KR20050052339A - 인버터회로 - Google Patents

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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

고압측 스위칭소자의 턴오프시에 발생하는 부의 서지전압을 억제할 수 있는 인버터회로를 얻는다. 인버터회로는, 전원전위(Vcc)와 GND 전위와의 사이에서 직렬로 접속된 IGBT(3, 4)와, IGBT(3, 4)의 구동을 각각 제어하기 위한 HVIC(1) 및 LVIC(2)를 구비하고 있다. 또한 인버터회로는, 콘덴서(5), 다이오드(6) 및 저항(7)을 구비하고 있다. 콘덴서(5)는, VS 단자와 GND 전위와의 사이에 접속되어 있다. 다이오드(6)는, VS 단자와 GND 전위와의 사이에서, GND 전위로부터 VS 단자를 향하여 순방향전류가 흐르는 극성으로, 콘덴서(5)에 직렬로 접속되어 있다. 저항(7)은, 콘덴서(5)에 병렬로 접속되어 있다.

Description

인버터회로{INVERTER CIRCUIT}
본 발명은, 인버터회로에 관한 것이다.
일반적으로, 인버터회로는, 전원전위와 GND 전위와의 사이에서 직렬로 접속된 고압측 스위칭소자 및 저압측 스위칭소자와, 고압측 스위칭소자 및 저압측 스위칭소자의 구동을 각각 제어하기 위한 고압측 구동회로 및 저압측 구동회로를 구비하고 있다. 이때, 종래의 인버터회로에 관한 기술이, 하기의 특허문헌 1∼4에 개시되어 있다.
[특허문헌 1] 일본특허공개 2003-178895호 공보
[특허문헌 2] 일본특허공개평 9-21997호 공보
[특허문헌 3] 일본특허공개평 10-42575호 공보
[특허문헌 4] 국제공개 제01/59918호 팸플릿
그러나, 종래의 인버터회로에는 이하와 같은 문제가 있다.
인버터회로에서는, 고압측 스위칭소자의 턴오프시에, 저압측 스위칭소자에 역병렬접속된 FWD(하부암 FWD)의 환류 모드가 된다. 이때, 고압측 스위칭소자의 턴오프의 di/dt와, 하부암 FWD의 환류 루프 인덕턴스와의 곱으로서 얻어지는 부의 서지전압이, 인버터회로의 출력단자에 발생한다. 이 서지전압이 소정의 값 이상이 되면, 고압측 구동회로의 파괴나 오동작의 원인이 될 수 있다. 스위칭 전류가 클수록 서지전압도 커지기 쉽기 때문에, 인버터회로의 대전류화가 곤란하다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 고압측 스위칭소자의 턴오프시에 발생하는 부의 서지전압을 억제할 수 있는 인버터회로를 얻는 것을 목적으로 한다.
제1 국면에 의하면, 인버터회로는, 전원전위와 GND 전위와의 사이에 직렬로 접속된, 고압측 스위칭소자 및 저압측 스위칭소자와, 상기 고압측 스위칭소자의 전류유출단자에 접속되고, 고전위측 내부회로의 기준전위를 제공하는 VS 단자를 갖는, 고압측 구동회로와, 상기 VS 단자와 상기 GND 전위와의 사이에 접속된 콘덴서와, 상기 VS 단자와 상기 GND 전위와의 사이에서, 상기 GND 전위로부터 상기 VS 단자를 향하여 순방향전류가 흐르는 극성으로 상기 콘덴서에 직렬로 접속된 다이오드와, 상기 다이오드 및 상기 콘덴서 중 적어도 어느 하나에 병렬로 접속된 저항을 구비한다.
제2 국면에 의하면, 인버터회로는, 전원전위와 GND 전위와의 사이에 직렬로 접속된, 고압측 스위칭소자 및 저압측 스위칭소자와, 상기 GND 전위에 접속되고, 저전위측 내부회로의 기준전위를 제공하는 COM 단자를 갖는, 고압측 구동회로와, 상기 COM 단자로부터 상기 GND 전위로 향하여 순방향전류가 흐르는 극성으로, 상기 COM 단자와 상기 GND 전위와의 사이에 접속된 다이오드를 구비한다.
제3 국면에 의하면, 인버터회로는, 전원전위와 GND 전위와의 사이에서 직렬로 접속된, 고압측 스위칭소자 및 저압측 스위칭소자와, 부트 스트랩 전원 콘덴서를 통해 상기 고압측 스위칭소자의 전류유출단자에 접속된 VDB 단자를 갖는, 고압측 구동회로와, 상기 전류유출단자와 상기 VDB 단자와의 사이에서, 상기 전류유출단자로부터 상기 VDB 단자를 향하여 순방향전류가 흐르는 극성으로 상기 콘덴서에 직렬로 접속된 다이오드를 구비한다.
제1∼제3 국면에 의하면, 고압측 스위칭소자의 턴오프시에 발생하는 부의 서지전압을 억제할 수 있다.
[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]
(실시예 1)
도 1은, 본 발명의 실시예 1에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다. 도 1에서는, 복수상(통상은 3상)의 인버터회로 중의 1상분의 회로구성만을 나타내고 있다. 또한, 도 1에서는, 인버터회로 중, 주로 본 발명에 관한 부분만을 추출해서 나타내고 있다. 인버터회로는, 전원전위 Vcc와 GND 전위와의 사이에서 직렬로 접속된 IGBT 3(고압측 스위칭소자) 및 IGBT 4(저압측 스위칭소자)와, IGBT(3, 4)의 구동을 각각 제어하기 위한 HVIC(1)(고압측 구동회로) 및 LVIC(2)(저압측 구동회로)를 구비하고 있다.
도 2는, HVIC(1)의 내부 구성을 간략적으로 나타내는 회로도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이 HVIC(1)는, 입력회로, 원샷회로, 레벨 시프트회로, 제어전원저하 보호회로 및 구동회로를 가지고 있다. 도 2에 나타낸 HVIC(1)의 내부 구성은, 후술하는 실시예 2∼7에 관해서도 동일하다.
도 1, 2를 참조하여, HVIC(1)는, Vcc 단자, PIN 단자, COM 단자, VDB 단자, HO 단자 및 VS 단자를 구비하고 있다. Vcc 단자에는, 외부 접속된 15V 정도의 제어 전원 VD로부터, HVIC(1)의 저전위측 내부회로(도 2에 나타낸 입력회로 및 원샷회로)의 구동전력이 공급된다. PIN 단자에는, 외부 접속된 마이컴으로부터, 입력신호가 인가된다. COM 단자는, 저전위측 내부회로의 기준전위를 제공하는 단자이고, GND 전위에 접속되어 있다. VDB 단자는, 부트 스트랩 전원 콘덴서(100)를 통해, IGBT 3의 에미터(전류유출단자)에 접속되어 있다. HO 단자는, IGBT 3의 게이트에 접속되어 있다. VS 단자는, 고전위측 내부회로(도 2에 나타낸 제어전원저하 보호회로 및 구동회로)의 기준전위를 제공하는 단자이고, IGBT 3의 에미터에 접속되어 있다.
도 1을 참조하여, 인버터회로는, 부트 스트랩 전원 콘덴서(100)를 구비하고 있다. 부트 스트랩 전원 콘덴서(100)는, IGBT 4가 온상태시에 제어전원 VD에 의해 충전되고, IGBT 3이 온상태시에, 고전위측 내부회로의 구동전력을 VDB 단자를 통해 HVIC(1)에 공급한다.
또한 인버터회로는, 콘덴서(5), 다이오드(6) 및 저항(7)을 구비하고 있다. 콘덴서(5)는, VS 단자와 GND 전위와의 사이에 접속되어 있다. 다이오드(6)는, VS 단자와 GND 전위와의 사이에서, GND 전위로부터 VS 단자를 향하여 순방향전류가 흐르는 극성으로, 콘덴서(5)에 직렬로 접속되어 있다. 저항(7)은, 콘덴서(5)에 병렬로 접속되어 있다.
HVIC(1)의 PIN 단자에 온신호(High 레벨의 신호)가 인가되면, IGBT 3이 온하고, 도 1에 나타낸 전류 I1이 흐른다. 그 후에 PIN 단자에 오프신호(Low 레벨의 신호)가 인가되면 IGBT 3은 턴오프하고, 그 때, 도 1에 나타낸 전류 I2가 흐르는 순간, IGBT 3의 턴오프의 di/dt와, 도 1에서 굵은 선으로 나타낸 부분의 배선의 인덕턴스와의 곱으로서 얻어지는 부의 서지전압이 발생한다.
배경기술의 설명에서 서술한 바와 같이, 과대한 서지전압은 HVIC(1)의 파괴나 오동작의 원인이 될 수 있다. 그렇지만, 본 실시예 1에 관한 인버터회로에 의하면, VS 단자와 GND 전위와의 사이에 직렬로 접속된 콘덴서(5) 및 다이오드(6)에 의해 서지전압을 억제 할 수 있고, 더욱이, 직류적인 전류는 흐르지 않기 때문에, 저렴한 콘덴서(5) 및 다이오드(6)를 사용하여 구성할 수 있다. 또한 서지전압에 기인해서 콘덴서(5)에 충전된 전하를 저항(7)에 의해 방전할 수 있으므로, 콘덴서(5)의 서지흡수효과가 저하하는 것을 회피할 수 있다.
도 3은, 도 1에 대응시켜, 본 실시예 1의 변형예에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다. 도 1에서는, 저항 7을 콘덴서 5에 병렬로 접속했지만, 도 3에 나타내는 바와 같이 저항 8을 다이오드 6에 병렬로 접속해도 된다. 혹은, 저항 7, 8을 양쪽에도 배치해도 된다. 도 3에 나타낸 인버터회로에 의해서도, 도 1에 나타낸 인버터회로와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
(실시예 2)
도 4는, 본 발명의 실시예 2에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다. 도 4에서는, 복수상의 인버터회로 중의 1상분의 회로구성만을 나타내고 있다. 또한 도 4에서는, 인버터회로 중, 주로 본 발명에 관한 부분만을 추출해서 나타내고 있다. 본 실시예 2에 관한 인버터회로에서는, IGBT 3의 턴오프에 기인하는 서지전압을 억제하기 위한 소자로서, 도 1에 나타낸 콘덴서 5, 다이오드 6 및 저항 7 대신에, 다이오드 10이 배치되어 있다. 다이오드 10은, HVIC(1), LVIC(2) 및 IGBT(3, 4)와 함께, DIP-IPM(Dual-In-Line Package Intelligent Power Module)(9)로서 모듈화되어 있다. 다이오드 10은, HVIC(1)의 COM 단자에 접속된 애노드와, DIP-IPM(9)의 단자(50)에 접속된 캐소드를 가지고 있고, HVIC(1)의 COM 단자로부터 GND 전위로 향하여 순방향전류가 흐르는 극성으로, HVIC(1)의 COM 단자와 GND 전위와의 사이에 접속되어 있다.
도 5는, HVIC(1)의 COM 단자에 다이오드 10이 접속된 상태로, 도 2에 나타낸 레벨 시프트회로의 내부 구성을 나타내는 회로도이다.
도 5를 참조하여, IGBT 3의 턴오프에 기인해서 부의 서지전압이 VDB 단자에 인가되어도, COM 단자-VDB 단자 사이의 전압은, 다이오드 10에 의해 클램프(역저지)된다. 따라서, COM 단자-VDB 단자 사이에 과대한 서지전압이 인가될 일은 없고, 또한, 전류도 흐르지 않기 때문에 , HVIC(1)의 파괴나 오동작은 방지된다.
(실시예 3)
도 6은, 도 4에 대응시켜, 본 발명의 실시예 3에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다. 본 실시예 3에 관한 인버터회로에서는, 도 4에 나타낸 일반적인 다이오드 10 대신에, 다이오드 10과 동일한 극성으로 고속 다이오드 11이 배치되어 있다.
도 4에 나타낸 인버터회로에서는, 다이오드 10에는 제어전원 VD로부터 HVIC(1)의 회로전류가 항상 통전되어 있기 때문에, 상기한 부의 서지전압이 VDB 단자에 인가된 경우(즉 다이오드 D1에 역바이어스 인가된 경우), 다이오드 D1의 리커버리 기간에서는, COM 단자-VDB 단자 사이에 서지전압이 인가되어, HVIC(1)의 오동작이 생길 가능성이 있다.
이에 비해, 본 실시예 3에 관한 인버터회로에서는, 도 4에 나타낸 통상의 다이오드 10 대신에, 고속 다이오드 11이 배치되어 있다. 고속 다이오드 11은 통상의 다이오드 10에 비해 리커버리 기간이 짧기 때문에, HVIC(1)의 COM 단자-VDB 단자 사이에 서지전압이 인가되는 기간도 짧아져, 오동작내량을 더 높일 수 있다.
(실시예 4)
도 4 또는 도 6에 나타낸 인버터회로에서, 제어전원 VD의 전압을 VD0, 다이오드 10 또는 고속 다이오드 11의 양단에 인가되는 서지전압을 VR0으로 하면, HVIC(1)의 Vcc 단자-COM 단자 사이에는 전압 VD0+VR0이 인가된다. 따라서, 서지전압 VR0이 과대해서, HVIC(1)의 Vcc 단자-COM 단자 사이에 정격전압 Vm을 넘는 전압이 인가된 경우, HVIC(1)가 파괴할 가능성이 있다.
도 7은, 도 4 또는 도 6에 대응시켜, 본 발명의 실시예 4에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다. 도 4에 나타낸 통상의 다이오드 10 또는 도 6에 나타낸 고속 다이오드 11 대신에, 제너전압 Vz1을 갖는 제너 다이오드 12가, 다이오드 10 또는 고속 다이오드 11과 동일한 극성으로 배치되어 있다. 제너 다이오드 12는, 전압 VD0+Vz1의 값이 정격전압 Vm 이하가 되는 제너전압 Vz1을 가지고 있다.
본 실시예 4에 관한 인버터회로에 의하면, 과대한 서지전압이 인가된 경우라도, HVIC(1)의 Vcc 단자-COM 단자 사이의 전압은 정격전압 Vm 이하의 전압 VD0+Vz1에 클램프되기 때문에, HVIC(1)가 파괴하는 것을 방지할 수 있다.
(실시예 5)
상기 실시예 4에서 서술한 것 같이, 도 4 또는 도 6에 나타낸 인버터회로에서는, 서지전압 VR0이 과대해서, HVIC(1)의 Vcc 단자-COM 단자 사이에 정격전압 Vm을 넘는 전압이 인가된 경우, HVIC(1)가 파괴할 가능성이 있다.
도 8은, 도 4 또는 도 6에 대응시켜, 본 발명의 실시예 5에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다. 도 4에 나타낸 통상의 다이오드 10 또는 도 6에 나타낸 고속 다이오드 11에 추가하여, 제너전압 Vz2를 갖는 제너 다이오드 13이 배치되어 있다. 제너 다이오드 13은, HVIC(1)의 COM 단자에 접속된 애노드와, HVIC(1)의 Vcc 단자에 접속된 캐소드를 가지고 있다. 또한 제너 다이오드 13은, HVIC(1)의 Vcc 단자-COM 단자 사이의 정격전압 Vm 이하의 제너전압 Vz2를 가지고 있다.
본 실시예 5에 관한 인버터회로에 의하면, 과대한 서지전압이 인가된 경우라도, HVIC(1)의 Vcc 단자-COM 단자 사이의 전압은 정격전압 Vm 이하의 제너전압 Vz2에 클램프되기 때문에, HVIC(1)가 파괴하는 것을 방지할 수 있다.
(실시예 6)
도 9는, 도 4에 대응시켜, 본 발명의 실시예 6에 관한 인버터회로의 제1 구성을 나타내는 회로도이다. 도 4에는 다이오드 10이 1개만 나타나 있지만, 실제로는 인버터회로는 복수상(보통은 3상)으로 이루어지는 회로구성을 가지고 있고, HVIC(1) 및 제어전원 VD도 각상마다 개별적으로 배치되어 있다. 따라서, 도 4에 나타낸 다이오드 10도, 각상의 HVIC(1)에 대응해서 개별적으로 배치되어 있다.
이에 비해 도 9에 나타낸 인버터회로에서는, 각상의 HVIC(1)가 갖는 COM 단자가, DIP-IPM(15) 내에 서로 공통으로 접속되어 있다. 이에 따라 제어전원 VD는 복수상의 HVIC(1)에 공통하여 1개만 필요하게 되고, 따라서, 다이오드 16도 복수상의 HVIC(1)에 공통되어 1개만 배치하면 충분하다. 다이오드 16은, DIP-IPM(15)의 외부에 배치되어 있고, DIP-IPM(15)의 단자(51)에 접속된 애노드와, 제어전원 VD의 GND 전위에 접속된 캐소드를 가지고 있다. 단자 51은, HVIC(1)의 COM 단자에 접속되어 있다.
도 10은, 도 6에 대응시켜, 본 발명의 실시예 6에 관한 인버터회로의 제2 구성을 나타내는 회로도이다. 각상의 HVIC(1)에 대응해서 개별적으로 배치된 고속 다이오드 11(도 6) 대신에, 복수상의 HVIC(1)에 공통되는 고속 다이오드 17이 1개만 배치되어 있다.
도 11은, 도 7에 대응시켜, 본 발명의 실시예 6에 관한 인버터회로의 제3 구성을 나타내는 회로도이다. 각상의 HVIC(1)에 대응해서 개별적으로 배치된 제너 다이오드 12(도 7) 대신에, 복수상의 HVIC(1)에 공통되는 제너 다이오드 18이 1개만 배치되어 있다.
도 12는, 도 8에 대응시켜, 본 발명의 실시예 6에 관한 인버터회로의 제4 구성을 나타내는 회로도이다. 도 9 또는 도 10에서 설명한 상기한 변경에 부가하여, 각상의 HVIC(1)에 대응하여 개별적으로 배치된 제너 다이오드 13(도 8) 대신에, 복수상의 HVIC(1)에 공통되는 제너 다이오드 19가 1개만 배치되어 있다. 제너 다이오드 19는, DIP-IPM(15)의 단자 51에 접속된 애노드와, DIP-IPM(15)의 단자 52에 접속된 캐소드를 가지고 있다. 단자 52는, HVIC(1)의 Vcc 단자에 접속되어 있다.
이와 같이 본 실시예 6에 관한 인버터회로에 의하면, 복수상의 HVIC(1)에 공통하여 다이오드 16, 고속 다이오드 17, 제너 다이오드 18, 19를 설치함으로써, 이들 다이오드가 각상마다 개별적으로 설치되어 있는 경우와 비교하면, 회로구성의 간략화를 도모할 수 있다.
(실시예 7)
도 13은, 본 발명의 실시예 7에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다. 도 13에서는, 복수상의 인버터회로 중의 1상분의 회로구성만을 나타내고 있다. 또한, 도 13에서는, 인버터회로 중, 주로 본 발명에 관련하는 부분만을 추출하고 나타내고 있다. 본 실시예 7에 관한 인버터회로에서는, IGBT 3의 턴오프에 기인하는 서지전압을 억제하기 위한 소자로서, 도 1에 나타낸 콘덴서 5, 다이오드 6 및 저항 7 대신에, 다이오드 21이 배치되어 있다. 다이오드 21은, DIP-IPM(20)의 외부에 배치되어 있고, 부트 스트랩 전원 콘덴서(100)에 접속된 애노드와, DIP-IPM(20)의 단자(53)에 접속된 캐소드를 가지고 있다. 단자 53은, HVIC(1)의 VDB 단자에 접속되어 있다. 이에 따라, 다이오드 21은, IGBT 3의 에미터와 HVIC(1)의 VDB 단자와의 사이에서, 에미터로부터 VDB 단자로 향하여 순방향전류가 흐르는 극성으로, 부트 스트랩 전원 콘덴서(100)에 접속되어 있다.
도 14는, HVIC(1)의 VDB 단자에 다이오드 21이 접속된 상태에서, 도 2에 나타낸 레벨 시프트회로의 내부 구성을 나타내는 회로도이다.
도 14를 참조하여, 다이오드 21이 배치되어 있지 않은 경우는, IGBT 3의 턴오프에 기인해서 부의 서지전압이 VDB 단자에 인가되면, 도 14에 나타낸 다이오드 30이 순바이어스되어 전류가 흐르고, 레벨 시프트동작이 행해지지 않는다는 오동작이 발생할 수 있다. 이에 대하여 본 실시예 7에 관한 인버터회로에서는, VDB 단자에 다이오드 21을 접속함으로써, 이 전류가 흐르는 것을 저지할 수 있다. 그 결과, HVIC(1)의 오동작은 방지된다.
제1∼제3 국면에 의하면, 고압측 스위칭소자의 턴오프시에 발생하는 부의 서지전압을 억제 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 2는 HVIC의 내부 구성을 간략적으로 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 1에 대응시켜, 본 발명의 실시예 1의 변형예에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 2에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 5는 HVIC의 COM 단자에 다이오드가 접속된 상태로, 도 2에 나타낸 레벨 시프트회로의 내부 구성을 나타내는 회로도이다.
도 6은 도 4에 대응시켜, 본 발명의 실시예 3에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 7은 도 4 또는 도 6에 대응시켜, 본 발명의 실시예 4에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 8은 도 4 또는 도 6에 대응시켜, 본 발명의 실시예 5에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 9는 도 4에 대응시켜, 본 발명의 실시예 6에 관한 인버터회로의 제1 구성을 나타내는 회로도이다.
도 10은 도 6에 대응시켜, 본 발명의 실시예 6에 관한 인버터회로의 제2 구성을 나타내는 회로도이다.
도 11은 도 7에 대응시켜, 본 발명의 실시예 6에 관한 인버터회로의 제3 구성을 나타내는 회로도이다.
도 12는 도 8에 대응시켜, 본 발명의 실시예 6에 관한 인버터회로의 제4 구성을 나타내는 회로도이다.
도 13은 본 발명의 실시예 7에 관한 인버터회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 14는 HVIC의 VDB 단자에 다이오드가 접속된 상태로, 도 2에 나타낸 레벨 시프트회로의 내부 구성을 나타내는 회로도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : HVIC 3 : IGBT
5 : 콘덴서 6, 7, 8 : 저항
11, 17 : 고속 다이오드 12, 18, 19 : 제너 다이오드
100 : 부트 스트랩 전원 콘덴서

Claims (3)

  1. 전원전위와 GND 전위와의 사이에 직렬로 접속된, 고압측 스위칭소자(3) 및 저압측 스위칭소자(4)와,
    상기 고압측 스위칭소자의 전류유출단자에 접속되고, 고전위측 내부회로의 기준전위를 제공하는 단자(이하 「VS 단자」)를 갖는, 고압측 구동회로(1)와,
    상기 VS 단자와 상기 GND 전위와의 사이에 접속된 콘덴서(5)와,
    상기 VS 단자와 상기 GND 전위와의 사이에서, 상기 GND 전위로부터 상기 VS 단자로 향하여 순방향전류가 흐르는 극성으로 상기 콘덴서에 직렬로 접속된 다이오드(6)와,
    상기 다이오드 및 상기 콘덴서 중 적어도 어느 하나에 병렬로 접속된 저항(7, 8)을 구비한 것을 특징으로 하는 인버터회로.
  2. 전원전위와 GND 전위와의 사이에 직렬로 접속된, 고압측 스위칭소자(3) 및 저압측 스위칭소자(4)와,
    상기 GND 전위에 접속되고, 저전위측 내부회로의 기준전위를 제공하는 단자(이하 「COM 단자」)를 갖는, 고압측 구동회로(1)와,
    상기 COM 단자로부터 상기 GND 전위로 향하여 순방향전류가 흐르는 극성으로, 상기 COM 단자와 상기 GND 전위와의 사이에 접속된 다이오드(10)를 구비한 것을 특징으로 하는 인버터회로.
  3. 전원전위와 GND 전위와의 사이에서 직렬로 접속된, 고압측 스위칭소자(3) 및 저압측 스위칭소자(4)와,
    부트 스트랩 전원 콘덴서(100)를 통해 상기 고압측 스위칭소자의 전류유출단자에 접속된 단자(이하 「VDB 단자」)를 갖는, 고압측 구동회로(1)와,
    상기 전류유출단자와 상기 VDB 단자와의 사이에서, 상기 전류유출단자로부터 상기 VDB 단자를 향하여 순방향전류가 흐르는 극성으로 상기 부트 스트랩 전원 콘덴서에 직렬로 접속된 다이오드(2)를 구비한 것을 특징으로 하는 인버터회로.
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