CN108365001A - 一种ito基片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种ITO基片及其制备方法，属于导电薄膜技术领域。本发明的ITO基片包括依次设置的基板、ITO电极层和离型膜，所述ITO电极层和所述离型膜之间还设置有电荷转移抑制层。电荷转移抑制层抑制了ITO电极层表面与离型膜之间的电荷转移，避免了因电荷转移造成的器件性能下降的问题，同时，在离型膜剥离后，电荷转移抑制层还可作为有机光电器件的空穴注入层，同一膜层结构能够实现不同功能，节约了器件制作成本。本发明可广泛应用于各类有机光电器件的制造中。
Description
技术领域
本发明涉及导电薄膜技术领域，尤其涉及一种ITO基片及其制备方法。
背景技术
在液晶显示器、电致发光显示器、等离子体显示器、电致变色显示器、太阳能电池、触摸面板、电子纸等中，一般使用透明电极。例如，在有机电致发光器件中，由对置的两层电极及在电极之间设置有机功能层构成，有机功能层中的发光层中产生的光透过电极而被取出到外部。因此，两层电极中的至少一层为透明电极。
作为透明电极，一般使用有氧化铟锡(ITO)等的氧化物半导体系的材料，就由ITO等构成的透明电极而言，在沉积有机功能层之前，需要经过清洗步骤，增加了整体器件工艺的复杂度，因此，为了简化工序，现有的免清洗的ITO玻璃上会覆盖一层离型膜，使用之前将离型膜剥离，即用即撕，方便高效，但是这种免清洗的ITO玻璃，表面高功函的ITO电极层与离型膜表面的基团之间会发生电荷转移，造成ITO玻璃的性能降低，进而导致整个器件的性能的下降。
发明内容
本发明针对现有技术中的上述问题，提供一种可以防止ITO电极层电荷转移的ITO基片及其制备方法。
本发明公开了一种ITO基片，包括依次设置的基板、ITO电极层和离型膜，所述ITO电极层和所述离型膜之间还设置有电荷转移抑制层。
进一步地，所述电荷转移抑制层的材料包括电荷转移抑制剂，所述电荷转移抑制剂优选为空穴注入材料，使所述电荷转移抑制层能够作为有机光电器件的空穴注入层。
进一步地，所述空穴注入材料为HAT-CN或F4-TCNQ。
进一步地，所述ITO电极层为图案化的，具有导电部分和非导电部分。
进一步地，所述ITO基片包括第一功能区和第二功能区，所述第一功能区与有机光电器件的发光区对应，所述第二功能区与有机光电器件的非发光区对应，所述电荷转移抑制层设置于第一功能区，所述第二功能区的ITO电极层与离型膜直接接触。
进一步地，所述电荷转移抑制层设置在ITO电极层上，将离型膜剥离后，所述电荷转移抑制层保留在ITO电极层上，可以直接作为有机光电器件的有机功能层，同一膜层结构在不同制程中实现不同功能，节约了器件制作成本。
进一步地，所述电荷转移抑制层设置在离型膜上，将离型膜剥离后，所述电荷转移抑制层随离型膜一同剥离。
进一步地，所述电荷转移抑制层与离型膜之间还设置有粘结层。制作有机光电器件前，将电荷转移抑制层与离型膜一同被剥离ITO电极层表面，在电荷转移抑制层与离型膜之间设置粘结层，有利于将电荷转移抑制层剥离。
上述的一种ITO基片的制备方法，具体步骤包括：
S1：在基板上制作图案化的ITO电极层。
S2：第一功能区第二功能区利用掩模板在所述第一功能区的ITO电极层上沉积电荷转移抑制剂，形成电荷转移抑制层；
S3：在步骤S2形成的基片上贴附离型膜。
上述另一种ITO基片的制备方法，具体步骤包括：
S1：在基板上制作图案化的ITO电极层；
S2：利用掩模板，在离型膜上与第一功能区对应的位置沉积电荷转移抑制剂，形成电荷转移抑制层；
S3：将离型膜电荷转移抑制层一侧贴附对位贴附于ITO电极层上。
有益效果：
本发明的ITO基片通过在ITO电极层和离型膜之间设置电荷转移抑制层，抑制了ITO电极层表面与离型膜之间的电荷转移，避免了因电荷转移造成的器件性能下降的问题，同时，在离型膜剥离后，电荷转移抑制层还可作为有机光电器件的空穴注入层，同一膜层结构能够实现不同功能，节约了器件制作成本。
附图说明
图1是本发明的ITO基片的结构图；
图2是本发明的实施例四的ITO电极层结构；
图3是本发明的实施例四的ITO基片层结构剖面图；
图4是本发明的实施例五的ITO基片的离型膜剥离过程示意图；
图5是本发明的实施例六的ITO基片的离型膜剥离过程示意图；
图6是本发明的实施例七的ITO基片的离型膜剥离过程示意图；
图7是本发明的实施例八的制作方法流程图；
图8是本发明的实施例九的制作方法流程图；
图中，10-基板，20-ITO电极层，30-电荷转移抑制层，31-粘结层，40-离型膜，50-第一功能区，60-第二功能区。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：
实施例一：结合图1说明本实施例，本实施例的ITO基片如图1所示，包括在基板10、设置在基板10表面的ITO电极层20和设置在ITO电极层20表面的离型膜40，所述ITO电极层20和离型膜40之间还设置有电荷转移抑制层30。
实施例二：本实施例在实施例一的基础上进一步改进，所述电荷转移抑制层30的材料为空穴注入材料，使电荷转移抑制层30在后期制作有机光电器件时，能够作为有机光电器件的空穴注入层，电荷转移抑制层30在ITO基片保存过程中，起到抑制ITO电极层表面电荷转移的作用，在制备有机光电器件时，又作为空穴注入层，同一结构在不同制程中实现不同功能，节约了器件制作成本。
实施例三：本实施例在实施例二的基础上进一步改进，所述空穴注入材料为HAT-CN或F4-TCNQ，在图案化的ITO电极层上沉积厚度为10～50nm的HAT-CN层，或者约10nm的F4-TCNQ层，可在制作有机光电器件时，直接在HAT-CN或F4-TCNQ制作其他功能层。
实施例四：结合图2和图3说明本实施例，本实施例的ITO基片，如图2所示，包括第一功能区50和第二功能区60，所述第一功能区50与有机光电器件的发光区对应，所述第二功能区60与有机光电器件的非发光区对应，如图3所示，所述电荷转移抑制层30设置于第一功能区50，所述第二功能区60的ITO电极层与离型膜40直接接触，如此设置的原因是：第二功能区60的ITO电极上不会制作有机器件层，并且第二功能区60对ITO的界面要求较低，所以只在第一功能区50的ITO电极层上沉积电荷转移抑制层，第二功能区60的ITO电极层20与离型膜40直接接触。需要说明的是，本实施例中“所述电荷转移抑制层30设置于第一功能区50，所述第二功能区60的ITO电极层与离型膜40直接接触”只是基于实现发明目的和节约材料的双重角度考虑的优选技术方案，并非限制电荷转移抑制层不能设置于第一功能区外的其他区域。
实施例五：结合图4说明本实施例，本实施例在实施例四的基础上进一步改进，所述电荷转移抑制层30设置在ITO电极层20上，将离型膜40剥离后，所述电荷转移抑制层30保留在ITO电极层20上，可以直接作为有机光电器件的有机功能层。
实施例六：结合图5说明本实施例，本实施例与实施例五的区别之处在于，所述电荷转移抑制层30设置在离型膜40上，如图5所示，剥离离型膜40时，所述电荷转移抑制层30随离型膜40一同被剥离。
实施例七：结合图6说明本实施例，本实施例的ITO基片，在实施例六的基础上进一步改进，所述电荷转移抑制层30与离型膜40之间还设置有粘结层31，制作有机光电器件前，将电荷转移抑制层30与离型膜40一同被剥离ITO电极层20表面，在电荷转移抑制层30与离型膜40之间设置粘结层31，利于使用时将电荷转移抑制层30剥离。
实施例八：结合图7说明本实施例，本实施例的一种ITO基片的制备方法，包括以下步骤：
S1：在基板上制作图案化的ITO电极层；
S2：第一功能区第一功能区第二功能区利用掩模板在所述第一功能区的ITO电极层上沉积电荷转移抑制剂，形成电荷转移抑制层；
S3：在步骤S2形成的基片上贴附离型膜。
实施例九：结合图8说明本实施例，本实施例的一种ITO基片的制备方法，具体步骤包括：
S1：在基板上制作图案化的ITO电极层；
S2：利用掩模板，在离型膜上与第一功能区对应的位置沉积电荷转移抑制剂，形成电荷转移抑制层；
S3：将离型膜电荷转移抑制层一侧对位贴附于ITO电极层上。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
Claims (9)
1.一种ITO基片，包括依次设置的基板、ITO电极层和离型膜，其特征在于，所述ITO电极层和所述离型膜之间还设置有电荷转移抑制层。
2.根据权利要求1所述的ITO基片，其特征在于，所述电荷转移抑制层的材料包括电荷转移抑制剂，所述电荷转移抑制剂优选为空穴注入材料，使所述电荷转移抑制层能够作为有机光电器件的空穴注入层。
3.根据权利要求2所述的ITO基片，其特征在于，所述空穴注入材料为HAT-CN或F4-TCNQ。
4.根据权利要求1所述的ITO基片，其特征在于，所述ITO基片包括第一功能区和第二功能区，所述电荷转移抑制层设置于所述第一功能区。
5.根据权利要求4所述的ITO基片，其特征在于，所述电荷转移抑制层设置在所述ITO电极层上，将所述离型膜剥离后，所述电荷转移抑制层保留在所述ITO电极层上。
6.根据权利要求4所述的ITO基片，其特征在于，所述电荷转移抑制层设置在所述离型膜上，剥离所述离型膜时，所述电荷转移抑制层随所述离型膜一同剥离。
7.根据权利要求6所述的ITO基片，其特征在于，所述电荷转移抑制层与所述离型膜之间还设置有粘结层。
8.权利要求5所述的ITO基片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在基板上制作图案化的ITO电极层；
S2：利用掩模板在ITO电极层的第一功能区上沉积电荷转移抑制剂，形成电荷转移抑制层；
S3：在步骤S2形成的基片上贴附离型膜。
9.根据权利要求6所述的ITO基片的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：
S1：在基板上制作图案化的ITO电极层；
S2：利用掩模板，在离型膜上与第一功能区对应的位置沉积电荷转移抑制剂，形成电荷转移抑制层；
S3：将离型膜电荷转移抑制层一侧对位贴附于ITO电极层上。
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Legal Events
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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