JP6322769B2 - 有機発光素子 - Google Patents

Description

本明細書は、２０１４年１２月１５日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１４−０１８０７４１号の出願日の利益を主張し、その内容すべてが本明細書に含まれる。

本明細書は、有機発光素子に対するものである。

有機発光現象とは、有機物質を利用して電気エネルギーを光エネルギーに転換させる現象をいう。つまり、アノードとカソードの間に適切な有機物層を位置させたとき、二つの電極間に電圧をかけると、アノードでは正孔が、カソードでは電子が前記有機物層に注入される。この注入された正孔と電子が出会った時に励起子（exciton）が形成され、この励起子が再び基底状態に落ちる時に光を生成する。

有機発光素子を用いた照明装置の場合、枠部に位置する端子によって電圧が印加される構造を有している。しかし、枠部から導入された電流が発光領域の中心部まで流れながら、内部抵抗によって電圧降下が発生する。

このような電圧降下現象によって発光領域間に輝度不均一が発生することになり、これは照明装置の面積の増加、または照明装置の横辺と縦辺の比率による差が発生するようになって、動作電流値を増加させた場合、より克明に発生するようになる。

これにより、発光領域間の輝度不均一を解消し、均一な輝度の光を放出することができる有機発光素子の開発が必要な実情である。

本明細書では、前記の問題点を解決することができる有機発光素子を提供する。

本明細書の一実施態様は、互いに離隔した２以上の画素部を含む第１電極；前記第１電極に対向して備えられた第２電極；前記第１電極と前記第２電極との間に備えられた発光層を１以上含む有機物層；および前記それぞれの画素部と電気的に接続された補助電極を含み、少なくとも一つの画素部は、前記補助電極と電気的に接続された補償抵抗部を含み、前記補償抵抗部は、前記補償抵抗部が接続された画素部に印加される電圧が、電圧降下が最も多く発生する画素部に印加される電圧の０．８倍〜１．２倍になるように調節された抵抗値を有する有機発光素子を提供する。

本明細書の一実施態様は、前記有機発光素子を含むディスプレイ装置を提供する。

本明細書の一実施態様は、前記有機発光素子を含む照明装置を提供する。

本明細書の一実施態様による有機発光素子は、発光領域の輝度均一性が優れている。詳細には、本明細書の一実施態様による有機発光素子は、大面積で具現しても優れた輝度均一性を維持することができる。

有機発光素子での電圧降下が最も大きく発生する領域を導出するための過程を示した図である。 有機発光素子での電圧降下が最も大きく発生する領域を導出するための過程を示した図である。 有機発光素子での電圧降下が最も大きく発生する領域を導出するための過程を示した図である。 前記図１〜図３による有機発光素子の位置による電圧降下の程度を示した図である。 本明細書の一実施態様による有機発光素子に印加される電圧を示した図である。 本明細書の一実施態様による有機発光素子の平面図を示した図である。 本明細書の一実施態様による有機発光素子の第１電極の一部を示した図である。 本明細書の一実施態様による有機発光素子の断面図の一例を示した図である。 ２層〜５層の発光層を含む有機発光素子それぞれのJ−Ｖ曲線を示した図である。 図９の発光層数による電流密度の値を用いて、電圧降下による有機発光素子の輝度減少率を導出した図である。 比較例１による有機発光素子において、第１電極の位置別電圧降下水準を示した図である。 実施例１による有機発光素子において、各画素部による補償抵抗部の必要抵抗値を示した図である。 比較例２による有機発光素子において、第１電極の位置別電圧降下水準を示した図である。 実施例２による有機発光素子において、各画素部による位置別補償抵抗部の必要抵抗値を示した図である。 比較例３による有機発光素子において、第１電極の位置別電圧降下水準を示した図である。 実施例３による有機発光素子において、各画素部による位置別補償抵抗部の必要抵抗値を示した図である。 比較例４による有機発光素子において、第１電極の位置別電圧降下水準を示した図である。 実施例４による有機発光素子において、各画素部による位置別補償抵抗部の必要抵抗値を示した図である。 比較例５による有機発光素子において、第１電極の位置別電圧降下水準を示した図である。 実施例５による有機発光素子において、各画素部による位置別補償抵抗部の必要抵抗値を示した図である。

本明細書において、ある部材が他の部材の「上に」位置としているとしたときに、これはある部材が他の部材に接している場合だけでなく、両方の部材の間に別の部材が存在する場合も含まれる。

本明細書において、ある部分がなにかの構成要素を「含む」とするとき、これは特に反対する記載がない限り、他の構成要素を除外するものではなく、他の構成要素を含むことができることを意味する。

以下、本明細書に対してさらに詳細に説明する。

本明細書の一実施態様は、互いに離隔した２以上の画素部を含む第１電極；前記第１電極に対向して備えられた第２電極；前記第１電極と前記第２電極との間に備えられた発光層を１以上含む有機物層；前記それぞれの画素部と電気的に接続された補助電極を含み、少なくとも一つの画素部は、前記補助電極と電気的に接続された補償抵抗部を含み、前記補償抵抗部は、前記補償抵抗部が接続された画素部に印加される電圧が、電圧降下が最も多く発生する画素部に印加される電圧の０．８倍〜１．２倍になるように調節された抵抗値を有する有機発光素子を提供する。

本明細書の一実施態様によれば、前記補償抵抗部は、前記補償抵抗部が接続された画素部に印加される電圧が、電圧降下が最も多く発生する画素部に印加される電圧の０．９倍〜１．１倍になるように調節された抵抗値を有することができる。

本明細書の「画素部」は、発光層から発生する光が外部に放出される第１電極の単位を意味し得る。

また、本明細書の「画素部」は、短絡などにより光が放出されない非作動の画素を除いたものを意味する。詳細には、本明細書の「画素部」は、有機発光素子で正常に動作する画素を意味する。

一般的な有機発光素子において、外部からの電源が印加される端子部と画素部のすべての領域が等電位になることが理想的である。しかし、電極を形成する材料の内部抵抗により電源が印加される点から微細な電圧降下が発生し得る。これにより、有機発光素子の画素部の領域ごとに電圧降下の程度が変わるようになって、有機発光素子の輝度不均一を生じさせ得る。詳細には、外部から電圧が印加されるベゼル領域から遠くに設けられた画素部は、前記ベゼル領域の近くに設けられた画素部よりも高い内部抵抗により電圧降下現象が発生して相対的に低い輝度を示す。さらに、有機発光素子を大面積に製造して、前記ベゼル領域と最も遠く離れた画素部までの距離が遠くなるほど、前記の輝度不均一現象は、深刻になり得る。

このような問題点を解決するために、本明細書では、補償抵抗部を用いて、それぞれの画素部に印加される電流量を調節して、有機発光素子の輝度不均一現象を解消しようとするものである。

本明細書の一実施態様による有機発光素子は、外部電源と前記補助電極を電気的に接続する枠電極を含むことができる。詳細には、前記枠電極は、前記有機発光素子の発光領域の少なくとも一側面または側面すべてに備えることができる。詳細には、本明細書の一実施態様によれば、前記枠電極は、前記第１電極の側面の一部に隣接または接して備えられる。本明細書の一実施態様によれば、前記枠電極は、ディスプレイ装置の表示領域や照明装置の発光領域の側面の一部または全部に備えられたものであり得る。

本明細書の一実施態様によれば、前記枠電極は、前記有機発光素子のベゼル領域の少なくとも一部に備えることができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記有機発光素子は、外部電源から前記枠電極に電圧が印加されて駆動することができる。さらに、枠電極に印加された電流は、補助電極を通じて、それぞれの画素部に供給され、前記補償抵抗部は、前記補助電極から前記画素部に印加される電流量を調節する役割をすることができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記枠電極は、発光領域を含む有機発光素子の封止領域内に形成することができる。この場合、前記枠電極は、前記補助電極と同じ材料であり得、補助電極よりも広い幅で形成して比較的低い抵抗を有することができる。ここで、前記枠電極は、真空蒸着された金属または印刷された金属層であり得る。

また、本明細書の一実施態様によれば、前記枠電極は、有機発光素子の封止領域の外側に形成することができる。この場合の材料は、封止層内の補助電極と同じ材料であり得、または金属フィルムを導電接着剤で前記第１電極面に付着した形態であり得る。または、ＡＣFまたはＡＣＡを用いてＦＰＣＢなどを付着した形態であり得る。

前記枠電極の機能は、外部の電源が電圧降下なしに有機発光素子の発光領域全体に電流を伝達することができることである。また、前記枠電極は、外部電源端子との安定した電気的な接続機能をすることもできる。

本明細書の一実施態様による有機発光素子において、前記補償抵抗部はそれぞれの画素部の動作電圧を調整して、画素部間に発生する輝度の差を最小限に抑えることができる。詳細には、前記補償抵抗部の電圧降下が最も多く発生する画素部に印加される電圧水準にそれぞれの画素部に印加される電流の量を調節して前記有機発光素子の輝度均一性を向上させることができる。より詳細には、前記補償抵抗部は内部抵抗によって電圧降下が多く発生する画素部には低い補償抵抗を付与して、電圧降下が少なく発生する画素部には、高い補償抵抗を付与して、それぞれの画素部に均一な電圧が印加されるようにする役割をすることができる。

本明細書の一実施態様によれば、いずれか一つの前記画素部から前記補助電極までの抵抗の最大値と、他の一つの前記画素部から前記補助電極までの抵抗の最小値の差は、下記式１を満足することができる。

・・・式１

前記式１において、
Ｒ_ｄｉｆｆは、いずれか一つの画素部から補助電極までの抵抗の最大値と、他の一つの画素部から補助電極までの抵抗の最小値の差を意味し、
Ｒ_ｓｕｒｆは、第１電極の面抵抗を意味し、
Ｎ_ｃｅｌｌは、画素部の個数を意味し、
ａは、有機発光素子の最も長い辺の長さを意味し、
ｂは、有機発光素子の最も短い辺の長さを意味する。

本明細書の一実施態様によれば、前記式１でのａは、有機発光素子を発光面での最も長い側面の長さを意味することができる。本明細書の一実施態様によれば、前記式１でのｂは、有機発光素子の発光面での最も短い側面の長さを意味することができる。詳細には、有機発光素子が四角形の形状の発光面を有する場合、四角形の長い辺の長さは、式１でのａを意味し、四角形の短い辺の長さは、式１でのｂを意味する。

本明細書の一実施態様によれば、前記式１を満足している場合、それぞれの画素部での輝度が均一になり得る。

前記画素部から補助電極までの抵抗の最大値とは、電圧降下が最も少なく発生する画素部に接続された補償抵抗部の抵抗を意味することができる。

前記画素部から補助電極までの抵抗の最小値とは、電圧降下が最も多く発生する画素部での補助電極から画素部までの抵抗を意味することができる。詳細には、前記画素部から補助電極までの抵抗の最小値とは、電圧降下が最も多く発生する画素部に前記補償抵抗部が備えられていない場合、補助電極の内部抵抗値と同じであり得る。また、前記画素部から補助電極までの抵抗の最小値とは、電圧降下が最も多く発生する画素部に接続された補償抵抗部の抵抗を意味することができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記第１電極は、透明電極であり、前記補助電極は、金属電極であり得、前記第１電極の面抵抗は、補助電極および前記透明電極の面抵抗値によって変動し得る。詳細には、前記補助電極が金属電極である場合、透明電極である第１電極に比べて面抵抗が十分に低くなる。この場合、前記透明電極である第１電極の面抵抗値は、前記第１電極の面抵抗値にほとんど影響を与えずに前記補助電極の面抵抗値によって決定される。すなわち、前記透明電極である第１電極の面抵抗の抵抗値は、無視できる水準なので、前記第１電極の面抵抗は、前記補助電極自体の面抵抗値であるとみることができる。ただし、前記第１電極の補助電極が金属電極ではなく、抵抗が高い物質である場合、前記第１電極の面抵抗は、前記補助電極と前記透明電極である第１電極の面抵抗を一緒に考慮した計算が必要になり得る。

詳細には、本明細書の一実施態様によれば、いずれか一つの画素部から前記補助電極までの抵抗の最大値と、他の一つの画素部から前記補助電極までの抵抗の最小値の差は、下記式１−１を満足することができる。

・・・式１−１

前記式１−１において、Ｒ_ｄｉｆｆ、Ｒ_ｓｕｒｆ、Ｎ_ｃｅｌｌ、ａおよびｂは、前記式１で定義した通りである。

本明細書の一実施態様によれば、前記式１および式１−１でのａは、外部電流が供給される側面から遠ざかる長さまたは外部電流が供給されない側面の長さであり得る。また、本明細書の一実施態様によれば、前記式１および式１−１でのｂは、外部電流が供給される側面の長さであり得る。

また、本明細書の一実施態様によれば、前記有機発光素子が、すべての側面から電流を供給される場合、前記式１及び式１−１のａ／ｂは１であり得る。

本明細書の一実施態様によれば、前記補償抵抗部の抵抗は、下記式２を満足することができる。

・・・式２

前記式２において、
Ｒ_{ｃｏｍｐ＿ｃｅｌｌ}は、補償抵抗部の抵抗を意味し、
Ｖ_{ＩＲｄｒｏｐ＿ｍａｘ}は、電圧降下が最も多く発生する画素部での電圧を意味し、
Ａ_{ｃｅｌｌ＿ｍａｘ}は、電圧降下が最も多く発生する画素部での電流を意味し、
Ｖ_{ＩＲｄｒｏｐ＿ｃｅｌｌ}は、補償抵抗部を含む画素部での電圧を意味し、
Ａ_ｃｅｌｌは、補償抵抗部を含む画素部での電流を意味し、
ｚは、０Ω以上３０万Ω以下である。

本明細書の一実施態様によれば、前記式２のｚの値は、前記補償抵抗部に選択的に短絡防止機能を付与する抵抗値であり得る。本明細書の一実施態様によれば、前記補償抵抗部は、有機発光素子の任意の画素部のアノードとカソードが接して短絡が発生した場合、印加されるすべての電流が短絡発生領域に流れるようになって有機発光素子全体が動作しなくなることを防止することができる。すなわち、前記補償抵抗部は、いずれか一つの画素部で短絡が発生しても、適正な抵抗値によってリーク電流を遮断する役割をして、有機発光素子が正常範囲で動作することができるようにすることができる。本明細書の一実施態様によれば、前記短絡防止のために必要な追加の抵抗値は、前記ｚと同じである。

本明細書の一実施態様によれば、前記前記補償抵抗部の抵抗は下記式２−１を満足することができる。

・・・式２−１

前記式２−１において、Ｒ_{ｃｏｍｐ＿ｃｅｌｌ}、Ｖ_{ＩＲｄｒｏｐ＿ｍａｘ}、Ａ_{ｃｅｌｌ＿ｍａｘ}、Ｖ_{ＩＲｄｒｏｐ＿ｃｅｌｌ}、Ａ_ｃｅｌｌおよびｚは、前記式２で定義した通りである。

本明細書の一実施態様によれば、前記補償抵抗部は、前記式２または式２−１を満足する抵抗値を有する場合は、それぞれの画素部に印加される電流の量に大幅な差が出ないようにして輝度均一性を向上させることができる。

図５は、本明細書の一実施態様による有機発光素子に印加される電圧を示した図である。詳細には、図５は、枠電極との距離に応じた画素部の電圧降下（IR drop）と補償抵抗部による電圧降下（IR drop）を示した図である。図５に示したように、本明細書の一実施態様による有機発光素子は、補償抵抗部によってそれぞれの画素部に均一な電圧を印加することができようになり、輝度不均一を解消することができる。

本発明者らは、有機発光素子全体の発光領域で最も低い輝度が表示される地点の電圧降下値を知るために、下記のような実験を行った。

カソードの面抵抗は０で十分に低く、正四角形の形状の第１電極の４つの端部に備えられた枠電極での電圧降下（IR drop）は０であり、有機物層の電流−電圧（IＶ）特性は、電圧変化に関係なく一定の電流値を有すると仮定した有機発光素子を基準に実験を行った。

図１は、有機発光素子での電圧降下が最も大きく発生する領域を導出するための過程を示した図である。詳細には、図１は、四角形の第１電極１０１の４つの端部に枠電極５０１が備えられた有機発光素子を示した図である。

枠電極に電圧を印加した場合、第１電極全体に印加される電流はＡ_ｏｒｇであり、第１電極の面抵抗はＲ_ｓｕｒｆの場合、各端部の枠電極に入力する電流は、図１のように、それぞれの三角形領域の第１電極を通じて有機物層に電流を供給するようになる。

図１で１辺の長さがａの正方形の電極を有する素子のｘ地点での電圧降下を計算した。計算方法は、ｘ地点を流れる電流値を計算し、ｘ地点を電流が通過する時の抵抗値をそれぞれ計算し、乗算する方法で行った。枠電極を出発して、第１電極の中心部に流れる電流が第１電極全体の面積に対比して移動した面積の比だけ有機物層を通じて抜け出たと仮定した。枠電極から四角形の中心方向にｘだけ離れた位置の正方形の辺の長さをｌとすると、ｘ地点を通過する電流は、辺の長さがＡである正方形の面積と辺の長さがｌである四角形の面積比と同じになる。

したがって、図１において、ｘ地点を流れる電流（Ａ_ｘ）は、下記の通りである。

図１において、ｄｘ区間の抵抗（Ｒ_ｄｘ）は、下記の通りである。

図１において、前記導出されたｘ地点を流れる電流（Ａ_ｘ）およびｄｘ区間の抵抗（Ｒ_ｄｘ）を用いて、枠電極からｘ地点までの電圧降下（Ｖ_{ＩＲｄｒｏｐ}）は、下記の通りである。

図１において、底辺の長さがａであり、高さがａ／２の三角形と、底辺の長さがｌであり、高さがＡ／（２−ｘ）である三角形は、同じ形状であるため、ａ：ａ／２＝ｌ：ａ／（２−ｘ）の関係を有し、これにより、下記の式を計算することができる。

図１のように、第１電極の４つの端部に枠電極が備えられた場合、枠電極から最も遠い地点はｘ＝ａ／２である地点である。したがって、図１のような場合の有機発光素子での電圧降下の最大値は、ｘ＝ａ／２地点で発生し、これは下記の通りである。

図２は、有機発光素子で電圧降下が最も大きく発生する領域を導出するための過程を示した図である。詳細には、図２は、四角形の第１電極１０１の対向する２つの端部に枠電極５０１が備えられた有機発光素子を示した図である。

図２の場合、各端部の枠電極に入力する電流（Ａ_ｏｒｇ）は、各枠電極から第１電極を両分して電流を供給する。

図２において、ｘ地点を流れる電流（Ａ_ｘ）は、下記の通りである。

図２においてｄｘ区間の抵抗（Ｒ_ｄｘ）は、下記の通りである。

図２において、前記導出されたｘ地点を流れる電流（Ａ_ｘ）とｄｘ区間の抵抗（Ｒ_ｄｘ）を用いて、枠電極からｘ地点までの電圧降下（Ｖ_{ＩＲｄｒｏｐ}）は、下記の通りである。

図２に示したように、第１電極の対向する２つの端部に枠電極が備えられた場合、枠電極から最も遠い地点はｘ＝ａ／２の地点である。さらに、図３の第１電極が正方形である場合、ａとｂの値は同じである。したがって、図２のような場合の有機発光素子での電圧降下の最大値は、ｘ＝ａ／２の地点で発生し、それは下記の通りである。

図３は、有機発光素子での電圧降下が最も大きく発生する領域を導出するための過程を示した図である。詳細には、図３は、正方形の第１電極１０１のいずれか一つの端部のみに枠電極５０１が備えられた有機発光素子を示した図である。

図３の場合、枠電極に入力する電流（Ａ_ｏｒｇ）は、第１電極全体に電流を供給する。

図３において、ｘ地点を流れる電流（Ａ_ｘ）は、下記の通りである。

図３において、ｄｘ区間の抵抗（Ｒ_ｄｘ）は、下記の通りである。

図３において、前記導出されたｘ地点を流れる電流（Ａ_ｘ）とｄｘ区間の抵抗（Ｒ_ｄｘ）を用いて、枠電極からｘ地点までの電圧降下（Ｖ_{ＩＲｄｒｏｐ}）は、下記の通りである。

図３のように、第１電極の対向する２つの端部に枠電極が備えられている場合、枠電極から最も遠い地点はｘ＝ａの地点である。さらに、図２の第１電極が正方形の場合、ａとｂの値は同じである。したがって、図３のような場合の有機発光素子での電圧降下の最大値は、ｘ＝ａの地点で発生し、それは下記の通りである。

前記図１〜図３を通じて検討したように、有機発光素子が正方形の形状である場合の電圧降下最大値は、枠電極の形状によって８倍まで差があることを確認することができる。

図３において、有機発光素子が正方形でない場合、ｘ＝３の地点での電圧降下最大値は、下記の通りである。

前記の式から分かるように、有機発光素子が正方形ではなく、長方形の形状である場合、横辺の長さと縦辺の長さの比率が１から外れる場合、電圧降下の最大値は、これと比例して増加し得ることが分かる。

図４は、前記図１〜図３による有機発光素子の位置による電圧降下の程度を示した図である。詳細には、図４は、第１電極に印加される電流（Ａ_ｏｒｇ）が０．１Ａであり、第１電極の面抵抗（Ｒ_ｓｕｒｆ）が１０Ω／□である場合の位置による電圧降下の程度を示した図である。図３で、ｘ軸は枠電極からの距離を意味し、ｘ＝０は、枠電極と接した領域を意味し、ｘ＝５は、第１電極の中心部を意味する。

図１〜図３は、有機発光素子の電圧降下の最大値を導出するためにデザインされものであり、本明細書の有機発光素子は、図１〜３の形状の外にも、円形、六角形などの多様な形態で製作することができる。

また、図１〜図３の場合、計算の便宜上、離隔した画素部を提示しなかったが、第１電極が２以上の画素部で設けられた場合にも同様の結果が導き出され得る。

前記Ａ_ｏｒｇは、第１電極全体に印加される電流を意味し、これはそれぞれの画素部に印加される電流の総和と同じなので、Ａ_ｏｒｇ＝Ｎ_ｃｅｌｌ×Ａ_ｃｅｌｌを満足する。

Ｎ_ｃｅｌｌは画素部の個数を意味し、Ａ_ｃｅｌｌは画素部に印加される電流を意味する。

前記導出された電圧降下の最大値を通じて、本明細書の一実施態様による有機発光素子の電圧降下が最大に発生する画素部の内部抵抗値（Ｒ_{ｃｅｌｌ＿ｍａｘ}）を導出した。

前記有機発光素子での電圧降下が最大に発生する画素部の内部抵抗値（Ｒ_{ｃｅｌｌ＿ｍａｘ}）は、枠電極から最も離れた位置に備えられた画素部から補助電極までの抵抗を意味することができ、これはＶ_{ＩＲｄｒｏｐ＿ｍａｘ}／Ａ_{ｃｅｌｌ＿ｍａｘ}値と同じである。

詳細には、本明細書の一実施態様によれば、前記有機発光素子で電圧降下が最大に発生する画素部の内部抵抗値（Ｒ_{ｃｅｌｌ＿ｍａｘ}）は、下記式３を満足する。

・・・式３

前記式３において、
Ｒ_{ｃｅｌｌ＿ｍａｘ}は、電圧降下が最大に発生する画素部の内部抵抗値を意味し、Ｒ_ｓｕｒｆは、第１電極の面抵抗を意味し、Ｎ_ｃｅｌｌは画素部の個数を意味する。

図６は、本明細書の一実施態様による有機発光素子の平面図を示した図である。詳細には、図６は、枠電極５０１、格子形態の補助電極４０１と画素部１１０を備えた有機発光素子を示した図であり、前記有機発光素子は、外部電源から枠電極５０１に電圧が印加されて、補助電極４０１を通じて、それぞれの画素部１１０に電流が供給される。

図７は、本明細書の一実施態様による有機発光素子の第１電極の一部を示した図である。詳細には、図７は、格子形態の補助電極４０１で区画された領域内に画素部１１０が設けられ、それぞれの画素部１１０は、補償抵抗部１２０を通じて補助電極４０１と電気的に接続される。また、図７は、それぞれの画素部と接続される補償抵抗部１２０の長さが異なるように設置して、それぞれの画素部１１０に印加される電圧を均一に調整することができる。

図８は、本明細書の一実施態様による有機発光素子の断面図の一例を示した図である。詳細には、図８は、図７のように画素部１１０および補償抵抗部１２０を備えた有機発光素子の一断面図を示した図である。図８は、基板６０１上に２以上の画素部１１０が設けられ、画素部１１０と補助電極４０１との間に補償抵抗部１２０が設けられ、有機発光素子の端部に枠電極５０１が設けられ、補助電極４０１および補償抵抗部１２０を有機物層３０１と絶縁させる絶縁層７０１が設けられ、順次有機物層３０１、第２電極２０１および封止層８０１が積層された構造を示した図である。

本明細書の一実施態様による有機発光素子は、図６〜図８の構造に限定されるものではなく、多様な形態で製作することができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記補償抵抗部は、前記画素部と同種または異種の物質からなり得る。本明細書の一実施態様によれば、前記補償抵抗部が前記画素部と同種の物質からなる場合、前記補償抵抗部は前記第１電極をパターニングする工程で画素部と接続された抵抗領域を形成するものであり得る。また、本明細書の一実施態様によれば、前記補償抵抗部が前記画素部と異種の材料からなる場合、前記画素部よりも高い抵抗を有する物質を用いて、必要な抵抗値を得ることができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記補償抵抗部の電流が流れる方向の長さが、それに垂直方向の幅よりも長い領域を含むことができる。詳細には、前記補償抵抗部は、前記長さと幅を調整して、各画素部に必要な補償抵抗値を得ることができる。

本明細書の一実施態様によれば、それぞれの画素部は、前記補償抵抗部をそれぞれ含むことができる。詳細には、本明細書の一実施態様によれば、すべての前記画素部はそれぞれ補償抵抗部を含むことができる。この場合、電圧降下が最大に発生する画素部は補償抵抗部によって追加的に印加される電圧をより下げることができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記補助電極とそれぞれの画素部は、前記補償抵抗部のみを通じて電気的に接続することができる。詳細には、本明細書の一実施態様によれば、それぞれの前記画素部は、前記補償抵抗部を通じて前記補助電極から電流の供給を受けたり、前記補償抵抗部を通じて前記補助電極に電流を供給することができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記の電圧降下が最大に発生する画素部に接続される補償抵抗部の抵抗は、有機発光素子の短絡防止機能を実行する役割をすることができる。さらに、本明細書の一実施態様によれば、前記の電圧降下が最大に発生する画素部に接続される補償抵抗部の抵抗値は、残りの画素部に同じように追加的に設定することができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記の電圧降下が最大に発生する画素部に接続される補償抵抗部の抵抗値は、前述した式２または式２−１でのｚの値を意味することができる。

本明細書の一実施態様によれば、いずれか一つの前記画素部と、他の一つの前記画素部の動作電圧の差は、０．０１Ｖ以下であり得る。詳細には、本明細書の一実施態様によれば、前記補償抵抗部によって、それぞれの画素部に印加される電圧の差を最小化して均一な明るさの光を発生させることができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記有機発光素子の全体発光面積での輝度差は１０％以下であり得る。詳細には、全体の発光面積での輝度差が１０％を超過する場合には、肉眼で輝度差を認識することができるので、輝度差を１０％以内に管理することが重要である。

詳細には、本明細書の一実施態様によれば、前記輝度差は、輝度減少率と同じ意味であり得、輝度減少率は以下のように計算することができる。

輝度の減少率（％）＝１−（最も暗い画素部の輝度／最も明るい画素部の輝度）×１００

また、実際の素子で測定が可能な場合には、前記の式を用いて、計算で予測する場合には、以下の方法を用いることができる。

輝度の減少率（％）＝１−（電圧降下が最大に発生する画素部での電流／電圧降下が最小に発生する画素部での電流）×１００

前記輝度減少率は、有機物層から発光する光の輝度は、有機物層の電流値に比例するため、有機物での電流値で計算した。

図９は、２層〜５層の発光層を含む有機発光素子のそれぞれのJ−Ｖ曲線を示した図である。

図１０は、図９の発光層の数による電流密度の値を用いて、０．０６Ｖの電圧降下による有機発光素子の輝度減少率を導出したものである。

本明細書の一実施態様によれば、１ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で有機発光素子全体での輝度減少率を１０％以下に維持するためには、電圧降下が最大に発生する画素部と、電圧降下が最小に発生する画素部に印加される電圧の差を０．０６Ｖ以下に管理しなければならない。詳細には、発光層の数が多くなるほど、同一条件での輝度減少率は低くなる。画素部の位置別の電圧差が０．０６Ｖ水準の場合、発光層４層以上の場合に、輝度減少率を１０％以下に維持することができる。

より詳細には、本明細書の一実施態様によれば、１ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で前記補助電極による有機発光素子全体での輝度減少率を１０％以下に維持するために、電圧降下が最大に発生する画素部と、電圧降下が最小に発生する画素部に印加される電圧の差を０．０３Ｖ以下に管理しなければならない。詳細には、電圧降下が最大に発生する画素部と、電圧降下が最小に発生する画素部に印加される電圧の差が０．０３Ｖ以下の場合、発光層が３層以下の素子も輝度減少率を１０％以下に維持することが可能となる。

本明細書の一実施態様によれば、前記の各画素部は、互いに電気的に並列接続することができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記第１電極は、透明電極であり得る。

前記第１電極が透明電極である場合、前記第１電極は、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）または酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）などの導電性酸化物であり得る。さらに、前記第１電極は、半透明電極であることも可能である。前記第１電極が半透明電極である場合、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｃａ、またはこれらの合金のような半透明の金属で製造することができる。半透明の金属が第１電極として使用される場合、前記有機発光素子は、微細空洞構造を有することができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記画素部の面抵抗は、１Ω／□以上、または３Ω／□以上であることができ、詳細には、１０Ω／□以上であり得る。また、前記画素部の面抵抗は、１０,０００Ω／□以下、または１,０００Ω／□以下であり得る。つまり、本明細書の前記画素部の面抵抗は、１Ω／□以上１０,０００Ω／□以下、または１０Ω／□以上１,０００Ω／□以下であり得る。

本明細書の一実施態様によれば、前記画素部及び前記補償抵抗部の第１電極のパターニングによって形成され得るので、前記画素部の面抵抗は、前記第１電極又は前記補償抵抗部の面抵抗と同じであり得る。

本明細書の一実施態様によれば、前記補助電極は、互いに電気的に接続された導電性ラインからなることができる。詳細には、前記導電性ラインは、導電性ユニットからなることができる。詳細には、本明細書の前記補助電極の少なくとも一部分に電圧を印加して、補助電極全体を駆動することができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記補助電極は、金属電極であり得る。

前記補助電極は、一般的に、すべての金属を用いることができる。詳細には導電率が良いアルミニウム、銅、および／または銀を含むことができる。前記補助電極は、透明電極との付着力およびフォト工程での安定性のためにアルミニウムを用いる場合は、モリブデン／アルミニウム／モリブデン層を用いることもできる。

本明細書の一実施態様によれば、前記補助電極の面抵抗は３Ω／□以下であり得る。詳細には、前記補助電極の面抵抗は、１Ω／□以下であり得る。

本明細書の一実施態様によれば、前記枠電極は、金属電極であり得る。詳細には、前記枠電極の材料は、前記補助電極の材料と同じものを利用して形成することができる。

前記補助電極は、有機発光素子の開口率を高めるために肉眼で観察しにくい程度の微細な線幅で形成されるのに対し、前記枠電極は、有機発光素子の発光領域に該当しないの枠領域に備えらるため、補助電極より厚い線幅で形成することができる。ただし、枠部を最小化して、電子素子を製造する傾向に照らし、前記枠電極の線幅の厚さを過度に広くすることには限界がある。

本明細書の一実施態様によれば、前記有機物層は、少なくとも１層以上の発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層；正孔遮断層；電荷発生層；電子遮断層；電子輸送層；および電子注入層からなる群から選択される１種または２種以上をさらに含むことができる。

前記電荷発生層（Charge Generating Layer）は、電圧をかけると正孔と電子が発生する層をいう。

本明細書の一実施態様によれば、前記有機発光素子は、基板をさらに含み、前記基板上に前記第１電極を備えることができる。

前記基板は、透明性、表面平滑性、扱いやすさと防水性に優れた基板を用いることができる。詳細には、ガラス基板、薄膜ガラス基板または透明プラスチック基板を用いることができる。前記プラスチック基板は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）およびＰＩ（ポリイミド）などのフィルムを単層または複層の形態で含むことができる。また、前記基板は、基板自体に光散乱機能が含まれているものであり得る。ただし、前記基板は、これに限定されず、有機発光素子に通常的に使用される基板を用いることができる。

本明細書の実施例によれば、前記第１電極はアノードであり、前記第２電極は、カソードであり得る。また、前記第１電極はカソードであり、前記第２電極はアノードであり得る。

前記アノードには、通常、有機物層に正孔注入が円滑になるように仕事関数が大きな物質が好ましい。本発明で用いることができるアノード物質の詳細な例としては、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属またはこれらの合金；酸化亜鉛、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような金属酸化物；ＺｎＯ：ＡｌまたはＳｎＯ_２：Ｓｂのような金属と酸化物の組み合わせ；ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ［３,４−（エチレン−１,２−ジオキシ）チオフェン]（ＰＥＤＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンのような導電性高分子などがあるが、これらに限定されない。

前記アノード材料は、アノードだけに限定されるものではなく、カソードの材料として用いることができる。

前記カソードには、通常、有機物層に電子注入が容易なように仕事関数が小さい物質であることが好ましい。カソード物質の詳細な例としては、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタン、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズおよび鉛のような金属またはこれらの合金；ＬｉＦ／ＡｌまたはＬｉＯ_２／Ａｌのような多層構造物質などがあるが、これらに限定されない。

前記カソードの材料は、カソードだけに限定されるものではなく、アノードの材料として使用することができる。

本明細書に係る前記正孔輸送層物質としては、アノードや正孔注入層から正孔の輸送を受けて発光層に移すことができる物質で、正孔に対する移動度が大きな物質が適している。詳細な例としては、アリールアミン系の有機物、導電性高分子、および共役部分と非共役部分が共にあるブロック共重合体などがあるが、これらに限定されない。

本明細書による前記発光層物質としては、正孔輸送層と電子輸送層から正孔と電子をそれぞれ輸送を受けて結合させることによって可視光線領域の光を出すことができる物質として、蛍光や燐光に対する量子効率が良い物質が好ましい。詳細な例としては、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体（Ａｌq_３）；カルバゾール系化合物；二量体化スチリル（dimerized styryl）化合物；ＢＡｌq；１０ヒドロキシベンゾキノリン金属化合物；ベンゾオキサゾール、ベンズチアゾールおよびベンズイミダゾール系の化合物；ポリ（p−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）系列の高分子；スピロ（spiro）化合物；ポリフルオレン；ルブレンなどがあるが、これらに限定されない。

本明細書による前記電子輸送層材料としては、カソードから電子の注入を良く受けて発光層に移し得る物質で、電子に対する移動度が大きい物質が適している。詳細な例としては、８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体； Ａｌq_３を含む錯体；有機ラジカル化合物；ヒドロキシフラボン金属錯体などがあるが、これらに限定されない。

本明細書の一実施態様によれば、前記補助電極は、前記有機発光素子の非発光領域に位置することができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記有機発光素子は、非発光領域に備えられた絶縁層をさらに含むことができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記絶縁層は、前記補償抵抗部および補助電極を前記有機物層と絶縁させるものであり得る。

本明細書の一実施態様によれば、前記有機発光素子は、封止層で密閉され得る。

前記封止層は、透明な樹脂層で形成することができる。前記封止層は、前記有機発光素子を酸素および汚染物質から保護する役割をし、前記有機発光素子の発光を阻害しないように透明な材質であり得る。前記透明は６０％以上の光を透過することを意味し得る。詳細には、７５％以上の光を透過することを意味することができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記有機発光素子は、光散乱層を含むことができる。詳細には、本明細書の一実施態様によれば、前記有機発光素子は、前記第１電極の有機物層が備えられる面と対向する面に基板をさらに含み、前記基板と前記第１電極との間に備えられた光散乱層をさらに含むことができる。本明細書の一実施態様によれば、前記光散乱層は、平坦層を含むことができる。本明細書の一実施態様によれば、前記平坦層は、前記第１電極と前記光散乱層との間に設けることができる。

または、本明細書の一実施態様によれば、前記有機発光素子は、前記第１電極の有機物層が備えられる面と対向する面に基板をさらに含み、前記基板の第１電極が備えられた面に対向する面に光散乱層をさらに含むことができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記光散乱層は、光散乱を誘導して、前記有機発光素子の光抽出効率を向上させることができる構造であれば、特に制限されない。詳細には、本明細書の一実施態様によれば、前記光散乱層は、バインダー内に散乱粒子が分散された構造、凹凸を有するフィルム、および／またはヘイズ（hazeness）を有するフィルムであり得る。

本明細書の一実施態様によれば、前記光散乱層は、基板上にスピンコーティング、バーコーティング、スリットコーティングなどの方法により直接形成するか、フィルム状に製作して付着する方法によって形成することができる。

本明細書の一実施態様によれば、前記有機発光素子は、フレキシブル（flexible）有機発光素子であり得る。この場合、前記基板は、フレキシブル材料を含むことができる。詳細には、前記基板は曲げることができる薄膜形態のがラス、プラスチック基板またはフィルム状の基板であり得る。

前記プラスチック基板の材料は特に限定されないが、一般的にＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）およびＰＩ（ポリイミド）などのフィルムを単層または複層の形で含むものであり得る。

本明細書では、前記有機発光素子を含むディスプレイ装置を提供する。前記ディスプレイ装置において、前記有機発光素子は、画素またはバックライトの役割をすることができる。そのほかのディスプレイ装置の構成は、当技術分野で公知のものを適用することができる。

本明細書では、前記有機発光素子を含む照明装置を提供する。前記照明装置において、前記有機発光素子は、発光部の役割を果たしている。そのほかの照明装置に必要な構成は、当技術分野で公知のものを適用することができる。

以下、本明細書を詳細に説明するために実施例を挙げて詳細に説明する。しかし、本明細書の実施例は、さまざまな他の形態に変形することができ、本明細書の範囲が下記で詳述する実施例に限定されると解釈されてはならない。本明細書の実施例は、当業界で平均的な知識を有する者に本明細書をより完全に説明するために提供されるものである。

下記の実施例は、第１電極の大きさおよび枠電極の形状による位置別電圧降下値を求めて、各画素部別に適切な補償抵抗部の抵抗値を計算したシミュレーション資料である。下記のシミュレーション資料を根拠にして有機発光素子を製造する場合、前述した均一な輝度を示す有機発光素子を製造することができる。

（比較例１）

下記のような条件で有機発光素子を製造する場合の第１電極の位置別電圧降下水準を計算した。

透明電極である第１電極と金属電極である第２電極との間の電流密度が１ｍＡ／ｃｍ^２を維持する有機発光素子において、第２電極の面抵抗は０Ω／□と仮定して、正方形の第１電極の発光面積を１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさに形成し、有機発光素子の４つの辺に枠電極を形成した。また、金属枠電極の抵抗は０Ωと仮定して、補助電極による第１電極の面抵抗は、１Ω／□である場合の第１電極の位置別電圧降下水準を導出した。

図１１は、比較例１による有機発光素子において、第１電極の位置別電圧降下水準を示した図である。図１１での数値はΩである。

比較例１による有機発光素子での第１電極で、電圧降下が最も多く発生した領域は、第１電極の中心部であり、ここでの電圧降下値（Ｖ_{ＩＲｄｒｏｐ＿ｍａｘ}）は７．３ｍＶだった。

（実施例１）

比較例１による有機発光素子での第１電極の電圧降下による輝度不均一を解決するために、比較例１と同じ条件で、第１電極の画素部と補助電極の間に補償抵抗部を導入して、有機発光素子を製造した。

詳細には、比較例１と同じ大きさで、第１電極を形成し、第１電極の画素部の個数は１０,０００個、つまり一個の画素部の大きさは、約１ｍｍ×１ｍｍで製造した。有機発光素子の４つの辺に枠電極を形成し、補助電極による第１電極の面抵抗は、１Ω／□だった。

図１２は、実施例１による有機発光素子において、各画素部による位置別補償抵抗部の必要抵抗値を示した図である。図１２の数値はΩである。図１２から分かるように、実施例１による有機発光素子に備えられる補償抵抗部の最大必要抵抗値は６７９Ωだった。

（比較例２）

下記のような条件で有機発光素子を製造する場合の第１電極の位置別電圧降下水準を計算した。

透明電極である第１電極と金属電極である第２電極との間の電流密度が１ｍＡ／ｃｍ^２を維持する有機発光素子において、第２電極の面抵抗は０Ω／□と仮定して、正方形の第１電極の発光面積を１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさに形成し、有機発光素子の４つの辺に枠電極を形成した。また、金属枠電極の抵抗は０Ωと仮定して、補助電極による第１電極の面抵抗は、１０Ω／□である場合の第１電極の位置別電圧降下水準を導出した。

図１３は、比較例２による有機発光素子において、第１電極の位置別電圧降下水準を示した図である。図１３での数値はΩである。

比較例２による有機発光素子での第１電極は、電圧降下が最も多く発生した領域は、第１電極の中心部であり、そこでの電圧降下値（Ｖ_{ＩＲｄｒｏｐ＿ｍａｘ}）は７３ｍＶであった。

（実施例２）

比較例２による有機発光素子での第１電極の電圧降下による輝度不均一を解決するために、比較例２と同じ条件で、第１電極の画素部と補助電極の間に補償抵抗部を導入して、有機発光素子を製造した。

詳細には、比較例２と同じ大きさで、第１電極を形成し、第１電極の画素部の個数は１０,０００個、つまり一個の画素部の大きさは、約１ｍｍ×１ｍｍで製造した。有機発光素子の４つの辺に枠電極を形成し、補助電極による第１電極の面抵抗は、１０Ω／□だった。

図１４は、実施例２による有機発光素子において、各画素部による位置別補償抵抗部の必要抵抗値を示した図である。図１４での数値はΩである。図１４から分かるように、実施例２による有機発光素子に備えられる補償抵抗部の最大必要抵抗値は、６,７８５Ωだった。

（比較例３）

下記のような条件で有機発光素子を製造する場合の第１電極の位置別電圧降下水準を計算した。

透明電極である第１電極と金属電極である第２電極との間の電流密度が１ｍＡ／ｃｍ^２を維持する有機発光素子において、第２電極の面抵抗は０Ω／□と仮定して、正方形の第１電極の発光面積を１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさに形成し、有機発光素子の１つの辺に枠電極を形成した。また、金属枠電極の抵抗は０Ωと仮定して、補助電極による第１電極の面抵抗は、１Ω／□である場合の第１電極の位置別電圧降下水準を導出した。

図１５は、比較例３による有機発光素子において、第１電極の位置別電圧降下水準を示した図である。図１５での数値はΩである。

比較例３による有機発光素子での第１電極は、電圧降下が最も多く発生した領域は、枠電極と対向する枠に位置した画素部であり、そこでの電圧降下値（Ｖ_{ＩＲｄｒｏｐ＿ｍａｘ}）は５０ｍＶであった。

（実施例３）

比較例３による有機発光素子での第１電極の電圧降下による輝度不均一を解決するために、比較例３と同じ条件で、第１電極の画素部と補助電極の間に補償抵抗部を導入して、有機発光素子を製造した。

詳細には、比較例３と同じ大きさで、第１電極を形成し、第１電極の画素部の個数は１０,０００個、つまり一個の画素部の大きさは、約１ｍｍ×１ｍｍで製造した。有機発光素子の１つの辺に枠電極を形成し、補助電極による第１電極の面抵抗は、１Ω／□だった。

図１６は、実施例３による有機発光素子において、各画素部による位置別補償抵抗部の必要抵抗値を示した図である。図１６での数値はΩである。図１６から分かるように、実施例３による有機発光素子に備えられる補償抵抗部の最大必要抵抗値は、４,５００Ωだった。

（比較例４）

下記のような条件で有機発光素子を製造する場合の第１電極の位置別電圧降下水準を計算した。

透明電極である第１電極と金属電極である第２電極との間の電流密度が１ｍＡ／ｃｍ^２を維持する有機発光素子において、第２電極の面抵抗は０Ω／□と仮定して、正方形の第１電極の発光面積を１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさに形成し、有機発光素子の２つの辺に枠電極を形成した。また、金属枠電極の抵抗は０Ωと仮定して、補助電極による第１電極の面抵抗は、１Ω／□である場合の第１電極の位置別電圧降下水準を導出した。

図１７は、比較例４による有機発光素子において、第１電極の位置別電圧降下水準を示した図である。図１７での数値はΩである。

比較例４による有機発光素子での第１電極は、電圧降下が最も多く発生した領域は、第１電極の中心部であり、そこでの電圧降下値（ＶＩＲｄｒｏｐ＿ｍａｘ）は１３ｍＶであった。

（実施例４）

比較例４による有機発光素子での第１電極の電圧降下による輝度不均一を解決するために、比較例４と同じ条件で、第１電極の画素部と補助電極の間に補償抵抗部を導入して、有機発光素子を製造した。

詳細には、比較例４と同じ大きさで、第１電極を形成し、第１電極の画素部の個数は１０,０００個、つまり一個の画素部の大きさは、約１ｍｍ×１ｍｍで製造した。有機発光素子の２つの辺に枠電極を形成し、補助電極による第１電極の面抵抗は、１Ω／□だった。

図１８は、実施例４による有機発光素子において、各画素部による位置別補償抵抗部の必要抵抗値を示した図である。図１８での数値はΩである。図１８から分かるように、実施例４による有機発光素子に備えられる補償抵抗部の最大必要抵抗値は、１,０００Ωであった。

（比較例５）

下記のような条件で有機発光素子を製造する場合の第１電極の位置別電圧降下水準を計算した。

透明電極である第１電極と金属電極である第２電極との間の電流密度が１ｍＡ／ｃｍ^２を維持する有機発光素子において、第２電極の面抵抗は０Ω／□と仮定して、正方形の第１電極の発光面積を３００ｍｍ×３００ｍｍの大きさに形成し、有機発光素子の４つの辺に枠電極を形成した。また、金属枠電極の抵抗は０Ωと仮定して、補助電極による第１電極の面抵抗は、１Ω／□である場合の第１電極の位置別電圧降下水準を導出した。

図１９は、比較例５による有機発光素子において、第１電極の位置別電圧降下水準を示した図である。図１９での数値はΩである。

比較例５による有機発光素子での第１電極は、電圧降下が最も多く発生した領域は、第１電極の中心部であり、そこでの電圧降下値（Ｖ_{ＩＲｄｒｏｐ＿ｍａｘ}）は６６ｍＶであった。

（実施例５）

比較例５による有機発光素子での第１電極の電圧降下による輝度不均一を解決するために、比較例５と同じ条件で、第１電極の画素部と補助電極の間に補償抵抗部を導入して、有機発光素子を製造した。

詳細には、比較例５と同じ大きさで、第１電極を形成し、第１電極の画素部の個数は１０,０００個、つまり一個の画素部の大きさは、約３ｍｍ×３ｍｍで製造した。有機発光素子の４つの辺に枠電極を形成し、補助電極による第１電極の面抵抗は、１Ω／□だった。

図２０は、実施例５による有機発光素子において、各画素部による位置別補償抵抗部の必要抵抗値を示した図である。図２０での数値はΩである。図２０から分かるように、実施例５による有機発光素子に備えられる補償抵抗部の最大必要抵抗値は、６,１０７Ωだった。

１０１：第１電極
１１０：画素部
１２０：補償抵抗部
２０１：第２電極
３０１：有機物層
４０１：補助電極
５０１：枠電極
６０１：基板
７０１：絶縁層
８０１：封止層

Claims (21)

1. 互いに離隔した２以上の画素部を含む第１電極；
   前記第１電極に対向して備えられた第２電極；
   前記第１電極と前記第２電極との間に備えられた発光層を１以上含む有機物層；および
   それぞれの前記画素部と電気的に接続された補助電極を含み、
   少なくとも一つの画素部は、前記補助電極と電気的に接続された補償抵抗部を含み、
   前記補償抵抗部は、前記補償抵抗部が接続された画素部に印加される電圧が、電圧降下が最も多く発生する画素部に印加される電圧の０．８倍〜１．２倍になるように調節された抵抗値を有するものである有機発光素子。
2. いずれか一つの前記画素部から前記補助電極までの抵抗の最大値と、他の一つの前記画素部から前記補助電極までの抵抗の最小値の差が、下記の式１を満足するものである請求項１に記載の有機発光素子：
   

   

   ・・・式１
   前記式１において、
   Ｒ_ｄｉｆｆは、いずれか一つの画素部から補助電極までの抵抗の最大値と、他の一つの画素部から補助電極までの抵抗の最小値の差を意味し、
   Ｒ_ｓｕｒｆは、第１電極の面抵抗を意味し、
   Ｎ_ｃｅｌｌは、画素部の個数を意味し、
   ａは、有機発光素子の最も長い辺の長さを意味し、
   ｂは、有機発光素子の最も短い辺の長さを意味する。
3. いずれか一つの前記画素部から前記補助電極までの抵抗の最大値と、他の一つの前記画素部から前記補助電極までの抵抗の最小値の差が、下記の式１−１を満足するものである請求項１に記載の有機発光素子：
   

   

   ・・・式１−１
   前記式１−１において、
   Ｒ_ｄｉｆｆは、いずれか一つの画素部から補助電極までの抵抗の最大値と、他の一つの画素部から補助電極までの抵抗の最小値の差を意味し、
   Ｒ_ｓｕｒｆは、第１電極の面抵抗を意味し、
   Ｎ_ｃｅｌｌは、画素部の個数を意味し、
   ａは、有機発光素子の最も長い辺の長さを意味し、
   ｂは、有機発光素子の最も短い辺の長さを意味する。
4. 前記補償抵抗部の抵抗が、下記の式２を満足するものである請求項１に記載の有機発光素子：
   

   

   ・・・式２
   前記式２において、
   Ｒ_{ｃｏｍｐ＿ｃｅｌｌ}は、補償抵抗部の抵抗を意味し、
   Ｖ_{ＩＲｄｒｏｐ＿ｍａｘ}は、電圧降下が最も多く発生する画素部での電圧を意味し、
   Ａ_{ｃｅｌｌ＿ｍａｘ}は、電圧降下が最も多く発生する画素部での電流を意味し、
   Ｖ_{ＩＲｄｒｏｐ＿ｃｅｌｌ}は、補償抵抗部を含む画素部での電圧を意味し、
   Ａ_ｃｅｌｌは、補償抵抗部を含む画素部での電流を意味し、
   ｚは、０Ω以上３０万Ω以下である。
5. 前記補償抵抗部が、これを含む前記画素部と同種または異種の物質からなるものである請求項１に記載の有機発光素子。
6. 前記補償抵抗部の電流が流れる方向の長さが、これに垂直方向の幅よりも長い領域を含むものである請求項１に記載の有機発光素子。
7. それぞれの前記画素部が、前記補償抵抗部をそれぞれ含むものである請求項１に記載の有機発光素子。
8. 前記補助電極とそれぞれの前記画素部が、前記補償抵抗部のみを通じて電気的に接続されるものである請求項１に記載の有機発光素子。
9. 前記有機発光素子が、外部電源と前記補助電極を電気的に接続する枠電極を含み、
   前記枠電極は、前記有機発光素子の発光領域の少なくとも一側面または側面すべてに備えられるものである請求項１に記載の有機発光素子。
10. いずれか一つの前記画素部と、他の一つの前記画素部の動作電圧の差が、０．０１Ｖ以下である請求項１に記載の有機発光素子。
11. いずれか一つの前記画素部と、他の一つの前記画素部の輝度差が、１０％以下である請求項１に記載の有機発光素子。
12. それぞれの前記画素部が、互いに電気的に並列接続されたものである請求項１に記載の有機発光素子。
13. 前記第１電極が、透明電極である請求項１に記載の有機発光素子。
14. 前記補助電極が、金属電極である請求項１に記載の有機発光素子。
15. 前記有機発光素子が、基板をさらに含み、前記基板上に前記第１電極が備えられる請求項１に記載の有機発光素子。
16. 前記第１電極の有機物層が備えられる面と対向する面に備えられた基板をさらに含み、
    前記基板と前記第１電極との間に備えられた光散乱層をさらに含む請求項１に記載の有機発光素子。
17. 前記光散乱層が、平坦層を含む請求項１６に記載の有機発光素子。
18. 前記第１電極の有機物層が備えられる面と対向する面に備えられた基板をさらに含み、
    前記基板の第１電極が備えられる面と対向する面に光散乱層をさらに含む請求項１に記載の有機発光素子。
19. 前記有機発光素子が、フレキシブル（flexible）有機発光素子である請求項１に記載の有機発光素子。
20. 請求項１〜１９のいずれか一項による有機発光素子を含むディスプレイ装置。
21. 請求項１〜１９のいずれか一項による有機発光素子を含む照明装置。

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