KR100869398B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 전사 필름 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 전사 필름 Download PDF

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Abstract

본 발명은 제조 효율이 높고, 현상 처리시의 밀착성이 양호하고, 패터닝성이 우수하며, 또한 작업성을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 제조 방법 및 전사 필름을 제공한다. 상기 제조 방법은 기판 상에 비감광성의 제1 무기 분체 함유 수지층을 형성하고, 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 감광성의 제2 무기 분체 함유 수지층을 형성하는 공정, 제2 무기 분체 수지층을 노광ㆍ현상 처리하고, 제2 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성하는 공정, 및 제1 무기 분체 함유 수지층 및 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 소성하는 공정을 포함하는 방법에 의해 무기막 상에 패턴을 형성하는 것을 포함한다.
무기 분체 함유 수지층, 플라즈마 디스플레이 패널, 전사 필름, 제조 효율, 밀착성, 작업성

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 전사 필름 {Process for Preparing a Plasma Display Panel and Transfer Film}
도 1은 일반적인 PDP를 나타내는 설명용 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 유리 기판 2: 유리 기판
3: 격벽 4: 투명 전극
5: 버스 전극 6: 어드레스 전극
7: 형광체 8: 유전체층
9: 유전체층 10 보호막
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널을 구성하는 패널 재료의 형성에 있어서, 제조 효율이 높고, 패터닝성이 우수하고, 또한 전사 필름을 사용함으로써 종래 의 방법과 비교하여 실질적으로 작업성을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 전사 필름에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널 (PDP)은 대형 패널이면서 제조 공정이 용이한 것, 시야각이 넓은 것, 자발광 타입으로 표시 품위가 높은 것 등의 이유로 플래트 패널 표시 기술 중에서 주목받고 있고, 특히 칼라 플라즈마 디스플레이 패널은 20 인치 이상의 벽걸이 TV용의 표시 디바이스로서 장래 주류가 될 것으로 기대되고 있다.
칼라 PDP는 가스 방전에 의해 발생하는 자외선을 형광체에 조사함으로써 칼라 표시가 가능해 진다. 그리고 일반적으로 칼라 PDP에 있어서는 적색 발광용의 형광체 부위, 녹색 발광용의 형광체 부위 및 청색 발광용의 형광체 부위가 기판 상에 형성됨으로써 각 색의 발광 표시 셀이 전체에 균일하게 혼재한 상태로 구성되어 있다. 구체적으로는 유리 등으로 이루어지는 기판의 표면에, 배리어 리브로 칭하여지는 절연성 재료로 이루어지는 격벽이 설치되어 있고, 이 격벽에 의해서 다수의 표시 셀이 구획되고, 해당 표시 셀의 내부가 플라즈마 작용 공간이 된다. 그리고 이 플라즈마 작용 공간에 형광체 부위가 설치됨과 동시에, 이 형광체 부위에 플라즈마를 작용시키는 전극이 설치됨으로써 각각의 표시 셀을 표시 단위로 하는 플라즈마 디스플레이 패널이 구성된다.
도 1은 교류형의 PDP의 단면 형상을 나타내는 모식도이다. 이 도면에 있어서 (1) 및 (2)는 대향 배치된 유리 기판, (3)은 격벽이고, 유리 기판 (1), 유리 기판 (2) 및 격벽 (3)에 의해 셀이 구획 형성된다. (4)는 유리 기판 (1)에 고정된 투명 전극, (5)는 투명 전극의 저항을 내리는 목적으로, 투명 전극 상에 형성된 버스 전극, (6)은 유리 기판 (2)에 고정된 어드레스 전극, (7)은 셀 내에 유지된 형광체, (8)은 투명 전극 (4) 및 버스 전극 (5)를 피복하도록 유리 기판 (1)의 표면에 형성된 유전체층, (9)는 어드레스 전극 (6)을 피복하도록 유리 기판 (2)의 표면 에 형성된 유전체층, (10)은 예를 들면 산화마그네슘으로 이루어지는 보호막이다. 또한, 직류형의 PDP에서는 통상 전극 단자 (양극 단자)와 전극 리드 (양극 리드)와의 사이에 저항체를 설치한다. 또한 PDP의 콘트라스트를 향상시키기 위해서, 적색, 녹색, 청색의 칼라 필터나 블랙 매트릭스를, 상기 유전체층 (8)과 보호막 (10)의 사이 등에 설치하는 경우도 있다.
이러한 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서 패널 재료의 제조 방법으로서는 (1) 이온 스퍼터법이나 전자 빔 증착법 등에 의한 방법이나 (2) 스크린 인쇄법 등에 의해 형성된 무기 분체 함유 수지층을 소성하고, 유기 물질을 제거하는 방법 등이 알려져 있고, 각각의 패널 재료는 통상 상기 (1) 또는 (2)의 방법을 반복함으로써 형성된다.
그러나, 상기 (1)의 방법으로서는 대형의 진공 설비가 필요한 것, 공정상의 작업 처리량이 느리다는 등의 문제가 있다. 이 때문에 통상 대부분의 패널 재료에는 상기 (2)의 방법이 이용되지만, 상기 (2)의 방법에 있어서도 적어도 무기 분체 함유 수지층의 형성과 소성을 반복하는 것으로부터, 제조 효율의 면에서 충분한 것이라고는 말할 수 없었다. 또한, 고정밀 패턴의 형성에 있어서는 노광, 현상 처리를 포함하는 포토리소그래피법에 의한 무기 분체 함유 수지층의 패터닝법이 알려져 있지만 현상 처리시에 무기층 상으로부터 무기 분체 함유 수지층의 패턴이 박리되기 쉽다는 문제가 있었다.
본 발명의 제1의 목적은 무기층 상에 무기 패턴을 갖는 패널 재료를 형성하 는데 있어서 제조 효율이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제2의 목적은 현상 처리시의 밀착성이 양호한, 패터닝성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제3의 목적은 작업성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제4의 목적은 제조 효율, 패터닝성 및 작업성이 우수한 신규 전사 필름을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 있어서 제1 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 (이하, 제조 방법 I」이라고도 한다)은 하기 (ⅰ) 내지 (ⅲ)의 공정을 포함하는 방법에 의해, 무기막 상에 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다.
(i) 기판 상에 비감광성의 제1 무기 분체 함유 수지층을 형성하고, 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 감광성의 제2 무기 분체 함유 수지층을 형성하는 공정,
(ⅱ) 제2 무기 분체 수지층을 노광ㆍ현상 처리하고, 제2 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성하는 공정,
(ⅲ) 제1 무기 분체 함유 수지층 및 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 소성하는 공정.
본 발명에 있어서 제2 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 (이하, 「제조 방법 Ⅱ」라고도 한다)은 하기 (i) 내지 (ⅳ)의 공정을 포함하는 방법에 의해 무기막 상에 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다.
(i) 기판 상에 제1 무기 분체 함유 수지층을 형성하고, 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층을 형성하고, 해당 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트막을 형성하는 공정,
(ⅱ) 레지스트막을 노광ㆍ현상 처리하고, 레지스트 패턴을 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 형성하는 공정,
(ⅲ) 제2 무기 분체 수지층을 에칭 처리하고, 레지스트 패턴에 대응하는 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성하는 공정,
(ⅳ) 제1 무기 분체 함유 수지층 및 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 소성하는 공정.
또한, 본 발명에 있어서 제1 전사 필름 (이하, 「전사 필름 I」이라고도 한다)은 지지 필름 상에, 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 레지스트층, 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 무기 분체 함유 수지층 및 알칼리 불용성 또는 난용성의 수지 성분을 함유하는 무기 분체 함유 수지층을 포함하는 적층막이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 있어서 제2 전사 필름 (이하, 「전사 필름 Ⅱ」라고도 한다)은 지지 필름 상에, 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 감광성의 무기 분체 함유 수지층과, 알칼리 불용성 또는 난용성의 수지 성분을 함유하는 비감광성의 무기 분체 함유 수지층을 포함하는 적층막이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 한 다.
<발명의 실시의 형태>
이하, 본 발명에 관해서 상세히 설명한다.
<플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법>
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 I에서는 [1] 제1 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정, [2] 제2 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정, [3] 노광 공정, [4] 제2 무기 분체 함유 수지층의 현상 공정, [5] 소성 공정을 포함하는 방법에 의해 무기막 상에 패턴을 형성한다. 또한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 Ⅱ에서는 상기 [2] 제2 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정후에, [2'] 레지스트막의 형성 공정이 가해지고, 또한 상기 [4] 제2 무기 분체 함유 수지층의 현상 공정이, [4-1] 레지스트막의 현상 공정과 [4-2] 제2 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정이 된다. 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의해, 특히 바람직하게는 유전체층 상에, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 칼라필터, 블랙 매트릭스 등의 패턴이 형성된 패널 재료를 형성할 수 있다.
[1] 제1 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정
제1 무기 분체 함유 수지층은 지지 필름 상에 무기 분체 함유 수지층이 형성된 구성을 갖는 전사 필름을 이용하고, 기판 상에 해당 무기 분체 함유 수지층을 전사함으로써 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 형성 방법에 따르면 막 두께 균일성이 우수한 제1 무기 분체 함유 수지층을 쉽게 형성할 수 있고, 형성되는 패턴의 막 두께 균일화를 도모할 수 있다. 또한, 상기 전사 필름을 사용하여 n회 전사 를 반복함으로써, n층 (n은 2 이상의 정수를 나타낸다)의 제1 무기 분체 함유 수지층을 갖는 적층체를 형성할 수 있다. 또한, n층의 제1 무기 분체 함유 수지층으로 이루어지는 적층체를 지지 필름 상에 형성한 전사 필름을 이용하고 기판 상에 일괄 전사함으로써 상기 적층체를 형성할 수 있다.
전사 공정의 한예를 나타내면 이하와 같다. 필요에 따라 사용되는 전사 필름의 보호 필름층을 박리한 후, 기판의 표면에, 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름을 중첩시키고, 이 전사 필름을 가열 롤러 등에 의해 열 압착한 후, 무기 분체 함유 수지층으로부터 지지 필름을 박리 제거한다. 이에 따라 기판의 표면에 무기 분체 함유 수지층이 전사되어 밀착한 상태가 된다. 여기서 전사 조건으로서는 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 40 내지 14O ℃, 가열 롤러에 의한 롤압이 O.1 내지 1O kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도가 O.1 내지 1O m/분을 나타낼 수 있다. 또한, 기판은 예열될 수 있고, 예열 온도는 예를 들면 40 내지 140 ℃로 할 수 있다.
또한 기판 상에, 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 여러가지 방법에 의해 비감광성의 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포한 후, 도포막을 건조하는 방법에 의해 제1 무기 분체 함유 수지층을 형성할 수 있다. 또한 상기 공정을 n회 반복함으로써 n층의 적층체를 형성할 수 있다.
[2] 제2 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정
제2 무기 분체 함유 수지층은 지지 필름 상에 무기 분체 함유 수지층이 형성된 구성을 갖는 전사 필름을 사용하고, 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층을 전사함으로써 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 전사 필름을 사용하여 n회 전사를 반복함으로써, n층 (n은 2 이상의 정수를 나타낸다)의 제2 무기 분체 함유 수지층을 갖는 적층체를 형성할 수 있다. 또한, n층의 제2 무기 분체 함유 수지층으로 이루어지는 적층체를 지지 필름 상에 형성한 전사 필름을 사용하여 기판 상에 일괄 전사함으로써 상기 적층체를 형성할 수도 있다.
또한, 제2 무기 분체 함유 수지층의 전사 조건으로서는 상기 [1] 제1 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정과 마찬가지의 조건을 이용할 수 있다.
또한, 제1 무기 분체 함유 수지층 상에, 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 여러가지 방법에 따라 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포한 후, 도포막을 건조하는 방법에 의해 제2 무기 분체 함유 수지층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 공정을 n회 반복함으로써 n층의 적층체를 형성할 수 있다.
또한, 상기 [1] 및 [2]에 있어서 수지층의 형성 공정은 지지 필름 상에 제2 무기 분체 함유 수지층과 제1 무기 분체 함유 수지층과의 적층막이 형성되어 이루어지는 전사 필름을 이용함으로써 해당 적층막을 기판 상에 전사하고, 수지층과 제2 무기 분체 함유 수지층을 일괄 형성하는 것이 보다 바람직하다. 이러한 형성 방법에 따르면 막 두께 균일성이 우수한 무기 분체 함유 수지층을 또한 쉽게 형성할 수 있고, 패턴 형상의 향상과 동시에, 공정의 간략화를 도모할 수 있다. 또한, 각각 독립하는 n층의 제1 및(또는) 제2 무기 분체 함유 수지층으로 이루어지는 적층체를 지지 필름 상에 형성한 전사 필름을 사용하여 기판 상에 일괄 전사함으로써 상기 적층체를 형성할 수도 있다.
또한, 상기 전사 조건은 상기 [1] 제1 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정과 마찬가지의 조건을 들 수 있다.
[2'] 레지스트막의 형성 공정
제조 방법 Ⅱ에서 사용되는 레지스트막은 지지 필름 상에 레지스트막이 형성된 구성을 갖는 전사 필름을 사용하고, 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트막을 전사함으로써 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 레지스트막의 전사 조건으로서는 상기 [1] 제1 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정과 마찬가지의 조건을 이용할 수 있다.
또한, 제2 무기 분체 함유 수지층 상으로는 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 여러가지 방법에 따라 레지스트 조성물을 도포한 후, 도포막을 건조하는 방법에 의해 레지스트막을 형성할 수 있다.
또한, 상기 [1], [2] 및 [2']에 있어서 수지층의 형성 공정은 지지 필름 상에 레지스트막, 제2 무기 분체 함유 수지층 및 제1 무기 분체 함유 수지층의 적층막이 형성되어 이루어지는 전사 필름을 사용함으로써 해당 적층막을 기판 상에 전사하고, 제1 무기 분체 함유 수지층, 제2 무기 분체 함유 수지층 및 레지스트막을 일괄 형성하는 것이 보다 바람직하다. 이러한 형성 방법에 따르면 막 두께 균일성이 우수한 무기 분체 함유 수지층 및 레지스트막을 또한 쉽게 형성할 수가 있고, 패턴 형상의 향상과 동시에, 공정의 간략화를 도모할 수 있다.
또한, 상기 전사 조건은 상기 [1] 제1 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정과 마찬가지의 조건을 들 수 있다.
[3] 노광 공정
이 공정에서는 제조 방법 I에 있어서 감광성의 제2 무기 분체 함유 수지층의 표면에, 그리고 제조 방법 Ⅱ에서는 레지스트막의 표면에, 노광용 마스크를 통해 자외선 등의 방사선의 선택적 조사 (노광)를 행하여 패턴의 잠상을 형성한다.
여기에 방사선 조사 장치로서는 상기 포트리소그래피법으로 사용되고 있는 자외선 조사 장치, 반도체 및 액정 표시 장치를 제조할 때 사용되고 있는 노광 장치 등이 사용되지만 특히 한정되는 것이 아니다.
또한, 제2 무기 분체 함유 수지층 또는 레지스트막을 전사에 의해서 형성한 경우에는 제2 무기 분체 함유 수지층 또는 레지스트막 상의 지지 필름을 박리하지않은 상태로 노광하고, 노광 후에 지지 필름을 박리할 수 있다. 지지 필름을 박리하지 않고 노광함으로써 노광용 마스크의 오염을 방지할 수 있고, 또한 노광시의 산소 장해에 의한 결착 수지의 경화 속도의 저하를 방지할 수 있다.
[4] 제2 무기 분체 함유 수지층의 현상 공정 (제조 방법 I)
이 공정에서는 노광된 제2 무기 분체 함유 수지층을 현상 처리함으로써 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성한다.
여기서, 현상 처리 조건으로서는 제2 무기 분체 함유 수지층의 종류에 따라, 현상액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법 (예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 스프레이법, 퍼들법 등), 현상 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다.
[4-1] 레지스트막의 현상 공정 (제조 방법 Ⅱ)
이 공정에서는 노광된 레지스트막을 현상 처리함으로써, 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트 패턴을 형성한다.
여기서, 현상 처리 조건으로서는 레지스트막의 종류에 따라서 현상액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법 (예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 스프레이법, 퍼들법 등), 현상 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다.
[4-2] 제2 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정 (제조 방법 Ⅱ)
이 공정에서는 제2 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하고 레지스트 패턴에 대응하는 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성한다.
즉, 제2 무기 분체 함유 수지층 중, 레지스트 패턴의 레지스트 제거부에 대응하는 부분이 에칭액에 용해되어 선택적으로 제거된다. 그리고 에칭 처리를 계속하면 제2 무기 분체 함유 수지층에 있어서 레지스트 제거부에 대응하는 부분에서 제1 무기 분체 함유 수지층 표면이 노출된다.
여기서, 에칭 처리 조건으로서는 제2 무기 분체 함유 수지층의 종류 등에 따라서 에칭액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 처리 시간, 처리 온도, 처리 방법 (예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 스프레이법, 퍼들법), 처리 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다.
또한, 에칭액으로서 현상 공정에서 사용한 현상액과 동일한 용액을 사용할 수 있도록 레지스트막 및 제2 무기 분체 함유 수지층의 종류를 선택함으로써 현상 공정과, 에칭 공정을 연속적으로 실시할 수 있으며, 공정의 간략화에 의한 제조 효 율의 향상을 도모할 수 있다.
여기서, 레지스트 패턴을 구성하는 레지스트 잔류부는 에칭 처리시에 서서히 용해되고, 제2 무기 분체 함유 수지층이 형성된 단계 (에칭 처리의 종료 시간)로 완전히 제거되는 것이 바람직하다.
또한, 에칭 처리 후에 레지스트 잔류부의 일부 또는 전부가 잔류되어 있어도 해당 레지스트 잔류부는 다음 소성 공정에서 제거된다.
[5] 소성 공정
이 공정에서는 제1 무기 분체 함유 수지층 및 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 일괄 소성 처리하고, 제1 및 제2 무기 분체 함유 수지층 (잔류부) 중의 유기 물질을 소실시켜 무기막 상에 무기의 패턴을 형성한다.
여기서, 소성 처리의 온도로서는 무기 분체 함유 수지층 (잔류부) 중의 유기물질이 소실되는 온도일 것이 필요하고, 통상 400 내지 600 ℃이다. 또한, 소성 시간은 통상 10 내지 90 분간이다.
이하, 상기 각 공정에 사용되는 재료, 각종 조건 등에 대해서 설명한다.
<기판>
기판 재료로서는 예를 들면 유리, 실리콘, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 방향족 아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 등의 절연성 재료로 이루어지는 판형 부재를 들 수 있다. 이 판형 부재의 표면에 대해서는 필요에 따라 실란 커플링제 등에 의한 약품 처리; 플라즈마 처리; 이온 플레이팅법, 스퍼터링법, 기상 반응 법, 진공 증착법 등에 의한 박막 형성 처리와 같은 적절한 전처리를 실시할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는 기판으로서 내열성을 갖는 유리를 사용하는 것이 바람직하다. 유리 기판으로서는 예를 들면 아사히 가라스(주) 제조 PD200을 바람직한 것으로 하여 들 수 있다.
<제1 무기 분체 함유 수지층>
본 발명의 제조 방법에 사용되는 제1 무기 분체 함유 수지층은 무기 분체, 결착 수지 및 용제를 함유하여 이루어지는 페이스트형의 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포하고, 도포막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다. 본 발명의 제조 방법에 바람직하게 이용되는 전사 필름은 지지 필름 상에 상기 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포, 건조하여 제1 무기 분체 함유 수지층을 형성하여 얻어지는 것으로, 해당 제1 무기 분체 함유 수지층의 표면에 보호 필름층을 설치할 수 있다.
또한, 본 발명의 제조 방법에 사용되는 제1 무기 분체 함유 수지층은 유전체형성 재료층인 것이 바람직하다.
(1) 제1 무기 분체 함유 수지 조성물
본 발명에 있어서 제1 무기 분체 함유 수지 조성물은 무기 분체, 결착 수지 및 용제를 필수 성분으로 하는 통상 비감광성의 조성물이다.
(a) 무기 분체
제1 무기 분체 함유 수지 조성물에 사용되는 무기 분체는 형성하는 패턴 재 료의 종류에 따라 다르지만 유전체층을 형성하기 위한 유리 프릿을 함유하는 것이 바람직하다.
상기 유리 프릿의 조성으로서는 예를 들면 (1) 산화 납, 산화 붕소, 산화 규소 (PbO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, (2) 산화 아연, 산화 붕소, 산화 규소 (ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, (3) 산화 납, 산화 붕소, 산화 규소, 산화 알루미늄 (PbO-B2O3 -SiO2-Al2O3계)의 혼합물, (4) 산화 납, 산화 아연, 산화 붕소, 산화 규소 (PbO-ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물 등을 들 수 있다. 또한, 상기 이외에도 플라즈마 디스플레이의 유전체층 형성에 적합한 조성의 유리 프릿을 사용할 수 있다.
유리 프릿의 연화점으로서는 통상 400 내지 600 ℃의 범위 내이다. 유리 프릿의 연화점이 400 ℃ 미만인 경우에는, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의한 소성 공정에서 제1 무기 분체 함유 수지층에 포함되는 결착 수지 등의 유기 물질이 완전히 분해 제거되지 않은 단계에서 유리 프릿이 용융되어 버리기 때문에 형성되는 유전체층 중에 유기 물질의 일부가 잔류하고 이 결과, 유전체층이 착색되어 그 광투과율이 저하되는 경향이 있다. 한편, 유리 프릿의 연화점이 600 ℃를 초과할 경우에는 600 ℃보다 고온으로 소성할 필요가 있기 때문에, 유리 기판에 비틀림 등이 발생되기 쉽다. 또한, 높은 광투과율을 갖는 유전체층을 형성하기 때문에 유리 프릿의 연화점으로서는 450 내지 550 ℃ 인 것이 바람직하다.
유리 프릿의 평균 입경 (median 직경)으로서는 통상 O.1 내지 1O ㎛의 것이 사용되지만 바람직하게는 1.0 내지 3.0 ㎛이다. 유리 프릿의 평균 입경이 1.O ㎛ 미만인 경우에는, 얻어지는 조성물을 사용하여 형성되는 본 발명의 제조 방법에 바람직하게 사용되는 전사 필름에 있어서 제1 무기 분체 함유 수지층의 가소성을 충분히 향상시킬 수 없다. 또한, 유리 프릿의 평균 입경이 3.0 ㎛을 초과할 경우에는 형성되는 유전체층의 균일성이 손상될 우려가 있다. 또한, 유리 프릿의 평균 입경은 보다 바람직하게는 1.5 내지 3.O ㎛이다. 여기서 「유리 프릿의 평균 입경」은 레이저 회절법에 의해 측정된 입경으로부터 구하여 지는 값을 가리키는 것으로 한다.
제1 무기 분체 함유 수지 조성물에 사용되는 무기 분체는 유리 프릿과 Cr 등의 금속, 무기 안료, 세라믹 등의 임의의 다른 무기 분체를 함유하는 것일 수 있다. (a) 무기 분체 중에 있어서 유리 프릿의 함유량은 무기 분체 100 질량부중, 통상 80 내지 100 질량부이다.
(b) 결착 수지
제1 무기 분체 함유 수지층에 있어서 결착 수지는 아크릴 수지인 것이 바람직하다. 결착 수지로서 아크릴 수지가 함유되어 있으므로써 본 발명의 제조 방법에 바람직하게 사용되는 전사 필름이, 기판에 대한 우수한 (가열) 접착성을 갖는 것이 된다. 따라서 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 지지 필름 상에 도포하고 전사 필름을 제조하는 경우에 있어서, 얻어지는 전사막은 제1 무기 분체 함유 수지층의 전사성 (기판으로의 가열 접착성)이 우수한 것이 된다.
제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 아크릴 수지로서는 적절한 점착성을 가지고 무기 분체를 결착시킬 수 있고, 막 형성 재료의 소성 처리 (400 ℃ 내 지 600 ℃)에 의해 완전히 산화 제거되는 (공)중합체의 중에서 선택된다.
또한, 상기 아크릴 수지는 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성의 수지인 것이 바람직하다. 여기서 말하는 「알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성」이란, 본 발명에서 제2 무기 분체 함유 수지층의 현상 또는 에칭 조건하에서, 해당 제2 무기 분체 함유 수지층 대신에 상기 아크릴 수지만을 사용한 피막을 현상한 경우에, 해당 피막의 초기 막 두께의 50 ％ 이상, 특히 바람직하게는 90 ％ 이상이 현상 후에 잔존하는 성질을 의미한다.
이러한 아크릴 수지에는 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 단독 중합체, 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 2종 이상의 공중합체, 및 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물과 공중합성 단량체의 공중합체가 포함된다.
Figure 112002025373411-pat00001
식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 1가의 유기기를 나타낸다.
상기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 구체적인 예로서는 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이 트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 아밀(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트;
히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트;
페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등의 페녹시알킬(메트)아크릴레이트;
2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-프로폭시에틸(메트)아크릴레이트, 2-부톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-메톡시부틸(메트)아크릴레이트 등의 알콕시알킬(메트)아크릴레이트;
폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 에톡 시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메트)아크릴레이트;
시클로헥실(메트)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐(메트)아크릴레이트, 보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트 등의 시클로알킬(메트)아크릴레이트;
벤질(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
이들 중, 상기 화학식 1 중, R2로 표시되는 기가, 알킬기 또는 알콕시알킬기를 함유하는 기인 것이 바람직하고, 특히 바람직한 (메트)아크릴레이트 화합물로서 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트 및 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 다른 공중합성 단량체로서는 상기(메트)아크릴레이트 화합물과 공중합 가능한 화합물이면 특히 제한은 없지만 예를 들면 (메트)아크릴산, 비닐벤조산, 말레산, 비닐프탈산 등의 불포화 카르복실산류; 비닐벤질메틸에테르, 비닐글리시딜에테르, 스티렌, α-메틸스티렌, 부타디엔, 이소프렌 등의 비닐기 함유 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다.
제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 아크릴 수지에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물 유래의 공중합 성분은 통상 70 질량 ％ 이상, 바람직하게는 90 질량％ 이상이다. 또한, 상기 화학식 1 중, R2로 표시되는 기가 알킬기 또는 옥시알킬렌기를 함유하는 기인 (메트)아크릴레이트 화합물 유래의 공중합 성분이 50 질량％ 이상, 특히 바람직하게는 80 질량％ 이상 포함되는 아크릴 수지가 보다 바람직하다.
특히 바람직한 아크릴 수지의 구체적인 예로서는 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트-부틸메타크릴레이트 공중합체 등을 예시할 수 있다.
제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 아크릴 수지의 분자량으로서는 GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (이하, 「Mw」라고도 한다)으로서 4,000 내지 300,000인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 200,000이다.
제1 무기 분체 함유 수지 조성에 있어서 결착 수지의 함유 비율로서는 무기 분체 100 질량부에 대하여, 5 내지 50 질량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5 내지 25 질량부이다. 결착 수지의 비율이 과소한 경우에는 무기 분체를 확실하게 결착 유지할 수 없고, 한편 이 비율이 과대한 경우에는 소성시 유기 성분의 제거가 곤란하게 된다.
(c) 용제
제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 용제로서는 유리 프릿 등의 무기 분체와의 친화성, 결착 수지의 용해성이 양호하고, 무기 분체 함유 수지 조성물 에 적절한 점성을 부여할 수 있음과 동시에 건조됨으로써 용이하게 증발 제거할 수 있는 것이 바람직하다.
또한, 특히 바람직한 용제로서 표준 비점 (1 기압에서의 비점)이 100 내지 200 ℃인 케톤류, 알코올류 및 에스테르류 (이하, 이들을 「특정 용제」라고 한다)를 들 수 있다.
이러한 특정 용제의 구체적인 예로서는 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; n-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 시클로헥산올, 디아세톤알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 에테르계 알코올류; 아세트산-n-부틸, 아세트산아밀 등의 포화 지방족 모노카르복실산알킬에스테르류; 락트산에틸, 락트산-n-부틸 등의 락트산에스테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등의 에테르계 에스테르류 등을 예시할 수 있고, 이들 중 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알코올, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 락트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등이 바람직하다. 이러한 특정 용제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
특정 용제 이외의 용제의 구체적인 예로서는 테레빈 오일, 에틸셀로솔브, 메틸셀로솔브, 테르피네올, 부틸카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨, 이소프로필알코올, 벤질알코올 등을 들 수 있다.
제1 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서 용제의 함유 비율로서는 제1 무기 분체 함유 수지 조성물의 점도를 적합한 범위에 유지하는 관점에서 유리 프릿 등의 무기 분체 100 질량부에 대하여, 1 내지 50 질량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5 내지 40 질량부이다.
또한, 전 용제에 대한 특정 용제의 함유 비율은 50 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 70 질량％ 이상이다.
상기 성분 이외에, 제1 무기 분체 함유 수지 조성물에는 무기 분체의 분산 안정성 향상의 목적으로 실릴기 함유 화합물이 함유될 수 있다. 해당 실릴기 함유 화합물로서는 하기 화학식 2로 표시되는 실릴기 함유 화합물 [포화 알킬기 함유 (알킬)알콕시실란]이 바람직하다.
Figure 112002025373411-pat00002
식 중, p는 3 내지 20의 정수, m은 1 내지 3의 정수, n은 1 내지 3의 정수, 그리고 a는 1 내지 3의 정수이다.
상기 화학식 2에 있어서, 포화 알킬기의 탄소수를 나타내는 p는 3 내지 20의 정수이고, 바람직하게는 4 내지 16의 정수이다.
p가 3 미만인 포화 알킬기 함유 (알킬)알콕시실란을 함유시켜도, 얻어지는 형막 형성 재료층에 있어서 충분한 가소성이 발현되지 않는 경우가 있다. 한편, p의 값이 20을 초과하는 포화 알킬기 함유 (알킬)알콕시실란은 분해 온도가 높고, 본 발명의 플라즈마 디스플레이의 제조 방법에 의한 소성 공정에서, 유기 물질 (상기 실란 유도체)이 완전히 분해 제거되지 않은 상태로, 형성되는 유전체층 등의 무기층중에 유기 물질의 일부가 잔류되고, 이 결과, 유전체층의 경우에 있어서는 광 투과율이 저하되는 경우가 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 실릴기 함유 화합물의 구체적인 예로서는 n-프로필디메틸메톡시실란, n-부틸디메틸메톡시실란, n-데실디메틸메톡시실란, n-헥사데실디메틸메톡시실란, n-에이코실디메틸메톡시실란 등의 포화 알킬디메틸메톡시실란류 (a=1, m=1, n= 1);
n-프로필디에틸메톡시실란, n-부틸디에틸메톡시실란, n-데실디에틸메톡시실란, n-헥사데실디에틸메톡시실란, n-에이코실디에틸메톡시실란 등의 포화 알킬디에틸메톡시실란류 (a=1, m=1, n= 2);
n-부틸디프로필메톡시실란, n-데실디프로필메톡시실란, n-헥사데실디프로필메톡시실란, n-에이코실디프로필메톡시실란 등의 포화 알킬디프로필메톡시실란류 (a=1, m=1, n=3);
n-프로필디메틸에톡시실란, n-부틸디메틸에톡시실란, n-데실디메틸에톡시실란, n-헥사데실디메틸에톡시실란, n-에이코실디메틸에톡시실란 등의 포화 알킬디메틸에톡시실란류 (a=1, m=2, n=1);
n-프로필디에틸에톡시실란, n-부틸디에틸에톡시실란, n-데실디에틸에톡시실란, n-헥사데실디에틸에톡시실란, n-에이코실디에틸에톡시실란 등의 포화 알킬디에틸에톡시실란류 (a=1, m=2, n=2);
n-부틸디프로필에톡시실란, n-데실디프로필에톡시실란, n-헥사데실디프로필에톡시실란, n-에이코실디프로필에톡시실란 등의 포화 알킬디프로필에톡시실란류 (a=1, m=2, n=3);
n-프로필디메틸프로폭시실란, n-부틸디메틸프로폭시실란, n-데실디메틸프로폭시실란, n-헥사데실디메틸프로폭시실란, n-에이코실디메틸프로폭시실란 등의 포화 알킬디메틸프로폭시실란류 (a=1, m=3, n=1);
n-프로필디에틸프로폭시실란, n-부틸디에틸프로폭시실란, n-데실디에틸프로폭시실란, n-헥사데실디에틸프로폭시실란, n-에이코실디에틸프로폭시실란 등의 포화 알킬디에틸프로폭시실란류 (a=1, m=3, n=2);
n-부틸디프로필프로폭시실란, n-데실디프로필프로폭시실란, n-헥사데실디프로필프로폭시실란, n-에이코실디프로필프로폭시실란 등의 포화 알킬디프로필프로폭시실란류 (a=1, m=3, n=3);
n-프로필메틸디메톡시실란, n-부틸메틸디메톡시실란, n-데실메틸디메톡시실란, n-헥사데실메틸디메톡시실란, n-에이코실메틸디메톡시실란 등의 포화 알킬메틸디메톡시실란류 (a=2, m=1, n=1);
n-프로필에틸디메톡시실란, n-부틸에틸디메톡시실란, n-데실에틸디메톡시실란, n-헥사데실에틸디메톡시실란, n-에이코실에틸디메톡시실란 등의 포화 알킬에틸디메톡시실란류 (a=2, m=1, n=2);
n-부틸프로필디메톡시실란, n-데실프로필디메톡시실란, n-헥사데실프로필디메톡시실란, n-에이코실프로필디메톡시실란 등의 포화 알킬프로필디메톡시실란류 (a=2, m=1, n=3)
n-프로필메틸디에톡시실란, n-부틸메틸디에톡시실란, n-데실메틸디에톡시실란, n-헥사데실메틸디에톡시실란, n-에이코실메틸디에톡시실란 등의 포화 알킬메틸디에톡시실란 (a=2, m=2, n=1);
n-프로필에틸디에톡시실란, n-부틸에틸디에톡시실란, n-데실에틸디에톡시실란, n-헥사데실에틸디에톡시실란, n-에이코실에틸디에톡시실란 등의 포화 알킬에틸디에톡시실란류 (a=2, m=2, n=2);
n-부틸프로필디에톡시실란, n-데실프로필디에톡시실란, n-헥사데실프로필디에톡시실란, n-에이코실프로필디에톡시실란 등의 포화 알킬프로필디에톡시실란류 (a=2, m=2, n=3);
n-프로필메틸디프로폭시실란, n-부틸메틸디프로폭시실란, n-데실메틸디프로폭시실란, n-헥사데실메틸디프로폭시실란, n-에이코실메틸디프로폭시실란 등의 포화 알킬메틸디프로폭시실란류 (a=2, m=3, n=1);
n-프로필에틸디프로폭시실란, n-부틸에틸디프로폭시실란, n-데실에틸디프로폭시실란, n-헥사데실에틸디프로폭시실란, n-에이코실에틸디프로폭시실란 등의 포화 알킬에틸디프로폭시실란류 (a=2, m=3, n=2);
n-부틸프로필디프로폭시실란, n-데실프로필디프로폭시실란, n-헥사데실프로필디프로폭시실란, n-에이코실프로필디프로폭시실란 등의 포화 알킬프로필디프로폭시실란류 (a=2, m=3, n=3);
n-프로필트리메톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, n-데실트리메톡시실란, n- 헥사데실트리메톡시실란, n-에이코실트리메톡시실란 등의 포화 알킬트리메톡시실란류 (a=3, m=1);
n-프로필트리에톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-데실트리에톡시실란, n-헥사데실트리에톡시실란, n-에이코실트리에톡시실란 등의 포화 알킬트리에톡시실란류 (a=3, m=2);
n-프로필트리프로폭시실란, n-부틸트리프로폭시실란, n-데실트리프로폭시실란, n-헥사데실트리프로폭시실란, n-에이코실트리프로폭시실란 등의 포화 알킬트리프로폭시실란류 (a=3, m=3) 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
이들 중, n-부틸트리메톡시실란, n-데실트리메톡시실란, n-헥사데실트리메톡시실란, n-데실디메틸메톡시실란, n-헥사데실디메틸메톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-데실트리에톡시실란, n-헥사데실트리에톡시실란, n-데실에틸디에톡시실란, n-헥사데실에틸디에톡시실란, n-부틸트리프로폭시실란, n-데실트리프로폭시실란, n-헥사데실트리프로폭시실란 등이 특히 바람직하다.
제1 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서 실릴기 함유 화합물의 함유 비율로서는 유리 프릿 등의 무기 분체 100 질량부에 대하여, 5 질량부 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 3 질량부 이하이다. 실릴기 함유 화합물의 비율이 과대한 경우에는, 얻어지는 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 보존시에 점도가 경시적으로 상승되거나 실릴기 함유 화합물 끼리 반응이 일어나 소성 후에 유기 물질이 잔류하는 원인이 되기도 하는 경우가 있다.
또한, 제1 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서는, 형성되는 제1 무기 분체 함유 수지층에 양호한 가요성과 연소성을 발현시키기 위해서 가소제가 함유될 수 있다. 가소제로서는 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 화합물로 이루어지는 가소제, 또는 폴리프로필렌글리콜이 바람직하다.
Figure 112002025373411-pat00003
식 중, R3 및 R6은 각각 동일 또는 상이한 탄소수 1 내지 30의 알킬기를 나타내고, R4 및 R5는 각각 동일 또는 상이한 메틸렌기 또는 탄소수 2 내지 30의 알킬렌기를 나타내고, s는 0 내지 5의 수이고, t는 1 내지 10의 수이다.
Figure 112002025373411-pat00004
식 중, R7은 탄소수 1 내지 30의 알킬기 또는 알케닐기를 나타낸다.
가소제를 함유하는 제1 무기 분체 함유 수지층을 구비한 전사 필름에 따르면 이것을 접어 구부려도, 해당 막 형성 재료층의 표면에 미소한 균열 (금이 가서 깨짐)이 발생하는 일은 없고, 또한 해당 전사 필름은 유연성이 우수한 것이 되고, 이 것을 롤상으로 권취하는 것도 쉽게 할 수 있다.
특히, 상기 화학식 3 또는 4로 표시되는 화합물로 이루어지는 가소제는 열에 의해 쉽게 분해 제거되기 때문에, 해당 제1 무기 분체 함유 수지를 소성하여 얻어지는 무기층 중에 악영향을 미치는 일은 없다.
상기 화학식 3에 있어서, R3 또는 R6으로 표시되는 알킬기 및 R4 또는 R 5로 표시되는 알킬렌기는 직쇄상 또는 분지상일 수 있고, 또한 포화기 또는 불포화기일 수 있다.
R3 또는 R6으로 표시되는 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이고, 바람직하게는 2 내지 20, 더욱 바람직하게는 4 내지 10이다.
해당 알킬기의 탄소수가 30을 초과할 경우에는, 용제에 대한 가소제의 용해성이 저하되어 양호한 가요성이 얻어지지 않는 경우가 있다.
상기 구조식 3으로 표시되는 화합물의 구체적인 예로서는 디부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디-2-에틸헥실아디페이트, 디-2-에틸헥실아제레이트, 디부틸세바케이트, 디부틸디글리콜아디페이트 등을 들 수 있다. 바람직하게는, n이 2내지 6으로 표시되는 화합물이다.
상기 화학식 4에 있어서, R7은 탄소수 1 내지 30의 알킬기 또는 알케닐기를 나타내고, R7로 표시되는 알킬기 및 알케닐기는 직쇄상 또는 분지상일 수 있고, 또한 포화기 또는 불포화기일 수 있다.
R7로 표시되는 알킬기 또는 알케닐기의 탄소수는 1 내지 30이고, 바람직하게는 2 내지 20, 더욱 바람직하게는 10 내지 18이다.
상기 화학식 4로 표시되는 화합물의 구체적인 예로서는 프로필렌글리콜모노라우레이트, 프로필렌글리콜모노올레이트 등을 들 수 있다.
또한, 가소제로서 폴리프로필렌글리콜을 이용할 경우, 이러한 폴리프로필렌글리콜의 중량 평균 분자량 (Mw)은 200 내지 3,000의 범위에 있는 것이 바람직하고, 300 내지 2,000의 범위에 있는 것이 특히 바람직하다. 폴리프로필렌글리콜의 Mw가 200 미만인 경우에는, 막 강도가 큰 제1 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성하는 것이 곤란해지는 경우가 있고, 해당 제1 무기 분체 함유 수지층을 구비하여 이루어지는 전사 필름을 사용하여 이루어지는 전사 공정에 있어서, 유리 기판에 가열 접착된 제1 무기 분체 함유 수지로부터 지지 필름을 박리하려 하면, 해당 제1 무기 분체 함유 수지가 응집 파괴를 일으킬 수 있다. 한편, Mw가 3,000을 초과할 경우에는 유리 기판과의 가열 접착성이 양호한 제1 무기 분체 함유 수지층이 얻어지지 않는 경우가 있다.
제1 무기 분체 함유 수지층에 있어서 가소제의 함유량으로서는 무기 분체 100 질량부에 대하여, 0.5 내지 10 질량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2 내지 7 질량부이다. 가소제의 첨가량이 증가하면 얻어지는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 적합하게 이용되는 전사 필름의 강도를 유지할 수 없는 우려가 있다.
제1 무기 분체 함유 수지 조성물에는 상기 성분 이외에, 점착성 부여제, 표면 장력 조정제, 안정제, 소포제, 분산제 등의 각종 첨가제를 임의 성분으로 함유할 수 있다. 분산제로서는 지방산이 바람직하게 사용된다. 특히, 탄소수 8 내지 30의 지방산이 바람직하다. 상기 지방산의 바람직한 구체적인 예로서는 옥탄산, 운데실산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 펜타데칸산, 스테아르산, 아라킨산 등의 포화 지방산; 엘라이드산(elaidic acid), 올레인산, 리놀산, 리놀렌산, 아라키돈산, 카르복시폴리카프로락톤 (n=2) 모노아크릴레이트 등의 불포화 지방산을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
제1 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서 분산제의 함유 비율로서는 무기 분체 100 질량부에 대하여, 5 질량부 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 3 질량부 이하이다.
제1 무기 분체 함유 수지 조성물은 통상 상기 (a) 무기 분체, (b) 결착 수지, (c) 용제 및 그 밖의 유기 성분을, 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서, 샌드 밀 등의 혼합ㆍ분산기를 사용하여 혼련함으로써 제조할 수 있다. 해당 제1 무기 분체 함유 수지 조성물의 점도로서는 100 내지 10,OOO mPaㆍs-1인 것이 바람직하다.
<제2 무기 분체 함유 수지층>
본 발명의 제조 방법에 사용되는 제2 무기 분체 함유 수지층은 무기 분체, 결착 수지 및 용제를 필수 성분으로 함유하여 이루어지는 페이스트상의 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포하고, 도포막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함 으로써 형성할 수 있다. 또한, 제조 방법 I에 사용되는 제2 무기 분체 함유 수지층은 또한 감광성 성분을 필수 성분으로 함유한다. 제조 방법 Ⅱ에 사용되는 제2 무기 분체 함유 수지층은 통상 비감광성이지만, 전체 또는 부분적으로 (예를 들면 n층으로 이루어지는 수지층 중의 한층만) 감광성을 갖는 것일 수 있다.
본 발명의 제조 방법에 바람직하게 사용되는 전사 필름은 지지 필름 상에 상기 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포, 건조하여 제2 무기 분체 함유 수지층을 형성하여 얻어지고, 해당 제2 무기 분체 함유 수지층의 표면에 보호 필름층이 설치될 수도 있다.
(1) 제2 무기 분체 함유 수지 조성물
본 발명에 있어서 제2 무기 분체 함유 수지 조성물은 무기 분체, 결착 수지 및 용제를 필수 성분으로 하고, 제조 방법 I에 사용되는 경우는 또한 감광성 성분을 필수 성분으로 한다.
(a) 무기 분체
제2 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물에 사용되는 무기 분체는 형성하는 패턴 재료의 종류에 따라 다르다.
전극 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd 합금, Cu, Cr 등의 입자를 들 수 있다.
격벽 형성 재료나 유전체 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 상기 제1 무기 분체 함유 수지 조성물 중에서의 유리 프릿 등을 들 수 있다.
저항체 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 RuO2 등을 들 수 있다.
형광체 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 적색용으로서는 Y2O3:Eu3+, Y2SiO5:Eu3+, Y3Al5O12:Eu3+, YVO4:Eu3+, (Y, Gd) BO3:Eu3+, Zn3(PO4) 2:Mn 등, 녹색용으로서는 Zn2SiO4:Mn, BaAl12O19:Mn, BaMgAl14O23 :Mn, LaPO4: (Ce, Tb), Y3(Al, Ga)5O12: Tb 등, 청색용으로서는 Y2SiO5:Ce, BaMgAl10O17:Eu2+, BaMgAl14O23:Eu2+, (Ca, Sr, Ba)10(PO4)6Cl2:Eu2+,(Zn, Cd) S:Ag 등을 들 수 있다.
칼라 필터 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 적색용으로서는 Fe2O3, Pb3O4 등, 녹색용으로서는 Cr2O3 등, 청색용으로서는 2(Al2 Na2Si3O10)ㆍNa2S4 등을 들 수 있다.
블랙 매트릭스 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 Ni, Ti, Cu, Mn, Fe, Cr, Co 등의 금속, 금속 산화물, Cu-Cr, Cu-Fe-Mn, Cu-Cr-Mn, Co-Cr-Fe, Co-Fe-Mn 등의 복합 금속 산화물, 카본블랙 등을 들 수 있다.
이들 무기 분체의 평균 입경으로서는 바람직하게는 0.01 내지 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.05 내지 5 ㎛이다. 무기 분체의 평균 입경이 0.01 ㎛ 미만인 경우는 무기 분체의 비표면적이 커짐으로 제2 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물 중에서 입자의 응집이 발생되기 쉽고, 안정된 분산 상태를 얻는 것이 어려워진다. 한 편, 무기 분체의 평균 입경이 1O ㎛ 이상인 경우는 고정밀 패턴을 얻는 것이 어려워진다.
또한, 전극, 저항체, 형광체, 칼라 필터, 블랙 매트릭스 형성 재료에는 상기한 각 무기 분체 이외에, 격벽 및 유전체층에 사용되는 유리 프릿이 함유될 수 있다. 이러한 패널 재료를 얻기 위한 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서 유리 프릿의 함유량은 무기 분체 전량에 대하여 80 질량％ 이하, 바람직하게는 50 질량％ 이하이다.
(b) 결착 수지
제2 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물을 구성하는 결착 수지로서는 여러가지의 수지를 사용할 수 있지만, 알칼리 가용성 수지를 30 내지 100 중량％의 비율로 함유하는 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 여기에 「알칼리 가용성」이란, 알칼리성의 에칭액 (현상액)에 의해 용해되고 목적으로 하는 에칭 처리가 수행되는 정도로 용해성을 갖는 성질을 말한다.
이러한 알칼리 가용성 수지의 구체적인 예로서는 예를 들면 (메트)아크릴계 수지, 히드록시스티렌 수지, 노볼락 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.
이러한 알칼리 가용성 수지 중, 특히 바람직한 것으로서는 하기 단량체 (가)와 단량체 (다)의 공중합체, 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체 등의 아크릴 수지를 들 수 있다.
단량체 (가): 카르복실기 함유 단량체류
아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 신남산, 숙신산모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), ω-카르복시-폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트 등.
단량체 (나): OH 함유 단량체류
(메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산3-히드록시프로필 등의 수산기 함유 단량체류; o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌 등의 페놀성 수산기 함유 단량체류 등.
단량체 (다): 그 밖의 공중합 가능한 단량체류
(메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산n-라우릴, (메트)아크릴산벤질, (메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산디시클로펜타닐 등의 단량체 (가) 이외의 (메트)아크릴산에스테르류; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 방향족 비닐계 단량체류; 부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디엔류; 폴리스티렌, 폴리(메트)아크릴산메틸, 폴리(메트)아크릴산에틸, 폴리(메트)아크릴산벤질 등의 중합체쇄의 한쪽 말단에 (메트)아크릴로일기 등의 중합성 불포화기를 갖는 매크로 단량체류 등.
상기 단량체 (가)와 단량체 (다)의 공중합체나, 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체는 단량체 (가)에 유래하는 공중합 성분의 존재에 의해 알칼리 가용성을 갖는 것이 된다. 그 중에서도 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체는 (A) 무기 입자의 분산 안정성이나 후기하는 알칼리 현상액으로의 용해성의 관점에서 특히 바람직하다. 이 공중합체에 있어서 단량체 (가)에 유래하는 공중합 성분의 함유율은 바람직하게는 5 내지 60 질량％, 특히 바람직하 게는 10 내지 40 질량％이고, 단량체 (나)에 유래하는 공중합 성분의 함유율은 바람직하게는 1 내지 50 질량％, 특히 바람직하게는 5 내지 30 질량％이다.
상기 알칼리 가용성 수지의 분자량으로서는 Mw가 5,000 내지 5,000,000인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 300,000이다.
또한, 제2 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물에 있어서 결착 수지의 함유비율로서는 무기 분체 100 질량부에 대하여 통상 1 내지 200 질량부이고, 바람직하게는 5 내지 100 질량부, 특히 바람직하게는 10 내지 80 질량부이다.
(c) 용제
제2 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물을 구성하는 용제는 해당 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물에, 적당한 유동성 또는 가소성, 양호한 막 형성성을 부여하기 위해서 함유되고, 상기한 (1) 제1 무기 분체 함유 수지 조성물 중에 있어서 용제와 동종의 것을 사용할 수 있다.
제2 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물에 있어서 용제의 함유 비율로서는 양호한 막 형성성 (유동성 또는 가소성)이 얻어지는 범위 내에서 적절하게 선택할 수 있다.
(d) 감광성 성분
제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 감광성 성분으로서는 예를 들면 (가) 다관능성 단량체와 광중합 개시제의 조합, (나) 멜라민 수지와 광 조사에 의해 산을 형성하는 광산발생제의 조합 등을 바람직한 것으로서 예시할 수 있고, 상기 (가)의 조합 중, 다관능성 (메트)아크릴레이트와 광중합 개시제의 조합이 특히 바람직하다.
감광성 성분을 구성하는 다관능성 (메트)아크릴레이트의 구체적인 예로서는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 양말단 히드록시 폴리부타디엔, 양말단 히드록시 폴리이소프렌, 양말단 히드록시 폴리카프로락톤 등의 양말단 히드록실화 중합체의 디(메트)아크릴레이트류;
글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 트리메틸올알칸, 테트라메틸올알칸, 펜타에리스리톨, 디펜타에리스리톨 등의 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 3가 이상의 다가 알코올의 폴리알킬렌글리콜 부가물의 폴리(메트)아크릴레이트류; 1,4-시클로헥산디올, 1,4-벤젠디올류 등의 환식 폴리올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 알키드 수지(메트)아크릴레이트, 실리콘 수지(메트)아크릴레이트, 스피란 수지(메트)아크릴레이트 등의 올리고(메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 감광성 성분을 구성하는 광중합 개시제의 구체적인 예로서는 벤질, 벤조인, 벤조페논, 캄퍼퀴논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-메틸-[4'-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 등의 카르보닐 화합물; 아조이소부틸로니트릴, 4-아지도벤즈알데히드 등의 아조 화합물 또는 아지드 화합물; 머캅탄디술피드 등의 유기 유황 화합물; 벤조일퍼옥시 드, 디-tert-부틸퍼옥시드, tert-부틸하이드로퍼옥시드, 쿠멘하이드로퍼옥시드, 파라메탄하이드로퍼옥시드 등의 유기 퍼옥시드; 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(2'-클로로페닐)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(2-푸라닐)에틸레닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등의 트리할로메탄류; 2,2'-비스(2-클로로페닐)4,5,4',5'-테트라페닐1,2'-비이미다졸 등의 이미다졸 이량체 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
제조 방법 I에 사용되는 제2 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서 감광성 성분의 함유 비율로서는 무기 분체 100 질량부에 대하여 통상 1 내지 500 질량부이고, 바람직하게는 5 내지 100 질량부이다.
또한, 상기 제2의 무기 분체 함유 수지 조성물에는 임의 성분으로서 가소제, 분산제, 현상 촉진제, 접착 조제, 헐레이션 방지제, 레벨링제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 증가감제, 연쇄 이동제 등의 각종 첨가제를 함유될 수 있다.
또한, 상기 화학식 2로 표시되는 실릴기 함유 화합물이나 화학식 3 또는 4로 표시되는 화합물로 이루어지는 가소제, 또는 폴리프로필렌글리콜을 (1) 제1 무기 분체 함유 수지 조성물과 같이 함유될 수 있다.
제2 무기 분체 함유 수지 조성물은 상기 무기 분체, 결착 수지, 용제, 감광성 성분 및 필요에 따라 상기 임의 성분을, 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서, 볼밀, 비드밀 등의 혼련기를 사용하여 혼련함으로써 제조할 수 있다.
상기와 같이 제조되는 제2 무기 분체 함유 수지 조성물은 도포에 적합한 유 동성을 갖는 페이스트상의 조성물이고, 그 점도는 통상 100 내지 1,000,000 cp, 바람직하게는 500 내지 300,000 cp이다.
<레지스트막>
본 발명의 제조 방법 Ⅱ에 사용되는 레지스트막은 수지, 감광성 성분 및 용제를 필수 성분으로 함유하여 이루어지는 페이스트상의 레지스트 조성물을 도포하고, 도포막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다. 본 발명의 제조 방법 Ⅱ에 바람직하게 사용되는 전사 필름은 지지 필름 상에 상기레지스트 조성물을 도포, 건조하여 레지스트막을 형성하여 얻어지고 해당 레지스트막의 표면에 보호 필름층이 설치될 수 있다.
(1) 레지스트 조성물
레지스트막을 형성하기 위해서 사용되는 레지스트 조성물로서는 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물, 유기 용제 현상형 감방사선성 레지스트 조성물, 수성 현상형 감방사선성 레지스트 조성물 등을 예시할 수 있지만 바람직하게는 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물이 사용된다. 또한, 본 발명에서 말하는 「감방사선성」이란 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 포함하는 것이다.
알칼리 현상형 레지스트 조성물은 알칼리 가용성 수지와 감방사선성 성분을 필수 성분으로서 함유하여 이루어진다.
알칼리 현상형 레지스트 조성물을 구성하는 알칼리 가용성 수지로서는 제2 무기 분체 함유 수지 조성물의 결착 수지 성분을 구성하는 것으로서 예시한 알칼리 가용성 수지를 들 수 있다.
알칼리 현상형 레지스트 조성물을 구성하는 성분으로서는 예를 들면 (가) 다관능성 단량체와 광중합 개시제의 조합, (나) 멜라민 수지와 방사선 조사에 의해 산을 형성하는 광산발생제의 조합, (다) 방사선 조사에 의해 알칼리 난용성의 것이 알칼리 가용성이 되는 화합물 등을 예시할 수 있고, 상기 (가)의 조합 중, 다관능성 (메트)아크릴레이트와 광개시제의 조합이 특히 바람직하다. 다관능성 (메트)아크릴레이트와 광중합 개시제의 구체적인 예로서는 제조 방법 Ⅰ에 사용되는 제2 무기 분체 함유 수지 조성물의 감광성 성분을 구성하는 것으로서 예시한 것을 들 수 있다.
이 알칼리 현상형 레지스트 조성물에 있어서 감방사선성 성분의 함유 비율로서는 알칼리 가용성 수지 100 중량부당, 통상 1 내지 200 중량부이고, 바람직하게는 5 내지 100 중량부이다.
또한, 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물에 대해서는 양호한 막 형성성을 부여하기 위해서, 적절하게 용제가 함유된다. 이러한 용제로서는 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 것으로서 예시한 용제를 들 수 있다.
본 발명에서 사용되는 레지스트 조성물에는 임의 성분으로서 현상 촉진제, 접착 조제, 헐레이션 방지제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 충전제, 형광체, 안료, 염료 등의 각종 첨가제가 함유될 수 있다.
<전사 필름>
본 발명의 전사 필름 I은 지지 필름 상에, 제2 무기 분체 함유 수지층과, 제1 무기 분체 함유 수지층을 포함하는 적층막이 형성되어 이루어진다. 또한, 본 발명의 제조 방법 I에 적합하게 사용되는 다른 전사 필름으로서는 지지 필름 상에 제1 무기 분체 함유 수지층이 형성되어 이루어지는 것, 지지 필름 상에 제2 무기 분체 함유 수지층이 형성되어 이루어지는 것 등을 들 수 있고, 이들 수지층은 각각 n층으로 이루어지는 적층체일 수 있다.
또한, 본 발명의 전사 필름 Ⅱ는 지지 필름 상에, 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 레지스트층과 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 무기 분체 함유 수지층과 알칼리 불용성 또는 난용성의 수지 성분을 함유하는 무기 분체 함유 수지층을 포함하는 적층막이 형성되어 이루어진다. 또한, 본 발명의 제조 방법 Ⅱ에 적합하게 사용되는 다른 전사 필름로서는 지지 필름 상에 제1 무기 분체 함유 수지층이 형성되어 이루어지는 것, 지지 필름 상에 제2 무기 분체 함유 수지층이 형성되어 이루어지는 것, 지지 필름 상에 레지스트막이 형성되어 이루어지는 것, 지지 필름 상에 제2 무기 분체 함유 수지층과 제1 무기 분체 함유 수지층이 적층 형성되어 이루어지는 것, 지지 필름 상에 레지스트막과 제2 무기 분체 함유 수지층이 적층 형성되어 이루어지는 것 등을 들 수 있고, 이들 무기 분체 함유 수지층은 각각 n층으로 이루어지는 적층체일 수 있다.
전사 필름을 구성하는 지지 필름는 내열성 및 내용제성을 가짐과 동시에 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름이 가요성을 가짐으로써, 롤 코터에 의해 페이스트상 조성물을 도포할 수 있고, 무기 분체 함유 수지층을 롤상으로 권회한 상태로 보존하여 공급할 수 있다. 지지 필름을 형성하는 수지로서는 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 폴리플루오르에틸렌 등의 불소 함유 수지, 나일론, 셀룰로오스 등을 들 수 있다. 지지 필름의 두께로서는 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다.
무기 분체 함유 수지 조성물이나 레지스트막을 지지 필름 상에 도포하는 방법으로서는 막 두께의 균일성이 우수한 막 두께가 큰 (예를 들면 1O ㎛ 이상) 도포막을 효율적으로 형성할 수 있다는 것이 필요하고, 구체적으로는 롤 코터에 의한 도포 방법, 닥터 블레이드에 의한 도포 방법, 커튼 코터에 의한 도포 방법, 다이코터에 의한 도포 방법, 와이어 코터에 의한 도포 방법 등을 바람직한 것으로 들 수 있다.
또한, 무기 분체 함유 수지 조성물이나 레지스트막이 도포되는 지지 필름의 표면에는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라 후술하는 전사 공정에서 지지 필름의 박리 조작을 쉽게 행할 수 있다.
도포막의 건조 조건으로서는 예를 들면 50 내지 150 ℃에서 0.5 내지 30 분간 정도이고, 건조 후의 용제의 잔존 비율 (무기 분체 함유 수지층이나 레지스트막 중의 함유율)은 통상 2 질량％ 이내이다.
상기와 같이 지지 필름 상에 형성되는 무기 분체 함유 수지층의 두께로서는 무기 분체의 함유율, 부재의 종류나 크기 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 5 내지 500 ㎛이다.
또한, 상기와 같이 지지 필름 상에 형성되는 레지스트막의 두께로서는 예를 들면 1 내지 20 ㎛이다.
또한, 무기 분체 함유 수지층의 표면에 설치될 수도 있는 보호 필름층으로서는 폴리에틸렌 필름, 폴리비닐알코올계 필름 등을 들 수 있다.
<노광용 마스크>
본 발명의 제조 방법에 따르는 노광 공정에 있어서 사용되는 노광용 마스크의 노광 패턴으로서는 재료에 따라서도 다르지만, 일반적으로 10 내지 500 ㎛ 폭의 스트라이프이다.
<현상액>
본 발명의 제조 방법에 의한 현상 공정에서 사용되는 현상액으로서는 알칼리 현상액을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 제조 방법 Ⅱ에서는 레지스트막 (레지스트 조성물)의 종류에 따라 현상액을 적절하게 선택할 수 있다.
또한, 제조 방법 I에서, 제2 무기 분체 함유 수지층에 함유되는 무기 분체는 알칼리 가용성 수지에 의해 균일하게 분산되어 있기 때문에 알칼리성 용액으로 결합제인 알칼리 가용성 수지를 용해시키고 세정함으로써 무기 분체도 동시에 제거된다.
알칼리 현상액의 유효 성분으로서는 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소이암모늄, 인산수소이칼륨, 인산수소이나트륨, 인산이수소암모늄, 인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨, 규산리튬, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 붕산리튬, 붕산나트륨, 붕산칼륨, 암모니아 등의 무기 알칼리성 화합물; 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메틸히드록 시에틸암모늄히드록시드, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민, 에탄올아민 등의 유기 알칼리성 화합물 등을 들 수 있다.
제2 무기 분체 함유 수지층 또는 레지스트막의 현상 공정에서 사용되는 알칼리 현상액은 상기 알칼리성 화합물의 1종 또는 2종 이상을 물 등에 용해시키므로써 제조할 수 있다. 여기서, 알칼리성 현상액에 있어서 알칼리성 화합물의 농도는 통상 0.001 내지 10 중량％이고, 바람직하게는 0.01 내지 5 중량％이다. 또한, 알칼리 현상액에 의한 현상 처리가 이루어진 후에는 통상 수세 처리가 실시된다.
<에칭액>
제조 방법 Ⅱ에 있어서 제2 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정에서 사용되는 에칭액으로서는 알칼리성 용액인 것이 바람직하다. 이에 따라 제2 무기 분체 함유 수지층에 함유되는 알칼리 가용성 수지를 쉽게 용해 제거할 수 있다.
또한, 제2 무기 분체 함유 수지층에 함유되는 무기 분체는 알칼리 가용성 수지에 의해 균일하게 분산되기 때문에, 알칼리성 용액으로 유기 결합제인 알칼리가용성 수지를 용해시키고 세정함으로써 무기 분체도 동시에 제거된다.
여기서, 에칭액으로서 사용되는 알칼리성 용액으로서는 현상액과 동일 조성의 용액인 것이 보다 바람직하다.
에칭액이 레지스트막의 현상 공정에서 사용되는 알칼리 현상액과 동일한 용액인 것으로 함으로써 레지스트막의 현상 공정과 에칭 공정을 연속적으로 실시하는 것이 가능하며 공정의 간략화를 도모할 수 있다.
또한, 알칼리성 용액에 의한 에칭 처리가 이루어진 후, 통상 수세 처리가 실시된다.
<실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명하지만 본 발명은 이들에 의해서 한정되는 것이 아니다. 또한, 이하에서 「부」는 「질량부」를 나타낸다.
< 실시예 1 (제조 방법 I)>
(1) 제1 무기 분체 함유 수지 조성물 (유전체 형성용 조성물)의 제조:
(a) 무기 분체로서 PbO-B2O3-SiO2계 유리 프릿 (연화점 570 ℃, 평균 입경 1.5 ㎛) 100 부, (b) 결착 수지로서 n-부틸메타크릴레이트/n-라우릴메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트=40 질량％/50 질량％/10 질량％ 공중합체 (중량 평균 분자량: 100,000) 20 부, (c) 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 20 부 및 가소제로서 프로필렌글리콜모노올레이트 4 부를 분산기를 사용하여 혼련함으로써 점도가 4,000 mPaㆍs-1인 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 제조하였다.
(2) 제2 무기 분체 함유 수지 조성물 (블랙 스트라이프 형성용 감광성 조성물)의 제조:
(a) 무기 분체로서 Cu-Cr계 복합 산화물 흑색 안료 (평균 입경 0.3 ㎛) 60 부, Bi2O3-O-B2O3-SiO2계 유리 프릿 (연화점 560 ℃, 평균 입경 2.0 ㎛) 40 부, (b) 결착 수지로서 2-에틸헥실메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트/메타크 릴산=60 질량％/25 질량％/15 질량％ 공중합체 (중량 평균 분자량: 50,000) 20 부, (c) 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 20 부 및 (d) 감광성 성분으로서 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 (다관능성 아크릴레이트) 20 부, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 (광중합 개시제) 5 부를 분산기를 사용하여 혼련함으로써 점도가 4,000 mPaㆍs-1인 제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 제조하였다.
(3) 전사 필름의 제조:
상기 (1)로 제조한 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 50 ㎛의 제1 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성하였다 (이하, 「전사 필름 (I-1)」이라 한다).
마찬가지로 상기 (2)에서 제조한 제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 15 ㎛의 제2 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성한다 (이하, 「전사 필름 (I-2)」이라 한다).
(4) 필름의 전사 공정:
6 인치 패널용의 유리 기판의 표면에, 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉 되도록 전사 필름 (I-1)을 중첩시키고, 이 전사 필름 (I-1)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기서 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 열 압착 처리의 종료 후, 지지 필름을 박리 제거하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 제1 무기 분체 함유 수지층이 전사되어 밀착한 상태가 되었다.
계속해서, 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (I-2)을 중첩시키고 이 전사 필름 (I-2)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기서 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤 압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다.
(5) 제2 무기 분체 함유 수지층의 노광 공정:
제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 제2 무기 분체 함유 수지층에 대하여 노광용 마스크 (200 ㎛ 폭의 스트라이프 패턴)를 통해 지지 필름 상에서 초고압 수은등에 의해, i선 (파장 365 nm의 자외선)을 조사하였다. 여기에 조사량은 400 mJ/cm2로 하였다.
(6) 제2 무기 분체 함유 수지층의 현상 공정:
제2 무기 분체 함유 수지층으로부터 지지 필름을 박리한 후, 노광 처리된 제2 무기 분체 함유 수지층에 대하여 1.0 질량％의 탄산나트륨 수용액 (30 ℃)을 현상액으로 하는 샤워법에 의한 현상 처리를 30 초 동안 행하고, 이에 따라 자외선이 조사되지 않은 미경화의 제2 무기 분체 함유 수지층을 제거하여, 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 얻을 수 있었다.
(7) 소성 공정:
제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층의 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로 내에서 590 ℃의 온도 분위기하에서 30 분 동안 소성 처리하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 두께 25 ㎛의 유전체층 상에 패턴폭 200㎛, 높이 6 ㎛의 블랙 스트라이프가 형성되어 이루어지는 패널 재료를 얻을 수 있었다.
<실시예 2>
실시예 1 중 (3) 전사 필름의 제조에 있어서, 상기 (2)에서 제조한 제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 미리 이형 처리한 PET필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 15 ㎛의 제2 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성하였다.
또한, 상기 (1)에서 제조한 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 두께 50 ㎛의 제1 무기 분체 함유 수지층이 형성된 본 발명의 전사 필름 (이하, 「전사 필름 (I-3)」이라 한다)을 얻었다.
실시예 1 중, (4) 필름의 전사 공정에서 6 인치 패널용의 유리 기판의 표면에, 제1 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (I-3)을 중첩시키 고 이 전사 필름 (I-3)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기서, 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다.
실시예 1과 동일하게 하여 제2 무기 분체 함유 수지층의 노광 공정, 현상 공정 및 소성 공정을 행하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 두께 25 ㎛의 유전체층 상에 패턴폭 200 ㎛, 높이 6 ㎛의 블랙 스트라이프가 형성되어 이루어지는 패널 재료를 얻을 수 있었다.
<실시예 3>
(1) 제1 무기 분체 함유 수지 조성물 (유전체 형성용 조성물)의 제조:
실시예 1 (1)과 동일하게 하여, 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 제조하였다.
(2) 제2 무기 분체 함유 수지 조성물 (블랙 매트릭스 형성용 조성물)의 제조:
(a) 무기 분체로서 Cu-Cr계 복합 산화물 흑색 안료 (평균 입경 0.3 ㎛) 60 부, Bi2O3-O-B2O3-SiO2계 유리 프릿 (연화점 560 ℃, 평균 입경 2.0 ㎛) 40 부, (b) 결착 수지로서 2-에틸헥실메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트/메타크릴산=60 질량％/25 질량％/15 질량％ 공중합체 (중량 평균 분자량: 50,000) 20 부, (c) 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 20 부 및 가소제로서 프로필렌글리콜모노올레이트 5 부를 분산기를 사용하여 혼련함으로써 점도가 4,000 mPaㆍs-1인 제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 제조하였다.
(3) 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물의 제조:
알칼리 가용성 수지로서 벤질메타크릴레이트/메타크릴산=75/25 (질량％) 공중합체 (Mw=60,000) 60 부, 다관능성 단량체 (감방사선성 성분)로서 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 40 부, 광중합 개시제 (감방사선성 성분)로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 5 부 및 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 100 부를 혼련함으로써 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물 (이하, 「레지스트 조성물」이라고 한다)을 제조하였다.
(4) 전사 필름의 제조:
상기 (1)에서 제조한 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 50 ㎛의 제1 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성하였다 (이하, 「전사 필름 (Ⅱ-1)」이라 한다).
마찬가지로, 상기 (2)에서 제조한 제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 이용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하고, 두께 15 ㎛의 제2 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성하였다 (이하, 「전사 필름 (Ⅱ-2)」이라 한다).
또한, 마찬가지로 상기 (3)에서 제조한 레지스트 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 8 ㎛의 레지스트막을 지지 필름 상에 형성하였다 (이하, 「전사 필름 (Ⅱ-3)」이라 한다).
(4) 필름의 전사 공정:
6 인치 패널용의 유리 기판의 표면에, 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (Ⅱ-1)을 중첩시키고, 이 전사 필름 (Ⅱ-1)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기서 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 열 압착 처리의 종료 후, 지지 필름을 박리 제거하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 제1 무기 분체 함유 수지층이 전사되어 밀착한 상태가 되었다.
계속해서, 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (Ⅱ-2)을 중첩시키고, 이 전사 필름 (Ⅱ-2)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기에서, 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 열 압착 처리의 종료 후, 지지 필름을 박리 제거하였다. 이에 따라 제1 무기 분체 함유 수지층의 표면에 제2 무기 분체 함유 수지층이 전사되어 밀착한 상태가 되었다.
또한, 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트막의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (Ⅱ-3)을 중첩시키고 이 전사 필름 (Ⅱ-3)을 가열 롤러로써 열 압착하였다. 여기에서, 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다.
(5) 레지스트막의 노광 공정:
제2 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 레지스트막에 대하여 노광용 마스크 (200 ㎛ 폭의 스트라이프 패턴)을 통해, 지지 필름 상에서 초고압 수은등에 의해, i선 (파장 365 nm의 자외선)을 조사하였다. 여기서, 조사량은 4OO mJ/cm2로 하였다.
(6) 레지스트막의 현상 공정:
레지스트막으로부터 지지 필름을 박리한 후, 노광 처리된 레지스트막에 대하여 0.6 질량％의 탄산나트륨 수용액 (30 ℃)을 현상액으로 하는 샤워법에 의한 현상 처리를 30 초 동안 행하고, 이에 따라 자외선이 조사되지 않은 미경화의 레지스트막을 제거하고, 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트 패턴을 얻을 수 있었다.
(7) 제2 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정:
상기 (6) 레지스트막의 현상 공정에 이어서, 제2 무기 분체 함유 수지층에 대하여 0.6 질량％의 탄산나트륨 수용액 (30 ℃)을 에칭액으로 하는 샤워법에 의한 에칭 처리를 60 초 동안 행한 후, 계속해서 초순수에 의한 수세 처리 및 건조 처리를 하고, 이에 따라 레지스트막 제거부에 대응하는 제2 무기 분체 함유 수지층을 제거하여 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 얻을 수 있었다.
(8) 소성 공정:
제1 무기 분체 함유 수지층상에 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로 내에서 590 ℃의 온도 분위기하에서 30 분 동안 소성 처리하였다. 이에 따라, 레지스트 패턴, 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴 및 제1 무기 분체 함유 수지층 중의 유기 성분을 제거하고, 유리 기판의 표면에 두께 25 ㎛의 유전체층 상에 패턴폭 200 ㎛, 높이 6 ㎛의 블랙 매트릭스 (스트라이프)가 형성되어 이루어지는 패널 재료를 얻을 수 있었다.
<실시예 4>
실시예 3 (4) 전사 필름의 제조에 있어서, 실시예 3 (3)에서 제조한 레지스트 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 리버스 롤 코터를 이용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 3 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 8 ㎛의 레지스트막을 지지 필름 상에 형성하였다.
계속해서, 실시예 3 (2)에서 제조한 제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 레지스트막 상에 블레이드 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 15 ㎛의 제2 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성하였다.
또한, 실시예 3 (1)에서 제조한 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 블레이드 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 두께 50 ㎛의 제1 무기 분체 함유 수지층이 형성된 본 발명의 전사 필름 (이하, 「전사 필름 (Ⅱ-4)」라고 한다)을 얻었다.
실시예 3 (5) 필름의 전사 공정에서, 6 인치 패널용의 유리 기판의 표면에, 제1 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (Ⅱ-4)을 중첩시키고, 이 전사 필름 (II-4)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기에서 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다.
실시예 1과 동일하게 하여 레지스트막의 노광, 현상 공정, 제2 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정 및 소성 공정을 행하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 두께 25 ㎛의 유전체층 상에 패턴폭 200 ㎛, 높이 6 ㎛의 블랙 매트릭스 (스트라이프)가 형성되어 이루어지는 패널 재료를 얻을 수 있었다.
본 발명에 따르면 하기의 효과가 발휘된다.
(1) 무기층 상에 패턴을 갖는 패널 재료를 형성하는데 있어서 제조 효율이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공할 수 있다.
(2) 현상 처리시의 밀착성이 양호하고, 패터닝성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공할 수 있다.
(3) 작업성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공할 수 있다.
(4) 제조 효율, 패터닝성 및 작업성이 우수한 신규 전사 필름을 제공할 수 있다.

Claims (11)

  1. 삭제
  2. (i) 기판 상에 제1 무기 분체 함유 수지층을 형성하고, 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층을 형성하고, 해당 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트막을 형성하는 공정,
    (ⅱ) 레지스트막을 노광ㆍ현상 처리하고, 레지스트 패턴을 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 형성하는 공정,
    (ⅲ) 제2 무기 분체 수지층을 에칭 처리하여, 레지스트 패턴에 대응하는 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성하는 공정, 및
    (ⅳ) 제1 무기 분체 함유 수지층 및 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 소성하는 공정
    을 포함하는 방법에 의해 무기막 상에 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 지지 필름 상에 형성된 무기 분체 함유 수지층을 전사하는 공정을 포함하는 방법에 의해, 제1 무기 분체 함유 수지층 및 제2 무기 분체 함유 수지층의 적어도 한쪽을 형성하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 제2항에 있어서, 지지 필름 상에 형성된 레지스트막, 해당 레지스트막 상에 형성된 제2 무기 분체 함유 수지층 및 해당 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 제1 무기 분체 함유 수지층을 갖는 적층막을 기판 상에 전사함으로써 기판 상에 제1 무기 분체 함유 수지층, 제2 무기 분체 함유 수지층 및 레지스트막을 형성하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  6. 제2항에 있어서, 제1 무기 분체 함유 수지층이, 무기 분체로서 유리 프릿을 함유하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 제2항에 있어서, 제1 무기 분체 함유 수지층이 알칼리 불용성 또는 난용성의 수지 성분을 함유하고, 제2 무기 분체 함유 수지층 및 레지스트막이 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  9. 제2항에 있어서, 제1 무기 분체 함유 수지층에 의해 유전체층을 형성하고, 제2 무기 분체 함유 수지층에 의해 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 칼라 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 1종 이상의 패널 재료를 형성하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  10. 삭제
  11. 지지 필름 상에, 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 레지스트층, 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 무기 분체 함유 수지층 및 알칼리 불용성 또는 난용성의 수지 성분을 함유하는 무기 분체 함유 수지층을 포함하는 적층막이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는, 전사 필름.
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