CN111384290B - 基于有机的发光装置 - Google Patents
基于有机的发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111384290B CN111384290B CN201911191749.8A CN201911191749A CN111384290B CN 111384290 B CN111384290 B CN 111384290B CN 201911191749 A CN201911191749 A CN 201911191749A CN 111384290 B CN111384290 B CN 111384290B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- region
- light emitting
- passivation film
- gate line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/82—Interconnections, e.g. terminals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
公开了一种基于有机的发光装置，可减少在边框区中钝化膜的剥离缺陷。基于有机的发光装置包括：包括发光区和非发光区的阵列区；以及在所述阵列区的外部的边框区，其中在所述阵列区中，在基板上设置有包括栅极线、第一电极、钝化膜、有机发光层和第二电极的结构，其中在所述边框区中，所述栅极线、所述第一电极和所述钝化膜叠置在所述基板上，其中在所述边框区中，所述钝化膜接触所述栅极线和所述第一电极。由此可改善钝化膜的粘合力，从而可减少在边框区中钝化膜的剥离缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于有机的发光装置。
背景技术
当前使用荧光灯和白炽灯作为发光装置。但是，白炽灯具有非常低的能效。荧光灯具有较低的显色指数并且含有汞，会导致环境问题。
近来，提出了使用基于氮化物半导体的发光二极管的LED发光装置。但是，在LED发光装置中，由于从发光二极管产生的热，散热装置必须放置在发光装置的背面。
此外，可利用外延沉积工艺在诸如蓝宝石基板之类的刚性基板上生产发光二极管。因此，除非将各个发光二极管芯片安装在柔性基板上，否则LED发光装置不会具有柔性特性。
针对使用有机发光二极管(LED)的基于有机的发光装置进行了大量研究，基于有机的发光装置能够克服基于氮化物半导体的LED发光装置的限制。基于有机的发光装置可实现大面积。此外，在基于有机的发光装置中，可在低成本的玻璃基板或塑料基板上形成基于有机的发光二极管。此外，由于可在塑料基板上形成有机发光二极管，所以基于有机的发光装置可容易实现柔性特性。
发明内容
在基于有机的发光装置中，位于发光区的外部的边框区具有栅极线、第一电极层和钝化膜的叠层。在这种连接结构下，钝化膜的剥离现象可能成为问题。当出现钝化膜的剥离现象时，湿气或空气渗透到位于钝化膜和下层的第一电极层之间的间隙中。因此，在第一电极和第二电极之间可出现短路，或者有机发光层可劣化。钝化膜的剥离现象是由于在钝化膜与作为第一电极层材料的透明导电氧化物之间缺少粘合力。
因此，本发明的一个目的是提供一种基于有机的发光装置，其中可抑制边框区中钝化膜的剥离。
此外，本发明的另一个目的是提供一种基于有机的发光装置，其中可改善边框区中钝化膜的粘合力。
本发明的目的不限于上述目的。上述未提及的本发明的其他目的和优点可从下文描述得到理解，并且从本发明的实施方式得到更清楚的理解。此外，将容易认识到，本发明的目的和优点可通过权利要求书中公开的特征及其组合来实现。
为了实现上述目的，根据本发明的基于有机的发光装置包括阵列区和位于阵列区的外部的边框区。在边框区中，在基板上叠置有栅极线、第一电极和钝化膜。在这种连接结构下，在边框区中，钝化膜接触栅极线和第一电极。
根据本发明，在边框区中，钝化膜接触栅极线和第一电极这两者。已知的是，在钝化膜和金属之间的粘合力高于在钝化膜和透明导电氧化物之间的粘合力。也就是说，根据本发明，考虑到第一电极和栅极线都需要位于边框区中并且实现在钝化膜和金属之间的卓越粘合力，本发明人将发光装置构造为：在边框区中，钝化膜接触栅极线和第一电极这两者。这可以减少边框区中钝化膜的剥离缺陷。
在本发明的一个方面，一种基于有机的发光装置包括：包括发光区和非发光区的阵列区；以及在所述阵列区的外部的边框区，其中在所述阵列区中，在基板上设置有包括栅极线、第一电极、钝化膜、有机发光层和第二电极的结构，其中在所述边框区中，所述栅极线、所述第一电极和所述钝化膜叠置在所述基板上，其中在所述边框区中，所述钝化膜接触所述栅极线和所述第一电极。
在一个实施方式中，其中所述栅极线由金属材料制成，所述第一电极由透明导电氧化物材料制成。
在一个实施方式中，在所述边框区中，在所述第一电极中限定有用于暴露位于所述第一电极的下面的栅极线的多个孔，由此，所述钝化膜通过形成在所述第一电极中的多个孔接触所述栅极线。
在一个实施方式中，在所述边框区中，在所述钝化膜和所述栅极线的顶表面之间的接触面积大于在所述钝化膜和所述第一电极的顶表面之间的接触面积。已知的是，在钝化膜和金属之间的粘合力高于在钝化膜和透明导电氧化物之间的粘合力。因此，考虑到这个事实，本发明人将发光装置构造为：在所述边框区中，使得在所述钝化膜和所述栅极线的顶表面之间的接触面积大于在所述钝化膜和所述第一电极的顶表面之间的接触面积。
在一个实施方式中，在所述阵列区中，可在基板上设置包括栅极线、第一电极、钝化膜、有机发光层和第二电极的结构。具体地，所述第一电极、所述有机发光层和所述第二电极可叠置在阵列区的发光区中。在所述阵列区的非发光区中，可叠置有所述栅极线、所述第一电极、所述钝化膜、所述有机发光层和所述第二电极。
为了实现上述目的，根据本发明的一种基于有机的发光装置包括：包括发光区和非发光区的阵列区；以及在所述阵列区的外部的边框区，其中在所述阵列区中，在基板上设置有包括栅极线、第一电极、钝化膜、有机发光层和第二电极的结构，其中在所述基板上的边框区的一部分中，具有焊盘区，其中在所述焊盘区中，设置有连接至所述第一电极的第一焊盘和连接至所述第二电极的第二焊盘，其中在所述边框区中的除了所述焊盘区之外的区域中，所述栅极线、所述第一电极和所述钝化膜叠置在所述基板上，其中在所述边框区中的除了所述焊盘区之外的区域中，所述钝化膜接触所述栅极线和所述第一电极。
由于钝化膜接触边框区中的栅极线和第一电极这两者，所述可提高钝化膜的粘合力，由此减少边框区中的钝化膜的剥离缺陷。
在一个实施方式中，所述第一焊盘连接至第一电极，所述第二电极连接至所述第二焊盘。在所述焊盘区中，所述第一焊盘和所述第二焊盘均包括：与所述栅极线布置在相同层中的第一层；以及与所述第一电极布置在相同层中的第二层。
在一个实施方式中，在所述焊盘区中，在所述第二层中限定有用于暴露位于所述第二层的下面的第一层的多个孔。
在根据本发明的基于有机的发光装置中，第一电极和栅极线都位于边框区中。考虑到在钝化膜和金属之间的卓越粘合力的优点，在边框区中钝化膜接触栅极线和第一电极这两者。这可以减少边框区中钝化膜的剥离缺陷。
根据本发明，在边框区中，通过在第一电极中形成用于暴露栅极线的多个孔，可容易实现在钝化膜与栅极线之间的直接接触。
此外，根据本发明，多个孔形成在边框区中的第一电极中。由此，可获得在钝化膜与栅极线之间的直接接触效果，此外，可增大钝化膜的接触面积。
除了上述效果之外，下文结合对用于实现本发明的具体细节的描述来描述本发明的很多具体效果。
附图说明
图1是根据本发明一实施方式的基于有机的发光装置的顶视图。
图2示出了图1中的截面I-I’的例子。
图3示出了图1中的部分A的第一电极结构的例子。
图4示出了在阵列区和边框区中栅极线、第一电极和钝化膜的叠置工艺的顶视图和截面图。
图5示出了形成在边框区中的第一电极中的各种孔。
图6是根据本发明一实施方式的基于有机的发光装置的顶视图。
图7示出了图6中的截面II-II’的例子。
图8A示出了图6中的截面III-III’的例子。
图8B示出了图6中的截面IV-IV’的例子。
具体实施方式
为了图示的简明清晰，图中的元件不必按比例绘出。在不同图中的相同参考标记指代相同或像素的要素，并由此执行相似的功能。此外，在本发明的下文详细描述中，阐述了大量的具体细节以便提供对本发明的完整理解。但是，将理解到，在没有这些具体细节的条件下可实践本发明。在其他情形下，没有详细描述公知的方法、程序、组件和电路，以避免不必要地模糊本发明的各个方面。
下文进一步例示和描述各实施方式的例子。将理解到，本文的说明书不旨在将权利要求书限制在所描述的具体实施方式。相反，其旨在涵盖可包括在如所附权利要求书限定的本发明的精神和范围内的所有替代、改型和等同物。
本文使用的术语仅是为了描述具体实施方式的目的，并不旨在限制本发明。将进一步理解到，当在本申请中使用时，术语“包括”、“包含”、“具有”指明所描述的特征、整数、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、操作、元件、组件和/或其部分的存在或添加。如本文使用的，术语“和/或”包括相关所列项目的一个或多个的任何及所有组合。在一列元素之前使用的诸如“至少一个”之类的表述可以修饰整列元素，而不仅是修饰列表中的单独元素。
将理解到，尽管本文可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各要素、组件、区、层和/或区段，但这些要素、组件、区、层和/或区段不应受这些术语限制。这些术语是用于将一个要素、组件、区、层或区段与另一要素、组件、区、层或区段区分开。因此，在不脱离本发明的精神和范围的条件下，下文描述的第一要素、组件、区、层或区段可称为第二要素、组件、区、层或区段。
还将理解到，当称第一元件或层位于第二元件或层“上”或“下”时，第一元件可直接位于第二元件上或下，或者可在第三元件或层设置在第一和第二元件或层之间的条件下间接设置在第二元件上或下。
将理解到，当一元件或层称为“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，其可直接连接到或耦接到另一元件或层，或者可存在一个或多个中间元件或层。此外，还将理解到，当一元件或层称为位于两个元件或层之间时，可以是只有这个元件或层位于这两个元件或层之间，或者也可存在一个或多个中间元件或层。
除非另外限定，否则本文使用的包括技术和科学术语在内的所有术语都具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解到，诸如通用词典里定义的术语之类的术语应当解释为具有与相关领域的语境中的含义相一致的含义，不应理想化或过度形式化地解释，除非在本文有明确定义。
下文，将描述根据本发明一些实施方式的基于有机的发光装置。
图1是根据本发明一实施方式的基于有机的发光装置(organic-based lightingdevice)的顶视图。图2示出了图1中的截面I-I’的例子。
参照图1，基于有机的发光装置包括阵列区AA和位于阵列区AA的外部的边框区BA。
阵列区AA包括发光区段(section)和非发光区段。如图7所示，在阵列区AA中，在基板101上设置有包括栅极线210、第一电极220、钝化膜230、有机发光层240以及第二电极250的结构110。
在根据本发明的基于有机的发光装置中，基板101可由诸如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)、聚碳酸酯(PC)等之类的玻璃材料或塑料材料制成。当基板101由塑料材料制成时，基于有机的发光装置可具有柔性特性。此外，当基板101由塑料材料制成时，有机发光装置可使用辊到辊(roll-to-roll)工艺连续地制造。在基板101的顶面上，可附加地设置诸如微透镜结构之类的内部光提取层，以提高光效率。此外，可将光提取膜进一步粘附至基板101的底面，以提高光效率。此外，可在基板101的顶面上进一步设置阻挡层205，以防止基板下方的湿气渗透过基板。阻挡层205可由诸如SiO2或SiNx层之类的单层或者诸如SiNx/SiO2/SiNx层之类的多层的叠层形成。
在边框区BA中，如图2可以看出的，在基板101上叠置栅极线210、第一电极220和钝化膜230。
在边框区BA中，栅极线210和第一电极220用于将电流分布到阵列区AA的各个部分中。因此，栅极线210可在阵列区AA和边框区BA之间具有一体结构(integral structure)。第一电极220可在阵列区AA和边框区BA之间具有一体结构。
钝化膜230覆盖边框区中的栅极线210和第一电极220。当栅极线210和第一电极220在边框区中未被钝化膜230覆盖时，由于氧化造成的电性能退化可成为问题。
参照图2，根据本发明，钝化膜230与边框区BA中的栅极线210和第一电极220接触。为此，第一电极220可放置在整个阵列区AA中，如图3的例子所示。在边框区BA中，第一电极220可布置成网格形式。当第一电极220在边框区BA中布置成网格形式时，栅极线210暴露在未形成第一电极220的区域中。
如上所述，在边框区BA中，第一电极220和栅极线210用于将电流分布到阵列区AA的各个部分中。此外，当第一电极220不存在于边框区BA中时，在涉及等离子体的工艺中可能出现由于等离子体偏置造成的电弧。此外，在基于有机的发光装置是底部发光型时，栅极线210用于掩蔽下面的层。当在边框区BA中不存在栅极线210时，位于栅极线上方的有机发光层240、第二电极250和封装层260(见图8A和图8B)之间的界面可能被可视地识别到。由于这些原因，第一电极220和栅极线210不应从边框区BA中移除。
参照图2，根据本发明，钝化膜230与边框区BA中的栅极线210和第一电极220这两者接触。已知的是，在由例如SiN制成的钝化膜与金属之间的粘合力高于在钝化膜与透明导电氧化物之间的粘合力。
也就是说，根据本发明，考虑到在边框区BA中都需要第一电极220和栅极线220，并且在钝化膜230和金属之间的粘合力很卓越，所以钝化膜230与边框区BA中的栅极线210和第一电极220都接触。钝化膜230直接接触边框区中的栅极线210。因此，在这种构造中，粘合力可高于在钝化膜230仅接触第一电极的构造中的粘合力。这可以减少钝化膜的剥离。
栅极线210可由金属材料制成。第一电极220可由透明导电氧化物材料制成。
在根据本发明的边框区BA中，在钝化膜230与栅极线210之间的直接接触可通过在第一电极220中形成用于暴露位于第一电极220的下面的栅极线210的多个孔而容易地实现。也就是说，在边框区BA中，在第一电极220中可限定用于暴露位于第一电极220的下面的栅极线210的多个孔，从而使钝化膜230通过形成在第一电极220中的多个孔与栅极线210接触。
在边框区BA中的第一电极220中可形成多个孔，由此实现在钝化膜230和栅极线210之间的直接接触，从而增大钝化膜230的接触面积。
图4示出了在阵列区和边框区中栅极线、第一电极和钝化膜的叠置工艺的顶视图和截面图。
参照图4的(a)，栅极线210放置在边框区域中的基板上。栅极线210可经由在阵列区AA中对栅极线210的蚀刻形成为网格图案。在边框区BA中，可不蚀刻栅极线210。然后，如图4的(b)所示，第一电极220设置在栅极线210上。在这个步骤中，第一电极220可整体地形成在阵列区AA和边框区BA中。
然后，如图4的(c)所示，通过利用干蚀刻、湿蚀刻、激光切割等形成穿透第一电极220的孔来暴露栅极线210。以这种方式，第一电极220不在阵列区AA中被蚀刻，而是在边框区BA中，第一电极经由蚀刻形成为网格图案。但是，如稍后参照图6和图7所述的，第一电极220可被部分蚀刻，以在阵列区AA中形成电流注入线225。
形成在边框区BA中的第一电极220的网格图案可形成为比形成在阵列区AA中的栅极线210的网格图案更密和更小。
然后，可沉积诸如SiN之类的钝化材料，以在阵列区AA中的栅极线210上、在第一电极220上、以及在边框区BA中的栅极线210的暴露部分上形成钝化膜230，如图4的(d)所示。在边框区中，钝化膜230接触栅极线210和第一电极。钝化膜230在阵列区中仅接触第一电极220并且在第一电极220被部分蚀刻以形成电流注入线225的区域中接触基板101。
在一个例子中，优选的是，在边框区BA中，钝化膜230的与栅极线210的顶表面接触的面积大于钝化膜230的与第一电极220的顶表面接触的面积。
例如，在边框区BA中，当假设钝化膜230的接触栅极线210和第一电极220的面积百分比为100％时，钝化膜230的与第一电极220的顶表面接触的面积为大约30％，钝化膜230的与栅极线210的顶表面接触的面积为大约70％。
当考虑到在钝化材料与金属之间的粘合力大于在钝化材料与透明导电氧化物之间的粘合力时，期望使得钝化膜230与栅极线210的顶表面之间的接触面积大于钝化膜230与第一电极220的顶表面之间的接触面积。
图5示出了形成在边框区中的第一电极中的各种孔。
形成在边框区BA中的第一电极220中的每个孔可具有图5的(a)中的平面图中所示的四边形，或者可具有图5的(b)中的平面图中所示的圆形。
此外，形成在边框区BA中的第一电极220的孔可具有包括图5的(c)中的平面图中所示的台阶(step)222的形状。台阶222可通过局部蚀刻并且在其厚度方向上保留一部分第一电极220而形成。在这种情形下，台阶222具有正型图案(positive pattern)。
在另一个例子中，台阶222可通过在厚度方向上蚀刻整个第一电极222、然后部分蚀刻栅极线210而形成。在这种情形下，台阶222可具有负型图案(negative pattern)。当台阶222具有负型图案时在钝化膜230与栅极线210之间的接触面积可大于当台阶222具有正型图案时在钝化膜230与栅极线210之间的接触面积。
形成在边框区BA中的第一电极220中的孔可具有如图5的(a)至(c)中的例子所示的点型(dot type)。在另一个例子中，孔可具有如图5的(d)中的例子所示的线型。
根据本发明形成在边框区BA中的第一电极220中的孔的形状不限于图5所示的例子。根据本发明形成在边框区BA中的第一电极220中的孔的形状可具有任何形状，只要在第一电极220下面的栅极线210的顶表面可通过这种形状的孔暴露即可。
图6是根据本发明一实施方式的基于有机的发光装置的顶视图。图7示出了图6中的截面II-II’的例子。
阵列区AA包括发光区LA和非发光区NLA。发光区LA由栅极线210和钝化膜230来限定。
在阵列区AA的发光区中，第一电极220、有机发光层240和第二电极250叠置在基板101上。可在基板101和第一电极220之间设置由SiO2、SiNx等制成的阻挡层205。
另一方面，在阵列区AA的非发光区中，在基板101上叠置栅极线210、第一电极220、钝化膜230、有机发光层240和第二电极250。在发光区中，当提供电流时，第一电极220、有机发光层240和第二电极250的叠层发光。在非发光区中，甚至当电流提供至第一电极220、钝化膜230、有机发光层240和第二电极250的叠层时都不会出现发光。
第一电极220可由透明导电氧化物材料比如ITO(氧化铟锡)、FTO(掺杂氟的氧化锡)等制成。钝化膜230可由诸如基于聚酰亚胺的材料之类的有机材料或者诸如氧化铝(Al2O3)、硅氮化物(SiNx)等之类的无机材料制成。
有机发光层240可包含CuPc(酞菁铜)、NPB(N,N-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基联苯胺)、Alq3(三-8-羟基喹啉铝)或各种其他已知有机发光材料。有机发光层240可包含电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层。
在这种连接结构下，可采用具有包括两个或更多个发光层的叠层的串联结构的有机发光层。可直接叠置至少两个发光层。可选地，可在两个或更多个发光层之间设置诸如空穴传输层或电子传输层之类的中间层。串联结构的例子可包括：蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层依次叠置的结构；蓝色发光层和红色发光层依次叠置的结构；蓝色发光层、黄色/绿色发光层和蓝色发光层依次叠置的结构；红色/绿色发光层、蓝色发光层和红色/绿色发光层依次叠置的结构。
第二电极250可由诸如铝和银(Ag)之类的材料制成。可选地，第二电极250可采用透明导电氧化物材料比如ITO。
例如，当第一电极220用作阳极并且第二电极250用作阴极时，电子从第二电极250注入到有机发光层240，而空穴从第一电极220注入到有机发光层240。在电子和空穴注入到有机发光层240时，可在有机发光层240中产生激子。然后，随着激子衰减，发射与有机发光层240的LUMO(最低未占用分子轨道)和其HOMO(最高占用分子轨道)之间的能量差对应的光。
位于有机发光层240下方的第一电极220可由透明导电氧化物材料制成，以便从基板101沿向下方向发射光。但是，诸如ITO之类的透明导电氧化物相比金属具有相对较高的电阻。在这种连接结构下，当如图5的例子中所示栅极线210附加设置在基板101和第一电极220之间时，电流可均匀地提供至整个发光区。栅极线210可由电阻低于透明导电氧化物的金属材料制成。
但是，当电流集中在栅极线210附近的区域上时，可降低亮度均匀性。由此，钝化膜230可设置在非发光区中的第一电极220的顶面上，以覆盖栅极线210。在一个例子中，钝化膜230可设置在栅极线210的顶面上，并且可附加设置在例如需要在第二焊盘和第一电极之间保持绝缘的区域中。栅极线210可由金属材料制成。第一电极220可由透明导电氧化物材料制成。
此外，参照图6和图7，第一电极220包括在非发光区NLA中的电流注入线225。与第一电极220的一部分对应的非发光区NLA中的电流注入线225具有比发光区LA中的第一电极220高的电阻。电流注入线225用于增加屏障，以利用其高电阻抑制电流注入到发光区LA中。这种电流注入线的存在可允许在一个发光区中第一电极和第二电极之间的短路对其他发光区几乎没有影响。如果在发光区中不存在电流注入线，则当第一电极和第二电极在一个发光区中短路时，所有的发光区都不会工作。从这个角度上说，电流注入线可称为SR(短路减少)线。
在电流注入线225周围，可设置第一绝缘线235a和第二绝缘线235b。在制造工艺中，第一电极220设置在基板的整个表面上，然后通过蚀刻第一电极形成线。当蚀刻掉的部分被绝缘材料填充时，可形成第一绝缘线235a和第二绝缘线235b。第一绝缘线235a和第二绝缘线235b可以是钝化膜230的一些部分。
在这种连接结构下，可以与用于在边框区中的第一电极中形成孔的蚀刻(图4的(c))同步地执行用于形成第一绝缘线235a和第二绝缘线235b的第一电极220的蚀刻。作为蚀刻第一电极220以形成第一绝缘线235a和第二绝缘线235b的结果，基板101如图7的例子中所示暴露。另一方面，作为用于在边框区中的第一电极中形成孔的蚀刻的结果，栅极线210暴露。
沿发光区的外围设置的第一绝缘线235a旨在防止电流注入到除了电流注入线之外的第一电极的其他部分中。第一绝缘线235a围绕发光区，但是具有开口结构而不是封闭结构，从而使电流可注入到发光区。也就是说，在第一绝缘线235的端部之间具有间隙。由此，电流通过此间隙注入到发光区中。
第二绝缘线235b设置在第一绝缘线235a的一部分的旁边。更具体地，第二绝缘线235b从第一绝缘线235a的一端延伸，并且沿着第一绝缘线235a的一部分延伸。通过第二绝缘线235b的长度来确定电流注入线的长度。由此，可确定电流注入线的电阻。
图8A示出了图6中的截面III-III’的例子。图8B示出了图6中的截面IV-IV’的例子。图8A和图8B示出了图6中的焊盘区120a和120b的每一个的例子。在图8A和8B中，省略了图6和图7中所示的第一绝缘线235a和第二绝缘线235b。
参照图6、8A和8B，包括与第一电极220连接的第一焊盘610和与第二电极250连接的第二焊盘620的焊盘区120a和120b的每一个可位于基板101的边框区BA的一部分中。
第一焊盘610和第二焊盘620的每一个可连接至印刷电路板720。可采用诸如ACF(各向异性导电膜)之类的导电膜或导电粘合剂710来将第一焊盘610和第二焊盘620连接至印刷电路板720。
在边框区BA中的除了焊盘区120之外的区域中，在基板101上叠置栅极线210、第一电极220和钝化膜230。如上所述，在边框区中的除了焊盘区之外的区域中，钝化膜230与栅极线210和第一电极220都接触。
具体地，在边框区BA中的除了焊盘区之外的区域中，第一电极220可具有用于暴露位于第一电极220的下面的栅极线210的多个孔。钝化膜230可通过形成在第一电极220中的多个孔与栅极线210直接接触。此外，在边框区BA中的除了焊盘区之外的区域中，钝化膜230的与栅极线210的顶表面接触的面积可大于钝化膜230的与第一电极220的顶表面接触的面积。
参照图8A，在焊盘区120a和120b的每一个中，向上暴露的第一电极220的一部分可用作第一焊盘610。此外，参照图8B，第二焊盘620可以是第一电极220的在每个焊盘区120a和120b中向上暴露的部分。也就是说，第一焊盘610和第二焊盘620可以与阵列区中的第一电极220布置在相同层，或者可以与阵列区中的栅极线210和第一电极220布置在相同层。但是，第二焊盘620可经由钝化膜230与第一电极220绝缘，并且可连接至第二电极250。
可选地，第一焊盘和第二焊盘的每一个可具有多层结构，在这种连接结构下，第一焊盘和第二焊盘的每一个可包括与栅极线210设置在相同层的第一层以及与第一电极220设置在相同层的第二层。
第一焊盘和第二焊盘连接至印刷电路板720。可采用诸如ACF(各向异性导电膜)之类的导电膜或导电粘合剂710来将印刷电路板720连接至第一焊盘和第二焊盘。
在一个例子中，参照图8A和8B，在第二电极250上附加地形成封装层260。封装层260可由具有卓越的防湿气和空气渗透特性的材料比如无机材料或金属制成。图8A和8B中所示的封装层260具有有机或无机缓冲层260a、无机层260b和金属层260c依次堆叠的结构。但是，封装层不限于这种三层结构。封装层可具有单层结构、双层结构或者四层或更多层的叠层。此外，当采用金属膜作为金属层260c时，可在无机层260b与金属层260c之间设置粘合层。此外，多个层中的至少之一可用作平坦化层。图8A和8B示出了有机或无机缓冲层260a用作平坦化层。
如上所述，根据本发明的基于有机的发光装置具有钝化膜与边框区中的栅极线和第一电极都接触的优点，由此经由其间的强接合力减少了钝化膜在边框区中的剥离。
已经参照附图描述了本发明。但是，本发明不受本文描述的具体实施方式和附图的限制。将清楚理解到，在本发明的范围内，所属领域技术人员可进行各种改型。此外，尽管在描述本发明的构造所产生的效果时没有一一列举本发明的构造所产生的所有效果，但是应当认识到本发明的构造所预期带来的效果。
Claims (12)
1.一种基于有机的发光装置，包括：
包括发光区和非发光区的阵列区；以及
在所述阵列区的外部的边框区，
其中在所述阵列区中，在基板上设置有包括栅极线、第一电极、钝化膜、有机发光层和第二电极的结构，
其中在所述边框区中，所述栅极线、所述第一电极和所述钝化膜叠置在所述基板上，
其中在所述边框区中，所述钝化膜接触所述栅极线和所述第一电极，
其中所述栅极线由金属材料制成。
2.根据权利要求1所述的基于有机的发光装置，其中所述第一电极由透明导电氧化物材料制成。
3.根据权利要求1所述的基于有机的发光装置，其中在所述边框区中，在所述第一电极中限定有用于暴露位于所述第一电极的下面的栅极线的多个孔，其中所述钝化膜通过形成在所述第一电极中的多个孔接触所述栅极线。
4.根据权利要求1所述的基于有机的发光装置，其中在所述边框区中，在所述钝化膜和所述栅极线的顶表面之间的接触面积大于在所述钝化膜和所述第一电极的顶表面之间的接触面积。
5.根据权利要求1所述的基于有机的发光装置，其中在所述阵列区的发光区中，叠置有所述第一电极、所述有机发光层和所述第二电极，其中在所述阵列区的非发光区中，叠置有所述栅极线、所述第一电极、所述有机发光层和所述第二电极。
6.一种基于有机的发光装置，包括：
包括发光区和非发光区的阵列区；以及
在所述阵列区的外部的边框区，
其中在所述阵列区中，在基板上设置有包括栅极线、第一电极、钝化膜、有机发光层和第二电极的结构，
其中在所述基板上的边框区的一部分中，具有焊盘区，其中在所述焊盘区中，设置有连接至所述第一电极的第一焊盘和连接至所述第二电极的第二焊盘，
其中在所述边框区中的除了所述焊盘区之外的区域中，所述栅极线、所述第一电极和所述钝化膜叠置在所述基板上，其中在所述边框区中的除了所述焊盘区之外的区域中，所述钝化膜接触所述栅极线和所述第一电极，
其中所述栅极线由金属材料制成。
7.根据权利要求6所述的基于有机的发光装置，其中所述第一电极由透明导电氧化物材料制成。
8.根据权利要求6所述的基于有机的发光装置，其中在所述边框区中的除了所述焊盘区之外的区域中，在所述第一电极中限定有用于暴露位于所述第一电极的下面的栅极线的多个孔，其中所述钝化膜通过形成在所述第一电极中的多个孔接触所述栅极线。
9.根据权利要求6所述的基于有机的发光装置，其中在所述边框区中的除了所述焊盘区之外的区域中，在所述钝化膜和所述栅极线的顶表面之间的接触面积大于在所述钝化膜和所述第一电极的顶表面之间的接触面积。
10.根据权利要求6所述的基于有机的发光装置，其中在所述焊盘区中，所述第一焊盘和所述第二焊盘均包括：与所述栅极线布置在相同层中的第一层；以及与所述第一电极布置在相同层中的第二层。
11.根据权利要求10所述的基于有机的发光装置，其中在所述焊盘区中，在所述第二层中限定有用于暴露位于所述第二层的下面的第一层的多个孔。
12.根据权利要求6所述的基于有机的发光装置，其中在所述阵列区的发光区中，叠置有所述第一电极、所述有机发光层和所述第二电极，
其中在所述阵列区的非发光区中，叠置有所述栅极线、所述第一电极、所述有机发光层和所述第二电极。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2018-0173670 | 2018-12-31 | ||
| KR1020180173670A KR102601826B1 (ko) | 2018-12-31 | 2018-12-31 | 유기 조명 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111384290A CN111384290A (zh) | 2020-07-07 |
| CN111384290B true CN111384290B (zh) | 2023-04-28 |
Family
ID=71124481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911191749.8A Active CN111384290B (zh) | 2018-12-31 | 2019-11-28 | 基于有机的发光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10797262B2 (zh) |
| KR (1) | KR102601826B1 (zh) |
| CN (1) | CN111384290B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010084614A (ko) * | 2000-02-28 | 2001-09-06 | 구본준, 론 위라하디락사 | 박막트랜지스터를 포함하는 소자 제조방법 |
| KR20050011951A (ko) * | 2003-07-24 | 2005-01-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 마이크로렌즈 캡핑레이어의 들뜸 현상을 방지한 시모스이미지센서의 제조방법 |
| CN105047671A (zh) * | 2014-04-17 | 2015-11-11 | 乐金显示有限公司 | 用于显示装置的阵列基板及其制造方法 |
| CN108565353A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及显示器件 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100560398B1 (ko) * | 2003-10-30 | 2006-03-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 |
| KR101258259B1 (ko) * | 2009-09-17 | 2013-04-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| WO2015173965A1 (ja) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| JP6322769B2 (ja) * | 2014-12-15 | 2018-05-09 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光素子 |
| KR102490890B1 (ko) * | 2016-01-11 | 2023-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102507718B1 (ko) * | 2016-03-29 | 2023-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20180062107A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
| KR102555383B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2023-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
| KR20180077939A (ko) * | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 |
| KR102393377B1 (ko) * | 2017-08-07 | 2022-05-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102018754B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2019-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 |
-
2018
- 2018-12-31 KR KR1020180173670A patent/KR102601826B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-11-28 CN CN201911191749.8A patent/CN111384290B/zh active Active
- 2019-12-26 US US16/727,316 patent/US10797262B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010084614A (ko) * | 2000-02-28 | 2001-09-06 | 구본준, 론 위라하디락사 | 박막트랜지스터를 포함하는 소자 제조방법 |
| KR20050011951A (ko) * | 2003-07-24 | 2005-01-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 마이크로렌즈 캡핑레이어의 들뜸 현상을 방지한 시모스이미지센서의 제조방법 |
| CN105047671A (zh) * | 2014-04-17 | 2015-11-11 | 乐金显示有限公司 | 用于显示装置的阵列基板及其制造方法 |
| CN108565353A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及显示器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102601826B1 (ko) | 2023-11-13 |
| US10797262B2 (en) | 2020-10-06 |
| CN111384290A (zh) | 2020-07-07 |
| KR20200082769A (ko) | 2020-07-08 |
| US20200212351A1 (en) | 2020-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013219025A (ja) | 発光装置、及び発光装置の作製方法 | |
| TWI716776B (zh) | Oled發光裝置 | |
| KR20230069901A (ko) | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 | |
| CN110767715B (zh) | 显示装置及其oled透光基板、oled基板 | |
| CN110010640B (zh) | 用于照明装置的oled面板及其制造方法 | |
| CN111384290B (zh) | 基于有机的发光装置 | |
| US10497891B2 (en) | Lighting apparatus using organic light-emitting diode | |
| CN110034155B (zh) | 用于照明装置的oled面板及其制造方法 | |
| EP3496175B1 (en) | Oled panel for lighting device and method of manufacturing the same | |
| TWI702588B (zh) | 有機發光二極體發光裝置 | |
| CN111384294B (zh) | 有机照明设备 | |
| CN111384295B (zh) | 有机发光装置 | |
| CN110010647B (zh) | 用于照明装置的有机发光二极管面板 | |
| TW201415685A (zh) | 有機發光二極體照明裝置 | |
| KR102661270B1 (ko) | 조명장치 | |
| KR20080058883A (ko) | 오엘이디 소자의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |