JP2002063991A - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子の封止を容易に行わしめるとともに、当
該素子を発光素子として用いたディスプレイの大型化を
可能とする。 【解決手段】 透明基板と、電極膜と、透明電極膜と、
開口部を有する第１の絶縁膜と、有機電界発光膜と、金
属電極膜と、第２の絶縁膜とを備える。第１及び第２の
絶縁膜はガスバリア性を有するとともに、開口部は、透
明電極膜側から離れるにつれて開口大きさが大きくなる
テーパー形状とされている。透明電極膜は、第１及び第
２の絶縁膜を貫通して第２の絶縁膜上に露出して形成さ
れた第１の電極と電極膜を介して電気的に接続され、金
属電極膜は、第２の絶縁膜を貫通して第２の絶縁膜上に
露出して形成された第２の電極と電気的に接続されてい
る。
該素子を発光素子として用いたディスプレイの大型化を
可能とする。 【解決手段】 透明基板と、電極膜と、透明電極膜と、
開口部を有する第１の絶縁膜と、有機電界発光膜と、金
属電極膜と、第２の絶縁膜とを備える。第１及び第２の
絶縁膜はガスバリア性を有するとともに、開口部は、透
明電極膜側から離れるにつれて開口大きさが大きくなる
テーパー形状とされている。透明電極膜は、第１及び第
２の絶縁膜を貫通して第２の絶縁膜上に露出して形成さ
れた第１の電極と電極膜を介して電気的に接続され、金
属電極膜は、第２の絶縁膜を貫通して第２の絶縁膜上に
露出して形成された第２の電極と電気的に接続されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光素子
及びその製造方法に関する。
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機電界発光素子（以下、有機Ｅ
Ｌ素子と称する）を発光素子として用いた有機ＥＬディ
スプレイが注目を集めている。
Ｌ素子と称する）を発光素子として用いた有機ＥＬディ
スプレイが注目を集めている。
【０００３】有機ＥＬディスプレイの一構成例を図１４
及び図１５に示す。この有機ＥＬディスプレイ２０は、
透明基板２１上に、陽極となる透明電極２２をストライ
プ状に形成し、さらに、正孔輸送層と発光層とからなる
有機層２３を透明電極２２と直交するように形成し、有
機層２３上に陰極２４を形成することで、透明電極２２
と陰極２４とが交差する位置にそれぞれ有機ＥＬ素子を
形成してこれら有機ＥＬ素子を縦横に配置した発光エリ
アＡを形成し、また、その周辺部に、発光エリアを外部
回路又は内部駆動回路に接続させるための取り出し電極
部Ｂを形成している。
及び図１５に示す。この有機ＥＬディスプレイ２０は、
透明基板２１上に、陽極となる透明電極２２をストライ
プ状に形成し、さらに、正孔輸送層と発光層とからなる
有機層２３を透明電極２２と直交するように形成し、有
機層２３上に陰極２４を形成することで、透明電極２２
と陰極２４とが交差する位置にそれぞれ有機ＥＬ素子を
形成してこれら有機ＥＬ素子を縦横に配置した発光エリ
アＡを形成し、また、その周辺部に、発光エリアを外部
回路又は内部駆動回路に接続させるための取り出し電極
部Ｂを形成している。
【０００４】なお、図示しないものの、このような有機
ＥＬディスプレイ２０においては、通常、透明電極２２
間に絶縁層が設けられており、これによって透明電極２
２間の短絡、さらには透明電極２２と陰極２４との間の
短絡が防止されている。
ＥＬディスプレイ２０においては、通常、透明電極２２
間に絶縁層が設けられており、これによって透明電極２
２間の短絡、さらには透明電極２２と陰極２４との間の
短絡が防止されている。
【０００５】このような有機ＥＬディスプレイ２０にお
いて、透明電極２２と陰極２４とが交差する位置に構成
される有機ＥＬ素子としては、例えば図１６に示すシン
グルヘテロ型の有機ＥＬ素子３０がある。この有機ＥＬ
素子３０は、ガラス基板等の透明基板２１上にＩＴＯ
（Indium tin oxide）等の透明電極２２からなる陽極が
設けられ、その上に正孔輸送層２３ａ及び発光層２３ｂ
からなる有機層２３、アルミニウム等からなる陰極２４
が、この順に設けられることにより構成されたものであ
る。
いて、透明電極２２と陰極２４とが交差する位置に構成
される有機ＥＬ素子としては、例えば図１６に示すシン
グルヘテロ型の有機ＥＬ素子３０がある。この有機ＥＬ
素子３０は、ガラス基板等の透明基板２１上にＩＴＯ
（Indium tin oxide）等の透明電極２２からなる陽極が
設けられ、その上に正孔輸送層２３ａ及び発光層２３ｂ
からなる有機層２３、アルミニウム等からなる陰極２４
が、この順に設けられることにより構成されたものであ
る。
【０００６】そして、このような構成のもとに有機ＥＬ
素子３０は、陽極に正の電圧、陰極２４に負の電圧が印
加されると、陽極から注入された正孔が正孔輸送層２３
ａを経て発光層２３ｂに、また陰極２４から注入された
電子が発光層２３ｂにそれぞれ到達し、発光層２３ｂ内
で電子−正孔の再結合が生じる。このとき、所定の波長
を持った光が発生し、図１６中矢印で示すように透明基
板２１側から外に出射する。
素子３０は、陽極に正の電圧、陰極２４に負の電圧が印
加されると、陽極から注入された正孔が正孔輸送層２３
ａを経て発光層２３ｂに、また陰極２４から注入された
電子が発光層２３ｂにそれぞれ到達し、発光層２３ｂ内
で電子−正孔の再結合が生じる。このとき、所定の波長
を持った光が発生し、図１６中矢印で示すように透明基
板２１側から外に出射する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機Ｅ
Ｌ素子の発光層の材料である蛍光性の有機固体は、水
分、酸素等に弱い。また、発光層上に設けられる陰極
は、酸化により特性が劣化しやすい。このため、従来の
有機ＥＬ素子を大気中で駆動させると、発光特性が急激
に劣化してしまい、その部分は発光せず暗点となる。し
たがって、実用的な有機ＥＬ素子や有機ＥＬディスプレ
イを得るためには、有機光層に水分や酸素等が侵入しな
いように、また対向電極が酸化されないように、素子を
封止して長寿命化を図る必要がある。
Ｌ素子の発光層の材料である蛍光性の有機固体は、水
分、酸素等に弱い。また、発光層上に設けられる陰極
は、酸化により特性が劣化しやすい。このため、従来の
有機ＥＬ素子を大気中で駆動させると、発光特性が急激
に劣化してしまい、その部分は発光せず暗点となる。し
たがって、実用的な有機ＥＬ素子や有機ＥＬディスプレ
イを得るためには、有機光層に水分や酸素等が侵入しな
いように、また対向電極が酸化されないように、素子を
封止して長寿命化を図る必要がある。
【０００８】素子の封止の方法としては、例えば有機Ｅ
Ｌ素子ディスプレイの裏面に、金属で作られたキャップ
の中に酸化バリウムなどの脱酸素剤を添付し、乾燥窒素
を封入する方法が提案されている。しかしながら、この
方法では素子封止のための工程が煩雑となり、製造上の
問題となっていた。
Ｌ素子ディスプレイの裏面に、金属で作られたキャップ
の中に酸化バリウムなどの脱酸素剤を添付し、乾燥窒素
を封入する方法が提案されている。しかしながら、この
方法では素子封止のための工程が煩雑となり、製造上の
問題となっていた。
【０００９】さらに、有機ＥＬ素子で大画面化を考えた
場合、従来のパッシブマトリックス方式では、表示装置
の周辺に駆動回路を実装しているために、その駆動回路
の配線抵抗による電圧降下などの理由により、パッシブ
マトリックス方式では、大画面化が困難であった。
場合、従来のパッシブマトリックス方式では、表示装置
の周辺に駆動回路を実装しているために、その駆動回路
の配線抵抗による電圧降下などの理由により、パッシブ
マトリックス方式では、大画面化が困難であった。
【００１０】本発明はこのような従来の実情に鑑みて提
案されたものであり、素子の封止を容易に行わしめると
ともに、当該素子を発光素子として用いたディスプレイ
の大型化を可能とする有機電界発光素子及びその製造方
法を提供することを目的とする。
案されたものであり、素子の封止を容易に行わしめると
ともに、当該素子を発光素子として用いたディスプレイ
の大型化を可能とする有機電界発光素子及びその製造方
法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の有機電界発光素
子は、透明基板と、上記透明基板上に形成された電極膜
と、上記電極膜上に形成された透明電極膜と、上記透明
電極膜上に形成され、当該透明電極膜上に開口部を有す
る第１の絶縁膜と、上記第１の絶縁膜の開口部から露出
する透明電極膜上に、当該開口部よりも大きく第１の絶
縁膜上に亘って形成された有機電界発光膜と、上記有機
電界発光膜上に形成された金属電極膜と、上記金属電極
膜上に、上記有機電界発光膜及び金属電極膜よりも大き
く形成された第２の絶縁膜とを備える。
子は、透明基板と、上記透明基板上に形成された電極膜
と、上記電極膜上に形成された透明電極膜と、上記透明
電極膜上に形成され、当該透明電極膜上に開口部を有す
る第１の絶縁膜と、上記第１の絶縁膜の開口部から露出
する透明電極膜上に、当該開口部よりも大きく第１の絶
縁膜上に亘って形成された有機電界発光膜と、上記有機
電界発光膜上に形成された金属電極膜と、上記金属電極
膜上に、上記有機電界発光膜及び金属電極膜よりも大き
く形成された第２の絶縁膜とを備える。
【００１２】そして、本発明の有機電界発光素子は、上
記第１及び第２の絶縁膜はガスバリア性を有するととも
に、上記開口部は、透明電極膜側から離れるにつれて開
口大きさが大きくなるテーパー形状とされており、上記
透明電極膜は、上記第１及び第２の絶縁膜を貫通して第
２の絶縁膜上に露出して形成された第１の電極と上記電
極膜を介して電気的に接続され、上記金属電極膜は、第
２の絶縁膜を貫通して第２の絶縁膜上に露出して形成さ
れた第２の電極と電気的に接続されていることを特徴と
する。
記第１及び第２の絶縁膜はガスバリア性を有するととも
に、上記開口部は、透明電極膜側から離れるにつれて開
口大きさが大きくなるテーパー形状とされており、上記
透明電極膜は、上記第１及び第２の絶縁膜を貫通して第
２の絶縁膜上に露出して形成された第１の電極と上記電
極膜を介して電気的に接続され、上記金属電極膜は、第
２の絶縁膜を貫通して第２の絶縁膜上に露出して形成さ
れた第２の電極と電気的に接続されていることを特徴と
する。
【００１３】上述したような本発明に係る有機電界発光
素子では、上記第１及び第２の絶縁膜がガスバリア性を
有しているので、素子を封入することなく、簡単な構成
で、素子内部への水分や酸素の侵入が防止される。さら
に、この有機電界発光素子では、上記第１及び第２の電
極が、透明基板と反対側の面に露出しているので、当該
基板を駆動させる駆動回路基板を、素子の裏面側に配す
ることが可能となる。
素子では、上記第１及び第２の絶縁膜がガスバリア性を
有しているので、素子を封入することなく、簡単な構成
で、素子内部への水分や酸素の侵入が防止される。さら
に、この有機電界発光素子では、上記第１及び第２の電
極が、透明基板と反対側の面に露出しているので、当該
基板を駆動させる駆動回路基板を、素子の裏面側に配す
ることが可能となる。
【００１４】また、本発明の有機電界発光素子の製造方
法は、透明基板上に電極膜を形成する電極膜形成工程
と、上記電極膜上に透明電極膜を形成する透明電極膜形
成工程と、上記透明電極膜上にガスバリア性を有する第
１の絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工程と、上記第
１の絶縁膜に開口部を形成して透明電極膜を露出させる
開口部形成工程と、上記第１の絶縁膜の開口部から露出
する透明電極膜上に、当該開口部よりも大きく第１の絶
縁膜上に亘って有機電界発光膜を形成する有機電界発光
膜形成工程と、上記有機電界発光膜上に金属電極膜を形
成する金属電極膜形成工程と、上記金属電極膜上に、上
記有機電界発光膜及び金属電極膜よりも大きく、ガスバ
リア性を有する第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形
成工程と、上記第１及び第２の絶縁膜を貫通して第２の
絶縁膜上に露出する第１の電極を形成するとともに、当
該第１の電極と上記透明電極膜とを上記電極膜を介して
電気的に接続する第１の電極形成工程と、上記第２の絶
縁膜を貫通して第２の絶縁膜上に露出する第２の電極を
形成するとともに、当該第２の電極と上記金属電極膜と
を電気的に接続する第２の電極形成工程と、駆動回路
を、上記第１の電極及び／又は第２の電極とを接続する
とともに、駆動回路を、当該駆動回路と電気的に接続し
た電極上に配する駆動回路接続工程とを備え、上記開口
部形成工程において、透明電極膜側から離れるにつれて
開口大きさが大きくなるように、当該開口部を形成する
ことを特徴とする。
法は、透明基板上に電極膜を形成する電極膜形成工程
と、上記電極膜上に透明電極膜を形成する透明電極膜形
成工程と、上記透明電極膜上にガスバリア性を有する第
１の絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工程と、上記第
１の絶縁膜に開口部を形成して透明電極膜を露出させる
開口部形成工程と、上記第１の絶縁膜の開口部から露出
する透明電極膜上に、当該開口部よりも大きく第１の絶
縁膜上に亘って有機電界発光膜を形成する有機電界発光
膜形成工程と、上記有機電界発光膜上に金属電極膜を形
成する金属電極膜形成工程と、上記金属電極膜上に、上
記有機電界発光膜及び金属電極膜よりも大きく、ガスバ
リア性を有する第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形
成工程と、上記第１及び第２の絶縁膜を貫通して第２の
絶縁膜上に露出する第１の電極を形成するとともに、当
該第１の電極と上記透明電極膜とを上記電極膜を介して
電気的に接続する第１の電極形成工程と、上記第２の絶
縁膜を貫通して第２の絶縁膜上に露出する第２の電極を
形成するとともに、当該第２の電極と上記金属電極膜と
を電気的に接続する第２の電極形成工程と、駆動回路
を、上記第１の電極及び／又は第２の電極とを接続する
とともに、駆動回路を、当該駆動回路と電気的に接続し
た電極上に配する駆動回路接続工程とを備え、上記開口
部形成工程において、透明電極膜側から離れるにつれて
開口大きさが大きくなるように、当該開口部を形成する
ことを特徴とする。
【００１５】上述したような本発明に係る有機電界発光
素子の製造方法では、上記第１及び第２の絶縁膜として
ガスバリア性を有するものを用いているので、素子を封
入することなく、簡単な構成で、素子内部への水分や酸
素の侵入が防止された素子が得られる。さらに、この有
機電界発光素子の製造方法では、上記第１及び第２の電
極を、透明基板と反対側の面に露出させているので、当
該基板を駆動させる駆動回路基板を、素子の裏面側に配
することが可能となる。
素子の製造方法では、上記第１及び第２の絶縁膜として
ガスバリア性を有するものを用いているので、素子を封
入することなく、簡単な構成で、素子内部への水分や酸
素の侵入が防止された素子が得られる。さらに、この有
機電界発光素子の製造方法では、上記第１及び第２の電
極を、透明基板と反対側の面に露出させているので、当
該基板を駆動させる駆動回路基板を、素子の裏面側に配
することが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１７】本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１の一構
成例を図１に示す。
成例を図１に示す。
【００１８】この有機ＥＬ素子１は、両面にガスバリア
膜２が形成された透明基板３と、透明基板３の一方の面
に形成された電極膜４と、電極膜４上に形成された透明
電極膜５と、透明電極膜５上に形成された第１の絶縁膜
６と、第１の絶縁膜６及び透明電極膜５上に形成された
有機ＥＬ膜７と、有機ＥＬ膜７上に形成された金属電極
膜８と、第２の絶縁膜９とから構成される。
膜２が形成された透明基板３と、透明基板３の一方の面
に形成された電極膜４と、電極膜４上に形成された透明
電極膜５と、透明電極膜５上に形成された第１の絶縁膜
６と、第１の絶縁膜６及び透明電極膜５上に形成された
有機ＥＬ膜７と、有機ＥＬ膜７上に形成された金属電極
膜８と、第２の絶縁膜９とから構成される。
【００１９】透明基板３は、表示装置としての機能を満
たすものであれば特に限定されることはなく、例えば可
視光に対して透明なガラス板やプラスチック板、プラス
チックフィルムなど公知の材料が利用できる。
たすものであれば特に限定されることはなく、例えば可
視光に対して透明なガラス板やプラスチック板、プラス
チックフィルムなど公知の材料が利用できる。
【００２０】なお、図１に示す有機ＥＬ素子１では、透
明基板３の両面に、水分や酸素などのガスに対してのガ
スバリア膜２が配されている。透明基板３の両面にガス
バリア膜２を配することで、素子内部への水分や酸素な
どの侵入を防ぎ、有機ＥＬ材料の劣化を防止することが
できる。さらに、このガスバリア膜２には反射防止特性
が付与されていることが好ましい。ガスバリア膜２に反
射防止特性を付与することで、発生した光の透明基板３
での反射を抑え、透過率の高い、優れた有機ＥＬ素子１
を構成することができる。
明基板３の両面に、水分や酸素などのガスに対してのガ
スバリア膜２が配されている。透明基板３の両面にガス
バリア膜２を配することで、素子内部への水分や酸素な
どの侵入を防ぎ、有機ＥＬ材料の劣化を防止することが
できる。さらに、このガスバリア膜２には反射防止特性
が付与されていることが好ましい。ガスバリア膜２に反
射防止特性を付与することで、発生した光の透明基板３
での反射を抑え、透過率の高い、優れた有機ＥＬ素子１
を構成することができる。
【００２１】電極膜４は、透明基板３上に、例えば図２
に示すようにいわゆる櫛状、又は図３に示すようにいわ
ゆる梯子状に形成されている。そして、この電極膜４
は、第１の絶縁膜６及び第２の絶縁膜９を貫通して形成
された第１の電極１０と接続されている。この第１の電
極１０は有機ＥＬ素子１の外部アノードとなる。すなわ
ち、この電極膜４は、当該電極膜４上に形成された透明
電極膜５に電流を供給するための補助電極となる。
に示すようにいわゆる櫛状、又は図３に示すようにいわ
ゆる梯子状に形成されている。そして、この電極膜４
は、第１の絶縁膜６及び第２の絶縁膜９を貫通して形成
された第１の電極１０と接続されている。この第１の電
極１０は有機ＥＬ素子１の外部アノードとなる。すなわ
ち、この電極膜４は、当該電極膜４上に形成された透明
電極膜５に電流を供給するための補助電極となる。
【００２２】ここで、当該有機ＥＬ素子１を発光素子と
して用いてディスプレイを構成する場合に、例えば従来
のパッシブマトリックス方式では、当該有機ＥＬ素子を
駆動する駆動回路を素子の側方に配置しなければなら
ず、当該駆動回路の配線抵抗による電圧降下などの理由
により、ディスプレイの大型化における障害となってい
た。
して用いてディスプレイを構成する場合に、例えば従来
のパッシブマトリックス方式では、当該有機ＥＬ素子を
駆動する駆動回路を素子の側方に配置しなければなら
ず、当該駆動回路の配線抵抗による電圧降下などの理由
により、ディスプレイの大型化における障害となってい
た。
【００２３】本発明に係る有機ＥＬ素子１では、外部か
ら電流を取り入れる端子となる第１の電極１０及び後述
する第２の電極１１を、第１の絶縁膜６又は第２の絶縁
膜９を貫通して、透明基板３とは反対側の面に露出させ
ているので、当該有機ＥＬ素子１を駆動する駆動回路を
素子の側方からではなく、素子の裏面に配することがで
きる。したがって、この有機ＥＬ素子１を用いたディス
プレイでは、駆動回路の配線抵抗による電圧降下などの
問題が発生することがないため、ディスプレイの大型化
を可能とすることができる。
ら電流を取り入れる端子となる第１の電極１０及び後述
する第２の電極１１を、第１の絶縁膜６又は第２の絶縁
膜９を貫通して、透明基板３とは反対側の面に露出させ
ているので、当該有機ＥＬ素子１を駆動する駆動回路を
素子の側方からではなく、素子の裏面に配することがで
きる。したがって、この有機ＥＬ素子１を用いたディス
プレイでは、駆動回路の配線抵抗による電圧降下などの
問題が発生することがないため、ディスプレイの大型化
を可能とすることができる。
【００２４】さらに、この電極膜４及び第１の電極１０
は、水分や酸素に対するガスバリア機能をも有してい
る。電極膜４及び第１の電極１０にガスバリア性をもた
せることで、素子内部への水分や酸素などの侵入を防
ぎ、有機ＥＬ膜７の劣化を防止することができる。
は、水分や酸素に対するガスバリア機能をも有してい
る。電極膜４及び第１の電極１０にガスバリア性をもた
せることで、素子内部への水分や酸素などの侵入を防
ぎ、有機ＥＬ膜７の劣化を防止することができる。
【００２５】透明電極膜５は、有機ＥＬ素子１のアノー
ドとなるもので、例えばＩＴＯ（Indium tin oxide）か
らなる。なお、この透明電極膜５は、図４又は図５に示
すように、櫛状又は梯子状に形成された電極膜４の開口
部上に亘ってアイランド状に形成されており、当該電極
膜４を介して第１の電極１０と接続されている。
ドとなるもので、例えばＩＴＯ（Indium tin oxide）か
らなる。なお、この透明電極膜５は、図４又は図５に示
すように、櫛状又は梯子状に形成された電極膜４の開口
部上に亘ってアイランド状に形成されており、当該電極
膜４を介して第１の電極１０と接続されている。
【００２６】第１の絶縁膜６は、透明電極膜５上に、当
該透明電極膜５上に開口部６ａを有して形成されてい
る。この第１の絶縁膜６は、素子間を分離する隔壁とな
る。
該透明電極膜５上に開口部６ａを有して形成されてい
る。この第１の絶縁膜６は、素子間を分離する隔壁とな
る。
【００２７】そして、この第１の絶縁膜６は、開口部６
ａの開口形状が透明電極膜５側から離れるにつれて大き
くなるいわゆる順テーパー形状とされている。第１の絶
縁膜６をテーパー形状としない場合、電流を流して有機
ＥＬ素子１を駆動させた際に、透明電極膜５、有機ＥＬ
膜７及び金属電極膜８の端部に電界が集中してしまい、
絶縁を破って透明電極膜５と金属電極膜８との間で短絡
が発生してしまうおそれがある。第１の絶縁膜６を順テ
ーパー形状とすることで、透明電極膜５と、有機ＥＬ膜
７及び金属電極膜８との間を隔離するとともに、透明電
極膜５、有機ＥＬ膜７及び金属電極膜８の端部における
電界集中による、透明電極膜５と金属電極膜８との短絡
を防ぐことができる。
ａの開口形状が透明電極膜５側から離れるにつれて大き
くなるいわゆる順テーパー形状とされている。第１の絶
縁膜６をテーパー形状としない場合、電流を流して有機
ＥＬ素子１を駆動させた際に、透明電極膜５、有機ＥＬ
膜７及び金属電極膜８の端部に電界が集中してしまい、
絶縁を破って透明電極膜５と金属電極膜８との間で短絡
が発生してしまうおそれがある。第１の絶縁膜６を順テ
ーパー形状とすることで、透明電極膜５と、有機ＥＬ膜
７及び金属電極膜８との間を隔離するとともに、透明電
極膜５、有機ＥＬ膜７及び金属電極膜８の端部における
電界集中による、透明電極膜５と金属電極膜８との短絡
を防ぐことができる。
【００２８】第１の絶縁膜６の材料としては、例えばＳ
ｉＮ等が挙げられる。このＳｉＮは、絶縁性ばかりでな
く、水分や酸素に対するガスバリア機能をも有してい
る。第１の絶縁膜６にガスバリア性をもたせることで、
素子内部への水分や酸素の侵入を防ぎ、有機ＥＬ膜７の
劣化を防止することができる。
ｉＮ等が挙げられる。このＳｉＮは、絶縁性ばかりでな
く、水分や酸素に対するガスバリア機能をも有してい
る。第１の絶縁膜６にガスバリア性をもたせることで、
素子内部への水分や酸素の侵入を防ぎ、有機ＥＬ膜７の
劣化を防止することができる。
【００２９】有機ＥＬ膜７は、第１の絶縁膜６の開口部
６ａから露出している透明電極膜５上に、開口部６ａよ
りも大きく第１の絶縁膜６上にも亘って形成されてい
る。この有機ＥＬ膜７は、正孔輸送層と発光層とが積層
されてなる多層構造である。透明電極膜５（アノード）
−金属電極膜８（カソード）間に電流が印加されると、
金属電極膜８から注入された正孔が正孔輸送層を経て発
光層に、また透明電極膜５から注入された電子が発光層
にそれぞれ到達し、発光層内で電子−正孔の再結合が生
じる。このとき、所定の波長を持った光が発生する。こ
の光は透明基板３側から外に出射する。
６ａから露出している透明電極膜５上に、開口部６ａよ
りも大きく第１の絶縁膜６上にも亘って形成されてい
る。この有機ＥＬ膜７は、正孔輸送層と発光層とが積層
されてなる多層構造である。透明電極膜５（アノード）
−金属電極膜８（カソード）間に電流が印加されると、
金属電極膜８から注入された正孔が正孔輸送層を経て発
光層に、また透明電極膜５から注入された電子が発光層
にそれぞれ到達し、発光層内で電子−正孔の再結合が生
じる。このとき、所定の波長を持った光が発生する。こ
の光は透明基板３側から外に出射する。
【００３０】正孔輸送層の材料としては、公知の材料を
用いることができるが、具体的には例えばＮ,Ｎ'−ジ
（α−ナフチル）−Ｎ,Ｎ'−ジフェニル−１,１'−ビフ
ェニル−４,４'−ジアミン等が挙げられる。
用いることができるが、具体的には例えばＮ,Ｎ'−ジ
（α−ナフチル）−Ｎ,Ｎ'−ジフェニル−１,１'−ビフ
ェニル−４,４'−ジアミン等が挙げられる。
【００３１】発光層の材料としては、公知の材料を用い
ることができるが、具体的には例えば４,４'−ビス
（２,２'−ジフェニルビニレン）ビフェニルや、４,４'
−ビス（２−カルバゾールビニレン）ビフェニル等が挙
げられる。
ることができるが、具体的には例えば４,４'−ビス
（２,２'−ジフェニルビニレン）ビフェニルや、４,４'
−ビス（２−カルバゾールビニレン）ビフェニル等が挙
げられる。
【００３２】金属電極膜８は、有機ＥＬ素子１のカソー
ドとなるもので、有機ＥＬ膜７上に、当該有機ＥＬ膜７
よりも大きめに形成されている。この金属電極膜８は、
例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）等からなる。なお、こ
の金属電極膜８は、第２の絶縁膜９を貫通して形成され
た第２の電極１１と接続されている。
ドとなるもので、有機ＥＬ膜７上に、当該有機ＥＬ膜７
よりも大きめに形成されている。この金属電極膜８は、
例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）等からなる。なお、こ
の金属電極膜８は、第２の絶縁膜９を貫通して形成され
た第２の電極１１と接続されている。
【００３３】第２の絶縁膜９は、素子全面に亘って形成
されている。第２の絶縁膜９の材料としては、例えばＳ
ｉＮ、ＡｌＮ等が挙げられる。この第２の絶縁膜９は、
絶縁性ばかりでなく、水分や酸素に対するガスバリア機
能をも有している。絶縁膜にガスバリア性をもたせるこ
とで、素子内部への水分や酸素の侵入を防ぎ、有機ＥＬ
膜７の劣化を防止することができる。
されている。第２の絶縁膜９の材料としては、例えばＳ
ｉＮ、ＡｌＮ等が挙げられる。この第２の絶縁膜９は、
絶縁性ばかりでなく、水分や酸素に対するガスバリア機
能をも有している。絶縁膜にガスバリア性をもたせるこ
とで、素子内部への水分や酸素の侵入を防ぎ、有機ＥＬ
膜７の劣化を防止することができる。
【００３４】第２の電極１１は、アルミニウム等からな
る。この第２の電極１１は、第２の絶縁膜９を貫通して
金属電極膜８と接続されており、有機ＥＬ素子１の外部
カソードとなる。上述した第１の電極１０と同じよう
に、第２の電極１１を表示画面の裏側から取り出すこと
で、当該有機ＥＬ素子１を用いたディスプレイの大型化
を可能とすることができる。さらに、この第２の電極１
１は、水分や酸素に対するガスバリア機能をも有してい
る。第２の電極１１にガスバリア性をもたせることで、
素子内部への水分や酸素の侵入を防ぎ、有機ＥＬ膜７の
劣化を防止することができる。
る。この第２の電極１１は、第２の絶縁膜９を貫通して
金属電極膜８と接続されており、有機ＥＬ素子１の外部
カソードとなる。上述した第１の電極１０と同じよう
に、第２の電極１１を表示画面の裏側から取り出すこと
で、当該有機ＥＬ素子１を用いたディスプレイの大型化
を可能とすることができる。さらに、この第２の電極１
１は、水分や酸素に対するガスバリア機能をも有してい
る。第２の電極１１にガスバリア性をもたせることで、
素子内部への水分や酸素の侵入を防ぎ、有機ＥＬ膜７の
劣化を防止することができる。
【００３５】これら第１及び第２の電極１０，１１は、
図６に示すように、それぞれ駆動回路基板１２に設けら
れた端子１３，１４とバンプなどの方法により接続され
る。そして、駆動回路基板１２より素子駆動用信号を伝
達することで有機ＥＬ素子１の駆動が行われる。この駆
動回路用基板１２には駆動回路ＩＣ１５などが実装され
ている。
図６に示すように、それぞれ駆動回路基板１２に設けら
れた端子１３，１４とバンプなどの方法により接続され
る。そして、駆動回路基板１２より素子駆動用信号を伝
達することで有機ＥＬ素子１の駆動が行われる。この駆
動回路用基板１２には駆動回路ＩＣ１５などが実装され
ている。
【００３６】上述したように、本発明に係る有機ＥＬ素
子１では、有機ＥＬ膜７を、それぞれガスバリア性を有
するガスバリア膜２及び第１の絶縁膜６と、金属電極膜
８及び第２の絶縁膜９とで両側から封止することで、素
子内部への水分又は酸素の侵入をほぼ完全に防止し、有
機ＥＬ膜７の劣化を抑えることができる。
子１では、有機ＥＬ膜７を、それぞれガスバリア性を有
するガスバリア膜２及び第１の絶縁膜６と、金属電極膜
８及び第２の絶縁膜９とで両側から封止することで、素
子内部への水分又は酸素の侵入をほぼ完全に防止し、有
機ＥＬ膜７の劣化を抑えることができる。
【００３７】また、この有機ＥＬ素子１では、当該有機
ＥＬ素子１を構成する構成膜自体にガスバリア性を持た
せているので、素子全体を外側から封止する従来の有機
ＥＬ素子１に比べて素子構成を簡素化することができ、
また、製造においても工程を簡素化することができる。
ＥＬ素子１を構成する構成膜自体にガスバリア性を持た
せているので、素子全体を外側から封止する従来の有機
ＥＬ素子１に比べて素子構成を簡素化することができ、
また、製造においても工程を簡素化することができる。
【００３８】さらに、この有機ＥＬ素子１では、電極端
子を表示画面の側方からではなく裏側から取り出す構成
とされているので、当該有機ＥＬ素子１を駆動する駆動
回路を素子の裏面に配することができ、有機ＥＬ素子１
を発光素子として用いてディスプレイを構成する場合
に、ディスプレイの大型化を可能とすることができる。
子を表示画面の側方からではなく裏側から取り出す構成
とされているので、当該有機ＥＬ素子１を駆動する駆動
回路を素子の裏面に配することができ、有機ＥＬ素子１
を発光素子として用いてディスプレイを構成する場合
に、ディスプレイの大型化を可能とすることができる。
【００３９】そして、このような有機ＥＬ素子１は、例
えば次のようにして製造される。
えば次のようにして製造される。
【００４０】まず、図７に示すように、両面にガスバリ
ア膜２が配された透明基板３上に、金属膜を成膜して電
極膜４とする。この電極膜４は、例えば図２に示すよう
に櫛状、又は図３に示すように梯子状に形成される。
ア膜２が配された透明基板３上に、金属膜を成膜して電
極膜４とする。この電極膜４は、例えば図２に示すよう
に櫛状、又は図３に示すように梯子状に形成される。
【００４１】次に、図８に示すように、この電極膜４上
にＩＴＯを成膜して透明電極膜５とする。この透明電極
膜５は、例えば図４又は図５に示すように、櫛状又は梯
子状に形成された電極膜４の開口部上に亘ってアイラン
ド状に形成される。また、この透明電極膜５は有機ＥＬ
素子１のアノードとして機能する。
にＩＴＯを成膜して透明電極膜５とする。この透明電極
膜５は、例えば図４又は図５に示すように、櫛状又は梯
子状に形成された電極膜４の開口部上に亘ってアイラン
ド状に形成される。また、この透明電極膜５は有機ＥＬ
素子１のアノードとして機能する。
【００４２】次に、図９に示すように、透明基板３の全
面に、例えばＳｉＮ等、絶縁性のほか、水分や酸素に対
するガスバリア機能をも有する材料を被着させて第１の
絶縁膜６を成膜する。この第１の絶縁膜６は、隣り合う
素子同士を分離するための隔壁となる。
面に、例えばＳｉＮ等、絶縁性のほか、水分や酸素に対
するガスバリア機能をも有する材料を被着させて第１の
絶縁膜６を成膜する。この第１の絶縁膜６は、隣り合う
素子同士を分離するための隔壁となる。
【００４３】次に、図１０に示すように、この第１の絶
縁膜６に、エッチング等の方法により、透明電極膜５の
成膜領域の内側に開口部６ａを形成する。このとき、開
口部６ａの開口形状を、透明電極膜５側から離れるにつ
れて開口大きさが大きくなるいわゆる順テーパー形状と
する。
縁膜６に、エッチング等の方法により、透明電極膜５の
成膜領域の内側に開口部６ａを形成する。このとき、開
口部６ａの開口形状を、透明電極膜５側から離れるにつ
れて開口大きさが大きくなるいわゆる順テーパー形状と
する。
【００４４】次に、図１１に示すように、このエッチン
グによって形成された開口部６ａから露出する透明電極
膜５上に、当該開口部６ａよりも大きく、第１の絶縁膜
６上にも亘るように、正孔輸送層と発光層とを積層成膜
して有機ＥＬ膜７を形成し、さらに有機ＥＬ膜７上に、
例えばＬｉＦを被着させて金属電極膜８を形成する。第
１の絶縁膜６に順テーパーが形成されていることで、有
機ＥＬ膜７及びカソードとなる金属電極膜８と、アノー
ドとなる透明電極膜５との短絡を防ぐ。
グによって形成された開口部６ａから露出する透明電極
膜５上に、当該開口部６ａよりも大きく、第１の絶縁膜
６上にも亘るように、正孔輸送層と発光層とを積層成膜
して有機ＥＬ膜７を形成し、さらに有機ＥＬ膜７上に、
例えばＬｉＦを被着させて金属電極膜８を形成する。第
１の絶縁膜６に順テーパーが形成されていることで、有
機ＥＬ膜７及びカソードとなる金属電極膜８と、アノー
ドとなる透明電極膜５との短絡を防ぐ。
【００４５】次に、図１２に示すように。金属電極膜８
の上に、当該金属電極膜８よりも大きく全面に亘ってＳ
ｉＮ、ＡｌＮ等、絶縁性のほか、水分や酸素に対するガ
スバリア機能をも有する材料を被着させて第２の絶縁膜
９を成膜する。
の上に、当該金属電極膜８よりも大きく全面に亘ってＳ
ｉＮ、ＡｌＮ等、絶縁性のほか、水分や酸素に対するガ
スバリア機能をも有する材料を被着させて第２の絶縁膜
９を成膜する。
【００４６】次に、図１３に示ように、第１の絶縁膜６
及び第２の絶縁膜９にエッチング法等により孔６ａ，９
ａを開け、この孔部分に例えばアルミニウムを被着させ
て、図１に示したように、電極膜４及び透明電極膜５と
接続し外部アノードとなる第１の電極１０と、金属電極
膜８と接続し外部アノードとなる第２の電極１１とを形
成する。
及び第２の絶縁膜９にエッチング法等により孔６ａ，９
ａを開け、この孔部分に例えばアルミニウムを被着させ
て、図１に示したように、電極膜４及び透明電極膜５と
接続し外部アノードとなる第１の電極１０と、金属電極
膜８と接続し外部アノードとなる第２の電極１１とを形
成する。
【００４７】以上のようにして、本発明に係る有機ＥＬ
素子１が製造される。なお、上述したような、有機ＥＬ
素子１を構成する構成膜の成膜方法は特に限定されない
が、真空蒸着法、ＣＶＤ法などによることが好ましい。
素子１が製造される。なお、上述したような、有機ＥＬ
素子１を構成する構成膜の成膜方法は特に限定されない
が、真空蒸着法、ＣＶＤ法などによることが好ましい。
【００４８】このようにして得られる有機ＥＬ素子１で
は、有機ＥＬ膜７を、それぞれガスバリア性を有するガ
スバリア膜２及び第１の絶縁膜６と、金属電極膜８及び
第２の絶縁膜９とで両側から封止することで、素子内部
への水分又は酸素の侵入をほぼ完全に防止し、有機ＥＬ
膜７の劣化を抑えることができる。
は、有機ＥＬ膜７を、それぞれガスバリア性を有するガ
スバリア膜２及び第１の絶縁膜６と、金属電極膜８及び
第２の絶縁膜９とで両側から封止することで、素子内部
への水分又は酸素の侵入をほぼ完全に防止し、有機ＥＬ
膜７の劣化を抑えることができる。
【００４９】また、この有機ＥＬ素子１では、当該有機
ＥＬ素子１を構成する構成膜自体にガスバリア性を持た
せているので、素子全体を外側から封止する従来の有機
ＥＬ素子１に比べて素子構成を簡素化することができ、
また、製造においても工程を簡素化することができる。
ＥＬ素子１を構成する構成膜自体にガスバリア性を持た
せているので、素子全体を外側から封止する従来の有機
ＥＬ素子１に比べて素子構成を簡素化することができ、
また、製造においても工程を簡素化することができる。
【００５０】さらに、この有機ＥＬ素子１では、電極端
子を表示画面の側方からではなく裏側から取り出す構成
とされているので、当該有機ＥＬ素子１を駆動する駆動
回路を素子の裏面に配することができ、有機ＥＬ素子１
を発光素子として用いてディスプレイを構成する場合
に、ディスプレイの大型化を可能とすることができる。
子を表示画面の側方からではなく裏側から取り出す構成
とされているので、当該有機ＥＬ素子１を駆動する駆動
回路を素子の裏面に配することができ、有機ＥＬ素子１
を発光素子として用いてディスプレイを構成する場合
に、ディスプレイの大型化を可能とすることができる。
【００５１】なお、この有機ＥＬ素子１を駆動するに
は、図６に示すように第１の電極１０及び第２の電極１
１を、駆動回路ＩＣ１５などが実装された駆動回路基板
１２に設けられた第１の端子１３，第２の端子１４とバ
ンプなどの方法によりそれぞれ接続する。そして、駆動
回路基板１２より素子駆動用信号を伝達することで有機
ＥＬ素子１の駆動が行われる。
は、図６に示すように第１の電極１０及び第２の電極１
１を、駆動回路ＩＣ１５などが実装された駆動回路基板
１２に設けられた第１の端子１３，第２の端子１４とバ
ンプなどの方法によりそれぞれ接続する。そして、駆動
回路基板１２より素子駆動用信号を伝達することで有機
ＥＬ素子１の駆動が行われる。
【００５２】
【発明の効果】本発明では、有機ＥＬ表示素子の製造並
びに封止が従来の方法と異なり簡単に行うことができる
ようになる。さらに、金属キャップや脱酸素剤、乾燥窒
素などを用いずに、有機ＥＬ素子を製造することができ
るために、製造装置を簡単にすることができ、真空一環
生産が可能となる。
びに封止が従来の方法と異なり簡単に行うことができる
ようになる。さらに、金属キャップや脱酸素剤、乾燥窒
素などを用いずに、有機ＥＬ素子を製造することができ
るために、製造装置を簡単にすることができ、真空一環
生産が可能となる。
【００５３】また、本発明では、有機ＥＬ素子駆動用の
電極を背面側より取り出すことができるために、素子の
高密度な集積が可能となる。
電極を背面側より取り出すことができるために、素子の
高密度な集積が可能となる。
【図１】本発明に係る有機ＥＬ素子の一構成例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】図１に示す電極膜の形状の一例を示す平面図で
ある。
ある。
【図３】図１に示す電極膜の形状の一例を示す平面図で
ある。
ある。
【図４】図２に示した電極膜上に形成される透明電極膜
の一例を示す平面図である。
の一例を示す平面図である。
【図５】図３に示した電極膜上に形成される透明電極膜
の一例を示す平面図である。
の一例を示す平面図である。
【図６】本発明に係る有機ＥＬ素子の背面側に駆動回路
基板を配する様子を示す断面図である。
基板を配する様子を示す断面図である。
【図７】本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明す
る図であり、透明基板上に電極膜を形成した状態を示す
断面図である。
る図であり、透明基板上に電極膜を形成した状態を示す
断面図である。
【図８】本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明す
る図であり、電極膜上に透明電極膜を形成した状態を示
す断面図である。
る図であり、電極膜上に透明電極膜を形成した状態を示
す断面図である。
【図９】本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明す
る図であり、透明電極膜上に第１の絶縁膜を形成した状
態を示す断面図である。
る図であり、透明電極膜上に第１の絶縁膜を形成した状
態を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明
する図であり、第１の絶縁膜に開口部を形成した状態を
示す断面図である。
する図であり、第１の絶縁膜に開口部を形成した状態を
示す断面図である。
【図１１】本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明
する図であり、第１の絶縁膜上に有機ＥＬ膜及び金属電
極膜を形成した状態を示す断面図である。
する図であり、第１の絶縁膜上に有機ＥＬ膜及び金属電
極膜を形成した状態を示す断面図である。
【図１２】本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明
する図であり、有機ＥＬ膜及び金属電極膜上に第２の絶
縁膜を形成した状態を示す断面図である。
する図であり、有機ＥＬ膜及び金属電極膜上に第２の絶
縁膜を形成した状態を示す断面図である。
【図１３】本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法を説明
する図であり、第１の絶縁膜又は第２の絶縁膜に孔を形
成したを形成した状態を示す断面図である。
する図であり、第１の絶縁膜又は第２の絶縁膜に孔を形
成したを形成した状態を示す断面図である。
【図１４】従来の有機ＥＬディスプレイの一構成例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図１５】従来の有機ＥＬディスプレイの一構成例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１６】図１４及び図１５に示す有機ＥＬディスプレ
イに採用されている有機ＥＬ素子の一構成例を示す断面
図である。
イに採用されている有機ＥＬ素子の一構成例を示す断面
図である。
１ 有機ＥＬ素子、 ２ ガスバリア膜、 ３ 透明基
板、 ４ 電極膜、５ 透明電極膜、 ６ 第１の絶縁
膜、 ７ 有機ＥＬ膜、 ８ 金属電極膜、９ 第２の
絶縁膜、 １０ 第１の電極、 １１ 第２の電極、
１２ 駆動回路基板、 １３ 第１の端子、 １４ 第
２の端子、 １５ 駆動回路ＩＣ
板、 ４ 電極膜、５ 透明電極膜、 ６ 第１の絶縁
膜、 ７ 有機ＥＬ膜、 ８ 金属電極膜、９ 第２の
絶縁膜、 １０ 第１の電極、 １１ 第２の電極、
１２ 駆動回路基板、 １３ 第１の端子、 １４ 第
２の端子、 １５ 駆動回路ＩＣ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB13 AB18 BA06 BB07 CA01 CA05 CB01 CB02 CC05 DA01 DB03 EA00 EB00 FA01 FA02 5C094 AA14 AA15 AA31 AA38 AA43 AA48 AA53 BA27 CA19 DA13 DB03 EA04 EA05 EA10 EB02 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB14 FB15 GB01 GB10
Claims (12)
- 【請求項１】 透明基板と、 上記透明基板上に形成された電極膜と、 上記電極膜上に形成された透明電極膜と、 上記透明電極膜上に形成され、当該透明電極膜上に開口
部を有する第１の絶縁膜と、 上記第１の絶縁膜の開口部から露出する透明電極膜上
に、当該開口部よりも大きく第１の絶縁膜上に亘って形
成された有機電界発光膜と、 上記有機電界発光膜上に形成された金属電極膜と、 上記金属電極膜上に、上記有機電界発光膜及び金属電極
膜よりも大きく形成された第２の絶縁膜とを備え、 上記第１及び第２の絶縁膜はガスバリア性を有するとと
もに、上記開口部は、透明電極膜側から離れるにつれて
開口大きさが大きくなるテーパー形状とされており、 上記透明電極膜は、上記第１及び第２の絶縁膜を貫通し
て第２の絶縁膜上に露出して形成された第１の電極と上
記電極膜を介して電気的に接続され、上記金属電極膜
は、第２の絶縁膜を貫通して第２の絶縁膜上に露出して
形成された第２の電極と電気的に接続されていることを
特徴とする有機電界発光素子。 - 【請求項２】 上記透明基板の少なくとも一方の面にガ
スバリア膜が配されていることを特徴とする請求項１記
載の有機電界発光素子。 - 【請求項３】 上記ガスバリア膜は、反射防止特性を有
することを特徴とする請求項２記載の有機電界発光素
子。 - 【請求項４】 上記電極膜は、櫛状又は梯子状に形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光
素子。 - 【請求項５】 上記有機電界発光膜は、正孔輸送層と発
光層とを備えた多層構造であることを特徴とする請求項
１記載の有機電界発光素子。 - 【請求項６】 上記金属電極膜が、ガスバリア性を有す
ることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光素子。 - 【請求項７】 透明基板上に電極膜を形成する電極膜形
成工程と、 上記電極膜上に透明電極膜を形成する透明電極膜形成工
程と、 上記透明電極膜上にガスバリア性を有する第１の絶縁膜
を形成する第１の絶縁膜形成工程と、 上記第１の絶縁膜に開口部を形成して透明電極膜を露出
させる開口部形成工程と、 上記第１の絶縁膜の開口部から露出する透明電極膜上
に、当該開口部よりも大きく第１の絶縁膜上に亘って有
機電界発光膜を形成する有機電界発光膜形成工程と、 上記有機電界発光膜上に金属電極膜を形成する金属電極
膜形成工程と、 上記金属電極膜上に、上記有機電界発光膜及び金属電極
膜よりも大きく、ガスバリア性を有する第２の絶縁膜を
形成する第２の絶縁膜形成工程と、 上記第１及び第２の絶縁膜を貫通して第２の絶縁膜上に
露出する第１の電極を形成するとともに、当該第１の電
極と上記透明電極膜とを上記電極膜を介して電気的に接
続する第１の電極形成工程と、 上記第２の絶縁膜を貫通して第２の絶縁膜上に露出する
第２の電極を形成するとともに、当該第２の電極と上記
金属電極膜とを電気的に接続する第２の電極形成工程
と、 駆動回路を、上記第１の電極及び／又は第２の電極とを
接続するとともに、駆動回路を、当該駆動回路と電気的
に接続した電極上に配する駆動回路接続工程とを備え、 上記開口部形成工程において、透明電極膜側から離れる
につれて開口大きさが大きくなるように、当該開口部を
形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方
法。 - 【請求項８】 上記透明基板の少なくとも一方の面にガ
スバリア膜を配することを特徴とする請求項７記載の有
機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項９】 上記ガスバリア膜として、反射防止特性
を有するものを用いることを特徴とする請求項８記載の
有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１０】 上記電極膜形成工程において、電極膜
を、櫛状又は梯子状に形成することを特徴とする請求項
７記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１１】 上記有機電界発光膜形成工程におい
て、正孔輸送層と発光層とを積層形成して当該有機電界
発光膜とすることを特徴とする請求項７記載の有機電界
発光素子の製造方法。 - 【請求項１２】 上記金属電極膜形成工程において、当
該金属電極膜として、ガスバリア性を有するものを用い
ることを特徴とする請求項７記載の有機電界発光素子の
製造方法。
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|---|---|
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Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208477A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2005512298A (ja) * | 2001-12-10 | 2005-04-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｅｌディスプレイ装置及び該装置の製造方法 |
| JP2005266616A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Hideki Matsumura | 光学的表示装置及びその製造方法 |
| JP2006243127A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Victor Co Of Japan Ltd | シートディスプレイ |
| JP2006261058A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Sony Corp | 有機ｅｌ素子、表示装置、有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2006303476A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 底面発光型の有機発光素子 |
| JP2008530752A (ja) * | 2005-02-16 | 2008-08-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｏｌｅｄ装置 |
| WO2008152869A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Rohm Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JP2009511940A (ja) * | 2005-09-28 | 2009-03-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 大面積有機ダイオードデバイス及びその製造方法 |
| JP2009152643A (ja) * | 2009-04-03 | 2009-07-09 | Sony Corp | 表示装置 |
| US7633223B2 (en) | 2000-11-10 | 2009-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device provided with drying agent at side surfaces of a sealing member |
| JP2011165445A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| JP2011181405A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Toshiba Corp | 照明装置及びその製造方法 |
| JP2011527816A (ja) * | 2008-07-08 | 2011-11-04 | ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| JP2013506958A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | モノリシック並列相互接続構造 |
| WO2013046455A1 (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌモジュール及びその製造方法 |
| WO2014097384A1 (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| JP2015007292A (ja) * | 2008-05-07 | 2015-01-15 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 電子デバイス又は他の物品上のコーティングに使用するハイブリッド層 |
| KR20160104790A (ko) * | 2015-02-26 | 2016-09-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| JP2017134402A (ja) * | 2016-01-27 | 2017-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| KR20180051469A (ko) * | 2015-06-09 | 2018-05-16 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자장치 |
| JP2019079634A (ja) * | 2017-10-23 | 2019-05-23 | パイオニア株式会社 | 接続構造及び発光装置 |
| JP2019186031A (ja) * | 2018-04-10 | 2019-10-24 | キヤノン株式会社 | 表示装置、及び、その製造方法 |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7301276B2 (en) * | 2000-03-27 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of manufacturing the same |
| JP2003068472A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 有機発光素子およびそれを用いた有機発光表示装置 |
| KR100421879B1 (ko) * | 2001-10-18 | 2004-03-11 | 엘지전자 주식회사 | 더블 스캔 구조의 유기 ｅｌ 표시소자 |
| JP4019690B2 (ja) * | 2001-11-02 | 2007-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| US8153184B2 (en) * | 2001-11-26 | 2012-04-10 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic EL display device and method of manufacturing the same |
| KR100656490B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2006-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법 |
| TW543169B (en) * | 2002-02-08 | 2003-07-21 | Ritdisplay Corp | Package structure and process of organic light-emitting diode panel |
| JP3942017B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2007-07-11 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子 |
| US7579771B2 (en) | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7786496B2 (en) | 2002-04-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| JP2003317971A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US7164155B2 (en) | 2002-05-15 | 2007-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7897979B2 (en) | 2002-06-07 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| KR100864001B1 (ko) * | 2002-06-14 | 2008-10-16 | 삼성전자주식회사 | 유기 전계발광장치 |
| JP4216008B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2009-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ｄｖｄプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末 |
| KR100504472B1 (ko) | 2002-09-05 | 2005-08-04 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 |
| TW569409B (en) * | 2002-10-22 | 2004-01-01 | Ritek Display Technology Corp | Process for packaging an OLED panel |
| JP2004152563A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Canon Inc | 表示装置 |
| US6975067B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and encapsulation method |
| JP4373086B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| DE10308515B4 (de) | 2003-02-26 | 2007-01-25 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung organischer lichtemittierender Dioden und organische lichtemittierende Diode |
| TWI241148B (en) * | 2003-05-21 | 2005-10-01 | Pioneer Corp | Organic electroluminescence display panel |
| JP4538649B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2010-09-08 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 輝度ムラを解消した有機ｅｌディスプレイとその製造方法 |
| JP2005128040A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| US7271534B2 (en) * | 2003-11-04 | 2007-09-18 | 3M Innovative Properties Company | Segmented organic light emitting device |
| US7432124B2 (en) * | 2003-11-04 | 2008-10-07 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an organic light emitting device |
| JP2005158371A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子とその製造方法、および照明装置 |
| JP4121514B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2008-07-23 | シャープ株式会社 | 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置 |
| US7990054B2 (en) * | 2005-12-19 | 2011-08-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic LED device with electrodes having reduced resistance |
| KR100982412B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2010-09-15 | (주)에이디에스 | 전기광학소자 및 이의 제작 방법 |
| JP2010153070A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Seiko Epson Corp | Ｅｌ装置、ｅｌ装置の製造方法、及び電子機器 |
| US20100294526A1 (en) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | General Electric Company | Hermetic electrical package |
| US8427845B2 (en) * | 2009-05-21 | 2013-04-23 | General Electric Company | Electrical connectors for optoelectronic device packaging |
| JP2018077600A (ja) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN108109901A (zh) * | 2016-11-25 | 2018-06-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件的制作方法 |
| US20220209166A1 (en) * | 2019-04-11 | 2022-06-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting element and display device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5652067A (en) * | 1992-09-10 | 1997-07-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| JP3676074B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2005-07-27 | Ｔｄｋ株式会社 | ホットメルト材およびラミネート体とその製造方法 |
| WO1999010862A1 (fr) * | 1997-08-21 | 1999-03-04 | Seiko Epson Corporation | Afficheur a matrice active |
-
2000
- 2000-08-22 JP JP2000251493A patent/JP4423767B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-20 US US09/933,499 patent/US6621213B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208477A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US7633223B2 (en) | 2000-11-10 | 2009-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device provided with drying agent at side surfaces of a sealing member |
| JP4632337B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2011-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2005512298A (ja) * | 2001-12-10 | 2005-04-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｅｌディスプレイ装置及び該装置の製造方法 |
| JP2005266616A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Hideki Matsumura | 光学的表示装置及びその製造方法 |
| JP2008530752A (ja) * | 2005-02-16 | 2008-08-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｏｌｅｄ装置 |
| JP2006243127A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Victor Co Of Japan Ltd | シートディスプレイ |
| JP2006261058A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Sony Corp | 有機ｅｌ素子、表示装置、有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2006303476A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 底面発光型の有機発光素子 |
| JP2009511940A (ja) * | 2005-09-28 | 2009-03-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 大面積有機ダイオードデバイス及びその製造方法 |
| US8653506B2 (en) | 2007-06-14 | 2014-02-18 | Rohm Co., Ltd. | Organic Electroluminescence device including organic layer arranged between transparent electrode and metal electrode, and manufacturing method thereof |
| WO2008152869A1 (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Rohm Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JP2017122283A (ja) * | 2008-05-07 | 2017-07-13 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 電子デバイス又は他の物品上のコーティングに使用するハイブリッド層 |
| JP2015007292A (ja) * | 2008-05-07 | 2015-01-15 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 電子デバイス又は他の物品上のコーティングに使用するハイブリッド層 |
| US9882167B2 (en) | 2008-05-07 | 2018-01-30 | The Trustees Of Princeton University | Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles |
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| JP2009152643A (ja) * | 2009-04-03 | 2009-07-09 | Sony Corp | 表示装置 |
| JP2013506958A (ja) * | 2009-09-30 | 2013-02-28 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | モノリシック並列相互接続構造 |
| JP2011165445A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
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