KR20060050612A - 금속 적층판 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 열팽창계수가 20 ppm/℃ 이하인 두개의 저열팽창성 폴리이미드계 수지층과 금속 도체층, 및 임의성분으로 상기 저열팽창성 폴리이미드계 수지층 상에 적층된 열팽창계수가 20 ppm/℃ 을 초과한 고열팽창성 폴리이미드계 수지층을 포함하여 이루어지는 인쇄 회로 기판용 금속 적층판 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
열팽창계수, 저열팽창성 폴리이미드, 고열팽창성 폴리이미드, 금속 적층판, 폴리이미드 필름, 인쇄 회로 기판 소재

Description

금속 적층판 및 그의 제조방법 {Metallic Laminate and Method for Preparing Thereof}
본 발명은 인쇄 회로 기판용 금속 적층판 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열팽창계수가 20 ppm/℃ 이하인 두개의 저열팽창성 폴리이미드계 수지층과 금속 도체층, 및 임의성분으로 상기 저열팽창성 폴리이미드계 수지층 상에 적층된 열팽창계수가 20 ppm/℃ 을 초과한 고열팽창성 폴리이미드계 수지층으로 이루어져 온도 변화에 대한 치수 안정성, 접착력, 에칭 전후의 평면성 등에 있어서 신뢰성이 우수하고 내화학성 또한 우수한 인쇄회로기판용 금속 적층판, 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
전자기기의 소형화, 다기능화, 특히 휴대용 기기의 경박단소화에 따라 전자기기에 사용되고 있는 회로기판도 더욱 고밀도화가 요구되고 있으며, 이러한 요구를 충족시키기 위하여 회로기판을 다층화하는 것이 일반적이다. 또한, 좁은 공간에 설치할 수 있도록 유연성을 부여한 플렉시블 인쇄회로기판(flexible printed-circuit base board)을 사용하기도 하고 동일한 공간에서 많은 양의 회로를 얻기 위하여 선폭이 좁은 회로를 사용하기도 한다. 한편, 다층화를 위한 납땜으로 유발 되는 환경문제로 인해 납을 사용하지 않는 다층화를 위한 접착제에 관한 관심이 생기면서 회로기판을 위한 높은 접착력, 고내열성 및 저흡습율의 접착제가 요구되고 있다.
한국 특허출원 제2000-73384호 (출원인: 엘지화학)에서와 같이, 종래의 아크릴계 또는 에폭시계 접착제를 사용하여 폴리이미드 필름과 금속박을 접착시키는 금속 적층판은 다층화, 유연성, 높은 접착력 및 고내열성을 요구하는 회로기판에는 불충분하였다. 따라서, 접착제를 사용하지 않고 폴리이미드와 금속박을 직접 접착시키는 무접착제 타입의 2층 금속 적층판 형태의 플렉시블 금속 적층판이 개발되었다.
이런 2층 금속 적층판은 금속박, 바람직하게는 동박(Cu)과 폴리이미드 필름을 직접 맞붙인 형태로서, 기존의 접착제를 사용하여 동박과 폴리이미드 필름을 접착한 이른바 3CCL(3-Layer Copper Clad Laminate) 에 비해 열안정성, 내구성, 전기적 특성 등이 매우 우수한 플렉시블(flexible) 회로 기판 소재이다.
이러한 2층 금속 적층판에 대해서 다양한 연구결과가 발표되었다. 예를 들면, 기존에는 금속 도체층으로서 동박을 이용하는 2CCL (2-Layer Copper Clad Laminate) 적층판을 만들때, 동박 위에 적층되는 폴리이미드계 수지들의 열팽창계수가 20ppm/℃ 보다 큰 것을 사용하여 온도가 올라가거나 내려가면 수축과 팽창이 커 온도 변화에 대한 치수 안정성에서 좋지 않은 성질을 가지게 되는 문제점이 있었다.
추가로, 플렉시블 인쇄 기판에 대하여는 현재 한쪽 면에만 도체층을 갖는 일 면 구조의 것과, 절연체 층을 사이에 두고 그 양쪽면에 각각 도체층을 갖는 양면 구조의 것이 실용화되어 있으나, 양면 구조의 적층판은 일면 구조의 가요성 인쇄기판과 비교하여 일반적으로 유연성이 낮다고 하는 문제점이 있다.
본 발명자들은 인쇄 회로 기판용 금속 적층판에 있어서, 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하고자 지속적인 연구를 수행한 결과, 금속 도체판 상에 적층되는 절연체를 서로 열팽창 계수가 다른 여러 폴리이미드계 수지층으로 다층화하면, 즉 열팽창계수가 20 ppm/℃ 이하인 두개의 저열팽창성 폴리이미드계 수지층과, 임의성분으로 상기 저열팽창성 폴리이미드계 수지층 상에 열팽창계수가 20 ppm/℃ 을 초과한 고열팽창성 폴리이미드계 수지층을 적층시켜 다층화하면, 온도 변화에 대한 치수 안정성, 접착력, 에칭 전후의 평면성 등에 있어 신뢰성이 우수할 뿐 아니라 내화학성이 우수한 2층 금속 적층판을 제조할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명의 목적은 열팽창계수가 20 ppm/℃ 이하인 두개의 저열팽창성 폴리이미드계 수지층과 금속 도체층, 및 임의성분으로 상기 저열팽창성 폴리이미드계 수지층 상에 적층된 열팽창계수가 20 ppm/℃ 을 초과한 고열팽창성 폴리이미드계 수지층을 포함하여 이루어진 플렉시블 인쇄 회로 기판용 2층 금속 적층판, 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
이하에서 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기에 적합한 본 발명의 2층 금속 적층판은 열팽창계수가 20 ppm/℃ 이하인 제1 및 제2의 저열팽창성 폴리이미드계 수지층, 및 도체층을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 2층 금속 적층판의 또다른 형태는 상기 저열팽창성 폴리이미드계 수지층 상에, 제2의 저열팽창성 폴리이미드계 수지층의 열팽창계수와의 차이가 10ppm/℃ 이상이며, 그의 열팽창계수가 20 ppm/℃ 을 초과한 고열팽창성 폴리이미드계 수지층이 적층된 구조를 가질 수 있다.
추가로, 본 발명은 열팽창계수가 20 ppm/℃ 이하인 제1및 제2의 저열팽창성 폴리이미드 전구체 용액 중 어느 하나를 금속박 위에 코팅한 후 건조시킨 다음, 나머지 저열팽창성 폴리이미드 전구체 용액을 코팅한 후 건조 및 경화시킴에 의해 두개의 폴리이미드계 수지층을 금속 도체층 상에 적층시키는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 금속 적층판의 제조방법을 제공한다.
상기 제조방법은 상기 경화 단계 전에, 열팽창계수가 20 ppm/℃ 을 초과하며, 제2 저열팽창성 폴리이미드계 수지의 열팽창계수와의 차이가 10 ppm/℃ 이상인 고열팽창성 폴리이미드 전구체 용액을 저열팽창성 폴리이미드 전구체가 코팅된 금속 도체층 위에 코팅한 후 건조하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에서 언급하는 폴리이미드계 수지란 아미드 고리 구조를 갖는 수지를 총칭하며, 예로서 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에스테르이미드 등을 들 수 있다. 또한, 열팽창계수는 아미드화 반응이 충분히 완결된 시료에 대하여 열역학 분석기(TMA)를 이용하여 10℃/분의 속도로 가열시키면서 100℃ 부터 200℃ 까지의 평균 선팽창율을 계산하여 얻은 값이다.
상기에서 제1 및 제2의 저열팽창성 폴리이미드계 수지의 열팽창계수가 20 ppm 이하이면 본 발명의 목적을 달성하기에 적합하나, 제1의 저열팽창성 폴리이미드계 수지의 열팽창계수가 5 내지 16 ppm/℃ 이고, 제2의 저열팽창성 폴리이미드계 수지의 열팽창계수가 16 내지 20 ppm/℃ 이며, 양 폴리이미드계 수지의 열팽창계수의 차이는 3 ppm/℃ 이상인 것이 특히 본 발명의 목적에 적합하다. 이 차이 범위를 벗어날 경우 도체를 포함한 폴리이미드 2층 동장 적층판의 에칭 전, 후의 평면성이 불량해질 수 있다.
본 발명에 있어서 금속판으로 사용가능한 금속으로는 동, 알루미늄, 철, 은, 팔라듐, 니켈크롬, 몰리브덴, 텅스텐 또는 이들의 합금을 들 수 있으며, 이들 중 동이 가장 바람직하다.
본 발명에서는 양면 구조의 금속 적층판을 형성할 수도 있으나, 본 발명의 목적을 달성하기에 바람직한 구조는 일면 구조의 금속 적층판의 형태이다.
또한, 본 발명에서 상기 제1 및 제2의 저열팽창성 폴리이미드계 수지층은 그 두께비가 0.01 내지 100인 것이 바람직하다. 그 두께비가 0.01 보다 작거나 100 보다 클 경우는 제품에 컬이 생기고, 또한 에칭 후에 컬이 다른 양상을 띠게 되어 회로 형성 작업이 곤란해지는 문제가 발생한다.
또한, 본 발명의 제조방법에서 사용될 수 있는 폴리이미드 전구체 용액은 적당한 유기용매에 이무수물과 디아민을 1:0.9 내지 1:1.1의 몰비로 혼합한 바니쉬 형태로 제조될 수 있다. 이렇게 얻어진 바니쉬를 금속판에 1회 이상 코팅 및 건조 시켜 수지층을 형성시킨다. 본 발명에서는 폴리이미드 전구체 용액을 제조시 이무수물과 디아민의 혼합비, 또는 이무수물 간 또는 디아민 간의 혼합비를 조절하거나, 선택되는 이무수물 및 디아민의 종류를 조정함으로써 원하는 열팽창계수의 폴리이미드계 수지를 얻을 수 있다.
본 발명에 적합한 상기 이무수물로는 PMDA(피로멜리틱 디안하이드라이드),
BPDA(3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실릭 디안하이드라이드), BTDA(3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실릭 디안하이드라이드), ODPA(4,4'-옥시다이프탈릭 안하이드라이드), BPADA(4,4'-(4,4'-이소프로필바이페녹시)바이프탈릭 안하이드라이드), 6FDA(2,2'-비스-(3,4-디카복실페닐) 헥사플루오로프로판 디안하이드라이드) 및 TMEG(에틸렌글리콜 비스(안하이드로-트리멜리테이트)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
본 발명에 적합한 상기 디아민으로는 p-PDA(p-페닐렌디아민), m-PDA(m-페닐렌디아민), 4,4'-ODA(4,4'-옥시디아닐린), 3,4'-ODA(3,4'-옥시디아닐린), BAPP(2,2-비스(4-[4-아미노페녹시]-페닐)프로판), TPE-R(1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠), 및 m-BAPS(2,2-비스(4-[3-아미노페녹시]페닐)설폰), HAB(3,3'-디하이드록시-4,4'-디아미노 바이페닐), DABA(4,4'-디아미노벤즈아닐리드)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
본 발명은 필요에 따라 상기의 화합물 이외의 다른 이무수물이나 디아민, 또는 다른 화합물을 소량 첨가하는 것도 가능하다.
본 발명에 있어서 폴리이미드 전구체 용액을 제조하는데 적합한 유기 용매로 는 N-메틸피롤리디논(NMP), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), 테트라히드로퓨란(THF), N,N-디메틸포름아미드(DMF), 디메틸설폭시드(DMSO), 시클로헥산, 아세토니트릴 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택하여 사용할 수 있나, 이에 한정되는 것은 아니다.
폴리이미드 전구체는 전체 용액 중에 10 내지 30 중량%로 존재하는 것이 바람직한데, 10 중량% 미만에서는 불필요한 용매의 사용이 많아지고, 30 중량%를 초과하는 경우에는 용액의 점도가 지나치게 높아져서 균일한 도포를 할 수 없다.
또한, 도포나 경화를 용이하게 하기 위하여 또는 기타 물성을 향상시키기 위하여 소포제, 겔 방지제, 경화 촉진제 등과 같은 첨가제를 더 추가할 수 있다.
폴리이미드 전구체 용액을 코팅시에는 다이 코터(die coater), 콤마 코터(comma coater), 리버스 콤마 코터(reverse comma coater), 그라비아 코터(garvure coater) 등을 사용할 수 있고, 이 외에도 일반적으로 코팅에 사용되는 다른 기술을 사용해도 무방하다. 상기 코팅된 바니쉬의 건조는 오븐의 구조나 조건에 따라 다르겠지만, 보통 용매의 비점보다 낮은 온도의 아치형 오븐, 플로팅형 오븐(floating type oven) 등에서 100 내지 350 ℃ 정도, 보다 바람직하게는 140 내지 250 ℃ 정도에서 건조시킨다.
상기와 같이 금속박의 일단면에 저열팽창성 폴리이미드 전구체 또는 고열팽창성 폴리이미드 전구체를 코팅 및 건조시킨 후 350 ℃의 온도까지 승온하여 경화시키는데, 상기 경화는 질소 분위기나 진공하의 오븐에서 서서히 승온하여 경화시키거나, 질소 분위기에서 연속적으로 고온을 통과시켜 경화시킬 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 방법에 의하면 우수한 플렉시블 인쇄회로기판용 2층 금속 적층판을 제조할 수 있다.
이렇게 얻어진 본 발명의 2층 금속 적층판은 접착력이 적어도 0.5 kg/cm 이상, 흡습율은 4% 이하, 인장 강도는 13.8×107 Pa 이상, 신장율은 25% 이상, 가열 수축율(신축율)은 0.5% 이하이며, 우수한 내화학성을 갖는다.
이하의 실시예를 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하고자 하는 목적일 뿐이며 본 발명의 범위가 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다.
먼저, 본 발명의 실시예 및 비교예에서 사용하는 폴리이미드 전구체 용액을 합성한 후 이를 사용하여 금속적층판을 제조하여 그 성능을 비교하였다.
[합성예 1]
N-메틸피롤리디논 100ml 에 p-PDA 5.2g과 4,4'-ODA 0.2g을 넣어 용해시킨 후 BPDA 14.6g을 첨가하고 24시간 동안 교반하여 중합시킨다. 이 때 중합 온도는 5℃로 한다. 중합한 용액을 350℃까지 경화하여 두께가 25㎛가 되는 필름을 만든다. 이 필름을 10℃/분의 속도로 승온시키면서 TMA를 이용하여 선팽창계수를 측정한 결과 100℃에서 200℃ 의 온도 범위에서 평균 선팽창계수는 9 ppm/℃ 이었다.
[합성예 2-11]
하기 표 1에서와 같은 이무수물 및 디아민을 사용하여 합성예 1과 동일한 방법으로 폴리이미드 전구체 용액을 제조하였고 이들의 선팽창계수를 측정하였다.
이무수물(g) 디아민(g) 선팽창계수 x 10-6(1/℃)
합성예 2 BPDA 10.7 BTDA 4.2 p-PDA 5.1 - 16
합성예 3 BPDA 10.1 ODPA 4.6 p-PDA 5.3 - 13
합성예 4 PMDA 6.6 BTDA 4.2 4,4'-ODA 1.7 HAB 7.5 17
합성예 5 BPDA 6.9 BTDA 7.5 p-PDA 4.5 DABA 1.1 13
합성예 6 BPDA 6.8 ODPA 7.1 p-PDA 4.0 DABA 2.1 16
합성예 7 BPDA 4.5 PMDA 6.2 4,4'-ODA 2.6 HAB 6.6 10
합성예 8 BPDA 11.9 BPADA 2.3 TPE-R 1.3 p-PDA 4.4 19
합성예 9 BPDA 6.5 BTDA 7.1 p-PDA 3.3 DABA 3 18
합성예 10 BPDA 10.3 TMEG 1.6 4,4'-ODA 3.9 HAB 4.2 30
합성예 11 BPDA 14.3 4,4'-ODA 1.0 p-PDA 4.7 8
[실시예 1]
동박에 합성예 1에서 제조한 폴리이미드 전구체 용액을 도포하는데 경화 후 두께가 하기 표 2 에 나와 있는 것과 같이 하였다. 그 후에 140℃에서 건조시키고, 그에 접하게 합성예 2에서 제조한 폴리이미드 전구체 용액을 1번 액과 같은 방법으로 도포한 후 건조하여 그 박막의 온도를 350℃까지 올려 경화시켰다. 그 후, 접착력과 신축율을 측정하였다. 내화학성과 에칭 전후의 평면성 시험은 통과하였다.
[실시예 2-7]
하기 표 2에서 나타나 있는 바와 같은 폴리이미드 전구체 용액을 사용하여 실시예 1과 같은 방법으로 2층 동장 적층판을 제작하였다. 그 후 접착력과 신축율을 측정하여 그 결과를 표 2에 나타내었다. 실시예 2-7에서 제조한 2층 동장 적층판은 내 화학성과 애칭 전후의 평면성 시험을 통과하였다.
[비교예 1]
동백에 합성예 1에서 제조한 폴리이미드 전구체 용액을 경화 후 두께가 0.2㎛ 되게 도포하였다. 그 후에 140℃에서 건조시키고 그에 접하게 합성예 2에서 제조한 폴리이미드 전구체 용액을 1번 액과 같은 방법으로 경화 후 두께가 24.8㎛가 되게 도포한 후 건조하여 온도를 350℃까지 올려 그 박막을 경화시켰다. 이 때 도체를 포함한 폴리이미드 박막이 평평하지 않았다.
1층 2층 접착력 (kg/cm) 신축율 (%) 흡습율 (%)
액 두께(㎛) 액 두께(㎛)
실시예 1 합성예 1 13 합성예 2 12 1.1 0.4 2.5
실시예 2 합성예 11 8 합성예 8 17 1.0 0.5 2.4
실시예 3 합성예 3 10 합성예 4 10 1.2 -0.4 2.2
실시예 4 합성예 5 6 합성예 2 6.5 1.0 0.3 2.2
실시예 5 합성예 6 11 합성예 7 14 1.3 0.4 2.3
실시예 6 합성예 8 12 합성예 5 8 1.5 0.4 2.5
실기예 7 합성예 9 5.5 합성예 7 7 1.2 -0.3 2.2
[실시예 8]
동박에 합성예 9에서 제조한 폴리이미드 전구체 용액을 경화 후 두께가 12㎛가 될 수 있도록 도포하였다. 그 후에 140℃에서 건조하고 그에 접하게 합성예 5에서 제조한 폴리이미드 전구체 용액을 앞서 했던 것과 같은 방법으로 도포한 후 건조하는데, 두께는 경화 후 11㎛가 되게 하였다. 또한 그 위에 합성예 10에서 제조한 폴리이미드 전구체 용액으로 경화 후 두께가 2㎛가 될 수 있게 도포하여 같은 방법으로 건조한다. 그 후에 온도를 350℃까지 올려 박막을 경화시켰다. 제조한 2층 동장 적층판의 접착력은 1.3kg/cm이고, 신축율은 0.5%, 흡습율은 3%, 신장율은 28% 이었고, 내화학성과 에칭 전후의 평면성은 문제가 없었다.
[비교예 2]
동박에 합성예 3 에서 제조한 폴리이미드 전구체 용액을 경화 후 두께가 20㎛가 되게 도포하여 140 ℃에서 건조시킨 후 온도를 350℃까지 올려 박막을 경화시켰다. 제조된 2층 동장 적층판의 신축율은 0.6% 이었고 도체를 포함한 폴리이미드 박막은 평평하지 않았다.
[비교예 3]
동박에 합성예 10에서 제조한 폴리이미드 전구체 용액을 경화 후 두께가 20㎛가 되게 도포하여 140 ℃에서 건조시킨 후 온도를 350℃까지 올려 박막을 경화시켰다. 제조된 2층 동장 적층판의 신축율은 1.0% 이었고 도체를 포함한 폴리이미드 박막은 평평하지 않았다.
[비교예 4]
동박에 합성예 10에서 제조한 폴리이미드 전구체 용액을 도포하는데 경화 후 두께가 3㎛가 되게 도포하고 그 후에 140℃에서 건조시키고, 그에 접하게 합성예 3에서 제조한 폴리이미드 전구체 용액을 11번 액과 같은 방법으로 도포한 후 건조하는 데 그 두께는 경화 후 22㎛가 되게 하였다. 그 후 박막의 온도를 350℃까지 올려 경화시켰다. 제조된 2층 동장 적층판의 신축율은 1.2% 이었고, 도체를 포함한 폴리이미드 박막은 평평하지 않았으며, 동박을 에칭한 폴리이미드 박막 역시 평평하지 않았다.
[접착력, 신축율, 내화학성, 흡습율, 및 에칭전후의 평면성 측정방법]
상기 각 측정치에 대한 측정 방법은 IPC-FC-241C에 나온 것을 바탕으로 하였다.
1) 접착력: 2.4.9 peel strength
2) 신축율: 2.2.4. Dimensional stability
3) 내화학성: 2.3.2. Chemical Resistance of flexible print wiring
다음의 화학물질을 순서대로 준비한 후 폴리이미드 필름을 이 용액들에 각기 1분 동안 담그고 55℃ 물로 씻은 후 30 분 안에 점착성(tackiness), 부풀음(blistering), 기포(bubbles), 박리(delamination), 팽윤(swelling), 색의 변화 등을 관찰한다. 16~24시간 후에 다시 한번 관찰하고 화학제품에 노출된 것과 안된 것 두 가지의 박리(Peel) 강도를 측정한다. 변화가 없을 때 내화학성을 통과한 것으로 간주한다.
모노에탄올 아민 0.5%/KOH 5.0%/모노부틸에테르 0.5% 수용액, 55±5℃;
2N 황산, 23±5℃;
70% 이소프로판올, 23±5℃;
메틸 에틸 케톤, 23±5℃.
4) 흡습율: 2.6.2. Moisture Absorption
5) 에칭 전 후의 평면성:
폴리이미드를 포함한 동장 적층판을 가로 세로 25cm x 25cm로 재단하여 평평한 곳에 놓고 각 모서리의 높이를 측정하여 평균한다. 또한 동을 에칭한 후 같은 방법으로 하여 그 평균값이 0.5cm를 넘지 않으면 에칭 전후의 평면성에 문제가 없다고 판단한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 2층 금속 적층판은 접착력, 흡습율, 가열수축율, 내화학성 등이 우수하고, 에칭 전후의 평면성 등에 있어서 신뢰성이 우수한 효과를 가지며, 생산성을 높일 수 있다.
상기에서 본 발명은 기재된 구체 예를 중심으로 상세히 설명되었지만, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.

Claims (12)

  1. 열팽창계수가 20 ppm/℃ 이하인 제 1 및 제 2 저열팽창성 폴리이미드계 수지층, 및 도체층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 적층판.
  2. 열팽창계수가 20 ppm/℃ 이하인 제 1 및 제 2 저열팽창성 폴리이미드계 수지층, 열팽창계수가 20 ppm/℃ 을 초과한 고열팽창성 폴리이미드계 수지층 및 도체층으로 이루어지며, 상기 고열팽창성 폴리이미드계 수지층은 저열팽창성 폴리이미드계 수지층 상에 적층되며 제2의 저열팽창성 폴리이미드계 수지층의 열팽창계수와의 차이가 10 ppm/℃ 이상인 것을 특징으로 하는 금속 적층판.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    제1 저열팽창성 폴리이미드계 수지층의 열팽창계수는 5 내지 16 ppm/℃ 이고, 제2 저열팽창성 폴리이미드계 수지층의 열팽창계수는 16 내지 20 ppm/℃ 이며, 그 차이는 3 ppm/℃ 이상인 것을 특징으로 하는 금속 적층판.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    제1 및 제2 폴리이미드계 수지층의 두께비가 0.01 내지 100인 금속 적층판.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    폴리이미드계 수지층이, PMDA(피로멜리틱 디안하이드라이드), BPDA(3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실릭 디안하이드라이드), BTDA(3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실릭 디안하이드라이드), ODPA(4,4'-옥시다이프탈릭 안하이드라이드), BPADA(4,4'-(4,4'-이소프로필바이페녹시)바이프탈릭 안하이드라이드), 6FDA(2,2'-비스-(3,4-디카복실페닐) 헥사플루오로프로판 디안하이드라이드) 및 TMEG(에틸렌글리콜 비스(안하이드로-트리멜리테이트)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 이무수물과, p-PDA(p-페닐렌디아민), m-PDA(m-페닐렌디아민), 4,4'-ODA(4,4'-옥시디아닐린), 3,4'-ODA(3,4'-옥시디아닐린), BAPP(2,2-비스(4-[4-아미노페녹시]-페닐)프로판), TPE-R(1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠), m-BAPS(2,2-비스(4-[3-아미노페녹시]페닐)설폰), HAB(3,3'-디하이드록시-4,4'-디아미노 바이페닐), 및 DABA(4,4'-디아미노벤즈아닐리드)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 디아민으로부터 제조되는 폴리이미드 전구체 용액으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 금속 적층판.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    도체층이 동박인 것을 특징으로 하는 금속 적층판.
  7. 열팽창계수가 20 ppm/℃ 이하인 제1및 제2 저열팽창성 폴리이미드 전구체 용액 중 어느 하나를 금속박 위에 코팅한 후 건조시킨 다음, 나머지 저열팽창성 폴리이미드 전구체 용액을 코팅한 후 건조 및 경화시킴에 의해 두개의 저열팽창성 폴리 이미드계 수지층을 금속 도체층 상에 적층시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 금속 적층판의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 경화 단계 전에, 열팽창계수가 20 ppm/℃ 을 초과하며, 제2 저열팽창성 폴리이미드계 수지의 열팽창계수와의 차이가 10 ppm /℃ 이상인 고열팽창성 폴리이미드 전구체 용액을 제1 및 제2 저열팽창성 폴리이미드 전구체가 코팅된 금속박 위에 코팅한 후 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 적층판의 제조방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    제1 저열팽창성 폴리이미드계 수지층의 열팽창계수는 5 내지 16 ppm/℃ 이고, 제2 저열팽창성 폴리이미드계 수지층의 열팽창계수는 16 내지 20 ppm/℃ 이며, 그 차이는 3 ppm/℃ 이상인 것을 특징으로 하는 금속 적층판의 제조방법.
  10. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    제1 및 제2 폴리이미드계 수지층의 두께비가 0.01 내지 100인 금속 적층판의 제조방법.
  11. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    폴리이미드 전구체 용액이 PMDA(피로멜리틱 디안하이드라이드), BPDA(3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실릭 디안하이드라이드), BTDA(3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실릭 디안하이드라이드), ODPA(4,4'-옥시다이프탈릭 안하이드라이드), BPADA(4,4'-(4,4'-이소프로필바이페녹시)바이프탈릭 안하이드라이드), 6FDA(2,2'-비스-(3,4-디카복실페닐) 헥사플루오로프로판 디안하이드라이드) 및 TMEG(에틸렌글리콜 비스(안하이드로-트리멜리테이트)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 이무수물과, p-PDA(p-페닐렌디아민), m-PDA(m-페닐렌디아민), 4,4'-ODA(4,4'-옥시디아닐린), 3,4'-ODA(3,4'-옥시디아닐린), BAPP(2,2-비스(4-[4-아미노페녹시]-페닐)프로판), TPE-R(1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠), m-BAPS(2,2-비스(4-[3-아미노페녹시]페닐)설폰), HAB(3,3'-디하이드록시-4,4'-디아미노 바이페닐), 및 DABA(4,4'-디아미노벤즈아닐리드)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 디아민으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 금속 적층판의 제조방법.
  12. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    도체층이 동박인 것을 특징으로 하는 금속 적층판의 제조방법.
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