KR20050050100A - 페이스트-압출된 설폰아미드 조성물의 제조 방법 - Google Patents

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이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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Abstract

본 발명은 설폰아미드 제초제 유리산, 설폰아미드 제초제 유리산에 대해서 약 50 당량% 이상의 무기 염기, 및 압출가능한 페이스트를 형성시키는데 충분한 물을 포함하는 혼합물을 제조하고, 혼합물을 압출시켜 압출물을 형성하고, 압출물을 건조시킴으로써 제조되는, 개선된 분무 장치 청소 특성을 갖는 페이스트-압출된 설폰아미드 제초제 조성물에 관한 것이다.

Description

페이스트-압출된 설폰아미드 조성물의 제조 방법{PROCESS FOR PREPARING PASTE-EXTRUDED SULFONAMIDE COMPOSITIONS}
설포닐우레아 및 트리아졸로피리미딘을 포함하는 설폰아미드 제초제가 발견된 이래, 24종 이상의 설포닐우레아 및 6종에 가까운 트리아졸로피리미딘 제초제가 광범한 농작물에서 선택적 잡초 구제를 위해 상업적으로 개발되었다(The Pesticide Manual, Twelfth Edition, C.D.S. Tomlin, ed., British Crop Protection Council, Surrey, U.K., 2000). 이들 설폰아미드 제초제의 작용 방식은 식물에는 존재하나 동물에 존재하지 않는 효소 아세토락테이트 합성효소(ALS)의 억제이므로, 설폰아미드 제초제는 동물에 대해 매우 낮은 독성을 가지며, 낮은 사용율로 잡초에 대하여 탁월한 효능을 갖는 유용한 배합물을 제공한다.
다른 농약들과 마찬가지로 설폰아미드 제초제는 유화가능한 농축물과 같은 액체 조성물 및 습윤성(wettable) 분말 및 과립과 같은 고체 조성물을 비롯한 다양한 형태의 농축물로 제제화될 수 있다. 과립 조성물은 액체와 마찬가지로 편리하게 이송되고 계량될 수 있지만, 액체와는 다르게 제품 용기의 벽에 매우 적은 잔류물이 부착한다. 또한, 유기 용매 및 증기가 회피된다. 습윤성 분말에 비해, 과립은 비교적 분진이 없다. 과립의 특히 유용한 형태는 수 분산성인 것이다. 때때로 "건조 유동물 (dry flowables)"로 불리는 수 분산성 과립은 물에 첨가하면 쉽게 붕해되어 용액 또는 현탁액을 형성하며, 이것을 그 후에 처리하고자 하는 위치에 분무할 수 있다. 또한, 과립 조성물이 우수한 내마모성, 낮은 점착성 및 균일한 벌크 밀도를 갖는 것이 유리하다.
수 분산성 과립은 유동상 과립화, 팬 과립화, 분무 건조, 집중 혼합, 압착, 페이스트 압출 및 가열 압출(예를 들어, 용융 압출)을 비롯한 다양한 방법에 의해서 제조될 수 있다. 수 분산성 과립의 물리적 치수 및 다공성은 사용된 제조 방법에 따라 좌우된다. 유동상 과립화, 분무 건조 및 집중 혼합은 작은 크기, 불규칙적인 표면 및 다공성과 같은 과립 치수 특성으로 인해, 물에서 매우 빨리 파괴되어 분산되는 과립을 제공한다. 한편, 페이스트 압출 및 가열 압출은 비교적 일정한 직경 및 형상의 과립을 제공한다. 압출된 과립의 일정한 직경은, 상기 과립이 미국 특허 제6,022,552호에 기술된 바와 같은 균일한 블렌드에서 유용하게 한다.
과립 조성물은 압출된 과립의 충분히 신속한 분산을 수득하기 위한 중요한 인자이다. 희석에 의해 형성된 분산된 입자는 살충제의 불균일한 적용을 야기할 수 있는 너무 이른 침강을 피하기 위해 최대 치수가 50 미크론 이하여야 한다. 따라서, 제품의 모든 성분들이 희석수 중에 빠르고 완전하게 분산 또는 용해되는 것이 필요하다. (모든 성분들이 완전히 용해될 경우, 이들은 분자 수준으로 분산된 것으로 간주될 수 있다.) 과립의 수 분산성은 과립의 조성 뿐만 아니라, 과립이 첨가되는 수성 매질의 조성 및 기타 특성에 의해서도 결정된다. 예를 들어, 저온 및 용질의 고 농도는 과립의 붕해를 크게 지연시킬 수 있다.
압출된 과립은 종종, 물을 사용하여 분말 혼합물을 가소화한 다음, 압출 후 이를 건조시키는 페이스트 압출을 통해 가장 편리하고, 가장 비용-효율적으로 제조된다. 페이스트 압출은 가열 압출에 요구되는 것과 같은 상승된 온도에서 연화하는 결합제를 포함시킬 필요성을 회피한다. 그러나, 페이스트 압출에서 가소제로서 물을 사용하는 것은, 다른 경우에 가열 압출되거나 압착된 과립의 붕해 및 분산을 가속화시키기 위해 사용될 수 있는 물-활성화된 가스 발생 성분의 포함을 배제한다.
만족스러운 과립 붕해 및 분산을 수득하는 것 이외에도, 분무 장치의 청소도 중요할 수 있다. 설폰아미드 제초제는 고도로 활성인 제초제 부류를 포함하기 때문에, 장치를 이전의 적용 시에 사용된 설폰아미드 제초제에 대해 민감한 농작물을 처리하기 위해서 사용하기 전에 분무 장치를 청소하는 것이 바람직하다. 청소는 시간-소모적이고, 적절한 환경적 폐기를 필요로 하는 폐수를 생성하는 세정 공정을 필요로 할 수 있다. 또한, 분무 장치가 이전의 농작물 보호용 화학물질 적용으로부터, 또는 설폰아미드 제초제 조성물과 탱크-혼합된 다른 화학물질로부터 잔류하는 유기 침적물을 함유하는 경우에, 청소에 영향을 미칠 수 있다.
PCT 특허출원 공개 WO 93/16596은 제1 단계로서 농업용으로 적합한 수용성 염의 형태로 설포닐우레아 활성성분을 제제화하는 것을 필요로 함으로써 분무 장치의 잔류 설포닐우레아 제초제 오염을 감소시키는 방법을 기술하고 있다. 상응하는 유리산 형태로부터 설폰아미드 제초제의 염을 제조하는 다양한 방법이 공지되어 있지만, 설폰아미드 제초제 활성성분을 제조하는 방법은 종종 직접 또는 단리의 일부로서 유리산 형태를 제공하기 때문에, 염으로 전환시키는 추가의 공정 단계가 필요하다. 설폰아미드 제초제의 유리산 형태가 제제화에 직접 사용되도록 개선된 분무 장치 청소 특성을 갖는 제제가 바람직할 것이다.
본 발명에 의해, 만족스러운 수 분산성을 가질 뿐만 아니라, 개선된 분무 장치 청소 특성을 갖는 페이스트-압출된 과립 설폰아미드 제초제 제제를 편리하게 제조하는 방법이 발견되었다.
발명의 요약
본 발명은 (a) (i) 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 2 내지 90 중량%의, 1종 이상의 설폰아미드 제초제 유리산을 포함하는 하나 또는 그 이상의 활성성분; (ii) 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 0 내지 95 중량%의, 습윤제, 분산제, 윤활제, 케이크 형성 방지제, 화학적 안정화제 및 희석제로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 첨가제; 및 (iii) 설폰아미드 제초제 유리산 성분의 최고 pKa 보다 2.1 유닛 이상 더 큰 컨쥬게이트 산 pKa를 갖는 무기 염기 등가물로부터 선택된 약 50 당량% 이상의 염기(혼합물 내 모든 성분들의 중량% 합은 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 총 100%임); 및 (iv) 혼합물을 압출가능한 페이스트로 만들기에 충분한 물을 포함하는 혼합물을 제조하고; (b) (a)에서 제조된 혼합물을 다이 또는 스크린을 통해 압출시켜 압출물을 형성하고; (c) 압출물을 건조하는 단계를 포함하는, 페이스트-압출된 설폰아미드 제초제 조성물의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한, 상기 언급된 방법에 의해 제조된 페이스트-압출된 설폰아미드 제초제 조성물에 관한 것이다.
발명의 상세한 설명
탁월한 수 분산성 뿐만 아니라, 현저하게 개선된 분무 장치 청소 특성을 갖는 페이스트-압출된 설폰아미드 제초제 조성물은, 최고 pKa를 갖는 설폰아미드 제초제 유리산의 pKa 보다 2.1 유닛 이상 더 큰 컨쥬게이트 산 pKa를 갖는 무기 염기 등가물로부터 선택된 약 50 당량% 이상의 염기를 압출용 혼합물에 포함시킴으로써 1종 이상의 설폰아미드 제초제 유리산을 포함하는 혼합물의 압출로부터 수득되는 것으로 발견되었다. 설폰아미드 제초제 유리산은 염 형태(여기서, 설폰아미드 제초제는 그의 산성 설폰아미드 중심에서 탈양자화됨)가 아닌 설폰아미드 제초제의 유리산 형태를 의미한다. 압출용 혼합물은 또한, 혼합물 성분 중에 하나 또는 그 이상의 설폰아미드 제초제의 염 형태를 포함할 수 있지만, 존재하는 설폰아미드 제초제 산 형태만이 무기 염기 등가물로부터 선택된 약 50 당량% 이상의 염기를 계산하는데 고려된다. 통상적으로, 압출용 혼합물을 제조하기 위해 첨가된 설폰아미드 제초제는 10% 이상이 산 형태이고, 일반적으로 50% 이상, 더욱 일반적으로 80% 이상, 가장 일반적으로 90% 이상이 산 형태이다.
설폰아미드 제초제의 pKa 값은 주위 온도, 일반적으로 약 20 내지 25℃의 물 에서 결정된다. pKa 값은 이하의 분석 실시예 1에 교시된 방법과 같은 표준 방법에 의해 결정될 수 있으며, 시판 제초제에 대하여 측정된 값은 일반적으로 문헌(예를 들어, The Pesticide Manual, Twelfth Edition edited by C.D.S. Tomlin (British Crop Protection Council, Surrey, UK, 2000)에 개시되어 있다. 독자들의 편의를 위해, 이하의 표 A에 다수의 시판 설폰아미드 제초제에 대한 pKa 값을 열거하였다.
몇 가지 설폰아미드 제초제의 분자량 및 pKa 값
설폰아미드 분자량 pK a 설폰아미드 분자량 pK a
설포닐우레아
아미도설퓨론 369.4 3.6 피라조설퓨론-에틸 414.4 3.7
아짐설퓨론 424.4 3.6 림설퓨론 431.4 4.0
벤설퓨론-메틸 410.4 5.2 설포메튜론-메틸 364.4 5.2
클로리뮤론-에틸 414.8 4.2 설포설퓨론 470.5 3.5
클로르설퓨론 357.8 3.6 티펜설퓨론-메틸 387.4 4.0
시노설퓨론 413.4 4.7 트리아설퓨론 401.8 4.6
시클로설파뮤론 421.4 5.0 트리벤유론-메틸 395.4 5.0
에타메트설퓨론-메틸 410.4 4.6 트리플옥시설퓨론 437.1 4.8
플라자설퓨론 407.3 4.4 트리플루설퓨론-메틸 492.4 4.4
플루피르설퓨론-메틸 465.4 4.9
할로설퓨론-메틸 434.8 3.4 트리아졸로피리미딘
이마조설퓨론 412.8 4.0 플로라술람 359.3 4.5
요오도설퓨론-메틸 507.3 3.2 메토술람 418.3 4.8
메트설퓨론-메틸 381.4 3.3 플루메트술람 325.3 4.6
니코설퓨론 410.4 4.6 디클로술람 406.2 4.0
옥사설퓨론 406.4 5.1 클로란술람-메틸 429.8 4.8
프리미설퓨론-메틸 468.3 3.5 페녹스술람 483.4 5.1
프로설퓨론 419.4 3.8
본 발명에 따른 압출용 혼합물에서 약 50 당량% 이상의 염기는 무기 염기 등가물로부터 선택(즉, 무기 염기에 의해 제공)된다. 특히 적합한 무기 염기는 이하에 더 상세히 기술된다. 용어 "염기의 당량%" 및 "염기 등가물"은 일부 무기 염기가 몰 당 1 당량 초과의 염기도를 제공할 수 있다는 사실을 의미한다. 본 발명과 관련하여, 염기의 몰 당 염기 등가물의 수는 혼합물 내에서 하나 또는 그 이상의 설폰아미드 유리산 성분의 최고 pKa 보다 2.1 유닛 이상 더 큰 컨쥬게이트 산 pKa를 갖는 염기 등가물로 제한된다. 50 당량% 이상의 염기를 제공하는데 필요한 염기의 몰 수의 계산은 이하에 상세히 기술되어 있다.
염기의 컨쥬게이트 산의 pKa 값은 표준 방법에 의해 결정될 수 있다. 공개된 값들은 다양한 문헌에서 볼 수 있다(예를 들어, The Chemist's Companion by A.J. Gordon and R.A. Ford (Wiley-Interscience, New York, 1972). 독자들의 편의를 위해, 표 B에 몇 가지 일반적인 염기에 대한 컨쥬게이트 산 pKa 값을 열거하였다.
몇 가지 염기에 대한 화학식량 및 컨쥬게이트 산 pKa 값
염기 화학식량 첫번째 pK a 두번째 pK a 세번째 pK a
LiOH 23.95 14.0 - -
LI2CO3 73.89 10.2 6.4 -
Li3PO4 115.79 12.7 7.2 2.1
NaOH 40.00 14.0 - -
NaHCO3 84.01 6.4 - -
Na2CO3 105.99 10.2 6.4 -
Na2CO3ㆍH2O 124.01 10.2 6.4 -
Na2HPO4 141.96 7.2 2.1 -
Na3PO4 163.94 12.7 7.2 2.1
Na3PO4ㆍ12H2O 380.13 12.7 7.2 2.1
Na4P2O7 265.90 9.0 7.0 2.0
KOH 56.11 14.0 - -
KHCO3 100.12 6.4 - -
K2CO3 138.21 10.2 6.4 -
K2HPO4 174.18 7.2 2.1 -
K3PO4 212.28 12.7 7.2 2.1
K4P2O7 330.35 9.0 7.0 2.0
무기 염기 등가물로부터 선택된 염기의 당량%는 물 중에서의 컨쥬게이트 산 pKa가 최고 pKa를 갖는 설폰아미드 제초제의 pKa 보다 2.1 유닛 이상 더 큰 무기 염기 등가물의 염기도를 고려하여, 유리산 형태(즉, 염이 아님)로 혼합물에 첨가된 하나 또는 그 이상의 설폰아미드 제초제의 총 몰 수에 대하여 계산된다. 예를 들어, 1 몰의 티펜설퓨론-메틸과 1 몰의 트리벤유론-메틸이 유리산 형태로 혼합물에 첨가되는 경우, 트리벤유론-메틸의 pKa가 더 크기 때문에, 티펜설퓨론-메틸의 pKa(4.0) 대신에 트리벤유론-메틸의 pKa(5.0)가 고려된다. 이 예에서, 유리산 형태인 설폰아미드 제초제의 총 몰 수는 2 몰이며, 무기 염기의 50 당량%는 1 당량의 염기를 필요로 한다. 인산은 각각 2.1, 7.2 및 12.7의 수성 pKa를 갖는 3 개의 산성 수소 원자를 함유한다. 7.2와 12.7만이 5.0 보다 2.1 유닛 이상 더 크기 때문에, 인산나트륨은 pKa 차이가 2.1 유닛 이상이어야 한다는 요건에 따라 이염기성이다(즉, 몰 당 2 개의 염기 등가물을 제공한다). 따라서, 1/2 몰(즉, 1/2 화학식량)의 인산나트륨에 의해 1 당량의 염기가 제공된다. 탄산은 각각 6.4 및 10.2의 수성 pKa를 갖는 2 개의 산성 수소 원자를 함유한다. 10.2만이 5.0 보다 2.1 유닛 이상 더 크기 때문에, 탄산나트륨은 pKa 차이가 2.1 유닛 이상이어야 한다는 요건에 따라 일염기성이다(즉, 몰 당 한 개의 염기 등가물을 제공한다). 따라서, 1 몰(즉, 1 화학식량)의 탄산나트륨은 1 당량의 염기를 제공한다.
다수의 설폰아미드 제초제, 특히 주위 온도(즉, 약 20 내지 30℃)의 pH 7 완충된 물 중에서 약 1000 ㎎/ℓ보다 큰 용해도를 갖는 것인 경우에, 설폰아미드 제초제 유리산에 대해서 약 50 당량%의 염기를 포함하도록 본 발명의 방법에 따라 제조된 조성물은 실질적으로 분무 장치 내의 잔류물을 감소시킬 것이다. 염기의 첨가는 pH 7 완충된 물 중에서 약 10,000 ㎎/ℓ미만의 용해도를 갖는 설폰아미드 제초제의 페이스트-압출된 조성물의 경우에 특히 유익한데, 더 가용성인 설폰아미드 제초제의 경우에는 분무 탱크 잔류물이 좀처럼 발생하지 않기 때문이다. (pH 7 완충된 물 중에서 1000 내지 10,000 ㎎/ℓ의 용해도를 갖는 설폰아미드 제초제의 예는 클로리뮤론-에틸, 메트설퓨론-메틸, 티펜설퓨론-메틸 및 트리벤유론-메틸이다.) pH 7 완충된 물 중에서 약 1000 ㎎/ℓ미만의 용해도를 갖는 설폰아미드 제초제의 경우, 분무 장치 내에서 잔류물을 현저하게 감소시키기 위해서는 본 발명의 방법에 따라 제조된 조성물에서 설폰아미드 제초제 유리산에 대해서 50 당량% 보다 많은 염기가 필요할 수 있다. (pH 7 완충된 물 중에서 1000 ㎎/ℓ미만의 용해도를 갖는 설폰아미드 제초제의 예는 벤설퓨론-메틸 및 설포메튜론-메틸이다.) 이들 설폰아미드 제초제 조성물의 경우, 일반적으로 약 75 내지 100 당량%의 염기가 분무 잔류물을 현저하게 감소시키며, 더 다량의 염기(즉, 약 200 당량% 까지)가 잔류물을 무시할 수 있는 수준까지 감소시키는데 유용할 수 있다. pH 7 완충된 물 중에서의 설폰아미드 제초제의 용해도는 이하의 분석 실시예 2에 제시된 방법과 같은 표준 방법에 의해 결정될 수 있다.
따라서, 분무 장치 청소 특성을 개선시키기 위해서, 본 발명의 방법에 따른 압출용 혼합물은 바람직하게는 하나 또는 그 이상의 설폰아미드 제초제 유리산에 대해서 약 75 당량% 이상의 염기, 더욱 바람직하게는 약 100 당량% 이상의 염기를 함유한다. 또한, 혼합물이 설폰아미드 제초제 유리산 이외의 산성 물질을 함유하는 경우, 상응하게 더 많은 양의 염기가 첨가되어야 한다. 혼합물이 염기에 대하여 불안정한 성분들을 포함하지 않는다면, 하나 또는 그 이상의 설폰아미드 제초제 유리산에 대해서 100 당량% 보다 많은 양의 염기가 포함될 수 있다.
본 발명의 방법에 따른 압출용 혼합물 내의 염기는 1종 이상의 무기 염기를 포함한다. 특히 본 발명에 적합한 무기 염기에는 알칼리 금속 또는 암모늄으로부터 유도된 양이온, 및 피로포스페이트, 트리폴리포스페이트, 폴리포스페이트, 트리실리케이트 등과 같은 다이머, 트라이머 및 폴리머 형태를 비롯한 카보네이트, 포스페이트, 옥사이드, 하이드록사이드 및 실리케이트 음이온으로부터 선택된 반대 이온을 갖는 것이 포함된다. 예시적인 무기 염기에는 무수물 및 수화물 형태를 포함하는 인산나트륨 (Na3PO4), 인산수소나트륨 (Na2HPO4), 인산칼륨 (K3PO4), 인산수소칼륨 (K2HPO4), 인산수소암모늄 ((NH4)2HPO4), 탄산나트륨 (Na2CO3), 탄산수소나트륨 (NaHCO3), 탄산칼륨 (K2CO3), 탄산수소칼륨 (KHCO3), 산화리튬 (Li2O), 수산화리튬 (LiOH), 탄산리튬 (Li2CO3), 수산화나트륨 (NaOH), 인산리튬 (Li3PO4), 리튬 메타실리케이트 (Li2SiO3), 리튬 오르토실리케이트 (Li4SiO4), 수산화칼륨 (KOH), 나트륨 메타실리케이트 (Na2SiO3), 나트륨 오르토실리케이트 (Na4SiO4), 칼륨 피로포스페이트 (K4P2O7), 나트륨 트리메타포스페이트 ((NaPO3)3), 나트륨 헥사메타포스페이트 ((NaPO3)6), 나트륨 폴리포스페이트 ((NaPO3)n), 나트륨 피로포스페이트 (Na4P2O7), 나트륨 트리폴리포스페이트 (나트륨 트리포스페이트, Na5P3O10) 및 나트륨 트리실리케이트 (Na2Si3O7)가 포함되나, 이들로 제한되지는 않는다.
가격, 유효성 및 편의성을 이유로 바람직한 것은 나트륨 (Na+) 및 칼륨 (K+)으로부터 선택된 알칼리 금속 양이온, 더욱 바람직하게는 나트륨을 함유하는 무기 염기가다. 가격, 유효성 및 편의성을 이유로 또한 바람직한 것은 하이드로겐 카보네이트 (HCO3 -), 카보네이트 (CO3 2-), 하이드로겐 포스페이트 (HPO4 2-) 및 포스페이트 (PO4 3-), 더욱 바람직하게는 카보네이트 및 포스페이트로부터 선택된 반대 이온을 함유하는 무기 염기이다. 따라서, 바람직한 무기 염기는 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 인산수소나트륨, 인산나트륨, 탄산수소칼륨, 탄산칼륨, 인산수소칼륨 및 인산칼륨을 포함한다. 이들 무기 염기는 탄산나트륨 일수화물, 인산수소나트륨 7수화물, 인산나트륨 12수화물, 탄산칼륨 세스퀴수화물, 인산수소칼륨 3수화물 및 인산칼륨 8수화물과 같은 수화물 형태를 포함한다. 더욱 바람직한 무기 염기는 이들의 수화물 형태를 포함하는 탄산나트륨, 인산나트륨, 탄산칼륨 및 인산칼륨이다. 가장 바람직한 무기 염기는 그의 수화물 형태를 포함하는 탄산나트륨이다. 또 다른 가장 바람직한 무기 염기는 그의 수화물 형태를 포함하는 인산나트륨이다. 무기 염기는 단독으로도 유용하지만, 무기 염기의 혼합물이 유리할 수도 있다.
압출가능한 페이스트를 제조하기 위해 물을 첨가하는 동안, 염기의 양 및 성질과 혼합 또는 혼련 장치의 냉각 성능에 따라 무수 염기의 수화열이 페이스트의 화학적 구성 및(또는) 압출성에 잠재적으로 바람직하지 않은 영향을 미치는 온도의 상당한 증가를 야기할 수 있다. 무수 염기에 의해 야기된 온도 증가가 지나친 경우에는, 염기의 무수물 형태 대신에 수화물이 압출용 혼합물을 제조하는데 바람직하다. 무수 인산나트륨의 수화열이 특히 크기 때문에, 본 발명의 방법에서는 12수화물이 인산나트륨의 바람직한 형태이다.
설폰아미드 제초제는 필수적인 분자 구조 특징으로서 설폰아미드 부분(-S(O)2NH-)을 갖는다. 본 발명에서 언급될 때, 설폰아미드 제초제는 특히, 설폰아미드 부분이 설포닐우레아 부분(-S(O)2NHC(O)NH(R)-)의 성분인 설포닐우레아 제초제 및 설폰아미드 부분의 설포닐 말단이 치환된 [1,2,4]트리아졸로피리미딘 환 시스템의 2-위치에 연결되고 설폰아미드 부분의 아미노 말단이 치환된 아릴, 일반적으로 페닐기에 연결된 트리아졸로피리미딘 제초제를 포함한다. 설포닐우레아 제초제에서, 설포닐우레아 부분의 설포닐 말단은 직접, 또는 산소 원자 또는 임의로 치환된 아미노 또는 메틸렌기에 의해 일반적으로 치환된 시클릭 또는 비시클릭기에 연결된다. 설포닐우레아 브릿지(bridge)의 반대 말단에서, 수소 대신에 메틸(R이 CH3임)과 같은 치환체를 가질 수 있는 아미노기가 메틸, 에틸, 트리플루오로메틸, 메톡시, 에톡시, 메틸아미노, 디메틸아미노, 에틸아미노 및 할로겐과 같은 하나 또는 두 개의 치환체를 갖는 헤테로시클릭기, 일반적으로 대칭적 피리미딘 또는 트리아진 환에 연결된다.
본 발명에서의 사용에 고려되는 대표적인 설포닐우레아는 하기 화학식의 화합물이다:
상기 식에서,
J는 하기로 구성된 군으로부터 선택되거나,
J는 R13SO2N(CH3)-이며;
R은 H 또는 CH3이고;
R1은 F, Cl, Br, NO2, C1-C4 알킬, C1-C4 할로알킬, C3-C4 시클로알킬, C2-C4 할로알케닐, C1-C4 알콕시, C1-C4 할로알콕시, C2-C4 알콕시알콕시, CO2R14, C(O)NR15R16, SO2NR17R18, S(O)nR19, C(O)R20, CH2CN 또는 L이며;
R2는 H, F, Cl, Br, I, CN, CH3, OCH3, SCH3, CF3 또는 OCF2H이고;
R3는 Cl, NO2, CO2CH3, CO2CH2CH3, C(O)CH3, C(O)CH2CH3, C(O)-시클로프로필, SO2N(CH3)2, SO2CH3, SO2CH2CH3, OCH3 또는 OCH2CH3이며;
R4는 C1-C3 알킬, C1-C2 할로알킬, C1-C2 알콕시, C2-C4 할로알케닐, F, Cl, Br, NO2, CO2R14, C(O)NR15R16, SO2NR17R18, S(O)nR19, C(O)R20 또는 L이고;
R5는 H, F, Cl, Br 또는 CH3이며;
R6은 C1-C3 알킬, C1-C2 알콕시, C2-C4 할로알케닐, F, Cl, Br, CO2R14, C(O)NR15R16, SO2NR17R18, S(O)nR19, C(O)R20 또는 L이고;
R7은 H, F, Cl, CH3 또는 CF3이며;
R8은 H, C1-C3 알킬 또는 피리딜이고;
R9는 C1-C3 알킬, C1-C2 알콕시, F, Cl, Br, NO2, CO2R14, SO2NR17R18, S(O)nR19, OCF2H, C(O)R20, C2-C4 할로알케닐 또는 L이며;
R10은 H, Cl, F, Br, C1-C3 알킬 또는 C1-C2 알콕시이고;
R11은 H, C1-C3 알킬, C1-C2 알콕시, C2-C4 할로알케닐, F, Cl, Br, CO2R14, C(O)NR15R16, SO2NR17R18, S(O)nR19, C(O)R20 또는 L이며;
R12는 할로겐, C1-C4 알킬 또는 C1-C3 알킬설포닐이고;
R13은 C1-C4 알킬이며;
R14는 알릴, 프로파길, 옥세탄-3-일, 및 할로겐, C1-C2 알콕시 및 CN으로부터 독립적으로 선택된 하나 이상에 의해 임의로 치환된 C1-C3 알킬로 구성된 군으로부터 선택되고;
R15는 H, C1-C3 알킬 또는 C1-C2 알콕시이며;
R16은 C1-C2 알킬이고;
R17은 H, C1-C3 알킬, C1-C2 알콕시, 알릴 또는 시클로프로필이며;
R18은 H 또는 C1-C3 알킬이고;
R19는 C1-C3 알킬, C1-C3 할로알킬, 알릴 또는 프로파길이며;
R20은 C1-C4 알킬, C1-C4 할로알킬, 또는 할로겐에 의해 임의로 치환된 C3-C5 시클로알킬이고;
n은 0, 1 또는 2이며;
L은 이고;
L1은 CH2, NH 또는 O이며;
R21은 H 및 C1-C3 알킬로부터 선택되고;
X는 H, C1-C4 알킬, C1-C4 알콕시, C1-C4 할로알콕시, C1-C4 할로알킬, C1-C4 할로알킬티오, C1-C4 알킬티오, 할로겐, C2-C5 알콕시알킬, C2-C5 알콕시알콕시, 아미노, C1-C3 알킬아미노 및 디(C1-C3 알킬)아미노로부터 선택되며;
Y는 H, C1-C4 알킬, C1-C4 알콕시, C1-C4 할로알콕시, C1-C4 알킬티오, C1-C4 할로알킬티오, C2-C5 알콕시알킬, C2-C5 알콕시알콕시, 아미노, C1-C3 알킬아미노, 디(C1-C3 알킬)아미노, C3-C4 알케닐옥시, C3-C4 알키닐옥시, C2-C5 알킬티오알킬, C2-C5 알킬설피닐알킬, C2-C5 알킬설포닐알킬, C1-C4 할로알킬, C2-C4 알키닐, C3-C5 시클로알킬, 아지도 및 시아노로부터 선택되고;
Z는 CH 및 N으로부터 선택되나;
단, (i) X와 Y 중 하나 또는 둘 다가 C1 할로알콕시인 경우, Z는 CH이고; (ii) X가 할로겐인 경우, Z는 CH이고, Y는 OCH3, OCH2CH3, N(OCH3)CH3, NHCH3, N(CH3)2 또는 OCF2H이다.
본 발명에서의 사용에 고려되는 대표적인 트리아졸로피리미딘은 하기 화학식의 화합물이다:
상기 식에서,
R22 및 R23은 각각 독립적으로 할로겐, 니트로, C1-C4 알킬, C1-C4 할로알킬, C1-C4 알콕시, C1-C4 할로알콕시 및 C2-C3 알콕시카보닐로부터 선택되고;
R24는 H, 할로겐, C1-C2 알킬 및 C1-C2 알콕시로부터 선택되며;
Y1은 H, C1-C2 알킬 및 C1-C2 알콕시로부터 선택되고;
Y2는 H, F, Cl, Br, C1-C2 알킬 및 C1-C2 알콕시로부터 선택되며;
Y3는 H, F 및 메톡시로부터 선택되고;
Z1은 CH 및 N으로부터 선택되나;
단, Y1 및 Y2 중 적어도 하나는 H가 아니다.
Y3가 H 또는 F인 상기 트리아졸로피리미딘이 특히 중요하다.
상기 열거한 정의에서, 단독으로 또는 "알킬티오" 또는 "할로알킬"과 같은 복합 단어로 사용된 용어 "알킬"은 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필 또는 다양한 부틸 이성체와 같은 직쇄 또는 측쇄 알킬을 포함한다. "시클로알킬"은 예를 들어 시클로프로필, 시클로부틸 및 시클로펜틸을 포함한다. "알케닐"은 에테닐, 1-프로페닐, 2-프로페닐 및 다양한 부테닐 이성체와 같은 직쇄 또는 측쇄 알켄을 포함한다. "알케닐"은 또한, 1,2-프로파디에닐 및 2,4-부타디에닐과 같은 폴리엔을 포함한다. "알키닐"은 에티닐, 1-프로피닐, 2-프로피닐 및 다양한 부티닐 이성체와 같은 직쇄 또는 측쇄 알킨을 포함한다. "알키닐"은 또한 2,5-헥사디이닐과 같이 다수의 삼중 결합으로 이루어진 부분을 포함할 수도 있다. "알콕시"는 예를 들어 메톡시, 에톡시, n-프로필옥시, 이소프로필옥시 및 다양한 부톡시 이성체를 포함한다. "알콕시알킬"은 알킬 상의 알콕시 치환체를 의미한다. "알콕시알킬"의 예로는 CH3OCH2, CH3OCH2CH2, CH3CH2OCH2, CH3CH2CH2CH2OCH2 및 CH3CH2OCH2CH2가 포함된다. "알콕시알콕시"는 알콕시 상의 알콕시 치환체를 의미한다. "알케닐옥시"는 직쇄 또는 측쇄 알케닐옥시 부분을 포함한다. "알케닐옥시"의 예로는 H2C=CHCH2O, (CH3)CH=CHCH2O 및 CH2=CHCH2CH2O가 포함된다. "알키닐옥시"는 직쇄 또는 측쇄 알키닐옥시 부분을 포함한다. "알키닐옥시"의 예로는 HC≡CCH2O 및 CH3C≡CCH2O가 포함된다. "알킬티오"는 메틸티오, 에틸티오 및 다양한 프로필티오 이성체와 같은 직쇄 또는 측쇄 알킬티오 부분을 포함한다. "알킬티오알킬"은 알킬 상의 일킬티오 치환체를 의미한다. "알킬티오알킬"의 예로는 CH3SCH2, CH3SCH2CH2, CH3CH2SCH2, CH3CH2CH2CH2SCH2 및 CH3CH2SCH2CH2가 포함되며; "알킬설피닐알킬" 및 "알킬설포닐알킬"은 각각 상응하는 설폭사이드 및 설폰을 포함한다. "알킬아미노", "디알킬아미노"와 같은 다른 치환체도 유사하게 정의된다.
치환체의 탄소 원자의 총 수는 "Ci-Cj" 접두어로 표시되며, 여기서 i 및 j는 1 내지 5의 수이다. 예를 들어, C1-C4 알킬은 다양한 이성체를 포함하는 메틸부터 부틸까지를 나타내는 것이다. 추가의 예로서, C2 알콕시알킬은 CH3OCH2를 나타내며; C3 알콕시알킬은 예를 들어 CH3CH(OCH3), CH3OCH2CH2 또는 CH3CH2OCH2를 나타내고; C4 알콕시알킬은 총 4개의 탄소 원자를 함유하는, 알콕시기로 치환된 알킬기의 다양한 이성체를 나타내며, 예로는 CH3CH2CH2OCH2 및 CH3CH2OCH2CH3가 포함된다.
단독으로, 또는 "할로알킬"과 같은 복합 단어에서 용어 "할로겐"은 불소, 염소, 브롬 또는 요오드를 포함한다. 추가로, "할로알킬"과 같은 복합 단어에서 사용되는 경우, 상기 알킬은 동일하거나 상이할 수 있는 할로겐 원자에 의해 부분적으로 또는 완전히 치환될 수 있다. "할로알킬"의 예로는 F3C, ClCH2, CF3CH2 및 CF3CCl2가 포함된다. 용어 "할로알콕시", "할로알킬티오" 등은 용어 "할로알킬"과 유사하게 정의된다. "할로알콕시"의 예로는 CF3O, CCl3CH2O, HCF2CH2CH2O 및 CF3CH2O가 포함된다. "할로알킬티오"의 예로는 CCl3S, CF3S, CCl3CH2S 및 ClCH2CH2CH2S가 포함된다.
이하의 설포닐우레아 제초제는 본 발명에 유용한 설포닐우레아를 예시한다: 아미도설퓨론 (N-[[[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]아미노]설포닐]-N-메틸메탄설폰아미드), 아짐설퓨론 (N-[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)-아미노]카보닐]-1-메틸-4-(2-메틸-2H-테트라졸-5-일)-1H-피라졸-5-설폰아미드), 벤설퓨론-메틸 (메틸 2-[[[[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]아미노]설포닐]메틸]벤조에이트), 클로리뮤론-메틸 (에틸 2-[[[[(4-클로로-6-메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]아미노]설포닐]벤조에이트), 클로르설퓨론 (2-클로로-N-[[(4-메톡시-6-메틸-1,3,5-트리아진-2-일)아미노]카보닐]벤젠설폰아미드), 시노설퓨론 (N-[[(4,6-디메톡시-1,3,5-트리아진-2-일)아미노]카보닐]-2-(2-메톡시에톡시)벤젠설폰아미드), 시클로설파뮤론 (N-[[[2-(시클로프로필카보닐)페닐]아미노]설포닐]-N1-(4,6-디메톡시피리미딘-2-일)우레아), 에타메트설퓨론-메틸 (메틸 2-[[[[[4-에톡시-6-(메틸아미노)-1,3,5-트리아진-2-일]아미노]카보닐]아미노]설포닐]벤조에이트), 에톡시설퓨론 (2-에톡시페닐 [[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]설파메이트), 플루피르설퓨론-메틸 (메틸 2-[[[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]아미노]설포닐]-6-(트리플루오로메틸)-3-피리딘카복실레이트), 플라자설퓨론 (N-[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]-3-(트리플루오로메틸)-2-피리딘설폰아미드), 포람설퓨론 (2-[[[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]아미노]설포닐]-4-(포르밀아미노)-N,N-디메틸벤즈아미드), 할로설퓨론-메틸 (메틸 3-클로로-5-[[[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]아미노]설포닐]-1-메틸-1H-피라졸-4-카복실레이트), 이마조설퓨론 (2-클로로-N-[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]-이미다조[1,2-a]피리딘-3-설폰아미드), 요오도설퓨론-메틸 (메틸 4-요오도-2-[[[[(4-메톡시-6-메틸-1,3,5-트리아진-2-일)아미노]카보닐]아미노]설포닐]벤조에이트), 메조설퓨론-메틸 (메틸 2-[[[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]아미노]설포닐]-4-[[(메틸설포닐)아미노]메틸]벤조에이트), 메트설퓨론-메틸 (메틸 2-[[[[(4-메톡시-6-메틸-1,3,5-트리아진-2-일)아미노]카보닐]아미노]설포닐]-벤조에이트), 니코설퓨론 (2-[[[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]아미노]설포닐]-N,N-디메틸-3-피리딘카복스아미드), 옥사설퓨론 (3-옥세타닐 2-[[[[(4,6-디메틸-2-피리미디닐)아미노]-카보닐]아미노]설포닐]벤조에이트), 프리미설퓨론-메틸 (메틸 2-[[[[[4,6-비스(트리플루오로메톡시)-2-피리미디닐]아미노]카보닐]아미노]설포닐]-벤조에이트), 프로설퓨론 (N-[[(4-메톡시-6-메틸-1,3,5-트리아진-2-일)아미노]카보닐]-2-(3,3,3-트리플루오로프로필)벤젠설폰아미드), 피라조설퓨론-에틸 (에틸 5-[[[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]아미노]설포닐]-1-메틸-1H-피라졸-4-카복실레이트), 림설퓨론 (N-[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]-3-(에틸설포닐)-2-피리딘설폰아미드), 설포메튜론-메틸 (메틸 2-[[[[(4,6-디메틸-2-피리미디닐)아미노]카보닐]아미노]설포닐]벤조에이트), 설포설퓨론 (N-[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]-2-(에틸설포닐)이미다조[1,2-a]피리딘-3-설폰아미드), 티펜설퓨론-메틸 (메틸 3-[[[[(4-메톡시-6-메틸-1,3,5-트리아진-2-일)아미노]카보닐]아미노]설포닐]-2-티오펜카복실레이트), 트리아설퓨론 (2-(2-클로로에톡시)-N-[[(4-메톡시-6-메틸-1,3,5-트리아진-2-일)아미노]카보닐]벤젠설폰아미드), 트리벤유론-메틸 (메틸 2-[[[[N-(4-메톡시-6-메틸-1,3,5-트리아진-2-일)-N-메틸아미노]카보닐]아미노]설포닐]벤조에이트), 트리플옥시설퓨론 (N-[[(4,6-디메톡시-2-피리미디닐)아미노]카보닐]-3-(2,2,2-트리플루오로에톡시)-2-피리딘설폰아미드), 트리플루설퓨론-메틸 (메틸 2-[[[[[(4-디메틸아미노)-6-(2,2,2-트리플루오로에톡시)-1,3,5-트리아진-2-일]아미노]카보닐]아미노]설포닐]-3-메틸벤조에이트) 및 트리토설퓨론 (N-[[[4-메톡시-6-(트리플루오로메틸)-1,3,5-트리아진-2-일]아미노]카보닐]-2-(트리플루오로메틸)벤젠설폰아미드).
이하의 설포닐우레아가 기술된 본 발명에서의 사용에 바람직하다: 아짐설퓨론, 벤설퓨론-메틸, 클로리뮤론-에틸, 클로르설퓨론, 에타메트설퓨론-메틸, 플루피르설퓨론-메틸, 메트설퓨론-메틸, 니코설퓨론, 림설퓨론, 설포메튜론-메틸, 티펜설퓨론-메틸, 트리벤유론-메틸 및 트리플루설퓨론-메틸.
이하의 트리아졸로피리미딘 제초제는 본 발명에 유용한 트리아졸로피리미딘을 예시한다: 클로란술람-메틸 (메틸 3-클로로-2-[[(5-에톡시-7-플루오로[1,2,4]-트리아졸로[1,5-c]피리미딘-2-일)설포닐]아미노]벤조에이트, 디클로술람 (N-(2,6-디클로로페닐)-5-에톡시-7-플루오로[1,2,4]트리아졸로[1,5-c]-피리미딘-2-설폰아미드), 플로라술람 (N-(2,6-디플루오로페닐)-8-플루오로-5-메톡시[1,2,4]트리아졸로[1,5-c]피리미딘-2-설폰아미드), 플루메트술람 (N-(2,6-디플루오로페닐)-5-메틸[1,2,4]트리아졸로[1,5-a]피리미딘-2-설폰아미드), 메토술람 (N-(2,6-디클로로-3-메틸페닐)-5,7-디메톡시[1,2,4]트리아졸로[1,5-a]피리미딘-2-설폰아미드) 및 페녹스술람 (2-(2,2-디플루오로에톡시)-N-(5,8-디메톡시[1,2,4]트리아졸로[1,5-c]피리미딘-2-일)-6-(트리플루오로메틸)벤젠설폰아미드).
아미도설퓨론, 아짐설퓨론, 벤설퓨론-메틸, 클로리뮤론-에틸, 클로르설퓨론, 시노설퓨론, 시클로설파뮤론, 에타메트설퓨론-메틸, 에톡시설퓨론, 플루피르설퓨론-메틸, 플라자설퓨론, 포람설퓨론, 할로설퓨론-메틸, 이마조설퓨론, 요오도설퓨론-메틸, 메조설퓨론-메틸, 메트설퓨론-메틸, 니코설퓨론, 옥사설퓨론, 프리미설퓨론-메틸, 프로설퓨론, 피라조설퓨론-에틸, 림설퓨론, 설포메튜론-메틸, 설포설퓨론, 티펜설퓨론-메틸, 트리아설퓨론, 트리벤유론-메틸, 트리플옥시설퓨론, 트리플루설퓨론-메틸, 트리토설퓨론, 클로란술람-메틸, 디클로술람, 플로라술람, 플루메트술람 및 메토술람으로 구성된 군으로부터 선택된 설폰아미드 제초제가 본 발명의 방법에 특히 중요하다.
바람직한 구체예에는 다음이 포함된다:
바람직한 예 1: 혼합물이 아미도설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 1A: 혼합물이 아미도설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 1의 방법.
바람직한 예 1B: 혼합물이 아미도설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 1의 방법.
바람직한 예 1C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 1, 1A 또는 1B의 방법.
바람직한 예 2: 혼합물이 아짐설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 2A: 혼합물이 아짐설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 2의 방법.
바람직한 예 2B: 혼합물이 아짐설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 2의 방법.
바람직한 예 2C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 2, 2A 또는 2B의 방법.
바람직한 예 3: 혼합물이 벤설퓨론-메틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 3A: 혼합물이 벤설퓨론-메틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 3의 방법.
바람직한 예 3B: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 탄산칼륨 및 인산칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 3 또는 3A의 방법.
바람직한 예 4: 혼합물이 클로리뮤론-에틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 4A: 혼합물이 클로리뮤론-에틸에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 4의 방법.
바람직한 예 4B: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 4 또는 4A의 방법.
바람직한 예 5: 혼합물이 클로르설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 5A: 혼합물이 클로르설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 5의 방법.
바람직한 예 5B: 혼합물이 클로르설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 5의 방법.
바람직한 예 5C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 5, 5A 또는 5B의 방법.
바람직한 예 6: 혼합물이 시노설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 6A: 혼합물이 시노설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 6의 방법.
바람직한 예 6B: 혼합물이 시노설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 6의 방법.
바람직한 예 6C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 6, 6A 또는 6B의 방법.
바람직한 예 7: 혼합물이 시클로설파뮤론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 7A: 혼합물이 시클로설파뮤론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 7의 방법.
바람직한 예 7B: 혼합물이 시클로설파뮤론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 7의 방법.
바람직한 예 7C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 7, 7A 또는 7B의 방법.
바람직한 예 8: 혼합물이 에타메트설퓨론-메틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 8A: 혼합물이 에타메트설퓨론-메틸에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 8의 방법.
바람직한 예 8B: 혼합물이 에타메트설퓨론-메틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 8의 방법.
바람직한 예 8C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 8, 8A 또는 8B의 방법.
바람직한 예 9: 혼합물이 에톡시설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 9A: 혼합물이 에톡시설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 9의 방법.
바람직한 예 9B: 혼합물이 에톡시설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 9의 방법.
바람직한 예 9C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 9, 9A 또는 9B의 방법.
바람직한 예 10: 혼합물이 플루피르설퓨론-메틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 10A: 혼합물이 플루피르설퓨론-메틸에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 10의 방법.
바람직한 예 10B: 혼합물이 플루피르설퓨론-메틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 10의 방법.
바람직한 예 10C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 10, 10A 또는 10B의 방법.
바람직한 예 11: 혼합물이 플라자설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 11A: 혼합물이 플라자설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 11의 방법.
바람직한 예 11B: 혼합물이 플라자설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 11의 방법.
바람직한 예 11C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 11, 11A 또는 11B의 방법.
바람직한 예 12: 혼합물이 포람설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 12A: 혼합물이 포람설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 12의 방법.
바람직한 예 12B: 혼합물이 포람설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 12의 방법.
바람직한 예 12C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 12, 12A 또는 12B의 방법.
바람직한 예 13: 혼합물이 할로설퓨론-메틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 13A: 혼합물이 할로설퓨론-메틸에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 13의 방법.
바람직한 예 13B: 혼합물이 할로설퓨론-메틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 13의 방법.
바람직한 예 13C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 13, 13A 또는 13B의 방법.
바람직한 예 14: 혼합물이 이마조설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 14A: 혼합물이 이마조설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 14의 방법.
바람직한 예 14B: 혼합물이 이마조설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 14의 방법.
바람직한 예 14C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 14, 14A 또는 14B의 방법.
바람직한 예 15: 혼합물이 요오도설퓨론-메틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 15A: 혼합물이 요오도설퓨론-메틸에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 15의 방법.
바람직한 예 15B: 혼합물이 요오도설퓨론-메틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 15의 방법.
바람직한 예 15C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 15, 15A 또는 15B의 방법.
바람직한 예 16: 혼합물이 메조설퓨론-메틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 16A: 혼합물이 메조설퓨론-메틸에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 16의 방법.
바람직한 예 16B: 혼합물이 메조설퓨론-메틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 16의 방법.
바람직한 예 16C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 16, 16A 또는 16B의 방법.
바람직한 예 17: 혼합물이 메트설퓨론-메틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 17A: 혼합물이 메트설퓨론-메틸에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 17의 방법.
바람직한 예 17B: 혼합물이 메트설퓨론-메틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 17의 방법.
바람직한 예 17C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 17, 17A 또는 17B의 방법.
바람직한 예 18: 혼합물이 니코설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 18A: 혼합물이 니코설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 18의 방법.
바람직한 예 18B: 혼합물이 니코설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 18의 방법.
바람직한 예 18C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 18, 18A 또는 18B의 방법.
바람직한 예 19: 혼합물이 옥사설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 19A: 혼합물이 옥사설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 19의 방법.
바람직한 예 19B: 혼합물이 옥사설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 19의 방법.
바람직한 예 19C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 19, 19A 또는 19B의 방법.
바람직한 예 20: 혼합물이 프리미설퓨론-메틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 20A: 혼합물이 프리미설퓨론-메틸에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 20의 방법.
바람직한 예 20B: 혼합물이 프리미설퓨론-메틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 20의 방법.
바람직한 예 20C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 20, 20A 또는 20B의 방법.
바람직한 예 21: 혼합물이 프로설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 21A: 혼합물이 프로설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 21의 방법.
바람직한 예 21B: 혼합물이 프로설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 21의 방법.
바람직한 예 21C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 21, 21A 또는 21B의 방법.
바람직한 예 22: 혼합물이 피라조설퓨론-에틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 22A: 혼합물이 피라조설퓨론-에틸에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 22의 방법.
바람직한 예 22B: 혼합물이 피라조설퓨론-에틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 22의 방법.
바람직한 예 22C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 22, 22A 또는 22B의 방법.
바람직한 예 23: 혼합물이 림설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 23A: 혼합물이 림설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 23의 방법.
바람직한 예 23B: 혼합물이 림설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 23의 방법.
바람직한 예 23C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 23, 23A 또는 23B의 방법.
바람직한 예 24: 혼합물이 설포메튜론-메틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 24A: 혼합물이 설포메튜론-메틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 24의 방법.
바람직한 예 24B: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 탄산칼륨 및 인산칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 24 또는 24A의 방법.
바람직한 예 25: 혼합물이 설포설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 25A: 혼합물이 설포설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 25의 방법.
바람직한 예 25B: 혼합물이 설포설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 25의 방법.
바람직한 예 25C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 25, 25A 또는 25B의 방법.
바람직한 예 26: 혼합물이 티펜설퓨론-메틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 26A: 혼합물이 티펜설퓨론-메틸에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 26의 방법.
바람직한 예 26B: 혼합물이 티펜설퓨론-메틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 26의 방법.
바람직한 예 26C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 26, 26A 또는 26B의 방법.
바람직한 예 27: 혼합물이 트리벤유론-메틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 27A: 혼합물이 트리벤유론-메틸에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 27의 방법.
바람직한 예 27B: 혼합물이 트리벤유론-메틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 27의 방법.
바람직한 예 27C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 27, 27A 또는 27B의 방법.
바람직한 예 28: 혼합물이 트리플옥시설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 28A: 혼합물이 트리플옥시설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 28의 방법.
바람직한 예 28B: 혼합물이 트리플옥시설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 28의 방법.
바람직한 예 28C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 28, 28A 또는 28B의 방법.
바람직한 예 29: 혼합물이 트리플루설퓨론-메틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 29A: 혼합물이 트리플루설퓨론-메틸에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 29의 방법.
바람직한 예 29B: 혼합물이 트리플루설퓨론-메틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 29의 방법.
바람직한 예 29C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 29, 29A 또는 29B의 방법.
바람직한 예 30: 혼합물이 트리토설퓨론을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 30A: 혼합물이 트리토설퓨론에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 30의 방법.
바람직한 예 30B: 혼합물이 트리토설퓨론에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 30의 방법.
바람직한 예 30C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 30, 30A 또는 30B의 방법.
바람직한 예 31: 혼합물이 클로란술람-메틸을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 31A: 혼합물이 클로란술람-메틸에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 31의 방법.
바람직한 예 31B: 혼합물이 클로란술람-메틸에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 31의 방법.
바람직한 예 31C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 31, 31A 또는 31B의 방법.
바람직한 예 32: 혼합물이 디클로술람을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 32A: 혼합물이 디클로술람에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 32의 방법.
바람직한 예 32B: 혼합물이 디클로술람에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 32의 방법.
바람직한 예 32C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 32, 32A 또는 32B의 방법.
바람직한 예 33: 혼합물이 플로라술람을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 33A: 혼합물이 플로라술람에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 33의 방법.
바람직한 예 33B: 혼합물이 플로라술람에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 33의 방법.
바람직한 예 33C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 33, 33A 또는 33B의 방법.
바람직한 예 34: 혼합물이 플루메트술람을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 34A: 혼합물이 플루메트술람에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 34의 방법.
바람직한 예 34B: 혼합물이 플루메트술람에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 34의 방법.
바람직한 예 34C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 34, 34A 또는 34B의 방법.
바람직한 예 35: 혼합물이 메토술람을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 35A: 혼합물이 메토술람에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 35의 방법.
바람직한 예 35B: 혼합물이 메토술람에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 35의 방법.
바람직한 예 35C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 35, 35A 또는 35B의 방법.
바람직한 예 36: 혼합물이 페녹스술람을 포함하는 본 발명의 방법.
바람직한 예 36A: 혼합물이 페녹스술람에 대해서 약 75 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 36의 방법.
바람직한 예 36B: 혼합물이 페녹스술람에 대해서 약 100 당량% 이상의 무기 염기를 포함하는 바람직한 예 36의 방법.
바람직한 예 36C: 무기 염기가 수화물 형태를 포함한 탄산나트륨, 인산나트륨, 인산수소나트륨, 탄산칼륨, 인산칼륨 및 인산수소칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 염기를 포함하는 바람직한 예 36, 36A 또는 36B의 방법.
바람직한 조성물은 본 발명의 바람직한 방법에 의해 제조된 것을 포함한다.
본 발명의 방법에 따른 압출용 혼합물 및 그로부터 제조된 수 분산성 과립 조성물은 설폰아미드 제초제 이외에 다른 활성성분을 포함할 수 있다. 이들 다른 활성성분에는 제초제, 식물 성장 조절제, 제초제 완화제, 살충제, 해충 안티피던트 (antifeedant), 살비제 (miticide), 살선충제, 살균제 및 살진균제가 포함될 수 있다. 가장 통상적으로, 다른 활성성분은 제초제 또는 제초제 완화제일 수 있다. 제초제의 예로는 아세토클로르, 아시플루오르펜, 아클로니펜, 알라클로르, 알록시딤, 아메트린, 아미카르바존, 아미트롤, 아닐로포스, 아술람, 아트라진, 아자페니딘, 베플루부타미드, 베나졸린, 벤플루랄린, 벤푸레세이트, 벤술라이드, 벤타존, 벤조비사이클론, 벤조페나프, 비페녹스, 비라나포스, 비스피리박, 브로마실, 브로모부타이드, 브로목시닐, 부타클로르, 부타펜아실, 부타미포스, 부트랄린, 부트록시딤, 부틸레이트, 카펜스트롤, 카베타마이드, 카펜트라존-에틸, 클로람벤, 클로르브로뮤론, 클로르플루레놀-메틸, 클로리다존, 클로로톨루론, 클로르프로팜, 클로르탈-디메틸, 클로르티아미드, 시니돈-에틸, 신메틸린, 클레토딤, 클로디나포프-프로파길, 클로마존, 클로메프로프, 클로피랄리드, 큐밀유론, 사이아나진, 시클로에이트, 사이클옥시딤, 사이할로포프-부틸, 2,4-D, 다이뮤론, 2,4-DB, 다조메트, 데스메디팜, 디캄바, 디클로베닐, 디클로르프로프, 디클로포프-메틸, 디펜조쿠아트 메틸설페이트, 디플루페니칸, 디플루펜조피르, 디메푸론, 디메피페레이트, 디메타클로르, 디메타메트린, 디메텐아미드, 디메티핀, 디니트라민, 디노터브, 디펜아미드, 디쿠아트 디브로마이드, 디티오피르, 디유론, 엔도탈, EPTC, 에스프로카브, 에탈플루랄린, 에토푸메세이트, 에토벤자니드, 펜옥사프로프-P-에틸, 펜트라자미드, 펜유론, 플람프로프-M, 플루아지포프-부틸, 플루아지포프-P-부틸, 플루아졸레이트, 플루카바존, 플루클로랄린, 플루페나세트, 플루미클로락-펜틸, 플루미옥사진, 플루오메튜론, 플루오로글리코펜-에틸, 플루리돈, 플루로클로리돈, 플루록시피르, 플루르타몬, 플루티아세트-메틸, 포메사펜, 글루포시네이트, 글리포세이트, 할록시포프, 헥사지논, 이마자메타벤즈-메틸, 이마자목스, 이마자픽, 이마자피르, 이마자퀸, 이마제타피르, 인다노판, 아이옥시닐, 이소프로튜론, 이소유론, 이속사벤, 이속사플루톨, 이속사클로르톨, 락토펜, 레나실, 리뉴론, MCPA, MCPB, 메코프로프, 메코프로프-P, 메페나세트, 메플루이다이드, 메조트리온, 메타미트론, 메타자클로르, 메타벤즈티아쥬론, 메틸디므론, 메토벤쥬론, 메토브로뮤론, 메톨라클로르, S-메톨라클로르, 메톡스유론, 메트리부진, 몰리네이트, 모놀리뉴론, 나프로아닐리드, 나프로파미드, 나프탈람, 네뷰론, 노르플루라존, 오르벤카브, 오리잘린, 옥사디아르길, 옥사디아존, 옥사지클로메폰, 옥시플루오르펜, 파라쿠아트 디클로라이드, 페불레이트, 펜디메탈린, 펜타노클로르, 펜톡사존, 펜메디팜, 피클로람, 피콜리나펜, 피페로포스, 프레틸라클로르, 프로디아민, 프로메톤, 프로메트린, 프로파클로르, 프로파닐, 프로파퀴자포프, 프로파진, 프로팜, 프로피소클로르, 프로피자미드, 프로설포카브, 피라플루펜-에틸, 피라졸리네이트, 피라족시펜, 피리벤족심, 피리부티카브, 피리데이트, 피리프탈리드, 피리미노박-메틸, 피리티오박, 퀸클로락, 퀸메락, 퀴잘로포프, 퀴잘로포프-P, 세톡시딤, 시듀론, 시마진, 시메트린, 술코트리온, 술펜트라존, 2,3,6-TBA, 테부탐, 테부티유론, 테프랄옥시딤, 테르바실, 테르부메톤, 테르부틸라진, 테르부티린, 테니클로르, 티아조피르, 티오벤카브, 티오카바질, 트랄콕시딤, 트리-알레이트, 트리아지플람, 트리클로피르, 트리에타진, 트리플루랄린 및 베르놀레이트가 포함된다. 제초제 완화제의 예로는 베녹사코르, BCS (1-브로모-4-[(클로로메틸)설포닐]벤젠), 클로퀸토세트-멕실, 사이오메트리닐, 디클로르미드, 2-(디클로로메틸)-2-메틸-1,3-디옥솔란 (MG 191), 펜클로라졸-에틸, 펜클로림, 플루라졸, 플럭소페님, 푸릴라졸, 이속사디펜-에틸, 메펜피르-에틸, 메톡시페논 ((4-메톡시-3-메틸페닐)(3-메틸페닐)-메타논), 무수 나프탈산 및 옥사베트리닐이 포함된다. 설폰아미드 제초제에 대한 다른 활성성분의 몰 비가 1:100 내지 100:1인 조성물이 특히 중요하다.
압출용 혼합물이 설포메튜론-메틸 및 인산나트륨을 포함하는 염기를 포함하거나, 혼합물이 티펜설퓨론-메틸 및 탄산나트륨을 포함하는 염기를 포함하거나, 혼합물이 트리벤유론-메틸 및 탄산나트륨을 포함하는 염기를 포함하는 본 발명의 방법이 중요하다. 무기 염기의 배합을 예시한 것으로 중요한 것은 압출용 혼합물이 트리벤유론-메틸 및 탄산나트륨과 인산나트륨을 포함하는 염기를 포함하는 본 발명의 방법이다. 중요한 것으로 언급된 방법에 의해 제조된 페이스트-압출된 설폰아미드 제초제 조성물도 또한 중요하다.
본 발명에 따른 압출용 혼합물은 임의로, 습윤제, 분산제, 윤활제, 케이크 형성 방지제, 화학적 안정화제 및 희석제로부터 선택된 첨가제를, 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 95 중량% 이하, 일반적으로 5 내지 70 중량%, 종종 20 내지 50 중량% 함유할 수 있다. 해당 기술분야에서 숙련된 자는 이들 첨가제의 목적 및 선택을 이해할 수 있을 것이다.
습윤제는 알킬 설포숙시네이트, 라우레이트, 알킬 설페이트 및 포스페이트 에스테르, 아세틸레닉 디올, 에톡시플루오르화 알콜, 에톡실화 실리콘, 알킬 페놀 에톡실레이트, 벤젠 설포네이트, 알킬-치환된 벤젠 설포네이트, 알킬 α-올레핀 설포네이트, 나프탈렌 설포네이트, 알킬-치환된 나프탈렌 설포네이트, 나프탈렌 설포네이트 및 알킬-치환된 나프탈렌 설포네이트와 포름알데히드의 축합물 및 알콜 에톡실레이트를 포함하나, 이들로 제한되지는 않는다. 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 10 중량% 이하(예를 들어, 0.1 내지 5 중량%)의 습윤제를 포함하는 조성물이 중요하다. 활성성분과 염기의 양이 습윤제의 양을 수용하도록 상응하게 제한된다면, 본 발명의 방법에 따라 제조된 조성물은 상당히 더 많은 양의 습윤제(예를 들어, 약 90 중량% 까지)를 포함할 수 있다.
분산제에는 리그닌설포네이트(임의로 폴리에톡실화됨)의 나트륨, 칼슘 및 암모늄 염; 말레산 무수물 공중합체의 나트륨 및 암모늄 염; 축합된 페놀설폰산의 나트륨 염; 및 나프탈렌 설포네이트-포름알데히드 축합물이 포함되나, 이들로 제한되지는 않는다. 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 10 중량% 이하(예를 들어, 0.1 내지 5 중량%)의 분산제를 포함하는 조성물이 중요하다. 나트륨 리그노설포네이트와 같은 리그닌설포네이트가 본 발명의 방법 및 조성물에 특히 유용하다.
윤활제로는 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜 및 폴리에틸렌 옥사이드가 포함되나, 이들로 제한되지는 않는다. 이들은 50,000 보다 큰 중앙 분자량, 98℃ 이상의 용융 유동 온도를 갖지만, 계면활성제로서 작용하지는 않는다. 폴리에틸렌 옥사이드가 바람직하다. 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 3 중량% 이하(예를 들어, 0.01 내지 2 중량%)의 윤활제를 포함하는 조성물이 중요하다. 더 많은 양은 과립의 붕해 속도를 느리게 할 수 있기 때문에 덜 바람직하다.
케이크 형성 방지제는 뜨거운 창고 조건 하에서의 저장 중에 나타날 수 있는 과립의 응집을 방지한다. 염기 등가물을 제공하기 위해 사용된 인산 나트륨 및 암모늄과 같은 무기 염기도 과립의 응집을 방지하는데 도움이 될 수 있다. 본 발명에서 언급될 때, 용어 "케이크 형성 방지제"는 설폰아미드 유리산 성분의 최고 pKa 보다 2.1 유닛 이상 더 큰 컨쥬게이트 산 pKa를 갖는 무기 염기는 포함하지 않는다. 케이크 형성 방지제는 설폰아미드 유리산 성분의 최고 pKa 보다 2.1 유닛 이상 더 큰 컨쥬게이트 산 pKa를 갖지 않는 인산 나트륨 및 암모늄(예를 들어, 인산이수소나트륨), 나트륨 아세테이트, 수산화마그네슘 (모든 임의의 수화물), 무수 염화칼슘, 분자체, 나트륨 알킬설포숙시네이트, 산화칼슘 및 산화바륨을 포함하나, 이들로 제한되지는 않는다. 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 10 중량% 이하(예를 들어, 0.1 내지 5 중량%)의 케이크 형성 방지제를 포함하는 조성물이 중요다.
화학적 안정화제는 저장 중에 활성성분의 분해를 방지한다. 염기 등가물을 제공하기 위해 사용된 인산 리튬, 나트륨 및 칼륨과 같은 무기 염기도 활성성분의 분해를 방지하는데 도움을 줄 수 있다. 본 발명에서 언급될 때, 용어 "화학적 안정화제"는 설폰아미드 유리산 성분의 최고 pKa 보다 2.1 유닛 이상 더 큰 컨쥬게이트 산 pKa를 갖는 무기 염기는 포함하지 않는다. 화학적 안정화제에는 설폰아미드 유리산 성분의 최고 pKa 보다 2.1 유닛 이상 더 큰 컨쥬게이트 산 pKa를 갖지 않는 인산 리튬, 나트륨 및 칼륨(예를 들어, 인산이수소나트륨); 마그네슘, 아연, 알루미늄 및 철과 같은 알칼리 토금속 및 전이 금속의 황산염; 염화칼슘 및 산화칼슘; 및 붕산 무수물이 포함되나, 이들로 제한되지는 않는다. 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 10 중량% 이하(예를 들어, 0.1 내지 5 중량%)의 화학적 안정화제를 포함하는 조성물이 중요하다.
결합제 및 충진제를 포함하나, 이들로 제한되지 않는 희석제는 수용성 또는 수불용성일 수 있다. 염기 등가물을 제공하기 위해 사용된 알칼리 금속 포스페이트와 같은 무기 염기도 결합제 또는 충진제로서 작용할 수 있다. 본 발명에서 언급될 때, 용어 "희석제"는 설폰아미드 유리산 성분의 최고 pKa 보다 2.1 유닛 이상 더 큰 컨쥬게이트 산 pKa를 갖는 무기 염기는 포함하지 않는다. 수용성 희석제는, 예를 들어, 물에서 빠르게 용해하는 염 또는 탄수화물일 수 있으며, 비제한적인 예로는 설폰아미드 유리산 성분의 최고 pKa 보다 2.1 유닛 이상 더 큰 컨쥬게이트 산 pKa를 갖지 않는 알칼리 금속 인산염(예를 들어, 인산이수소나트륨), 알칼리 토금속 인산염, 나트륨, 칼륨, 마그네슘 및 아연의 황산염, 염화나트륨 및 염화칼륨, 소르비톨, 나트륨 벤조에이트, 유당 및 자당이 포함된다. 수불용성 희석제로는 점토, 합성 및 규조토성 실리카, 칼슘 및 마그네슘 실리케이트, 이산화티탄, 산화 알루미늄, 칼슘 및 아연, 탄산 칼슘 및 마그네슘, 황산 나트륨, 칼륨, 칼슘 및 바륨, 및 목탄이 포함되나, 이들로 제한되지는 않는다. 수용성 희석제가 바람직하다. 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 85 중량% 이하(예를 들어, 5 내지 70 중량%)의 희석제를 포함하는 조성물이 중요하다. 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 약 0.5 내지 약 50 중량%의, 단량류(예를 들어, 포도당) 및 이당류(예를 들어, 유당, 자당)를 비롯한 당류가 본 발명의 방법 및 조성물에서 희석제로서 바람직하다. 유당 및 자당와 같은 이당류가 특히 바람직하다.
압출용 혼합물의 제조 시, 물을 첨가하여 혼합물을 압출가능한 페이스트로 하기 전에 혼합물의 나머지 성분들을 일반적으로 블렌딩하여 균질한 조성물을 형성한다. 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 2 내지 90 중량%의, 1종 이상의 설폰아미드 제초제 유리산을 포함하는 하나 또는 그 이상의 활성성분; 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 0.5 내지 94 중량%의 당류, 바람직하게는 유당 또는 자당와 같은 이당류; 바람직하게는 분산제, 예를 들어, 리그닌설포네이트 분산제(예를 들어, 나트륨 리그노설포네이트) 및 임의로 습윤제, 예를 들어, 라우릴 설페이트 염(예를 들어, 나트륨 라우릴 설페이트)을 포함하는, 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 1 내지 20 중량%의 계면활성제 성분; 및 설폰아미드 유리산 성분의 최고 pKa 보다 2.1 유닛 이상 더 큰 컨쥬게이트 산 pKa를 갖는 무기 염기 등가물로부터 선택된, 약 50 당량% 이상의 염기를 포함하는 고체 조성물(예를 들어, 분말)이 중요하며, 여기서 조성물 내 설폰아미드 제초제 성분의 10% 이상은 유리산 형태이다. 상기 당류-함유 고체 조성물은 임의로 추가의 성분들을 포함할 수 있으며, 조성물 내 모든 성분들의 중량% 합은 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 총 100%이다.
필요에 따라 비습윤된 균질한 혼합물을 분쇄하여 압출용 분말을 형성할 수 있다. 압출용 분말 내의 입자의 크기는 상당히 다양할 수 있으며, 여전히 본 발명에 따라 우수한 분산성, 제초 효능 및 분무 장치 청소 특성을 갖는 압출된 설폰아미드 조성물을 제공할 수 있다. 일반적으로, 분쇄 후 압출용 분말은 약 60 미크론 (㎛) 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 90% 이상의 입자는 약 300 미크론 미만이고, 여기서 입자 크기는 입자의 동등한 구형 직경, 즉, 입자와 동일한 용적을 포함하는 구의 직경이다. 햄머 밀과 같은 장치를 사용한 분쇄는 상당히 더 미세한 분말을 제공할 수 있으며, 이러한 미세한 분말은 본 발명의 방법에 의해 제조된 설폰아미드 조성물의 분산 속도를 증가시키거나, 다른 특성들을 개선할 수 있다. 압출용 분말 내의 입자에 있어서, 평균 입자 크기는 용적 평균 및 데 브루커 평균(De Broucker mean)으로도 알려져 있는 용적 모멘트 평균(volume moment mean)이다. 분말의 입자 크기 분포와 관련하여, 입자의 백분율 또한 용적 기준이다(예를 들어, "90% 이상의 입자가 약 300 미크론 미만이다"라는 것은 입자의 응집체 용적의 90%이상이 약 300 미크론 미만의 동등한 구형 직경을 갖는 입자로 구성된다는 것을 의미한다). 입자 크기 분석의 원리는 해당 기술분야에서 숙련된 자에게 잘 알려져 있다[요약을 제공하는 과학 논문에 대한 참조문헌: A. Rawle, "Basic Principles of Particle Size Analysis" (document MRK034 published by Malvern Instruments Ltd., Malvern, Worcestershire, UK)]. 분말 내의 입자의 용적 분포는, 회절각이 입자 크기에 반비례한다는 사실에 근거하는 낮은 각도의 레이저광 산란 (Low Angle Laser Light Scattering; LALLS 및 레이저 회절로도 알려져 있음)과 같은 기술에 의해 편리하게 측정될 수 있다. LALLS를 사용하여 분말 내의 입자의 용적 분포를 분석하는데 적합한 시판 중인 기구에는 마스터사이저 (Mastersizer) 2000 (Malvern Instruments)이 포함된다. 압출용 분말이 약 30 미크론 미만, 더욱 바람직하게는 약 20 미크론 미만, 가장 바람직하게는 약 15 미크론 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 90% 이상의 입자가 약 100 미크론 미만, 더욱 바람직하게는 약 40 미크론 미만, 가장 바람직하게는 약 30 미크론 미만인 본 발명의 방법이 바람직하다. 별법으로, 성분들의 분쇄가 혼합물로 혼입되기 전에 별도로 수행될 수 있다. 어떤 경우에는, 수불용성 성분만을 분쇄하는 것으로 충분하다. 적합한 분쇄기에는 테크마르 A10 아날리티칼 밀 (Techmar®A10 Analytical Mill)과 같은 실험실 규모의 고속 회전 분쇄기, 및 호소카와 마이크론 파우더 시스템(Hosokawa Micron Powder Systems, Summit, NJ)에 의해 제조되는 것과 같은 상업적 규모의 햄머 밀 및 공기 분류 밀 (air classifying mill)이 포함되나, 이들로 제한되지는 않는다.
압출에 적합한 혼합물을 제조하기 위해, 물을 첨가하여 압출가능한 페이스트를 형성한다. 일반적으로 건조 성분들의 혼합물을 저 내지 중등도의 전단 혼합기 또는 혼련기에 첨가하고, 물로 습윤시키고, 압출가능한 페이스트가 수득될 때까지 혼합한다. 물은 분무 또는 스팀으로 첨가될 수 있다. 일반적으로, 건조 성분 혼합물의 중량을 기준으로 하여 5 내지 50%의 물(즉, 건조 성분 혼합물 100 중량부에 대해서 5 내지 50 부의 물)이 압출가능한 페이스트를 생성하는데 필요하다. 별법으로, 수용성 성분을 물에 첨가할 수 있다. 첨가될 수 있는 수용성 성분에는, 예를 들어, 수용성인 상술한 비휘발성 제제화 성분(예를 들어, 습윤제, 분산제, 윤활제, 케이크 형성 방지제, 화학적 안정화제 및 희석제) 뿐만 아니라, 저분자량 알콜(예를 들어, 메탄올, 에탄올 및 이소프로판올)과 같은 기타 휘발성 용매가 포함되나, 이들로 제한되지는 않는다. 또한, 혼합물 내의 무기 염기 등가물의 일부 또는 전부를 물에 우선 용해시킬 수 있다. 일반적으로, 첨가된 물은 수돗물(즉, 음료수)에 통상적으로 존재하는 불순물 이외의 수용성 성분을 함유하지 않는다. 적합한 혼합기로는 식품 가공기, 시그마 암 (sigma arm) 혼합기(예를 들어, The Patterson Foundry & Machine Co. (East Liverpool, OH)에 의해 제조된 "니더마스터(Kneadermaster)"), 퍼그 (pug) 혼합기 및 연속 혼련기(예를 들어, LCI Corporation (Charlotte, NC)로부터 입수할 수 있는 것)가 포함되나, 이들로 제한되지는 않는다.
압출은 페이스트를 페이스트 압출기를 통과시켜 압출물(습식 압출된 스트랜드)을 생산함으로써 수행된다. 페이스트 압출기의 예로는 LCI 코포레이션으로부터 입수할 수 있는 것과 같은 배스킷 (basket) 압출기, 방사상 압출기 및 돔 압출기가 포함되나, 이들로 제한되지는 않는다. 압출기에는, 일반적으로 0.3 내지 3 ㎜, 바람직하게는 0.5 내지 1.5 ㎜, 가장 바람직하게는 0.7 내지 1.0 ㎜의 구멍 직경을 갖는 다이 또는 스크린이 장착된다.
이어서, 압출물을 건조시킨다. 다양한 건조 방법을 사용하여 압출물을 건조시킬 수 있다. 통상적인 건조 방법에는 트레이, 회전, 유동상 및 진동 유동상이 포함된다. 또한, 압출물을 진동, 텀블링 또는 기타 교반 형태로 교반하는 건조 방법은 압출된 스트랜드를 더 짧은 길이, 궁극적으로 용량적 측정에 의해서 분배될 수 있는 과립으로 분해할 것이다. 유동상 건조가 바람직한데, 유동화가 건조되는 압출된 스트랜드가 충격에 의해 별개의 과립들로 파괴되는 것을 증가시키기 때문이다. 진동 유동상 건조가 가장 바람직하다. 메틀러사(Mettler, Inc., Toledo, OH)로부터 입수할 수 있는 것과 같은 수분 균형(moisture balance)에 의해 측정될 때 5% 미만(바람직하게는 3% 미만)의 수분 수준으로 건조시키면 점착이 없는 경화된 과립이 생성된다. 경화된 비점착성 과립이 바람직한데, 이들이 덜 응집되기 때문이다. 약 40℃ 이상, 바람직하게는 60℃ 내지 110℃, 일반적으로 90℃ 이하의 건조 온도가 필요한 수분 수분을 효율적으로 생성한다.
포장 및 사용하기 전에, 일반적으로 건조된 압출된 과립을 체질하여 미세물질 및 응집된 덩어리를 제거할 뿐 만 아니라, 가능하게는 압출된 과립을 더 짧은 길이로 분해한다. 따라서, 본 발명의 방법은 건조된 압출물을 체질하는 단계를 더 포함할 수 있다. 용량적 측정에 의해 분배시키는데 적합한 길이를 갖는 과립 조성물은, 체질을 이용하여 건조된 과립을 분해시켜 약 0.3 내지 약 7 ㎜, 바람직하게는 약 0.5 내지 약 5 ㎜, 가장 바람직하게는 약 0.7 내지 약 4 ㎜의 길이 분포를 수득함으로써 수득될 수 있다. 별법으로, 건조된 과립을 미국 특허 제6,270,025호에 기술된 바와 같은 회전 체를 사용하여 분해시켜, 미국 특허 제6,022,552호에 기술된 바와 같은 균질한 블렌드를 제조하는데 특히 적합한 길이 분포를 얻는다.
현저히 개선된 분무 탱크 청소 특성 이외에도, 본 발명의 방법에 따라 약 50 당량% 이상의 염기를 함유하는 혼합물로부터 제조된 제제는 특정 환경 하에서 더 소량의 염기를 함유하거나 염기를 함유하지 않는 혼합물로부터 제조된 대조 제제에 비해 상당히 더 우수한 잡초 구체를 제공하는 것으로 발견되었다. 잡초 구제는 100%의 한계를 갖기 때문에, 본 발명의 제제에 의한 더 우수한 잡초 구제는 상기 대조 제제가 100% 보다 훨씬 적은 구제를 제공하는 환경 하에서 가장 쉽게 실현될 수 있다. 이들 환경은 상기 대조 제제에 의해서는 효율적으로 구제되는 대신에 단지 억제될 수 있는, 구제가 어려운 잡초 종의 처리를 포함한다. 본 발명의 제제의 개선된 제초 효능은 상기 대조 제제는 억제만을 제공하는 낮은 적용율로 다른 식으로는 비교적 구제하기 용이한 잡초 종을 구제하는 경우에서도 실현될 수 있다. 본 발명의 제제가 현저하게 개선된 잡초 구제를 제공할 수 있는 다른 환경에는 비교적 작은 분무 용적을 사용하는 적용이 포함된다. 본 발명의 제제는 제제 내에 포함된 것 이외에 추가의 계면활성제를 분무 액체에 첨가할 필요성을 제거할 수 있지만, 이러한 계면활성제의 첨가는 본 발명의 제제에 의한 잡초 구제에 이로울 수 있다.
더 상세히 설명하지 않더라도, 본 기술분야에서 숙련된 자는 상기 기술 내용을 이용하여 본 발명을 최대로 이용할 수 있을 것으로 생각된다. 따라서, 이하의 실시예는 단지 예시를 목적으로 하는 것이며, 어떤 식으로도 기술 내용을 제한하는 것은 아니다.
[분석 실시예]
분석 실시예 1
설폰아미드 제초제의 pK a 를 측정하는 예시적 방법
나트륨 아세테이트 3수화물 (6.8 g), 인산나트륨 12수화물 (19.0 g) 및 나트륨 보레이트 10수화물 (19.1 g)을 고도로 정제된 물 (500 ㎖)에 용해시킴으로써 원 완충 용액을 제조한다. 이 원 완충 용액을 일반적으로 매우 정제된 물로 100 배 희석하여 pH 9 내지 pH 10 사이의 pH를 갖는 0.001 M 시험 완충 용액을 제공한다. 필요에 따라, 더 높은 농도의 완충액을 제조할 수 있다. 설폰아미드 제초제 유리산의 원액을 유기 용매, 바람직하게는 아세톤과 같이 물과 혼화성인 용매 중에서 제조한다. 원액의 농도는 1 M 또는 사용된 유기 용매에 대한 포화 농도의 절반 중 더 작은 것을 초과하지 않아야 한다.
시험 온도(예를 들어, 20℃)로 온도를 유지할 수 있는 온도 조절기가 장착된 UV/가시광 분광광도계를 사용하여 다양한 pH에서 설폰아미드에 대한 스펙트럼을 기록한다. 블랭크(blank)로는 0.001 M 시험 완충액을 사용한다. 각각 염산 용액 (pH ≤2) 및 수산화나트륨 용액 (pH ≥10)에 첨가된 설폰아미드 원액의 분취액에 대하여 스펙트럼을 기록한다. 설폰아미드의 산성 및 염기성 (염) 형태가 흡광도에 있어서 서로 감지할 수 있게 차이가 나는 최적 분석 파장을 기록하고, 추후의 분석에 사용한다. 설폰아미드 원액의 분취액을 플라스크에 첨가하고, 질소 하에서 용매를 증발시킨다. 완충 용액(0.001 M, 100 ㎖)을 플라스크에 첨가하고, 혼합물을 자기 교반하여 시험 용액을 형성한다. pH는 0.1 pH 유닛 또는 그 미만의 차이를 분해할 수 있는 검정된 pH 미터를 사용하여 기록한다. 시험 용액의 pH를 염산을 사용하여 대략 pH 2로 조정한 다음, 수산화나트륨 용액을 pH 10 내지 12 까지 증가량 당 약 0.5 또는 그 미만의 pH 유닛의 변화를 수득하는 증가량으로 첨가하고, UV/가시광 흡광도를 분석 파장에서 pH 변화의 함수로서 기록한다. 비선형 최소 자승 모델(nonlinear, least-squares model)을 기초로 하여 흡광도 대 pH의 플롯에 대한 회귀 분석을 수행하여 설폰아미드 유리산 및 설폰아미드 염이 동 몰량으로 존재하는 pH를 결정하며, 이 pH가 설폰아미드의 pKa이다. 시험을 반복하여 정확성을 보장하는 것이 바람직하다.
분석 실시예 2
pH 7 완충액 중에서 설폰아미드 제초제의 용해도를 측정하는 예시적 방법
수산화나트륨 수용액 (0.1 M, 145 ㎖)을 인산이수소칼륨 수용액 (0.1 M, 250 ㎖)에 첨가한 다음, 충분히 증류된 물을 첨가하여 최종 용적을 500 ㎖로 조정함으로써 pH 7의 원 완충 용액을 제조한다. 시험 온도(예를 들어, 20℃)에서 원 완충 용액을 함유하는 혼합 용기에 포화에 필요한 설폰아미드 양의 적어도 1 배 내지 약 5 배 까지의 양을 첨가한다. 혼합물을 시험 온도로 유지하면서 암소에서 자기적으로 교반한다. 분석을 위해 샘플을 주기적으로 회수한다. 샘플을 시험 온도에서 약 20분 동안 온도-조절된 고속 원심분리기를 사용하여 ≥12000 G에서 원심분리시켜 현탁된 입자를 제거한다. 각 상등액의 분취액을 분석을 위해 채취한다.
상등액 중 설폰아미드의 농도는 개개의 설폰아미드에 적합한 고압 액체 크로마토그라피 (HPLC) 방법에 의해 결정한다. 일반적으로 HPLC 방법은 역상 크로마토그라피 칼럼 및 UV 검출을 사용하게 된다. 이 방법은 선형 회귀 분석을 사용하여 적어도 3 개의 표준품을 기준으로 한 최량 적합 검정 곡선(best-fit calibration curve)의 개발을 포함하여야 한다. 또한, 상등액의 pH는 0.1 pH 유닛 또는 그 미만의 차이를 분해할 수 있는 검정된 pH 미터를 사용하여 측정하여 pH가 7인 것을 확인한다. 3 개의 연속 샘플이 농도에 있어서 거의 또는 전혀 변화를 나타내지 않을 때까지 혼합 용기로부터 연속적으로 샘플을 채취하여, 분석한다. 시험을 반복하여 정확성을 보장하는 것이 바람직하다.
[제제화 방법 실시예]
지시된 백분율로 성분들을 배합하여 20 내지 50 그람의 비습윤된 혼합물을 생성함으로써 제제를 제조하였다. 다른 식으로 언급되지 않는 한, 제제는 50% 설폰아미드 제초제, 0.5% 수프랄레이트 ME 드라이 (Supralate®ME Dry; 나트륨 라우릴 설페이트, Witco Inc. (Greenwich, CT)에 의해 시판됨), 5% 리악스 (Reax®) 88B (나트륨 리그노설포네이트, Westvaco Corp. (N. Charleston Heights, SC)에 의해 시판됨), 및 최종 조성물에서 지시된 당량의 염기(설폰아미드 제초제에 대해서임)를 제공하는 양의 무기 염기를 함유하였다. 제제 조성물의 나머지는 자당 및(또는) 유당 일수화물이었다. 혼합물을 고속 회전 밀에서 블렌딩 및 분쇄하였다. 분쇄된 혼합물 (10 내지 15 g) 및 물 (2 내지 5 ㎖)을 혼합기로서 회전 밀을 사용하여 저속으로 배합시켜 페이스트를 형성하고, 그 후 이 페이스트를 1.0 ㎜ 다이를 통해 압출시켰다. 습윤 압출물을 진공 오븐에서 70℃에서 건조시킨 다음, 0.71-2 ㎜ 스크린을 통해 체질하여 과립 생성물을 수득하였다. 실시예 제제의 조성을 표 1에 요약하여 나타내었다.
실시예 제제의 요약
실시예 설폰아미드 제초제 성분 설폰아미드 양 (%) 수프랄레이트 ME (%) 리악스 88B (%) 자당 (%) 유당(*) (%) 염기 성분 염기 (%)
1 티펜설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 1.0 43.5 없음 -
2 티펜설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 1.0 34.5 Na2HPO4 9.0
3 티펜설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 1.0 6.5 Na2HPO4 37.0
4 티펜설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 1.0 36.5 K3PO4 7.0
5 티펜설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 1.0 16.5 K3PO4 27.0
6 티펜설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 1.0 40.1 Na2CO3 3.4
7 티펜설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 1.0 29.5 Na2CO3 14.0
8 티펜설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 1.0 36.5 KHCO3 7.0
9 티펜설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 1.0 17.5 KHCO3 26.0
10 설포메튜론-메틸 50.0 0.5 5.0 3.0 41.5 없음 -
11 설포메튜론-메틸 50.0 0.5 5.0 3.0 38.6 Na3PO4(**) 2.9
12 설포메튜론-메틸 50.0 0.5 5.0 3.0 35.9 Na3PO4(**) 5.6
13 설포메튜론-메틸 50.0 0.5 5.0 3.0 30.1 Na3PO4(**) 11.4
14 설포메튜론-메틸 50.0 0.5 5.0 3.0 19.1 Na3PO4(**) 22.4
15 설포메튜론-메틸 36.5 0.4 3.6 2.2 24.5 Na3PO4(**) 32.8
16 설포메튜론-메틸 50.0 0.5 4.0 0.0 0.5 Na3PO4 45.0
17 벤설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 0.0 44.5 없음 -
18 벤설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 0.0 41.1 Na2CO3 3.4
19 벤설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 0.0 37.8 Na2CO3 6.7
20 벤설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 0.0 31.5 Na2CO3 13.0
21 벤설퓨론-메틸 50.0 0.5 5.0 0.0 18.5 Na2CO3 26.0
22 트리벤유론-메틸 50.0 0.5 5.0 0.0 44.5 없음 -
23 트리벤유론-메틸 50.0 0.5 5.0 0.0 37.8 Na2CO3 6.7
24 트리벤유론-메틸 50.0 0.5 5.0 0.0 18.0 Na2CO3 26.5
(*) 중량 백분율은 또한 수화수 및 제제 내의 기술적 불순물을 포한한다.(**) Na3PO4는 12수화물의 형태로 첨가되었지만, 기재된 양은 무수 등가물을 기준으로 하여 계산된다.
과립 조성물은 분무 탱크 내의 유기 침적물 중에 잠재적으로 잔류할 수 있는 설폰아미드 제초제 잔류물을 측정하는 이하의 청소 시험 방법에 의해 평가되었다.
실험실 청소 시험 방법
과립 조성물 샘플을 물에 분산시켜 제초제를 적용하는 경우에 통상적으로 사용되는 농도를 생성함으로써 시험을 수행하였다: 티펜설퓨론-메틸의 경우 600 ppm 및 설포메튜론-메틸, 벤설퓨론-메틸 및 트리벤유론-메틸의 경우 350 ppm. 적절한 양의 과립을 400-㎖ 비이커 내의 수돗물 (300 ㎖)에 첨가하고, 2분 동안 자기적으로 교반하였다. 교반한 후에, 틸트 (Tilt®) 250(1.5 ㎖, 신젠타(Syngenta, Basil, Switzerland)로부터 시판품을 입수할 수 있는 프로피코나졸 제제)을 첨가하였다. 그 후, 혼합물을 추가로 2분 동안 교반하고, 이렇게 하여 생성된 분산액을 3 개의 100 ㎖ 분취액으로 4 oz (118-㎖) 폴리에틸렌 병에 분배하였다. 병의 마개를 하여, 2 회 거꾸로 하고, 밤새 정치시켰다.
밤새 정치시킨 후에, 각각의 병을 2 회 거꾸로 한 다음, 액체 내용물을 부었다. 수돗물 (10 ㎖)을 첨가하고, 모든 침강물이 재현탁될 때까지 병을 거꾸로 하고, 모든 침강물이 재현탁되었을 때 내용물을 부었다. 수돗물 (100 ㎖)을 첨가하고, 병을 2회 거꾸로 한 다음, 10분 동안 혼탁되지 않게 정치시켰다. 병을 2 회 이상 거꾸로 하고, 내용물을 부었다. 병에 아세토니트릴 (10 ㎖)을 첨가하여 모든 잔류하는 물질을 추출하였다. 아세토니트릴 용액을 UV 검출과 함께 역상 액체 크로마토그라피에 의해 분석하였다. 청소율(cleanout rating; 아세토니트릴 용액 중 설폰아미드 제초제의 농도)은 이하의 표 2에 ppm으로 보고되어 있다. 더 낮은 청소율은 더 높은 청소율에 비해 더 효과적인 청소를 나타낸다. 청소 시험은 염기를 함유하지 않는 제제 실시예 1, 10 및 17에 대하여 2 회 반복하였으며, 두 개 세트의 결과를 별도로 기재하였다.
청소 시험을 사용하여 평가된 제제의 요약
실시예 설폰아미드 제초제 성분 설폰아미드 양 (%) 염기성분 염기 (%) S.U.에 대한 염기의 대략적 당량% 청소율 (S.U.ppm으로서)
1 티펜설퓨론-메틸 50.0 없음 - 0 203, 150
2 티펜설퓨론-메틸 50.0 Na2HPO4 9.0 49 2
3 티펜설퓨론-메틸 50.0 Na2HPO4 37.0 202 0
4 티펜설퓨론-메틸 50.0 K3PO4 7.0 51 66
5 티펜설퓨론-메틸 50.0 K3PO4 27.0 197 4
6 티펜설퓨론-메틸 50.0 Na2CO3 3.4 50 9
7 티펜설퓨론-메틸 50.0 Na2CO3 14.0 204 0
8 티펜설퓨론-메틸 50.0 KHCO3 7.0 54 3
9 티펜설퓨론-메틸 50.0 KHCO3 26.0 201 0
10 설포메튜론-메틸 50.0 없음 - 0 280, 310
11 설포메튜론-메틸 50.0 Na3PO4 2.9 13 280
12 설포메튜론-메틸 50.0 Na3PO4 5.6 25 270
13 설포메튜론-메틸 50.0 Na3PO4 11.4 50 290
14 설포메튜론-메틸 50.0 Na3PO4 22.4 99 50
15 설포메튜론-메틸 36.5 Na3PO4 32.8 197 1
16 설포메튜론-메틸 50.0 Na3PO4 45.0 198 2
17 벤설퓨론-메틸 50.0 없음 - 0 330, 190
18 벤설퓨론-메틸 50.0 Na2CO3 3.4 26 190
19 벤설퓨론-메틸 50.0 Na2CO3 6.7 51 220
20 벤설퓨론-메틸 50.0 Na2CO3 13.0 100 120
21 벤설퓨론-메틸 50.0 Na2CO3 26.0 199 6
22 트리벤유론-메틸 50.0 없음 - 0 70
23 트리벤유론-메틸 50.0 Na2CO3 6.7 50 5
24 트리벤유론-메틸 50.0 Na2CO3 26.5 198 0
제제 실시예 1, 10, 17 및 22는 무기 염기를 거의 또는 전혀 함유하지 않는 통상적인 페이스트-압출된 과립 설폰아미드 제초제 조성물을 예시한 것이다. 표 2의 데이타로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 방법에 따라 약 50 당량%의 염기를 함유하도록 제조된 과립 조성물은, 설폰아미드 제초제가 티펜설퓨론-메틸인 경우, 설폰아미드 제초제가 아세토니트릴 세척 용액 중에서 훨씬 낮은 수준으로 회수되었으며; 탄산나트륨은 본 발명의 방법에서 적은 잔류물을 갖는 티펜설퓨론-메틸 조성물을 생산하는데 중량% 기준으로 특히 효과적이었다. 트리벤유론-메틸의 경우, 50 당량%의 염기가 매우 상당한 효과를 제공하였다. 설포메튜론-메틸 및 벤설퓨론-메틸의 경우, 상당한 효과를 수득하는데 대략 100 당량%의 염기가 필요하였으며, 염기의 양을 약 200 당량%로 증가시키면 잔류물이 무시할 수 있는 수준으로 감소하였다. 이것은, 본 발명의 방법에 따라 제조된 과립 조성물이 분무 장치 내에서 현저하게 더 낮은 설폰아미드 제초제 잔류물을 제공할 수 있다는 것을 지시한다.
[제초제 시험 실시예]
제제의 제조
실시예 1, 5 및 7 (티펜설퓨론-메틸) 및 실시예 22 및 24 (트리벤유론-메틸)의 제제 샘플을 제제 제조 실시예 항목에서 상술한 방법에 따라 제조하였다.
온실 생물학적 시험
티펜설퓨론-메틸 및 트리벤유론-메틸의 상이한 제제를 서양메꽃 (Convolvulus arvensis L; field bindweed) 및 갈퀴덩굴 (Galium aparine L.; catchweed bedstraw)에 대한 별도의 시험에서 평가하였다. 두 가지 종 모두를 15 ㎝ 플라스틱 포트 내에 약 1 내지 2 ㎝ 깊이로 심었다. 서양메꽃은 발아한 후에 두 개의 식물로 솎아 내었으며, 갈퀴덩굴은 세 개의 식물로 솎아 내었다. 포트는 합성 성장 배지(Redi-Earth®potting media, Scotts-Sierra Horticultural Products Company, Marysville, OH 43041)를 함유하였으며, 빠른 성장을 위해서 관수하고, 비료를 주었다. 160 μM/㎡/s 광합성적으로 활성인 방사선을 제공하는 금속 할라이드 광선은 광선 강도가 500 μE/㎡/s 이하인 경우에 16 시간의 광주기 동안에 천연 강도를 보충하였다. 낮 온도는 28±2℃였으며, 밤 온도는 22±2℃였다. 서양메꽃 및 갈퀴덩굴을 각각 19일 동안 성장시켰으며, 분무하기 전에 균일성에 대해 선별하였다. 서양메꽃과 갈퀴덩굴의 식물 키는 각각 10 내지 13 ㎝ 및 4 내지 6 ㎝였다.
분무 혼합물을 실온에서 탈이온수를 사용하여 제조하였다. 처리는 제조한 지 약 1시간 후에 94 L/ha 용적으로 분무하여 수행하였다. 처리는 4 회 반복하였으며, 138 kPa로 설정된 분무 압력으로 51 ㎝ 높이에서 평평한 팬 노즐(TeeJet® flat-fan SS8001E model, Spraying Systems Co., Wheaton, IL 60188)을 사용하여 적용하였다. 계면활성제인 세테아레스-25(평균 25 에틸렌 글리콜 유닛을 함유하는 세테아릴 알콜(세틸 및 스테아릴 알콜의 혼합물)의 폴리에틸렌 글리콜 에테르)는 지시된 경우에 분무 용적의 0.1%로 사용되었다. 처리한 지 15일 후에 식물의 싹을 평량하고, 새로운 중량 증가의 억제를 비처리 식물과 비교하였다. 억제율로 표현되는 평균치는 표 3에 기재하였다.
0.1% w/w 비이온성 계면활성제 세테아레스-25의 존재 및 부재 하에서 서양메꽃 (Convolvulus arvensis) 및 갈퀴덩굴 (Galium aparine)에 대한 티펜설퓨론-메틸 및 트리벤유론-메틸 제제의 활성 비교
제초제 비율(g a.i./ha) 제제 비이온성계면활성제 서양메꽃% 갈퀴덩굴%
티펜설퓨론-메틸 15 실시예 1 없음 35 87
세테아레스-25 84 97
실시예 5 없음 72 89
세테아레스-25 91 98
실시예 7 없음 69 88
세테아레스-25 94 96
45 실시예 1 없음 61 94
세테아레스-25 89 97
실시예 5 없음 79 92
세테아레스-25 94 99
실시예 7 없음 78 96
세테아레스-25 95 98
트리벤유론-메틸 15 실시예 22 없음 81 61
세테아레스-25 88 92
실시예 24 없음 84 83
세테아레스-25 90 94
45 실시예 22 없음 78 90
세테아레스-25 92 96
실시예 24 없음 89 91
세테아레스-25 93 96
표 3에 나타낸 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 방법에 따라 염기를 함유하는 혼합물로부터 제조된 페이스트-압출된 티펜설퓨론-메틸 제제 (즉, 제제 실시예 5 및 7)는 염기가 첨가되지 않은 혼합물로부터 제조된 대조 제제 (즉, 제제 실시예 1)에 비해, 서양메꽃에 대해서 훨씬 더 우수한 구제를 제공하였다. 분무 용액에 계면활성제인 세테아레스-25를 첨가하는 것은 대조 제제 실시예 1의 효능을 증진시켰지만, 계면활성제는 제제 실시예 5 및 7의 효능도 더 증가시켰으므로, 본 발명의 방법에 따라 제조된 제제 실시예 5 및 7과 함께 세테아레스-25를 사용하는 것으로부터 서양메꽃을 구제하는데 최상의 결과가 수득되었다. 표 3에 제시된 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 방법에 따라 염기를 함유하는 혼합물로부터 제조된 페이스트-압출된 트리벤유론-메틸 제제 (즉, 제제 실시예 24)는 염기가 첨가되지 않은 혼합물로부터 제조된 대조 제제 (즉, 제제 실시예 22)에 비해, 시험한 두 가지 적용율 모두에서 서양메꽃의 훨씬 더 우수한 구제를 제공하였으며, 또한 더 낮은 적용율(15 g a.i./ha)에서 갈퀴덩굴의 훨씬 더 우수한 구제를 제공하였다. 트리벤유론-메틸 제제 두 가지 모두의 효능은 분무 용액에 계면활성제 세테아레스-25를 첨가함으로써 증가되었다. 이 생물학적 시험에서, 본 발명의 방법에 따라 제조된 제제는 시험한 적용율에서 대조 제제에 의해서 잘 구제되지 않는 잡초에 대해 최대의 이점을 나타내었다. 상기 결과는 본 발명의 방법에 따라 제조된 제제에 대한 개선된 분무 장치 청소 특성 이외에 또 다른 뚜렷한 이점을 입증하는 것이다.

Claims (17)

  1. (a) (i) 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 2 내지 90 중량%의, 1종 이상의 설폰아미드 제초제 유리산을 포함하는 하나 또는 그 이상의 활성성분; (ii) 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 0 내지 95 중량%의, 습윤제, 분산제, 윤활제, 케이크 형성 방지제, 화학적 안정화제 및 희석제로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 첨가제; 및 (iii) 설폰아미드 제초제 유리산 성분의 최고 pKa 보다 2.1 유닛 이상 더 큰 컨쥬게이트 산 pKa를 갖는 무기 염기 등가물로부터 선택된 약 50 당량% 이상의 염기(혼합물 내 모든 성분들의 중량% 합은 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 총 100%임); 및 (iv) 혼합물을 압출가능한 페이스트로 만들기에 충분한 물을 포함하는 혼합물을 제조하고;
    (b) (a)에서 제조된 혼합물을 다이 또는 스크린을 통해 압출시켜 압출물을 형성하고;
    (c) 압출물을 건조시키는 단계를 포함하는, 페이스트-압출된 설폰아미드 제초제 조성물의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 혼합물이 약 75 당량% 이상의 염기를 포함하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 혼합물이 약 100 당량% 이상의 염기를 포함하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 염기가 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 인산수소나트륨, 인산나트륨, 탄산수소칼륨, 탄산칼륨, 인산수소칼륨 및 인산칼륨으로 구성된 군으로부터 선택된 무기 염기를 포함하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 염기가 탄산나트륨, 인산나트륨, 탄산칼륨 및 인산칼륨으로 구성된 군으로부터 선택된 무기 염기를 포함하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 염기가 탄산나트륨을 포함하는 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 염기가 인산나트륨을 포함하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 인산나트륨이 12수화물 형태인 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 혼합물이, 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 약 0.5 내지 약 50 중량%의 당류를 포함하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 1종 이상의 설폰아미드 제초제 유리산이 아미도설퓨론, 아짐설퓨론, 벤설퓨론-메틸, 클로리뮤론-에틸, 클로르설퓨론, 시노설퓨론, 시클로설파뮤론, 에타메트설퓨론-메틸, 에톡시설퓨론, 플루피르설퓨론-메틸, 플라자설퓨론, 포람설퓨론, 할로설퓨론-메틸, 이마조설퓨론, 요오도설퓨론-메틸, 메조설퓨론-메틸, 메트설퓨론-메틸, 니코설퓨론, 옥사설퓨론, 프리미설퓨론-메틸, 프로설퓨론, 피라조설퓨론-에틸, 림설퓨론, 설포메튜론-메틸, 설포설퓨론, 티펜설퓨론-메틸, 트리아설퓨론, 트리벤유론-메틸, 트리플옥시설퓨론, 트리플루설퓨론-메틸, 트리토설퓨론, 클로란술람-메틸, 디클로술람, 플로라술람, 플루메트술람, 메토술람 및 페녹스술람으로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 1종 이상의 설폰아미드 제초제 유리산이 아짐설퓨론, 벤설퓨론-메틸, 클로리뮤론-에틸, 클로르설퓨론, 에타메트설퓨론-메틸, 플루피르설퓨론-메틸, 메트설퓨론-메틸, 니코설퓨론, 림설퓨론, 설포메튜론-메틸, 티펜설퓨론-메틸, 트리벤유론-메틸 및 트리플루설퓨론-메틸로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 1종 이상의 설폰아미드 제초제 유리산이 설포메튜론-메틸이고, 염기가 인산나트륨을 포함하는 방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 1종 이상의 설폰아미드 제초제 유리산이 티펜설퓨론-메틸이고, 염기가 탄산나트륨을 포함하는 방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 1종 이상의 설폰아미드 제초제 유리산이 트리벤유론-메틸이고, 염기가 탄산나트륨을 포함하는 방법.
  15. 제 1 항에 있어서, (a)에서 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 2 내지 90 중량%의, 1종 이상의 설폰아미드 제초제 유리산을 포함하는 하나 또는 그 이상의 활성성분, 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 0.5 내지 94 중량%의 당류, 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 1 내지 20 중량%의 계면활성제 성분, 설폰아미드 제초제 유리산 성분의 최고 pKa 보다 2.1 유닛 이상 더 큰 컨쥬게이트 산 pKa를 갖는 무기 염기 등가물로부터 선택된 약 50 당량% 이상의 염기, 및 임의로 다른 성분을 포함하는 고체 조성물에 압출가능한 페이스트를 제조하기에 충분한 물을 첨가하는(여기서, 고체 조성물 내 모든 성분들의 중량% 합은 물이 없는 혼합물을 기준으로 하여 총 100%이고, 고체 조성물 내 설폰아미드 제초제 함량의 10% 이상은 유리산 형태임) 방법.
  16. 제 1 항에 있어서, 건조된 압출물을 체질하는 단계를 더 포함하는 방법.
  17. 제 1 항의 방법에 의해 제조된 페이스트-압출된 설폰아미드 제초제 조성물.
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