JP2002249667A - 誘電体層形成用転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネル - Google Patents

誘電体層形成用転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネル

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JP2002249667A
JP2002249667A JP2001051094A JP2001051094A JP2002249667A JP 2002249667 A JP2002249667 A JP 2002249667A JP 2001051094 A JP2001051094 A JP 2001051094A JP 2001051094 A JP2001051094 A JP 2001051094A JP 2002249667 A JP2002249667 A JP 2002249667A
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forming material
forming
material layer
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Takafumi Itano
考史 板野
Katsumi Ito
克美 伊藤
Takanori Yamashita
隆徳 山下
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上のダスト、異物等の影響を受けにく
く、均一な誘電体層を形成することができ、高い光透過
率を有する誘電体層を形成することができ、膜形成材料
層の可撓性および転写性(基板に対する加熱接着性)に
優れた誘電体層形成用転写フィルムを提供すること。 【解決手段】 有機成分の含有量が、無機粒子100質
量部に対して10〜25質量部であることを特徴とする
誘電体層形成用転写フィルムを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体層形成用転
写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルに関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、平板状の蛍光表示体としてプラズ
マディスプレイが注目されている。図1は交流型のプラ
ズマディスプレイパネル(以下、「PDP」ともいう)
の断面形状を示す模式図である。同図において、1およ
び2は対向配置されたガラス基板、3は隔壁であり、ガ
ラス基板1、ガラス基板2および隔壁3によりセルが区
画形成されている。4はガラス基板1に固定された透明
電極、5は透明電極4の抵抗を下げる目的で、当該透明
電極4上に形成されたバス電極、6はガラス基板2に固
定されたアドレス電極、7はセル内に保持された蛍光物
質、8は透明電極4およびバス電極5を被覆するようガ
ラス基板1の表面に形成された誘電体層、9はアドレス
電極6を被覆するようガラス基板2の表面に形成された
誘電体層、Pは例えば酸化マグネシウムよりなる保護膜
である。また、カラーPDPにあっては、コントラスト
の高い画像を得るため、ガラス基板と誘電体層との間
に、カラーフィルター(赤色・緑色・青色)やブラック
マトリックスなどを設けることがある。
【0003】誘電体層8の形成方法としては、ガラス粉
末、結着樹脂および溶剤を含有するペースト状の無機粒
子含有組成物(ガラスペースト組成物)を調製し、この
ガラスペースト組成物をスクリーン印刷法によってガラ
ス基板1の表面に塗布して乾燥することにより膜形成材
料層を形成し、次いでこの膜形成材料層を焼成すること
により有機物質を除去してガラス粉末を焼結させる方法
が知られている。
【0004】しかして、ガラス基板1上に形成する膜形
成材料層の厚さは、焼成工程における有機物質の除去に
伴う膜厚の目減量を考慮して、形成すべき誘電体層8の
膜厚の1.3〜2.0倍程度とすることが必要であり、
例えば、誘電体層8の膜厚を20〜50μmとするため
には、30〜100μm程度の厚さの膜形成材料層を形
成する必要がある。一方、前記ガラスペースト組成物を
スクリーン印刷法により塗布する場合に、1回の塗布処
理によって形成される塗膜の厚さは15〜25μm程度
である。このため、膜形成材料層を所定の厚さとするた
めには、ガラス基板の表面に対して、当該ガラスペース
ト組成物を複数回(例えば2〜7回)にわたり繰り返し
て塗布(多重印刷)する必要がある。
【0005】しかしながら、スクリーン印刷法を利用す
る多重印刷によって膜形成材料層を形成する場合には、
当該膜形成材料層を焼成して形成される誘電体層が均一
な膜厚(例えば公差が±5%以内)を有するものとなら
ない。これは、スクリーン印刷法による多重印刷では、
ガラス基板の表面に対してガラスペースト組成物を均一
に塗布することが困難だからであり、塗布面積(パネル
サイズ)が大きいほど、また、塗布回数が多いほど誘電
体層における膜厚のバラツキの程度は大きいものとな
る。そして、多重印刷による塗布工程を経て得られるパ
ネル材料(当該誘電体層を有するガラス基板)には、そ
の面内において、膜厚のバラツキに起因して誘電特性に
バラツキが生じ、誘電特性のバラツキは、PDPにおけ
る表示欠陥(輝度ムラ)の原因となる。さらに、スクリ
ーン印刷法では、スクリーン版のメッシュ形状が膜形成
材料層の表面に転写されることがあり、このような膜形
成材料層を焼成して形成される誘電体層は、表面の平滑
性に劣るものとなる。
【0006】スクリーン印刷法によって膜形成材料層を
形成する場合における上記のような問題を解決する手段
として、本発明者らは、ガラスペースト組成物を支持フ
ィルム上に塗布し、塗膜を乾燥して膜形成材料層を形成
し、支持フィルム上に形成された膜形成材料層を、電極
が固定されたガラス基板の表面に転写し、転写された膜
形成材料層を焼成することにより、前記ガラス基板の表
面に誘電体層を形成する工程(以下、「ドライフィルム
法」ともいう。)を含むPDPの製造方法を提案してい
る(特開平9−102273号公報参照)。このような
製造方法によれば、膜厚の均一性および表面の均一性に
優れた誘電体層を形成することができる。
【0007】また、本発明者らは、PDPの誘電体層を
形成するために好適に用いることができる転写フィルム
として、支持フィルムと、ガラスペースト組成物から得
られる膜形成材料層と、この膜形成材料層の表面に剥離
容易に設けられたカバーフィルムとを積層してなる複合
フィルム(以下、「転写フィルム」ともいう)について
も提案している(特開平10−291834号公報参
照)。このような転写フィルムは、これをロール状に巻
き取って保存することができる点でも有利である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
転写フィルムにおいては、基板上のダスト、異物等の影
響により、転写、焼成の各工程を経て形成した誘電体層
にピンホールが発生しやすく、ピンホール部がPDPの
表示不良につながってしまうという問題があった。ま
た、従来の転写フィルムにおいては、形成する誘電体層
の膜厚が厚くなるにつれて、焼成時における有機成分の
除去が困難になるという問題があった。
【0009】本発明は以上のような事情に基いてなされ
たものである。本発明の第1の目的は、基板上のダス
ト、異物等の影響を受けにくく、均一な誘電体層を形成
することができる誘電体層形成用転写フィルムを提供す
ることにある。本発明の第2の目的は、高い光透過率を
有する誘電体層を形成することができる誘電体層形成用
転写フィルムを提供することにある。本発明の第3の目
的は、膜形成材料層の可撓性および転写性(基板に対す
る加熱接着性)に優れた誘電体層形成用転写フィルムを
提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体層形成用
転写フィルムは、〔A〕ガラスフリットを含む無機粒子
および〔B〕結着樹脂を含む有機成分を含有する膜形
成材料層を有し、当該膜形成材料層における〔B〕有機
成分の含有量が〔A〕無機粒子100質量部に対して1
0〜25質量部であることを特徴とする。
【0011】本発明のプラズマディスプレイパネルは、
本発明の誘電体層形成用転写フィルムから形成された誘
電体層を有することを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。 <誘電体層形成用転写フィルム>本発明の誘電体層形成
用転写フィルムは、支持フィルム上に形成された膜形成
材料層を有する誘電体層形成用転写フィルムであって、
該膜形成材料層中に〔A〕ガラスフリットを含む無機粒
子、および〔B〕結着樹脂を含む有機成分を含有し、
〔B〕有機成分の含有量が〔A〕無機粒子100質量部
に対して10〜25質量部であることを必須とする。本
発明の誘電体層形成用転写フィルムは、PDPの構成要
素である誘電体層の形成工程に使用される複合フィルム
であって、後述する膜形成材料組成物を支持フィルム上
に塗布し、塗膜を乾燥することにより形成される膜形成
材料層を備えてなる。
【0013】(1)誘電体層形成用転写フィルムの構
成:図2(イ)は、ロール状に巻回された本発明の誘電
体層形成用転写フィルムを示す概略断面図であり、同図
(ロ)は、当該転写フィルムの層構成を示す断面図
〔(イ)の部分詳細図〕である。図2に示す転写フィル
ムは、通常、支持フィルムF1と、この支持フィルムF
1の表面に剥離可能に形成された膜形成材料層F2と、
この膜形成材料層F2の表面に剥離容易に設けられたカ
バーフィルムF3とにより構成されている。カバーフィ
ルムF3は、膜形成材料層F2の性質によっては使用さ
れない場合もある。
【0014】転写フィルムを構成する支持フィルムF1
は、耐熱性および耐溶剤性を有するとともに可撓性を有
する樹脂フィルムであることが好ましい。支持フィルム
F1が可撓性を有することにより、ロールコーター、ブ
レードコーターなどを用いてペースト状の組成物(後述
する膜形成材料組成物)を塗布することができ、これに
より、膜厚の均一な膜形成材料層を形成することができ
るとともに、形成された膜形成材料層をロール状に巻回
した状態で保存し、供給することができる。支持フィル
ムF1を形成する樹脂としては、例えばポリエチレンテ
レフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルアルコ
ール、ポリ塩化ビニル、ポリフロロエチレンなどの含フ
ッ素樹脂、ナイロン、セルロースなどを挙げることがで
きる。支持フィルムF1の厚さとしては、例えば20〜
100μmとされる。
【0015】転写フィルムを構成する膜形成材料層F2
は、焼成されることによってガラス焼結体(誘電体層)
となる層であり、〔A〕ガラスフリットを含む無機粒子
および〔B〕結着樹脂を含む有機成分を含有し、〔B〕
有機成分の含有量が〔A〕無機粒子100質量部に対し
て10〜25質量部であることが必須とされる。なお、
好ましくは、〔B〕有機成分の含有量が〔A〕無機粒子
100質量部に対して12〜20質量部である 膜形成材料層F2の厚さとしては、形成される誘電体層
の膜厚によって異なるが、通常、10〜150μmとさ
れ、好ましくは40〜120μmとされる。
【0016】転写フィルムを構成するカバーフィルムF
3は、膜形成材料層F2の表面(ガラス基板との接触
面)を保護するためのフィルムである。このカバーフィ
ルムF3も可撓性を有する樹脂フィルムであることが好
ましい。カバーフィルムF3を形成する樹脂としては、
支持フィルムF1を形成するものとして例示した樹脂を
挙げることができる。カバーフィルムF3の厚さとして
は、例えば20〜100μmとされる。
【0017】(2)誘電体層形成用転写フィルムの製造
方法:本発明の誘電体層形成用転写フィルムは、支持フ
ィルム(F1)上に膜形成材料層(F2)を形成し、当
該膜形成材料層(F2)上にカバーフィルム(F3)を
設ける(圧着する)ことにより製造することができる。
【0018】膜形成材料層の形成方法としては、後述す
る膜形成材料組成物を支持フィルム上に塗布し、塗膜を
乾燥して前記溶剤の一部または全部を除去する方法を挙
げることができる。
【0019】膜形成材料組成物を支持フィルム上に塗布
する方法としては、膜厚が大きく(例えば20μm以
上)、膜厚の均一性に優れた塗膜を効率よく形成するこ
とができる観点から、ロールコーターによる塗布方法、
ドクターブレードなどのブレードコーターによる塗布方
法、カーテンコーターによる塗布方法、ワイヤーコータ
ーによる塗布方法などを好ましいものとして挙げること
ができる。なお、膜形成材料組成物が塗布される支持フ
ィルムの表面には離型処理が施されていることが好まし
い。これにより、膜形成材料層を転写した後において、
当該膜形成材料層から支持フィルムを容易に剥離するこ
とができる。支持フィルム上に形成された膜形成材料組
成物による塗膜は、乾燥されることによって溶剤の一部
または全部が除去され、転写フィルムを構成する膜形成
材料層となる。膜形成材料組成物による塗膜の乾燥条件
としては、例えば40〜150℃で0.1〜30分間程
度とされる。乾燥後における溶剤の残存割合(膜形成材
料層中の溶剤の含有割合)は、通常5重量%以下とさ
れ、0.1〜2重量%であることが好ましい。
【0020】上記のようにして形成された膜形成材料層
の上に設けられる(通常、熱圧着される)カバーフィル
ムの表面にも離型処理が施されていることが好ましい。
これにより、膜形成材料層を転写する前に、当該膜形成
材料層からカバーフィルムを容易に剥離することができ
る。
【0021】(3)膜形成材料層の転写(誘電体層形成
用転写フィルムの使用方法):支持フィルム上の膜形成
材料層は、基板の表面に一括転写される。本発明の誘電
体層形成用転写フィルムによれば、このような簡単な操
作によって膜形成材料層をガラス基板上に確実に形成す
ることができるので、誘電体層の形成工程における工程
改善(高効率化)を図ることができるとともに、形成さ
れる誘電体層の品質の向上(例えば、安定した誘電特性
の発現)を図ることができる。
【0022】<プラズマディスプレイパネル(誘電体層
の形成)>本発明のプラズマディスプレイパネルは、本
発明の誘電体層形成用転写フィルムを構成する膜形成材
料層を基板の表面に転写し、転写された膜形成材料層を
焼成することにより、前記基板の表面に形成された誘電
体層を含有する。
【0023】(1)誘電体層の形成工程:図2に示した
ような構成の誘電体層形成用転写フィルムによる膜形成
材料層の転写工程の一例を示せば以下のとおりである。 ロール状に巻回された状態の転写フィルムを基板の
面積に応じた大きさに裁断する。 裁断した転写フィルムにおける膜形成材料層(F
2)の表面からカバーフィルム(F3)を剥離した後、
基板の表面に、膜形成材料層(F2)の表面が当接する
ように転写フィルムを重ね合わせる。 基板に重ね合わされた転写フィルム上に加熱ローラ
を移動させて熱圧着させる。 熱圧着により基板に固定された膜形成材料層(F
2)から支持フィルム(F1)を剥離除去する。 上記のような操作により、支持フィルム(F1)上の膜
形成材料層(F2)が基板上に転写される。ここで、転
写条件としては、例えば、加熱ローラの表面温度が60
〜120℃、加熱ローラによるロール圧が1〜5kg/
cm2 、加熱ローラの移動速度が0.2〜10.0m/
分とされる。このような操作(転写工程)は、ラミネー
タ装置により行うことができる。なお、基板は予熱され
ていてもよく、予熱温度としては例えば40〜100℃
とすることができる。
【0024】基板の表面に転写形成された膜形成材料層
(F2)は焼成されてガラス焼結体(誘電体層)とな
る。ここに、焼成方法としては、膜形成材料層(F2)
が転写形成された基板を高温雰囲気下に配置する方法を
挙げることができる。これにより、膜形成材料層(F
2)に含有されている〔B〕有機成分が分解されて除去
され、〔A〕無機粒子に含まれるガラスフリットが溶融
して焼結する。ここに、焼成温度としては、基板の溶融
温度などによっても異なるが、例えば400〜700℃
とされ、さらに好ましくは500〜600℃とされる。
なお、本発明の誘電体層形成用転写フィルムは、形成さ
れる誘電体層の膜厚が25〜50μmである場合に特に
好適に使用することができる。
【0025】<膜形成材料組成物>本発明の誘電体層形
成用転写フィルムを構成する膜形成材料層は、〔A〕ガ
ラスフリットを含む無機粒子、〔B〕結着樹脂および溶
剤を含む有機成分を含有する膜形成材料組成物を支持フ
ィルム上に塗布、乾燥して得られるものである。
【0026】〔A〕無機粒子:無機粒子としては、ガラ
スフリットを必須成分として含有する。ガラスフリット
の組成としては例えば、 酸化鉛、酸化ホウ素、酸化
ケイ素(PbO−B23 −SiO2 系)の混合物、
酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素(ZnO−B2
3 −SiO2 系)の混合物、 酸化鉛、酸化ホウ素、
酸化ケイ素、酸化アルミニウム(PbO−B23 −S
iO2 −Al23 系)の混合物、酸化鉛、酸化亜
鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素(PbO−ZnO−B2
3 −SiO2 系)の混合物などを挙げることができる。
なお、上記以外にもプラズマディスプレイの誘電体層形
成に好適な組成のガラスフリットを用いることができ
る。ガラスフリットの軟化点としては、通常、400〜
600℃の範囲内である。ガラスフリットの軟化点が4
00℃未満である場合には、本発明の誘電体層形成用転
写フィルムによる膜形成材料層の焼成工程において、結
着樹脂などの有機物質が完全に分解除去されない段階で
ガラスフリットが溶融してしまうため、形成される誘電
体層中に有機物質の一部が残留し、この結果、誘電体層
が着色されて、その光透過率が低下する傾向がある。一
方、ガラスフリットの軟化点が600℃を超える場合に
は、600℃より高温で焼成する必要があるために、ガ
ラス基板に歪みなどが発生しやすい。なお、高い光透過
率を有する誘電体層を形成するために、ガラスフリット
の軟化点としては、450〜550℃であることが好ま
しい。ガラスフリットの平均粒径(メジアン径)として
は、通常、0.1〜10μmのものが用いられるが、好
ましくは1.0〜3.0μmである。ガラスフリットの
平均粒径が1.0μm未満の場合には、得られる組成物
を用いて形成される本発明の誘電体層形成用転写フィル
ムにおける膜形成材料層の可塑性を十分に向上させるこ
とができない。またガラスフリットの平均粒径が3.0
μmを超える場合には、形成される誘電体層の均一性が
損なわれる恐れがある。なお、ガラスフリットの平均粒
径は、より好ましくは1.5〜3.0μmである。ここ
で、「ガラスフリットの平均粒径」は、レーザー回折散
乱法により測定された粒子径から求められる値を指すも
のとする。 〔A〕無機粒子中におけるガラスフリットの含有量は、
無機粒子100質量部中、通常、80〜100質量部で
あり、無機粒子として、ガラスフリット以外に、金属、
無機顔料、セラミック等の任意の無機粒子を含有してい
てもよい。
【0027】〔B〕有機成分:有機成分としては、結着
樹脂を必須成分として含有し、膜形成材料組成物は通
常、溶剤を含有する。結着樹脂はアクリル樹脂であるこ
とが好ましい。結着樹脂としてアクリル樹脂が含有され
ていることにより、形成される膜形成材料層は、基板に
対する優れた(加熱)接着性を有するものとなる。従っ
て、膜形成材料組成物を支持フィルム上に塗布して誘電
体層形成用転写フィルムを製造する場合において、得ら
れる転写フィルムは、膜形成材料層の転写性(基板への
加熱接着性)に優れたものとなる。膜形成材料組成物を
構成するアクリル樹脂としては、適度な粘着性を有して
無機粒子を結着させることができ、膜形成材料の焼成処
理(400℃〜600℃)によって完全に酸化除去され
る(共)重合体の中から選択される。かかるアクリル樹
脂には、下記一般式(1)で表される(メタ)アクリレ
ート化合物の単独重合体、下記一般式(1)で表される
(メタ)アクリレート化合物の2種以上の共重合体、お
よび下記一般式(1)で表される(メタ)アクリレート
化合物と共重合性単量体との共重合体が含まれる。
【0028】
【0029】〔式中、R1 は水素原子またはメチル基を
示し、R2 は1価の有機基を示す。〕
【0030】上記一般式(i)で表される(メタ)アク
リレート化合物の具体例としては、メチル(メタ)アク
リレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メ
タ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレー
ト、ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)
アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、ペン
チル(メタ)アクリレート、アミル(メタ)アクリレー
ト、イソアミル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メ
タ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、オ
クチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)ア
クリレート、エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ノ
ニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレー
ト、イソデシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メ
タ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ラ
ウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アク
リレート、イソステアリル(メタ)アクリレートなどの
アルキル(メタ)アクリレート;ヒドロキシエチル(メ
タ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)ア
クリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレ
ート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3
−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロ
キシブチル(メタ)アクリレートなどのヒドロキシアル
キル(メタ)アクリレート;フェノキシエチル(メタ)
アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピ
ル(メタ)アクリレートなどのフェノキシアルキル(メ
タ)アクリレート;2−メトキシエチル(メタ)アクリ
レート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、2
−プロポキシエチル(メタ)アクリレート、2−ブトキ
シエチル(メタ)アクリレート、2−メトキシブチル
(メタ)アクリレートなどのアルコキシアルキル(メ
タ)アクリレート;ポリエチレングリコールモノ(メ
タ)アクリレート、エトキシジエチレングリコール(メ
タ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール
(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコ
ール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチ
レングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレン
グリコールモノ(メタ)アクリレート、メトキシポリプ
ロピレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシポ
リプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ノニル
フェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレ
ートなどのポリアルキレングリコール(メタ)アクリレ
ート;シクロヘキシル(メタ)アクリレート、4−ブチ
ルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、ジシクロペン
タニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メ
タ)アクリレート、ジシクロペンタジエニル(メタ)ア
クリレート、ボルニル(メタ)アクリレート、イソボル
ニル(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メ
タ)アクリレートなどのシクロアルキル(メタ)アクリ
レート;ベンジル(メタ)アクリレート、テトラヒドロ
フルフリル(メタ)アクリレートなどを挙げることがで
きる。
【0031】これらのうち、上記一般式(1)中、R2
で示される基が、アルキル基またはオキシアルキレン基
を含有する基であることが好ましく、特に好ましい(メ
タ)アクリレート化合物として、ブチル(メタ)アクリ
レート、エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリ
ル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレ
ートおよび2−エトキシエチル(メタ)アクリレートを
挙げることができる。他の共重合性単量体としては、上
記(メタ)アクリレート化合物と共重合可能な化合物な
らば特に制限はないが、例えば、(メタ)アクリル酸、
ビニル安息香酸、マイレン酸、ビニルフタル酸などの不
飽和カルボン酸類;ビニルベンジルメチルエーテル、ビ
ニルグリシジルエーテル、スチレン、α−メチルスチレ
ン、ブタジエン、イソプレンなどのビニル基含有ラジカ
ル重合性化合物が挙げられる。膜形成材料組成物を構成
するアクリル樹脂における、上記一般式(i)で表され
る(メタ)アクリレート化合物由来の共重合成分は、通
常70質量%以上、好ましくは90質量%以上である。
ここに、好ましいアクリル樹脂の具体例としては、ポリ
メチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、メ
チルメタクリレート−ブチルメタクリレート共重合体な
どを例示することができる。
【0032】膜形成材料組成物を構成するアクリル樹脂
の分子量としては、GPCによるポリスチレン換算の重
量平均分子量(以下、単に「重量平均分子量」ともい
う)として4,000〜300,000であることが好
ましく、さらに好ましくは10,000〜200,00
0とされる。膜形成材料組成物における結着樹脂の含有
割合としては、無機粒子100重量部に対して、5〜2
5質量部であることが好ましく、さらに好ましくは5〜
20重量部とされる。結着樹脂の割合が過小である場合
には、無機粒子を確実に結着保持することができず、一
方、この割合が過大である場合には、焼成時における有
機成分の除去が困難になる。
【0033】膜形成材料組成物を構成する溶剤として
は、ガラスフリットとの親和性、結着樹脂の溶解性が良
好で、膜形成材料組成物に適度な粘性を付与することが
できると共に、乾燥されることにより容易に蒸発除去で
きるものであることが好ましい。また、特に好ましい溶
剤として、標準沸点(1気圧における沸点)が100〜
200℃であるケトン類、アルコール類およびエステル
類(以下、これらを「特定溶剤」という。)を挙げるこ
とができる。かかる特定溶剤の具体例としては、ジエチ
ルケトン、メチルブチルケトン、ジプロピルケトン、シ
クロヘキサノンなどのケトン類;n−ペンタノール、4
−メチル−2−ペンタノール、シクロヘキサノール、ジ
アセトンアルコールなどのアルコール類;エチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテルなどのエーテル系ア
ルコール類;酢酸−n−ブチル、酢酸アミルなどの飽和
脂肪族モノカルボン酸アルキルエステル類;乳酸エチ
ル、乳酸−n−ブチルなどの乳酸エステル類;メチルセ
ロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エ
チル−3−エトキシプロピオネートなどのエーテル系エ
ステル類などを例示することができ、これらのうち、メ
チルブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアル
コール、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エ
チル−3−エトキシプロピオネートなどが好ましい。こ
れらの特定溶剤は、単独でまたは2種以上を組み合わせ
て使用することができる。特定溶剤以外の溶剤の具体例
としては、テレビン油、エチルセロソルブ、メチルセロ
ソルブ、テルピネオール、ブチルカルビトールアセテー
ト、ブチルカルビトール、イソプロピルアルコール、ベ
ンジルアルコールなどを挙げることができる。膜形成材
料組成物における溶剤の含有割合としては、膜形成材料
組成物の粘度を好適な範囲に維持する観点から、ガラス
フリット100質量部に対して、1〜50質量部である
ことが好ましく、さらに好ましくは5〜40質量部とさ
れる。また、全溶剤に対する特定溶剤の含有割合は、5
0質量%以上であることが好ましく、更に好ましくは7
0質量%以上とされる。膜形成材料組成物には、無機粒
子の分散安定性向上の目的で、シリル基含有化合物が含
有されていてもよい。当該シリル基含有化合物として
は、下記一般式(2)で表されるシリル基含有化合物
〔飽和アルキル基含有(アルキル)アルコキシシラン〕
が好ましい。
【0034】
【化1】
【0035】(式中、pは3〜20の整数、mは1〜3
の整数、nは1〜3の整数、そしてaは1〜3の整数で
ある。)
【0036】上記一般式(2)において、飽和アルキル
基の炭素数を示すpは3〜20の整数とされ、好ましく
は4〜16の整数とされる。pが3未満である飽和アル
キル基含有(アルキル)アルコキシシランを含有させて
も、得られる形膜形成材料層において十分な可撓性が発
現されない場合がある。一方、pの値が20を超える飽
和アルキル基含有(アルキル)アルコキシシランは分解
温度が高く、得られるによる膜形成材料層の焼成工程に
おいて、有機物質(前記シラン誘導体)が完全に分解除
去されない段階でガラスフリットが溶融してしまうた
め、形成される誘電体層中に有機物質の一部が残留し、
この結果、誘電体層の光透過率が低下する場合がある。
【0037】上記一般式(2)で表されるシリル基含有
化合物の具体例としては、n−プロピルジメチルメトキ
シシラン、n−ブチルジメチルメトキシシラン、n−デ
シルジメチルメトキシシラン、n−ヘキサデシルジメチ
ルメトキシシラン、n−エイコシルジメチルメトキシシ
ランなどの飽和アルキルジメチルメトキシシラン類(a
=1,m=1,n=1);n−プロピルジエチルメトキ
シシラン、n−ブチルジエチルメトキシシラン、n−デ
シルジエチルメトキシシラン、n−ヘキサデシルジエチ
ルメトキシシラン、n−エイコシルジエチルメトキシシ
ランなどの飽和アルキルジエチルメトキシシラン類(a
=1,m=1,n=2);n−ブチルジプロピルメトキ
シシラン、n−デシルジプロピルメトキシシラン、n−
ヘキサデシルジプロピルメトキシシラン、n−エイコシ
ルジプロピルメトキシシランなどの飽和アルキルジプロ
ピルメトキシシラン類(a=1,m=1,n=3);n
−プロピルジメチルエトキシシラン、n−ブチルジメチ
ルエトキシシラン、n−デシルジメチルエトキシシラ
ン、n−ヘキサデシルジメチルエトキシシラン、n−エ
イコシルジメチルエトキシシランなどの飽和アルキルジ
メチルエトキシシラン類(a=1,m=2,n=1);
n−プロピルジエチルエトキシシラン、n−ブチルジエ
チルエトキシシラン、n−デシルジエチルエトキシシラ
ン、n−ヘキサデシルジエチルエトキシシラン、n−エ
イコシルジエチルエトキシシランなどの飽和アルキルジ
エチルエトキシシラン類(a=1,m=2,n=2);
n−ブチルジプロピルエトキシシラン、n−デシルジプ
ロピルエトキシシラン、n−ヘキサデシルジプロピルエ
トキシシラン、n−エイコシルジプロピルエトキシシラ
ンなどの飽和アルキルジプロピルエトキシシラン類(a
=1,m=2,n=3);n−プロピルジメチルプロポ
キシシラン、n−ブチルジメチルプロポキシシラン、n
−デシルジメチルプロポキシシラン、n−ヘキサデシル
ジメチルプロポキシシラン、n−エイコシルジメチルプ
ロポキシシランなどの飽和アルキルジメチルプロポキシ
シラン類(a=1,m=3,n=1);n−プロピルジ
エチルプロポキシシラン、n−ブチルジエチルプロポキ
シシラン、n−デシルジエチルプロポキシシラン、n−
ヘキサデシルジエチルプロポキシシラン、n−エイコシ
ルジエチルプロポキシシランなどの飽和アルキルジエチ
ルプロポキシシラン類(a=1,m=3,n=2);n
−ブチルジプロピルプロポキシシラン、n−デシルジプ
ロピルプロポキシシラン、n−ヘキサデシルジプロピル
プロポキシシラン、n−エイコシルジプロピルプロポキ
シシランなどの飽和アルキルジプロピルプロポキシシラ
ン類(a=1,m=3,n=3);
【0038】n−プロピルメチルジメトキシシラン、n
−ブチルメチルジメトキシシラン、n−デシルメチルジ
メトキシシラン、n−ヘキサデシルメチルジメトキシシ
ラン、n−エイコシルメチルジメトキシシランなどの飽
和アルキルメチルジメトキシシラン類(a=2,m=
1,n=1);n−プロピルエチルジメトキシシラン、
n−ブチルエチルジメトキシシラン、n−デシルエチル
ジメトキシシラン、n−ヘキサデシルエチルジメトキシ
シラン、n−エイコシルエチルジメトキシシランなどの
飽和アルキルエチルジメトキシシラン類(a=2,m=
1,n=2);n−ブチルプロピルジメトキシシラン、
n−デシルプロピルジメトキシシラン、n−ヘキサデシ
ルプロピルジメトキシシラン、n−エイコシルプロピル
ジメトキシシランなどの飽和アルキルプロピルジメトキ
シシラン類(a=2,m=1,n=3)n−プロピルメ
チルジエトキシシラン、n−ブチルメチルジエトキシシ
ラン、n−デシルメチルジエトキシシラン、n−ヘキサ
デシルメチルジエトキシシラン、n−エイコシルメチル
ジエトキシシランなどの飽和アルキルメチルジエトキシ
シラン類(a=2,m=2,n=1);n−プロピルエ
チルジエトキシシラン、n−ブチルエチルジエトキシシ
ラン、n−デシルエチルジエトキシシラン、n−ヘキサ
デシルエチルジエトキシシラン、n−エイコシルエチル
ジエトキシシランなどの飽和アルキルエチルジエトキシ
シラン類(a=2,m=2,n=2);n−ブチルプロ
ピルジエトキシシラン、n−デシルプロピルジエトキシ
シラン、n−ヘキサデシルプロピルジエトキシシラン、
n−エイコシルプロピルジエトキシシランなどの飽和ア
ルキルプロピルジエトキシシラン類(a=2,m=2,
n=3);n−プロピルメチルジプロポキシシラン、n
−ブチルメチルジプロポキシシラン、n−デシルメチル
ジプロポキシシラン、n−ヘキサデシルメチルジプロポ
キシシラン、n−エイコシルメチルジプロポキシシラン
などの飽和アルキルメチルジプロポキシシラン類 (a
=2,m=3,n=1);n−プロピルエチルジプロポ
キシシラン、n−ブチルエチルジプロポキシシラン、n
−デシルエチルジプロポキシシラン、n−ヘキサデシル
エチルジプロポキシシラン、n−エイコシルエチルジプ
ロポキシシランなどの飽和アルキルエチルジプロポキシ
シラン類(a=2,m=3,n=2);n−ブチルプロ
ピルジプロポキシシラン、n−デシルプロピルジプロポ
キシシラン、n−ヘキサデシルプロピルジプロポキシシ
ラン、n−エイコシルプロピルジプロポキシシランなど
の飽和アルキルプロピルジプロポキシシラン類(a=
2,m=3,n=3);
【0039】n−プロピルトリメトキシシラン、n−ブ
チルトリメトキシシラン、n−デシルトリメトキシシラ
ン、n−ヘキサデシルトリメトキシシラン、n−エイコ
シルトリメトキシシランなどの飽和アルキルトリメトキ
シシラン類(a=3,m=1);n−プロピルトリエト
キシシラン、n−ブチルトリエトキシシラン、n−デシ
ルトリエトキシシラン、n−ヘキサデシルトリエトキシ
シラン、n−エイコシルトリエトキシシランなどの飽和
アルキルトリエトキシシラン類(a=3,m=2);n
−プロピルトリプロポキシシラン、n−ブチルトリプロ
ポキシシラン、n−デシルトリプロポキシシラン、n−
ヘキサデシルトリプロポキシシラン、n−エイコシルト
リプロポキシシランなどの飽和アルキルトリプロポキシ
シラン類(a=3,m=3)などを挙げることができ、
これらは、単独でまたは2種以上を組み合わせて使用す
ることができる。
【0040】これらのうち、n−ブチルトリメトキシシ
ラン、n−デシルトリメトキシシラン、n−ヘキサデシ
ルトリメトキシシラン、n−デシルジメチルメトキシシ
ラン、n−ヘキサデシルジメチルメトキシシラン、n−
ブチルトリエトキシシラン、n−デシルトリエトキシシ
ラン、n−ヘキサデシルトリエトキシシラン、n−デシ
ルエチルジエトキシシラン、n−ヘキサデシルエチルジ
エトキシシラン、n−ブチルトリプロポキシシラン、n
−デシルトリプロポキシシラン、n−ヘキサデシルトリ
プロポキシシランなどが特に好ましい。
【0041】膜形成材料組成物におけるシリル基含有化
合物の含有割合としては、ガラスフリット100質量部
に対して、5質量部以下であることが好ましく、さらに
好ましくは3質量部以下とされる。シリル基含有化合物
の割合が過大である場合には、得られる膜形成材料組成
物を保存する際に粘度が経時的に上昇したり、シリル基
含有化合物同士で反応が起こり、焼成後の光透過率を下
げる原因になったりする場合がある。
【0042】また、膜形成材料組成物においては、形成
される膜形成材料層に良好な可撓性と燃焼性とを発現さ
せるために、可塑剤が含有されていてもよい。可塑剤と
しては、下記一般式(3)または(4)で示される化合
物からなる可塑剤、あるいはポリプロピレングリコール
が好ましい。
【0043】
【化2】
【0044】(式中、R3 およびR6 は、それぞれ、同
一または異なる炭素数1〜30のアルキル基を示し、R
4 およびR5 は、それぞれ、同一または異なるメチレン
基または炭素数2〜30のアルキレン基を示し、sは0
〜5の数であり、tは1〜10の数である。)
【0045】
【化3】
【0046】(式中、R7 は炭素数1〜30のアルキル
基またはアルケニル基を示す。)
【0047】可塑剤を含有する膜形成材料層を備えた転
写フィルムによれば、これを折り曲げても、当該膜形成
材料層の表面に微小な亀裂(ひび割れ)が発生するよう
なことはなく、また、当該転写フィルムは柔軟性に優れ
たものとなり、これをロール状に巻き取ることも容易に
行うことができる。特に、上記一般式(3)または
(4)で示される化合物からなる可塑剤は、熱により容
易に分解除去されるため、当該膜形成材料層を焼成して
得られる誘電体層の光透過率を低下させることはない。
【0048】上記一般式(3)において、R3 またはR
6 で示されるアルキル基、並びにR 4 またはR5 で示さ
れるアルキレン基は、直鎖状であっても分岐状であって
もよく、また、飽和基であっても不飽和基であってもよ
い。
【0049】R3 またはR6 で示されるアルキル基の炭
素数は、1〜30とされ、好ましくは2〜20、さらに
好ましくは4〜10とされる。当該アルキル基の炭素数
が30を超える場合には、本発明を構成する溶剤に対す
る可塑剤の溶解性が低下し、良好な可撓性が得られない
場合がある。
【0050】上記構造式(3)で示される化合物の具体
例としては、ジブチルアジペート、ジイソブチルアジペ
ート、ジ−2−エチルヘキシルアジペート、ジ−2−エ
チルヘキシルアゼレート、ジブチルセバケート、ジブチ
ルジグリコールアジペートなどが挙げられる。好ましく
は、nが2〜6で表される化合物である。
【0051】上記一般式(4)において、R7 は炭素数
1〜30のアルキル基またはアルケニル基を示し、R7
で示されるアルキル基およびアルケニル基は、直鎖状で
あっても分岐状であってもよく、また、飽和基であって
も不飽和基であってもよい。R7 で示されるアルキル基
またはアルケニル基の炭素数は、1〜30とされ、好ま
しくは2〜20、さらに好ましくは10〜18とされ
る。
【0052】上記一般式(4)で示される化合物の具体
例としては、プロピレングリコールモノラウレート、プ
ロピレングリコールモノオレートなどが挙げられる。
【0053】また、可塑剤としてポリプロピレングリコ
ールを用いる場合、かかるポリプロピレングリコールの
重量平均分子量(Mw)は、200〜3,000の範囲
にあることが好ましく、300〜2,000の範囲にあ
ることが特に好ましい。ポリプロピレングリコールのM
wが200未満である場合には、膜強度の大きい膜形成
材料層を支持フィルム上に形成することが困難になる場
合があり、当該膜形成材料層を備えてなる転写フィルム
を使用して行う転写工程において、ガラス基板に加熱接
着された膜形成材料層から支持フィルムを剥離しようと
すると、当該膜形成材料層が凝集破壊を起こすことがあ
る。一方、Mwが3,000を越える場合には、ガラス
基板との加熱接着性が良好な膜形成材料層が得られない
場合がある。
【0054】膜形成材料組成物における可塑剤の含有量
としては、無機粉体100質量部に対して、0.5〜1
0質量部であることが好ましく、さらに好ましくは2〜
7質量部とされる。可塑剤の添加量が増えると、得られ
る本発明の誘電体層形成用転写フィルムの強度が保てな
くなる恐れがある。
【0055】膜形成材料組成物には、上記の成分のほか
に、粘着性付与剤、表面張力調整剤、安定剤、消泡剤、
分散剤などの各種添加剤が任意成分として含有されてい
てもよい。分散剤としては、脂肪酸が好ましく用いられ
る。特に、炭素数8〜30の脂肪酸が好ましい。上記脂
肪酸の好ましい具体例としては、オクタン酸、ウンデシ
ル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ペン
タデカン酸、ステアリン酸、アラキン酸等の飽和脂肪
酸;エライジン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン
酸、アラキドン酸、カルボキシポリカプロラクトン(n
=2)モノアクリレートなどの不飽和脂肪酸を挙げるこ
とができ、これらは、単独でまたは2種以上を組み合わ
せて使用することができる。膜形成材料組成物における
分散剤の含有割合としては、無機粒子100質量部に対
して、5質量部以下であることが好ましく、さらに好ま
しくは3質量部以下とされる。膜形成材料組成物は、通
常、上記〔A〕ガラスフリットを含む無機粒子および
〔B〕結着樹脂および溶剤を含む有機成分を、ロール混
練機、ミキサー、ホモミキサー、サンドミルなどの混練
・分散機を用いて混練することにより調製することがで
きる。当該膜形成材料組成物の粘度としては、100〜
10000mPa・sー1であることが好ましい。
【0056】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。な
お、以下において「部」は「質量部」を示す。 <実施例1> (1)膜形成材料組成物の調製:無機粒子(〔A〕成
分)として、PbO−B23 −SiO2 系ガラスフリ
ット(軟化点480℃、平均粒径2.0μm)100
部、結着樹脂(〔B〕成分)として2−エチルヘキシル
メタクリレート/ヒドロキシエチルメタクリレート=9
0質量%/10質量%共重合体(重量平均分子量:5
0,000)8部、可塑剤(〔B〕成分)として、下記
式(a)で示される化合物(プロピレングリコールモノ
オレート)4部、溶剤(〔B〕成分)としてプロピレン
グリコールモノメチルエーテル20部を分散機を用いて
混練することにより、粘度が4,000mPa・s-1
ある膜形成材料組成物を調製した。
【0057】
【化4】
【0058】(2)誘電体層形成用転写フィルムの作製
および評価(可撓性):上記(1)で調製した膜形成材
料組成物を、予め離型処理したポリエチレンテレフタレ
ート(PET)よりなる支持フィルム(幅400mm,
長さ30m,厚さ38μm)上にブレードコーターを用
いて塗布し、形成された塗膜を100℃で5分間乾燥す
ることにより溶剤を除去し、これにより、厚さ50μm
の膜形成材料層を支持フィルム上に形成した(膜厚
1)。次いで、当該膜形成材料層上に、予め離型処理し
たPETよりなるカバーフィルム(幅400mm,長さ
30m,厚さ25μm)を貼り付けることにより、図2
に示したような構成を有する本発明の誘電体層形成用転
写フィルムを作製した。
【0059】得られた転写フィルムを135°に折り曲
げて10秒間保持してから元に戻し、カバーフィルムを
剥がして膜形成材料層の表面にひび割れ(屈曲亀裂)の
有無を目視で評価した(可撓性評価;評価1)。結果を
表1に示す。
【0060】(3)膜形成材料層の転写および評価(転
写性):20インチパネル用のガラス基板の表面(バス
電極の固定面)に、異物として200μm相当の樹脂粉
末0.5mg(約50個)を散布し、上記(2)により
得られた転写フィルムからカバーフィルムを剥離した
後、当該ガラス基板の表面に、膜形成材料層の表面が当
接されるように、転写フィルム(支持フィルムと膜形成
材料層との積層体)を重ね合わせ、この転写フィルムを
加熱ロールにより熱圧着した。ここで、圧着条件として
は、加熱ロールの表面温度を100℃、ロール圧を3k
g/cm、加熱ロールの移動速度を1m/分とした。熱
圧着処理の終了後、ガラス基板の表面に固定(加熱接
着)された膜形成材料層から支持フィルムを剥離除去
し、当該膜形成材料層の転写の可否を評価した(転写性
評価;評価2)。結果を表1に示す。
【0061】(4)膜形成材料層の焼成および評価
(〔B〕成分の含有量、誘電体層のピンホールおよび光
透過率):上記(3)により膜形成材料層を転写形成し
たガラス基板を焼成炉内に配置し、炉内の温度を、常温
から10℃/分の昇温速度で580℃まで昇温し、58
0℃の温度雰囲気下で大気中30分間にわたって焼成処
理することにより、ガラス基板の表面に、ガラス焼結体
よりなる膜厚30μmの誘電体層を形成した(膜厚
2)。この誘電体層における焼成前後の質量を測定する
ことにより、〔A〕成分100質量部に対する〔B〕成
分の含有量を測定した(評価3)。ここで、 (〔A〕成分100質量部に対する〔B〕成分の含有
量)=100×(膜形成材料層の質量−誘電体層の質
量)/(誘電体層の質量) として計算した。また、(3)の工程において散布した
樹脂粉末の位置10ヶ所に対応する誘電体層におけるピ
ンホールの発生数を評価した(評価4)。結果を表1に
示す。また、この誘電体層について光透過率(測定波長
600nm)の測定を行った。結果を表1に示す(評価
5)。
【0062】<実施例2>実施例1における結着樹脂の
量を11部に変更したこと以外は実施例1と同様にし
て、膜形成材料組成物の調製、誘電体層形成用転写フィ
ルムの作製および誘電体層の形成を行い、実施例1と同
様の評価を行った。結果を表1に示す。
【0063】<実施例3>実施例1における結着樹脂の
量を14部に変更したこと以外は実施例1と同様にし
て、膜形成材料組成物の調製、誘電体層形成用転写フィ
ルムの作製および誘電体層の形成を行い、実施例1と同
様の評価を行った。結果を表1に示す。
【0064】<実施例4>実施例1における結着樹脂の
量を17部に変更したこと以外は実施例1と同様にし
て、膜形成材料組成物の調製、誘電体層形成用転写フィ
ルムの作製および誘電体層の形成を行い、実施例1と同
様の評価を行った。結果を表1に示す。
【0065】<実施例5>実施例2におけるガラスフリ
ットの平均粒径を0.5μmに変更したこと以外は実施
例1と同様にして、膜形成材料組成物の調製、誘電体層
形成用転写フィルムの作製および誘電体層の形成を行
い、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示
す。
【0066】<実施例6>実施例2におけるガラスフリ
ットの平均粒径を1.5μmに変更したこと以外は実施
例1と同様にして、膜形成材料組成物の調製、誘電体層
形成用転写フィルムの作製および誘電体層の形成を行
い、実施例1と同様の評価を行った。結果を表1に示
す。 <実施例7>実施例2におけるガラスフリットの平均粒
径を3.5μmに変更したこと以外は実施例1と同様に
して、膜形成材料組成物の調製、誘電体層形成用転写フ
ィルムの作製および誘電体層の形成を行い、実施例1と
同様の評価を行った。結果を表1に示す。
【0067】<比較例1>実施例1における結着樹脂の
量を23部に変更したこと以外は実施例1と同様にし
て、膜形成材料組成物の調製、誘電体層形成用転写フィ
ルムの作製および誘電体層の形成を行い、実施例1と同
様の評価を行った。結果を表1に示す。
【0068】<比較例2>実施例1における結着樹脂の
量を5部に変更したこと以外は実施例1と同様にして、
膜形成材料組成物の調製、誘電体層形成用転写フィルム
の作製および誘電体層の形成を行い、実施例1と同様の
評価を行った。結果を表1に示す。
【0069】
【表1】 膜厚1;膜形成材料層の膜厚 評価1;可撓性評価(ひび割れなし→良好、ひび割れあ
り→不良) 評価2;転写性評価(転写可→良好、転写不可→不良) 膜厚2;誘電体層の膜厚 評価3;膜形成材料層中の〔A〕成分100質量部に対
する〔B〕成分の割合 評価4;誘電体層のピンホール数(異物相当位置10ヶ
所中) 評価5;誘電体層の光透過率(600nm)
【0070】
【発明の効果】本発明の誘電体層形成用転写フィルムに
よれば下記のような効果が奏される。 (1)基板上のダスト、異物等の影響を受けにくく、均
一な誘電体層を形成することができる。 (2)高い光透過率を有する誘電体層を形成することが
できる。 (3)膜形成材料層の可撓性および転写性(基板に対す
る加熱接着性)に優れた誘電体層形成用転写フィルムを
作製することができる。 (4)誘電体層を効率的に形成することができる。 (5)膜厚の大きい誘電体層を効率的に形成することが
できる。本発明のプラズマディスプレイパネルによれば
下記のような効果が奏される。 (6)均一性に優れた誘電体層を備えることで、表示品
位の高いプラズマディスプレイパネルを提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 交流型のプラズマディスプレイパネルの断面
形状を示す模式図である。
【図2】 (イ)は、本発明の誘電体層形成用転写フィ
ルムを示す概略断面図であり、(ロ)は、当該転写フィ
ルムの層構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1 ガラス基板 2 ガラス基板 3 隔壁 4 透明電極 5 バス電極 6 アドレス電極 7 蛍光物質 8 誘電体層 9 誘電体層 P 保護層 F1 支持フィルム F2 膜形成材料層 F3 カバーフィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01J 11/02 H01J 11/02 B Fターム(参考) 4F071 AA01 AB28 AF30 AH19 BC01 BC12 4J002 BG041 BG051 BG061 BG071 DL006 EC037 ED027 EE037 EH037 EH157 FD010 FD310 GQ00 5C027 AA05 5C040 GD09

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 〔A〕ガラスフリットを含む無機粒子
    および〔B〕結着樹脂を含む有機成分を含有する膜形成
    材料層を有し、当該膜形成材料層における〔B〕有機成
    分の含有量が〔A〕無機粒子100質量部に対して10
    〜25質量部であることを特徴とする、誘電体層形成用
    転写フィルム。
  2. 【請求項2】 膜形成材料層における〔B〕有機成分の
    含有量が〔A〕無機粒子100質量部に対して12〜2
    0質量部であることを特徴とする、請求項1記載の誘電
    体層形成用転写フィルム。
  3. 【請求項3】 膜形成材料層における〔A〕無機粒子中
    のガラスフリットの平均粒径が1.0〜3.0μmであ
    ることを特徴とする、請求項1記載の誘電体層形成用転
    写フィルム。
  4. 【請求項4】 得られる誘電体層の膜厚が25〜50μ
    mであることを特徴とする、請求項1記載の誘電体層形
    成用転写フィルム。
  5. 【請求項5】 膜形成材料層における〔B〕有機成分中
    における結着樹脂以外の成分の含有量が、〔A〕無機粒
    子100質量部に対して2〜7質量部であることを特徴
    とする、請求項1記載の誘電体層形成用転写フィルム。
  6. 【請求項6】 膜形成材料層における〔A〕無機粒子中
    のガラスフリットの軟化点が450〜550℃であるこ
    とを特徴とする、請求項1記載の誘電体層形成用転写フ
    ィルム。
  7. 【請求項7】 請求項1記載の誘電体層形成用転写フィ
    ルムから形成された誘電体層を有することを特徴とす
    る、プラズマディスプレイパネル。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004113449A1 (ja) * 2003-06-17 2004-12-29 Jsr Corporation プラズマディスプレイパネル用転写フィルム並びにプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
WO2005059034A1 (ja) * 2003-12-18 2005-06-30 Nitto Denko Corporation 無機粉体含有樹脂組成物、膜形成材料層、転写シート、誘電体層形成基板の製造方法、誘電体層形成基板、及びプラズマディスプレイパネル
JP2006045324A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Jsr Corp 無機粉体含有樹脂組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004113449A1 (ja) * 2003-06-17 2004-12-29 Jsr Corporation プラズマディスプレイパネル用転写フィルム並びにプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
WO2005059034A1 (ja) * 2003-12-18 2005-06-30 Nitto Denko Corporation 無機粉体含有樹脂組成物、膜形成材料層、転写シート、誘電体層形成基板の製造方法、誘電体層形成基板、及びプラズマディスプレイパネル
JP2006045324A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Jsr Corp 無機粉体含有樹脂組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法

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