KR20050071683A - 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법 - Google Patents

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KR20050071683A
KR20050071683A KR1020057008408A KR20057008408A KR20050071683A KR 20050071683 A KR20050071683 A KR 20050071683A KR 1020057008408 A KR1020057008408 A KR 1020057008408A KR 20057008408 A KR20057008408 A KR 20057008408A KR 20050071683 A KR20050071683 A KR 20050071683A
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마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤
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Abstract

플라즈마 디스플레이 패널의 기판에 양질의 금속 산화막을 성막하는 제조방법이다.
금속 산화막인 MgO막에 의한 보호층(8)을 형성하는 공정에 있어서, 그 때의 성막은 성막실인 증착실(21) 내의 진공도를 1×10-1Pa ~ 1×10-2Pa의 범위 내로 한 상태로 수행하여, 보호층(8)의 형성에 있어서 성막 레이트나 막질이 양호하며, 화상 표시를 양질로 수행할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 것이 가능하게 된다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법{Method of manufacturing a plasma display panel}
본 발명은, 대화면이며 경량 박형인 디스플레이 장치로서 알려져 있는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)용 기판에 성막(成膜)을 수행하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것이다.
PDP는 가스 방전에 의해 자외선을 발생시키고, 이 자외선으로 형광체를 여기하여 발광시킴으로써 화상 표시를 수행하고 있다.
PDP에는 크게 나누어, 구동방식으로서 AC형과 DC형이 있고, 방전방식으로는 면방전형과 대향방전형이 있는데, 고정밀화, 대화면화 및 구조의 간소성에 수반하는 제조의 간편성 측면에서 현 상태에서는 3전극 구조의 AC형이면서 면방전형인 PDP가 주류이다. AC형 면방전 PDP는 전면판과 배면판으로 구성되어 있다. 전면판은 유리 등의 기판상에 주사전극과 유지전극으로 이루어지는 표시전극과, 그것을 덮는 유전체층과, 다시 그것을 덮는 보호층을 가지고 있다. 한편, 배면판은 복수의 어드레스 전극과, 그것을 덮는 유전체층과, 유전체층상의 격벽과, 유전체층 위와 격벽 측면에 설치한 형광체층을 가지고 있다. 전면판과 배면판을 표시전극과 어드레스 전극이 직교하도록 대향 배치하고, 표시전극과 어드레스 전극의 교차부에 방전 셀을 형성하고 있다.
이러한 PDP는, 액정 패널에 비하여 고속의 표시가 가능하며, 시야각이 넓다는 점, 대형화가 용이하다는 점, 자발광형이기 때문에 표시 품질이 높다는 점 등의 이유에서 평판 패널 디스플레이 중에서 최근 특히 주목을 모으고 있으며, 많은 사람이 모이는 장소에서의 표시장치나 가정에서 대화면의 영상을 즐기기 위한 표시장치로서 각종 용도로 사용되고 있다.
이와 같이 화상 표시면측이 되는 전면판의 유리기판에는 전극을 형성하고, 이것을 덮는 유전체층을 형성하고, 다시 이 유전체층을 덮는 보호층으로서의 금속 산화막인 산화 마그네슘(MgO)막을 형성하고 있다. 여기에서, 이 MgO막인 보호층을 형성하는 방법으로는 성막 속도가 높고 비교적 양질의 MgO를 형성할 수 있는 전자빔 증착법이 널리 이용되고 있다는 것이, 예를 들면, 2001 FPD 테크놀로지 대전(주식회사 전자 저널, 2000년 10월 25일, p598~p600)에 개시되어 있다.
그러나, 금속 산화막인 MgO막을 성막할 때에는, 그 성막 과정에서의 산소 결손이나 불순물 혼입에 의해 막 물성에 변화가 생기는 경우가 있다는 과제를 갖는다.
그런 점에서, 성막시 성막장에 가스를 도입함으로써 성막장의 분위기를 제어하여 막 물성의 안정화를 도모하는 것이 행해지지만, 성막실로의 가스 도입 상태에 따라 막 물성이 변화하기 때문에, 막 물성을 안정되게 하기 위해서는 가스 도입의 상태를 적정하게 제어할 필요가 있다.
본 발명은 이러한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, PDP의 기판에 양질의 MgO막과 같은 금속 산화막을 형성하는 것을 목적으로 하고 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 개략 구조를 나타내는 단면사시도.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 성막장치의 개략 구성을 나타내는 단면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
1 플라즈마 디스플레이 패널
2 전면판
3, 10 기판
4 주사전극
5 유지전극
6 표시전극
7, 12 유전체층
9 배면판
11 어드레스 전극
13 격벽
14 형광체층
15 방전공간
16 방전 셀
20 성막장치
21 증착실(성막실)
22 기판투입실
23 기판취출실
24a, 24b, 24c 진공 배기계
25 반송수단
26a, 26b, 26c, 26d 칸막이벽
27a, 27b 가열 램프
28a 증착원
28b 화로
28c 전자총
28d 전자 빔
28e 증기류
28f 셔터
29a 가스 도입수단
29b 진공도 검출수단
이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 PDP 제조방법은, PDP의 기판에 금속 산화막을 성막하는 공정을 갖는 PDP의 제조방법에 있어서, 금속 산화막의 성막시, 성막실의 진공도가 1×10-1 Pa ~ 1×10-2 Pa의 범위인 것을 특징으로 하고 있다.
이러한 제조방법에 따르면, PDP의 기판에 금속 산화막을 성막할 때 막 물성이 양질인 금속 산화막을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 일실시예에 따른 PDP의 제조방법에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다.
먼저, PDP 구조의 일예에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일실시예에 있어서의 PDP 제조방법에 의해 제조되는 PDP의 개략 구성의 일예를 나타내는 단면사시도이다.
PDP(1)의 전면판(2)은, 예를 들면 유리와 같은 투명하고 절연성인 기판(3)의 일주면 상에 형성한 주사전극(4)과 유지전극(5)으로 이루어지는 표시전극(6)과, 그 표시전극(6)을 덮는 유전체층(7)과, 다시 그 유전체층(7)을 덮는, 예를 들면 MgO에 의한 보호층(8)을 갖는 구조이다. 주사전극(4)과 유지전극(5)은, 전기 저항의 저감을 목적으로 하여, 투명전극(4a, 5a)에 금속재료, 예를 들면 Ag 등으로 이루어지는 버스전극(4b, 5b)을 적층한 구조로 하고 있다.
또한 배면판(9)은, 예를 들면 유리와 같은 절연성 기판(10)의 일주면 상에 형성한 어드레스 전극(11)과, 그 어드레스 전극(11)을 덮는 유전체층(12)과, 유전체층(12) 상의 서로 이웃하는 어드레스 전극(11) 사이에 상당하는 장소에 위치하는 격벽(13)과, 격벽(13) 간의 형광체층(14R, 14G, 14B)을 갖는 구조이다.
그리고, 전면판(2)과 배면판(9)은 격벽(13)을 사이에 두고, 표시전극(6)과 어드레스 전극(11)이 직교하도록 대향 배치되며, 화상 표시 영역 외의 주위를 봉착 부재에 의해 밀봉하고 있다. 전면판(2)과 배면판(9) 사이에 형성된 방전공간(15)에는, 예를 들면 Ne-Xe 5%의 방전 가스를 66.5 kPa(500 Torr)의 압력으로 봉입하고 있다. 그리고, 방전 공간(15)의 표시전극(6)과 어드레스 전극(11)의 교차부가 방전 셀(16)(단위 발광 영역)로서 동작한다.
다음으로, 상술한 PDP(1)에 대하여, 그 제조방법을 마찬가지로 도 1을 참조하면서 설명한다.
전면판(2)은, 기판(3) 상에 먼저 주사전극(4) 및 유지전극(5)을 형성한다. 구체적으로는 기판(3) 상에, 예를 들면 ITO에 의한 막을 증착이나 스퍼터 등의 성막 프로세스에 의해 형성하고, 그 후 포토리소법 등에 의해 패터닝하여 투명전극(4a, 5a)을 형성한다. 또한 그 위부터, 예를 들면 Ag에 의한 막을 증착이나 스퍼터 등의 성막 프로세스에 의해 형성하고, 그 후 포토리소법 등에 의해 패터닝함으로써 버스전극(4b, 5b)을 형성한다. 이상과 같이 하여 주사전극(4) 및 유지전극(5)으로 이루어지는 표시전극(6)을 얻을 수 있다.
다음으로, 이상과 같이 하여 형성한 표시전극(6)을 유전체층(7)으로 피복한다. 유전체층(7)은 납계의 유리재료를 포함하는 페이스트를 예를 들면 스크린 인쇄로 도포한 후 소성함으로써 형성한다. 상기 납계의 유리재료를 포함하는 페이스트로는, 예를 들면 PbO(70wt%), B2O3(15wt%), SiO2(10wt%) 및 Al2O3(5wt%)와 유기 바인더(예를 들면, α-터피네올에 10%의 에틸셀룰로스를 용해한 것)의 혼합물이 사용된다. 다음으로 이상과 같이 하여 형성한 유전체층(7)을 금속 산화막, 예를 들면 MgO에 의한 보호층(8)으로 피복한다.
한편, 배면판(9)은 기판(10)상에 어드레스 전극(11)을 형성한다. 구체적으로는 기판(10)상에, 예를 들면 Ag 재료 등에 의한 막을 증착이나 스퍼터 등의 성막 프로세스에 의해 형성하고, 그 후 포토리소법 등으로 패터닝하여 어드레스 전극(11)을 형성한다. 또한, 어드레스 전극(11)을 유전체층(12)으로 피복하고 격벽(13)을 형성한다.
그리고, 격벽(13) 사이의 홈에 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 각 형광체 입자로 구성되는 형광체층(14R, 14G, 14B)을 형성한다. 각 색의 형광체 입자와 유기 바인더로 이루어지는 페이스트 상태의 형광체 잉크를 도포하고, 이것을 소성하여 유기 바인더를 소실(燒失)시킴으로써 각 형광체 입자가 결착하여 이루어지는 형광체층(14R, 14G, 14B)을 형성한다.
이상과 같이 하여 제작한 전면판(2)과 배면판(9)을 전면판(2)의 표시전극(6)과 배면판(9)의 어드레스 전극(11)이 직교하도록 중첩함과 동시에, 주연(周緣)에 봉착용 유리에 의한 봉착부재를 삽입하고, 이것을 소성하여 기밀 실(seal)층(도시하지 않음)화함으로써 봉착한다. 그리고, 일단 방전 공간(15) 내를 고진공으로 배기한 후, 방전 가스(예를 들면, He-Xe계, Ne-Xe계의 불활성 가스)를 소정의 압력으로 봉입함으로써 PDP(1)를 제작한다.
여기에서, 상술한 PDP(1)의 제조 공정에 있어서, MgO에 의한 보호층(8)의 성막 프로세스의 일예에 대하여 도면을 이용하여 설명한다.
먼저, 성막 장치의 구성의 일예에 대하여 설명한다. 도 2는, 보호층(8)을 형성하기 위한 성막 장치(20)의 개략 구성의 일예를 나타내는 단면도이다.
이 성막 장치(20)는, PDP의 기판(3)에 대하여 MgO를 증착하여 MgO 박막인 보호층(8)을 형성하는 성막실인 증착실(21)과, 증착실(21)에 기판(3)을 투입하기 전에 기판(3)을 예비 가열함과 동시에 예비 배기를 수행하기 위한 기판 투입실(22)과, 증착실(21)에서의 증착이 종료된 후 꺼내어 진 기판(3)을 냉각하기 위한 기판 취출실(23)을 구비하고 있다.
이상의 기판 투입실(22), 증착실(21), 기판 취출실(23) 각각은 내부를 진공 분위기로 할 수 있도록 밀폐 구조로 되어 있으며, 각 실마다 독립적으로 진공 배기계(24a, 24b, 24c)를 각각 구비하고 있다.
또한 기판 투입실(22), 증착실(21), 기판 취출실(23)을 가로질러 반송 롤러, 와이어, 체인 등에 의한 반송수단(25)을 배설하고 있다. 또한, 외기와 기판 투입실(22) 사이, 기판 투입실(22)과 증착실(21) 사이, 증착실(21)과 기판 취출실(23) 사이, 기판 취출실(23)과 외기 사이를 각각 개폐 가능한 칸막이벽(26a, 26b, 26c, 26d)으로 칸막이하고 있다. 반송수단(25)의 구동과 칸막이벽(26a, 26b, 26c, 26d) 개폐와의 연동에 의해 기판 투입실(22), 증착실(21), 기판 취출실(23) 각각의 진공도의 변동을 최저한으로 하고 있다. 기판(3)을 성막장치 바깥으로부터 기판 투입실(22), 증착실(21), 기판 취출실(23)을 순서대로 통과시켜 각각의 실에서의 소정의 처리를 수행하고, 그 후 성막장치(20) 외로 반출하는 것이 가능하며, 복수장의 기판(3)에 대하여 연속하여 MgO를 성막할 수 있다.
또한, 기판 투입실(22), 증착실(21)의 각 실에는 기판(3)을 가열하기 위한 가열 램프(27a, 27b)를 각각 설치하고 있다. 또한, 기판(3)의 반송은 통상적으로 기판 지지구(30)에 지지한 상태로 수행된다.
다음으로 성막실인 증착실(21)에 대하여 설명한다. 증착실(21)에는 증착원(28a)인 MgO의 입자를 넣은 화로(28b), 전자총(28c), 자장을 인가하는 편향 마그네트(도시하지 않음) 등을 설치하고 있다. 전자총(28c)으로부터 조사한 전자빔(28d)을 편향 마그네트에 의해 발생하는 자장에 의해 편향시켜 증착원(28a)에 조사하여, 증착원(28a)인 MgO의 증기류(28e)를 발생시킨다. 그리고 발생시킨 증기류(28e)를, 기판 지지구(30)에 지지시킨 기판(3)의 표면에 퇴적시켜 MgO의 보호층(8)을 형성한다.
여기에서, 보호층(8)인 MgO막의 물성은 그 성막 과정에서의 산소 결손이나 불순물 혼입에 의해 변화한다는 것을 본 발명자들은 검토에 의해 확인할 수 있었다. 이것은, 예를 들면 MgO에 있어서 산소가 결손되거나 C나 H 등의 불순물이 혼입하거나 하면 MgO막 내의 Mg원자와 O원자의 결합에 혼란이 생겨, 이로 인해 발생하는 결합에 관여하지 않는 미결합수(dangling bond)의 존재에 의해 2차 전자방출의 상태가 변화하기 때문인 것으로 생각되어진다.
그런 점에서, MgO막의 물성을 안정시키고 보호층(8)의 특성을 확보하는 것을 목적으로 하여, MgO막 내의 미결합수의 양을 제어하기 위하여, 성막시에 각종 가스를 성막실로 도입하여 그 분위기를 제어하는 것이 수행되는 경우가 있다. 이 경우 각종 가스로는 예를 들면, 산소결손을 방지하고 미결합수의 양을 억제하는 목적으로는 산소가스를 들 수 있으며, 적극적으로 C, H 등의 불순물을 막 중에 혼입시켜 미결합수의 양을 늘리는 목적으로는 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스를 들 수 있다.
그러나, 상술한 바와 같이 가스를 도입하여 증착실(21)의 분위기를 제어하고 성막하고자 하는 경우에, 성막장의 진공도가 변화하게 되면 성막 레이트나 막질에 악영향이 발생한다는 것을 본 발명자들은 검토에 의해 확인할 수 있었다.
즉, 본 발명자들은 검토 결과, 성막실인 증착실(21)에서의, 특히 성막장에서의 진공도의 지표로서 1×10-1Pa ~ 1×10-2Pa의 일정 범위 내로 유지하면서 성막을 수행하는 것이 양질의 금속 산화막을 형성하기 위해서는 중요하다는 것을 확인할 수 있었다. 여기에서 성막장이라 함은 증착실(21) 내에서의 화로(28b)와 기판(3) 사이 주변의 공간을 가리키는 것이며, 또한, 이후의 설명에서의 진공도라 함은 그 성막장에 있어서의 진공도를 가리키는 것이다.
그런 점에서, 본 실시예의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서는, MgO 등의 금속 산화막을 성막하는 공정을 성막장의 진공도가 1×10-1Pa ~ 1×10-2Pa의 범위가 되도록 제어하면서 수행하는 것을 특징으로 하고 있다. 이로 인해, MgO막에 의한 보호층(8) 형성에 있어서 성막 레이트나 막질은 양호하게 되며, 이렇게 하여 양질의 MgO막을 형성하는 것이 실현가능하다.
그리고, 상술한 바와 같은 진공도의 제어를 실현하기 위하여 성막실인 증착실(21)에는 증착실(21)의 분위기를 제어하기 위한 각종 가스를 도입할 수 있는 가스 도입수단(29a)을 적어도 한 개 설치하고 있다. 이 가스 도입수단(29a)에 의해, 예를 들면 산소 가스나, 예를 들면 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스나, 예를 들면 아르곤, 질소, 헬륨 등의 불활성 가스 등을 각각 단독으로 혹은 혼합하여 도입할 수 있다.
또한, 증착실(21) 내에서의 진공도를 검출하기 위한 진공도 검출수단(29b)과, 이 진공도 검출수단(29b)으로부터의 진공도의 정보에 기초하여, 증착실(21) 내의 진공도가 일정 범위 내가 되도록, 가스 도입수단(29a)으로부터의 가스 도입량과 진공 배기계(24b)에 의한 배기량을 제어하는 제어수단(도시하지 않음)을 가지고 있다. 이들 구성에 의해, 가스 도입수단(29a)으로부터의 가스 도입량과 진공 배기계(24b)에 의한 배기량의 평형 상태로 얻어지는 성막실인 증착실(21)의 성막장에서의 진공도로서 1×10-1Pa ~ 1×10-2Pa의 범위로 제어한 상태로 할 수 있으며, 이 상태에서 금속 산화막, 예를 들면 MgO의 증착을 수행하는 것이 가능하게 된다.
구체적으로는, 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스를 일정량 도입하여 소정 물성의 MgO막을 얻는 경우에는, 이들 가스를 도입하면서, 성막장 진공도의 제어는 산소, 또는 산소를 포함하는 가스를 성막장에 도입하여 그 도입량을 조정하여 배기와 평형시킴으로써 일정 범위 내로 제어하면 된다.
또한, 산소, 또는 산소를 포함하는 가스를 일정량 도입하여 소정 물성의 MgO막을 얻는 경우에는, 이들 가스를 도입하면서, 성막장 진공도의 제어는 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스를 성막장에 도입하여 그 도입량을 조정하여 배기와 평형시킴으로써 일정 범위 내로 제어하면 된다.
또한, 산소, 또는 산소를 포함하는 가스를 일정량 도입하는 동시에, 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스도 일정량 도입하여 소정 물성의 MgO막을 얻는 경우에는, 성막장 진공도의 제어는, Ar, 질소, 헬륨 등의 불활성 가스를 성막장에 도입하여 그 도입량을 조정하여 배기와 평형시킴으로써 일정 범위 내로 제어하면 된다. 불활성 가스는 MgO막에 대하여 화학적인 작용을 미치는 일이 없기 때문에, MgO막의 물성에 영향을 주지 않고 진공도의 조정만으로 작용시킬 수 있다.
또한, 불활성 가스와 이산화탄소 중 적어도 하나의 가스와 산소가스를 성막장에 도입하고, 그 도입량을 조정하여 배기와 평형시킴으로써 진공도를 일정 범위 내로 제어할 수도 있다.
다음으로, 성막의 흐름을 설명한다. 먼저, 성막실인 증착실(21)에서는 가열 램프(27b)에 의해 기판(3)을 가열하고 이것을 일정 온도로 유지한다. 이 온도는, 기판(3) 상에 이미 형성되어 있는 표시전극(6)이나 유전체층(7)이 열 열화하는 일이 없도록 100℃~400℃ 정도로 설정된다. 그리고, 셔터(28f)를 닫은 상태에서 전자총(28c)으로부터 전자빔(28d)을 증착원(28a)에 조사하여 예비 가열함으로써 불순 가스의 제거를 수행한 후, 가스 도입 수단(29a)으로부터 가스를 도입한다. 이 때의 가스로는, 예를 들면 산소가스나, 예를 들면 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스나, 아르곤 등의 불활성 가스를 들 수 있다.
그리고, 이 도입하는 가스의 도입량과 진공 배기계(24b)에 의한 배기량을 평형시킴으로써, 진공도를 1×10-1Pa ~ 1×10-2Pa로 유지하도록 제어한다. 이 상태에서 셔터(28f)를 열면, MgO의 증기류(28e)가 기판(3)을 향해 분사된다. 그 결과, 기판(3)에 비산된 증착재료에 의해 기판(3) 상에는 MgO막에 의한 보호층(8)이 형성된다.
그리고, 기판(3) 상에 형성된 MgO막의 증착원인 보호층(8)의 막두께가 소정의 값(예를 들면, 약 0.5㎛)에 달하면, 셔터(28f)를 닫고 칸막이벽(26c)을 통하여 기판(3)을 기판 취출실(23)로 반송한다.
또한, 이상의 설명에 있어서의 성막장이라 함은, 증착실(21) 내에서의 화로(28b)와 기판(3)의 공간을 가리키는 것이다. 또한, 그 성막장에서의 진공도라 함은, 그 공간에 있어서의 진공도를 가리키는 것이다.
이 때에, MgO 막질을 소정으로 유지하기 위한 소정 가스의 도입과, 그 때의 성막장의 진공도 제어를 위한 가스 도입을 상술한 바와 같이 가스 도입수단(29a)에 의해 수행하는 것이다.
또한, 성막장치(20)의 구성으로는 상술한 것 이외에, 예를 들면 기판(3)의 온도 프로파일의 설정 조건에 따라, 기판 투입실(22)과 증착실(21) 사이에 기판(3)을 가열하기 위한 기판 가열실이 한 개 이상 있는 것이나, 증착실(21)과 기판 취출실(23) 사이에 기판 냉각실이 한 개 이상 있는 것 등이라도 상관없다.
또한, 기판(3)에 대한 증착실(21) 내에서의 MgO의 증착은, 기판(3)의 반송을 정지시켜 멈춘 상태에서 수행하여도, 반송하면서 수행하여도 어느 쪽이라도 상관없다.
또한, 성막장치(20)의 구조도 상술한 것에 한정되지 않으며, 택트 조정 등을 위하여 각 실(室) 사이에 버퍼실을 설치한 구성이나, 가열·냉각을 위한 챔버실을 설치한 구성, 배치(batch)식으로 성막을 수행하는 구조의 것 등에 대해서도, 본 발명에 의한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 이상의 발명에 있어서는, 보호층(8)을 MgO에 의해 증착으로 형성하는 예를 이용하여 설명하였으나, 본 발명은 MgO나 증착에 한정되는 것이 아니라, 금속 산화막을 성막하는 경우에 대하여 같은 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 따르면, PDP의 기판에 금속 산화막을 성막할 때, 막 물성이 양질인 금속 산화막을 형성할 수 있는 PDP의 제조방법을 실현할 수 있어, 표시 성능이 우수한 플라즈마 디스플레이 장치 등을 실현할 수 있다.

Claims (5)

  1. 플라즈마 디스플레이 패널의 기판에 금속 산화막을 성막하는 공정을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서, 상기 금속 산화막의 성막시, 성막실의 진공도가 1×10-1Pa ~ 1×10-2Pa의 범위인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    진공도는, 성막실을 배기하면서 산소가스를 도입하여 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    진공도는, 성막실을 배기하면서 물, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소 중에서 선택되는 적어도 하나의 가스를 도입하여 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    진공도는, 성막실을 배기하면서 불활성 가스를 도입하여 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    진공도는, 성막실을 배기하면서 불활성 가스와 이산화탄소 중 적어도 하나의 가스와 산소가스를 도입하여 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
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