KR20060067875A - 유기 무기 하이브리드 재료 및 나노임프린트 기술을 이용한미세 구조체의 제조 방법 및 이 방법으로부터 제조된 미세구조체 - Google Patents

유기 무기 하이브리드 재료 및 나노임프린트 기술을 이용한미세 구조체의 제조 방법 및 이 방법으로부터 제조된 미세구조체 Download PDF

Info

Publication number
KR20060067875A
KR20060067875A KR1020050123018A KR20050123018A KR20060067875A KR 20060067875 A KR20060067875 A KR 20060067875A KR 1020050123018 A KR1020050123018 A KR 1020050123018A KR 20050123018 A KR20050123018 A KR 20050123018A KR 20060067875 A KR20060067875 A KR 20060067875A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
refractive index
organic
inorganic hybrid
hybrid material
transparent substrate
Prior art date
Application number
KR1020050123018A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100955018B1 (ko
Inventor
츠토무 모리모토
노부히토 미우라
나가노리 츠츠이
가즈히코 후지이
겐지 고자키
용춘 루오
나오미 나가이
Original Assignee
가부시끼가이샤 아이테스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 아이테스 filed Critical 가부시끼가이샤 아이테스
Publication of KR20060067875A publication Critical patent/KR20060067875A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100955018B1 publication Critical patent/KR100955018B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0009—Forming specific nanostructures
    • B82B3/0038—Manufacturing processes for forming specific nanostructures not provided for in groups B82B3/0014 - B82B3/0033
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
    • F21V3/04—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

본 발명은, 입사된 빛을 효율적으로 통과시킬 수 있는 미세 요철부를 갖는 미세 구조체를 에칭 프로세스가 아니라 나노임프린트(nanoimprint) 기술을 이용하여, 경제적으로 제조하는 방법을 제공한다.
나노임프린트 기술을 이용하여, 투명 기판 상에 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 금속 산화물 및/또는 알콕사이드를 첨가함으로써 굴절율을 제어한 유기 무기 하이브리드 재료를 도포하는 단계와, 상기 유기 무기 하이브리드 재료를 도포한 기판을 예비소성(prebaking)하는 단계와, 도포된 상기 유기 무기 하이브리드 재료에 미세한 요철부를 갖는 금형을 감압 상태 하에 압착하여 가열하는 단계와, 상기 금형을 상기 유기 무기 하이브리드 재료로부터 이형하는 단계에 의해 미세 구조체를 제조한다.

Description

유기 무기 하이브리드 재료 및 나노임프린트 기술을 이용한 미세 구조체의 제조 방법 및 이 방법으로부터 제조된 미세 구조체{METHOD FOR PRODUCING A MICROSTRUCTURE USING ORGANIC-INORGANIC HYBRIDE MATERIALS AND NANO-IMPRINT TECHNOLOGY, AND THE MICROSTRUCTURE THEREFOF}
도 1은 본 발명에 따른 미세 구조체의 제조 방법을 도시하는 공정도이다.
도 2는 미세 구조체의 종래의 제조 방법을 도시하는 공정도이다.
도 3은 본 발명에 따른 미세 구조체의 제조 방법을 도시하는 장치의 개략도이다.
도 4는 미세 구조체의 사시도와 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 미세 구조체의 제조 방법에 사용하는 나노임프린트 장치의 블록도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101 : 투명 기판
102 : 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 금속 산화물 및/또는 알콕사이드가 첨가된 유기 무기 하이브리드 재료막
103 : 미세 요철부를 갖는 금형
104 : 미세 구조체
202 : 레지스트
203 : 미세 요철부를 갖는 금형
601 : 감압 장치부
603 : 시료대
605 : 금형 부착부
본 발명은, 굴절율 등의 물리 특성을 제어하는 것이 가능한 유기 무기 하이브리드 재료 및 나노임프린트 기술을 이용하여 미세 구조체를 제조하는 방법 및 미세 구조체에 관한 것이다.
조명 기구 또는 표시 장치의 고휘도화를 도모하기 위해서는, 발광 소자가 방출한 빛을 효율적으로, 조명 기구 또는 표시 장치의 외부로 빼낼 필요가 있다. 그러나, 일반적으로는, 발광 소자로부터 방출된 빛은 그 주위의 투명 기판 등을 통과하여 외부로 나올 때까지, 방출한 빛의 20% 정도로 감쇠되어 버린다. 이 감쇠의 주된 원인은 표시 소자의 기판이나 커버인 유리 등과 외계의 공기와의 계면에 있어서의 반사인 것으로 알려져 있다. 또한, 이 반사를 방지하기 위해서는 굴절율이 다른 물질의 계면에 가시광의 파장 이하의 미세한 요철 구조를 형성하는 것이 유효하다는 것도 실증되어 있다. 이러한 미세 요철부를 갖는 구조체는 종래에는 에칭 공정을 이용하여 제조되고 있었다.
비특허문헌 1: S. Y. Chou, et al., Appl. Phys. Lett. 67, 3114(1995)
비특허문헌 2: S. Y. Chou, P. R. Krauss and P. J Renstrom, Science. 85, 272(1996)
그러나, 이 에칭 공정은 공정이 복잡하며, 이 에칭 공정을 이용하여 제조하고 있는 한, 제조 비용의 저감에는 한계가 있어, 제조 비용이 고가가 된다고 하는 과제를 갖고 있었다. 또한, 상기 미세 요철부를 갖는 구조체에 있어서의 반사를 저감시키기 위해서는 미세 요철부를 갖는 구조체의 굴절율을 적당한 값으로 제어할 필요가 있다고 하는 과제도 있다.
그래서, 본 발명은, 에칭 공정을 이용하지 않고, 나노임프린트 기술을 이용하여, 굴절율을 제어할 수 있는 상태에서, 상기 미세 요철부를 갖는 구조체를 저렴하게 제조하는 방법 및 미세 요철부를 갖는 구조체를 제안한다.
상기 과제를 해결하기위해서, 청구항 1에 기재한 발명은 미세 구조체를 제조하는 방법에 관한 것으로, 투명 기판 상에 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 금속 산화물 및/또는 알콕사이드를 첨가함으로써 굴절율을 제어한 유기 무기 하이브리드 재료를 도포하는 단계와, 상기 유기 무기 하이브리드 재료를 도포한 기판을 예비소성하는 단계와, 도포된 상기 유기 무기 하이브리드 재료에 미세한 요철부를 갖는 금형을 감압 상태 하에 압착하여 가열하는 단계와, 상기 금형을 상기 유기 무기 하이브리드 재료로부터 이형하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 2에 기재한 발명은, 청구항 1에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 1.0 내지 2.45의 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 3에 기재한 발명은, 청구항 1에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45의 범위 내에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 4에 기재한 발명은, 청구항 1에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 5에 기재한 발명은, 청구항 1에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 6에 기재한 발명은, 상기 미세 구조체의 제조 방법의 발명에 관한 것으로, 상기 투명 기판의 양면에 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 금속 산화물 및/또는 알콕사이드를 첨가함으로써 굴절율을 제어한 유기 무기 하이브리드 재료를 도포하는 단계와, 상기 유기 무기 하이브리드 재료를 도포한 기판을 예비소성하는 단계와, 도포된 상기 유기 무기 하이브리드 재료에 미세한 요철부를 갖는 금형을 감압 상태 하에 상기 투명 기판의 양면에서 압착하여 가열하는 단계와, 상기 금형을 상기 유기 무기 하이브리드 재료로부터 이형하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 7에 기재한 발명은, 상기 청구항 6에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 8에 기재한 발명은, 상기 청구항 6에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45의 범위에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 9에 기재한 발명은, 상기 청구항 6에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 10에 기재한 발명은, 상기 청구항 6에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이 내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 11에 기재한 발명은, 상기 미세 구조체의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 투명 기판 상에 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 금속 산화물 및/또는 알콕사이드를 첨가함으로써 굴절율을 제어한 유기 무기 하이브리드 재료를 도포하는 단계와, 상기 투명 기판 상에 도포된 도포막 중에 포함되는 기포를 감압 장치로 탈포하는 단계와, 상기 유기 무기 하이브리드 재료를 도포한 기판을 예비소성하는 단계와, 상기 유기 무기 하이브리드 재료에 미세한 요철부를 갖는 금형을 감압 상태 하에 압착하여 가열하는 단계와, 상기 금형을 상기 유기 무기 하이브리드 재료로부터 이형하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 12에 기재한 발명은, 청구항 11에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 13에 기재한 발명은, 청구항 11에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45의 범위에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 14에 기재한 발명은, 청구항 11에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철 부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 15에 기재한 발명은, 청구항 11에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 16에 기재한 발명은, 상기 미세 구조체의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 투명 기판의 양면에 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 금속 산화물 및/또는 알콕사이드를 첨가함으로써 굴절율을 제어한 유기 무기 하이브리드 재료를 도포하는 단계와, 상기 투명 기판의 양면에 도포된 도포막 중에 포함되는 기포를 감압 장치로 탈포하는 단계와, 상기 유기 무기 하이브리드 재료를 도포한 기판을 예비소성하는 단계와, 상기 유기 무기 하이브리드 재료에 미세한 요철부를 갖는 금형을 감압 상태 하에 상기 투명 기판의 양면에서 압착하여 가열하는 단계와, 상기 금형을 상기 유기 무기 하이브리드 재료로부터 이형하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 17에 기재한 발명은, 청구항 16에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 18에 기재한 발명은, 청구항 16에 기재한 제조 방법에 관한 것 으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45의 범위에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 19에 기재한 발명은, 청구항 16에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 20에 기재한 발명은, 청구항 16에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 21에 기재한 발명은, 청구항 1에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료의 주성분은 Si 알콕사이드이며, 그것에 Ti 산화물 및/또는 Ti 알콕사이드 및/또는 Ge 산화물 및/또는 Ge 알콕사이드를 첨가제로서 가하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 22에 기재한 발명은, 청구항 21에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 23에 기재한 발명은, 청구항 21에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 24에 기재한 발명은, 청구항 21에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 25에 기재한 발명은, 청구항 21에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 26에 기재한 발명은, 청구항 6에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료의 주성분은 Si 알콕사이드이며, 그것에 Ti 산화물 및/또는 Ti 알콕사이드 및/또는 Ge 산화물 및/또는 Ge 알콕사이드를 첨가제로서 가하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 27에 기재한 발명은, 청구항 26에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절 율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 28에 기재한 발명은, 청구항 26에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 29에 기재한 발명은, 청구항 26에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 30에 기재한 발명은, 청구항 26에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 31에 기재한 발명은, 청구항 11에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료의 주성분은 Si 알콕사이드이며, 그것에 Ti 산화물 및/또는 Ti 알콕사이드 및/또는 Ge 산화물 및/또는 Ge 알콕사이드를 첨가제로서 가하는 것을 특징하고 있다.
또한, 청구항 32에 기재한 발명은, 청구항 31에 기재한 제조 방법에 관한 것 으로, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 33에 기재한 발명은, 청구항 31에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45의 범위 내에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 34에 기재한 발명은, 청구항 31에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 35에 기재한 발명은, 청구항 31에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 36에 기재한 발명은, 청구항 16에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료의 주성분은 Si 알콕사이드이며, 그것에 Ti 산화물 및/또는 Ti 알콕사이드 및/또는 Ge 산화물 및/또는 Ge 알콕사이드를 첨가제로서 가하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 청구항 37에 기재한 발명은, 청구항 36에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 38에 기재한 발명은, 청구항 36에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 39에 기재한 발명은, 청구항 36에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 40에 기재한 발명은, 청구항 36에 기재한 제조 방법에 관한 것으로, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 41에 기재한 발명은, 청구항 1 내지 청구항 40에 기재된 제조 방법에 관한 것으로, 청구항 1 내지 청구항 40에 기재된 제조 방법에 있어서, 「도포된 상기 유기 무기 하이브리드 재료에 미세한 요철부를 갖는 금형을 감압 상태 하에 압착하여 가열하는 단계」를 「도포된 상기 유기 무기 하이브리드 재료에 미세한 요철부를 갖는 금형을 압착하여 가열하는 단계」로 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 42에 기재한 발명은, 상기 투명 기판의 표면에 미세 요철부를 갖는 구조체로서, 상기 구조체는 청구항 1 내지 청구항 5, 청구항 11 내지 청구항 15, 청구항 21 내지 청구항 25, 청구항 31 내지 청구항 35 중 어느 하나에 기재된 제조 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 43에 기재한 발명은, 상기 투명 기판의 표면에 미세 요철부를 갖는 구조체로서, 상기 구조체는 청구항 6 내지 청구항 10, 청구항 16 내지 청구항 20, 청구항 26 내지 청구항 30, 청구항 36 내지 청구항 40 중 어느 하나에 기재된 제조 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 44에 기재한 발명은, 청구항 42에 기재된 미세 구조체에 관한 것으로, 상기 투명 기판 상에, 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 금속 산화물 및/또는 알콕사이드를 첨가함으로써 굴절율을 투명 기판의 굴절율과 ±0.01의 범위 내로 조정한 유기 무기 하이브리드 재료를 정형하여, 상기 투명 기판의 표면에 미세한 요철부를 형성하고, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이며, 피치가 10 nm 내지 10 μm인 미세 요철부를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 45에 기재한 발명은, 청구항 43에 기재된 양면 미세 구조체에 관한 것으로, 상기 투명 기판 상에, 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 산화물 및/또는 알콕사이드를 첨가함으로써 굴절율을 투명 기판의 굴절율과 ±0.01의 범위 내로 조정한 유기 무기 하이브리드 재료를 정형하여, 상기 투명 기판의 표면에 미 세한 요철부를 형성하고, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이며, 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한 미세 요철부를 갖는 것을 특징으로 한다.
이하, 도면을 참조하면서, 발명을 실시하기 위한 가장 바람직한 형태에 관하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 미세 구조체의 제조 방법을 도시하는 실시예의 공정도이다. 또한, 도 5는 상기 유기 무기 하이브리드 재료를 도포한 기판과 상기 미세한 요철부를 갖는 금형을 셋트하여 상기 미세 구조체를 제조하기 위해서 이용하는, 나노임프린트 장치의 블록도이다.
이하, 단계마다 설명한다.
도 1의 (a) 및 (b)는 제1 단계를 도시한다.
우선, 유기 무기 하이브리드 재료를 도포하기 전에, 투명 기판을 중성 세제(또는 순수, 알콜, 아세톤 등이라도 좋음)를 사용하여, 초음파 세정을 한다. 이어서, 유리 기판에 유기 무기 하이브리드 재료를 도포한다. 한편, 유리 기판은 상기 투명 기판의 예시이며, 투명한 기판이라면 유리 기판이 아니라도 좋다. 상기 유기 무기 하이브리드 재료에는 Si 알콕사이드를 사용한다. 다만, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 Si 알콕사이드에 한정되는 것이 아니다. 또한, 상기 유기 무기 하이브리드 재료에 굴절율을 조정하기 위한 첨가제로서, 티타늄테트라이소프록사이드(Ti 알콕사이드), 게르마늄테트라이소프록사이드(Ge 알콕사이드) 및 티타늄 산화물을 가하여 유리 기판에 도포한다. 다른 첨가제로서, 게르마늄 산화물, 알루미늄트 리이소프록사이드 및 알루미늄 산화물도 유효하다.
도 1의 (b)의 102는 상기 첨가제가 가해져 상기 투명 기판에 도포된 상기 유기 무기 하이브리드 재료의 막을 도시한다. 도포 방법은 스핀 코트, 스프레이 코트 또는 슬릿 코트 중 어느 것이라도 좋다. 또한 도포 방법은, 이들 스핀 코트 등의 방법에 한정되는 것이 아니다. 도포하는 막 두께는 100 nm 내지 10 μm로 한다.
도 1의 (c)는 제2 단계를 도시한다. 우선, 유기 무기 하이브리드 재료가 도포된 기판 전체를 예비소성한다. 핫 플레이트 또는 원적외선 히터로 소성하여, 액상의 상기 유기 무기 하이브리드 재료를 반경화시킨다. 가열 온도는 18℃ 내지 150℃이며, 가열 시간은 5분 내지 60분이다.
또한, 도 1의 (c)의 예비소성 공정 전에, 상기 유기 무기 하이브리드 재료가 도포된 기판 전체를 감압로에 일정 조건 하에 두고, 상기 유기 무기 하이브리드 재료가 도포된 기판으로부터, 기포를 탈포하는 공정을 실시하는 것은 요철부가 더욱 미세한 경우에 유효하다. 구체적으로는, 예비소성 공정 전에, 상기 기판 전체를 감압 상태(1 내지 102 Torr)에 1분 내지 5분 동안 방치한다. 이로써, 상기 유기 무기 하이브리드 재료 속에 함유되어 있는 기포를 탈포할 수 있다. 이 탈포 공정은, 감압로 속에서 실시한다. 다만, 이 탈포 공정은 필수적인 공정은 아니지만, 이 탈포 공정을 실시하면, 미세한 요철부를 정확하게 제조할 수 있다.
도 1의 (d) 및 (e)는 제3 단계를 도시한다. 도 1의 (d)는 미세한 요철부를 갖는 금형을 도시한다. 상기 금형의 미세한 요철부는 10 nm 내지 10 μm의 피치로 형성되어 있다. 또한, 미세한 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이다. 또 이 요철 의 형상은 균일하여도 좋지만, 도 1의 (d)에 도시된 바와 같이 균일하지 않더라도 좋다. 상기 요철의 형상이 균일하지 않은 경우에는, 이 미세 구조체에 맞닿게 되는 빛의 파장이 여러 가지일 때, 미세 요철부가 각종 형상과 각종 크기를 갖음으로써, 빛의 투과율을 향상시킬 수 있기 때문이다.
상기 금형은 도 5의 나노임프린트 장치의 금형 부착부(605)에 셋트된다. 또한, 상기 유기 무기 하이브리드 재료가 도포된 투명 기판은, 도 5의 나노임프린트 장치의 시료대(603)에 셋트된다. 이어서, 도 1의 (e)에 도시된 바와 같이, 상기 유기 무기 하이브리드 재료가 도포된 투명 기판에 상기 금형을 압착한다. 압착 조건은, 압착 압력이 10 내지 2000 N/cm2이며, 압착 시간은 5 내지 60분이다. 이어서, 도 1의 (f)에 도시된 바와 같이, 압착하면서 가열한다. 가열 온도는 18 내지 500℃이며, 압착 가열 시간은 5 내지 60분이다. 또한, 이 압착·가열 공정은 도 5의 감압 장치부(601)에 표시된 부분을 감압 상태로 하여 실행한다. 상기 감압의 조건은 1 내지 102 Torr이고, 감압 상태 하에서의 압착·가열 시간은 1분 내지 5분이다. 이러한 감압 상태 하에서 압착·가열을 함으로써 금형의 요철부가 미세하더라도, 반경화된 유기 무기 하이브리드 재료와 상기 금형의 미세한 요철부 사이에 생기는 미세한 공극이 반경화된 유기 무기 하이브리드 재료로 간극 없이 매립되어, 반경화된 유기 무기 하이브리드 재료와 상기 금형의 미세한 요철부 사이의 밀착성이 개선되어, 상기 금형의 미세한 요철부의 형상이 반경화된 유기 무기 하이브리드 재료에 정확하게 전사된다. 또한, 상기 공극을 매립하는 효과에 더하여, 반경화된 유기 무 기 하이브리드 재료 속의 기포를 빼는 효과도 있어, 그 효과에 의해서도, 상기 금형의 미세한 요철부의 형상이 반경화된 유기 무기 하이브리드 재료에 정확하게 전사된다. 이어서, 도 1의 (g)에 도시된 바와 같이, 금형을 상기 투명 기판으로부터 이형한다. 이상의 공정에 의해, 상기 유리 기판 상에 10 nm 내지 10 μm의 피치이며, 높이가 10 nm 내지 10 μm인 미세한 요철부가 형성된다.
또한, 굴절율을 조정하기 위해서 유기 무기 하이브리드 재료에 첨가되는 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 금속 산화물 및/또는 알콕사이드의 양을 조정함으로써, 미세한 요철부의 굴절율을 1.0 내지 2.45의 범위 내에서 임의의 값으로 조정할 수 있다. 그 효과로서, 미세 구조체의 광 투과율을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 1의 (e)에서는, 도포된 막(102)이 나타내어져 있지만, 도 1의 (f)에 있어서는, 상기 막(102)이 도시되어 있지 않은 것은, 상기 막(102)은 상기 투명 기판과 굴절율의 차이가 ±0.01의 범위 내가 될 정도로 동일 물질화하는 것을 나타내고 있다. 또한, 상기 막(102)과 상기 투명 기판(101)이 동일 물질화하여 상기 미세 구조체(104)로 된다.
또한, 양면 미세 구조체를 제조하는 경우의 제조 방법은, 기본적으로는, 이상에서 설명한 한쪽 면에 미세 요철부를 제조하는 경우의 제조 방법과 동일하다. 이하, 한쪽 면의 경우와 차이가 있는 부분에 관해서 설명한다. 우선, 도 1의 (b)의 공정에서, 상기 투명 기판의 양면에 상기 유기 무기 하이브리드 재료를 도포한다. 또한, 도 1의 (d) 및 (e)에서는, 상기 금형을 도 5의 금형 부착부(605)와 함께, 도 5의 시료대(603)에도 셋트한다. 그리고, 상기 투명 기판을 양면에서 압착·가열한 다. 다른 공정은, 한쪽 면에 미세 요철부를 제조하는 경우의 제조 방법과 마찬가지이다.
도 4의 (a)는 볼록부를 갖는 미세 구조체의 사시도이다. 도 4의 (b)는 도 4(a)의 볼록부를 갖는 미세 구조체의 단면도이다. 도 4의 (c)는 오목부를 갖는 미세 구조체의 사시도이다. 도 4의 (d)는 오목부를 갖는 미세 구조체의 단면도이다.
이어서, 상기 미세 구조체(104)의 종래의 제조 방법에 관하여 설명한다. 도 2는 종래의 제조 방법의 공정도이다. 제1 단계는 도 2의 (a) 및 (b)에 나타내어진다. 도 2의 (a)의 101은 투명 기판이다. 상기 투명 기판에 레지스트(202)를 도포한다. 제2 단계는 도 2의 (c) 및 (d)에 나타내어진다. 미세 금형(203)을 레지스트(202)에 압착한다. 상기 압착은 레지스트(202)를 선택적으로 일정한 부분의 두께를 얇게 하기 위해서이다. 도 2의 (e)는 제3 단계를 나타낸다. 상기 미세 금형(103)을 레지스트가 도포된 기판(101)으로부터 이형한다. 그 결과 레지스트(202)는 선택적으로 일정한 범위에 대해, 그 두께가 얇아져 남게 되는 부분(이하「잔사(殘渣)」라고 함)이 생긴다. 이어서, 상기 잔사를 산소 플라즈마에 의한 건식 에칭으로 제거한다. 그 결과, 도 2의 (f)에 도시된 바와 같이, 상기 투명 기판(101) 위의 일정한 부분에 선택적으로 레지스트(202)가 남는다. 제4 단계는 도 2의 (g) 및 (h)에 표시된다. 선택적으로 일정한 부분에 레지스트가 남은 상기 기판에 대하여 불산계의 화학 약품으로 에칭을 한다. 또한, CHF3 및 CF4 가스 등을 원료로 이용한 플라즈마에 의한 건식 에칭도 가능하다. 그 결과, 레지스트(202)가 남아 있지 않은 부분의 투명 기판이 선택적으로 녹아, 도 2의 (h)에 표시된 것과 같은 요철부를 갖는 기판을 제조할 수 있다. 이 종래의 제조 방법은 미세한 요철부를 형성하는 데에는 유효한 방법이지만, 에칭 공정을 이용하기 때문에 제조 비용이 고가의 것으로 된다고 하는 과제를 갖고 있었다.
본 발명에 따른 미세 구조체의 제조 방법은, 상기 제조 비용이 고가가 되는 요인인 에칭 공정을 이용하고 있지 않기 때문에, 상기 미세 구조체를 저렴하게 제조할 수 있다고 하는 효과가 있어, 상기 미세 구조체의 응용 범위가 비약적으로 넓어진다고 하는 효과도 기대할 수 있다. 응용 범위로서는, 표시 장치나 조명 장치를 생각할 수 있다. 빛의 투과율이 향상됨으로써, 동일한 휘도라도 소비 전력의 저감 등이 가능해진다.
청구항 1에 기재한 발명에 따르면, 종래에는, 에칭 공정을 이용하여 제조하고 있는 미세 구조체를 에칭 공정을 이용하지 않고서 제조할 수 있다. 에칭 공정은 용제, 산·알칼리를 사용하는 습식 에칭 또는 O2, CHF3, CF4 또는 SF6 가스로 대표되는 원료를 사용한 플라즈마 에칭이라도 좋지만, 에칭 공정은 화학 반응을 이용한 공정이라는 점 등의 이유 때문에, 상기 미세 금형을 사용하는 방법에 비교하여, 복잡한 공정이다. 그 때문에, 에칭 공정을 이용하지 않는 청구항 1에 기재한 발명에 따른 제조 방법에 의하면, 상기 미세 구조체를 저렴하게 대량으로 제조할 수 있고, 또한, 상기 미세 구조체의 용도를 종래의 것보다 확대하는 것이 가능하게 된다.
또한, 청구항 2에 기재한 발명에 따르면, 미세 구조체의 굴절율을 1.0 내지 2.45의 범위 내에서 조정할 수 있어, 미세 구조체의 투과 효율을 향상시킬 수 있 다.
또한, 청구항 3에 기재한 발명에 따르면, 굴절율을 제어하는 데에 더하여, 상기 미세 요철부의 높이를 10 nm 내지 10 μm로 하고, 또한, 상기 미세 요철부의 피치를 10 nm 내지 10 μm로 함으로써, 상기 미세 요철부의 높이와 피치를 미세 구조체를 투과하는 빛의 파장에 알맞은 것으로 할 수 있어, 미세 구조체의 투과 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 청구항 4에 기재한 발명에 따르면, 상기 미세 요철부의 굴절율을 상기 투명 기판의 굴절율에, 「투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내」로 근접시키고, 동시에 상기 미세 요철부의 높이를 10 nm 내지 10 μm로 하고, 또한 상기 미세 요철부의 피치를 10 nm 내지 10 μm로 함으로써, 상기 미세 요철부의 높이를 미세 구조체를 투과하는 빛의 파장에 알맞은 높이로 할 수 있어, 미세 구조체의 투과 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 청구항 5에 기재한 발명에 따르면, 청구항 4에 기재한 발명과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 6에 기재한 발명에 따르면, 상기 투명 기판의 양면에 미세 요철부를 갖는 구조체를 제조할 수 있어, 투명 기판의 양면에 미세 요철부를 필요로 하는 용도에 대응할 수 있다.
또한, 청구항 7에 기재한 발명에 따르면, 청구항 2에 기재한 발명의 효과에 더하여, 투명 기판의 양면에 미세 요철부를 필요로 하는 용도에 대응할 수 있다.
또한, 청구항 8에 기재한 발명에 따르면, 청구항 3에 기재한 발명의 효과에 더하여, 투명 기판의 양면에 미세 요철부를 필요로 하는 용도에 대응할 수 있다.
또한, 청구항 9에 기재한 발명에 따르면, 청구항 4에 기재한 발명의 효과에 더하여, 투명 기판의 양면에 미세 요철부를 필요로 하는 용도에 대응할 수 있다.
또한, 청구항 10에 기재한 발명에 따르면, 청구항 5에 기재한 발명의 효과에 더하여, 투명 기판의 양면에 미세 요철부를 필요로 하는 용도에 대응할 수 있다.
또한, 청구항 11에 기재한 발명에 따르면, 청구항 1에 기재한 발명에 따른 제조 방법에 「상기 투명 기판 상에 도포된 도포막 중에 포함되는 기포를 감압 장치로 탈포하는 단계」를 더함으로써, 상기 투명 기판 상에 도포된 도포막으로부터 그 속에 포함되는 기포를 탈포할 수 있어, 상기 금형의 요철의 형상을 보다 정확하게 상기 유기 무기 하이브리드 재료에 전사할 수 있다.
또한, 청구항 12에 기재한 발명에 따르면, 청구항 11에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 2에 기재한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 13에 기재한 발명에 따르면, 청구항 11에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 3에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 14에 기재한 발명에 따르면, 청구항 11에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 4에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 15에 기재한 발명에 따르면, 청구항 11에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 5에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 16에 기재한 발명에 따르면, 청구항 11에 기재한 발명의 효과 에 더하여, 청구항 6에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 17에 기재한 발명에 따르면, 청구항 11에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 7에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 18에 기재한 발명에 따르면, 청구항 11에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 8에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 19에 기재한 발명에 따르면, 청구항 11에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 9에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 20에 기재한 발명에 따르면, 청구항 11에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 10에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 21에 기재한 발명에 따르면, 상기 유기 무기 하이브리드 재료를 Si 알콕사이드로 한정함으로써, 상기 유기 무기 하이브리드 재료가 고형화된 후에, 상기 투명 기판과 동일 물질화하기 쉽고, 아울러 투습성이 낮게 된다고 하는 특질을 얻을 수 있어, 내구성이 향상된다. 또한, 그것에 가하는 첨가제를 Ti 산화물 및/또는 Ti 알콕사이드 및/또는 Ge 산화물 및/또는 Ge 알콕사이드로 한정함으로써, 상기 미세 구조체의 굴절율의 조정이 보다 용이하게 된다고 하는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 22에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 2에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 23에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 3에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 24에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 4에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 25에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 5에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 26에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 6에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 27에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 7에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 28에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 8에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 29에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 9에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 30에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 10에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 31에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 11에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 32에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 12에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 33에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 13에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 34에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 14에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 35에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 15에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 36에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 16에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 37에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 17에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 38에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 18에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또헌, 청구항 39에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 19에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 40에 기재한 발명에 따르면, 청구항 21에 기재한 발명의 효과에 더하여, 청구항 20에 기재한 발명의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 41에 기재한 발명에 따르면, 청구항 1 내지 청구항 40에 기재한 발명의 효과에 비교하여, 상기 미세 금형을 상기 유기 무기 하이브리드 재료가 도포된 상기 투명 기판에 압착했을 때에, 밀착성이 뒤떨어져, 상기 미세 금형의 형상의 전사의 정확성이 다소 뒤떨어지지만, 감압 공정을 생략할 수 있다고 하는, 공정의 간소화가 도모되어, 상기 전사의 정확성이 비교적 요구되지 않는 경우에 유효하다.
또한, 청구항 42에 기재한 발명에 따르면, 청구항 1 내지 청구항 5, 청구항 11 내지 청구항 15, 청구항 21 내지 청구항 25, 청구항 31 내지 청구항 35 중 어느 하나에 기재한 발명의 효과와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 43에 기재한 발명에 따르면, 청구항 6 내지 청구항 10, 청구항 16 내지 청구항 20, 청구항 26 내지 청구항 30, 청구항 36 내지 청구항 40 중 어느 하나에 기재한 발명의 효과와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 청구항 44에 기재한 발명에 따르면, 청구항 42항에 기재된 발명에 의해 얻어지는 효과에 추가하여, 상기 투명 기판 상에 형성된 상기 미세 요철부의 굴절율을 투명 기판의 굴절율과 ±0.01의 범위 내로 할 수 있고, 또한 상기 미세 요철부의 높이와 피치를 10 nm 내지 10 μm로 할 수 있어, 그 결과 상기 미세 요철부를 갖는 구조체에 빛이 맞닿게 된 경우, 투과하는 빛의 투과율을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 청구항 45에 기재한 발명에 따르면, 청구항 43에 기재된 발명에 의해 얻어지는 효과에 추가하여, 상기 투명 기판 상에 형성된 상기 미세 요철부의 굴절율을 투명 기판의 굴절율과 ±0.01의 범위 내로 할 수 있고, 또한 상기 미세 요철부의 높이와 피치를 10 nm 내지 10 μm로 할 수 있어, 그 결과 상기 미세 요철부를 갖는 구조체에 빛이 맞닿게 된 경우, 투과하는 빛의 투과율을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다.

Claims (45)

  1. 나노임프린트 기술을 이용한 제조 방법으로서,
    투명 기판 상에 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 금속 산화물 및/또는 알콕사이드를 첨가함으로써 굴절율을 제어한 유기 무기 하이브리드 재료를 도포하는 단계와,
    상기 유기 무기 하이브리드 재료를 도포한 기판을 예비소성하는 단계와,
    도포된 상기 유기 무기 하이브리드 재료에 미세한 요철부를 갖는 금형을 감압 상태 하에 압착하여 가열하는 단계와,
    상기 금형을 상기 유기 무기 하이브리드 재료로부터 이형하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 기판 상에 미세 요철부를 갖는 구조체(이하 「미세 구조체」라고 함)의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 미 세 구조체의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하고, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  6. 나노임프린트 기술을 이용한 제조 방법으로서,
    상기 투명 기판의 양면에 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 금속 산화물 및/또는 알콕사이드를 첨가함으로써 굴절율을 제어한 유기 무기 하이브리드 재료를 도포하는 단계와,
    상기 유기 무기 하이브리드 재료를 도포한 기판을 예비소성하는 단계와,
    도포된 상기 유기 무기 하이브리드 재료에 미세한 요철부를 갖는 금형을 감압 상태 하에 상기 투명 기판의 양면에서 압착하여 가열하는 단계와,
    상기 금형을 상기 유기 무기 하이브리드 재료로부터 이형하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는, 상기 투명 기판의 양면에 미세 요철부를 갖는 구조체(이하「양면 미세 구조체」라고 함)의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45의 범위에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  11. 나노임프린트 기술을 이용한 제조 방법으로서,
    투명 기판 상에 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 금속 산화물 및/또는 알콕사이드를 첨가함으로써 굴절율을 제어한 유기 무기 하이브리드 재료를 도포하는 단계와,
    상기 투명 기판 상에 도포된 도포막 중에 포함되는 기포를 감압 장치로 탈포하는 단계와,
    상기 유기 무기 하이브리드 재료를 도포한 기판을 예비소성하는 단계와,
    상기 유기 무기 하이브리드 재료에 미세한 요철부를 갖는 금형을 감압 상태 하에 압착하여 가열하는 단계와,
    상기 금형을 상기 유기 무기 하이브리드 재료로부터 이형하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45의 범위에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  16. 나노임프린트 기술을 이용한 제조 방법으로서,
    상기 투명 기판의 양면에 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 금속 산화물 및/또는 알콕사이드를 첨가함으로써 굴절율을 제어한 유기 무기 하이브리드 재료를 도포하는 단계와,
    상기 투명 기판의 양면에 도포된 도포막 중에 포함되는 기포를 감압 장치로 탈포하는 단계와,
    상기 유기 무기 하이브리드 재료를 도포한 기판을 예비소성하는 단계와,
    상기 유기 무기 하이브리드 재료에 미세한 요철부를 갖는 금형을 감압 상태 하에 상기 투명 기판의 양면에서 압착하여 가열하는 단계와,
    상기 금형을 상기 유기 무기 하이브리드 재료로부터 이형하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45의 범위에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  21. 제1항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료의 주성분은 Si 알콕사이드이며, 그것에 Ti 산화물 및/또는 Ti 알콕사이드 및/또는 Ge 산화물 및/또는 Ge 알콕사이드를 첨가제로서 가하는 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  23. 제21항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  24. 제21항에 있어서, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  25. 제21항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  26. 제6항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료의 주성분은 Si 알콕사이드이며, 그것에 Ti 산화물 및/또는 Ti 알콕사이드 및/또는 Ge 산화물 및/또는 Ge 알콕사이드를 첨가제로서 가하는 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  28. 제26항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  29. 제26항에 있어서, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  30. 제26항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  31. 제11항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료의 주성분은 Si 알콕사이드이며, 그것에 Ti 산화물 및/또는 Ti 알콕사이드 및/또는 Ge 산화물 및/또는 Ge 알콕사이드를 첨가제로서 가하는 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  32. 제31항에 있어서, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  33. 제31항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  34. 제31항에 있어서, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  35. 제31항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 미세 구조체의 제조 방법.
  36. 제16항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료의 주성분은 Si 알콕사이드이며, 그것에 Ti 산화물 및/또는 Ti 알콕사이드 및/또는 Ge 산화물 및/또는 Ge 알콕사이드를 첨가제로서 가하는 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  37. 제36항에 있어서, 상기 투명 기판에 도포하는 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율을 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  38. 제36항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 그 굴절율이 1.0 내지 2.45인 범위 내에서 임의의 값을 갖고, 상기 미세 요철부의 높이는 10 nm 내지 10 μm이며, 상기 미세 요철부의 피치는 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  39. 제36항에 있어서, 상기 미세 요철부의 굴절율은 투명 기판의 굴절율에서 0.01을 뺀 값에서부터 투명 기판의 굴절율에 0.01을 더한 값에 이르는 범위 내에 있으며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  40. 제36항에 있어서, 상기 유기 무기 하이브리드 재료는 미세 요철부를 갖는 형 상으로 정형된 후에, 고형화함으로써 상기 투명 기판의 재질과 그 굴절율의 차이가 ±0.01 이내의 범위가 될 정도로 동일 물질화하며, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이고, 상기 미세 요철부의 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체의 제조 방법.
  41. 제1항 내지 제40항 중의 어느 한 항에 있어서, 제1항 내지 제40항에 기재된 제조 방법에 있어서 「도포된 상기 유기 무기 하이브리드 재료에 미세한 요철부를 갖는 금형을 감압 상태 하에 압착하여 가열하는 단계」를 「도포된 상기 유기 무기 하이브리드 재료에 미세한 요철부를 갖는 금형을 압착하여 가열하는 단계」로 하는 제조 방법.
  42. 제1항 내지 제5항, 제11항 내지 제15항, 제21항 내지 제25항, 제31항 내지 제35항 중 어느 한 항에 기재된 미세 구조체의 제조 방법에 의해 제조된 미세 구조체.
  43. 제6항 내지 제10항, 제16항 내지 제20항, 제26항 내지 제30항, 제36항 내지 제40항 중 어느 한 항에 기재된 양면 미세 구조체의 제조 방법에 의해 제조된 양면 미세 구조체.
  44. 제42항에 있어서, 상기 투명 기판 상에, 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 금속 산화물 및/또는 알콕사이드를 첨가함으로써 굴절율을 투명 기판의 굴절율과 ±0.01의 범위 내로 조정한 유기 무기 하이브리드 재료를 정형하여, 상기 투명 기판의 표면에 미세한 요철부를 형성하고, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이며, 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한 미세 요철부를 갖는 것을 특징으로 하는 미세 구조체.
  45. 제43항에 있어서, 상기 투명 기판 상에, 알루미늄, 게르마늄 또는 티탄 등의 산화물 및/또는 알콕사이드를 첨가함으로써 굴절율을 투명 기판의 굴절율과 ±0.01의 범위 내로 조정한 유기 무기 하이브리드 재료를 정형하여, 상기 투명 기판의 표면에 미세한 요철부를 형성하고, 상기 미세 요철부의 높이가 10 nm 내지 10 μm이며, 피치가 10 nm 내지 10 μm인 것을 특징으로 한 미세 요철부를 갖는 것을 특징으로 하는 양면 미세 구조체.
KR1020050123018A 2004-12-15 2005-12-14 유기 무기 하이브리드 재료 및 나노임프린트 기술을 이용한미세 구조체의 제조 방법 및 이 방법으로부터 제조된 미세구조체 KR100955018B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004362858A JP2006168147A (ja) 2004-12-15 2004-12-15 有機無機ハイブリッド材料とナノインプリント技術を用いた微細構造体の製造方法および微細構造体
JPJP-P-2004-00362858 2004-12-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060067875A true KR20060067875A (ko) 2006-06-20
KR100955018B1 KR100955018B1 (ko) 2010-04-27

Family

ID=36669397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050123018A KR100955018B1 (ko) 2004-12-15 2005-12-14 유기 무기 하이브리드 재료 및 나노임프린트 기술을 이용한미세 구조체의 제조 방법 및 이 방법으로부터 제조된 미세구조체

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2006168147A (ko)
KR (1) KR100955018B1 (ko)
CN (1) CN100557467C (ko)
HK (1) HK1091905A1 (ko)
TW (1) TW200633845A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100928184B1 (ko) * 2008-09-18 2009-11-25 오사카 유니버시티 나노 임프린트 리소그래피용 고내구성 레플리카 몰드 및 그제작 방법
KR100974288B1 (ko) * 2010-01-13 2010-08-05 한국기계연구원 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법 및 이를 이용한 ｌｅｄ 소자의 제조방법
CN110546734A (zh) * 2017-03-08 2019-12-06 佳能株式会社 固化物图案的制造方法和光学部件、电路板和石英模具复制品的制造方法以及用于压印预处理的涂覆材料及其固化物

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8318253B2 (en) * 2006-06-30 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP5189772B2 (ja) * 2007-02-09 2013-04-24 昭和電工株式会社 微細パターン転写材料
JP5261817B2 (ja) * 2008-08-30 2013-08-14 国立大学法人長岡技術科学大学 表面に微細凹凸パターンを有したセラミックス焼成体及びその製造方法
JP2010129507A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Asahi Kasei Corp 照明器具
SG168513A1 (en) * 2009-08-04 2011-02-28 Agency Science Tech & Res A method of reducing the dimension of an imprint structure on a substrate
KR101302350B1 (ko) * 2012-02-10 2013-08-30 노바테크인더스트리 주식회사 광 추출용 투명기판의 제조방법
KR20140031514A (ko) * 2012-09-03 2014-03-13 포항공과대학교 산학협력단 굴절률 조절층을 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
CN104101923B (zh) * 2014-07-08 2016-05-18 淮安信息职业技术学院 具有随机微米/纳米混合结构的光扩散片的制备方法
CN105487151A (zh) * 2016-01-22 2016-04-13 武汉理工大学 一种基于纳米压印的图形转移制备光栅的方法
TWI610804B (zh) * 2016-05-23 2018-01-11 國立成功大學 節能玻璃及其製造方法
CN108339885B (zh) * 2018-01-16 2019-06-11 杭州电子科技大学 拉刀后刀面微纳表面形貌单点增量压印方法及其装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3381945B2 (ja) * 1992-10-05 2003-03-04 日本板硝子株式会社 基板上に微細な凹凸パターンを形成する方法
KR100316731B1 (ko) * 1999-03-31 2001-12-12 김충섭 광학 코팅용 혼성 조성물 및 그것을 함유한 광변색 박막용 조성물
JP2001100026A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Minolta Co Ltd 液晶光学デバイス及び液晶偏光デバイス
JP4208447B2 (ja) * 2001-09-26 2009-01-14 独立行政法人科学技術振興機構 Ｓｏｇを用いた室温ナノ−インプリント−リソグラフィー
JP4090374B2 (ja) * 2003-03-20 2008-05-28 株式会社日立製作所 ナノプリント装置、及び微細構造転写方法
JP4639054B2 (ja) 2004-04-02 2011-02-23 旭化成株式会社 透明ハイブリッドシート

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100928184B1 (ko) * 2008-09-18 2009-11-25 오사카 유니버시티 나노 임프린트 리소그래피용 고내구성 레플리카 몰드 및 그제작 방법
KR100974288B1 (ko) * 2010-01-13 2010-08-05 한국기계연구원 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법 및 이를 이용한 ｌｅｄ 소자의 제조방법
WO2011087176A1 (ko) * 2010-01-13 2011-07-21 한국기계연구원 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법 및 이를 이용한 엘이디 소자의 제조방법
US8486753B2 (en) 2010-01-13 2013-07-16 Korea Institute Of Machinery And Materials Patterning method of metal oxide thin film using nanoimprinting, and manufacturing method of light emitting diode
CN110546734A (zh) * 2017-03-08 2019-12-06 佳能株式会社 固化物图案的制造方法和光学部件、电路板和石英模具复制品的制造方法以及用于压印预处理的涂覆材料及其固化物
CN110546734B (zh) * 2017-03-08 2024-04-02 佳能株式会社 固化物图案的制造方法和光学部件、电路板和石英模具复制品的制造方法以及用于压印预处理的涂覆材料及其固化物

Also Published As

Publication number Publication date
CN1790064A (zh) 2006-06-21
CN100557467C (zh) 2009-11-04
HK1091905A1 (en) 2007-01-26
KR100955018B1 (ko) 2010-04-27
TW200633845A (en) 2006-10-01
JP2006168147A (ja) 2006-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100955018B1 (ko) 유기 무기 하이브리드 재료 및 나노임프린트 기술을 이용한미세 구조체의 제조 방법 및 이 방법으로부터 제조된 미세구조체
KR102079537B1 (ko) 유리-세라믹 제품 및 제조 방법
KR102127748B1 (ko) 구조화된 라미네이션 전사 필름 및 방법
CN101479031B (zh) 单粒子膜蚀刻掩模及其制造方法、使用该单粒子膜蚀刻掩模的微细结构体的制造方法及通过该制造方法得到的微细结构体
KR20100016245A (ko) 졸-겔층을 갖는 제품의 표면구조화 방법 및 구조화된 졸-겔층을 갖는 제품
JP2006168147A5 (ko)
JP5940662B2 (ja) 反射防止フィルムの製造方法
Wu et al. Fabrication of a nano/micro hybrid lens using gas-assisted hot embossing with an anodic aluminum oxide (AAO) template
US6847773B2 (en) Optical waveguide and method for manufacturing the same
CN104781059A (zh) 光学元件制作用模具及其制造方法、光学元件
CA2350825A1 (en) Method for producing article having predetermined surface shape, and optical waveguide element
DE102010044133B4 (de) Ätzverfahren zur Oberflächenstrukturierung und Ätzmaske
US6721485B1 (en) Echelon diffraction grating and optical waveguide element
WO2003086958A3 (de) Verfahren zur herstellung eines erzeugnisses mit einer strukturierten oberfläche
TWI679098B (zh) 用於生產光學玻璃元件之方法
Gvishi et al. UV-curable glassy material for the manufacture of bulk and nano-structured elements
TW201337313A (zh) 光學膜及其製備方法
KR101299359B1 (ko) 광추출 효율이 향상된 2차원 광결정 구조체 및 이의 제조방법
JP2009233855A (ja) 転写用型およびその製造方法ならびに転写用型を用いた転写物の製造方法
KR20200133098A (ko) 세포 배양 용기, 이의 제조 방법 및 이의 사용 방법
JP2012144395A (ja) 多孔質膜の製造方法
JP2005053006A (ja) 微小成形体の製造方法
JP4868432B2 (ja) メソポーラスシリカ構造体の製造方法、並びに、メソポーラスシリカ構造体及びそれを有する液晶素子
TWI428235B (zh) 雙面鏡片製作方法
TWI271787B (en) 3-dimensional hexagon micro structure and process of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130404

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140401

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160318

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170317

Year of fee payment: 8