JP6819256B2 - 駆動回路及び該回路を含んでなる半導体モジュール - Google Patents
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Description
図8においては、図示右下のローサイド側主スイッチ2(M12)84がオンした場合に、図示上部左に示す駆動用電源110からの電流がブートストラップダイオード(D1)111を経由してブートストラップキャパシタ(C1)112に流れて電力が貯蔵される。
(1)制限抵抗(RR)の抵抗値を大きくした場合は、主スイッチのオン/オフに依らず、主スイッチのソースと駆動回路の低電位側電源端の間のインピーダンスが高くなるため、駆動回路内の他のスイッチ(不図示)のオン/オフまたは外来ノイズによって主スイッチが誤オン・誤オフが発生しやすくなる。
(2)複数の電力用半導体素子(主スイッチ)が上下アーム構成を成し、駆動回路内のゲートドライバがハイサイドの主スイッチの駆動を行う際には、ハイサイド駆動用電源をブートストラップ構成とすることが一般的である(図8参照)。しかし、ハイサイド駆動用電源となるブートストラップ用キャパシタ(C1)を充電する為にローサイドの主スイッチをオンした際、ブートストラップ用キャパシタ(C1)の充電経路に制限抵抗(RR)が存在することになるので、制限抵抗(RR)によってブートストラップ用キャパシタ(C1)の充電が阻害される。
前記電力用半導体素子のドレインと前記ゲートドライバの低電位側電源端の間にサプレス用のキャパシタを接続して構成されるとともに、前記ゲートドライバの低電位側電源端と前記電力用半導体素子のソースとの間に接続される前記制限抵抗は、前記電力用半導体素子内に形成されることを特徴とする。
前記サプレス用のキャパシタは、前記駆動回路部と前記主回路部とを一つの製品内に内蔵してモジュールとして製作する際に容量素子を併置して形成することを特徴とする。
図1は、本発明の実施形態に係る駆動回路の構成を示す図である。図1において本発明の実施形態に係る駆動回路は、駆動回路部10と主回路部20とに大別される。その場合、駆動回路部10と主回路部20を一つの製品内に内蔵して半導体モジュール100とすることができる。
図2において、制御部1がゲートドライバ2を構成するトランジスタT1,T2のゲートを制御することで、ゲートドライバ2から所定の出力(Vout)3を主スイッチ(M1)21のゲートに印加する。ゲートドライバ2の出力(Vout)3により主回路部20のスイッチ(M1)21のゲート電圧が上昇すると、スイッチ(M1)21のVGS(ゲート・ソース間電圧)も上昇する。
スイッチ(M1)21のターンオフに伴い、主スイッチ(M1)21のVDS(ドレイン・ソース間電圧)を流れる電流IDSは遮断される。この際に急激な電流の変化(di/dt)と、主スイッチ(M1)21のソースと駆動回路の基準電位の間に存在する配線インダクタンスなどの寄生インダクタンス(L)23により、主スイッチ(M1)21のソース電位(VS)22は、図7に示したと同様に基準電位に対して負の電位となる。
i=i1+i2・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(1)
Rs×i+L(di/dt)=0・・・・・・・・・・・・(2)
(di/dt)=−(Rs/L)×i・・・・・・・・・(3)
一方、ターンオフ時のiは、ターンオン時のi0の過渡応答となるため、
i=i0exp(−t/(L/Rs))・・・・・・・・(4)
(di/dt)=−(Rs/L)×i0exp(−t/(L/Rs))・・・・・(5)
となる。
2,32 ゲートドライバ
3,33 ゲートドライバ出力又は出力端(Vout)
4,34,64 ゲートドライバの低電位側電源端
5,35,65 制限抵抗
6,36,66 サプレス用キャパシタ
10,30 駆動回路部
20,40 主回路部
21,41 主スイッチ又は主スイッチ1(Ml)
22 主スイッチのソース又はソース電位(VS)
23,45 寄生インダクタンス(L)
42 主スイッチ1のソース又はソース電位(VS1)
43 主スイッチ又は主スイッチ2(M2)
44 主スイッチ2のソース又はソース電位(VS2)
50 駆動用電源
51 ブートストラップダイオード(Dl)
52 ブートストラップ用キャパシタ
53 キャパシタ
100,200 半導体モジュール
T1〜T4 トランジスタ
Claims (4)
- 電力用半導体素子をスイッチングして変換した電力を供給する主回路部と、該主回路部の前記電力用半導体素子を駆動するゲートドライバおよび該ゲートドライバを制御する制御部を有する駆動回路部とを備え、前記ゲートドライバの出力が前記電力用半導体素子のゲートに印加される駆動回路であって、
前記ゲートドライバの低電位側電源端が前記電力用半導体素子のソースに制限抵抗を介して接続され、
前記電力用半導体素子のドレインと前記ゲートドライバの前記低電位側電源端との間にサプレス用のキャパシタが接続され、
前記電力用半導体素子のターンオフ時には、前記主回路部の電源から前記サプレス用のキャパシタを介して流れ込む電流と、前記駆動回路部の低電位側電源ラインから流れ込む電流とが、前記ゲートドライバの前記低電位側電源端で合流して前記制限抵抗に流れることを特徴とする駆動回路。 - 請求項1記載の駆動回路において、
前記ゲートドライバは、ハイサイド側の駆動回路部内に設けられることを特徴とする駆動回路。 - 請求項1または2記載の駆動回路において、
前記ゲートドライバが、ローサイド側の駆動回路部内に設けられることを特徴とする駆動回路。 - 前記請求項1ないし3のいずれか一項に記載の駆動回路における前記駆動回路部と前記主回路部とを一つの製品内に内蔵してモジュールとして構成することを特徴とする半導体モジュール。
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