KR20140031514A - 굴절률 조절층을 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법 - Google Patents

굴절률 조절층을 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 상기 발광 다이오드는, 상부 반도체층, 활성층 및 하부 반도체층을 포함하는 발광 구조체; 및 상기 상부 반도체층 상에 위치하는 굴절률 조절층을 포함하고, 상기 굴절률 조절층은 상부에 형성된 나노 패턴을 갖는다. 이에 따라, 발광 다이오드의 내부 전반사가 최소화되어 광 추출 효율이 개선되고, 제조 방법이 단순화되고 신뢰성이 높은 발광 다이오드를 제공할 수 있다.

Description

굴절률 조절층을 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DIODE COMPRISING REFRACTIVE INDEX CONTROL LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 굴절률 조절층을 포함하여 광 추출 효율이 개선된 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것이다.
백색광원 발광 다이오드는 에너지 변환 효율이 높고, 수명이 길며, 저전압 구동이 가능하며 복잡한 구동회로가 필요치 않은 등의 장점이 있어, 가까운 미래에 백열등, 형광등, 수은등과 같은 기존의 광원을 대체할 고체 조명(solid-state lighting)으로 기대를 모으고 있다. 이러한 발광 다이오드가 기존의 광원을 대체하여 새로운 백색광원으로 사용되기 위해서는 열적 안정성이 뛰어나야 할 뿐만 아니라 낮은 소비 전력에서도 고출력 빛을 발할 수 있어야 하므로, 발광다이오드의 효율은 앞으로의 발광다이오드 이용에 있어서 매우 중요한 문제이다.
발광 다이오드의 발광 효율은 내부 양자 효율(internal quantum efficiency), 광 추출 효율(extraction efficiency) 에 의해 주로 결정된다. 특히 광 추출 효율은 활성층에서 방출된 광자들이 발광다이오드 외부, 즉 자유 공간으로 방출되는 비율을 의미하는데, 이러한 광 추출 효율이 낮은 경우 소자의 내부 양자 효율이 높다고 하더라도 자유 공간으로 빠져나오는 광자의 수가 적어지게 되므로 발광 다이오드의 실제 광원으로서의 효율은 크게 떨어지게 된다.
종래의 발광다이오드를 보면, 광이 자유 공간으로 빠져나오는 경로인 GaN계 기판(nGaN=2.4), 사파이어 기판(nsapphire=1.77), ITO 전극(nITO=1.9)등과 공기(nair=1.0)간 계면의 굴절률 차이로 인한 내부 전반사가 발생하여 상당한 양의 빛이 포획(trapped)되어 광 추출 효율이 크게 떨어지는 문제가 있었다. 이에 상기의 내부 전반사 현상을 효과적으로 줄이고 광 추출 효율을 높이기 위해, 소자를 에칭하여 빛이 방출되기 쉬운 구조를 만들거나, LED칩 구조를 바꾸거나, 반사판을 제거하거나, 또는 LED 칩의 표면을 가공하는 등 여러 기술들이 연구 개발되어 왔다.
구체적인 예로서, PSS(Patterned Sapphire Substrate) 표면가공기술, p-GaN 러프니스(roughness) 성장기술, PBG(photonic Band Gap) 기술, 레이저를 이용한 표면가공기술, 표면 플라즈몬 형성기술, 골드 입자 배열을 이용한 표면가공 기술 등이 연구 및 개발되어 사용되고 있다.
그러나 상기의 기술들은 공정방법이 매우 복잡하고 고가의 장비들을 사용하여 공정단가를 상승시키는 문제점이 있다. 뿐만 아니라, 수평형 발광 다이오드의 광 방출면인 p형 반도체층은 그 두께가 얇고 도핑에 의한 전기 전도도가 상대적으로 낮아 표면 형상을 변형시키기 어려운 단점이 있다. 또한, 높은 에너지를 이용하여 표면을 가공하는 공정들은 발광 다이오드 소자를 손상시킬 수 있어 발광다이오드 소자의 신뢰성이 떨어지는 단점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 광의 내부 전반사 현상이 효과적으로 감소된 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 광 추출 효율이 개선된 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 광 추출 효율이 개선된 발광 다이오드를 단순하면서도 효율적으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 식각 손상이 최소화되어 신뢰성 높은 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 태양에 따른 발광 다이오드는, 상부 반도체층, 활성층 및 하부 반도체층을 포함하는 발광 구조체, 및 상기 상부 반도체층 상에 위치하는 굴절률 조절층을 포함하고, 상기 굴절률 조절층은 상부에 형성된 나노 패턴을 갖는다. 이에 따르면, 상기 발광 다이오드는 나노 패턴을 갖는 굴절률 조절층을 포함함으로써 내부 전반사가 현저히 감소되어 광 추출 효율이 증가되는 효과를 제공한다.
또한, 상기 발광 다이오드는, 상기 발광 구조체 및 상기 굴절률 조절층 사이에 위치하는 투명 전극을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 굴절률 조절층은 상기 투명 전극의 굴절률보다 0.4 더 작은 값과 상기 투명 전극의 굴절률보다 0.4 더 큰 값 사이의 굴절률을 가질 수 있다. 나아가, 상기 굴절률 조절층은 상기 투명 전극의 굴절률과 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 이에 따라 본 발명의 발광 다이오드는 굴절률 조절층과 투명 전극의 계면에서의 전반사를 감소시켜 광 추출 효율이 증가되는 효과를 제공한다.
한편, 상기 투명 전극은 100 내지 500nm의 두께를 가질 수 있고, 투명 전극이 이와 같은 두께를 가짐으로써 양호한 전류 확산 효과를 얻을 수 있다.
나아가, 상기 발광 다이오드는, 상기 상부 반도체층 및 상기 하부 반도체층에 각각 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 태양에 따른 발광 다이오드는, 상기 굴절률 조절층이 상기 상부 반도체층의 굴절률 보다 0.4 더 작은 값과 상기 상부 반도체층의 굴절률보다 0.4 더 큰 값 사이의 굴절률을 가질 수 있다. 나아가, 상기 굴절률 조절층은 상기 상부 반도체층의 굴절률과 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 이에 따라 본 발명의 발광 다이오드는 굴절률 조절층과 상부 반도체층의 계면에서의 전반사를 감소시켜 광 추출 효율이 증가되는 효과를 제공한다.
또한, 상기 발광 다이오드는, 상기 상부 반도체층에 전기적으로 연결되며 상기 상부 반도체층 상에 위치하는 상부 전극을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드는, 상기 굴절률 조절층이 나노 임프린드 레진, 포토레지스트, 폴리이미드, 졸-겔 및 스핀-온-글라스(SOG)에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 태양에 따른 발광 다이오드 제조 방법은, 하부 반도체층, 활성층 및 상부 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 형성하고, 상기 발광 구조체 상에 나노 패턴을 갖는 굴절률 조절층을 형성하는 것을 포함하되, 상기 굴절률 조절층을 형성하는 것은, 상기 발광 구조체 상에 예비 굴절률 조절층을 도포하고, 상기 예비 굴절률 조절층 상에 나노 임프린트 몰드를 이용하여 나노 패턴을 전사함과 아울러 상기 예비 굴절률 조절층을 고화시켜 굴절률 조절층을 형성하고, 상기 나노 임프린트 몰드를 상기 굴절률 조절층으로부터 분리시키는 것을 포함한다. 이에 따르면, 본 발명의 발광 다이오드 제조 방법은, 간단하면서도 효과적인 방법으로 광이 방출되는 표면에 나노 패턴을 형성할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 상기 발광 다이오드 제조 방법은, 상기 굴절률 조절층을 형성하기 전에, 상기 상부 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 식각하여 상기 하부 반도체층의 일부를 노출시키고, 상기 상부 반도체층 상면의 적어도 일부에 투명 전극을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드 제조 방법은, 상기 굴절률 조절층이 상기 투명 전극의 굴절률보다 0.4 더 작은 값과 상기 투명 전극의 굴절률보다 0.4 더 큰 값 사이의 굴절률을 갖도록 형성될 수 있다. 나아가, 상기 굴절률 조절층이 상기 투명 전극의 굴절률과 동일한 굴절률을 갖도록 형성될 수 있다. 이에 따라 굴절률 조절층과 투명 전극의 계면에서의 전반사가 감소되어 광 추출 효율이 증가된 발광 다이오드를 제조하는 방법을 제공하는 효과가 있다.
본 발명의 다른 태양에 따른 발광 다이오드 제조 방법은, 상기 굴절률 조절층이 상기 상부 반도체층의 굴절률보다 0.4 더 작은 값과 상기 상부 반도체층의 굴절률보다 0.4 더 큰 값 사이의 굴절률을 갖도록 형성될 수 있다. 나아가, 상기 굴절률 조절층이 상기 상부 반도체층의 굴절률과 동일한 굴절률을 갖도록 형성될 수 있다. 이에 따라 굴절률 조절층과 상부 반도체층의 계면에서의 전반사가 감소되어 광 추출 효율이 증가된 발광 다이오드를 제조하는 방법을 제공하는 효과가 있다.
또한, 상기 발광 다이오드 제조 방법에 있어서, 상기 예비 굴절률 조절층은 스핀코팅, 바코팅 또는 닥터 블레이드 공정을 이용하여 상기 발광 구조체 상에 도포될 수 있다. 또한, 상기 발광 다이오드 제조 방법에 있어서, 상기 예비 굴절률 조절층 및 상기 굴절률 조절층은 나노 임프린드 레진, 포토레지스트, 폴리이미드, 졸-겔 및 스핀-온-글라스(SOG)에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 발광 다이오드 제조 방법은, 경제적이고 단순화된 방법으로 굴절률 조절층을 형성할 수 있는 효과를 제공한다.
나아가, 상기 발광 다이오드 제조 방법은, 상기 굴절률 조절층의 일부 영역을 식각하여 상기 투명 전극 및 상기 하부 반도체층을 노출시키고, 상기 노출된 투명 전극 및 노출된 하부 반도체층에 상면에 각각 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드 제조 방법은, 상기 굴절률 조절층의 일부 영역을 식각하여 상기 상부 반도체층의 일부를 노출시키고, 상기 노출된 상부 반도체층 상면에 상부 전극을 형성하는 것을 더 포함할 수도 있다.
본 발명의 발광 다이오드는, 굴절률 조절층을 포함함으로써 광의 내부 전반사 현상이 효과적으로 감소하여 광 추출 효율을 개선할 수 있는 효과를 제공할 수 있다. 또한, 굴절률 조절층의 제조 방법을 통하여 광 추출 효율이 개선된 발광 다이오드를 단순하면서도 효율적으로 제조할 수 있는 방법을 제공할 수 있다. 나아가, 본 발명에 따른 발광 다이오드는 식각 손상이 최소화되어 신뢰성 높아질 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실험예들에 따른 발광 다이오드의 광 추출 효율을 비교하기 위한 그래프이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들 및 실험예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들 및 실험예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 하나의 구성요소와 다른 구성요소의 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드는, 기판(10), 하부 반도체층(21)과 활성층(23) 및 상부 반도체층(25)을 포함하는 발광 구조체(20), 굴절률 조절층(30)을 포함한다. 나아가, 발광 다이오드는 발광 구조체(20) 상에 위치하는 투명 전극(27), 제1 전극(41) 및 제2 전극(43)을 더 포함한다.
기판(10)은 발광 구조체(20)가 성장될 수 있는 성장기판일 수 있다. 기판(10)의 재료는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 사파이어 기판, SiC 기판, 스피넬 기판, Si 기판, 또는 질화갈륨계 기판일 수 있다. 나아가, 기판(10)은, 예컨대 패터닝된 사파이어 기판(PSS)과 같이, 상면에 소정의 패턴을 가질 수 있다.
또한, 기판(10) 상에 버퍼층(도시하지 않음)이 더 형성될 수 있다. 이러한 버퍼층은 후술할 발광 구조체(20)가 성장될 수 있도록 하는 핵층 역할을 할 수 있고, 또한 발광 구조체(20) 각 반도체층(21, 23, 25)의 결정성을 향상시키는 역할도 할 수 있다.
발광 구조체(20)는 기판(10) 상에 위치한다. 발광 구조체(20)는 하부 반도체층(21), 활성층(23), 및 상부 반도체층(25)을 포함하며, 상기 활성층(23)은 하부 반도체층(21)과 상부 반도체층(25) 사이에 위치한다. 여기서 상부 반도체층(25) 및 하부 반도체층(21)은 서로 다른 도전형 반도체이다. 예를 들어, 본 실시예에서 상부 반도체층(25)은 p형 반도체층이고, 하부 반도체층(21)은 n형 반도체층이나, 그 반대일 수도 있다. 또한, 활성층(23)에서 방출된 광이 반사되어 상면으로 방출되도록, 발광 구조체(20) 아래에 반사기(도시하지 않음)가 더 형성될 수 있다.
하부 반도체층(21), 활성층(23), 및 상부 반도체층(25)은 질화물계 화합물 반도체 물질(예컨대, (Al, Ga, In)N)로 형성될 수 있다. 하부 반도체층(21) 및 상부 반도체층(25)은 각각 단일층 또는 다중층일 수 있다. 예를 들어, 하부 반도체층(21) 및/또는 상부 반도체층(25)은 콘택층(contact layer)과 클래드층(clad layer)을 포함할 수 있으며, 또한 초격자층(superlattice layer)을 포함할 수 있다. 활성층(23)은 발광층과 베리어층을 포함하는 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조(MQW)로 형성할 수 있다. 또한, 활성층(23)이 필요로하는 파장의 광을 방출하도록, 예컨대 청색광 또는 자외선을 방출하도록 조성원소 및 조성비가 조절된 질화물계 화합물 반도체로 형성될 수 있다.
발광 구조체(20)의 반도체층들(21, 23, 25)은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), MBE(Molecular Beam Epitaxy), 또는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)기술을 사용하여 형성될 수 있으며, 사진 및 식각 공정을 사용하여 상기 하부 반도체층(21)의 일부 영역이 노출되도록 패터닝될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 활성층(23) 및 상부 반도체층(25)이 메사 구조를 갖도록 패터닝된다.
한편, 투명 전극(27)은 상부 반도체층(25) 상에 위치한다. 이러한 투명 전극(27)은 발광 다이오드에 전달되는 전류를 분산시켜 발광 면적을 증가시키는 역할을 할 수 있다. 투명 전극(27)은 도전성 재료로 형성될 수 있고, 예컨대 ITO, IZO, 및 ZnO에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다. 나아가, 투명 전극(27)은 전류 분산 역할을 효과적으로 수행하도록 100 내지 500nm의 두께를 가질 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 굴절률 조절층(30)은 투명 전극(27) 및 발광 구조체(20) 상에 위치한다. 도 1에서 굴절률 조절층(30)은 투명 전극(27) 상에만 형성된 것으로 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 메사 측벽(활성층(23), 상부 반도체층(25) 및 투명 전극(27)의 측벽) 및/또는 하부 반도체층(21) 상면을 덮도록 형성될 수도 있다. 나아가, 상기 굴절률 조절층(30)은 상면에 나노 패턴(30a)을 더 포함할 수 있다.
굴절률 조절층(30)은, 액상물질이나 졸 물질과 같이 코팅이 가능한 점성을 갖는 예비 물질을 고화시켜 형성될 수 있다. 예컨대, 나노 임프린트 레진, 포토레지스트, 폴리이미드, 졸-겔(sol-gel), 및 스핀-온-글라스(Spin-on-Glass, SOG)에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다.
굴절률 조절층(30)은 굴절률 조절층(30) 바로 아래에 위치하는 투명 전극(27)의 굴절률과 유사한 굴절률을 갖도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 굴절률 조절층(30)은 투명 전극(27)의 굴절률 보다 0.4 더 작은 값 내지 투명 전극(27)의 굴절률 보다 0.4 더 큰 값 사이의 굴절률을 가질 수 있다. 나아가, 굴절률 조절층(30)은 투명 전극(27)의 굴절률과 동일한 굴절률을 가질 수 있다.
이와 같이 투명 전극의 굴절률 보다 0.4 더 작은 값과 상기 투명 전극의 굴절률보다 0.4 더 큰 값 사이의 굴절률을 갖는 굴절률 조절층을 포함하는 발광 다이오드는 굴절률 조절층을 포함하지 않는 발광 다이오드 보다 최소 20% 증가된 광 추출 효율을 갖는다. 특히 본 발명의 발광 다이오드가 투명 전극과 동일한 굴절률을 갖는 굴절률 조절층을 포함하는 경우에 가장 높은 효율 증가를 나타낼 수 있다.
굴절률 조절층(30)이 이러한 굴절률을 가짐으로써 광이 내부 전반사로 인해 발광 다이오드 내부에 포획되는 것을 방지할 수 있다. 구체적으로, 굴절률 조절층(30)과 계면을 형성하는 투명 전극(27) 간의 굴절률 차이가 커지면 스넬의 법칙에 의해 전반사가 발생하는 임계각이 작아지게 되므로, 본 발명의 굴절률 조절층(30)의 굴절률을 투명 전극(27)의 굴절률과 유사하게 형성하면 내부 전반사가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 발광 다이오드의 광 추출 효율을 증가시킬 수 있다.
또한, 굴절률 조절층(30)은 상면에 형성된 나노 패턴(30a)을 포함할 수 있다. 이러한 나노 패턴(30a)은 나노 임프린팅 공정을 이용하여 형성될 수 있으며, 뿔 형상, 반구 형상, 또는 실린더 형상 등을 가질 수 있다. 굴절률 조절층(30)이 이러한 나노 패턴(30a)을 포함함으로써 활성층(23)으로부터 방출된 광이 계면(굴절률 조절층 및 외부와의 계면)에서 임계각을 벗어나지 않도록 할 수 있고, 이로 인해 내부 전반사 현상을 방지하여 광 추출 효율을 개선할 수 있다.
한편, 본 실시예의 발광 다이오드는 상부 반도체층(25) 상에 위치하는 제1 전극(41) 및 상기 하부 반도체층(21)이 노출된 영역 상에 위치하는 제2 전극(43)을 포함한다. 여기서, 상기 제1 전극(41)은 상부 반도체층(25)에 전기적으로 접속되고, 상기 제2 전극(43)은 상기 하부 반도체층(21)에 전기적으로 접속되도록 오믹 접촉 될 수 있다. 나아가, 제1 전극(41)은 상기 굴절률 조절층(30)으로부터 돌출되어 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 1을 참조하여 설명한 발광 다이오드와 대체로 유사하나, 수평 구조로 형성된 도 1의 발광 다이오드와 달리 수직 구조로 형성된 것에 차이가 있다. 이하 차이점을 중심으로 설명한다.
본 실시예의 발광 다이오드는, 기판(50), 본딩층(73), 하부 반도체층(61)과 활성층(63) 및 상부 반도체층(65)을 포함하는 발광 구조체(60), 굴절률 조절층(30)을 포함한다. 나아가, 발광 다이오드는 상부 전극(71)을 더 포함할 수 있다.
기판(50)은 도 1의 기판(10)과는 구별되는 것으로 지지기판일 수 있다. 이러한 기판(50)은 금속 기판, 반도체 기판과 같은 도전성 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 절연성 기판일 수도 있다.
본딩층(73)은 기판(50)과 발광 구조체(60) 사이에 위치한다. 또한, 본딩층(73)과 발광 구조체(60) 사이에 반사층(도시하지 않음) 및 확산방지층(도시하지 않음)이 더 개재될 수 있다. 반사층은 활성층(43)으로부터 방출되어 하향하는 광을 반사되도록 하고, 확산방지층은 본딩층(73)으로부터 금속원소들이 반사층으로 확산되거나 반사층의 반사물질이 본딩층(73)으로 확산되는 것을 방지하여 반사층의 반사도를 유지시킨다.
나아가, 기판(50)이 도전성인 경우 본딩층(73)은 기판(50)과 하부 반도체층(61)이 전기적으로 연결될 수 있도록 도전성 물질로 형성될 수 있다. 반대로, 기판(50)이 절연성 기판인 경우 하부 반도체층(61)이 전기적으로 연결되도록 본딩층(73)이 비아(via, 도시하지 않음)를 통해 외부와 전기적으로 연결될 수도 있다.
발광 구조체(60)는 본딩층(73)상에 위치하며, 상기 발광 구조체(60)는 도 1의 발광 구조체(20)와 유사하므로 자세한 설명은 생략한다. 다만, 하부 반도체층(61)이 p형 반도체층이고, 상부 반도체층(65)이 n형 반도체층인 점에 차이가 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니며 그 반대일 수 있다.
또한, 굴절률 조절층(30)은 발광 구조체(60) 상에 위치한다. 상기 굴절률 조절층(30)은 도 1의 굴절률 조절층(30)과 대체로 유사하나, 도 1의 굴절률 조절층과는 달리 상부 반도체층(65)과 계면을 형성하는 점에서 차이가 있다.
따라서 굴절률 조절층(30)은 굴절률 조절층(30) 바로 아래에 위치하는 상부 반도체층(65)의 굴절률과 유사한 굴절률을 갖도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 굴절률 조절층(30)은 상부 반도체층(65)의 굴절률 보다 0.4 더 작은 값 내지 상부 반도체층(65)의 굴절률 보다 0.4 더 큰 값 사이의 굴절률을 가질 수 있다. 나아가, 굴절률 조절층(30)은 상부 반도체층(65)의 굴절률과 동일한 굴절률을 가질 수 있다.
이와 같이 상부 반도체층의 굴절률 보다 0.4 더 작은 값과 상기 상부 반도체층의 굴절률보다 0.4 더 큰 값 사이의 굴절률을 갖는 굴절률 조절층을 포함하는 발광 다이오드는 굴절률 조절층을 포함하지 않는 발광 다이오드 보다 최소 20% 증가된 광 추출 효율을 갖는다. 특히 본 발명의 발광 다이오드가 상부 반도체층과 동일한 굴절률을 갖는 굴절률 조절층을 포함하는 경우에 가장 높은 효율 증가를 나타낼 수 있다.
굴절률 조절층(30)이 이러한 굴절률을 가짐으로써 광이 내부 전반사로 인해 발광 다이오드 내부에 포획되는 것을 방지할 수 있다. 구체적으로, 굴절률 조절층(30)과 계면을 형성하는 상부 반도체층(65) 간의 굴절률 차이가 커지면 스넬의 법칙에 의해 전반사가 발생하는 임계각이 작아지게 되므로, 본 발명의 굴절률 조절층(30)의 굴절률을 상부 반도체층(65) 굴절률과 유사하게 형성하면 내부 전반사가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 발광 다이오드의 광 추출 효율을 증가시킬 수 있다.
한편, 상부 전극(71)이 상부 반도체층(65) 상에 위치하며, 상부 전극(71)은 상부 반도체층(65)과 전기적으로 접속된다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
먼저 도 3을 참조하면, 기판(10) 상에 하부 반도체층(21), 활성층(23) 및 상부 반도체층(25)을 성장시켜 발광 구조체(20)를 형성한다. 발광 구조체(20)의 각 층들(21, 23, 25)은 MOCVD, MBE, 또는 HVPE와 같은 기술을 사용하여 성장될 수 있다. 또한, 발광 구조체(20)의 각 층들(21, 23, 25)을 성장시키기 전에 기판 상에 버퍼층(도시하지 않음)을 성장시키는 것을 더 수행할 수 있다.
하부 반도체층(21)과 상기 상부 반도체층(25)은 서로 다른 도전형으로, 예컨대, 하부 반도체층(21)은 n형 도전형 반도체층이고 상부 반도체층(25)은 p형 도전형 반도체층으로 성장될 수 있다. 또는 이와 반대일 수도 있다.
다음으로 도 4를 참조하면, 발광 구조체(20)의 일부 영역을 식각하여 하부 반도체층(21)의 일부가 노출되도록 메사를 형성한다. 이 후, 상부 반도체층(25) 상에 투명 전극(27)을 형성한다. 본 실시예에서, 메사를 형성한 후 투명 전극(27)을 형성하는 것으로 설명하였으나, 그 반대 순서로 형성할 수도 있다.
투명 전극(27)은 약 100~500nm의 두께를 갖도록 전자빔 증발(e-beam evaporation), 스퍼터링, 열 증착 공정과 같은 증착 공정 및 리프트 오프 공정을 통해서 형성될 수 있다. 이때, 투명 전극(27)은 ITO, ZnO, 및 IZO에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성될 수 있다.
도 5는 발광 구조체(20) 상에 굴절률 조절층(30)을 형성하는 공정을 도시한다.
먼저, 상기 발광 구조체(20) 상에 예비 굴절률 조절층(30')을 도포한다. 상기 예비 굴절률 조절층(30')은 액상과 같이 점성을 갖는 물질로, 다양한 방법을 통해 발광 구조체(20) 상에 도포될 수 있다. 예를 들어, 나노 임프린트 레진, 포토레지스트, 폴리이미드, 졸-겔(sol-gel), 및 SOG(Spin-on-Glass)에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물이 스핀코팅, 바 코팅 또는 닥터 블레이드 등의 공정을 통해서 도포되어 예비 굴절률 조절층(30')이 형성될 수 있다. 이와 같이, 예비 굴절률 조절층(30')은 증착 공정이 아닌 비교적 간단한 도포 공정을 통해서 발광 구조체(20) 상에 형성될 수 있어서, 발광 다이오드 제조 공정이 용이해질 수 있는 효과가 제공될 수 있다. 또한, 예비 굴절률 조절층(30')을 도포 공정을 통해 형성하게 되어 두께 조절이 용이하여, 굴절률 조절층(30)의 두께를 용이하게 제어할 수 있다.
그 다음, 발광 구조체(20) 상에 도포된 예비 굴절률 조절층(30')에 나노 임프린트 몰드(100)를 대응시켜 나노 패턴(30'a)을 형성함과 동시에 상기 예비 굴절률 조절층(30')을 고화시킨다. 이때, 예비 굴절률 조절층(30')은 열경화 또는 자외선 경화 방법으로 고화할 수 있으며, 바람직하게는 열경화 방법으로 고화한다. 열경화 방법으로 예비 굴절률 조절층(30')을 고화함으로써 발광 구조체(20)의 손상을 최소화할 수 있다. 예비 굴절률 조절층(30')이 고화되면 굴절률 조절층(30)이 형성된다.
위와 같이 나노 패턴(30'a)을 형성함과 동시에 예비 굴절률 조절층(30')을 고화시킬 수도 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 나노 임프린트 몰드(100)를 분리한 후 예비 굴절률 조절층(30')을 고화시킬 수도 있다. 이 경우, 예비 굴절률 조절층(30')의 점성과 표면 장력으로 인해 나노 패턴(30'a)의 형상이 변화할 수 있다.
한편, 나노 임프린트 몰드(100)는 다양한 형상의 나노패턴을 가질 수 있으며, 예컨대, 뿔 형상, 반구 형상, 또는 실린더 형상을 가질 수 있다. 이에 따라 나노 패턴(30'a)은 나노 임프린트 몰드(100)의 패턴에 대응하는 형상으로 형성된다.
상술한 도포 공정 및 나노 임프린팅 공정으로 발광 구조체(20) 상에 나노 패턴(30a)을 갖는 굴절률 조절층(30)을 형성함으로써, 내부 전반사 현상을 방지할 수 있어 광 추출 효율을 개선시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 나노 임프린팅 공정 및 도포 공정을 이용하여 굴절률 조절층(30)을 형성하므로, 간단한 공정으로 굴절률 조절층(30)을 형성할 수 있고, 대면적 기판에도 용이하게 굴절률 조절층(30)을 형성할 수 있으며, 수평 구조 및 수직 구조 발광 다이오드 모두에 용이하게 굴절률 조절층(30)을 형성할 수 있다. 따라서 본 발명은 발광 다이오드에 손상을 줄 수 있는 종래의 패터닝 공정을 이용하지 않고도 나노패턴 및 굴절률 조절층을 형성하는 것을 제공하여, 단순화되고 신뢰성이 높은 발광 다이오드 제조 방법을 제공한다.
다음, 도 6을 참조하면, 나노 임프린트 몰드(100)를 굴절률 조절층(30)로부터 분리한다. 나노 임프린트 몰드(100)의 분리 공정을 용이하게 하기 위하여, 나노 임프린트 몰드(100)를 예비 굴절률 조절층(30')에 대응시키기 전에 대응되는 면에 접착방지(Anti-adhesion)처리 공정을 수행하는 것을 더 포함할 수 있다.
이 후, 굴절률 조절층(30)의 일부 영역을 식각 공정으로 패터닝한다. 식각 공정을 통해서 투명 전극(27)이 노출되는 영역(41b)을 형성하고, 또한 하부 반도체층(21)이 노출되는 영역을 형성한다. 이때 식각 공정은 건식 또는 습식 식각 공정일 수 있으나, 본 실시예에서는 습식 식각 공정을 이용한다. 습식 식각 공정을 이용하여 굴절률 조절층(30)을 패터닝하는 경우 발광 구조체(20)의 손상을 최소화할 수 있는 장점이 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 건식 식각을 이용하여 굴절률 조절층(30)의 일부를 식각하고 그 후, 습식 식각 공정을 이용하여 투명 전극(27) 및 하부 반도체층(21)을 노출시킬 수도 있다.
본 실시예에 따르면, 굴절률 조절층(30)이 나노 임프린트 레진, 포토레지스트, 폴리이미드, 졸-겔(sol-gel), 및 SOG(Spin-on-Glass)에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함하므로 습식 식각이 용이한 장점이 있다.
나아가, 투명 전극 노출 영역(41b) 및 하부 반도체층(21) 상면에 제1 전극(41) 및 제2 전극(43)을 형성하면, 도 1에 도시된 바와 같은 발광 다이오드가 제공된다.
도 3 내지 도 6을 참조하여 설명한 발광 다이오드 제조 방법은 수평 구조 발광 다이오드 제조 방법 만을 제공하지만, 종래의 수직 구조 발광 다이오드 제조 방법과 상술한 굴절률 조절층(30) 제조 방법을 통해서 도 2의 발광 다이오드를 제공할 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실험예들에 따른 발광 다이오드의 광 추출 효율을 비교하기 위한 그래프이다.
먼저 실험예 1에서는 100㎛×100㎛ 크기의 수평 구조 발광 다이오드 1 및 동일한 크기의 수평 구조 발광 다이오드 2를 비교하였다. 발광 다이오드 1 및 2는 동일한 사파이어 기판과 상기 사파이어 기판 상에 차례로 형성된 n형 GaN 반도체층, InGaN 활성층, p형 GaN 반도체층, 및 ITO 투명 전극(굴절률 = 1.9)을 포함한다. 다만, 발광 다이오드 1은 ITO 투명 전극 상에 형성된 굴절률 조절층을 더 포함하는 것에 차이가 있다.
도 7a는 발광 다이오드 1의 증가된 광 추출 효율을 발광 다이오드 2와 비교한 그래프이고, 여기서 x축은 굴절률 조절층의 굴절률을 나타낸다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 굴절률 조절층을 포함하는 발광 다이오드 1의 광 추출 효율이 약 36-41% 더 높게 나타났다. 특히, 굴절률 조절층의 굴절률이 1.9 일 때 가장 높은 효율 증가를 나타냈다. 이를 통해 굴절률 조절층이 발광 다이오드의 광 추출 효율을 증가시킨다는 것을 알 수 있고, 또한 투명 전극과 굴절률 조절층의 굴절률이 동일할 때 가장 높은 효율 증가를 보임을 알 수 있다.
다음으로 실험예 2에서는 100㎛×100㎛ 크기의 수직 구조 발광 다이오드 3 및 동일한 크기의 수평 구조 발광 다이오드 4를 비교하였다. 발광 다이오드 3 및 4는 동일한 도전성 지지 기판과 상기 지지 기판 상에 차례로 형성된 본딩층, p형 GaN 반도체층, InGaN 활성층, n형 GaN 반도체층(굴절률 = 2.5)을 포함한다. 다만, 발광 다이오드 3은 n형 GaN 반도체층 상에 형성된 굴절률 조절층을 더 포함하는 것에 차이가 있다.
도 7b는 발광 다이오드 3의 증가된 광 추출 효율을 발광 다이오드 4와 비교한 그래프이고, 여기서 x축은 굴절률 조절층의 굴절률을 나타낸다. 도 7b에 도시된 바와 같이, 굴절률 조절층을 포함하는 발광 다이오드 1의 광 추출 효율이 약 57-66% 더 높게 나타났다. 특히, 굴절률 조절층의 굴절률이 2.5 일 때 가장 높은 효율 증가를 나타냈다. 이를 통해 굴절률 조절층이 발광 다이오드의 광 추출 효율을 증가시킨다는 것을 알 수 있고, 또한 n형 GaN 반도체층과 굴절률 조절층의 굴절률이 동일할 때 가장 높은 효율 증가를 보임을 알 수 있다.
이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들 및 특징들에 대하여 설명하였지만, 상술한 다양한 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.

Claims (20)

  1. 상부 반도체층, 활성층 및 하부 반도체층을 포함하는 발광 구조체; 및
    상기 상부 반도체층 상에 위치하는 굴절률 조절층을 포함하고,
    상기 굴절률 조절층은 상부에 형성된 나노 패턴을 갖는 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 구조체 및 상기 굴절률 조절층 사이에 위치하는 투명 전극을 더 포함하는 발광 다이오드.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 굴절률 조절층은 상기 투명 전극의 굴절률보다 0.4 더 작은 값과 상기 투명 전극의 굴절률보다 0.4 더 큰 값 사이의 굴절률을 갖는 발광 다이오드.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 굴절률 조절층은 상기 투명 전극의 굴절률과 동일한 굴절률을 갖는 발광 다이오드.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 투명 전극은 100 내지 500nm의 두께를 갖는 발광 다이오드.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 상부 반도체층 및 상기 하부 반도체층에 각각 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함하는 발광 다이오드.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 굴절률 조절층은 상기 상부 반도체층의 굴절률 보다 0.4 더 작은 값과 상기 상부 반도체층의 굴절률보다 0.4 더 큰 값 사이의 굴절률을 갖는 발광 다이오드.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 굴절률 조절층은 상기 상부 반도체층의 굴절률과 동일한 굴절률을 갖는 발광 다이오드.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 상부 반도체층에 전기적으로 연결되며 상기 상부 반도체층 상에 위치하는 상부 전극을 더 포함하는 발광 다이오드.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 굴절률 조절층은 나노 임프린드 레진, 포토레지스트, 폴리이미드, 졸-겔 및 스핀-온-글라스(SOG)에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함하는 발광 다이오드.
  11. 하부 반도체층, 활성층 및 상부 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 형성하고,
    상기 발광 구조체 상에 나노 패턴을 갖는 굴절률 조절층을 형성하는 것을 포함하되,
    상기 굴절률 조절층을 형성하는 것은,
    상기 발광 구조체 상에 예비 굴절률 조절층을 도포하고,
    상기 예비 굴절률 조절층 상에 나노 임프린트 몰드를 이용하여 나노 패턴을 전사함과 아울러 상기 예비 굴절률 조절층을 고화시켜 굴절률 조절층을 형성하고,
    상기 나노 임프린트 몰드를 상기 굴절률 조절층으로부터 분리시키는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 굴절률 조절층을 형성하기 전에,
    상기 상부 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 식각하여 상기 하부 반도체층의 일부를 노출시키는 것과, 상기 상부 반도체층 상면의 적어도 일부에 투명 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 굴절률 조절층은 상기 투명 전극의 굴절률보다 0.4 더 작은 값과 상기 투명 전극의 굴절률보다 0.4 더 큰 값 사이의 굴절률을 갖도록 형성되는 발광 다이오드 제조 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 굴절률 조절층은 상기 투명 전극의 굴절률과 동일한 굴절률을 갖도록 형성되는 발광 다이오드 제조 방법.
  15. 청구항 11에 있어서,
    상기 굴절률 조절층은 상기 상부 반도체층의 굴절률보다 0.4 더 작은 값과 상기 상부 반도체층의 굴절률보다 0.4 더 큰 값 사이의 굴절률을 갖도록 형성되는 발광 다이오드 제조 방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 굴절률 조절층은 상기 상부 반도체층의 굴절률과 동일한 굴절률을 갖도록 형성되는 발광 다이오드 제조 방법.
  17. 청구항 11에 있어서,
    상기 예비 굴절률 조절층은 스핀코팅, 바코팅 또는 닥터 블레이드 공정을 이용하여 상기 발광 구조체 상에 도포되는 발광 다이오드 제조 방법.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 예비 굴절률 조절층 및 상기 굴절률 조절층은 나노 임프린드 레진, 포토레지스트, 폴리이미드, 졸-겔 및 스핀-온-글라스(SOG)에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  19. 청구항 12에 있어서,
    상기 굴절률 조절층의 일부 영역을 식각하여 상기 투명 전극 및 상기 하부 반도체층을 노출시키고,
    상기 노출된 투명 전극 및 노출된 하부 반도체층에 상면에 각각 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  20. 청구항 11에 있어서,
    상기 굴절률 조절층의 일부 영역을 식각하여 상기 상부 반도체층의 일부를 노출시키고,
    상기 노출된 상부 반도체층 상면에 상부 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002122702A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学フィルム、及び表示素子
JP2006168147A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Aitesu:Kk 有機無機ハイブリッド材料とナノインプリント技術を用いた微細構造体の製造方法および微細構造体
KR20120005326A (ko) * 2010-07-08 2012-01-16 서울옵토디바이스주식회사 ＭｇＯ피라미드 구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법
KR20120077188A (ko) * 2010-12-30 2012-07-10 포항공과대학교 산학협력단 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002122702A (ja) * 2000-10-17 2002-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学フィルム、及び表示素子
JP2006168147A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Aitesu:Kk 有機無機ハイブリッド材料とナノインプリント技術を用いた微細構造体の製造方法および微細構造体
KR20120005326A (ko) * 2010-07-08 2012-01-16 서울옵토디바이스주식회사 ＭｇＯ피라미드 구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법
KR20120077188A (ko) * 2010-12-30 2012-07-10 포항공과대학교 산학협력단 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Nanoscale Research Letters 2011 *

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