避免第一金属导体5和第二金属导体8之间的短路，电镀基层27未被第一和第二金属导体5，8覆盖的那些部分被刻蚀一直达到阻挡层16。由于存在阻挡层16，刻蚀可以采用湿法刻蚀工艺，这本身在现有技术中是已知的。电镀基层27被第一和第二金属导体5，8覆盖的那些部分将不被刻蚀并将形成前述的接触片26。第一金属导体5和第二金属导体8现在可以连接至合适的电源(未示出)，发光器件1已可以使用。可选地，为了提供增强的保护，第二玻璃板(未示出)可以通过例如粘合附加至第一表面15，也就是金属导体5，8的顶部。其它材料，例如塑料薄片，金属和金属薄片，也可用于保护。在施加电压的情况下，光通过第一表面15和第二表面17射出，如图9中箭头所示。这样发光器件1可以从两个方向发光并可被看作是透明的。

图10以发光器件101的形式示出了本发明第二个实施例。发光器件101包括和前述结构2类似的并且沉积在玻璃板118上的发光结构102。结构102被阻挡层116气密性地覆盖。发光器件101和发光器件1主要的不同在于发光器件101不是透明的，而是适于仅仅通过其第二表面117发光。由于没有光发射要通过第一表面115，宽的第一金属导体板105和宽的第二金属导体108可以电镀在阻挡层116上。如图10所示，第一和第二金属导体105，108之间只有很小的间隙121以便于相互隔离。发光器件101的一个优点是由于金属导体105，108足够宽以至于适当的厚度t就足以提供足够的电导率。一个进一步的优点是金属导体105，108覆盖了几乎整个第一表面115，有助于阻挡层16气密性地覆盖结构102并使其与氧气和水蒸汽屏蔽。这种屏蔽在有机层未被阴极层覆盖的区域尤为重要，例如和第一组接触区域邻近的区域，即和阳极层相关的接触区域。

应该指出的是上述实施例的多种变形均落入所附的专利权利要求的范围内。

前面参考以OLED为形式的有机二极管描述了本发明。应该指出的是本发明也可用于其它类型的有机二极管。一个这样的例子是包括沉积在两个电极之间并且适于根据光的吸收提供电流的有机层或有机层叠层的光电二极管。这种光电二极管可以用作光电池，尤其是大面积太阳能电池。至于光电二极管的基本设计和制造方法，则和前述的OLED类似。

前面描述了电镀基层27先于电镀工艺沉积在阻挡层16的顶部。应该指出的是金属导体5，8的电镀也可以在没有电镀基层27的情况下进行。然而在这种情况下，因为阳极层和阴极层的高电阻率，电镀工艺变得很慢。

电镀基层可以优选在电镀步骤之前进行构造。电镀基层的构造可以通过多种方法完成，例如通过电镀基层的遮蔽掩模沉积或者光刻/印刷掩模，随后进行刻蚀和刻蚀保护的去除来完成。构造电镀基层另一方法是使用所谓剥离或者其中抗蚀剂以希望的结构沉积并固化的类似的本身已知的方法。电镀基层随后沉积在结构化的抗蚀剂的顶部。例如根据上述方法之一对电镀基层进行构造这一事实的优点在于在通过电镀步骤形成导体的过程中，电镀基层位于抗蚀剂(resist)顶部的那一部分由于没有电连接将不会被电镀金属覆盖。这样导体将仅仅形成在希望的位置上。在电镀步骤之后，电镀基层位于抗蚀剂顶部的那一部分可以被选择性地刻蚀到电镀材料，这样可以用简单的方法以希望的形状形成金属导体。这样为了在电镀步骤之前形成结构化电镀基层而进行的电镀基层的构造使得在希望的位置电镀金属导体和在电镀步骤之后去除电镀基层的多余部分变得更简单。

另外，前面描述了为了定义金属导体5，8的位置和使它们相互隔离，抗蚀剂层28被图案化。应该指出的是也可以不使用抗蚀剂层而直接在电镀基层顶部或没有电镀基层的阻挡层顶部电镀同质的金属层，例如铜层。在附加的步骤中，该同质的铜层将被刻蚀以提供具有需要的形状和图案的金属导体并使它们相互隔离。然而，应优先采用前述使用抗蚀剂层的方法，因为刻蚀比较厚的电镀金属层可能损害下层结构的完整性。

在参照图1和2描述的实施例中，所述阳极和阴极都是由透明材料构成。应该指出的是在可选性实施例中，如果整个有机二极管器件的透明度是不作要求的，可以只有阳极或只有阴极是透明的。

根据前面的叙述，阳极层12布置在玻璃板18上，有机层14和阴极层13位于阳极层12的顶部。也可以按照相反的顺序形成阳极层和阴极层，即阴极层首先沉积玻璃板上，然后是有机层，最后是阳极层。

前述发光器件1，101中的每一个被提供了与阳极层12连接的第一金属导体5，105，以及与阴极层13连接的第二金属导体8，108。应该指出的是也可以设计只有一个连接至阳极层或阴极层的金属导体的发光器件。一个例子是，不透明的发光器件。在这种情况下，阴极可以做得十分厚以提供足够的电导率。阳极，优选为采用ITO制作，将仍然是薄的，并且这样将需要第一金属导体以避免电压降。

下面将总结包括具有阳极层12，阴极层13和有机层14的有机二极管结构2的有机二极管器件1。阳极层12和阴极层13其中之一具有分布在所述结构2的表面15上的一组接触区域19，20。阻挡层16气密性地覆盖所述结构2并被提供和所述这组接触区域19，20对准的一组开口23，24。金属导体5被电镀在所述阻挡层16上并通过该组开口23，24和该组接触区域19，20接触。形成这种器件的方法包括形成结构2，形成带有该组开口23，24的阻挡层16，以及使所述结构2经受电镀工艺以形成金属导体5。

Claims (11)

1、一种有机二极管器件，包括：

具有阳极层(12)、阴极层(13)以及位于阳极层(12)和阴极层(13)之间的至少一有机层(14)的有机二极管结构(2)，阳极层(12)和阴极层(13)其中之一具有分布在所述结构(2)的第一表面(15)上的第一组接触区域(19，20)，

阻挡层(16)，位于所述第一表面(15)上以气密性地覆盖所述结构(2)，所述阻挡层(16)具有与所述第一组接触区域(19，20)对准的第一组开口(23，24)，以及

至少一个第一金属导体(5)，被电镀在所述阻挡层(16)上并通过所述阻挡层(16)中的所述第一组开口(23，24)与所述第一组接触区域(19，20)接触。

2、根据权利要求1所述的有机二极管器件，其中所述至少一个第一金属导体(5)在所述第一表面(15)上形成网格。

3、根据权利要求1-2任一项所述的有机二极管器件，其中所述至少一个第一金属导体(5)有0.5-100um的厚度(T)。

4、根据权利要求1-3任一项所述的有机二极管器件，其中电镀基层(27)沉积在所述阻挡层(16)上以在每一所述第一组接触区域(19，20)和所述至少一个第一金属导体(5)之间形成接触片(26)。

5、根据权利要求1-4任一项所述的有机二极管器件，其中所述至少一个第一金属导本(5)通过所述阻挡层(16)中的所述第一组开口(23，24)与阳极层(12)接触，所述第一组开口(23，24)与阳极层(12)的所述第一组接触区域(19，20)对准，至少一个第二金属导体(8)被电镀在所述阻挡层(16)上以通过阻挡层(16)中的第二组开口(25)与阴极层(13)接触，所述第二组开口(25)与阴极层(13)的第二组接触区域(22)对准，第二组接触区域(22)分布在所述第一表面(15)上，所述第一和第二金属导体(5，8)相互隔离。

6、一种形成有机二极管器件的方法，包括步骤：

通过在阳极层(12)和阴极层(13)之间提供至少一个有机层(14)形成有机二极管结构(2)，阳极层(12)和阴极层(13)其中之一被提供分布在所述结构(2)的第一表面(15)上的第一组接触区域(19，20)，

在所述第一表面(15)上形成阻挡层(16)以气密性地覆盖所述结构(2)，所述阻挡层(16)被提供与所述第一组接触区域(19，20)对准的第一组开口(23，24)，以及

使被所述阻挡层(16)覆盖的所述结构(2)经受电镀工艺，其中所述阳极层(12)和阴极层(13)其中之一被连接至电镀槽(34)中的终端(33)之一以便导电金属被电镀在第一组接触区域(19，20)上，从而在所述第一表面(15)上形成至少第一金属导体(5)。

7、根据权利要求6所述的方法，进一步包括步骤：在使所述结构(2)经受电镀工艺之前，提供隔离层(28)以覆盖所述第一表面(15)上不希望电镀的那些区域。

8、根据权利要求7所述的方法，进一步包括步骤：所述使所述结构(2)经受电镀工艺的步骤之后去除所述隔离层(28)。

9、根据权利要求6-8任一项所述的方法，进一步包括步骤：在形成所述阻挡层(16)的步骤和使所述结构(2)经受电镀工艺的步骤之间，为改善所述第一组接触区域(19，20)和电镀槽(34)中的电解液之间的电接触，在所述阻挡层(16)顶部沉积一层导电材料的电镀基层(27)。

10、根据权利要求9所述的方法，进一步包括步骤：在所述使所述结构(2)经受电镀工艺的步骤之后，去除电镀基层(27)未被所述至少一个第一金属导体(5)覆盖的那些部分的至少一部分。

11、根据权利要求9或10所述的方法，其中沉积电镀基层的步骤包括沉积电镀基层作为结构化层。

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