KR20060031630A - 플라즈마 디스플레이 패널용 전사 필름, 플라즈마디스플레이 패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널용 전사 필름, 플라즈마디스플레이 패널 및 이의 제조 방법 Download PDF

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히로아끼 무까이
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Abstract

유리 프릿, 결착 수지 및 가소성 부여 물질을 함유하는 유리 페이스트 조성물, 이 조성물로 이루어지는 막형성 재료층을 갖는 전사 필름, 이 필름으로부터 형성된 유리 소결체로 이루어지는 격벽을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널이 제공된다. 상기 유리 페이스트 조성물을 사용하여 얻어지는 전사 필름에 의하면, 드라이 필름으로서 충분한 유연성이 얻어지고, 또한 이 필름에 대하여 포스트 베이킹을 행함으로써 취성을 갖는 막이 형성되기 때문에, 이 막을 샌드블라스트 처리함으로써, 그 일부를 제거하여 목적하는 형태로 가공할 수 있으므로, 그것을 소성함으로써, 높이의 균일성이 뛰어나고, 종횡비가 높고, 목적하는 형태를 갖는 유리 소결체, 예를 들면 플라즈마 디스플레이용의 격벽으로서 유용한 유리 소결체가, 비교적 간단하면서 또한 확실하게 얻어진다.
전사 필름, 플라즈마 디스플레이 패널, 유리 페이스트 조성물

Description

플라즈마 디스플레이 패널용 전사 필름, 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법 {TRANSFER FILM FOR PLASMA DISPLAY PANEL, PLASMA DISPLAY PANEL, AND METHOD FOR PRODUCING SAME}
본 발명은, 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 등을 형성하기에 적합한 유리 페이스트 조성물, 이 조성물로부터 얻어지는 전사 필름 및 이 전사 필름으로부터 얻어지는 유리 소결체를 포함하는 격벽을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근에 있어서, 평판상의 형광 표시체로서 플라즈마 디스플레이가 주목받고 있다. 도 1은 교류형의 플라즈마 디스플레이 패널(이하, 「PDP」라고도 함)의 단면 형상을 도시한 모식도이다. 이 도면에 있어서, (1) 및 (2)는, 서로 대향하도록 배치된 유리 기판, (3)은 격벽이고, 유리 기판(1), 유리 기판(2) 및 격벽(3)에 의해서 구획됨으로써 셀이 형성되어 있다. (4)는 유리 기판(1)에 고정된 투명 전극, (5)는 투명 전극(4)의 저항을 저하시키기 위해서 상기 투명 전극(4) 상에 형성된 버스 전극, (6)은 유리 기판(2)에 고정된 어드레스 전극, (7)은 셀 내에 보유된 형광 물질, (8)은 투명 전극(4) 및 버스 전극(5)을 피복하도록 유리 기판(1)의 내면에 형성된 유전체층, (9)는 어드레스 전극(6)을 피복하도록 유리 기판(2)의 내면에 형성된 유전체층, (10)은 예를 들면 산화 마그네슘으로 이루어지는 보호막이다.
이와 같은 PDP에서, 격벽(3)은 유리 소결체에 의해 형성되고, 그 폭은 예를 들면 30∼60㎛, 높이는 예를 들면 100∼150㎛로 된다.
격벽(3)을 형성하는 방법으로서는, 일반적으로, 이하의 방법이 알려져 있다.
(1) 유리 프릿, 결착 수지 및 용제를 함유하는 페이스트상의 조성물(유리 페이스트 조성물)을 제조하고, 이 유리 페이스트 조성물을 스크린 인쇄에 의해서 유리 기판(1)의 표면에 도포하여 건조하는 공정을 복수회 반복함으로써, 목적하는 형태의 격벽 형성 재료층을 형성하고, 이어서, 이 격벽 형성 재료층을 소성함으로써, 상기 격벽 형성 재료층 중의 유기 물질을 제거하여 유리 프릿을 소결시키는 방법(이하, 이 방법을 「스크린 인쇄법」이라 함).
(2) 유리 프릿, 결착 수지 및 용제를 함유하는 페이스트상의 조성물(유리 페이스트 조성물)을 제조하고, 이 유리 페이스트 조성물을 스크린 인쇄 또는 블레이드 코터 등에 의해서 유리 기판(1)의 표면에 도포하여 건조함으로써, 격벽 형성 재료층을 얻기 위한 재료층 형성용 막을 형성하고, 이 재료층 형성용 막 상에 레지스트액을 도포 또는 드라이 필름 레지스트를 전사하여, 노광 처리 및 현상 처리함으로써, 형성할 격벽의 형태에 대응하는 형태의 레지스트층을 형성하고, 그 후 샌드블라스트 장치에 의해 주로 재료층 형성용 막에서의 노출 부분을 샌드블라스트 처리하여 상기 부분을 제거함으로써, 목적하는 형태의 격벽 형성 재료층을 형성하고, 이어서 잔존한 레지스트층을 격벽 형성 재료층으로부터 박리한 후, 격벽 형성 재료층을 소성함으로써, 상기 격벽 형성 재료층 중의 유기 물질을 제거하여 유리 프릿 을 소결시키는 방법(이하, 이 방법을 「샌드블라스트법」이라 함).
(3) 유리 프릿, 감광성 수지 및 용제를 함유하는 페이스트상의 조성물(감광성 유리 페이스트 조성물)을 제조하고, 이 감광성 유리 페이스트 조성물을 스크린 인쇄 또는 블레이드 코터 등에 의해서 유리 기판(1)의 표면에 도포하여 건조함으로써, 격벽 형성 재료층을 얻기 위한 감광성 재료층 형성용 막을 형성하고, 이 감광성 재료층 형성용 막을 노광 처리 및 현상 처리함으로써, 목적하는 형태의 격벽 형성 재료층을 형성하고, 이어서 이 격벽 형성 재료층을 소성함으로써, 상기 격벽 형성 재료층 중의 유기 물질을 제거하여 유리 프릿을 소결시키는 방법(이하, 이 방법을 「감광성 페이스트법」이라 함).
(4) 유리 프릿, 결착 수지 및 용제를 함유하는 페이스트상의 조성물(유리 페이스트 조성물)을 제조하고, 이 유리 페이스트 조성물을 스크린 인쇄 또는 블레이드 코터 등에 의해서 유리 기판(1)의 표면에 도포하여 건조함으로써, 격벽 형성 재료층을 얻기 위한 재료층 형성용 막을 형성하고, 이 재료층 형성용 막을 그 상방으로부터 격벽의 형태에 대응하는 형태의 구조를 갖는 틀에 의해서 가압함으로써, 목적하는 형태의 격벽 형성 재료층을 형성하고, 이어서 이 격벽 형성 재료층을 소성함으로써, 상기 격벽 형성 재료층 중의 유기 물질을 제거하여 유리 프릿을 소결시키는 방법(이하, 이 방법을 「가압 성형법」이라 함).
여기서, 유리 페이스트 조성물을 구성하는 결착 수지로서는, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스 유도체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리에틸렌글리콜, 우레탄계 수지, 멜라민계 수지 등이 알 려져 있고, 이들 중, 유리 프릿의 분산성, 조성물의 도포 특성, 연소의 용이성 등의 관점에서, 에틸셀룰로오스가 바람직한 것으로 되어 있다(예를 들면, 일본 특허 공개 (평)6-321619호 공보 참조).
상기 방법 중, 가압 성형법은 간단한 공정에 의해 격벽을 형성하는 것이 가능하지만, 정밀도가 높은 틀을 제작해야 할 필요가 있는 점, 유리 기판의 평탄성에 의해서 격벽 형성 재료층의 형상이 크게 영향을 받는 점 등, 격벽의 형성 방법으로서의 신뢰성이 아직 낮다.
또한, 감광성 페이스트법은, 노광 처리, 현상 공정이 필요한 점 또는 폐기물의 발생 등이 문제가 된다.
이에 대하여, 샌드블라스트법은 현재 가장 보급되어 있는 방법이고, 또한 신뢰성도 높은 방법이다. 그런데, 이 블라스트법에서는, 유리 페이스트 조성물을 도포하는 방법으로서, 스크린 인쇄법을 이용하지 않을 수 없기 때문에, 이하와 같은 문제가 있다.
즉, 유리 기판(1) 상에 형성하는 격벽 형성 재료층의 높이는, 소성 공정에서의 유기 물질의 제거에 수반하는 막 두께의 감소량을 고려하여, 형성할 격벽(3)의 높이의 1.3∼2.0배 정도로 할 필요가 있고, 예를 들면, 격벽(3)의 높이를 100∼150㎛로 하기 위해서는, 130∼300㎛ 정도 높이의 격벽 형성 재료층을 형성할 필요가 있다.
한편, 상기 유리 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법에 의해 도포하는 경우에, 1회의 도포 처리에 의해서 형성되는 도막의 두께는 15∼25㎛ 정도이다. 따라서, 소정의 높이의 격벽 형성 재료층을 형성하기 위해서는, 유리 기판의 표면에 대하여, 상기 유리 페이스트 조성물을 복수회(예를 들면 10∼20회)에 걸쳐 반복해서 도포(다중 인쇄)함으로써, 재료층 형성막을 형성하는 것이 필요하다.
그러나, 스크린 인쇄법에 의한 다중 인쇄에 의해서 재료층 형성막을 형성하는 경우에는, 형성 공정이 장대해질 뿐만 아니라, 얻어지는 격벽 형성 재료층의 높이에 편차가 발생하기 때문에, 균일한 높이를 갖는 격벽을 형성하기가 어렵다.
그리고, 샌드블라스트법에서, 스크린 인쇄법에 의해서 재료층 형성막을 형성하는 경우에서의 상기한 바와 같은 문제를 해결하는 수단으로서, 유리 페이스트 조성물을 드라이 필름화하고, 이것을 유리 기판 상에 전사함으로써 재료층 형성막을 형성하는 방법이 검토되고 있다.
그러나, 드라이 필름은 그 특성상 높은 유연성을 갖는 것일 필요가 있다. 그런데, 샌드블라스트법에 의해서 격벽을 형성하기 위해서 재료층 형성막, 즉 드라이 필름은 샌드블라스트 처리에 의해서 용이하게 제거되는 정도의 취성을 갖는 것일 필요가 있다.
이상과 같이, 샌드블라스트법에서, 유리 페이스트 조성물 대신에 드라이 필름을 사용하는 경우에, 상기 드라이 필름은 유연성 및 취성이라는 서로 상반되는 특성을 필요로 하기 때문에, 이와 같은 방법을 실용화하는 것은 어려웠다.
본 발명은, 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것으로서, 그 제1 목적은, 전사 필름으로 하였을 때의 유연성과, 샌드블라스트시의 취성이 양립할 수 있는 유리 페이스트 조성물, 및 상기 조성물로부터 얻어지는 전사 필름을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제2 목적은, 높이의 균일성이 뛰어나고, 종횡비가 높고, 목적하는 형태를 갖는 유리 소결체를 비교적 간단한 공정에 의해 확실하게 형성할 수 있는 전사 필름을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제3 목적은, 높이의 균일성이 뛰어나고, 종횡비가 높고, 목적하는 형태를 갖고, 비교적 간단한 공정에 의해서 얻어지는 유리 소결체를 포함하는 격벽을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제4 목적은, 높이의 균일성이 뛰어나고, 종횡비가 높고, 목적하는 형태를 갖는 유리 소결체를 포함하는 격벽을 비교적 간단한 공정에 의해서 형성할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 유리 페이스트 조성물은 유리 프릿, 결착 수지 및 가소성 부여 물질을 함유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유리 페이스트 조성물은, 유리 프릿 또는 유리 프릿과 다른 무기 산화물의 합계 100중량부에 대하여 결착 수지 2∼15중량부를 함유하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 유리 페이스트 조성물은, 결착 수지의 유리 전이점(Tg)이 0∼90℃의 범위에 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 유리 페이스트 조성물은, 결착 수지의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)이 100,000∼3,000,000의 범위에 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 유리 페이스트 조성물은, 가소성 부여 물질이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
Figure 112005073624742-PCT00001
(식중, R은 수소원자 또는 메틸기이고, n은 12 또는 13의 수이다.)
본 발명의 전사 필름은 유리 프릿, 결착 수지 및 가소성 부여 물질이 함유되어 이루어진 막형성 재료층을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은 상기 전사 필름을 사용하여 형성된 유리 소결체를 포함하는 격벽을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 상기 전사 필름에서의 막형성 재료층을 패널 기재에 전사하고, 전사된 막형성 재료층에 대하여 포스트 베이킹을 행하고, 샌드블라스트 처리를 행하여 목적으로 하는 형태의 격벽 형성 재료층을 형성하고, 상기 격벽 형성 재료층을 소성하여 유리 소결체를 포함하는 격벽을 형성하는 각 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에서는, 포스트 베이킹이, 막형성 재료층 중의 결착 수지의 중량 감소율이 30％ 이하이고, 또한, 가소성 부여 물질의 분해 또는 휘발하는 비율이 95％ 이상이 되는 조건으로 행하여지는 것이 바람직하다.
상기 구성의 유리 페이스트 조성물 및 이것을 사용하여 얻어지는 전사 필름 에 의하면, 전사 필름으로 하였을 때의 막형성 재료층에 가소성을 부여하기 위한 가소성 부여 물질이 함유되어 있기 때문에, 드라이 필름으로서 충분한 유연성이 얻어진다.
또한, 막형성 재료층은, 가소성 부여 물질의 분해 또는 휘발에 기인하는 열 중량 감소의 피크가, 결착 수지의 분해에 기인하는 열 중량 감소의 피크보다 상당히 낮은 온도에서 나타나기 때문에, 막형성 재료층을 전사한 후, 가소성 부여 물질의 열 중량 감소의 피크 온도와 결착 수지의 열 중량 감소의 피크 온도 사이의 온도 범위에서, 상기 막형성 재료층에 대하여 포스트 베이킹을 행함으로써, 결착 수지의 분해를 진행시키지 않고 가소성 부여 물질을 확실하게 분해 또는 휘발시킬 수 있고, 이에 따라 막형성 재료층의 유연성이 상실되는 결과, 취성을 갖는 막이 형성된다. 그 때문에, 이 막을 샌드블라스트 처리함으로써, 그 일부를 제거하여 목적하는 형태로 가공할 수 있다.
따라서, 막형성 재료층의 두께를 제어함과 동시에, 샌드블라스트 처리된 막을 소성함으로써, 높이의 균일성이 뛰어나고, 종횡비가 높고, 목적하는 형태를 갖는 유리 소결체가 비교적 간단한 공정에 의해 확실하게 얻어진다.
도 1은, 교류형의 플라즈마 디스플레이 패널의 단면 형상을 도시한 모식도이다.
도 2는, 본 발명에 따른 전사 필름의 일례에서의 막형성 재료층에 관해서 열 중량 분석을 행하였을 때의 TG 곡선을 나타내는 도면이다.
도 3은, 본 발명에 따른 전사 필름의 다른 예에서의 막형성 재료층에 관해서 열 중량 분석을 행하였을 때의 TG 곡선을 나타내는 도면이다.
도 4는, 실시예 1에 따른 전사 필름에서의 막형성 재료층에 관해서 열 중량 분석을 행하였을 때의 TG 곡선을 나타내는 도면이다.
<발명의 바람직한 실시 형태>
이하, 본 발명의 실시 형태에 관해서 상세하게 설명한다.
<유리 페이스트 조성물>
본 발명의 유리 페이스트 조성물은, 바람직하게는, 유리 프릿, 결착 수지, 가소성 부여 물질 및 통상 용제를 함유하여 이루어진다. 유리 페이스트 조성물의 각 구성 성분은, 후술하는 본 발명의 전사 필름에서의 막형성 재료층의 각 구성 성분에 대응하는 것이다.
<전사 필름>
본 발명의 전사 필름은 유리 프릿, 결착 수지 및 가소성 부여 물질이 함유되어 이루어지는 막형성 재료층을 갖는다.
이 막형성 재료층은, 10℃/분의 승온 속도로 열 중량 분석을 행하였을 때의 TG 곡선에서, 100∼400℃ 사이에 열 중량 감소의 피크가 다단계, 바람직하게는 2단계로 나타나는 것임이 바람직하다. 이 TG 곡선에서, 최초(저온측)의 열 중량 감소의 피크는, 주로 가소성 부여 물질의 분해 또는 휘발에 기인하는 것이고, 두번째(고온측)의 열 중량 감소의 피크는, 주로 결착 수지의 분해에 기인하는 것이다.
여기서, 「열 중량 감소의 피크가 2단계로 나타나는」이란, 도 2에 나타낸 바와 같이, 온도가 상승함에 따라서, 최초의 열 중량 감소의 피크(p1)가 나타난 후, 열 중량 감소가 정지하고, 그 후 두번째 열 중량 감소의 피크(p2)가 나타나는 경우, 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 온도가 상승함에 따라서, 최초의 열 중량 감소의 피크(p1)가 나타난 후, 열 중량 감소의 속도가 저하하고, 그 후 열 중량 감소의 속도가 상승하여 두번째 열 중량 감소의 피크(p2)가 나타나는 경우의 양쪽을 포함하는 것을 의미한다.
이와 같은 조건을 만족하는 막형성 재료층을 얻기 위해서는, 결착 수지 및 가소성 부여 물질로서, 10℃/분의 승온 속도로 소성한 경우에서, 상기 결착 수지의 중량 감소율이 30％가 되는 온도(Tr)(이하, 단지 「온도(Tr)」이라 함)가, 상기 가소성 부여 물질의 95％가 분해 또는 휘발하는 온도(Tp)(이하, 단지 「온도(Tp)」라 함) 이상이 되는 것을 선택하여 사용하면 된다. 또한, 온도(Tr)와 온도(Tp)의 차(Tr-Tp)는, 50∼200℃인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 80∼150℃이다.
온도(Tr)가 온도(Tp)보다 낮은 경우에는, 막형성 재료층을 전사한 후에, 상기 막형성 재료층에 대하여, 가소성 부여 물질을 충분히 분해 또는 휘발하는 온도 조건에서 포스트 베이킹을 행하면, 결착 수지의 분해가 상당히 진행하기 때문에, 발연 등이 발생하는 결과, 배기 등에 문제가 생기고, 한편, 결착 수지의 분해가 진행하지 않는 온도 조건에서 포스트 베이킹을 행하면, 상당한 양의 가소성 부여 물질이 잔존하기 때문에, 상기 막형성 재료층의 유연성이 상실되지 않고, 그 결과, 샌드블라스트 처리에 의해서 목적하는 형태로 가공하는 것이 어려워진다.
이하, 본 발명의 전사 필름을 구성하는 재료에 관해서 구체적으로 설명한다.
《지지 필름》
본 발명의 전사 필름은 막형성 재료층을 지지하는 지지 필름을 갖는다. 이 지지 필름은 내열성 및 내용제성을 가짐과 동시에 가요성를 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름이 가요성를 가짐으로써, 롤 코터, 블레이드 코터 등에 의해서 지지 필름의 표면에 막형성 재료 조성물을 도포할 수 있고, 얻어지는 전사 필름을 롤 형상으로 권취한 상태로 보존하거나 또는 공급할 수 있다.
지지 필름을 형성하는 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 폴리플루오로에틸렌 등의 불소 함유 수지, 나일론, 셀룰로오스 등을 들 수 있다.
지지 필름의 두께는, 예를 들면 20∼100㎛이다.
또한, 지지 필름의 표면에는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 유리 기판에의 전사 공정에서, 지지 필름의 박리 조작을 용이하게 행할 수 있다.
《막형성 재료층》
막형성 재료층은 유리 프릿, 결착 수지, 가소성 부여 물질, 및 필요에 따라 사용되는 그 밖의 성분을 함유하여 이루어진다.
(1) 유리 프릿:
막형성 재료층을 구성하는 유리 프릿으로서는, 그 연화점이 400∼600℃의 범위 내에 있는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
유리 프릿의 연화점이 400℃ 미만인 경우에는, 얻어지는 막형성 재료층의 소성 공정에서, 결착 수지 등의 유기 물질이 완전히 분해 제거되지 않은 단계에서 유리 프릿이 용융하여 형성되는 격벽 중에 유기 물질의 일부가 잔류하고, 이에 의해 얻어지는 플라즈마 디스플레이 패널 내에 아웃 가스가 확산되는 결과, 형광체의 수명을 저하시킬 우려가 있다. 한편, 유리 프릿의 연화점이 600℃를 초과하는 경우에는, 얻어지는 막형성 재료층을 600℃보다 고온에서 소성할 필요가 있기 때문에, 상기 막형성 재료층의 피전사체인 유리 기판에 변형 등이 발생하기 쉽다.
바람직한 유리 프릿의 구체예로서는, 산화연, 산화붕소, 산화규소 및 산화칼슘(PbO-B2O3-SiO2-CaO)계, 산화아연, 산화붕소 및 산화규소(ZnO-B2O2-SiO2)계, 산화연, 산화붕소, 산화규소 및 산화알루미늄(PbO-B2O3-SiO2-Al2O3)계, 산화연, 산화아연, 산화붕소 및 산화규소(PbO-ZnO-B2O3-SiO2)계, 산화연, 산화아연, 산화붕소, 산화규소 및 산화티탄(PbO-ZnO-B2O3-SiO2-TiO2)계 등을 들 수 있다. 또한, 이들 물질에, 예를 들면 산화알루미늄, 산화크롬, 산화망간 등의 무기 산화물을 혼합하여 유리 프릿으로서 사용해도 된다.
또한, 유리 프릿의 평균 입자 직경은 0.5∼2.5㎛인 것이 바람직하다.
유리 프릿에는, 예를 들면, 산화알루미늄, 산화크롬, 산화망간, 산화티탄, 산화지르코늄, 산화규소, 산화세륨, 산화코발트 등의, 유리 프릿 이외의 무기 산화 물을 혼합하여 사용해도 된다. 혼합하는 무기 산화물의 함유량은, 바람직하게는 무기 분체 전량(유리 프릿＋무기 산화물)의 40중량％ 이하이다.
(2) 결착 수지:
막형성 재료층을 구성하는 결착 수지로서는, 아크릴 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 결착 수지로서 아크릴 수지가 함유되어 있음으로써, 상기 막형성 재료층에는, 유리 기판에 대한 뛰어난 (가열) 접착성이 발휘된다. 따라서, 얻어지는 전사 필름은, 막형성 재료층의 전사성(유리 기판에의 전사성)이 우수한 것으로 된다.
이러한 아크릴 수지로서는, 적절한 점착성을 가져 유리 프릿을 결착시킬 수 있고, 막형성 재료층의 소성 처리 온도, 예를 들면 400∼600℃에 의해 완전하게 산화 제거되는 (공)중합체 중에서 선택된다. 이러한 아크릴 수지에는, 하기 화학식 2로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 단독 중합체, 하기 화학식 2로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 2종 이상의 공중합체, 및 하기 화학식 2로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물과 다른 공중합성 단량체의 공중합체가 포함된다.
Figure 112005073624742-PCT00002
화학식 2에서, R1은 수소원자 또는 메틸기 등을 나타내고, R2는 1가의 유기기를 나타낸다.
상기 화학식 2로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 구체예로서는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 아밀(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트;
히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트;
페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등의 페녹시알킬(메트)아크릴레이트;
2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-프로폭시에틸(메트)아크릴레이트, 2-부톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-메톡시부틸(메트)아크릴레이트 등의 알콕시알킬(메트)아크릴레이트;
폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크 릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 에톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메트)아크릴레이트;
시클로헥실(메트)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐(메트)아크릴레이트, 보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트 등의 시클로알킬(메트)아크릴레이트;
벤질(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
이들 중, 상기 화학식 2 중, R2로 나타내지는 기가, 알킬기 또는 옥시알킬렌기를 함유하는 기인 것이 바람직하다. 특히 바람직한 (메트)아크릴레이트 화합물로서, 메틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트 및 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.
(메트)아크릴레이트 화합물과의 공중합에 이용되는 다른 공중합성 단량체로서는, 상기 (메트)아크릴레이트 화합물과 공중합 가능한 화합물이라면 특별히 제한은 없다. 예를 들면 (메트)아크릴산, 비닐벤조산, 말레산, 비닐프탈산 등의 불포 화 카르복실산류; 비닐벤질메틸에테르, 비닐글리시딜에테르, 스티렌, α-메틸스티렌, 부타디엔, 이소프렌 등의 비닐기 함유 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다.
막형성 재료층을 구성하는 결착 수지로서 아크릴 수지를 사용하는 경우에서, 상기 아크릴 수지는, 상기 화학식 2로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물로부터 유래하는 공중합 성분이, 바람직하게는 70중량％ 이상, 더 바람직하게는 90중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 100중량％인 것이다.
결착 수지의 Tg는, 0∼90℃의 범위에 있는 것이 바람직하고, 10∼80℃의 범위에 있는 것이 더 바람직하고, 30∼60℃의 범위에 있는 것이 특히 바람직하다. 결착 수지의 Tg가 지나치게 낮으면 격벽의 형성 공정에서 포스트 베이킹 후의 결착 수지의 유연성이 크고, 취성의 발현이 불충분해져서 샌드블라스트 공정에 소요되는 시간이 현저하게 길어진다. 또한, 결착 수지의 Tg가 지나치게 높으면 전사 필름으로 하였을 때의 가요성이 부족하여, 전사성이 부족하거나 막형성 재료층 표면에 균열이 생기는 경우가 있다. 결착 수지의 Tg가 상기 범위 내에 들어가 있음으로써, 포스트 베이킹 전의 전사 필름의 유연성과, 포스트 베이킹 후의 취성이 양립할 수 있고, 예를 들면 샌드블라스트법에 의한 격벽 형성용의 전사 필름으로서 뛰어난 특성을 발현할 수 있다.
막형성 재료층을 구성하는 결착 수지의 분자량으로서는, GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(이하, 「Mw」라고도 함)이, 바람직하게는, 2,000∼3,000,000의 범위이고, 100,000∼3,000,000의 범위에 있는 것이 더 바람직하고, 150,000∼2,000,000의 범위에 있는 것이 특히 바람직하다. 결착 수지의 Mw가 지나 치게 작으면 전사 필름으로 하였을 때의 필름 유지성(바인더성)이 부족하고, 막형성 재료층이 필름으로서의 형태를 유지할 수 없는 경우가 있다. 또한, 결착 수지의 Mw가 지나치게 크면, 필름 유연성이 부족하여, 전사성이 부족하거나 막형성 재료층 표면에 균열이 생기는 경우가 있다. 결착 수지의 합성 방법으로서는, Mw가 300,000 이하인 경우는 용액 중합법, 300,000 이상인 경우는 유화 중합법이 바람직하게 이용된다.
막형성 재료층에서의 결착 수지의 함유 비율은, 유리 프릿을 포함하는 무기 분체 100중량부에 대하여, 바람직하게는 1∼40중량부이고, 더 바람직하게는 2∼15중량부, 더욱 바람직하게는 5∼10중량부이다. 무기 분체에 대하여 결착 수지의 함유량이 지나치게 적으면 전사 필름으로 하였을 때의 가요성이 부족하여, 필름 형태를 유지할 수 없거나, 전사성이 부족하다. 또한 결착 수지의 함유량이 지나치게 많으면 포스트 베이킹 후의 취성의 발현이 불충분하게 되어 샌드블라스트 공정에 소요되는 시간이 현저하게 길어진다. 결착 수지의 함유량이 무기 분체 100중량부에 대하여 2∼15중량부인 것에 의해, 포스트 베이킹 전의 전사 필름의 유연성과, 포스트 베이킹 후의 취성이 양립할 수 있고, 예를 들면 샌드블라스트법에 의한 격벽 형성용으로서 특히 뛰어난 특성을 발현할 수 있다.
(3) 가소성 부여 물질:
막형성 재료층을 구성하는 가소성 부여 물질은, 상기 막형성 재료층에 양호한 유연성을 부여하기 위해서 함유되는 것이다. 이 가소성 부여 물질이 함유됨으로써, 막형성 재료층은 드라이 필름으로서 충분한 유연성을 갖는 것이 된다. 이에 의해, 상기 전사 필름은, 이것을 구부리더라도 막형성 재료층의 표면에 미소한 균열(금)이 발생하는 일이 없고, 또한 롤 형상으로 용이하게 권취할 수 있는 것으로 된다.
이러한 가소성 부여 물질로서는, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 가소제, 폴리프로필렌글리콜, 또는 전술한 (메트)아크릴레이트 화합물 등의 공중합성 단량체 및 후술하는 용제 중 비점이 150℃ 이상인 것을 사용하는 것이 바람직하고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이 특히 바람직하다.
<화학식 1>
Figure 112005073624742-PCT00003
식중, R은 수소원자 또는 메틸기이고, n은 12 또는 13의 수이다.
Figure 112005073624742-PCT00004
식중, R3 및 R6은, 각각 독립적으로 탄소수가 1∼30인 1가의 사슬식 탄화수소기를 나타내고, R4 및 R5는, 각각 독립적으로 메틸렌기 또는 탄소수가 2∼30인 2가 의 사슬식 탄화수소기를 나타내고, s는 0∼5의 정수이고, t는 1∼10의 정수이다.
Figure 112005073624742-PCT00005
식중, R7은 탄소수가 1∼30인 1가의 사슬식 탄화수소기를 나타낸다.
상기 화학식 1에서의 R은, 수소원자 또는 메틸기이고, 특히 메틸기가 바람직하다. 또한, 상기 화학식 1에서의 n은 12 또는 13의 수를 나타낸다. n의 값이 12보다 작은 경우에는, 전사 필름으로 한 경우의 유연성이 불충분해지는 경우가 있고, n의 값이 13보다 큰 경우에는, 격벽을 형성한 경우에 포스트 베이킹에 의해서 충분히 분해 또는 휘발되지 않을 우려가 있고, 그 결과, 포스트 베이킹 후의 취성의 발현이 불충분해져서 샌드블라스트 공정에 소요되는 시간이 현저하게 길어질 우려가 있다.
또한, 상기 화학식 3에서, R3 또는 R6으로 나타내지는 1가의 사슬식 탄화수소기, 및 R4 또는 R5로 나타내지는 2가의 사슬식 탄화수소기는, 직쇄상이거나 분지상이어도 되고, 또한 알킬기 또는 알킬렌기(포화기)이거나 알케닐기 또는 알케닐렌기(불포화기)이어도 된다.
또한, R3 또는 R6으로 나타내지는 사슬식 탄화수소기의 탄소수는 1∼30이고, 바람직하게는 2∼20, 더욱 바람직하게는 4∼10이다. 이 사슬식 탄화수소기의 탄소 수가 30을 초과하는 경우에는, 후술하는 용제에 대한 용해성이 낮은 것이 되기 때문에, 얻어지는 막형성 재료층에 양호한 유연성을 부여하기가 어려워지는 경우가 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 구체예로서는, 이소데실메타크릴레이트, 이소데실아크릴레이트, 라우릴메타크릴레이트, 라우릴아크릴레이트를 들 수 있고, 특히 이소데실메타크릴레이트 및 라우릴메타크릴레이트가 바람직하다.
상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 구체예로서는, 디부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디-2-에틸헥실아디페이트, 디-2-에틸헥실아젤레이트, 디부틸세바케이트, 디부틸디글리콜아디페이트 등을 들 수 있다.
상기 화학식 4에서, R7로 나타내지는 1가의 사슬식 탄화수소기는, 직쇄상이거나 분지상이어도 되고, 또한 알킬기(포화기)이거나 알케닐기(불포화기)이어도 된다.
또한, R7로 나타내지는 사슬식 탄화수소기의 탄소수는, 1∼30이고, 바람직하게는 2∼20, 더욱 바람직하게는 10∼18이다.
상기 화학식 4로 나타내지는 화합물의 구체예로서는, 프로필렌글리콜모노라우레이트, 프로필렌글리콜모노올레이트 등을 들 수 있다.
또한, 가소성 부여 물질로서 폴리프로필렌글리콜을 사용하는 경우에는, 상기 폴리프로필렌글리콜의 중량 평균 분자량(Mw)은, 200∼3,000의 범위에 있는 것이 바람직하고, 300∼2,000의 범위에 있는 것이 특히 바람직하다. 이 중량 평균 분자량 (Mw)이 200 미만인 경우에는, 막 강도가 큰 막형성 재료층을 지지 필름 상에 형성하는 것이 어려워지는 경우가 있고, 상기 막형성 재료층을 지지 필름으로부터 유리 기판에 전사하는 공정에서, 유리 기판에 가열 접착된 막형성 재료층으로부터 지지 필름을 박리할 때에, 상기 막형성 재료층의 응집 파괴를 일으키는 경우가 있다. 한편, 이 중량 평균 분자량(Mw)이 3,000을 초과하는 경우에는, 피전사체인 유리 기판과의 가열 접착성이 양호한 막형성 재료층이 얻어지지 않는 경우가 있다.
막형성 재료층에서의 가소성 부여 물질의 함유 비율은, 상기 막형성 재료층을 구성하는 재료 전체의 3중량％ 이상인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 4∼15중량％이다. 가소성 부여 물질의 함유 비율이 지나치게 작은 경우에는, 막형성 재료층에 양호한 유연성을 부여하기가 어려워지는 경우가 있다.
(4) 그 밖의 성분:
본 발명의 전사 필름에서는, 유리 프릿의 분산성의 향상 및 막형성 재료층의 가소성의 향상을 목적으로 하여, 막형성 재료층 중에 실란 커플링제가 함유되어 있어도 된다. 이러한 실란 커플링제로서는, 하기 화학식 5로 표시되는 화합물 [포화알킬기 함유 (알킬)알콕시실란]이 바람직하다.
Figure 112005073624742-PCT00006
식중, p는 3∼20의 정수, m은 1∼3의 정수, n은 1∼3의 정수, a는 1∼3의 정 수이다.
상기 화학식 5에서, 포화알킬기의 탄소수를 나타내는 p는 3∼20의 정수이고 바람직하게는 4∼16의 정수이다.
이 p의 값이 3 미만인 포화알킬기 함유 (알킬)알콕시실란을 함유시켜도, 얻어지는 막형성 재료층에서 충분한 가요성이 발현되지 않는 경우가 있다. 한편, 이 p의 값이 20을 초과하는 포화알킬기 함유 (알킬)알콕시실란은 분해 온도가 높아, 얻어지는 막형성 재료층의 소성 공정에서, 유기 물질(상기 실란유도체)이 완전히 분해 제거되지 않은 단계에서 유리 프릿이 용융되기 때문에, 형성되는 유전체층 중에 유기 물질의 일부가 잔류하고, 이 결과, 유전체층의 광 투과율이 저하하는 경우가 있다.
상기 화학식 5로 표시되는 실란 커플링제의 구체예로서는, n-프로필디메틸메톡시실란, n-부틸디메틸메톡시실란, n-데실디메틸메톡시실란, n-헥사데실디메틸메톡시실란, n-이코산디메틸메톡시실란 등의 포화 알킬디메틸메톡시실란류(a=1, m=1, n=1);
n-프로필디에틸메톡시실란, n-부틸디에틸메톡시실란, n-데실디에틸메톡시실란, n-헥사데실디에틸메톡시실란, n-이코산디에틸메톡시실란 등의 포화 알킬디에틸메톡시실란류(a=1, m=1, n=2);
n-부틸디프로필메톡시실란, n-데실디프로필메톡시실란, n-헥사데실디프로필메톡시실란, n-이코산디프로필메톡시실란 등의 포화 알킬디프로필메톡시실란류(a=1, m=1, n=3);
n-프로필디메틸에톡시실란, n-부틸디메틸에톡시실란, n-데실디메틸에톡시실란, n-헥사데실디메틸에톡시실란, n-이코산디메틸에톡시실란 등의 포화 알킬디메틸에톡시실란류(a=1, m=2, n=1);
n-프로필디에틸에톡시실란, n-부틸디에틸에톡시실란, n-데실디에틸에톡시실란, n-헥사데실디에틸에톡시실란, n-이코산디에틸에톡시실란 등의 포화 알킬디에틸에톡시실란류(a=1, m=2, n=2);
n-부틸디프로필에톡시실란, n-데실디프로필에톡시실란, n-헥사데실디프로필에톡시실란, n-이코산디프로필에톡시실란 등의 포화 알킬디프로필에톡시실란류(a=1, m=2, n=3);
n-프로필디메틸프로폭시실란, n-부틸디메틸프로폭시실란, n-데실디메틸프로폭시실란, n-헥사데실디메틸프로폭시실란, n-이코산디메틸프로폭시실란 등의 포화 알킬디메틸프로폭시실란류(a=1, m=3, n=1);
n-프로필디에틸프로폭시실란, n-부틸디에틸프로폭시실란, n-데실디에틸프로폭시실란, n-헥사데실디에틸프로폭시실란, n-이코산디에틸프로폭시실란 등의 포화 알킬디에틸프로폭시실란류(a=1, m=3, n=2);
n-부틸디프로필프로폭시실란, n-데실디프로필프로폭시실란, n-헥사데실디프로필프로폭시실란, n-이코산디프로필프로폭시실란 등의 포화 알킬디프로필프로폭시실란류(a=1, m=3, n=3);
n-프로필메틸디메톡시실란, n-부틸메틸디메톡시실란, n-데실메틸디메톡시실란, n-헥사데실메틸디메톡시실란, n-이코산메틸디메톡시실란 등의 포화 알킬메틸디 메톡시실란류(a=2, m=1, n=1);
n-프로필에틸디메톡시실란, n-부틸에틸디메톡시실란, n-데실에틸디메톡시실란, n-헥사데실에틸디메톡시실란, n-이코산에틸디메톡시실란 등의 포화 알킬에틸디메톡시실란류(a=2, m=1, n=2);
n-부틸프로필디메톡시실란, n-데실프로필디메톡시실란, n-헥사데실프로필디메톡시실란, n-이코산프로필디메톡시실란 등의 포화 알킬프로필디메톡시실란류(a=2, m=1, n=3);
n-프로필메틸디에톡시실란, n-부틸메틸디에톡시실란, n-데실메틸디에톡시실란, n-헥사데실메틸디에톡시실란, n-이코산메틸디에톡시실란 등의 포화 알킬메틸디에톡시실란류(a=2, m=2, n=1);
n-프로필에틸디에톡시실란, n-부틸에틸디에톡시실란, n-데실에틸디에톡시실란, n-헥사데실에틸디에톡시실란, n-이코산에틸디에톡시실란 등의 포화 알킬에틸디에톡시실란류(a=2, m=2, n=2);
n-부틸프로필디에톡시실란, n-데실프로필디에톡시실란, n-헥사데실프로필디에톡시실란, n-이코산프로필디에톡시실란 등의 포화 알킬프로필디에톡시실란류(a=2, m=2, n=3);
n-프로필메틸디프로폭시실란, n-부틸메틸디프로폭시실란, n-데실메틸디프로폭시실란, n-헥사데실메틸디프로폭시실란, n-이코산메틸디프로폭시실란 등의 포화 알킬메틸디프로폭시실란류(a=2, m=3, n=1);
n-프로필에틸디프로폭시실란, n-부틸에틸디프로폭시실란, n-데실에틸디프로 폭시실란, n-헥사데실에틸디프로폭시실란, n-이코산에틸디프로폭시실란 등의 포화 알킬에틸디프로폭시실란류(a=2, m=3, n=2);
n-부틸프로필디프로폭시실란, n-데실프로필디프로폭시실란, n-헥사데실프로필디프로폭시실란, n-이코산프로필디프로폭시실란 등의 포화 알킬프로필디프로폭시실란류(a=2, m=3, n=3);
n-프로필트리메톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, n-데실트리메톡시실란, n-헥사데실트리메톡시실란, n-이코산트리메톡시실란 등의 포화 알킬트리메톡시실란류(a=3, m=1);
n-프로필트리에톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-데실트리에톡시실란, n-헥사데실트리에톡시실란, n-이코산트리에톡시실란 등의 포화 알킬트리에톡시실란류(a=3, m=2);
n-프로필트리프로폭시실란, n-부틸트리프로폭시실란, n-데실트리프로폭시실란, n-헥사데실트리프로폭시실란, n-이코산트리프로폭시실란 등의 포화 알킬트리프로폭시실란류(a=3, m=3) 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이들 중, n-부틸트리메톡시실란, n-데실트리메톡시실란, n-헥사데실트리메톡시실란, n-데실디메틸메톡시실란, n-헥사데실디메틸메톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-데실트리에톡시실란, n-헥사데실트리에톡시실란, n-데실에틸디에톡시실란, n-헥사데실에틸디에톡시실란, n-부틸트리프로폭시실란, n-데실트리프로폭시실란, n-헥사데실트리프로폭시실란 등이 특히 바람직하다.
막형성 재료층에서의 실란 커플링제의 함유 비율은, 유리 프릿 100중량부에 대하여, 0.001∼10중량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.001∼5중량부이다. 실란 커플링제의 비율이 지나치게 작은 경우에는, 유리 프릿의 분산 안정성의 향상 효과, 형성되는 막형성 재료층에서의 가요성의 향상 효과를 충분히 발휘시킬 수 없다. 한편, 그 비율이 지나치게 큰 경우에는, 얻어지는 유리 페이스트 조성물을 보존할 때에 점도가 시간의 경과에 따라 상승하거나, 실란 커플링제끼리 반응이 일어나서, 소성 후의 광 투과율을 낮추는 원인으로 되는 경우가 있다.
《커버 필름》
본 발명의 전사 필름에서는, 막형성 재료층의 표면을 보호하기 위해서 상기 막형성 재료층의 표면 상에 커버 필름이 형성되어 있어도 된다. 이 커버 필름은 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 이에 의해, 얻어지는 전사 필름을 롤 형상으로 권취한 상태로 보존하거나 또는 공급할 수 있다.
커버 필름을 구성하는 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리비닐알코올계 필름 등을 들 수 있다.
<전사 필름의 제조 방법>
본 발명의 전사 필름은, 막형성 재료층을 구성하는 재료, 즉 유리 프릿, 결착 수지, 가소성 부여 물질 및 필요에 따라 사용되는 그 밖의 성분과, 용제를 함유하는 유리 페이스트 조성물을 제조하고, 이 유리 페이스트 조성물을 지지 필름 상에 도포하고, 얻어지는 도포막을 건조함으로써, 막형성 재료층을 형성하고, 필요에 따라 막형성 재료층의 표면 상에 커버 필름을 밀착하여 배치함으로써, 얻어진다.
《용제》
유리 페이스트 조성물을 구성하는 용제로서는, 유리 프릿과의 친화성, 결착 수지의 용해성이 양호하고, 유리 페이스트 조성물에 적절한 점성을 부여할 수 있음과 동시에, 건조됨으로써 용이하게 증발 제거할 수 있는 것임이 바람직하다.
또한, 특히 바람직한 용제로서, 표준 비점(1기압에서의 비점)이 60∼200℃인 케톤류, 알코올류 및 에스테르류(이하, 이들을 「특정 용제」라 함)를 들 수 있다.
이러한 특정 용제의 구체예로서는, 메틸에틸케톤, 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; n-펜타놀, 4-메틸-2-펜타놀, 시클로헥산올, 디아세톤알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 에테르계 알코올류; 아세트산-n-부틸, 아세트산아밀 등의 포화 지방족 모노카르복실산알킬에스테르류; 락트산에틸, 락트산-n-부틸 등의 락트산에스테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등의 에테르계 에스테르류 등을 들 수 있고, 이들 중에서는, 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알코올, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 락트산에틸, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등이 바람직하다. 이들 특정 용제는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 특정 용제 이외의 사용 가능한 용제의 구체예로서는, 테레빈유, 에틸셀로솔브, 메틸셀로솔브, 터피네올, 부틸카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨, 이소프로필알코올, 벤질알코올 등을 들 수 있다.
유리 페이스트 조성물에서의 용제의 함유 비율로서는, 상기 유리 페이스트 조성물의 점도를 바람직한 범위로 유지하는 관점에서, 유리 프릿 100중량부에 대하여, 5∼50중량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10∼40중량부로 된다.
또한, 전체 용제에 대한 특정 용제의 함유 비율은, 50중량％ 이상인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 70중량％ 이상이다.
유리 페이스트 조성물은, 상기 유리 프릿, 결착 수지, 가소성 부여 물질, 용제 및 필요에 따라 사용되는 그 밖의 성분을, 롤 혼련기, 믹서, 균질믹서, 샌드밀 등의 혼련·분산기 사용하여 혼련함으로써 제조할 수 있다.
여기서, 유리 페이스트 조성물의 점도는, 예를 들면 0.3∼30㎩·s인 것이 바람직하다.
유리 페이스트 조성물을 지지 필름 상에 도포하는 방법으로서는, 막두께의 균일성이 높고 또한 막두께가 큰(예를 들면 20㎛ 이상의) 도막을 높은 효율로 형성할 수 있는 것임이 바람직하고, 구체적으로는, 롤 코터에 의한 도포 방법, 블레이드 코터에 의한 도포 방법, 커튼 코터에 의한 도포 방법, 와이어 코터에 의한 도포 방법 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다. 막형성 재료층의 막두께는, 형성할 격벽의 높이에 따라서도 다르지만, 바람직하게는 100∼500㎛, 더 바람직하게는 150∼400㎛이다.
본 발명의 전사 필름에 의하면, 막형성 재료층 중에, 상기 막형성 재료층에 가소성을 부여하기 위한 가소성 부여 물질이 함유되어 있기 때문에, 드라이 필름으 로서 충분한 유연성이 얻어진다.
또한, 막형성 재료층은 열 중량 분석을 행하였을 때의 TG 곡선에서, 열 중량 감소의 피크가 2단계로 나타나는, 즉 가소성 부여 물질의 분해 또는 휘발에 기인하는 열 중량 감소의 피크가, 결착 수지의 분해에 기인하는 열 중량 감소의 피크보다 상당히 낮은 온도에서 나타나는 것이기 때문에, 막형성 재료층을 전사한 후, 가소성 부여 물질의 열 중량 감소의 피크 온도와 결착 수지의 열 중량 감소의 피크 온도 사이의 온도 범위에서, 상기 막형성 재료층에 대하여 포스트 베이킹을 행함으로써, 결착 수지의 분해를 진행시키지 않고 가소성 부여 물질을 확실하게 분해 또는 휘발시킬 수 있고, 이에 의해, 막형성 재료층의 유연성이 상실되는 결과, 취성을 갖는 막이 형성된다. 그 때문에, 이 막을 샌드블라스트 처리함으로써, 그 일부를 제거하여 목적하는 형태로 가공할 수 있다.
따라서, 막형성 재료층의 두께를 제어함과 동시에, 샌드블라스트 처리된 막을 소성함으로써, 높이의 균일성이 뛰어나고, 종횡비가 높고, 목적하는 형태를 갖는 유리 소결체가 비교적 간단한 공정에 의해 확실하게 얻어진다.
<플라즈마 디스플레이 패널>
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은, 예를 들면 도 1에 도시한 바와 같은 구성을 갖는 것으로서, 그 격벽이 상기 전사 필름에 의해서 얻어지는 유리 소결체에 의해 형성되어 있다.
이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널에 의하면, 격벽을 형성하는 유리 소결체가 상기 전사 필름에 의해서 형성되어 있기 때문에, 상기 격벽은 높이의 균일성 이 뛰어나고 종횡비가 높고, 목적하는 형태를 갖는 것으로 되고, 또한 비교적 간단한 공정에 의해서 얻을 수 있다.
<플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법>
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에서는, 상기 전사 필름을 사용하여, 예를 들면 아래와 같이 하여 유리 소결체를 포함하는 격벽을 형성한다.
먼저, 전사 필름에서의 커버 필름을 막형성 재료층의 표면으로부터 박리하고, 그 후, 유리 기판의 표면에 막형성 재료층의 표면이 접하도록 전사 필름을 포갠다.
이어서, 가열 롤에 의해서 막형성 재료층을 유리 기판에 열 압착하고, 그 후, 막형성 재료층으로부터 지지 필름을 박리함으로써, 막형성 재료층을 유리 기판 상에 전사한다.
여기서, 가열 롤에 의한 열 압착 조건으로서는, 예를 들면 가열 롤의 온도가 50∼130℃이고, 롤 압이 1∼4㎏/㎠, 가열 롤의 이동 속도가 0.5∼5m/분이다.
이어서, 전사된 막형성 재료층에 대하여 포스트 베이킹을 행함으로써, 상기 막형성 재료층 중의 가소성 부여 물질을 제거하고, 이에 의해, 격벽 형성 재료층을 얻기 위한 재료층 형성용 막을 형성한다.
여기서, 포스트 베이킹은 막형성 재료층 중의 결착 수지의 중량 감소율이 30％ 이하이고, 또한, 가소성 부여 물질의 분해 또는 휘발하는 비율이 95％ 이상으로 되는 조건 하에서 행하여지는 것이 바람직하다. 구체적인 조건은, 사용되는 결착 수지 및 가소성 부여 물질의 종류에 따라 설정된다. 예를 들면 처리 온도가 100∼ 300℃, 처리 시간이 15∼120분간이다.
이와 같이 하여 형성된 재료층 형성용 막 상에 레지스트액을 도포 또는 드라이 필름 레지스트를 전사하고, 노광 처리 및 현상 처리함으로써, 형성할 격벽의 형태에 대응하는 형태의 레지스트층을 형성하고, 그 후, 샌드블라스트 장치에 의해, 주로 재료층 형성용 막에서의 노출 부분을 샌드블라스트 처리하여 상기 부분을 제거함으로써, 목적하는 형태의 격벽 형성 재료층을 형성한다.
이어서, 잔존한 레지스트층을 격벽 형성 재료층으로부터 박리하고, 그 후, 격벽 형성 재료층을 소성함으로써, 상기 격벽 형성 재료층 중의 유기 물질(결착 수지 등)을 분해 제거함과 동시에 유리 프릿을 용융하여 소결시킨다.
여기서, 격벽 형성 재료층의 소성 조건은 사용되는 결착 수지 및 유리 프릿의 종류에 따라 설정되지만, 예를 들면 처리 온도가 500∼650℃, 처리 시간이 5∼90분간이다.
이와 같은 방법에 의하면, 전사된 막형성 재료층에 대하여, 막형성 재료층 중의 결착 수지의 중량 감소율이 30％ 이하이고, 또한, 가소성 부여 물질의 분해 또는 휘발하는 비율이 95％ 이상이 되는 조건 하에서 포스트 베이킹을 행하기 때문에, 상기 포스트 베이킹에서, 발연을 방지 또는 억제한 상태로, 막형성 재료층 중의 가소성 부여 물질을 제거하여 취성을 갖는 재료층 형성막을 형성할 수 있다. 그리고, 재료층 형성막에 대하여 샌드블라스트 처리를 행하고, 얻어지는 격벽 형성 재료층을 소성함으로써, 높이의 균일성이 뛰어나고, 종횡비가 높고, 목적하는 형태를 갖는 유리 소결체를 포함하는 격벽을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 관해서 설명하지만, 본 발명은 이들에 의해서 한정되는 것이 아니다.
또한, 하기의 실시예 및 비교예에서 사용한 재료는 다음과 같다.
[유리 프릿]
DTA에 의한 연화 전이점이 460℃이고, 평균 입자 직경이 1.3㎛인 PbO-B2O3-SiO2-Al2O3-TiO3계 물질을 포함하는 것(아사히가라스(주) 제조)
[결착 수지]
결착 수지(a):이소부틸메타크릴레이트와 히드록시프로필메타크릴레이트를, 중량비로 이소부틸메타크릴레이트/히드록시프로필메타크릴레이트가 90/10이 되는 비율로 공중합시켜 얻어진 아크릴 수지(온도(Tr)=330℃, 유리 전이점(Tg)=40℃, 중량 평균 분자량(Mw)=130,000),
결착 수지(b):메틸메타크릴레이트와 부틸메타크릴레이트를, 중량비로 메틸메타크릴레이트/부틸메타크릴레이트가 10/90이 되는 비율로 공중합시켜 얻어진 아크릴 수지(온도(Tr)=300℃, 유리 전이점(Tg)=55℃, Mw=170,000),
결착 수지(c):폴리부틸메타크릴레이트(온도(Tr)=290℃, 유리 전이점(Tg)=40℃, Mw=270,000)
결착 수지(d):벤질메타크릴레이트와 히드록시에틸메타크릴레이트를, 중량비 로 벤질메타크릴레이트/히드록시에틸메타크릴레이트가 90/10이 되는 비율로 공중합시켜 얻어진 아크릴 수지(Tr=310℃, Tg=55℃, Mw=140,000),
결착 수지(e):이소부틸메타크릴레이트와 히드록시프로필메타크릴레이트를, 중량비로 이소부틸메타크릴레이트/히드록시프로필메타크릴레이트가 90/10이 되는 비율로 공중합시켜 얻어진 아크릴 수지(Tr=330℃, Tg=40℃, Mw=230,000),
결착 수지(f):메틸메타크릴레이트와 히드록시에틸메타크릴레이트를, 중량비로 메틸메타크릴레이트/히드록시에틸메타크릴레이트가 90/10이 되는 비율로 공중합시켜 얻어진 아크릴 수지(Tr=310℃, Tg=90℃, Mw=190,000),
결착 수지(g):2-에틸헥실메타크릴레이트와 히드록시에틸메타크릴레이트를, 중량비로 메틸메타크릴레이트/히드록시에틸메타크릴레이트가 80/20이 되는 비율로 공중합시켜 얻어진 아크릴 수지(Tr=320℃, Tg=5℃, Mw=470,000)
상기 Mw는, 도소주식회사제 겔 투과 크로마토그래피(GPC)(상품명 HLC-802A)에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다. 또한 Tg는, 시차 주사 열량계(DSC:듀폰사 제조)를 사용하고, ASTM 법에 준하여 측정한 값을 사용하였다.
[가소성 부여 물질]
가소성 부여 물질(a):폴리프로필렌글리콜(온도(Tp)=250℃, 중량 평균 분자량(Mw)=400),
가소성 부여 물질(b):디-2-에틸헥실아젤레이트(온도(Tp)=330℃),
가소성 부여 물질(c):라우릴메타크릴레이트(온도(Tp)=200℃, 화학식 1의 n=12)
가소성 부여 물질(d):이소데실메타크릴레이트(온도(Tp)=210℃, 화학식 1의 n=13)
[실란 커플링제]
n-부틸트리메톡시실란
[용제]
프로필렌글리콜모노메틸에테르
실시예 1
(1) 유리 페이스트 조성물의 제조:
유리 프릿 100중량부, 결착 수지(a) 5중량부, 가소성 부여 물질(a) 10중량부, 실란 커플링제 1중량부, 및 용제 20중량부를, 분산기를 사용하여 혼련함으로써, 점도가 2,000cp인 유리 페이스트 조성물을 제조하였다.
(2) 전사 필름의 제조:
상기 (1)에서 제조한 유리 페이스트 조성물을, 미리 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 포함하는 지지 필름(폭 400㎜, 길이 30m, 두께 38㎛) 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 형성된 도막을 100℃에서 5분간 가열함으로써 용제를 제거하고, 이에 의해, 두께가 250㎛인 막형성 재료층이 지지 필름 상에 형성되어 이루어지는 전사 필름을 제조하였다. 이 전사 필름에서의 막형성 재료층 중의 가소성 부여 물질의 비율은 10중량％이다.
이 전사 필름에 관해서, 막형성 재료층의 표면 상태를 현미경을 사용하여 관찰한 바, 유리 프릿의 응집물, 줄무늬상의 도장 흔적, 크레이터, 핀 홀 등의 막 결함은 보이지 않았다.
또한, 막형성 재료층에 관해서, 측정 온도가 30∼600℃, 승온 속도가 10℃/분, 기준이 알루미나인 조건 하에서 열 중량 분석을 행하였다. 그 결과를 도 4에 나타낸다.
(3) 막형성 재료층의 전사:
20인치 패널용의 유리 기판의 표면에, 막형성 재료층의 표면이 맞닿도록, 상기 (2)에서 제조한 전사 필름을 포개고, 이 전사 필름을 가열 롤에 의해 열 압착하였다. 여기서, 압착 조건으로서는, 가열 롤의 표면 온도를 110℃, 롤 압을 3㎏/㎠, 가열 롤의 이동 속도를 1m/분으로 하였다.
열 압착 처리가 종료한 후, 막형성 재료층으로부터 지지 필름을 박리 제거하였다. 이에 의해, 유리 기판의 표면에 막형성 재료층을 전사하였다.
(4) 막형성 재료층의 포스트 베이킹:
상기 (3)에 의해 유리 기판에 전사된 막형성 재료층에 대하여, 280℃에서 60분의 조건으로 포스트 베이킹함으로써, 격벽 형성 재료층을 얻기 위한 재료층 형성막을 형성하였다. 이 포스트 베이킹에서의 결착 수지의 중량 감소율은 10％이고, 가소성 부여 물질의 분해율은 98％였다. 또한, 포스트 베이킹에서, 막형성 재료층으로부터의 발연은 거의 보이지 않았다.
(5) 샌드블라스트 처리:
상기 (4)에 의해 얻어진 재료층 형성막 상에, 목적하는 패턴의 레지스트층을 형성한 후, 샌드블라스트 장치를 사용하여, 재료층 형성막에 대하여 샌드블라스트 처리를 행함으로써, 격벽 형성 재료층을 형성하였다.
얻어진 격벽 형성 재료층을 관찰한 바, 목적하는 형태로 가공되어 있고, 샌드블라스트성이 양호한 것임이 확인되었다. 또한, 하기한 바와 같이 샌드블라스트성의 평가는 하기의 조건으로 행하였다.
<샌드블라스트성의 평가〉
포스트 베이킹 후의 격벽 형성 재료층의 전체 표면에, 50㎛ 폭의 스트라이프의 패턴을 갖는 레지스트층을 형성한 후, 샌드블라스트 장치(후지세이사꾸쇼 제조 SGL-4AT형)를 사용하여, 격벽 형성 재료층에 대하여 절삭 가공(샌드블라스트 처리)을 행하였다. 샌드블라스트 처리는, 절삭 분체로서 SiC의 #600을 사용하고, 절삭 분체의 토출압은 0.2㎫로 하고, 피절삭체(격벽 재료 형성층)의 상방 150㎜부터 블라스트를 행하였다. 격벽 재료 형성층의 절삭 깊이를 절삭 시간으로 나눈 값을 절삭 속도로 하고, 절삭 속도가 1㎛/s 이상인 것을 샌드블라스트성이 「양호」, 1㎛/s 미만의 것을「불량」인 것으로 평가하였다.
(6) 격벽 형성 재료층의 소성:
상기 (5)에 의해 형성된 격벽 형성 재료층을 갖는 유리 기판을 소성로 내에 배치하고, 노 내의 온도를, 상온부터 10℃/분의 승온 속도로 560℃까지 승온하고, 560℃의 온도 분위기 하에서 10분간에 걸쳐 소성 처리함으로써, 유리 기판의 표면 에 유리 소결체를 포함하는 격벽을 형성하였다.
이 격벽의 형상을 육안으로 관찰한 바, 금, 기판으로부터의 박리 등은 보이지 않았다.
또한, 이 격벽의 치수를 측정한 바, 폭이 40㎛이고 높이가 130㎛로서, 종횡비가 높은 것이었다. 또한, 격벽의 치수를 상세하게 측정한 바, 폭 및 높이 등의 치수의 균일성이 우수한 것임이 확인되었다.
실시예 2
표 1에 나타내는 처방에 따라서 유리 페이스트 조성물을 제조한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 전사 필름을 제조하고, 얻어진 전사 필름을 사용하여, 표 1에 나타내는 조건에 따라서 포스트 베이킹을 행한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 유리 기판 상에 격벽을 형성하였다.
실시예 2의 각 공정에서의 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예
1 2
유리 페이스트 조성물 (중량부) 유리 프릿 100 100
결착 수지(a)[Tr=330℃, Tg=40℃] 5 -
결착 수지(b)[Tr=300℃, Tg=55℃] - 10
결착 수지(c)[Tr=290℃, Tg=40℃] - -
가소성 부여 물질(a)[Tp=250℃] 10 -
가소성 부여 물질(b)[Tp=330℃] - -
가소성 부여 물질(c)[Tp=200℃] - 10
실란 커플링제 1 1
용제 20 15
막형성 재료층 중의 가소성 부여 물질의 함유 비율(중량％) 9 8
포스트 베이킹 처리 온도(℃) 280 250
처리 시간(분간) 60 45
결착 수지의 중량 감소율(％) 10 5
가소성 부여 물질의 분해율(％) 98 98
전사성 양호 양호
포스트 베이킹에서의 발연 없음 없음
샌드블라스트성 양호 양호
실시예 3∼4
표 2에 나타내는 처방에 따라서 유리 페이스트 조성물을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 하여 전사 필름을 제조하고, 얻어진 전사 필름을 사용하여, 표 2에 나타내는 조건에 따라서 포스트 베이킹을 행한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 유리 기판 상에 격벽을 형성하였다.
실시예 3∼4의 각 공정에서의 평가 결과를 표 2에 나타낸다. 단, 「전사 필름의 유연성」에 관해서는, 필름을 180도 구부렸을 때에 절곡선에서 균열이 생기거나, 또는 그 동작 중에 필름이 취성 파괴되는 경우에 「불량」으로 정의하였다.
실시예 3 실시예 4
유리 프릿 중량부 100 100
결착 수지 중량부 5 8
가소성 부여 물질 중량부 10 10
결착 수지 (a) (a)
가소성 부여 물질 (a) (b)
전사 필름 유연성 양호 양호
전사성 양호 양호
포스트 베이킹 조건 250℃×40분 150℃×30분
샌드블라스트성 양호 양호
실시예 5∼6
표 3에 나타내는 처방에 따라서 유리 페이스트 조성물을 제조한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 전사 필름을 제조하고, 얻어진 전사 필름을 사용하여, 표 3에 나타내는 조건에 따라서 포스트 베이킹을 행한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 유리 기판 상에 격벽을 형성하였다.
실시예 5∼6의 각 공정에서의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
실시예 5 실시예 6
유리 분말 중량부 100 100
결착 수지 중량부 5 7
가소성 부여 물질 중량부 10 10
결착 수지 (d) (d)
가소성 부여 물질 (a) (b)
전사 필름 유연성 양호 양호
전사성 양호 양호
포스트 베이킹 조건 180℃×30분 150℃×30분
샌드블라스트성 양호 양호
실시예 7∼10
표 4에 나타내는 처방에 따라서 유리 페이스트 조성물을 제조한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 전사 필름을 제조하고, 얻어진 전사 필름을 사용하여, 표 4에 나타내는 조건에 따라서 포스트 베이킹을 행한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 유리 기판 상에 격벽을 형성하였다.
실시예 7∼10의 각 공정에서의 평가 결과를 표 4에 나타낸다.
실시예 7 실시예 8 실시예 9 실시예 10
유리 분말 중량부 100 100 100 100
결착 수지 중량부 5 5 7 5
가소성 부여 물질 중량부 10 12 10 10
결착 수지 (e) (f) (e) (g)
가소성 부여 물질 (a) (b) (b) (a)
전사 필름 유연성 양호 양호 양호 양호
전사성 양호 양호 양호 양호
포스트 베이킹 조건 250℃×40분 180℃×30분 150℃×30분 180℃×30분
샌드블라스트성 양호 양호 양호 양호
실시예 11∼13
표 5에 나타내는 처방에 따라서 유리 페이스트 조성물을 제조한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 전사 필름을 제조하고, 얻어진 전사 필름을 사용하여, 표 5에 나타내는 조건에 따라서 포스트 베이킹을 행한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 유리 기판 상에 격벽을 형성하였다.
실시예 11∼13의 각 공정에서의 평가 결과를 표 5에 나타낸다.
실시예 11 실시예 12 실시예 13
유리 분말 중량부 100 100 100
결착 수지 중량부 5 5 6
결착 수지 (a) (a) (a)
가소성 부여 물질 (c) (d) (c)
가소성 부여 물질 중량부 10 10 13
전사 필름 유연성 양호 양호 양호
전사성 양호 양호 양호
포스트 베이킹 조건 250℃×40분 200℃×40분 200℃×30분
샌드블라스트성 양호 양호 양호
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 전사 필름에 의하면, 막형성 재료층 중에, 상기 막형성 재료층에 가소성을 부여하기 위한 가소성 부여 물질이 함유되어 있기 때문에, 드라이 필름으로서 충분한 유연성이 얻어진다.
또한, 막형성 재료층은, 열 중량 분석을 행했을 때에, 가소성 부여 물질의 분해 또는 휘발에 기인하는 열 중량 감소의 피크가 결착 수지의 분해에 기인하는 열 중량 감소의 피크보다 상당히 낮은 온도에서 나타나는 것이기 때문에, 막형성 재료층을 전사한 후, 가소성 부여 물질의 열 중량 감소의 피크 온도와 결착 수지의 열 중량 감소의 피크 온도 사이의 온도 범위에서, 상기 막형성 재료층에 대하여 포스트 베이킹을 행함으로써, 결착 수지의 분해를 진행시키지 않고 가소성 부여 물질을 확실하게 분해 또는 휘발시킬 수 있고, 이에 의해, 막형성 재료층은 그 유연성이 상실되어 부서지기 쉬운 것이 된다. 그 때문에, 상기 막형성 재료층을 샌드블라스트 처리함으로써, 그 일부를 용이하게 제거할 수 있다.
따라서, 본 발명의 전사 필름에 의하면, 형성할 유리 소결체의 높이에 따라 막형성 재료층의 두께를 제어함으로써, 높이의 균일성이 뛰어나고, 종횡비가 높고, 목적하는 형태를 갖는 유리 소결체를, 비교적 간단한 공정에 의해 확실하게 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널에 의하면, 격벽이 상기 전사 필름에 의해서 형성되어 있기 때문에, 상기 격벽은 높이의 균일성이 뛰어나고, 종횡비가 높고, 목적하는 형태를 갖는 것으로 되고, 또한 비교적 간단한 공정에 의해서 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의하면, 높이의 균일성이 뛰어나고, 종횡비가 높고, 목적하는 형태를 갖는 유리 소결체를 포함하는 격벽을 형성할 수 있다.

Claims (15)

  1. 유리 프릿, 결착 수지 및 가소성 부여 물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 유리 페이스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 유리 프릿 이외의 무기 산화물을 추가로 함유하고, 유리 프릿을 포함하는 무기 분체 100중량부에 대하여 결착 수지 2∼15중량부를 함유하는 유리 페이스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 결착 수지의 유리 전이점(Tg)이 0∼90℃의 범위인 유리 페이스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 결착 수지의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)이 100,000∼3,000,000의 범위인 유리 페이스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 가소성 부여 물질이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 유리 페이스트 조성물.
    <화학식 1>
    Figure 112005073624742-PCT00007
    (식중, R은 수소원자 또는 메틸기이고, n은 12 또는 13의 수이다.)
  6. 지지 필름 및 지지 필름 상의 유리 프릿, 결착 수지 및 가소성 부여 물질이 함유되어 이루어지는 막형성 재료층을 갖는 것을 특징으로 하는 전사 필름.
  7. 제6항에 있어서, 막형성 재료층이, 10℃/분의 승온 속도로 열 중량 분석을 행하였을 때의 TG 곡선에서, 100∼400℃의 사이에 다단계로 나타나는 열 중량 감소의 피크를 갖는 전사 필름.
  8. 제6항에 있어서, 결착 수지 및 가소성 부여 물질을 10℃/분의 승온 속도로 소성한 경우에, 상기 결착 수지의 중량 감소율이 30％가 되는 온도를 Tr[℃], 상기 가소성 부여 물질의 95％가 분해 또는 휘발하는 온도를 Tp[℃]라 하였을 때, Tr≥Tp를 만족하는 전사 필름.
  9. 제6항에 있어서, 유리 프릿 100중량부에 대하여 결착 수지 2∼15중량부를 함유하는 전사 필름.
  10. 제6항에 있어서, 결착 수지의 유리 전이점(Tg)이 0∼90℃의 범위인 전사 필름.
  11. 제6항에 있어서, 결착 수지의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)이 100,000∼3,000,000의 범위인 전사 필름.
  12. 제6항에 있어서, 가소성 부여 물질이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 전사 필름.
    <화학식 1>
    Figure 112005073624742-PCT00008
    (식중, R은 수소원자 또는 메틸기이고, n은 12 또는 13의 수이다.)
  13. 제6항에 기재된 전사 필름을 사용하여 형성된 유리 소결체를 포함하는 격벽을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  14. 제6항의 전사 필름에서의 막형성 재료층을 패널 기재에 전사하고, 전사된 막형성 재료층에 대하여 포스트 베이킹을 행하고, 샌드블라스트 처리를 행하여 목적으로 하는 형태의 격벽 형성 재료층을 형성하고, 상기 격벽 형성 재료층을 소성하여 유리 소결체를 포함하는 격벽을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 포스트 베이킹이, 막형성 재료층 중의 결착 수지의 중량 감소율이 30％ 이하이고, 가소성 부여 물질의 분해 또는 휘발하는 비율이 95％ 이상이 되는 조건으로 행하여지는 방법.
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