KR20060044846A - 테스트 단자 무효화 회로 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (7)
- 테스트 단자 무효화 회로에 있어서,1 또는 복수의 테스트 단자로부터 테스트 신호를 수신하여, 상기 테스트 신호를 그대로 유효한 상태 또는 소정의 무효 상태로 하여 테스트 대상 회로로 출력하는 스위치 회로;상기 스위치 회로의 출력 신호의 유효 또는 무효 상태를 제어하는 테스트 신호 제어 회로;테스트 모드 시에, 상기 스위치 회로의 출력 신호를 유효 상태로 하는 테스트 모드 신호를 발생하여, 상기 테스트 신호 제어 회로에 출력하는 테스트 모드 신호 발생 회로; 및상기 스위치 회로의 출력 신호를 강제적으로 무효 상태로 하는 무효화 신호를 상기 테스트 신호 제어 회로에 출력 가능하며, 전기적으로 재기입 가능한 불휘발성 메모리 소자를 포함하는 무효화 신호 발생 회로를 포함하고,상기 테스트 신호 제어 회로는, 상기 무효화 신호 발생 회로로부터 상기 무효화 신호가 출력되면, 상기 테스트 모드 신호 발생 회로로부터 상기 테스트 모드 신호가 출력되더라도, 상기 스위치 회로의 출력 신호를 무효 상태로 하는 테스트 단자 무효화 회로.
- 제1항에 있어서,상기 무효화 신호 발생 회로는, MOSFET 구조의 제1 불휘발성 메모리 소자와 제2 불휘발성 메모리 소자, 및 제1 인버터 회로와 제2 인버터 회로를 포함하고,상기 제1 불휘발성 메모리 소자와 상기 제2 불휘발성 메모리 소자의 소스가 접지 전압에 접속되고, 상기 제1 불휘발성 메모리 소자와 상기 제2 불휘발성 메모리 소자의 게이트가 전원 전압에 접속되고, 상기 제1 불휘발성 메모리 소자의 드레인이 상기 제1 인버터 회로의 입력과 상기 제2 인버터 회로의 출력에 접속되고, 상기 제2 불휘발성 메모리 소자의 드레인이 상기 제1 인버터 회로의 출력과 상기 제2 인버터 회로의 입력에 접속되고,상기 제1 또는 제2 인버터 회로의 어느 한쪽의 출력이 상기 무효화 신호 발생 회로의 출력으로 되어 있는 테스트 단자 무효화 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 무효화 신호 발생 회로의 출력 레벨은, 상기 제1 불휘발성 메모리 소자와 상기 제2 불휘발성 메모리 소자의 임계값 전압의 차에 따라 변화되는 테스트 단자 무효화 회로.
- 테스트 신호 무효화 방법에 있어서,제1항의 테스트 단자 무효화 회로를 이용하는 단계; 및테스트 종료 후에, 상기 무효화 신호 발생 회로의 상기 불휘발성 메모리 소자에 대해 전기적인 재기입 동작을 행하여 상기 무효화 신호를 출력시키는 단계를 포함하는 테스트 신호 무효화 방법.
- 테스트 신호 무효화 방법에 있어서,제2항의 테스트 단자 무효화 회로를 이용하는 단계; 및테스트 종료 후에, 상기 무효화 신호 발생 회로의 상기 제1 불휘발성 메모리 소자 또는 제2 불휘발성 메모리 소자의 어느 한쪽에 대하여 전기적인 재기입 동작을 행하여 상기 무효화 신호를 출력시키는 단계를 포함하는 테스트 신호 무효화 방법.
- 제1항의 테스트 단자 무효화 회로를 포함하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
- 제6항의 불휘발성 반도체 기억 장치를 포함하는 IC 카드.
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