KR20060009280A - 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (57)
- 마스크에 형성된 패턴의 축소 상을, 투영 광학계를 거쳐서 감광성 기판상으로 투영 노광하는 노광 방법에 있어서,상기 투영 광학계의 광로중의 분위기의 굴절률을 1로 할 때, 상기 투영 광학계와 상기 감광성 기판 사이의 광로를 1.1보다도 큰 굴절률을 갖는 매질로 충전하는 충전 공정과,상기 감광성 기판상의 1개의 쇼트 영역으로 투영 노광하는 노광 공정을 포함하며,상기 1개의 쇼트 영역은 복수의 부분 노광 영역을 포함하고,상기 노광 공정은 상기 부분 노광 영역으로의 노광을 복수회에 걸쳐서 반복하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 노광 공정에서는, 상기 투영 광학계에 대하여 상기 마스크 및 상기 감광성 기판을 정지시킨 상태에서 상기 부분 노광 영역으로의 정지 투영 노광을 실행하는 정지 노광 공정과,정지 투영 노광이 실행된 상기 부분 노광 영역과는 다른 부분 노광 영역으로 정지 투영 노광을 실행하기 위해서, 상기 투영 광학계에 대하여 적어도 상기 감광 성 기판을 상대적으로 이동시키는 이동 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 투영 광학계는 약 1/5 이하의 크기의 투영 배율을 갖고,상기 노광 공정에서는, 상기 1개의 쇼트 영역의 약 1/2의 크기의 부분 노광 영역으로의 정지 투영 노광을 적어도 2회 반복함으로써 상기 1개의 쇼트 영역으로의 투영 노광을 실행하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 노광 공정에서는, 상기 1개의 쇼트 영역의 약 1/2의 크기의 부분 노광 영역으로의 정지 투영 노광을 2회만 반복함으로써 상기 1개의 쇼트 영역으로의 투영 노광을 실행하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 노광 공정에 있어서의 제 1회째의 정지 투영 노광과 제 2회째의 정지 투영 노광 사이에 상기 마스크를 교환하는 교환 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 투영 광학계는 약 1/4의 크기의 투영 배율을 갖고,상기 노광 공정에서는, 상기 1개의 쇼트 영역의 약 1/4의 크기의 부분 노광 영역으로의 정지 투영 노광을 적어도 4회 반복함으로써 상기 1개의 쇼트 영역으로의 투영 노광을 실행하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 노광 공정에서는, 상기 1개의 쇼트 영역의 약 1/4의 크기의 부분 노광 영역으로의 정지 투영 노광을 4회만 반복함으로써 상기 1개의 쇼트 영역으로의 투영 노광을 실행하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 투영 광학계는 1/8 이하의 배율의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 노광 공정에서는, 복수의 쇼트 영역으로의 투영 노광을 실행하고, 또한 서로 인접하지 않는 부분 노광 영역으로의 노광을 복수회에 걸쳐서 반복하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 노광 공정에서는, 상기 복수의 쇼트 영역의 각각의 부분 노광 영역에 있어서의 특정의 부분 노광 영역으로의 노광을 종료한 후에, 상기 복수의 쇼트 영역의 각각의 부분 노광 영역에 있어서의 다른 부분 노광 영역으로의 노광을 실행하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 노광 공정에 있어서의 상기 특정의 부분 노광 영역으로의 노광과 상기 다른 부분 노광 영역으로의 노광 사이에 상기 마스크를 교환하는 교환 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 8 항 내지 제 11 항중 어느 한 항에 있어서,상기 부분 노광 공정에서는, 상기 1개의 쇼트 영역의 약 1/4의 크기의 부분 노광 영역으로의 투영 노광을 실행하고,상기 노광 공정은 적어도 4개의 상기 부분 노광 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 1 항 내지 제 11 항중 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 부분 노광 영역중 적어도 2개의 부분 노광 영역은 서로 일부 중복하여 있는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 마스크에 형성된 패턴의 축소 상을, 투영 광학계를 거쳐서 감광성 기판상으로 투영 노광하는 노광 방법에 있어서,상기 투영 광학계의 광로중의 분위기의 굴절률을 1로 할 때, 상기 투영 광학계와 상기 감광성 기판 사이의 광로를 1.1보다도 큰 굴절률을 갖는 매질로 충전하는 충전 공정과,상기 투영 광학계에 대하여 상기 마스크 및 상기 감광성 기판을 정지시킨 상태에서, 상기 감광성 기판상의 제 1 정지 노광 영역으로 투영 노광하는 제 1 노광 공정과,상기 제 1 노광 공정의 직후에 실행되어서, 상기 제 1 노광 공정에서 투영 노광된 상기 제 1 정지 노광 영역과는 인접하고 있지 않는 제 2 정지 노광 영역으 로 투영 노광을 실행하기 위해서, 상기 투영 광학계에 대하여 적어도 상기 감광성 기판을 상대적으로 이동시키는 이동 공정과,상기 이동 공정의 직후에 실행되어서, 상기 투영 광학계에 대하여 상기 마스크 및 상기 감광성 기판을 정지시킨 상태에서, 상기 감광성 기판상의 상기 제 2 정지 노광 영역으로 투영 노광하는 제 2 노광 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 1 노광 공정과 상기 제 2 노광 공정 사이에 있어서 상기 마스크는 교환되지 않는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 투영 광학계에 대하여 상기 마스크 및 상기 감광성 기판을 정지시킨 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 정지 노광 영역과는 다른 제 3 정지 노광 영역으로 투영 노광하는 제 3 노광 공정을 더 포함하며,상기 제 3 정지 노광 영역은 상기 제 1 정지 노광 영역과 상기 제 2 정지 노광 영역 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 2 노광 공정과 상기 제 3 노광 공정 사이에 상기 마스크를 교환하는 교환 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 제 3 정지 노광 영역은 상기 제 1 정지 노광 영역 또는 상기 제 2 정지 노광 영역과 일부 중복하여 있는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 1 항 내지 제 18 항중 어느 한 항에 있어서,상기 투영 광학계는 복수의 광투과 부재만으로 구성된 굴절 광학계인 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 1 항 내지 제 19 항중 어느 한 항에 있어서,상기 매질은 물을 갖는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 마스크에 형성된 패턴의 축소 상을, 투영 광학계를 거쳐서 감광성 기판상으 로 투영 노광하는 노광 장치에 있어서,상기 투영 광학계의 광로중의 분위기의 굴절률을 1로 할 때, 상기 투영 광학계와 상기 감광성 기판 사이의 광로가 1.1보다도 큰 굴절률을 갖는 매질로 충전되고,상기 투영 광학계는 상기 감광성 기판상에 형성해야 할 1개의 쇼트 영역보다도 실질적으로 작은 정지 노광 영역을 갖고,상기 쇼트 영역으로의 투영 노광에 있어서, 상기 쇼트 영역의 일부로의 투영 노광을 복수회에 걸쳐서 반복하는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 21 항에 있어서,상기 투영 광학계에 대하여 상기 마스크 및 상기 감광성 기판을 정지시킨 상태에서, 상기 쇼트 영역의 일부에 대하여 정지 투영 노광을 실행하고, 상기 쇼트 영역의 상기 일부와는 다른 일부에 대하여 정지 투영 노광을 실행하기 위해서, 적어도 상기 감광성 기판을 상기 투영 광학계에 대하여 상대적으로 이동시키는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 정지 노광 영역은 상기 쇼트 영역의 약 1/2의 크기를 갖고, 상기 투영 광학계는 약 1/5 이하의 크기의 투영 배율을 갖는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 정지 노광 영역은 상기 쇼트 영역의 약 1/4의 크기를 갖고, 상기 투영 광학계는 약 1/4의 크기의 투영 배율을 갖는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 정지 노광 영역은 상기 쇼트 영역의 약 1/4의 크기를 갖고, 상기 투영 광학계는 1/8 이하의 크기의 투영 배율을 갖는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 21 항 내지 제 25 항중 어느 한 항에 있어서,상기 쇼트 영역의 상기 일부와 상기 다른 일부와는 서로 일부 중복하여 있는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 21 항 내지 제 26 항중 어느 한 항에 있어서,상기 투영 광학계는 복수의 광투과 부재만으로 구성된 굴절 광학계인 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 21 항 내지 제 27 항중 어느 한 항에 있어서,상기 매질은 물을 갖는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 마스크에 형성된 패턴의 축소 상을, 투영 광학계를 거쳐서 감광성 기판상으로 투영 노광하는 노광 장치에 있어서,상기 감광성 기판을 이동 가능하게 유지하는 기판 스테이지와,상기 투영 광학계의 광로중의 분위기의 굴절률을 1로 할 때, 상기 투영 광학계와 상기 감광성 기판 사이의 광로를 1.1보다도 큰 굴절률을 갖는 매질로 충전하기 위한 수단과,상기 투영 광학계에 대하여 상기 마스크 및 상기 감광성 기판을 정지시킨 상태에서, 상기 감광성 기판상의 제 1 정지 노광 영역으로 투영 노광하고, 상기 제 1 정지 노광 영역으로의 투영 노광에 이어서, 상기 제 1 노광 공정에서 투영 노광된 상기 제 1 정지 노광 영역과는 인접하고 있지 않는 제 2 정지 노광 영역으로 투영 노광을 실행하기 위해서, 상기 투영 광학계에 대하여 적어도 상기 감광성 기판을 상대적으로 이동시키고, 상기 감광성 기판의 상대적인 이동에 이어서, 상기 투영 광학계에 대하여 상기 마스크 및 상기 감광성 기판을 정지시킨 상태에서, 상기 감 광성 기판상의 상기 제 2 정지 노광 영역으로 투영 노광하도록, 적어도 상기 기판 스테이지를 제어하는 제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 29 항에 있어서,상기 제 1 정지 노광 영역으로의 투영 노광과 상기 제 2 정지 노광 영역으로의 투영 노광 사이에 있어서 상기 마스크는 교환되지 않는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 29 항 또는 제 30 항에 있어서,상기 투영 광학계에 대하여 상기 마스크 및 상기 감광성 기판을 정지시킨 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 정지 노광 영역과는 다른 제 3 정지 노광 영역으로 투영 노광하고, 상기 제 3 정지 노광 영역은 상기 제 1 정지 노광 영역과 상기 제 2 정지 노광 영역 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 31 항에 있어서,상기 제 2 노광 공정과 상기 제 3 노광 공정 사이에 상기 마스크를 교환하는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서,상기 제 3 정지 노광 영역은 상기 제 1 정지 노광 영역 또는 상기 제 2 정지 노광 영역과 인접하여 있는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서,상기 제 3 정지 노광 영역은 상기 제 1 정지 노광 영역 또는 상기 제 2 정지 노광 영역과 일부 중복하여 있는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 29 항 내지 제 34 항중 어느 한 항에 있어서,상기 매질은 물을 갖는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 1 면의 축소 상을 제 2 면상에 형성하는 투영 광학계에 있어서,상기 투영 광학계의 광로중의 분위기의 굴절률을 1로 할 때, 상기 투영 광학계와 상기 제 2 면 사이의 광로는 1.1보다도 큰 굴절률을 갖는 매질로 충전되고,상기 투영 광학계중의 파워(power)를 갖는 광학 부재는 모두 투과성의 광학 부재이며,상기 투영 광학계의 배율의 크기는 1/8 이하이며,상기 제 1 면측 및 상기 제 2 면측의 쌍방에 거의 텔레센트릭으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는투영 광학계.
- 제 36 항에 있어서,상기 제 2 면측의 수정체 위치로부터 상기 제 2 면까지의 거리를 L2라고 하고, 상기 제 1 면으로부터 상기 제 2 면까지의 거리를 LA라고 할 때,[수학식 1]0.18 < L2/LA < 0.245의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는투영 광학계.
- 제 36 항 또는 제 37 항에 있어서,상기 제 2 면측의 수정체 위치 또는 그 근방에 배치된 적어도 1개의 가변 개구 조리개를 갖는 것을 특징으로 하는투영 광학계.
- 제 36 항 내지 제 38 항중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 면측으로부터 순차적으로, 정의 굴절력을 갖는 제 1 렌즈 그룹과, 부의 굴절력을 갖는 제 2 렌즈 그룹과, 정의 굴절력을 갖는 제 3 렌즈 그룹과, 부의 굴절력을 갖는 제 4 렌즈 그룹과, 정의 굴절력을 갖는 제 5 렌즈 그룹과, 개구 조리개와, 정의 굴절력을 갖는 제 6 렌즈 그룹을 구비하며,상기 제 1 면의 광축상의 1점으로부터의 광속이 각 광학면상에서 차지하는 영역의 크기를 부분 직경으로 정의할 때, 상기 투영 광학계중의 부분 직경의 최대값을 PX라고 하고, 상기 제 2 렌즈 그룹중의 부분 직경의 최소값을 P2라고 할 때,[수학식 2]0.04 < P2/PX < 0.2의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는투영 광학계.
- 제 39 항에 있어서,상기 제 4 렌즈 그룹중의 렌즈의 최소 유효 직경을 D4라고 하고, 상기 제 1 면의 유효 직경을 D0이라고 할 때,[수학식 3]0.4 < D4/D0 < 0.9의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는투영 광학계.
- 제 36 항 내지 제 38 항중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 면측으로부터 순차적으로, 부의 굴절력을 갖는 제 1 렌즈 그룹과, 정의 굴절력을 갖는 제 2 렌즈 그룹과, 부의 굴절력을 갖는 제 3 렌즈 그룹과, 정의 굴절력을 갖는 제 4 렌즈 그룹과, 개구 조리개와, 정의 굴절력을 갖는 제 5 렌즈 그룹을 구비하며,상기 제 1 면의 광축상의 1점으로부터의 광속이 각 광학면상에서 차지하는 영역의 크기를 부분 직경으로 정의할 때, 상기 투영 광학계중의 부분 직경의 최대값을 PX라고 하고, 상기 제 3 렌즈 그룹중의 부분 직경의 최소값을 P3이라고 할 때,[수학식 4]0.07 < P3/PX < 0.23의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는투영 광학계.
- 제 41 항에 있어서,상기 제 3 렌즈 그룹중의 렌즈의 최소 유효 직경을 D3이라고 하고, 상기 제 1 면의 유효 직경을 D0이라고 할 때,[수학식 5]0.35 < D3/D0 < 0.85의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는투영 광학계.
- 제 36 항 내지 제 42 항중 어느 한 항에 있어서,상기 매질은 물을 갖는 것을 특징으로 하는투영 광학계.
- 상기 제 1 면에 설정된 마스크를 조명하기 위한 조명계와, 상기 마스크에 형성된 패턴의 상을 상기 제 2 면에 설정된 감광성 기판상에 형성하기 위한 제 36 항 내지 제 43 항중 어느 한 항에 기재된 투영 광학계를 구비하는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 44 항에 있어서,상기 투영 광학계에 대하여 상기 마스크 및 상기 감광성 기판을 정지시킨 상태에서, 상기 패턴의 상을 상기 감광성 기판상의 일부에 형성하고, 상기 일부와는 다른 일부에 대하여 상기 투영 광학계에 대하여 상기 마스크 및 상기 감광성 기판을 정지시킨 상태에서, 상기 패턴의 상을 형성하기 위해서, 적어도 상기 감광성 기판을 상기 투영 광학계에 대하여 상대적으로 이동시키는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 제 45 항에 있어서,상기 쇼트 영역의 상기 일부와 상기 다른 일부와는 서로 일부 중복하여 있는 것을 특징으로 하는노광 장치.
- 상기 제 1 면에 설정된 마스크를 조명하는 조명 공정과,제 36 항 내지 제 43 항중 어느 한 항에 기재된 투영 광학계를 거쳐서 상기 마스크에 형성된 패턴의 상을 상기 제 2 면에 설정된 감광성 기판상으로 투영 노광하는 노광 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 47 항에 있어서,상기 노광 공정에서는, 복수의 부분 노광 영역을 포함하는 1개의 쇼트 영역으로 투영 노광을 실행하고,상기 노광 공정은 상기 부분 노광 영역으로 투영 노광하는 부분 노광 공정을 복수 구비하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 48 항에 있어서,상기 부분 노광 공정에서는, 상기 1개의 쇼트 영역의 약 1/4의 크기의 부분 노광 영역으로의 투영 노광을 실행하고,상기 노광 공정은 적어도 4개의 상기 부분 노광 공정을 구비하는 것을 특징 으로 하는노광 방법.
- 제 48 항 또는 제 49 항에 있어서,상기 부분 노광 공정에서는, 상기 투영 광학계에 대하여 상기 마스크 및 상기 감광성 기판을 정지시킨 상태에서 상기 부분 노광 영역으로의 정지 투영 노광을 실행하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 48 항 내지 제 50 항중 어느 한 항에 있어서,상기 노광 공정에 있어서의 제 1회째의 부분 노광 공정과 제 2회째의 부분 노광 공정 사이에 상기 마스크를 교환하는 마스크 교환 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 51 항에 있어서,상기 노광 공정에서는, 복수의 쇼트 영역으로의 투영 노광을 실행하고,상기 마스크 교환 공정은 상기 복수의 쇼트 영역에 대한 상기 제 1회째의 부분 노광 공정과 상기 복수의 쇼트 영역에 대한 상기 제 2회째의 부분 노광 공정 사이에 실행되는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 마스크에 형성된 패턴의 축소 상을, 투영 광학계를 거쳐서 감광성 기판상으로 투영 노광하는 노광 방법에 있어서,배율의 크기가 1/8 이하인 투영 광학계를 준비하는 준비 공정과,상기 투영 광학계의 광로중의 분위기의 굴절률을 1로 할 때, 상기 투영 광학계와 상기 감광성 기판 사이의 광로를 1.1보다도 큰 굴절률을 갖는 매질로 충전하는 충전 공정과,상기 감광성 기판상의 1개의 쇼트 영역으로 투영 노광하는 노광 공정을 포함하며,상기 노광 공정에서는, 복수의 부분 노광 영역을 포함하는 1개의 쇼트 영역으로 투영 노광을 실행하고,상기 노광 공정은 상기 부분 노광 영역으로 투영 노광하는 부분 노광 공정을 복수 구비하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 53 항에 있어서,상기 부분 노광 공정에서는, 상기 1개의 쇼트 영역의 약 1/4의 크기의 부분 노광 영역으로의 투영 노광을 실행하고,상기 노광 공정은 적어도 4개의 상기 부분 노광 공정을 구비하는 것을 특징 으로 하는노광 방법.
- 제 53 항 또는 제 54 항에 있어서,상기 부분 노광 공정에서는, 상기 투영 광학계에 대하여 상기 마스크 및 상기 감광성 기판을 정지시킨 상태에서 상기 부분 노광 영역으로의 정지 투영 노광을 실행하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 53 항 내지 제 55 항중 어느 한 항에 있어서,상기 노광 공정에 있어서의 제 1회째의 부분 노광 공정과 제 2회째의 부분 노광 공정 사이에 상기 마스크를 교환하는 마스크 교환 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는노광 방법.
- 제 56 항에 있어서,상기 노광 공정에서는, 복수의 쇼트 영역으로의 투영 노광을 실행하고,상기 마스크 교환 공정은 상기 복수의 쇼트 영역에 대한 상기 제 1회째의 부분 노광 공정과 상기 복수의 쇼트 영역에 대한 상기 제 2회째의 부분 노광 공정 사이에 실행되는 것을 특징으로 하는노광 방법.
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US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
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