CN114024432B - 一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路 - Google Patents

一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路 Download PDF

Info

Publication number
CN114024432B
CN114024432B CN202111357465.9A CN202111357465A CN114024432B CN 114024432 B CN114024432 B CN 114024432B CN 202111357465 A CN202111357465 A CN 202111357465A CN 114024432 B CN114024432 B CN 114024432B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistor
power supply
grid
mos tube
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111357465.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114024432A (zh
Inventor
钟铭浩
刘莉
马海伦
郭建飞
何佳俊
李�浩
常帅军
王梓名
欧树基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xidian University
Original Assignee
Xidian University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xidian University filed Critical Xidian University
Priority to CN202111357465.9A priority Critical patent/CN114024432B/zh
Publication of CN114024432A publication Critical patent/CN114024432A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114024432B publication Critical patent/CN114024432B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

本发明属于电力电子驱动技术领域，公开了一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，包括上桥臂的基本驱动电路和下桥臂的基本驱动电路，在下桥臂的基本驱动电路中引入p‑mos管、电阻R3和电阻R4，电阻R3的左端与p‑mos管P1的栅极相连，电阻R3的右端同时与p‑mos管P1源极、肖特基二极管VD阴极和电阻R4相连，肖特基二极管VD阳极与p‑mos管P1漏极相连；电阻R5、n‑mos管M1和n‑mos管M2构成电流镜结构，M1和M2共栅共源，电流镜共栅端与p‑mos管P1漏极相连。本发明利用了去耦电容法和有源抑制法的优势，有效抑制了串扰，使得栅驱动电路能稳定正常工作；并且，本发明没有使用额外控制源去控制电流镜，使用去耦电容不会影响功率管开关速度。

Description

一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路
技术领域
本发明属于电力电子驱动技术领域，涉及一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，主要用于桥式驱动电路中。
背景技术
与SiMOSFET、SiIGBT相比，SiC MOSFET通态电阻最小、开通/关断时间最短，此外SiC MOSFET的输入电容小，因此开关频率更高。SiC MOSFET在功率电子方面的应用十分广泛，它的出现对功率电子的发展具有重大意义。在过去的十年中，SiC MOSFET在高效、高开关频率和高温应用中已经逐渐代替传统SiMOSFET而成为功率电子中最具潜力的晶体管。
由于MOS管存在寄生参数，随着开关速度的提高，寄生电容和电感对驱动电路的影响变得不可忽略。MOS管栅极驱动电路可以等效看成RLC串联电路，不管是电流还是电压的发生改变都会引起栅极电位的变化，从而影响MOS管的工作状态。因此，对MOS管栅极驱动电路可靠性设计提出更高的要求。在大电压条件下，当开关管切换开关状态时，互补开关管的漏端会承受很大的dv/dt,从而通过栅漏电容给MOS管的栅源电容充电，导致栅极承受很大的di/dt，由于出现大的di/dt，栅源电容被充电，导致栅极电位抬升，出现正电压尖峰。由于SiC MOSFET的阈值电压比较低，当正电压尖峰超过阈值电压时甚至会导致器件误开启，影响功率转换电路的正常工作。所以在SiC MOSFET桥式栅驱动电路中，应特别注意串扰现象带来的影响，有必要分析串扰产生的原因以及开关回路中各个寄生参数对串扰现象的影响。这对栅驱动电路的设计优化具有一定的指导意义。
发明内容
针对现有技术存在的上述不足，本发明的目的在于提供一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路。
为实现以上目的，本发明采用如下技术方案：
一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，包括上桥臂的基本驱动电路和下桥臂的基本驱动电路，在下桥臂的基本驱动电路中引入p-mos管、电阻R3和电阻R4，电阻R3的左端与p-mos管P1的栅极相连，电阻R3的右端同时与p-mos管P1源极、肖特基二极管VD阴极和电阻R4相连，肖特基二极管VD阳极与p-mos管P1漏极相连；电阻R5、n-mos管M1和n-mos管M2构成电流镜结构，M1和M2共栅共源，电流镜共栅端与p-mos管P1漏极相连。
进一步地，当正向串扰电压出现时，利用产生di/dt反向流经栅极电阻，产生一个反向正压，使p-mos管导通，将电流镜引入驱动电路，吸收di/dt的电流，使栅极电位维持在负压关断的电位；当反向的di/dt消失时，外加p-mos管不满足导通条件，自行关断；加入肖特基二极管VD反并联于p-mos两端，能够加快p-mos管关断速度；当出现反向串扰电压时，利用去耦电容消除寄生PCB电感产生的感应电压，并将源极电感钳位，使功率管关断状态时处于负压不变。
进一步地，所述上桥臂的基本驱动电路包括供电电源SH1和供电电源SH2，所述供电电源SH1正极与受控开关S1连接，所述供电电源SH2负极与受控开关S2连接，供电电源SH1和供电电源SH2构成推挽结构，推挽结构的输出端与栅极电阻R1一端相连，栅极电阻R1的另一端与QH栅极相连，栅源电容C1并联于QH栅源极；解耦电容C2一端与受控开关S2相连，解耦电容C2另一端与QH源极相连，所述QH源极与SH1负极和SH2正极相连构成回路。
进一步地，所述下桥臂的基本驱动电路还包括供电电源SL1和供电电源SL2，所述供电电源SL1正极与受控开关S3连接，供电电源SL2负极与受控开关S4连接，受控开关S3与受控开关S4构成推挽结构，推挽结构的输出端顺次与电阻R2、电阻R3和电阻R4相连，电阻R4的右端与QL栅极相连；电流镜共源端与SL2负极相连，M1漏极与电阻R5的下端相连，电阻R5的上端与SL2正极相连，M2漏极与电阻R4右端相连接于QL栅极；受控开关S4的下端与解耦电容C3的左端相连，解耦电容C3的右端与QL源极相连；QL源极与SL1负极和SL2正极相连构成回路。
进一步地，所述上桥臂的基本驱动电路还包括PCB连接线寄生电感Lpcb1，所述PCB连接线寄生电感Lpcb1的一端同时与解耦电容C2另一端和QH源极相连，PCB连接线寄生电感Lpcb1的另一端同时连接供电电源SH1的负极和供电电源SH2的正极。
进一步地，所述供电电源SH1为18V，供电电源SH2为5V，为功率管提供负压关断。
进一步地，所述下桥臂的基本驱动电路还包括PCB连接线寄生电感Lpcb2，所述PCB连接线寄生电感Lpcb2的一端同时与解耦电容C3的右端和QL源极相连，PCB连接线寄生电感Lpcb2的另一端同时连接供电电源SL1的负极和供电电源SL2的正极。
进一步地，所述供电电源SL1为18V，供电电源SL2为5V，为功率管提供负压关断。
所述SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，还包括直流电源，所述直流电源电压VDC为800V。
与现有技术相比，本发明对已有的SiC MOSFET栅驱动电路进行结构改造，提出一种SiC MOSFET栅驱动电路，利用了去耦电容法和有源抑制法的优势，有效抑制了串扰，使得栅驱动电路能稳定正常工作；并且，本发明没有使用额外控制源去控制电流镜，使用去耦电容不会影响功率管开关速度。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是实施例1SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路的整体结构示意图；
图2是实施例1电路的开关波形(“栅极电压Vg-时间t”特性曲线)；
图3是实施例1电路将正压尖峰抑制在-3V左右，负压尖峰抑制在-5.6V左右时的震荡频率和震荡幅值示图；
图4传统驱动电路图；
图5是传统驱动电路开关波形；
图6和图7均为传统电路在正压尖峰到来时的震荡已经大于-10V示图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
如图1所示，一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，包括上桥臂的基本驱动电路和下桥臂的基本驱动电路，所述上桥臂的基本驱动电路包括供电电源SH1和供电电源SH2，所述供电电源SH1正极与受控开关S1连接，所述供电电源SH2负极与受控开关S2连接，供电电源SH1和供电电源SH2构成推挽结构，推挽结构的输出端与栅极电阻R1一端相连，栅极电阻R1的另一端与QH栅极相连，栅源电容C1并联于QH栅源极；解耦电容C2一端与受控开关S2相连，解耦电容C2另一端与QH源极相连，所述QH源极与SH1负极和SH2正极相连构成回路；
所述下桥臂的基本驱动电路包括供电电源SL1、供电电源SL2和电阻R5，所述供电电源SL1正极与受控开关S3连接，供电电源SL2负极与受控开关S4连接，受控开关S3与受控开关S4构成推挽结构，推挽结构的输出端顺次与电阻R2、电阻R3和电阻R4相连，具体地，推挽结构的输出端与电阻R2左端相连，电阻R2的右端与电阻R3的左端相连，电阻R3的右端与电阻R4左端相连，电阻R4的右端与QL栅极相连；电阻R3的左端与p-mos管P1的栅极相连，电阻R3的右端同时与p-mos管P1源极和肖特基二极管VD阴极相连，肖特基二极管VD阳极与p-mos管P1漏极相连；电阻R5、n-mos管M1和n-mos管M2构成电流镜结构，M1和M2共栅共源，电流镜共栅端与p-mos管P1漏极相连，电流镜共源端与SL2负极相连，M1漏极与电阻R5的下端相连，电阻R5的上端与SL2正极相连，M2漏极与电阻R4右端相连接于QL栅极；受控开关S4的下端与解耦电容C3的左端相连，解耦电容C3的右端与QL源极相连；QL源极与SL1负极和SL2正极相连构成回路。
进一步地，所述上桥臂的基本驱动电路还包括PCB连接线寄生电感Lpcb1，所述PCB连接线寄生电感Lpcb1的一端同时与解耦电容C2另一端和QH源极相连，PCB连接线寄生电感Lpcb1的另一端同时连接供电电源SH1的负极和供电电源SH2的正极。
进一步地，所述供电电源SH1为18V，供电电源SH2为5V，为功率管提供负压关断。
进一步地，所述下桥臂的基本驱动电路还包括PCB连接线寄生电感Lpcb2，所述PCB连接线寄生电感Lpcb2的一端同时与解耦电容C3的右端和QL源极相连，PCB连接线寄生电感Lpcb2的另一端同时连接供电电源SL1的负极和供电电源SL2的正极。
进一步地，所述供电电源SL1为18V，供电电源SL2为5V，为功率管提供负压关断。
所述SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，还包括直流电源，所述直流电源电压VDC为800V。
当正向串扰电压出现时，利用产生di/dt反向流经栅极电阻，产生一个反向正压，使p-mos管导通，将电流镜引入驱动电路，吸收di/dt的电流，使栅极电位维持在负压关断的电位；当反向的di/dt消失时，外加p-mos管不满足导通条件，自行关断；加入肖特基二极管VD反并联于p-mos两端，能够加快p-mos管关断速度，使此驱动电路适用于更高频率的驱动；当出现反向串扰电压时，利用去耦电容消除寄生PCB电感产生的感应电压，并将源极电感钳位，使功率管关断状态时处于负压不变。
从图2～7可以看出，本发明将正压尖峰抑制在-3V左右，负压尖峰抑制在-5.6V左右，并且震荡频率和震荡幅值不会过大；传统驱动在正压尖峰到来时的震荡已经大于-10V，会影响功率管的使用寿命。如果取消负压关断，降低震荡的负压，又有可能存在误导通的情况。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。

Claims (6)

1.一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，其特征在于，包括上桥臂的基本驱动电路和下桥臂的基本驱动电路，在下桥臂的基本驱动电路中引入p-mos管、电阻R3和电阻R4，电阻R3的左端与p-mos管P1的栅极相连，电阻R3的右端同时与p-mos管P1源极、肖特基二极管VD阴极和电阻R4相连，肖特基二极管VD阳极与p-mos管P1漏极相连；电阻R5、n-mos管M1和n-mos管M2构成电流镜结构，M1和M2共栅共源，电流镜共栅端与p-mos管P1漏极相连；
当正向串扰电压出现时，利用产生di/dt反向流经栅极电阻，产生一个反向正压，使p-mos管导通，将电流镜引入驱动电路，吸收di/dt的电流，使栅极电位维持在负压关断的电位；当反向的di/dt消失时，外加p-mos管不满足导通条件，自行关断；加入肖特基二极管VD反并联于p-mos两端，能够加快p-mos管关断速度；当出现反向串扰电压时，利用去耦电容消除寄生PCB电感产生的感应电压，并将源极电感钳位，使功率管关断状态时处于负压不变；所述上桥臂的基本驱动电路包括供电电源SH1和供电电源SH2，所述供电电源SH1正极与受控开关S1连接，所述供电电源SH2负极与受控开关S2连接，供电电源SH1和供电电源SH2构成推挽结构，推挽结构的输出端与栅极电阻R1一端相连，栅极电阻R1的另一端与QH栅极相连，栅源电容C1并联于QH栅源极；解耦电容C2一端与受控开关S2相连，解耦电容C2另一端与QH源极相连，所述QH源极与SH1负极和SH2正极相连构成回路；所述下桥臂的基本驱动电路还包括供电电源SL1和供电电源SL2，所述供电电源SL1正极与受控开关S3连接，供电电源SL2负极与受控开关S4连接，受控开关S3与受控开关S4构成推挽结构，推挽结构的输出端顺次与电阻R2、电阻R3和电阻R4相连，电阻R4的右端与QL栅极相连；电流镜共源端与SL2负极相连，M1漏极与电阻R5的下端相连，电阻R5的上端与SL2正极相连，M2漏极与电阻R4右端相连接于QL栅极；受控开关S4的下端与解耦电容C3的左端相连，解耦电容C3的右端与QL源极相连；QL源极与SL1负极和SL2正极相连构成回路。
2.根据权利要求1所述SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，其特征在于，所述上桥臂的基本驱动电路还包括PCB连接线寄生电感Lpcb1，所述PCB连接线寄生电感Lpcb1的一端同时与解耦电容C2另一端和QH源极相连，PCB连接线寄生电感Lpcb1的另一端同时连接供电电源SH1的负极和供电电源SH2的正极。
3.根据权利要求1所述SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，其特征在于，所述供电电源SH1为18V，所述供电电源SH2为5V，为功率管提供负压关断。
4.根据权利要求1所述SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，其特征在于，所述下桥臂的基本驱动电路还包括PCB连接线寄生电感Lpcb2，所述PCB连接线寄生电感Lpcb2的一端同时与解耦电容C3的右端和QL源极相连，PCB连接线寄生电感Lpcb2的另一端同时连接供电电源SL1的负极和供电电源SL2的正极。
5.根据权利要求1所述SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，其特征在于，所述供电电源SL1为18V，所述供电电源SL2为5V，为功率管提供负压关断。
6.根据权利要求1所述SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路，其特征在于，还包括直流电源，所述直流电源电压VDC为800V。
CN202111357465.9A 2021-11-16 2021-11-16 一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路 Active CN114024432B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111357465.9A CN114024432B (zh) 2021-11-16 2021-11-16 一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111357465.9A CN114024432B (zh) 2021-11-16 2021-11-16 一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114024432A CN114024432A (zh) 2022-02-08
CN114024432B true CN114024432B (zh) 2023-10-27

Family

ID=80064622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111357465.9A Active CN114024432B (zh) 2021-11-16 2021-11-16 一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114024432B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115021529B (zh) * 2022-05-26 2024-04-16 西安电子科技大学 一种抑制SiC MOSFET米勒平台电压骤降的驱动电路
CN115173676B (zh) * 2022-06-24 2024-09-13 重庆大学 一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路
CN118174520A (zh) * 2024-03-14 2024-06-11 深圳市蓝色极光储能科技有限公司 一种多电平驱动电路以及半导体功率变换器

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007336025A (ja) * 2006-06-13 2007-12-27 Hoya Corp Ｏｔａ回路
JP2010220385A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Fdk Corp スイッチング素子の損失低減回路
CN104052445A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 Nxp股份有限公司 减少串扰的装置
CN204131379U (zh) * 2014-08-07 2015-01-28 灿瑞半导体(上海)有限公司 一种钳位驱动电路
CN106100297A (zh) * 2016-08-02 2016-11-09 北京交通大学 基于碳化硅mosfet的驱动电路
CN108233684A (zh) * 2018-01-22 2018-06-29 深圳青铜剑科技股份有限公司 一种SiC MOSFET的栅极串扰抑制电路及驱动电路
CN110504822A (zh) * 2019-08-26 2019-11-26 电子科技大学 适用于半桥栅驱动电路的上功率管分段驱动控制电路
CN111464005A (zh) * 2020-04-26 2020-07-28 湖南大学 具有主动串扰抑制功能的SiC功率管驱动电路及控制方法
CN113315354A (zh) * 2021-06-24 2021-08-27 南通大学 一种抑制SiC MOSFET串扰的低阻抗钳位驱动电路

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6819256B2 (ja) * 2016-12-07 2021-01-27 富士電機株式会社 駆動回路及び該回路を含んでなる半導体モジュール

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007336025A (ja) * 2006-06-13 2007-12-27 Hoya Corp Ｏｔａ回路
JP2010220385A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Fdk Corp スイッチング素子の損失低減回路
CN104052445A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 Nxp股份有限公司 减少串扰的装置
CN204131379U (zh) * 2014-08-07 2015-01-28 灿瑞半导体(上海)有限公司 一种钳位驱动电路
CN106100297A (zh) * 2016-08-02 2016-11-09 北京交通大学 基于碳化硅mosfet的驱动电路
CN108233684A (zh) * 2018-01-22 2018-06-29 深圳青铜剑科技股份有限公司 一种SiC MOSFET的栅极串扰抑制电路及驱动电路
CN110504822A (zh) * 2019-08-26 2019-11-26 电子科技大学 适用于半桥栅驱动电路的上功率管分段驱动控制电路
CN111464005A (zh) * 2020-04-26 2020-07-28 湖南大学 具有主动串扰抑制功能的SiC功率管驱动电路及控制方法
CN113315354A (zh) * 2021-06-24 2021-08-27 南通大学 一种抑制SiC MOSFET串扰的低阻抗钳位驱动电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN114024432A (zh) 2022-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114024432B (zh) 一种SiC MOSFET功率器件的栅极串扰抑制电路
CN108880206B (zh) 一种抑制桥臂串扰的自举电源式SiC MOSFET驱动电路
CN108683327B (zh) 一种碳化硅mosfet驱动电路
US10063224B2 (en) Driver circuit and semiconductor module having same
CN109494969B (zh) 一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路
CN103199677B (zh) 单路隔离型mosfet驱动电路
TW201429134A (zh) 驅動變壓器隔離自適應驅動電路
CN107623512B (zh) 一种有源密勒箝位保护电路
CN111600461A (zh) 一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及方法
JP6090007B2 (ja) 駆動回路
CN109980905A (zh) 碳化硅场效应管的串扰抑制电路、驱动电路及桥式变换器
JP5619673B2 (ja) スイッチング回路及び半導体モジュール
CN108649938B (zh) 一种抑制负向驱动电压尖峰的mos管驱动电路
JP5761656B2 (ja) ゲートドライブ回路
JP5254386B2 (ja) ゲート駆動回路、およびパワー半導体モジュール
JP3900178B2 (ja) レベルシフト回路
CN117728814A (zh) 将控制电压保持在额定限值以下的栅极驱动器电路
CN111987889A (zh) 一种单电源供电的多电平SiC MOSFET驱动电路
CN111327302A (zh) 一种SiC MOSFET有源驱动电路
CN114865890B (zh) 一种用于GaN功率管半桥驱动的高抗扰电路
CN111725978B (zh) 具有负压关断和串扰抑制功能的SiC MOSFET栅极驱动电路
CN114977744A (zh) 一种驱动电路及控制方法
JP2013102445A (ja) ゲート駆動回路、およびパワー半導体モジュール
CN114400875A (zh) 碳化硅mosfet驱动电路、开关电源及电子设备
CN112821887A (zh) 一种碳化硅场效应管的防击穿电路及方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant