JP2012502411A - 有機発光素子の製造方法および有機発光素子 - Google Patents

有機発光素子の製造方法および有機発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2012502411A
JP2012502411A JP2011525398A JP2011525398A JP2012502411A JP 2012502411 A JP2012502411 A JP 2012502411A JP 2011525398 A JP2011525398 A JP 2011525398A JP 2011525398 A JP2011525398 A JP 2011525398A JP 2012502411 A JP2012502411 A JP 2012502411A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode layer
conductive layer
organic light
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011525398A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012502411A5 (ja
Inventor
ゲアディッツ クリストフ
ペッツォルト ラルフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of JP2012502411A publication Critical patent/JP2012502411A/ja
Publication of JP2012502411A5 publication Critical patent/JP2012502411A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/81Electrodes
    • H10K30/82Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H10K30/83Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising arrangements for extracting the current from the cell, e.g. metal finger grid systems to reduce the serial resistance of transparent electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02255Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02244Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of a metallic layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02252Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by plasma treatment, e.g. plasma oxidation of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • H01L21/316Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/3165Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
    • H01L21/31683Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of metallic layers, e.g. Al deposited on the body, e.g. formation of multi-layer insulating structures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本発明は、有機発光素子の製造方法に関する。製造方法は、A)基板(1)上に第1の電極層(2)を準備するステップと、B)第1の電極層(2)上に、金属を含有する構造化された導電層(3)を被着するステップと、C)第1の電極層(2)に接していない導電層(3)の表面(31)上に、金属の酸化によって、導電層(3)の金属の酸化物を含有する絶縁層(4)を形成するステップと、D)第1の電極層(2)および絶縁層(4)の上に、少なくとも1つの有機機能層(5)を被着するステップと、E)少なくとも1つの有機機能層(5)上に第2の電極層(8)を被着するステップとを有する。

Description

本願は、ドイツ連邦共和国特許出願第10 2008 045 948.8号の優先権を主張するものであり、その開示内容は参照により本願に組み込まれる。
本発明は、有機発光素子の製造方法および有機発光素子に関する。
照明用の大面積の有機発光ダイオード(OLED)の所望の特性はアクティブな発光面にわたる輝度の均一性である。従来のOLEDは通常2つの電極層を有しており、それらの電極層の間に光を生成して放射するための有機層が配置されている。OLEDの電極層は、通常使用される薄い層厚および/または材料に基づき、比較的高い電気抵抗を有する。電極層の延在方向または延在平面に沿った比較的低い横方向導電性に起因するそのような高い電気抵抗に基づき、高電流密度では延在方向または延在平面に沿った電圧の急激な変化が生じ、これにより輝度が著しく不均一になる可能性がある。このことは、殊に大きくて均一な発光面が要求される照明の用途では非常に好ましくない。
したがって本発明の課題は、少なくとも1つの有機機能層を備えた有機発光素子の製造方法を提供することである。さらに別の課題は、少なくとも1つの有機機能層を備えた有機発光素子を提供することである。
これらの課題は、独立請求項の特徴部分に記載されている特徴を備えた方法および発光素子によって解決される。本発明の方法および構成素子の有利な実施形態および発展形態は従属請求項に記載されており、以下の説明および図面からより良く理解される。
1つの実施形態によれば、有機発光素子の製造方法は以下のステップを有する:
A)基板上に第1の電極層を準備するステップ、
B)第1の電極層上に、金属を含有する構造化された導電層を被着するステップ、
C)第1の電極層と接していない導電層の表面上に、金属の酸化によって、導電層の金属の酸化物を含有する絶縁層を形成するステップ、
D)第1の電極層および絶縁層上に、少なくとも1つの有機機能層を被着するステップ、
E)少なくとも1つの有機機能層上に第2の電極層を被着するステップ。
別の実施形態によれば、有機発光素子は、殊に、
基板上の第1の電極層と、
第1の電極層上に配置されている、金属を含有する構造化された導電層と、
第1の電極層側と接していない導電層の表面上に配置されている、構造化された導電層の金属の酸化物を含有する絶縁層と
第1の電極層および絶縁層の上に配置されている少なくとも1つの有機機能層と、
少なくとも1つの有機機能層上に配置されている第2の電極層とを有する。
以下において説明する全ての特徴、別の実施形態およびさらなる利点もやはり前述の方法および上述の有機発光素子に関連するものである。
本明細書において、一方の層または一方の構成要素が他方の層または他方の構成要素の「上」または「上方」に配置または被着されているということは、一方の層または一方の構成要素が他方の層または他方の構成要素の上に直接的に機械的および/または電気的に接触して配置されていることを意味する。このことはまた、一方の層または一方の構成要素が間接的に他方の層または他方の構成要素の上ないし上方に配置されていることを意味していても良い。この場合には、別の層および/または別の構成要素が一方の層と他方の層との間、もしくは一方の構成要素と他方の構成要素との間に配置されていても良い。
本明細書において、一方の層または一方の構成要素が2つの他方の層または他方の構成要素の「間」に配置されているということは、一方の層または一方の構成要素が、2つの他方の層または他方の構成要素のうちの一方と直接的または間接的に機械的および/または電気的に接触しており、かつ、2つの他方の層または他方の構成要素のうちの他方と直接的または間接的に機械的および/または電気的に接触して配置されていることを意味する。間接的に接触している場合には、別の層および/または別の構成要素を、一方の層と、2つの他方の層のうちの少なくとも1つとの間に配置することができるか、または、一方の構成要素と、2つの他方の構成要素のうちの少なくとも1つとの間に配置することができる。
少なくとも1つの有機機能層は、下記においてさらに説明するように、有機発光素子の動作時に電磁放射を生成し、放出することに適したものである。本明細書において「放射」、「電気放射」および「光」という用語は、少なくとも1つの波長ないし赤外線から紫外線の波長領域のスペクトル成分を有する電磁放射を意味する。殊に、赤外線光、可視光および/または紫外線光を表す。
第1の電極層上の構造化された導電層によって、第1の電極層の延在方向および/または延在平面に沿った第1の電極層の電気抵抗を低減することができる。これによって、本方法を用いて、導電層を有していないOLEDに比べて、第1の電極層における輝度のより高い均一性、したがって少なくとも1つの有機機能層内における輝度のより高い均一性も実現する有機発光素子を製造することができる。これによって、少なくとも1つの有機機能層において生成される電磁放射の輝度の均一性を従来のOLEDに比べて改善することも達成される。
さらに有機発光素子を、構造化された導電層が確かに第1の電極層と直接的に電気的に接触するが、少なくとも1つの有機機能層とは直接的に電気的に接触しないように構成することができる。このことを、第1の電極層と接していない導電層の表面上に絶縁層が形成されることによって達成することができる。殊に、絶縁層が形成される導電層の表面は少なくとも、第1の電極層と接しておらず、少なくとも1つの有機機能層と接している導電層の全ての表面を含むことができる。これによって、前述の製造ステップCおよびDの実施後に、導電層は少なくとも1つの有機機能層とは直接的に電気的に接触していないことが達成される。
さらに、絶縁層が形成される導電層の表面は、第1の電極層と接していない導電層の全ての表面を全て含むことができるので、前述の製造ステップCの実施後に、導電層は第1の電極層および絶縁層によって完全に包囲されている。
本明細書において、2つの層または構成要素が「直接的に電気的に接触している」とは、2つの層または構成要素が相互に直接的に接しており、共通の境界面を有することを意味する。2つの層または構成要素間の境界面を介して電荷交換を行うことができる。すなわち、2つの層または構成要素間の境界面を介して電流を流すことができる。本発明による有機発光素子では、絶縁層が配置されている導電層の表面を介して、導電層と少なくとも1つの有機機能層との間において電荷交換は行われないので、絶縁層が配置されている導電層の表面はまさにこの絶縁層によって有機機能層とは直接的に電気的に接触していない。
導電層の表面上に絶縁層を形成することによって、また有利には、少なくとも、第1の電極層と接しておらず、少なくとも1つの有機機能層と直接的に接している導電層の全ての表面上に絶縁層を形成することによって、第1の電極層における電流密度を均一化し、しかしながらそれと同時に、第1の電極層と有機機能層との間においてのみ電荷交換を行うことでき、したがって電流を流すことができる。
これによって、例えば、第1の電極層と第2の電極層との間隔に比べて、構造化された導電層と第2の電極層との間の間隔が狭いことに起因して、有機発光素子の動作時に導電層と第2の電極層との間の領域において比較的に高い電界強度が生じることを阻止することができる。そのような高い電界強度が生じた場合には、導電層と第2の電極層との間の領域に流れる電流が多くなり、形成される光が多くなる。つまり絶縁層によって、有機発光素子の動作時の電流密度の不所望な不均一性、したがって有機発光素子の輝度の不所望な不均一性を阻止することができるか、少なくとも低減することができる。
さらには、絶縁層が存在しない場合には、導電層と第2の電極層との間の領域における電界強度が比較的高いことに基づき、この領域に流れる電流が比較的大きくなり、これによって構成素子の層材料の局所的なデグラデーションは短絡が発生するまで加速され、有機発光素子全体の故障を惹起する虞がある。下側の透過性電極および透過性基板を通過して光が出力結合される有機素子においては、光の放射は透過性の電極層および透過性の基板を通過して考察する側に向かう光の放射は導電層によって隠されるので、導電層の領域における光の生成は損失に繋がり、したがって不所望なものになる可能性がある。
したがって導電層上に絶縁層を形成することによって、動作時には確かに第1の電極層と有機機能層との間において電荷交換が行われ、したがって電流が流れるが、構造化された導電層と有機機能層と間においては電荷交換が行われず、したがって電流は流れないので、第1の電極層側の電荷は第1の電極層から有機機能層にのみ到達することができ、絶縁層側からは到達しない。これによって、絶縁層の機能と第1の電極層の機能を分離することができ、導電層は第1の電極層と有機機能層との間に配置されているにもかかわらず、第1の電極層における電流密度の均一化にのみ使用される。
さらに有利には、絶縁層の金属を酸化させて絶縁層を形成することによって、絶縁層が前述の製造ステップCにおいて導電層上にのみ、したがって少なくとも導電層の1つの表面にのみ配置されているか、またはさらに有利には、第1の電極層と接しておらず、有機機能層と直接的に接している導電層の全ての表面に配置されている。
本発明による方法とは異なる公知の方法では、導電層の電気的な絶縁のために、別の処理ステップにおける析出によって付加的な絶縁層が被着される。絶縁層を相応のマスクを用いて蒸着させるか、リソグラフィによる構造化によって、絶縁すべき導電層の形状に適合させることができる。しかしながら、この種の公知の方法は絶縁層の位置決めを高精度および高品質で行わなければならないという欠点を有する。この種の公知の方法が本発明による第1の電極層および導電層との関係において使用されたならば、第1の電極層と絶縁層の重畳、すなわち、過度に広い絶縁層が生じ、発光面が不必要に低減されるので不利である。反対に過度に狭い絶縁層では、この過度に狭い絶縁層によって導電層が有機機能層から電気的に絶縁されない個所において、構造化された導電層の領域における電界強度が高まるような上述の問題が生じる虞がある。
本発明による方法によって、導電層の表面自体がパッシベーションされ、したがって絶縁層が形成されるように変化する。このために、導電層の金属は金属を含有する酸化物、以下では導電層の金属の金属酸化物と称する酸化物に変化する。このことは、第1の電極層に接していない導電層の少なくとも1つの表面または全ての表面の酸化によって行うことができる。したがって、製造ステップCにおける酸化および絶縁層の形成によって、導電層を有機機能層に対してパッシベーションさせ、すなわち電気的に絶縁させることができる。導電層上に付加的な絶縁層を被着させるために、真空状態での上述の付加的な被着処理ステップまたは時間と費用の掛かるリソグラフィ技術を必要とすることなく、第1の電極層に接していない導電層の全ての表面に、金属酸化物を含有する一様な絶縁層を形成することができる。
さらには、導電層を製造ステップCにおいて、1つまたは複数の以下の方法によって酸化させることができる:プラズマ処理、殊に酸素プラズマにおける第1の電極層および構造化された導電層の処理、UVオゾン処理、反応性イオンエッチングおよび/または湿式化学的な処理。殊に、製造ステップCにおける酸化を、それらの方法の組み合わせによって、または2つまたはそれ以上の方法を適用することよって行うことができる。
さらに製造ステップCにおいては、少なくとも1つの有機機能層についての第1の電極層の湿潤性、および/または、電荷についての第1の電極層の電気的な仕事関数に関して、第1の電極層を変性させることができる。このことは、導電層の表面が酸化される製造ステップCにおける方法によって、前述の特性が改善されるように第1の電極層も同様に、また同時に変性されることを意味する。さらには、第1の電極層を製造ステップCによって導電層の表面の酸化と同時に洗浄し、例えば、第1の電極層の有機性の残余物および汚染物質を除去することができる。本発明では、第1の電極層の洗浄、また第1の電極層の仕事関数および湿潤性の改善、それどころか最適化を、導電層の表面の酸化と同じ製造ステップCにおいて実施することができる。つまり、本発明による方法では、同一の製造ステップにおいてそれらの作用を統合することができる。したがって、本発明による方法では、第1の電極層の前述の特性の改善ないし最適化に関して、付加的な処理ステップを省略することができる。
酸化によって金属酸化物を形成しながら、酸素原子は導電層の金属の結晶格子に入り込むことができる。製造ステップCにおける条件に応じて、金属酸化物は導電層の表面の非常に制限された厚さ領域内に形成することができる。このことは金属酸化物が前述の厚さ領域全体において、または少なくとも主要な領域において、金属原子と酸素原子との化学量論的な比率で存在し、金属酸化物層または金属酸化物層領域の形態で特徴付けられることを意味する。さらに、製造ステップCにおける条件に応じて、絶縁層の所定の深さ以降では酸素含有量を低減させることができる。酸素含有量のこのような低減を例えば、指数的に、またはほぼ指数的に行うことができる。これによって、導電層と絶縁層との間の明確な境界面が生じることなく、導電層と絶縁層との移行部を連続的なものにすることができる。絶縁層と導電層との間の境界は例えば、金属酸化物の化学量論的な酸素含有量が1/eまたは(1/e)2に低下している、導電層内の領域または絶縁層内の領域である。ここでeはオイラー数である。
構造化された導電層を製造ステップBにおいて、例えば第1の厚さで被着することができる。製造ステップCにおける、第1の電極層に接していない導電層の少なくとも1つの表面における金属の酸化、またそれに伴う絶縁層の形成によって、その領域における導電層および絶縁層の総厚は、金属酸化物を形成しながら酸素原子が金属に入り込むことによって、製造ステップB後の導電層の第1の厚さよりも大きくなる。さらには、製造ステップC後に残存する導電層の厚さは、製造ステップB後に被着された導電層の元の第1の厚さよりも薄い。
製造ステップBにおいては、導電層の金属として卑金属が被着される。卑金属は少なくとも前述の方法のうちの1つを用いて酸化させることができる。殊に、製造ステップBにおいては金属が被着され、その酸化物は電気的に絶縁されている。例えば、金属はチタン、マグネシウム、ジルコニウムおよび/またはアルミニウムを含有するか、それらから構成されている。これによって、絶縁層は製造ステップC後にチタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物および/またはアルミニウム酸化物を含有することができるか、絶縁層をそれらから構成することができる。本明細書において、金属酸化物とは基本的に金属の絶縁性の酸化物であり、したがって相応の酸化数を持つ金属を有する酸化物を表し、このことは例えば、金属の特定の酸化数での前述の金属のさらに別の導電性の酸化物が既知である場合にも当てはまる。
殊に有利には、製造ステップBにおいてアルミニウムが導電層として第1の電極層上に被着される。アルミニウムが通常条件下の空気において全ての表面上に薄い酸化層を形成している間に、製造ステップBを例えば真空状態において、または保護ガス雰囲気において酸素を除いて実施することができるので、製造ステップCにおいては、前述の酸化方法のうちの1つによって所期のように所望の厚さの絶縁層を製造することができる。
殊に、アルミニウムはいわゆる自己パッシベーション作用を有することができ、このことは、例えば製造方法のパラメータによって調整可能な所定の厚さにおいて酸化を自身で停止できることを意味する。
導電層と、この導電層の上に配置されている絶縁層とを備えた基板を、製造ステップC後には、例えば湿気および/または酸素のような悪影響によって導電層が損傷することなく、保護雰囲気外においても処理および/または貯蔵することができる。
製造ステップCにおいて製造可能である、金属酸化物を含有する絶縁層の厚さは少なくとも、金属酸化物の単分子膜の厚さを有する。殊に有利には、導電層の十分な電気的な絶縁性を実現するために、絶縁層の厚さは5ナノメートル以上でよい。さらに有利には、絶縁層の厚さは100ナノメートル以下であり、殊に25ナノメートル以下である。絶縁層の厚さを薄く形成すればするほど、導電層および絶縁層の総厚は一層薄くなるので、有利には、導電層および絶縁層による不必要な光学的な遮蔽が有機発光素子の動作中に認識されることはない。
さらには、有機機能層を導電層および絶縁層の総厚よりも厚くすることができるので、有機機能層は導電層および絶縁層を覆い、これに起因する第1の電極層上の非平坦面が平坦化される。
さらには、導電層を製造ステップBにおいて、スパッタリングまたは蒸着によって被着させることができる。導電層を有利には製造ステップBにおいて帯状に構造化し、これによって導電層は1つまたは複数の帯またはウェブを有することができる。導電層を例えば大面積で構造化せずに第1の電極層上に被着させ、続けてマスクを用いて帯状に構造化することができる。大面積で被着された導電層の領域を、公知の乾式または湿式のエッチングプロセス、例えば構造化されたフォトレジストマスクを使用して電極層から除去することができる。択一的に、第1の電極層を製造ステップBにおいて、マスクを用いて既に帯状に構造化して被着またはスパッタリングすることができる。
さらには、マスクを用いたシルクスクリーン印刷のような印刷方法を使用するか、噴射方法(「スプレーコーティング」)を使用することもできる。
導電層を製造ステップBにおいて、100マイクロメートル以下かつ100ナノメートル以上の幅の帯の形状で被着させることができる。個々の帯を均等に、またはあるパターンで第1の電極層の部分領域にわたり、または第1の電極層全体にわたり延在させ、例えば直線状または湾曲した形状で、さらには相互に並行な帯状または網状に配置することができる。例えば、第1の電極層は、この第1の電極層を外部の電圧源および/または電流源と電気的に接続するための電気的な接触接続領域を有することができる。この場合には、導電層の帯を有利には電気的な接触接続領域から離して延在させることができる。
帯状の構造化に択一的に、または付加的に、導電層を製造ステップBにおいて、他の幾何学的な形状の形態で構造化することもでき、そのような幾何学的な形状は、第1の電極層および少なくとも1つの有機機能層における均一な電流密度分布を生じさせることに適している。
さらに、製造ステップAにおいては、第1の電極層と、基板と第1の電極層との間にある別の導電層とを有する基板を提供することができる。第1の電極層の基板側の表面上に配置することができる別の導電層によって、第1の電極層の横方向導電性をさらに高めることができ、したがって第1の電極層における電流密度の均一性をさらに高めることができる。
殊に、有機発光素子を有機発光ダイオード(OLED)として実施することができる。このために、有機発光素子は、動作時に電磁放射を放射することに適している活性領域を有することができる。有機発光素子は有機発光層列を有することができ、この有機発光層列は第1の電極層と、第2の電極層と、これら2つの電極層間において、少なくとも1つの有機機能層を含む有機層列とを有する。有機層列は、少なくとも1つの有機機能層に付加的に、別の複数の有機機能層を有することができる。少なくとも1つの有機機能層または複数の機能層は、例えば、電子輸送層、エレクトロルミネセンス層および/また正孔輸送層を有するか、またはそのような層として実施することが可能である。有機機能層は、電子と正孔の再結合によって電磁放射を形成することができる活性領域を有することができる。
第1の電極層および/または第2の電極層をそれぞれ大面積で形成することができる。これによって、活性領域において形成された電磁ビームを大面積で放射することができる。ここで「大面積」とは、有機的な電子素子が数mm2以上、有利には1cm2以上、殊に有利には10cm2以上の面積を有することを意味する。択一的または付加的に、第1の電極および/または第2の電極を少なくとも部分領域において構造化して形成することができる。これによって、活性領域において形成された電磁ビームを構造化して、例えばピクセルまたはピクトグラムの形態で放射することができる。第1の電極層上の導電層によって、本発明による導電層を有していないOLEDの場合に比べて、より均等かつ横方向においてより均一に電流を活性領域に供給することができる。均等かつ横方向において均一に電流を供給することによって、有機発光素子の均一な発光面を達成することができる。
例えば基板は、ガラス、石英、プラスチックシート、金属、金属シート、シリコンウェハまたは別の適切な基板材料を含むことができる。有機発光素子がいわゆるOLEDがいわゆる「ボトムエミッタ」として実施されている場合、すなわち活性領域において形成された電磁ビームが基板を通過して放射される場合、基板は第1のビームの少なくとも一部に対して透過性を有することができる。
ボトムエミッタ型の構造においては、有利には、第1の電極層も活性領域内で形成された電磁ビームの少なくとも一部に対して透過性を有することができる。アノードとして実施することができ、したがって正孔注入材料として使用される透過性の第1の電極層は、例えば透過性の導電性酸化物を有するか、透過性の導電性酸化物から構成することができる。透過性の導電性酸化物(transparent conductive oxides略して"TCO")は透過性の導電性材料であり、通常の場合、例えば、亜鉛酸化物、スズ酸化物、カドミウム酸化物、チタン酸化物、インジウム酸化物またはインジウムスズ酸化物(ITO)などの金属酸化物である。ZnO,SnO2またはIn23などの2成分の金属酸素化合物のほか、Zn2SnO4,CdSnO3,ZnSnO3,MgIn24,GaInO3,Zn2In25またはIn4Sn312などの3成分の金属酸素化合物や、種々の透過性の導電性酸化物の混合物もTCO群の材料に属する。さらに、TCOは必ずしも化学量論的な組成に相応する必要はなく、TCOをp型またはn型にドーピングすることもできる。
少なくとも1つの有機機能層または複数の有機機能層は有機ポリマー、有機オリゴマー、有機モノマー、有機の小さな非ポリマー分子(小分子)またはそれらの組み合わせを含有することができる。OLEDにとっての適切な材料は当業者に周知であるので、したがってここでは詳細には説明しない。機能層における材料に応じて、形成された電磁ビームは、紫外線スペクトル領域から赤色スペクトル領域までの個別の波長または波長領域またはそれらの組み合わせを有することができる。
第2の電極をカソードとして実施することができ、したがって電子注入材料として使用することができる。殊にカソード材料として、アルミニウム、バリウム、インジウム、銀、金、マグネシウム、カルシウムまたはリチウム、またそれらの化合物、組み合わせおよび合金が有利であることが分かった。択一的または付加的に、第2の電極層が上述のTCOのうちの1つを含有することもできる。付加的または択一的に、第2の電極層も透過性に実施することできる、および/または、第1の電極層をカソードとして実施し、かつ、第2電極をアノードとして実施することができる。このことは殊に、有機発光素子を「トップエミッタ」としても実施できることを意味している。
さらに、第1の電極層および/または第2の電極層が1つまたは複数の有機的な導電性材料、例えば、ドープされた、またはドープされていないポリアニリン、ポリピロールおよび/またはポリチオフェン、および/または、カーボンナノチューブ(CNT;carbon nanotube)を含有することができる。
さらには、有機発光素子を同時にボトムエミッタとしてもトップエミッタとしても実施し、有機発光素子が透過性の第1の電極層および透過性の第2の電極層を有することもできる。これによって、有機発光素子を透過性にすることができる。
有機発光素子の製造方法ならびに有機発光素子のさらなる利点、有利な実施形態および発展形態は、図面を参照する以下の実施例の記載より明らかになる。
1つの実施例による有機発光素子の製造方法ならびに有機発光素子を示す。 1つの実施例による有機発光素子の製造方法ならびに有機発光素子を示す。 1つの実施例による有機発光素子の製造方法ならびに有機発光素子を示す。 1つの実施例による有機発光素子の製造方法ならびに有機発光素子を示す。 1つの実施例による有機発光素子の製造方法ならびに有機発光素子を示す。
図示されている構成要素およびそれらの相互のサイズ比は、基本的に縮尺通りに示されたものではなく、むしろ個々の構成要素、例えば層、構成部材、構成素子および領域はより見やすくするため、および/または、より良い理解のために誇張して厚くまたは大きく描かれている場合もある。
図1Aには、1つの実施例による有機発光素子の製造方法の第1の製造ステップAが示されている。このステップでは、基板1に対して第1の電極層2が準備される。図示されている実施例においては、基板1および第1の電極層2が透過性に実施されている。基板1はガラスから成るものであり、また基板1上に大面積で被着されている第1の電極層2はインジウムスズ酸化物(ITO)から成るものである。図示されている実施例においては、第1の電極層2がアノードとして、したがって正孔注入層として使用される。
択一的に、第1の基板1および/または第1の電極層2が上述の材料のうちの1つまたは複数を含有していてもよい。
図1Bにはさらなる製造ステップBが示されており、この製造ステップBにおいては構造化された導電層3が被着される。図示されている実施例においては、このためにアルミニウムがシェーディングマスク(図示せず)を介して熱蒸着によって第1の電極層2上に析出される。シェーディングマスクは、第1の電極層2にわたり延在し、かつアルミニウムからなる帯または帯状の領域として導電層3が第1の電極層2上に形成されるように実施されている。これとは異なり、上述の別の材料のうちの1つ、またはそれらを組み合わせた材料を被着させることができる。導電層3の帯は数マイクロメートルの幅を有する。導電層3の帯の幅が広く形成すればするほど、また隣接するそれぞれの帯の間隔が狭くなればなるほど、第1の電極層2における電流密度を一層良好に均一にすることができる。第1の電極層2の帯が狭くなればなるほど、また隣接するそれぞれ2つの帯の間隔が大きくなればなるほど、後の有機発光素子の動作時に第1の電極層2および基板1を通過させてより多くの光を放射することができる。
第1の電極層2が電気的な接触接続のために電気的な接触領域を有している場合には、導電層3の帯状の領域が電気的な接触領域から離れて延在していれば有利である。つまり、これによって第1の電極層2の横方向導電性が効果的に高まるか、第1の電極層2の電気抵抗が低下する。後続の有機発光素子においては、これによって、第1の電極層2における電流密度の均一化、したがって第1の電極層2または後の製造ステップにおいて被着される活性領域の面全体にわたる照明印象の均一化が達成される。
導電層3の帯状領域はそれぞれ、第1の電極層2とは直接的に接触していない、第1の電極層2とは対向しな表面31を有している。さらなる製造ステップCにおいては、表面31上に絶縁層4が、図1Cに示されているような酸化9によって形成される。このために、基板1は第1の電極層2および構造化された導電層3と共に酸素プラズマに晒される。これは矢印9によって示唆されている。
酸素プラズマによって、導電層3の表面31におけるアルミニウムが酸化され、金属酸化物層、図示されている実施例においてはアルミニウム酸化物層が絶縁層4として表面31上に形成される。絶縁層4は製造ステップCの終了後に約5ナノメートル〜25ナノメートルの厚さを有している。図示されている実施例においては、酸素プラズマもしくは、択一的または付加的に前述の別の酸化方法、例えばUVオゾン処理または湿式処理の作用によって導電層3の表面31全体が酸化され、表面31上に絶縁層4が形成されるので、導電層3は酸化の終了後に絶縁層4と第1の電極層2とによって完全に包囲されている。これによって、導電層3は第1の電極層2とのみ直接的に電気的に接触することになるので、前述のように、例えば有機発光素子の動作時に、過度に高い電界強度を有する領域が導電層3の近傍の領域に生じることを回避することができる。
さらに、絶縁層4は表面31の酸化によって、第1の電極層2の上ではなく正確に導電層3の上に形成される。これによって有利には、絶縁層4が第1の電極層2の領域を不必要に覆わないことを保証することができる。不必要に覆われることによって、第1の電極層2および基板1を通過して放射される光エネルギが低下することになる。他方では、本発明による方法によって、導電層3の表面31全体に絶縁層4が形成されることを保証することができる。
その上、酸素プラズマによって、第1の電極層2の湿潤性の向上、ならびに第1の電極層2のITOに由来する電荷の仕事関数の低下が達成される。さらには酸素プラズマによって、例えば第1の電極層2上の有機的な汚染物質を除去することができる。第1の電極層2に関するこの作用を、絶縁層4を形成するための導電層3の酸化9と同時に達成することができるので、OLEDの公知の製造方法に比べて、相応の付加的な処理ステップはもはや必要とされない。
図1Dには別の製造ステップDが示されており、この製造ステップDにおいては、有機機能層5が絶縁層4および第1の電極層2の上に被着される。有機機能層5は正孔輸送層として形成されており、また導電層3および絶縁層4の総厚よりも厚い。したがって有機機能層5は導電層3および絶縁層4を完全に覆っている。換言すれば、導電層3はその上にある絶縁層4と共に、有機機能層5内に突出している。絶縁層4によって導電層3と有機機能層5との間の直接的な電気的な接触が阻止されるので、第1の電極層2を介する基板側から有機機能層5への方向にのみ注入を行うことができる。
有機機能層5上には別の有機機能層が被着される。図示されている実施例においては、単に例示的なものとして、活性領域を形成する放射層6と、その上に被着された電子輸送層7とが示されている。有機機能層5,6および7の材料、すなわちポリマーまたは有機の小さな分子(小分子)に応じて、例えば、別の有機機能層、例えば電荷阻止層を被着することができるか、図示されているものよりも少ない有機機能層を設けることができる。
図1Eに示されているさらなる製造ステップEにおいては、金属を含有する、カソードとしての第2の電極層8が被着され、これによって有機発光素子10が完成する。付加的に、製造ステップEにおいては例えば、さらに封止部(図示せず)を第2の電極層8にわたり被着させ、有機発光素子10を湿気や酸素などの悪影響から保護することができる。
図示されている実施例とは異なり、第1の電極層2をカソードして形成し、第2の電極層8をアノードとして形成することもできる。その場合には、2つの電極層2,8のうちの一方、または両方を透過性に実施することができる。その場合には、有機機能層5は電極輸送層として形成されており、他方、有機機能層7は正孔輸送層として実施されている。
本発明は実施例に基づく上述の説明によってそれらの実施例に限定されるものではない。むしろ本発明はあらゆる新規の特徴並びにそれらの特徴のあらゆる組み合わせを含むものであり、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴の組み合わせ各々が含まれ、このことはそのような組み合わせ自体が特許請求の範囲あるいは実施例に明示的には記載されていないにしても当てはまる。

Claims (14)

  1. 有機発光素子の製造方法において、
    A)基板(1)上に第1の電極層(2)を準備するステップ、
    B)前記第1の電極層(2)上に、金属を含有する構造化された導電層(3)を被着するステップ、
    C)前記第1の電極層(2)に接していない前記導電層(3)の表面(31)上に、前記金属の酸化によって、前記導電層(3)の前記金属の酸化物を含有する絶縁層(4)を形成するステップ、
    D)前記第1の電極層(2)および前記絶縁層(4)の上に、少なくとも1つの有機機能層(5)を被着するステップ、
    E)前記少なくとも1つの有機機能層(5)上に第2の電極層(8)を被着するステップ、
    を有することを特徴とする、有機発光素子の製造方法。
  2. 前記ステップC)において、酸素プラズマ処理、UVオゾン処理、反応性イオンエッチングおよび湿式化学的な処理から成るグループから選択された1つの方法または複数の方法の組み合わせによって酸化を行う、請求項1記載の方法。
  3. 前記ステップC)において、前記第1の電極層(2)を前記第1の電極層(2)の湿潤性および/または前記第1の電極層(2)の電気的な仕事関数に関して変性させる、請求項1または2記載の方法。
  4. 前記ステップB)において、前記導電層(3)の金属として卑金属を被着させ、該卑金属の酸化物を電気的に絶縁させる、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
  5. 前記ステップC)において、前記絶縁層(4)を5ナノメートル以上かつ100ナノメートル以下の厚さでもって形成する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
  6. 前記ステップB)において、前記導電層(3)をスパッタリングまたは蒸着により被着させる、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
  7. 前記ステップB)において、前記導電層(3)を帯状に構造化する、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
  8. 前記導電層(3)の少なくとも1つの帯を前記電極層(2)の部分領域にわたり延在させる、請求項7記載の方法。
  9. 有機発光素子において、
    基板(1)上の第1の電極層(2)と、
    前記第1の電極層(2)上に配置されている、金属を含有する構造化された導電層(3)と、
    前記第1の電極層(2)と接していない前記導電層(3)表面(31)上に配置されている、構造化された前記導電層(3)の前記金属の酸化物を含有する絶縁層(4)と
    前記第1の電極層(2)および前記絶縁層(4)の上に配置されている少なくとも1つの有機機能層(5)と、
    前記少なくとも1つの有機機能層(5)上に配置されている第2の電極層(8)とを有することを特徴とする、有機発光素子。
  10. 前記導電層(3)は卑金属を含有し、該卑金属の酸化物は電気的に絶縁されている、請求項9記載の有機発光素子。
  11. 前記絶縁層(4)は5ナノメートル以上かつ100ナノメートル以下の厚さを有する、請求項9または10記載の有機発光素子。
  12. 前記導電層(3)は帯状に構造化されている、請求項9から11までのいずれか1項記載の有機発光素子。
  13. 前記導電層(3)は、100ナノメートル以上かつ100マイクロメートル以下の幅の帯を少なくとも1つ有する、請求項12記載の有機発光素子。
  14. 前記絶縁層(4)は5ナノメートル以上かつ100ナノメートル以下の厚さを有する、請求項9から13までのいずれか1項記載の有機発光素子。
JP2011525398A 2008-09-04 2009-08-10 有機発光素子の製造方法および有機発光素子 Pending JP2012502411A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008045948.8 2008-09-04
DE102008045948A DE102008045948A1 (de) 2008-09-04 2008-09-04 Verfahren zur Herstellung eines organischen strahlungsemittierenden Bauelements und organisches strahlungsemittierendes Bauelement
PCT/DE2009/001139 WO2010025696A2 (de) 2008-09-04 2009-08-10 Verfahren zur herstellung eines organischen strahlungsemittierenden bauelements und organisches strahlungsemittierendes bauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012502411A true JP2012502411A (ja) 2012-01-26
JP2012502411A5 JP2012502411A5 (ja) 2012-08-02

Family

ID=41381647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011525398A Pending JP2012502411A (ja) 2008-09-04 2009-08-10 有機発光素子の製造方法および有機発光素子

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8927325B2 (ja)
EP (1) EP2321863B1 (ja)
JP (1) JP2012502411A (ja)
KR (1) KR20110074518A (ja)
CN (1) CN102144314B (ja)
DE (1) DE102008045948A1 (ja)
WO (1) WO2010025696A2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012049112A (ja) * 2010-07-26 2012-03-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、照明装置及び発光装置の作製方法
JP2013077417A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Mitsubishi Materials Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5829070B2 (ja) * 2010-07-26 2015-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、照明装置、及び発光装置の作製方法
US20150047710A1 (en) * 2012-03-26 2015-02-19 Jawaharlal Nehru Centre For Advanced Scientific Research Organic solar cell and methods thereof
US10326091B2 (en) 2012-05-09 2019-06-18 Lg Chem, Ltd. Organic electrochemical device, and method for manufacturing same
DE102012109777A1 (de) * 2012-10-15 2014-04-17 Heliatek Gmbh Verfahren zum Bedrucken optoelektronischer Bauelemente mit Stromsammelschienen
CN105393376B (zh) * 2013-06-14 2017-11-17 株式会社Lg化学 有机太阳能电池及其制造方法
DE102014110052B4 (de) * 2014-07-17 2020-04-16 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102014110978A1 (de) * 2014-08-01 2016-02-04 Osram Oled Gmbh Organisches Licht emittierendes Bauelement
DE102014110969A1 (de) * 2014-08-01 2016-02-04 Osram Oled Gmbh Organisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines organischen Bauteils
DE102014112204A1 (de) * 2014-08-26 2016-03-03 Osram Oled Gmbh Optoelektronische Vorrichtung
DE102014112618B4 (de) * 2014-09-02 2023-09-07 Pictiva Displays International Limited Organisches Licht emittierendes Bauelement
DE102015101512A1 (de) * 2015-02-03 2016-08-04 Osram Oled Gmbh Organisches elektronisches Bauelement
DE102015106630A1 (de) * 2015-04-29 2016-11-03 Osram Oled Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
DE102015110143B4 (de) * 2015-06-24 2023-07-27 Pictiva Displays International Limited Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
DE102015212477A1 (de) * 2015-07-03 2017-01-05 Osram Oled Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
DE102015111564A1 (de) * 2015-07-16 2017-01-19 Osram Oled Gmbh Organisches optoelektronisches Bauteil und Herstellungsverfahren hierfür
US20180016687A1 (en) * 2016-07-13 2018-01-18 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Method for producing nanoimprint transfer body
US20190390399A1 (en) * 2018-06-26 2019-12-26 Mycoworks, Inc. Fungal composites comprising mycelium and an embedded material
EP3599648A1 (en) * 2018-07-25 2020-01-29 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Photovoltaic device and method of manufacturing the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004134282A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置及びそれを用いた画像読取装置
JP2004349138A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Toyota Industries Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
WO2005106573A1 (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. 液晶表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3036436B2 (ja) 1996-06-19 2000-04-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法
JPH11339970A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Tdk Corp 有機el表示装置
DE10324880B4 (de) * 2003-05-30 2007-04-05 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von OLEDs
US7122852B2 (en) * 2004-05-12 2006-10-17 Headway Technologies, Inc. Structure/method to fabricate a high performance magnetic tunneling junction MRAM
JP4121514B2 (ja) 2004-07-22 2008-07-23 シャープ株式会社 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置
JPWO2007029756A1 (ja) 2005-09-07 2009-03-19 旭硝子株式会社 補助配線付き基体およびその製造方法
EP1887628A1 (en) * 2006-07-20 2008-02-13 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Electro-optical device
EP2089517A4 (en) * 2006-10-23 2010-10-20 Pacific Biosciences California POLYMERASEENZYME AND REAGENTS FOR ADVANCED NUCKIC ACID SEQUENCING
JP5279254B2 (ja) * 2007-12-18 2013-09-04 キヤノン株式会社 有機発光素子及び表示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004134282A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置及びそれを用いた画像読取装置
JP2004349138A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Toyota Industries Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
WO2005106573A1 (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. 液晶表示装置及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012049112A (ja) * 2010-07-26 2012-03-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、照明装置及び発光装置の作製方法
JP2016035941A (ja) * 2010-07-26 2016-03-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9728737B2 (en) 2010-07-26 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device
JP2013077417A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Mitsubishi Materials Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102144314A (zh) 2011-08-03
DE102008045948A1 (de) 2010-03-11
EP2321863A2 (de) 2011-05-18
WO2010025696A2 (de) 2010-03-11
EP2321863B1 (de) 2018-10-10
US20110266588A1 (en) 2011-11-03
US8927325B2 (en) 2015-01-06
KR20110074518A (ko) 2011-06-30
CN102144314B (zh) 2015-04-22
WO2010025696A3 (de) 2010-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012502411A (ja) 有機発光素子の製造方法および有機発光素子
JP5612691B2 (ja) 有機el素子およびその製造方法
JP5612693B2 (ja) 有機el素子およびその製造方法
KR101182435B1 (ko) 전도성 고분자 패턴막 및 이를 패터닝 하는 방법 그리고 이를 이용하는 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
US10290687B2 (en) Lighting apparatus using organic light emitting diode and method of fabricating the same
JP5612692B2 (ja) 有機el素子およびその製造方法
KR20140128308A (ko) 유기 전자 소자 및 유기 전자 소자의 제조 방법
US20110198657A1 (en) Organic Light-Emitting Diode, Contact Arrangement and Method for Producing an Organic Light-Emitting Diode
JPWO2010038356A1 (ja) 有機elデバイスおよびその製造方法
JP2013514612A (ja) 均一な温度分布を有する有機発光装置
US8969860B2 (en) Organic electroluminescent lighting device and method for manufacturing the lighting device
KR20030017748A (ko) 유기물 전계 효과 트랜지스터와 유기물 발광 다이오드가일체화된 유기물 전기 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2013516735A (ja) 有機発光ダイオード装置のマスクレス製造の方法
JP2013514621A (ja) 直列に接続されたoledデバイスを生成するための方法
US20180198087A1 (en) Organic light-emitting component and method for producing an organic light-emitting component
KR100942498B1 (ko) 유기발광장치의 제조방법
KR101486844B1 (ko) 복사 방출 장치 및 복사 방출 장치의 제조 방법
JP6751747B2 (ja) 照明装置用oledパネル及びその製造方法
US20210399169A1 (en) Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip
KR102482208B1 (ko) 표시품질이 향상된 유기발광소자
KR20060084210A (ko) 유기 el 소자
WO2018235594A1 (ja) 透明電極の製造方法及び電子デバイスの製造方法
KR20130033100A (ko) 유기전계 발광소자
KR20110103050A (ko) 유기전계 발광소자의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120614

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120614

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130313

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130313

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130605

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130701