KR20050066825A - 반도체 소자의 롬 코딩 방법 - Google Patents
반도체 소자의 롬 코딩 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050066825A KR20050066825A KR1020030098307A KR20030098307A KR20050066825A KR 20050066825 A KR20050066825 A KR 20050066825A KR 1020030098307 A KR1020030098307 A KR 1020030098307A KR 20030098307 A KR20030098307 A KR 20030098307A KR 20050066825 A KR20050066825 A KR 20050066825A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- drain
- source
- semiconductor device
- semiconductor substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76897—Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
공정을 단순화함으로써 제조 비용 및 제조 기간을 단축할 수 있는 반도체 소자의 롬 코딩 방법을 개시한다. 이러한 반도체 소자의 롬 코딩 방법은, 반도체 기판에 게이트, 소오스/드레인으로 이루어진 트랜지스터를 형성하는 단계와, 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계와, 소오스/드레인을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 콘택홀내에 플러그를 형성하는 단계, 및 플러그를 통해 코딩할 영역의 소오스와 드레인을 연결하는 도전층 패턴을 형성하는 단계로 이루어진다.
Description
본 발명은 반도체 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 공정을 단순화함으로써 제조 비용을 절감하고 제조 기간을 단축할 수 있는 반도체 소자의 롬 코딩(ROM coding) 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 메모리 소자를 제조할 때, 롬(ROM)에 "0" 또는 "1"의 값을 기억시키기 위해서는 인핸스먼트 트랜지스터(Enhancement transistor)를 통해 "0"의 값을 기억시켜 항상 오프(off) 상태를 만들고, 게이트를 형성한 후 롬 코딩을 위한 이온주입을 통해 디플리션 트랜지스터(Depletion transistor)로 "1"의 값을 기억시켜 항상 온(on) 상태를 만든다. 따라서, 롬 코딩을 위해서는 별도의 이온 주입 공정이 필요하게 된다. 즉, 이온 주입 공정을 위해 사진 공정, 식각 공정 및 이온 주입 공정이 추가되므로 제조 비용이 증가하고 제조 기간도 길어지게 되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 공정을 단순화함으로써 제조 비용 및 제조 기간을 단축할 수 있는 반도체 소자의 롬 코딩 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명에 의한 반도체 소자의 롬 코딩 방법은, 반도체 기판에 게이트, 소오스/드레인으로 이루어진 트랜지스터를 형성하는 단계와, 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계와, 소오스/드레인을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 콘택홀내에 플러그를 형성하는 단계, 및 상기 플러그를 통해 코딩할 영역의 소오스와 드레인을 연결하는 도전층 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 도전층 패턴은 불순물이 도우핑된 폴리실리콘막 또는 금속막으로 형성할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명에 의한 반도체 소자의 롬 코딩 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 제1 도전형, 예를 들어 P형의 반도체 기판(5) 위에 얇은 산화막을 성장시켜 게이트 절연막(10)을 형성한다. 이 게이트 절연막(10) 위에, 예를 들어 불순물이 도우핑된 폴리실리콘막을 증착한 다음 이방성 식각하여 게이트 전극(15)을 형성한다. 다음, 게이트 전극(15)을 마스크로 사용하여 반도체 기판에 제2 도전형, 예를 들어 N형의 불순물을 고농도로 이온주입하여 트랜지스터의 소오스/드레인(20)을 형성한다.
도 2를 참조하면, 소오스/드레인(20)이 형성된 반도체 기판의 전면에 절연막을 증착하여 층간 절연막(25)을 형성한다. 다음에, 사진 식각 공정을 실시하여 소오스/드레인(20)을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 전면에 도전막을 증착하고 이를 에치백(etchback)하여 상기 콘택홀내에 플러그(plug)(30)를 형성한다.
도 3을 참조하면, 플러그(30)가 형성된 반도체 기판 상에, 예를 들어 불순물이 도우핑된 폴리실리콘막 또는 금속막을 증착하여 도전층(35)을 형성한 후, 사진식각 공정을 통해 상기 도전층을 패터닝하여 코딩할 영역의 소오스와 드레인을 연결한다. 상기 도전층(35)에 의해 코딩될 영역의 소오스와 드레인이 연결되므로 별도의 이온주입 공정이 필요하지 않게 된다.
이상 본 발명을 상세히 설명하였으나 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술적 사상내에서 당분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 물론이다.
상술한 본 발명에 의한 반도체 소자의 롬 코딩 방법에 따르면, 코딩할 영역의 소오스와 드레인을 콘택 플러그를 통해 도전층으로 연결함으로써 코딩을 위한 별도의 이온 주입 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 공정을 단순화할 수 있고 제조기간을 단축할 수 있으므로 비용 절감 및 경쟁력있는 제품 생산을 이룰 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명에 의한 반도체 소자의 롬 코딩 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (2)
- 반도체 기판에 게이트, 소오스/드레인으로 이루어진 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 소오스/드레인을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계;상기 콘택홀내에 플러그를 형성하는 단계; 및상기 플러그를 통해 코딩할 영역의 상기 소오스와 드레인을 연결하는 도전층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 롬 코딩 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 도전층 패턴은 불순물이 도우핑된 폴리실리콘막 또는 금속막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 롬 코딩 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030098307A KR100552846B1 (ko) | 2003-12-27 | 2003-12-27 | 반도체 소자의 롬 코딩 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030098307A KR100552846B1 (ko) | 2003-12-27 | 2003-12-27 | 반도체 소자의 롬 코딩 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050066825A true KR20050066825A (ko) | 2005-06-30 |
KR100552846B1 KR100552846B1 (ko) | 2006-02-22 |
Family
ID=37257849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030098307A KR100552846B1 (ko) | 2003-12-27 | 2003-12-27 | 반도체 소자의 롬 코딩 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100552846B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100667461B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2007-01-10 | 리디스 테크놀로지 인코포레이티드 | 각 셀의 소스 영역마다 콘택이 형성되어 있는 오티피 롬 셀구조, 및 상기 롬의 프로그래밍 및 읽기 방법 |
US8507997B2 (en) | 2010-06-25 | 2013-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mask read-only memory having a fake select transistor |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102144482B1 (ko) | 2018-11-12 | 2020-08-13 | 농업회사법인 주식회사 안성식품 | 당면 제조방법 |
-
2003
- 2003-12-27 KR KR1020030098307A patent/KR100552846B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100667461B1 (ko) * | 2005-09-26 | 2007-01-10 | 리디스 테크놀로지 인코포레이티드 | 각 셀의 소스 영역마다 콘택이 형성되어 있는 오티피 롬 셀구조, 및 상기 롬의 프로그래밍 및 읽기 방법 |
US8507997B2 (en) | 2010-06-25 | 2013-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mask read-only memory having a fake select transistor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100552846B1 (ko) | 2006-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100552846B1 (ko) | 반도체 소자의 롬 코딩 방법 | |
JPH09181277A (ja) | 半導体メモリ装置の製造方法 | |
KR100406500B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
KR100672682B1 (ko) | 바이폴라트랜지스터의 제조방법 | |
KR100313783B1 (ko) | 모스트랜지스터제조방법 | |
KR100414375B1 (ko) | 마스크롬 제조 방법 | |
KR100567025B1 (ko) | 마스크롬 셀 제조 방법 | |
KR100404250B1 (ko) | 불휘발성 메모리 소자의 제조 방법 | |
KR100390891B1 (ko) | 고집적반도체소자의제조방법 | |
KR100395911B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR100192398B1 (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR100390046B1 (ko) | 마스크 롬의 셀 구조 및 그 제조 방법 | |
KR930009133B1 (ko) | 디램 셀의 커패시터 제조방법 | |
KR0167605B1 (ko) | 모스 트랜지스터 제조방법 | |
KR100321179B1 (ko) | 듀얼 게이트전극 형성방법 | |
KR100253705B1 (ko) | 상보형 모스 트랜지스터의 제조 방법 | |
KR20010004551A (ko) | 반도체 집적 장치의 제조방법 | |
KR19990005489A (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
KR20040078240A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
KR19980029032A (ko) | 마스크롬의 제조방법 | |
KR20020046468A (ko) | 디램셀 트랜지스터 제조방법 | |
KR20000051380A (ko) | 반도체 메모리 제조방법 | |
KR20020049934A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 | |
KR20020010965A (ko) | 반도체소자의 제조 방법 | |
KR20060110908A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120119 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |