CN112188369B - 一种扬声器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种扬声器及其制造方法，涉及扬声器技术领域，用于提高电磁式扬声器的结构紧凑性，便于采用微电子机械加工技术制造。所述扬声器包括基底、振动部、线圈和磁性材料部；基底具有支撑面；于支撑面，基底内设置有浅槽结构、以及位于浅槽结构下方的阻挡结构；阻挡结构内开设有至少一个通气孔；振动部形成在支撑面的上方，振动部包括位于浅槽结构上方的振膜结构；线圈位于振膜结构远离基底的一侧；磁性材料部位于阻挡结构远离振动部的表面。

Description

一种扬声器及其制造方法

技术领域

本发明涉及扬声器技术领域，尤其涉及一种扬声器及其制造方法。

背景技术

扬声器是一种能够把电信号转换为声信号的换能器件。扬声器是制造音响、声学有源降噪设备等的基础，因此，扬声器的性能对声学设备的制造具有关键性的影响。

根据扬声器的驱动方式，扬声器可以分为静电式扬声器、压电式扬声器以及电磁式扬声器。其中，电磁式扬声器能够兼具声音的高保真效果、以及较大的振动幅度等优点受到广泛关注。

但是，现有的电磁式扬声器的结构较为分散，通过微电子机械加工技术制造现有的电磁式扬声器的过程中难以确保各个结构的相对位置关系，从而导致电磁式扬声器的驱动稳定性较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种扬声器及其制造方法，用于提高电磁式扬声器的驱动稳定性，进而提高电磁式扬声器的品质。

为了实现上述目的，本发明提供了一种扬声器，该扬声器包括：

基底，具有支撑面；于支撑面，基底内设置有浅槽结构、以及位于浅槽结构下方的阻挡结构；阻挡结构内开设有至少一个通气孔；

振动部，振动部形成在支撑面的上方，振动部包括位于浅槽结构上方的振膜结构；

线圈，线圈位于振膜结构远离基底的一侧；

磁性材料部，磁性材料部位于阻挡结构远离振动部的表面。

与现有技术相比，本发明提供的扬声器中，在基底内设置有浅槽结构、以及位于浅槽结构下方的阻挡结构。并且，在支撑面的上方形成有振动部。同时，线圈形成在振膜结构远离基底的一侧、磁性材料部形成在阻挡结构远离振膜结构的一侧。由上述内容可以看出，振动部、线圈和磁性材料均以同一基底为支撑，形成在该基底的两侧，因此相比于现有的电磁式扬声器，本发明提供的扬声器，其结构更为紧凑，便于采用微电子机械加工技术制造。此外，在制造本发明实施例提供的扬声器的过程中，在振膜结构的下方形成磁性材料部时，阻挡结构可以阻挡磁性材料形成在振膜结构远离线圈的一侧，防止因振膜结构远离线圈的一侧形成有多余的磁性材料，而使得该多余的磁性材料与阻挡结构背面形成的磁性材料部之间存在相互作用力，影响线圈和磁性材料部之间的正常作用，从而提高了扬声器的驱动稳定性。再者，阻挡结构上开设有至少一个通气孔，能够减小振膜结构沿着靠近或远离阻挡结构的方向振动时的空气阻力，确保扬声器具有较高的品质。

本发明还提供了一种扬声器的制造方法，该扬声器的制造方法包括：

提供一基底，基底具有支撑面；于支撑面，基底内设置有浅槽结构、以及位于浅槽结构下方的阻挡结构；阻挡结构内开设有至少一个通气孔；

在支撑面的上方依次形成振动部和线圈；振动部包括位于浅槽结构上的振膜结构；线圈位于振膜结构远离基底的一侧；

在阻挡结构远离振动部的表面上形成磁性材料部，获得扬声器。

与现有技术相比，本发明提供的扬声器的制造方法的有益效果与上述技术方案扬声器的有益效果相同，此处不做赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例提供的扬声器的结构示意图；

图2为本发明实施例中基底的结构示意图；

图3为本发明实施例中形成浅槽结构后结构示意图；

图4为本发明实施例中形成阻挡结构后结构示意图；

图5为本发明实施例中基底上形成半导体层后结构示意图；

图6为本发明实施例中形成第一接触结构后的结构示意图；

图7为本发明实施例中形成连接孔后结构示意图；

图8为本发明实施例中形成线圈及第二接触结构后结构示意图；

图9为本发明实施例中形成孔图形后的结构示意图；

图10为本发明实施例中形成背腔后的结构示意图；

图11为本发明实施例中将背腔和浅槽结构连通后的结构示意图；

图12为本发明实施例中形成磁性材料部后的结构示意图；

图13为本发明实施例提供的扬声器的制造方法流程图。

附图标记：

110为基底，111为顶层硅，112为埋氧层，113为背衬底，120为浅槽结构，130为阻挡结构，140为振动部，140’为半导体层，141为振膜结构，151为线圈，152为第一接触结构，153为第二接触结构，160为绝缘层，170为背腔，180为磁性材料部。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性地，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性地，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。

在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体地限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体地限定。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

扬声器是一种能够把电信号转换为声信号的换能器件。扬声器是制造音响、声学有源降噪设备等的基础，因此，扬声器的性能对声学设备的制造具有关键性的影响。

根据扬声器的驱动方式，扬声器可以分为静电式扬声器、压电式扬声器以及电磁式扬声器。其中，电磁式扬声器能够兼具声音的高保真效果、以及较大的振动幅度等优点受到广泛关注。

但是，现有的电磁式扬声器的结构较为分散，通过微电子机械加工技术制造现有的电磁式扬声器的过程中难以确保各个结构的相对位置关系，从而导致电磁式扬声器的驱动稳定性较差。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种扬声器及其制造方法。其中，本发明实施例提供的扬声器中，在振膜结构下方形成有阻挡结构，并且，磁性材料部形成在阻挡结构远离振膜结构的一侧。基于此，在制造本发明提供的扬声器的过程中，该阻挡结构能够阻挡结构阻挡磁性材料形成于振膜结构远离线圈的表面，提高了扬声器的电磁驱动稳定性，确保扬声器具有较高的品质。

参见图1，本发明实施例提供了一种扬声器，该扬声器包括基底110、振动部140、线圈151以及磁性材料部180。

参见图1，上述基底110，具有支撑面。于上述支撑面，基底110内设置有浅槽结构120、以及位于浅槽结构120下方的阻挡结构130。阻挡结构130内开设有至少一个通气孔。上述振动部140形成在支撑面的上方。振动部140包括位于浅槽结构120上方的振膜结构141。上述线圈151位于振膜结构141远离基底110的一侧。上述磁性材料部180位于阻挡结构130远离振动部140的表面。

具体来说，参见图1，基底110内设置的浅槽结构120具有顶端开口，且顶端开口与基底110的支撑面齐平。上述线圈151可以为螺旋线圈。基于此，在线圈151外接电路后，根据右手定则可知，电流流过线圈151，在垂直于线圈151的方向上形成磁场。在磁性材料部180和变化的磁场的作用下，位于浅槽结构120上方的振膜结构141能够沿着靠近或远离阻挡结构130的方向振动。可以理解的是，浅槽结构120的深度影响振膜结构141的振幅，因此，浅槽结构120的深度影响着扬声器的音质，为了获取更佳的音质，在一定范围内，深度更深的浅槽结构120是被期待的，但是，过深的浅槽结构120容易造成扬声器的厚度过厚，体积过大的问题。综合扬声器小体积与高音质的需求，可以将浅槽结构120的深度设为1～5μm。

参见图1，上述阻挡结构130上开设有至少一个通气孔。振膜结构141沿着靠近或远离阻挡结构130振动过程时，振膜结构141与阻挡结构130之间的气体可以通过阻挡结构130上的至少一个通气孔逃逸，降低了振膜结构141所承受的压力，使得振膜结构141更容易发生振动。具体地，通气孔的数量可以为一个，也可以为多个。当通气孔的数量为多个时，多个通气孔的排布方式可以根据实际应用场景设置，只要能够应用到本发明实施例提供的扬声器中即可。例如：多个通气孔可以呈矩阵排布，也可以呈放射状排布。

此外，参见图1，在阻挡结构130上开设有多个通气孔，且至少有一个通气孔位于振膜结构141正下方的情况下，在制造本发明实施例提供的扬声器的过程中，由阻挡结构130远离振动部140的一侧溅射磁性材料形成磁性材料部180时，可以通过将基底110倾斜设置来防止磁性材料通过通气孔溅射至振膜结构141上。由此可知，通气孔的高宽比影响基底110倾斜设置时的倾斜角度、以及阻挡结构130上磁性材料部180的形成范围。示例性地，通气孔的高宽比可以为2:1～4:1，如此，能够更好的对磁性材料进行阻挡，避免磁性材料通过通气孔形成于振膜结构141远离线圈151的表面。

对于振动部来说，振动部的制成材料可以为金属材料，也可以为半导体材料。例如：上述金属材料可以为铝、钛等。又例如：上述半导体材料可以为硅等。

而对于磁性材料部来说，上述磁性材料部的材质可以为铁钴镍的合金，或其氧化物等磁性材质。

由上述内容可知，本发明实施例提供的扬声器中，在基底内设置有浅槽结构、以及位于浅槽结构下方的阻挡结构。并且，在支撑面的上方形成有振动部。同时，线圈形成在振膜结构远离基底的一侧、磁性材料部形成在阻挡结构远离振膜结构的一侧。由上述内容可以看出，振动部、线圈和磁性材料均以同一基底为支撑，形成在该基底的两侧，因此相比于现有的电磁式扬声器，本发明实施例提供的扬声器，其结构更为紧凑，便于采用为微电子机械加工技术制造。此外，在制造本发明实施例提供的扬声器的过程中，在振膜结构的下方形成磁性材料部时，阻挡结构可以阻挡磁性材料形成在振膜结构远离线圈的一侧，防止因振膜结构远离线圈的一侧形成有多余的磁性材料，而使得该多余的磁性材料与阻挡结构背面形成的磁性材料部之间存在相互作用力，影响线圈和磁性材料部之间的正常作用，从而提高了扬声器的驱动稳定性。再者，阻挡结构上开设有至少一个通气孔，能够减小振膜结构沿着靠近或远离阻挡结构的方向振动时的空气阻力，确保扬声器具有较高的品质。

在一种可能的实施方式中，上述扬声器还可以包括背腔。该背腔可以设置在振膜结构的下方，也可以设置在振膜结构的上方。背腔允许振膜结构朝向靠近或者远离基底的一侧方向运动，避免了振膜结构运动时承受较大的压力，使得扬声器具有更好的发声效果。

在一种示例中，参见图1，当背腔170形成在振膜结构141的下方时，该背腔170可以开设在基底110远离支撑面的一侧。背腔170通过通气孔与浅槽结构120连通。背腔170的侧壁所围成的空间沿着远离阻挡结构130的方向逐渐外扩。

参见图1，设置背腔170的侧壁所围成的空间沿着远离阻挡结构130的方向逐渐外扩，在阻挡结构130远离振动部140的一侧表面溅射磁性材料部180时，便于调整基底110和溅射方向的相对角度，使得磁性材料部180能够完全覆盖在阻挡结构130远离振动部140的一侧表面，防止因背腔170侧壁的遮挡，而导致磁性材料部180没有全部覆盖阻挡结构130的底面。优选地，背腔170的侧壁的长度延伸方向与水平方向之间的夹角为60°～80°。

在另一种示例中，当背腔形成在振膜结构的上方时，振动部远离基底的一侧可以包括透声部。该透声部包括贯穿透声部的背腔。该背腔的侧壁所围成的空间可以沿着远离阻挡结构的方向逐渐外扩，也可以保持不变。

在一种示例中，参见图1，上述扬声器还可以包括设置于振动部140远离基底110一侧表面的绝缘层160。绝缘层160和振动部140内开设有贯穿绝缘层160和振动部140的孔图形。孔图形位于振膜结构141的外周。应理解，通过在振动部140设置该孔图形，且将孔图形设置于振膜结构141的外周，可以释放振膜结构141振动过程中的应力，使振膜结构141更容易发生振动。

具体地，参见图1，绝缘层160的层厚和材质可以根据实际应用场景设置器还可以包括设置于振动部140远离基底110一侧表面的绝缘层160。绝缘层160和振动部140内开设有贯穿绝缘层160和振动部140的孔图形。孔图形位于振膜结构141的外周。应理解，通过在振动部140设置该孔图形，且将孔图形设置于振膜结构141的外周，可以释放振膜结构141振动过程中的应力，使振膜结构141更容易发生振动，此处不做具体限定。例如：绝缘层160的材质可以为氮化硅等绝缘材质。

示例性地，参见图1，上述扬声器还可以包括第一接触结构152和第二接触结构153。第一接触结构152位于绝缘层160内。第一接触结构152的一端与线圈151的一端电连接。第一接触结构152的另一端与孔图形的侧壁平齐。第二接触结构153位于绝缘层160远离振动部140的表面。第二接触结构153与线圈151的另一端电连接。

具体地，参见图1，第一接触结构152形成在振动部140远离基底110的表面。绝缘层160覆盖在第一接触结构152和振动部140上。并且绝缘层160内开设有连接孔，连接孔的孔底与第一接触结构152接触。线圈151一端的部分结构形成在连接孔内、且与第一接触结构152电连接。第二接触结构153位于绝缘层160远离振动部140的表面，并与线圈151的另一端电连接。在此情况下，可以通过第一接触结构152和第二接触结构153将线圈151的两端引出，便于线圈151外接电路。其中，第一接触结构152和第二接触结构153所含有的材料可以是铝、铜、钨、银、钛等导电材料。

图13为本发明实施例提供的扬声器制造方法流程图。参见图13，本发明实施例还提供了一种扬声器的制造方法。具体地，该扬声器的制造方法包括：

步骤101：参见图4，提供一基底110，基底110具有支撑面。于支撑面，基底110内设置有浅槽结构120、以及位于浅槽结构120下方的阻挡结构130。阻挡结构130内开设有至少一个通气孔。

示例性地，上述基底110可以通过对半导体衬底进行相应处理而形成。其中，上述半导体衬底可以为绝缘体上硅(Silicon On Insulator，可缩写为SOI)衬底、绝缘体上锗(Germanium On Insulator，可缩写为GOI)衬底或者绝缘体上锗硅(SiGe on Insulator，可缩写为SGOI)衬底。

具体地，参见图2，SOI衬底包括顶层硅111、背衬底113、以及位于顶层硅111和背衬底113之间的埋氧层112。当上述半导体衬底为SOI衬底时，SOI衬底的顶层硅111上表面作为基底110的支撑面。基于此，可以在SOI衬底的顶层硅111上表面设置一层光刻胶，对光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图形。参见图3，接着可以将该光刻胶图形作为刻蚀掩膜，采用离子刻蚀工艺，刻蚀SOI衬底的顶层硅111获得浅槽结构120。参见图4，继续对顶层硅111位于浅槽结构120下方的部分进行刻蚀，直至刻蚀至SOI衬底所包括的埋氧层112的上表面，从而获得阻挡结构130。具体地，阻挡结构130上开设有至少一个贯穿阻挡结构130的通气孔。通气孔的数量和排布方式可以参考前文，此处不再赘述。

由上述内容够可知，参见图2至图4，浅槽结构120和阻挡结构130是通过对SOI衬底所包括的顶层硅111进行处理而形成，因此可以根据浅槽结构120和阻挡结构130的厚度来设置顶层硅111的厚度。例如：SOI衬底的顶层硅111厚度为5～10μm。

步骤102：参见图5至图9，在支撑面的上方依次形成振动部140和线圈151。振动部140包括位于浅槽结构120上的振膜结构141。线圈151位于振膜结构141远离基底110的一侧。

其中，在支撑面的上方依次形成振动部140和线圈151，可以包括：

步骤102-1：参见图5，在支撑面上形成预设厚度的半导体层140’。该半导体层140’可以为硅衬底。

示例性地，参见图5，可以直接在支撑面上键合预设厚度的硅衬底，从而在支撑面上形成预设厚度的半导体层140’。或者，也可以在支撑面上键合一般厚度的硅衬底。接着由硅衬底远离基底110的一侧，对硅衬底进行减薄、磨抛，从而获得上述半导体层140’。其中，键合工艺可以为硅硅直接键合工艺、聚合物黏结层键合工艺、金属表面键合工艺或共晶键合工艺中的任意一种。此外，后续会基于半导体层140’形成振动部140，因此可以根据振动部140的厚度来设置半导体层140’的厚度。例如：上述预设厚度可以为5～10μm。

需要说明的是，可以在键合前，对硅衬底的键合互连面进行抛光，以使得硅衬底的键合互连面较为平整。基于此，在通过较为平整的键合互连面将硅衬底导致在基底的支撑面上，并将二者进行键合后，可以使得二者连接更加紧密，提升扬声器的结构稳定性。

步骤102-2：参见图6，在半导体层140’的表面形成第一接触结构152、以及覆盖第一接触结构152和半导体层140’的绝缘层160。

示例性地，参见图6，在半导体层140’远离基底110的一侧表面淀积一层第一金属层。接着可以采用光刻和刻蚀工艺，刻蚀该第一金属层，形成第一接触结构152。之后，可以采用物理气相沉积等工艺，形成覆盖第一接触结构152和半导体层140’的绝缘层160。此外，还可以采用化学机械抛光工艺，对形成的绝缘层160进行平坦化处理，以便于后续在绝缘层160上形成线圈151和第二接触结构153。

具体地，上述第一接触结构152和绝缘层160的材质和规格可以参考前文，此处不再赘述。

步骤102-3：参见图7和图8，在绝缘层160上形成第二接触结构153和线圈151。第一接触结构152与线圈151的一端电连接。第二接触结构153与线圈151的另一端电连接。

示例性地，参见图7，可以采用光刻和反应离子刻蚀工艺，在绝缘层160内开设连接孔，该连接孔的孔底与第一接触结构152接触。之后，参见图8，在绝缘层160远离半导体层140’的一侧表面沉积第二金属层，并对第二金属层进行刻蚀，从而获得第二接触结构153及线圈151。由上述内容可以看出，线圈151一端至少部分位于该连接孔内。并且，线圈151的另一端在绝缘层160远离半导体层140’的一侧表面连接至第二接触结构153，如此，第一接触结构152、线圈151及第二接触结构153之间形成连续的电连接。其中，第一接触结构152远离线圈151的一端与孔图形的侧壁平齐，如此，暴露出第一接触结构152，便于在线圈151内形成电流，产生磁场。

步骤102-4：参见图9，刻蚀绝缘层160和半导体层140’，形成贯穿绝缘层160和半导体层140’的孔图形。剩余半导体层140’形成振动部140。

示例性地，参见图9，可以通过光刻和离子刻蚀工艺，在绝缘层160和半导体层140’上开设贯穿绝缘层160和半导体层140’的孔图形，剩余的半导体层140’构成振动部140。振动部140被孔图形包围的部位为振膜结构141。

在一种示例中，参见图10，当扬声器还包括背腔170，并且该背腔170开设在基底110远离支撑面的一侧时，在形成了振动部140后，在阻挡结构130远离振动部140的表面上形成磁性材料部180前，上述扬声器的制造方法还包括：

步骤102-5：参见图10，在基底110远离支撑面的一侧形成背腔170。背腔170通过通气孔与浅槽结构120连通。背腔170的侧壁所围成的空间沿着远离阻挡结构130的方向逐渐外扩。

示例性地，参见图10，当基底110为经SOI衬底处理得到时，在获得了振动部140和线圈151后，可以使用光刻蚀和离子刻蚀工艺在背衬底113远离埋氧层112的一侧设置背腔170。该背腔170的侧壁所围成的空间可以沿着远离阻挡结构130的方向逐渐外扩。可选的，背腔170的侧壁的长度延伸方向与水平方向之间的夹角为60°～80°。

参见图11，仍然以基底110为经过对SOI衬底处理得到为例，在形成了背腔170后，并在形成磁性材料部180之前，可以通过HF释放刻蚀工艺去除埋氧层112位于背腔170与阻挡结构130之间的部分，暴露阻挡结构130远离振动部140的表面，并使得背腔170通过通气孔与浅槽结构120连通。其中，HF可以为气相HF或液相HF。

步骤103：参见图12，在阻挡结构130远离振动部140的表面上形成磁性材料部180，获得扬声器。

示例性地，参见图12，可以采用溅射工艺，在基底110远离支撑面的表面形成磁性材料。此外，在溅射的同时，可以调整基底110远离支撑面的表面与水平面之间的夹角，如此，能够避免溅射的磁性材料通过阻挡结构130的通气孔，落到振膜结构141的下表面。其中，磁性材料位于阻挡结构130上的部分构成磁性材料部180。

具体地，上述磁性材料可以为铁钴镍的合金，或其氧化物。

值得注意的是，由上述内容可以看出，本发明实施例提供的扬声器的制造方法是通过微电子机械加工技术制造扬声器。因微电子机械加工技术融合了光刻、腐蚀、薄膜、硅微加工、非硅微加工等多种微细加工技术，可实现高精度的三维立体微结构的制造，故通过微电子机械加工方式可以批量制造的情况下获得高性能的扬声器，从而可以确保每个扬声器的品质。

在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。

以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。本公开的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。

Claims (9)

1.一种扬声器，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有支撑面；于所述支撑面，所述基底内设置有浅槽结构、以及位于所述浅槽结构下方的阻挡结构；所述阻挡结构内开设有至少一个通气孔；

振动部，所述振动部形成在所述支撑面的上方，所述振动部包括位于所述浅槽结构上方的振膜结构；

线圈，所述线圈位于所述振膜结构远离所述基底的一侧；

磁性材料部，所述磁性材料部位于所述阻挡结构远离所述振动部的表面。

2.根据权利要求1所述的扬声器，其特征在于，所述基底远离所述支撑面的一侧还开设有背腔，所述背腔通过所述通气孔与所述浅槽结构连通；所述背腔的侧壁所围成的空间沿着远离所述阻挡结构的方向逐渐外扩。

3.根据权利要求2所述的扬声器，其特征在于，所述背腔的侧壁的长度延伸方向与水平方向之间的夹角为60°~80°。

4.根据权利要求1所述的扬声器，其特征在于，所述扬声器还包括位于所述振动部远离所述基底一侧表面的绝缘层，所述绝缘层和所述振动部内开设有贯穿所述绝缘层和所述振动部的孔图形；所述孔图形位于所述振膜结构的外周。

5.根据权利要求4所述的扬声器，其特征在于，所述扬声器还包括：第一接触结构和第二接触结构；其中，

所述第一接触结构位于所述绝缘层内，所述第一接触结构的一端与所述线圈的一端电连接，所述第一接触结构的另一端与所述孔图形的侧壁平齐；所述第二接触结构位于所述绝缘层远离所述振动部的表面，所述第二接触结构与所述线圈的另一端电连接。

6.一种扬声器的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底具有支撑面；于所述支撑面，所述基底内设置有浅槽结构、以及位于所述浅槽结构下方的阻挡结构；所述阻挡结构内开设有至少一个通气孔；

在所述支撑面的上方依次形成振动部和线圈；所述振动部包括位于所述浅槽结构上的振膜结构；线圈位于所述振膜结构远离所述基底的一侧；

在所述阻挡结构远离所述振动部的表面上形成磁性材料部，获得扬声器；其中，

所述在所述阻挡结构远离所述振动部的表面上形成磁性材料部，包括：

在所述基底远离所述支撑面的表面溅射磁性材料，并调整所述基底远离所述支撑面的表面与水平面之间的夹角，以通过所述阻挡结构遮挡射向振膜结构的所述磁性材料；其中，所述磁性材料位于所述阻挡结构上的部分构成所述磁性材料部。

7.根据权利要求6所述的扬声器的制造方法，其特征在于，所述在所述支撑面的上方依次形成振动部和线圈后，所述在所述阻挡结构远离所述振动部的表面上形成磁性材料部前，所述扬声器的制造方法还包括：

在所述基底远离所述支撑面的一侧形成背腔，所述背腔通过所述通气孔与所述浅槽结构连通；所述背腔的侧壁所围成的空间沿着远离所述阻挡结构的方向逐渐外扩。

8.根据权利要求6所述的扬声器的制造方法，其特征在于，所述基底为SOI衬底；所述支撑面为所述SOI衬底所具有的顶层硅的上表面。

9.根据权利要求6所述的扬声器的制造方法，其特征在于，所述在所述支撑面的上方依次形成振动部和线圈，包括：

在所述支撑面上形成预设厚度的半导体层；

在所述半导体层的表面形成第一接触结构、以及覆盖所述第一接触结构和所述半导体层的绝缘层；

在所述绝缘层上形成第二接触结构和所述线圈，所述第一接触结构与所述线圈的一端电连接，所述第二接触结构与所述线圈的另一端电连接；

刻蚀所述绝缘层和所述半导体层，形成贯穿所述绝缘层和所述半导体层的孔图形；剩余所述半导体层形成所述振动部。

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