JP5683589B2 - 光電気装置の製造方法 - Google Patents
光電気装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5683589B2 JP5683589B2 JP2012523579A JP2012523579A JP5683589B2 JP 5683589 B2 JP5683589 B2 JP 5683589B2 JP 2012523579 A JP2012523579 A JP 2012523579A JP 2012523579 A JP2012523579 A JP 2012523579A JP 5683589 B2 JP5683589 B2 JP 5683589B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- open structure
- electrically interconnected
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/02—Layer formed of wires, e.g. mesh
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/155—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Description
基板を用意し、
前記基板の第1の主面に電気的に相互接続された開放分流構造を載せ、
前記電気的に相互接続された開放分流構造を透明層に埋め込み、かつ
前記基板を前記埋め込まれた電気的に相互接続された開放分流構造から除去する
ことを特徴とする方法、が提供される。
相互接続された開放構造の基板に液状物質を堆積し、
前記液状物質を硬化することにより提供され、前記硬化された液状物質により形成された前記相互接続された開放構造は導電性である。
Claims (17)
- 支持体を有する光電気装置の製造方法であって、
基板(10)を用意し、
前記基板の第1の主面に電気的に相互接続された、細長い要素から構成された開放構造(20)を載せ、
前記電気的に相互接続された開放構造を透明バリア層(30)であって、第1の無機副層と、有機副層と、第2の無機副層を順次備えたスタックであるバリア層(30)中に埋め込み、
前記基板を、前記電気的に相互接続された開放構造から、除去し、
前記有機副層は、少なくとも1μmの厚さを有し、前記支持体として機能するポリマー層である
ことを特徴とする光電気装置の製造方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
さらに、前記基板を除去した後に形成された自由表面に機能層構造(40)を堆積する
ことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記基板の前記第1の側に前記電気的に相互接続された開放構造を載せる前に、前記基板の前記第1の側に少なくとも1つの中間層を堆積する
ことを特徴とする方法。 - 請求項3に記載の方法であって、
前記少なくとも1つの中間層は、透明導電層であることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記基板は金属製基板であり、前記基板はエッチングにより除去されることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記基板は可溶性層を設けられており、前記可溶性層に当接して前記構造が適用され、かつ
前記基板は前記可溶性層を溶解することにより除去される
ことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記基板はリリース層を設けられ、前記リリース層に当接して前記構造が適用され、かつ
前記基板は、前記埋め込まれた開放構造を前記基板から前記リリース層を用いて除去される
ことを特徴とする方法。 - 請求項5に記載の方法であって、
前記電気的に相互接続された開放構造はさらなる金属で形成され、前記さらなる金属は前記一時的基板として用いられた金属とは異なり、かつ
前記さらなる金属は前記用いられたエッチング剤に対して実質的に無反応である
ことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記電気的に相互接続された開放構造は電着により設けられる
ことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記電気的に相互接続された開放構造は、
相互接続された開放構造内において前記基板に液状物質を堆積し、
前記液状物質を硬化することにより得られ、前記硬化された液状物質により形成された前記相互接続された開放構造は導電性である
ことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記電気的に相互接続された開放構造は金属の層を前記構造に堆積し、かつ
前記堆積された層をパターニングすることにより用意される
ことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記透明層の上にポリマー箔を積層する
ことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記透明層の上にコーティングおよび硬化によりポリマーフィルムを適用する
ことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ポリマー層の厚さは、少なくとも5μmである
ことを特徴とする方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記ポリマー層の厚さは、最大で200μmである
ことを特徴とする方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記ポリマー層の厚さは、最大で100μmである
ことを特徴とする方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記ポリマー層の厚さは、最大で50μmである
ことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP09167415A EP2284922A1 (en) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | Method of manufacturing an opto-electric device |
EP09167415.0 | 2009-08-06 | ||
PCT/NL2010/050499 WO2011016725A1 (en) | 2009-08-06 | 2010-08-06 | Method of manufacturing an opto-electric device |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013501342A JP2013501342A (ja) | 2013-01-10 |
JP2013501342A5 JP2013501342A5 (ja) | 2013-09-05 |
JP5683589B2 true JP5683589B2 (ja) | 2015-03-11 |
Family
ID=41092045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012523579A Expired - Fee Related JP5683589B2 (ja) | 2009-08-06 | 2010-08-06 | 光電気装置の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8987019B2 (ja) |
EP (2) | EP2284922A1 (ja) |
JP (1) | JP5683589B2 (ja) |
CN (1) | CN102576818B (ja) |
TW (1) | TWI553935B (ja) |
WO (1) | WO2011016725A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11187954B2 (en) | 2009-03-31 | 2021-11-30 | View, Inc. | Electrochromic cathode materials |
WO2016085764A1 (en) | 2014-11-26 | 2016-06-02 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
US8582193B2 (en) | 2010-04-30 | 2013-11-12 | View, Inc. | Electrochromic devices |
US9261751B2 (en) | 2010-04-30 | 2016-02-16 | View, Inc. | Electrochromic devices |
US10591795B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-03-17 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
US10156762B2 (en) | 2009-03-31 | 2018-12-18 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
US9664974B2 (en) | 2009-03-31 | 2017-05-30 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
US10261381B2 (en) | 2009-03-31 | 2019-04-16 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
US10852613B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-12-01 | View, Inc. | Counter electrode material for electrochromic devices |
EP2282360A1 (en) * | 2009-08-06 | 2011-02-09 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Opto-electric device and method for manufacturing the same |
US9759975B2 (en) | 2010-04-30 | 2017-09-12 | View, Inc. | Electrochromic devices |
US8664096B2 (en) | 2010-09-06 | 2014-03-04 | Koninklijke Philips N.V. | Substrate sheet |
JP5997758B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2016-09-28 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機電子装置の製造方法 |
EP2506330A1 (en) | 2011-04-01 | 2012-10-03 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus and method for providing an embedded structure and for providing an electro-optical device including the same |
EP2528097A1 (en) | 2011-05-27 | 2012-11-28 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
EP2533318A1 (en) | 2011-06-08 | 2012-12-12 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Thin film solar cell module and greenhouse provided with the same |
EP2698836A1 (en) | 2012-08-17 | 2014-02-19 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Foil, electro-optic component and method of manufacturing these |
US11891327B2 (en) | 2014-05-02 | 2024-02-06 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
US9701099B2 (en) * | 2014-05-06 | 2017-07-11 | Darwin Hu | Single flexible cover for touch screen |
US10345671B2 (en) * | 2014-09-05 | 2019-07-09 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
WO2019138863A1 (ja) * | 2018-01-09 | 2019-07-18 | 東洋アルミニウム株式会社 | 有機デバイス用電極基板材料 |
TWI688818B (zh) * | 2019-03-25 | 2020-03-21 | 進化光學有限公司 | 攝像鏡頭模組及其電致變色光圈調整器 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW277152B (ja) * | 1994-05-10 | 1996-06-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | |
US5717475A (en) * | 1996-01-30 | 1998-02-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode substrate, process for producing the substrate, liquid crystal device and process for producing the device |
JP3290375B2 (ja) * | 1997-05-12 | 2002-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 有機電界発光素子 |
US6303238B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-10-16 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs doped with phosphorescent compounds |
US6268695B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
EP3321954A1 (en) | 1999-05-13 | 2018-05-16 | The Trustees of Princeton University | Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence |
EP1933395B2 (en) | 1999-12-01 | 2019-08-07 | The Trustees of Princeton University | Complexes of form L2IrX |
KR100798234B1 (ko) | 2000-04-06 | 2008-01-24 | 아크조 노벨 엔.브이. | 광기전성박의 제조 방법 |
US6670645B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-12-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
US6875523B2 (en) | 2001-07-05 | 2005-04-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxide-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes |
IL158865A0 (en) | 2001-07-18 | 2004-05-12 | Du Pont | Luminescent lanthanide complexes with imine ligands and devices made with such complexes |
TW594947B (en) * | 2001-10-30 | 2004-06-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7166368B2 (en) | 2001-11-07 | 2007-01-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds |
KR100879695B1 (ko) | 2001-12-26 | 2009-01-21 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 불소화 페닐퀴놀린과 이리듐의 전기발광 화합물 및 이 화합물로 제조된 장치 |
US7012363B2 (en) | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
JP2003282241A (ja) | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
US20030203210A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-10-30 | Vitex Systems, Inc. | Barrier coatings and methods of making same |
US6963005B2 (en) | 2002-08-15 | 2005-11-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Compounds comprising phosphorus-containing metal complexes |
US7473331B2 (en) * | 2003-10-08 | 2009-01-06 | General Electric Company | Method of applying an optical coating to an article surface |
WO2005041217A1 (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス |
US7271534B2 (en) | 2003-11-04 | 2007-09-18 | 3M Innovative Properties Company | Segmented organic light emitting device |
EP1577949A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-21 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Flexible organic electronic device and methods for preparing the same |
EP1583164A1 (en) | 2004-04-01 | 2005-10-05 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Polymer optoelectronic device and methods for making the same |
JP4802462B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2011-10-26 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
US7414313B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-08-19 | Eastman Kodak Company | Polymeric conductor donor and transfer method |
JP2006236626A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Shinshu Univ | 電極層付き可撓性樹脂フィルムの製造方法 |
JP2009511940A (ja) | 2005-09-28 | 2009-03-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 大面積有機ダイオードデバイス及びその製造方法 |
US20070077349A1 (en) | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Eastman Kodak Company | Patterning OLED device electrodes and optical material |
EP1966814A4 (en) | 2005-12-12 | 2009-03-18 | Moore Chad Byron | FLAT SCREENS ON WIRE BASE |
TWI363891B (en) * | 2006-11-14 | 2012-05-11 | Lg Display Co Ltd | Manufacturing method of the flexible display device |
US7968382B2 (en) * | 2007-02-02 | 2011-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US9105867B2 (en) * | 2007-07-04 | 2015-08-11 | Koninklijke Philips N.V. | Method for forming a patterned layer on a substrate |
US8563967B2 (en) * | 2007-07-11 | 2013-10-22 | Koninklijke Philips N.V. | Organic functional device and manufacturing method therefor |
JP5136039B2 (ja) * | 2007-12-12 | 2013-02-06 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 導電性材料の製造方法、透明導電膜、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP2202819A1 (en) * | 2008-12-29 | 2010-06-30 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Electro-optic device and method for manufacturing the same |
DE102009018518A1 (de) * | 2009-04-24 | 2010-10-28 | Tesa Se | Transparente Barrierelaminate |
FR2960703B1 (fr) * | 2010-05-28 | 2012-05-18 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif optoelectronique avec electrode enterree |
-
2009
- 2009-08-06 EP EP09167415A patent/EP2284922A1/en not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-08-06 JP JP2012523579A patent/JP5683589B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-06 US US13/389,141 patent/US8987019B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-06 EP EP10742607A patent/EP2462640A1/en not_active Withdrawn
- 2010-08-06 CN CN201080044550.3A patent/CN102576818B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-06 WO PCT/NL2010/050499 patent/WO2011016725A1/en active Application Filing
- 2010-08-06 TW TW099126379A patent/TWI553935B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI553935B (zh) | 2016-10-11 |
CN102576818B (zh) | 2015-02-11 |
US20120276734A1 (en) | 2012-11-01 |
US8987019B2 (en) | 2015-03-24 |
WO2011016725A1 (en) | 2011-02-10 |
TW201208170A (en) | 2012-02-16 |
EP2462640A1 (en) | 2012-06-13 |
CN102576818A (zh) | 2012-07-11 |
JP2013501342A (ja) | 2013-01-10 |
EP2284922A1 (en) | 2011-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5683589B2 (ja) | 光電気装置の製造方法 | |
EP1432050B1 (en) | Large organic devices and methods of fabricating large organic devices | |
JP5739989B2 (ja) | 光電気デバイスおよびその製造方法 | |
JP5616887B2 (ja) | 光電池モジュールの作成方法 | |
WO2011041050A1 (en) | Monolithic parallel interconnect structure | |
WO2012101207A2 (en) | Process of electrical connection of photovoltaic devices | |
JP5656975B2 (ja) | 光電デバイスおよびその製造方法 | |
EP2522042A2 (en) | Method of maskless manufacturing of oled devices | |
US8816335B2 (en) | Method for creating serially-connected OLED devices | |
US8772776B2 (en) | Electro-optic device and method for manufacturing the same | |
KR101486844B1 (ko) | 복사 방출 장치 및 복사 방출 장치의 제조 방법 | |
WO2011101766A1 (en) | Oled device and method of manufacturing the same | |
EP2249412A1 (en) | Organic semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JPWO2013039020A1 (ja) | 光電変換デバイスの製造方法、光電変換デバイス用電極、光電変換デバイス及び発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130717 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130717 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140630 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140731 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20141113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20141113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5683589 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |