CN116249371A - 用于高级图案化的准整体阴极接触方法 - Google Patents

用于高级图案化的准整体阴极接触方法 Download PDF

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Abstract

本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成可用于显示器中的子像素电路的方法。所述子像素电路包括多个接触悬垂部。所述多个接触悬垂部设置在要形成的子像素电路的相邻子像素之间。所述接触悬垂部形成在通过PDL结构暴露的金属网格之上。阴极经由蒸发沉积进行沉积以与所述接触悬垂部进行接触。所述金属网格垂直于设置在基板上的多个金属层。

Description

用于高级图案化的准整体阴极接触方法
背景技术
技术领域
本文描述的多个实施方式一般涉及显示器。更具体地，本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器(诸如有机发光二极管(OLED)显示器)中的子像素电路和形成可用于显示器中的子像素电路的方法。
相关技术的描述
包括显示装置的输入装置可用于多种电子系统中。有机发光二极管(OLED)是一种发光二极管(LED)，在该发光二极管(LED)中发射电致发光层是响应于电流而发射光的有机化合物的膜。如果发射的光穿过透明或半透明底部电极和在基板上制造了面板的基板，则OLED器件被分类为底部发射器件。顶部发射器件基于从OLED器件发射的光是否穿过接在器件的制造之后添加的盖离开来进行分类。在现今，OLED用于形成许多电子器件中的显示装置。在OLED中，器件包括由相邻的像素限定层(PDL)结构限定的多个子像素。每个子像素具有阳极、设置在阳极上的有机发光二极管(OLED)材料和设置在OLED材料上的阴极。为了对一个或多个子像素供电，将使用局部辅助网格(local assistant grid)将输入电流分配到一个或多个子像素的阴极。使用局部辅助网格可能引起泄漏电流增加。为了改善OLED性能，仍然需要改善的阴极接触。因此，本领域中需要子像素电路和形成子像素电路的方法来增加每英寸像素并且提供改善的OLED性能。
发明内容
在一个实施方式中，提供了一种子电路。所述子电路包括金属网格，所述金属网格设置在阳极限定层(ADL)上。所述ADL暴露设置在基板之上的阳极。所述子电路进一步包括无机悬垂结构，所述无机悬垂结构设置在所述金属网格之上。相邻ADL限定所述子电路的多个子像素。所述多个子像素中的每个子像素包括：阳极，所述阳极由所述ADL限定；有机发光二极管(OLED)材料，所述OLED材料设置在所述阳极之上并与所述阳极接触；以及阴极，所述阴极设置在所述OLED材料之上。所述子电路进一步包括至少一个接触悬垂部，所述至少一个接触悬垂部设置在所述金属网格的相应的辅助阴极线上。所述接触悬垂部设置在所述多个子像素中的两个子像素之间，并且所述阴极接触所述接触悬垂部。
在另一个实施方式中，提供了一种器件。所述器件包括：基板；和多个金属层，所述多个金属层设置在所述基板之上；和阳极限定层(ADL)，所述ADL设置在所述多个金属层和所述基板之上。所述ADL限定所述器件的阳极。所述器件进一步包括金属网格，所述金属网格设置在所述ADL之上。相邻ADL限定所述器件的子像素。所述器件进一步包括多个子电路。每个子电路包括：设置在所述ADL上的所述金属网格；无机悬垂结构，所述无机悬垂结构设置在所述金属网格之上；和第一多个子像素。所述第一多个子像素中的每个子像素包括：阳极，所述阳极由所述ADL限定；有机发光二极管(OLED)材料，所述OLED材料设置在所述阳极之上并与所述阳极接触；以及阴极，所述阴极设置在所述OLED材料之上。所述器件进一步包括至少一个接触悬垂部，所述至少一个接触悬垂部设置在所述金属网格的相应的辅助阴极线上。所述接触悬垂部设置在所述第一多个子像素中的两个子像素之间，并且所述阴极接触所述接触悬垂部。
在又一个实施方式中，提供了一种器件。所述器件包括：基板；和多个金属层，所述多个金属层设置在所述基板之上；和阳极限定层(ADL)，所述ADL设置在所述多个金属层和所述基板之上。所述ADL限定所述器件的阳极。所述器件进一步包括金属网格，所述金属网格设置在所述ADL之上。相邻ADL限定所述器件的子像素。所述器件进一步包括多个子电路。每个子电路包括：设置在所述ADL上的所述金属网格；无机悬垂结构，所述无机悬垂结构设置在所述金属网格之上；和第一多个子像素。所述第一多个子像素中的每个子像素包括：阳极，所述阳极由所述ADL限定；有机发光二极管(OLED)材料，所述OLED材料设置在所述阳极之上并与所述阳极接触；和阴极，所述阴极设置在所述OLED材料之上。所述器件进一步包括至少一个接触悬垂部，所述至少一个接触悬垂部设置在所述金属网格的相应的辅助阴极线上。所述接触悬垂部设置在所述第一多个子像素中的两个子像素之间，并且所述阴极接触所述至少一个接触悬垂部的至少主干(stem)部分。所述至少一个接触悬垂部具有被定义为悬垂高度与悬垂深度之比的接触悬垂比，其中所述接触悬垂比是约1.0:1.0至约1.0:1.5。
附图说明
为了可详细地理解本公开内容的上述特征结构的方式，可参考多个实施方式来得到以上简要地概述的本公开内容的更详细的描述，附图中示出了多个实施方式中的一些。然而，需注意，附图仅仅示出了多个示例性实施方式，并且因此不应当被视为对本公开内容范围的限制，并且可承认多个其他等效实施方式。
图1A和图1C是根据本文描述的多个实施方式的子像素电路的示意性横截面图。
图1B和图1D是根据本文描述的多个实施方式的子像素电路的示意性横截面图。
图1E是根据本文描述的多个实施方式的子像素电路的示意性顶视图。
图2A和图2B是根据本文描述的多个实施方式的子像素电路的一部分的示意性横截面图。
图3是根据本文描述的多个实施方式的子像素电路的示意性顶视图。
图4是根据本文描述的多个实施方式的用于形成如图5A至图5E和图6A和图6B所示的子像素电路的方法的流程图。
图5A至图5E是在根据本文描述的多个实施方式的方法期间的子像素电路的示意性顶视图。
图6A和图6B是在根据本文描述的多个实施方式的方法期间的子像素电路的示意性横截面图。
为了便于理解，已经尽可能使用相同的附图标记标示各图共有的相同元素。设想的是，一个实施方式的元素和特征结构可有益地结合在多个其他实施方式中，无需进一步陈述。
具体实施方式
本文描述的多个实施方式一般涉及显示器。更具体地，本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器(诸如有机发光二极管(OLED)显示器)中的子像素电路和形成可用于显示器中的子像素电路的方法。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一个实施方式中，显示器是顶部发射(TE)OLED显示器。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的另一个实施方式中，显示器是无源矩阵(PM)或有源矩阵(AM)OLED显示器。每个子像素具有被构造为在通电(energize)时发射白光、红光、绿光、蓝光或其他颜色的光的OLED材料。例如，第一子像素的OLED材料在通电时发射红光，第二子像素的OLED材料在通电时发射绿光，并且第三子像素的OLED材料在通电时发射蓝光.
图1A和图1C是子像素电路100的示意性横截面图。图1A是沿图1E的截面线截取的。子像素电路100包括基板102。基板102包括但不限于硅(Si)、二氧化硅(SiO2)、熔融石英(fused silica)、石英(quartz)、碳化硅(SiC)、锗(Ge)、硅锗(SiGe)、磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、氮化硅(SiN)或含蓝宝石材料。多个金属层104设置在基板102之上。金属层104被构造为作为相应的子像素的阳极操作。金属层104包括但不限于铬、钛、金、银、铜、铝、ITO、它们的组合或其他合适的导电材料。金属层104可以是透明的或反射的，这取决于子像素电路100将用作底部发射显示器还是顶部发射显示器。
阳极限定层(ADL)108设置在金属层104和基板102上。ADL 108中的开口暴露金属层104的阳极114。子像素电路100的每个相应的子像素118包括阳极114。在一个实施方式中，ADL 108包括但不限于聚酰亚胺材料。在另一个实施方式中，ADL 108包括第一无机绝缘体材料。第一无机绝缘体材料包括但不限于氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(Si2N2O)、氟化镁(MgF2)或它们的组合。
在一个实施方式中，如图1A所示，像素限定层(PDL)结构110设置在基板102、多个金属层104和ADL 108上。PDL结构110包括第二无机绝缘体材料。第二无机绝缘体材料包括但不限于氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(Si2N2O)、氟化镁(MgF2)或它们的组合。在一些实施方式中，第一无机绝缘体材料和第二无机绝缘体材料是相同材料。相邻PDL结构110限定相应的子像素118并且进一步限定子像素电路100中的子像素118的金属层104的阳极114。在另一个实施方式中，如图1C所示，未提供PDL结构110。相邻ADL 108限定子像素电路100中的相应子像素118。
在ADL 108之上沉积PDL结构110(如果需要的话)之前，将金属网格112设置在ADL108之上。PDL结构110随后设置在ADL 108和金属网格112之上，如图1A所示。在ADL 108上设置金属网格112提供了金属网格112的绝缘。金属网格112设置在每个相应的子像素118之间。金属网格112包括导电材料，诸如金属。例如，金属网格112包括但不限于铬、钛、铝、ITO或它们的组合。金属网格112具有金属网格宽度116。金属网格宽度116是至少1μm。在一个示例中，金属网格宽度116是约10μm。在另一个示例中，金属网格宽度116在约20μm与约30μm之间。
在金属网格112上形成接触悬垂部122。接触悬垂部122包括但不限于导电含金属材料。例如，含金属材料包括铜、钛、铝、钼、银、铟锡氧化物、铟锌氧化物或它们的组合。接触悬垂部122包括主干部分128和悬垂部分130。悬垂部分130包括底表面132、侧表面134和顶表面136。悬垂部分130的底表面132比主干部分128宽以形成第一悬垂部138。第一悬垂部138允许接触悬垂部122的悬垂部分130在主干部分128之上形成遮蔽效应(shadowingeffect)。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一个实施方式中，主干部分128和悬垂部分130的含金属材料是相同的。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的另一个实施方式中，主干部分128和悬垂部分130的含金属材料是不同的。
子像素电路100包括多个子像素118。本文描述的多个实施方式的子像素电路100可包括一个或多个子像素118，诸如第一子像素和第二子像素。每个子像素118具有有机发光二极管(OLED)材料120。OLED材料120设置在金属层104上。在一个示例中，如图1A所示，OLED材料120也设置在相邻PDL结构110上。在另一个示例中，如图1C所示，OLED材料120也设置在ADL 108上。OLED材料120可经由蒸发沉积进行沉积。OLED材料120被构造为在通电时发射白光、红光、绿光、蓝光或其他颜色的光。例如，子像素118的OLED材料120被构造为在通电时发射红光、在通电时发射绿光、在通电时发射蓝光或在通电时发射白光中的一种。OLED材料120可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)和电子传输层(ETL)中的一个或多个层。
阴极124设置在OLED材料之上。阴极124包括导电材料，诸如金属。例如，阴极124包括但不限于铬、钛、铝、ITO或它们的组合。阴极124设置在每个子像素118中的OLED材料120之上。第一悬垂部138的遮蔽效应限定在OLED材料120和阴极124中的每一者的蒸发沉积期间的沉积角。OLED材料120不接触接触悬垂部122和金属网格112。阴极124至少接触接触悬垂部122的主干部分128和金属网格112。在可与本文描述的其他多个实施方式组合的一些实施方式中，阴极124接触接触悬垂部122的主干部分128和悬垂部分130。
接触悬垂部122包括悬垂深度140。悬垂深度140被定义为从主干部分128到侧表面134的距离。接触悬垂部122进一步包括悬垂高度142。在图1A中，悬垂高度142被定义为从PDL结构110到底表面132的距离。在图1C中，悬垂高度142被定义为从ADL 108到底表面132的距离。接触悬垂比被定义为悬垂高度142与悬垂深度140之比。接触悬垂部122的接触悬垂比是约1.0:0.5至约1.0:3.0。例如，接触悬垂部122的接触悬垂比是约1.0:1.5。接触悬垂比允许阴极124在第一悬垂部138下方延伸，使得阴极124至少接触接触悬垂部122的主干部分128。
每个子像素118包括包封层126。包封层126可以是或可对应于局部钝化层。相应的子像素118的包封层126设置在阴极124(以及OLED材料120)和PDL结构110(如果提供的话)之上。包封层126包括非导电无机材料，诸如含硅材料。含硅材料可包括含Si3N4材料。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一个实施方式中，包封层126在接触悬垂部122的悬垂部分130的至少一部分下方并沿主干部分128延伸。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一些实施方式中，包封层126设置在接触悬垂部122的底表面132之上。在可与本文描述的其他多个实施方式组合的一些实施方式中，包封层126设置在接触悬垂部122的侧表面134和接触悬垂部122的顶表面136之上。
子像素电路100可进一步至少包括整体钝化层144，该整体钝化层设置在接触悬垂部122和包封层126之上。中间层146可设置在整体钝化层144与接触悬垂部122和包封层126之间。中间层146可以是喷墨层。喷墨层可包括丙烯酸材料。
图1B和图1D是子像素电路100的示意性横截面图。图1B是沿图1E的截面线截取的。如上所述，子像素电路100包括金属网格112、接触悬垂部122、OLED材料120、阴极124和包封层126。在一个示例中，如图1B所示，子像素电路100包括PDL结构110。在另一个示例中，如图1C所示，子像素电路100不包括PDL结构110。
在一个示例中，如图1B所示，无机悬垂结构148设置在PDL结构110上。在另一个示例中，如图1D所示，无机悬垂结构148设置在金属网格112上。无机悬垂结构148对子像素电路100是永久性的。无机悬垂结构148进一步限定子像素电路100的每个子像素118。无机悬垂结构148包括非导电无机材料或导电无机材料中的至少一种。非导电无机材料包括但不限于无机含硅材料或聚合物材料。例如，含硅材料包括硅的氧化物或氮化物或它们的组合。导电无机材料包括但不限于含金属材料。例如，含金属材料包括铜、钛、铝、钼、银、铟锡氧化物、铟锌氧化物或它们的组合。无机悬垂结构148阻碍OLED材料120和阴极124的连续沉积。
无机悬垂结构148包括结构主干部分150和结构悬垂部分152。结构悬垂部分152包括结构底表面154、结构侧表面156和结构顶表面158。结构底表面154比结构主干部分150宽以形成第二悬垂部160。第二悬垂部160允许接触悬垂部122的结构悬垂部分152遮蔽结构主干部分150。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一个实施方式中，结构主干部分150和结构悬垂部分152包括相同材料。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的另一个实施方式中，结构主干部分150和结构悬垂部分152包括不同材料。
无机悬垂结构148包括悬垂结构深度162。悬垂结构深度162被定义为从结构主干部分150的顶点151到结构侧表面156的距离。无机悬垂结构148进一步包括悬垂结构高度164。在一个示例中，如图1B所示，悬垂结构高度164被定义为从PDL结构110到结构底表面154的距离。在另一个示例中，如图1D所示，悬垂结构高度164被定义为从金属网格112到结构底表面154的距离。悬垂结构比被定义为悬垂结构高度164与悬垂结构深度162之比。无机悬垂结构148的悬垂结构比是约1.0:2.0至约1.0:3.0，或者是约1.0:1.2至约1.0:1.3。悬垂结构比允许阴极124沉积在第二悬垂部160下方，使得阴极124接触在第二悬垂部160下方的OLED材料120。在一个示例中，如图1B所示，阴极124接触OLED材料120和PDL结构110。在另一个示例中，如图1D所示，阴极124接触OLED材料120和金属网格112。
在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一个实施方式中，包封层126在无机悬垂结构148的结构悬垂部分152的至少一部分下方并沿结构主干部分150延伸。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一些实施方式中，包封层126设置在无机悬垂结构148的结构底表面154之上。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一些实施方式中，包封层126设置在无机悬垂结构148的结构侧表面156和无机悬垂结构148的结构顶表面158之上。
图1E是子像素电路100的示意性顶视图。图1E示出的子像素电路100对应于图1A和图1B示出的子像素电路100。子像素电路100包括接触悬垂部122的第一构造。如图1E所示，子像素电路100包括多个像素开口166。每个像素开口166与相邻无机悬垂结构148邻接，相邻无机悬垂结构148限定子像素118中的每一个限定子像素118要形成的位置。子像素电路100进一步包括PDL结构110，该PDL结构进一步限定子像素118中的每一个限定子像素118将形成的位置。相邻PDL结构110限定相应的子像素并暴露子像素电路100的相应的子像素的金属层104(即，阳极层)的阳极114。接触悬垂部122设置在相邻子像素118之间。接触悬垂部122设置在PDL结构110的暴露部分168中。暴露部分168形成在PDL结构110中以暴露设置在暴露部分168下方的ADL 108上的金属网格112。暴露部分168允许接触悬垂部122接触金属网格112。
图2A是图1A示出的子像素电路100的部分205的示意性横截面图。接触悬垂部122设置在PDL结构110的暴露部分168中。PDL结构110进一步包括设置在PDL结构110下方的ADL108。暴露部分168允许接触悬垂部122接触金属网格112。部分205示出了OLED材料120、阴极124和包封层126。OLED材料120不接触接触悬垂部122。阴极124至少接触金属网格112的主干部分128。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一些实施方式中，阴极124接触PDL结构110。接触悬垂部122提供与金属网格112的电接触。因此，与接触悬垂部122接触的阴极124将经由接触悬垂部122从金属网格112接收电流。接触悬垂比提供用于阴极124的蒸发沉积以接触接触悬垂部122。此外，蒸发沉积源(evaporation deposition source)可以不同角度沉积阴极124与OLED材料120，以调整阴极124与OLED材料120的设置位置。
器件泄漏因在阳极114与阴极124之间的最小距离而发生。另外地，器件泄漏可能因OLED材料120接触无机悬垂结构148而发生。与其他方法相比，接触悬垂部122可操作以通过增大阴极接触点(即，阴极124接触接触悬垂部122的位置)与子像素中的金属层104的阳极114之间的距离来减少子像素电路300内的泄漏。例如，在阴极接触点(即，阴极124接触接触悬垂部122的位置)与金属层104的阳极114之间的距离在约10mm与约5英寸之间。增大距离将减少泄漏发生，因为接触悬垂部122减少了阴极接触点的数量，从而增大了阴极接触点与阳极114之间的距离。
图2B是图1B示出的子像素电路100的部分210的示意性横截面图。无机悬垂结构148设置在PDL结构110之上。PDL结构110进一步包括设置在PDL结构110下方的ADL 108。部分210示出了OLED材料120、阴极124和包封层126。OLED材料120不接触接触悬垂部122。阴极124不接触无机悬垂结构148。悬垂结构比提供用于阴极124的蒸发沉积以不接触无机悬垂结构148。因此，无机悬垂结构148的形成不要求相同精度。例如，无机悬垂结构148可以较低精度形成，只要悬垂结构比防止OLED材料120和阴极124的连续沉积即可。子像素电路300的设计允许利用底部发射显示器中通常利用的无机悬垂结构148来形成顶部发射显示器。底部发射显示器利用具有较低照片精度要求的无机悬垂结构148。
图3是子像素电路300的示意性顶视图。子像素电路300是具有接触悬垂部122的第二构造的子像素电路100(图1A至图1E中所示)的实施方式。接触悬垂部122设置在相邻子像素118之间。子像素电路300包括无机悬垂结构148。子像素电路300包括多个像素开口166。每个像素开口166与相邻无机悬垂结构148邻接，相邻无机悬垂结构148限定子像素118中的每一个子像素118要形成的位置。相邻PDL结构110和相邻无机悬垂结构148限定相应的子像素118。如图3所示，子像素电路300包括5×5网格的子像素118，使得有25个子像素118。每个子像素118可操作以发射不同颜色的光。例如，每个子像素118在激活时可发射红光、绿光、蓝光或白光中的一种光。
子像素电路300包括子电路C1、C2、C3、C4、……、CN。子电路C1至CN各自包括多个子像素118。子电路C1至CN穿过基板102上的子像素电路300对应于多个金属层104。每个子电路C1至CN包括一个或多个接触悬垂部122。子像素电路300进一步包括金属网格112。金属网格112包括多个辅助阴极线R1、R2、R3、R4、……、RM。金属网格112的辅助阴极线R1至RM垂直于子电路C1至CN。金属网格112的辅助阴极线R1至RM设置在阳极限定层(ADL)108下方。多个金属层104垂直于金属网格112。接触悬垂部122中的每一个接触悬垂部122接触金属网格112的相应的辅助阴极线R1至RM。增加子电路C1至CN的数量和辅助阴极线R1至RM的数量将在子像素电路300上提供更多的子像素118。
子像素电路300允许单独地激活子电路C1至CN中的每一个子电路。为了激活特定子电路C1至CN，通过金属网格112提供电流。向在要激活的对应的子电路C1至CN中具有接触悬垂部122的辅助阴极线R1至RM的金属网格112提供电压和/或电流。电流通过金属网格112供应并流向接触悬垂部122。金属网格112连接到公共接地线。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一些实施方式中，可将负电压施加到金属网格112。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一个实施方式中，每个金属网格112电连接到基板102上的薄膜晶体管(未示出)，该薄膜晶体管向每个金属网格112提供电流和/或电压。接触悬垂部122与要激活的子电路C1至CN中的阴极124(图1A至图1E中所示)接触。
用于激活子电路C1中的多个子像素118的电流的示例由线301指示。如图3所示，电流流过辅助阴极线R1的金属网格112。电流流向子电路C1中的接触悬垂部122。接触悬垂部122与沿子电路C1设置的阴极124接触。因此，电流和/或电压可操作地通过阴极124流过整个子电路C1。电流从阴极124流向OLED材料120并进入子电路C1的金属层104。为柱I1的金属层104提供电流，从而允许激活子电路C1中的子像素118。
子电路C1至CN中的子像素118可操作以发射光。子像素电路300可操作以单独地且独立地激活每个子电路C1至CN。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一个实施方式中，子电路C1至CN中的每一个子电路中的子像素118是单色的。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的另一个实施方式中，子电路C1至CN中的子像素118中的每一个子像素118可操作以发射不同颜色的光。例如，第一子电路C1中的子像素118发射红光，第二子电路C2中的子像素118发射绿光，第三子电路C3中的子像素118发射蓝光，并且第四子电路C4中的子像素118发射白光。
接触悬垂部122可根据需要布置在子像素电路300中。子电路C1至CN中的每一个子电路包括至少一个接触悬垂部122。例如，子电路C1至CN中的每一个子电路可包括多于一个接触悬垂部122。接触悬垂部122被定位成使得在相邻接触悬垂部122之间的距离是约50mm至约7英寸。
图4是用于形成如图5A至图5E以及图6A和图6B示出的子像素电路100的方法400的流程图。方法400对应于图1A和图1B示出的子像素电路100。图5A至图5E是在方法400期间子像素电路100的示意性顶视图。图6A和图6B在方法400期间的子像素电路100的示意性横截面图。为了便于说明，方法400将参考具有接触悬垂部122的第一构造的子像素电路100来描述。然而，可执行方法400以形成具有接触悬垂部122的任何构造的任何子像素电路(例如，子像素电路300)。
在操作401处，如图5A所示，将多个金属层104设置在基板102之上。可将多个金属层104图案化在基板102上。在可与本文描述的多个其他实施方式组合的一个实施方式中，金属层104被预图案化在基板102上。例如，基板102是预图案化铟锡氧化物(ITO)玻璃基板。
在操作402处，如图5B所示，将阳极限定层(ADL)108设置在基板102和多个金属层104之上。进一步图案化ADL 108以暴露多个金属层104(即，阳极层)的阳极114。每个阳极114与要形成的离散子像素118(诸如图1E示出的多个子像素118)相关联。可通过图案化光刻胶涂层和后续蚀刻来图案化ADL 108。
在操作403处，如图5C所示，将金属网格112设置在ADL 108之上。将金属网格112设置在多个金属层104的暴露部分之间。金属网格112垂直于多个金属层104设置。金属网格112由ADL 108绝缘。
在操作404处，如图5D所示，将PDL结构110设置在金属网格112和ADL 108之上。进一步图案化PDL结构110以在PDL结构110中形成暴露部分168。暴露部分168暴露暴露部分168下方的金属网格112。PDL结构110提供金属网格112的湿气绝缘。
在操作405处，如图5E所示，形成多个无机悬垂结构148。将多个无机悬垂结构148形成在PDL结构110之上。将多个无机悬垂结构148形成在多个金属层104的暴露部分的相对侧上。多个无机悬垂结构148平行于多个金属层104形成。多个无机悬垂结构148包括第二悬垂部160。相邻PDL结构110和相邻无机悬垂结构148限定相应的子像素118。
在操作406处，如图6A所示，在暴露部分168中形成接触悬垂部122。将接触悬垂部122形成在暴露部分168中并且接触设置在暴露部分168下方的金属网格112。将接触悬垂部122形成在相邻子像素118之间。可形成的接触悬垂部122的数量不受限制。由于要形成的子像素电路将单独地控制每个子电路，因此每个子像素不要求接触悬垂部122。接触悬垂部122的利用允许形成大规模显示器。接触悬垂部122包括第一悬垂部138。
在操作407处，如图6B所示，设置OLED材料120、阴极124和包封层126。OLED材料120、阴极124和包封层126通过蒸发沉积来沉积。第一悬垂部138和第二悬垂部160的遮蔽提供用于限定OLED材料120和阴极124中的每一者的蒸发沉积。接触悬垂部122和无机悬垂结构148的遮蔽效应限定OLED材料120和阴极124在蒸发沉积期间沉积的角度。例如，由第一悬垂部138限定的蒸发沉积角使阴极124在第一悬垂部138下方延伸并接触接触悬垂部122。由第二悬垂部160限定的蒸发角使阴极124不接触接触悬垂部122。此外，蒸发沉积源可操作来以不同沉积角沉积OLED材料120和阴极124，以进一步限定OLED材料120和阴极124的沉积位置。可针对每个附加子像素118重复操作407。在操作408处，如图1B所示，设置中间层146和整体钝化层144。
总之，本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成可用于显示器中的子像素电路的方法。子像素电路包括多个接触悬垂部。多个接触悬垂部设置在要形成的子像素电路的相邻子像素之间。接触悬垂部形成在穿过PDL结构设置的金属网格之上。阴极经由蒸发沉积进行沉积以与接触悬垂部进行接触。金属网格垂直于设置在基板上的多个金属层。为了激活子像素电路的单独子电路，将电流施加到金属网格。电流流向接触悬垂部并流向要激活的子电路中的阴极。电流流过OLED材料并流向多个金属层中的一个金属层以激活子像素的子电路中的一个子电路。接触悬垂部允许以较低精度形成子电路的悬垂结构。接触悬垂部还减少了器件泄漏的发生，从而提高子电路的性能。
虽然前述内容针对的是本公开内容的多个实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设想本公开内容的多个其他和进一步实施方式，并且本公开内容的范围由所附权利要求书的范围确定。

Claims (20)

1.一种子电路，包括：
金属网格，所述金属网格设置在阳极限定层上，所述阳极限定层暴露设置在基板之上的阳极；
无机悬垂结构，所述无机悬垂结构设置在所述金属网格之上，相邻阳极限定层限定所述子电路的多个子像素，所述多个子像素中的每个子像素包括：
阳极，所述阳极由所述阳极限定层限定；
有机发光二极管材料，所述有机发光二极管材料设置在所述阳极之上并与所述阳极接触；和
阴极，所述阴极设置在所述有机发光二极管材料之上；和
至少一个接触悬垂部，所述至少一个接触悬垂部设置在所述金属网格的相应的辅助阴极线上，所述接触悬垂部设置在所述多个子像素中的两个子像素之间，其中所述阴极接触所述接触悬垂部。
2.如权利要求1所述的子电路，进一步包括像素限定层结构，所述像素限定层结构设置在所述阳极限定层之上，其中相邻像素限定层结构进一步限定所述子电路的所述多个子像素。
3.如权利要求2所述的子电路，其中所述至少一个接触悬垂部设置在用以暴露所述金属网格的所述像素限定层结构的暴露部分中。
4.如权利要求1所述的子电路，其中所述多个子像素中的每个子像素进一步包括设置在所述阴极、所述接触悬垂部、所述至少一个接触悬垂部和所述无机悬垂结构之上的包封层。
5.如权利要求4所述的子电路，其中所述包封层接触所述无机悬垂结构的结构主干部分和结构底表面。
6.如权利要求4所述的子电路，进一步包括中间层和整体钝化层，所述中间层和所述整体钝化层设置在所述无机悬垂结构、所述至少一个接触悬垂部和所述包封层之上。
7.如权利要求1所述的子电路，其中所述子电路的所述阴极与所述至少一个接触悬垂部的主干部分接触。
8.如权利要求1所述的子电路，其中所述子电路可操作以通过将电流施加到接触所述至少一个接触悬垂部的所述相应的辅助阴极线来激活。
9.一种器件，包括：
基板；
多个金属层，所述多个金属层设置在所述基板之上；和阳极限定层，所述阳极限定层设置在所述多个金属层和所述基板之上，所述阳极限定层限定所述器件的阳极；
金属网格，所述金属网格设置在所述阳极限定层之上，相邻阳极限定层限定所述器件的子像素；
多个子电路，每个子电路包括：
设置在所述阳极限定层上的所述金属网格；
无机悬垂结构，所述无机悬垂结构设置在所述金属网格上；
第一多个子像素，所述第一多个子像素中的每个子像素包括：
阳极，所述阳极由所述阳极限定层限定；
有机发光二极管材料，所述有机发光二极管材料设置在所述阳极之上并与所述阳极接触；和
阴极，所述阴极设置在所述有机发光二极管材料之上；和
至少一个接触悬垂部，所述至少一个接触悬垂部设置在所述金属网格的相应的辅助阴极线上，所述接触悬垂部设置在所述第一多个子像素中的两个子像素之间，其中所述阴极接触所述接触悬垂部。
10.如权利要求9所述的器件，进一步包括像素限定层结构，所述像素限定层结构设置在所述阳极限定层之上，其中相邻像素限定层结构进一步限定所述子电路的所述第一多个子像素。
11.如权利要求10所述的器件，其中所述金属网格通过所述像素限定层结构的暴露部分暴露，所述至少一个接触悬垂部设置在所述暴露部分中的所述金属网格上。
12.如权利要求9所述的器件，其中所述第一多个子像素中的每个子像素进一步包括设置在所述阴极、所述接触悬垂部、所述至少一个接触悬垂部和所述无机悬垂结构之上的包封层。
13.如权利要求12所述的器件，其中所述包封层接触所述无机悬垂结构的结构主干部分和结构底表面。
14.如权利要求12所述的器件，进一步包括中间层和整体钝化层，所述中间层和所述整体钝化层设置在所述无机悬垂结构、所述至少一个接触悬垂部和所述包封层之上。
15.如权利要求9所述的器件，其中所述阴极接触所述至少一个接触悬垂部的至少主干部分。
16.如权利要求9所述的器件，其中所述无机悬垂结构具有被定义为悬垂结构高度与悬垂结构深度之比的悬垂结构比，其中所述悬垂结构比是约1.0:1.2至约1.0:1.3。
17.如权利要求9所述的器件，其中所述至少一个接触悬垂部具有被定义为悬垂高度与悬垂深度之比的接触悬垂比，其中所述接触悬垂比是约1.0:1.0至约1.0:1.5。
18.如权利要求9所述的器件，其中所述至少一个接触悬垂部包括主干部分和悬垂部分，其中所述悬垂部分比所述主干部分宽以形成第一悬垂部。
19.如权利要求9所述的器件，其中所述多个金属层垂直于所述金属网格。
20.一种器件，包括：
基板；
多个金属层，所述多个金属层设置在所述基板之上；和阳极限定层，所述阳极限定层设置在所述多个金属层和所述基板之上，所述阳极限定层限定所述器件的阳极；
金属网格，所述金属网格设置在所述阳极限定层之上，相邻阳极限定层限定所述器件的子像素；
多个子电路，每个子电路包括：
设置在所述阳极限定层上的所述金属网格；
无机悬垂结构，所述无机悬垂结构设置在所述金属网格之上；
第一多个子像素，所述第一多个子像素中的每个子像素包括：
阳极，所述阳极由所述阳极限定层限定；
有机发光二极管材料，所述有机发光二极管材料设置在所述阳极之上并与所述阳极接触；和
阴极，所述阴极设置在所述有机发光二极管材料之上；和
至少一个接触悬垂部，所述至少一个接触悬垂部设置在所述金属网格的相应的辅助阴极线上，所述接触悬垂部设置在所述第一多个子像素中的两个子像素之间，其中所述阴极接触所述至少一个接触悬垂部的至少主干部分，并且其中所述至少一个接触悬垂部包括被定义为悬垂高度与悬垂深度之比的接触悬垂比，其中所述接触悬垂比是约1.0:1.0至约1.0:1.5。
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