KR100414375B1 - 마스크롬 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 마스크롬 제조 방법에 관한 것으로, 오픈 베이스 특성을 이용하여 소오스/드레인 불순물 영역을 형성하고, 소오스/드레인을 연결하는 고농도 불순물 이온 주입을 실시한 후 제 1 콘택홀과, 무결정 폴리 실리콘막 및 , PMD막을 차례로 형성하고 이온 주입을 한 후 금속 배선을 형성함으로써, 제 1 콘택홀을 이용하여 코딩하므로 여타의 코딩 영역이 필요하지 않아 칩 면적을 줄일 수 있고, PMD 증착전에 제 1 콘택홀을 형성하므로 반도체 기판의 손상을 줄여 누설 전류를 감소시키며, 일반적인 롬 코딩과는 반대로 Off 특성에서 반대타입의 이온 주입으로 ON 특성을 갖도록 하며 금속 배선 증착시에 금속 배선층 하부에 폴리실리콘막이 형성되어 있어 금속 배선의 단절을 최소화 할 수 있는 이점이 있다.
Description
본 발명은 마스크롬 제조 방법에 관한 것으로, 오픈 베이스 특성을 이용하여 소오스/드레인 불순물 영역을 형성하고, 소오스/드레인을 연결하는 고농도 불순물 이온 주입을 실시한 후 제 1 콘택홀과, 무결정 폴리 실리콘막 및 , PMD막을 차례로 형성하고 이온 주입을 한 후 금속 배선을 형성함으로써, 제 1 콘택홀을 이용하여 코딩하므로 여타의 코딩 영역이 필요하지 않아 칩 면적을 줄일 수 있고, PMD 증착전에 제 1 콘택홀을 형성하므로 반도체 기판의 손상을 줄여 누설 전류를 감소시키며, 일반적인 롬 코딩과는 반대로 Off 특성에서 반대타입의 이온 주입으로 ON 특성을 갖도록 하며 금속 배선 증착시에 금속 배선층 하부에 폴리실리콘막이 형성되어 있어 금속 배선의 단절을 최소화 할 수 있는 마스크롬 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 마스크롬은 디플리션 트랜지스터(Depletion Transistor)와 인핸스드 트랜지스터(Enhanced Transistor)의 조합으로 이루어진다.
먼저, 디플리션 트랜지스터는 디플리션 이온주입에 의해 (-)의 문턱전압을 가지며 게이트 전극에 '0V'의 전압을 인가하면 온(ON) 상태를 유지한다.
그리고 인핸스드 트랜지스터는 디플리션 트랜지스터를 코드(Code) 이온주입으로 채널영역에 카운터-도핑(Count-Doping)하여 약 0.7V의 문턱전압을 갖도록 하므로 마스크롬의 오프(OFF) 트랜지스터로 작용한다.
도 1a는 일반적인 디플리션 트랜지스터의 동작특성을 나타낸 그래프이고, 도1b는 일잔적인 인핸스먼트형 트랜지스터의 동작특성을 나타낸 그래프이다.
도 1a 내지 1b에 도시한 바와같이 디플리션형 트랜지스터는 게이트 전극에 전압을 인가하지 않아도 채널이 형성됨을 나타낸 것이고, 인핸스먼트형 트랜지스터는 게이트 전극에 임계전압 이상을 인가하여야 채널이 형성되는 것을 보여준다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 마스크롬의 제조 방법을 설명한다.
도 2a 내지 도 2d는 종래 마스크롬의 코딩방법을 나타낸 공정단면도로써 먼저, 도 2a에 도시한 바와같이 n형 반도체 기판(11)에 필드영역과 활성영역을 정의한 후, 상기 필드영역에 필드이온 주입을 실시하여 서로 일정간격을 갖는 복수개의 필드 산화막(12)을 형성한다.
그리고 상기 필드 산화막(12)을 포함한 상기 반도체 기판(11)의 전면에 포토공정 및 디플리션(Depletion) 이온주입을 실시한다.
이때 사용되는 불순물로서는 NMOS 디플레이션 모드에서는 채널을 N형으로 해주어야하므로 N형 불순물인 아세닉(As) 이온을 사용한다.
이어, 도 2b에 도시된 바와같이 상기 필드 산화막(12)을 포함한 반도체 기판(11)의 전면에 게이트 절연막(13) 및 다결정실리콘층을 형성한 후, 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하여 상기 반도체 기판(11)의 활성영역에 복수개의 게이트 절연막(13) 및 게이트 전극(14)을 형성한다.
그리고 상기 게이트 전극(14)들을 포함한 반도체 기판(11)의 전면에 절연막을 증착한 후 에치백(Etch Back)하여 상기 게이트 전극(14)의 양측면에 측벽 스페이서(SideWall Sapacer)(15)를 형성한다.
이어, 상기 게이트 전극(14) 및 측벽 스페이서(15)를 마스크로 이용한 소오스/드레인 이온주입 공정을 통해 상기 게이트전극(14) 양측의 반도체 기판(11)에 소오스/드레인 불순물 영역(16)을 형성한다.
이어서, 도 2c에 도시한 바와같이 커스터머(Customer)의 요구에 따라 코딩이온 주입을 실시하는데, 이를 위해 오프(Off)트랜지스터를 만들기 위해 필요한 게이트 전극(14)을 제외한 다른 영역을 마스킹한다.
즉, 상기 게이트 전극(14)들을 포함한 반도체 기판(11)의 전면에 포토레지스트(17)를 도포한 후, 오프 트랜지스터 형성을위해 필요한 게이트 전극(14)만이 노출되도록 노광 및 현성공정으로 패터닝한다.
그리고 패터닝된 포토레지스트(17)를 마스크로 이용하여 상기 게이트 전극(14)을 통해 코드 이온을 주입한다.
따라서 도 2d에 도시된 바와같이 상기 포토레지스트(17)를 제거하면 온(On) 트랜지스트와 코딩이온 주입에 의해 구현된오프(Off) 트랜지스터가 만들어지므로써 데이터 코딩이 완료된다.
그러나 이와 같은 종래 기술에 의한 롬 코딩 방법에 의하면 액티브 영역에 이온을 주입하는 방법은 누설 전류가 발생하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 오픈 베이스 특성을 이용하여 소오스/드레인 불순물 영역을 형성하고, 소오스/드레인을 연결하는 고농도 불순물 이온 주입을 실시한 후 제 1 콘택홀과, 무결정 폴리 실리콘막 및 , PMD막을 차례로 형성하고 이온 주입을 한 후 금속 배선을 형성함으로써, 제 1 콘택홀을 이용하여 코딩하므로 여타의 코딩 영역이 필요하지 않아 칩 면적을 줄일 수 있고, PMD 증착전에 제 1 콘택홀을 형성하므로 반도체 기판의 손상을 줄여 누설 전류를 감소시키며, 일반적인 롬 코딩과는 반대로 Off 특성에서 반대타입의 이온 주입으로 ON 특성을 갖도록 하며 금속 배선 증착시에 금속 배선층 하부에 폴리실리콘막이 형성되어 있어 금속 배선의 단절을 최소화 할 수 있는 마스크롬 제조 방법을 제공하는 것이다.
도 1a는 일반적인 디플리션 트랜지스터의 동작특성을 나타낸 그래프이다.
도 1b는 일반적인 인핸스먼트형 트랜지스터의 동작특성을 나타낸 그래프이다.
도 2a 내지 도 2d는 종래 기술에 의한 마스크롬의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 의한 마스크롬의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -
20 : 반도체 기판 21 : 게이트 절연막
22 : 게이트 전극 23 : 질화막 스페이서
24 : 절연막 25 : 무결정 실리콘막
26 : PMD막 27 : 레지스트 패턴
28 : 메탈 A : 제 1 콘택홀
B: 제 2 콘택홀
상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 마스크 롬 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 게이트 절연막 및 폴리사이드층을 적층한 후 레지스트 패턴을 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 패턴닝하여 게이트 절연막 및 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 소오스/드레인 이온 주입을 통해 게이트 전극 양측 반도체 기판 상에 소오스/드레인 불순물 영역을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판 전면에 질화막을 증착한 후 전면 식각을 통해 게이트 전극 양측면에 질화막 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 질화막 스페이스가 증착된 결과물 상에 소오스/드레인을 연결하는 고농도 불순물 이온 주입을 하고, 상기 반도체 기판 상에 절연막을 증착한 후 포토리소그래피 공정을 통해 제 1 콘택홀을 형성하는 단게와, 상기 제 1 콘택홀이 형성된 결과물 상부에 폴리실리콘막을 증착하는 단계와, 상기 무결정 폴리실리콘막을 패터닝한 후 PMD를 증착하고 포토 리소그래피 공정을 실시하여 제 2 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 제 2 콘택홀이 형성된 결과물 상부에 레지스트 패턴을 형성한 후 레지스트 패턴을 마스크로 이온 주입을 실시하는 단계와, 상기 레지스트 패턴을 제거하고 메탈을 증착한 후 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크롬 제조 방법에 관한 것이다.
이때, 상기 제 1 콘택홀이 형성된 결과물 상부에 폴리실리콘막을 증착 하는 단계는 무결정 실리콘막을 증착하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이며 종래 구성과 동일한 부분은 동일한 부호 및 명칭을 사용한다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 의한 마스크롬의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
먼저 도3a에 도시된 바와 같이 반도체 기판(20) 상에 게이트 절연막(21) 및 폴리사이드층을 적층한 후 레지스트 패턴(미도시함)을 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 패턴닝하여 게이트 절연막 (21)및 게이트 전극(22)을 형성한 후 상기 레지스트 패턴(미도시함)을 마스크로 소오스/드레인 이온 주입을 통해 게이트 전극(22) 양측의 반도체 기판(20) 상에 소오스/드레인 불순물 영역(미도시함)을 형성하고, 이어 반도체 기판(20) 전면에 질화막을 증착한 후 전면 식각으로 게이트 전극(22)양측면에 질화막 스페이서(23)를 형성한다.
이어 도3b에 도시된 바와 같이 반도체 기판(20) 상에 소오스/드레인을 연결하는 고농도 불순물 이온 주입을 하고, 절연막(24)을 증착한 후 포토리소그래피 공정을 통해 제 1 콘택홀(A)을 형성하고, 도3c에 도시된 바와 같이 바이폴라 트랜지스터의 오픈 베이스 영역으로 사용될 무결정 폴리실리콘막(25)을 증착한다.
그리고 도3d에 도시된 바와 같이 포토 리소그래피 공정을 통해 무결정 폴리실리콘막(25)을 패터닝한 후 도3e에 도시된 바와 같이 게이트와 금속 배선을 분리하는 PMD(26)를 증착하고 포토 리소그래피 공정을 실시하여 제 2 콘택홀(B)을 형성한다.
이어서, 도3f에 도시된 바와 같이 레지스트 패턴(27)을 형성한 후 레지스트 패턴(27)을 마스크로이온 주입을 한 후 도3g에 도시된 바와 같이 금속 배선으로 사용될 메탈(28)을 증착한 후 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝 한다.
이때, ROM 트랜지스터가 Off 특성을 갖고 있다가, 코딩시 소정의 영역에 소오스/드레인 영역과 같은 타입의 이온을 주입하여 On 특성을 갖도록 한다.
이와 같이 본 발명은 오픈 베이스 특성을 이용하여 콘택홀을 이용하여 롬 코딩하므로 코딩을 용하는 영역이 따로 필요하지 않아 칩 면적을 줄일 수 있고, PMD 증착전에 제1 콘택홀을 형성함으로써, 반도체 기판의 손상을 최대한 억제하고 소자의 누설 전류 발생을 방지할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명은 오픈 베이스 특성을 이용하여 소오스/드레인 불순물 영역을 형성하고, 소오스/드레인을 연결하는 고농도 불순물 이온 주입을 실시한 후 제 1 콘택홀과, 무결정 폴리 실리콘막 및 , PMD막을 차례로 형성하고 이온 주입을 한 후 금속 배선을 형성함으로써, 제 1 콘택홀을 이용하여 코딩하므로 여타의 코딩 영역이 필요하지 않아 칩 면적을 줄일 수 있고, PMD 증착전에 제 1 콘택홀을 형성하므로 반도체 기판의 손상을 줄여 누설 전류를 감소시키며, 일반적인 롬 코딩과는 반대로 Off 특성에서 반대타입의 이온 주입으로 ON 특성을 갖도록 하며 금속 배선 증착시에 금속 배선층 하부에 폴리실리콘막이 형성되어 있어 금속 배선의 단절을 최소화 할 수 있는 이점이 있다.
Claims (2)
- 반도체 기판 상에 게이트 절연막 및 폴리사이드층을 적층한 후 레지스트 패턴을 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 패턴닝하여 게이트 절연막 및 게이트 전극을 형성하는 단계와,상기 레지스트 패턴을 마스크로 소오스/드레인 이온 주입을 통해 게이트 전극 양측 반도체 기판 상에 소오스/드레인 불순물 영역을 형성하는 단계와,상기 반도체 기판 전면에 질화막을 증착한 후 전면 식각으로 게이트 전극양측면에 질화막 스페이서를 형성 하는 단계와,상기 질화막 스페이서가 형성된 결과물 상에 소오스/드레인을 연결하는 고농도 불순물 이온 주입을 실시하는 단계와,상기 반도체 기판 상에 절연막을 증착한 후 포토리소그래피 공정을 통해 제 1 콘택홀을 형성하는 단계와,상기 제 1 콘택홀이 형성된 결과물 상부에 폴리실리콘막을 증착 하는 단계와,상기 폴리실리콘막을 패터닝한 후 PMD를 증착하고 포토 리소그래피 공정을 실시하여 제 2 콘택홀을 형성하는 단계와,상기 제 2 콘택홀이 형성된 결과물 상부에 레지스트 패턴을 형성한 후 레지스트 패턴을 마스크로 이온 주입을 실시하는 단계와,상기 레지스트 패턴을 제거하고 메탈을 증착한 후 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝 하는 단계,를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크롬 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 콘택홀이 형성된 결과물 상부에 폴리실리콘막을 증착 하는 단계는 무결정 실리콘막을 증착하는 것을 특징으로 하는 마스크롬 제조 방법.
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2001
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