KR20050011091A - 차폐층을 구비하는 인덕터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 차폐층으로 사용하고자 하는 액티브 지역을 실리콘 기판과 격리시킨 후, 표면에 실리사이드(silicide)를 형성하면 실리콘 기판보다 더 큰 전기전도도를 갖으면서 실리콘 기판과 전기적으로 독립된 차폐층으로 사용이 가능하여 인덕터의 효율을 증가시킬 수 있는 차폐층을 구비하는 인덕터 제조방법을 제공하는 것이다. 차폐층을 구비하는 인덕터 제조방법은 기판 상에 패드 산화막 및 패드 질화막을 순차적으로 형성하는 단계와, 패드 질화막 상에 소정 형상의 포토 레지스트를 도포한 후, 소정 형상의 포토 레지스트를 마스크로 이용하여 패드 질화막 및 패드 산화막을 패터닝함으로써, 차폐층으로 사용하여는 부분만 노출시키는 단계와, 패터닝된 질화막을 마스크로 사용하여 기판을 소정 깊이까지 습식 식각하여, 기판 내에 둥근 모양의 트렌치를 형성하는 단계와, 트렌치를 산화막으로 충진하는 단계와, 살리사이드 차단층을 증착한 후, 살리사이드가 형성되지 않아야 할 부분에 형성된 살리사이드 차단층을 식각으로 제거하여, 충진된 산화막을 개방시키는 단계와, 충진된 산화막 상에 살리사이드를 형성함으로써, 액티브 차폐층을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 인덕터와 실리콘 기판 사이에 액티브 층으로 차폐층(shield layer)을 제조하여 인덕터의 개선시키고자 하는 차폐층을 구비하는 인덕터 제조방법에 관한 것이다.
현재, 연구되어지는 인덕터는 상부 메탈을 코일로 사용하여 나선형(spiral)이나 직사각형 유형의 인덕터가 주를 이루고 있다. 이러한 인덕터는 기판을 향하여 자기장이 형성되어지는 전기 전도성을 갖는 실리콘 기판에 자기장에 의한 유도전류가 발생하여 인덕터의 효율 값인 Q 값을 감소시킨다.
또한, 실리콘 기판으로 빠진 전기장은 실리콘 기판 내에 전류를 유도하여 메인 칩(main chip)으로 원하지 않는 전류가 흐르게 되어 메인 칩에 손상을 주는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 주목적은 차폐층으로 사용하고자 하는 액티브 지역을 실리콘 기판과 격리시킨 후, 표면에 실리사이드(silicide)를 형성하면 실리콘 기판보다 더 큰 전기전도도를 갖으면서 실리콘 기판과 전기적으로 독립된 차폐층으로 사용이 가능하여 인덕터의 효율을 증가시킬 수 있는 차폐층을 구비하는 인덕터 제조방법을 제공하는 것이다.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 차폐층을 구비하는 인덕터의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 형성한 차폐층을 구비하는 인덕터를 설명하기 위한 단면도이다.
- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 -
100 : 기판 102 : 패드 산화막
104 : 패드 질화막 106 : 포토 레지스트
108 : 트렌치 110 : 산화막
112 : 충진된 산화막 114 : 살리사이드 차단층
116 : 액티브 차폐층 120 : 인덕터
상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 기판 상에 패드 산화막 및 패드 질화막을 순차적으로 형성하는 단계와, 패드 질화막 상에 소정 형상의 포토 레지스트를 도포한 후, 소정 형상의 포토 레지스트를 마스크로 이용하여 패드 질화막 및 패드 산화막을 패터닝함으로써, 차폐층으로 사용하여는 부분만 노출시키는 단계와, 패터닝된 질화막을 마스크로 사용하여 기판을 소정 깊이까지 습식 식각하여, 기판 내에 둥근 모양의 트렌치를 형성하는 단계와, 트렌치를 산화막으로 충진하는 단계와, 살리사이드 차단층을 증착한 후, 살리사이드가 형성되지 않아야 할 부분에 형성된 살리사이드 차단층을 식각으로 제거하여, 충진된 산화막을 개방시키는 단계와, 충진된 산화막 상에 살리사이드를 형성함으로써, 액티브 차폐층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차폐층을 구비하는 인덕터 제조방법을 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이다.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 차폐층을 구비하는 인덕터의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(100) 상에 패드 산화막(102) 및 패드 질화막(104)을 순차적으로 형성한다.
그리고 나서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 패드 질화막(104) 상에 소정 형상의 포토 레지스트(106)를 도포한다. 계속하여, 소정 형상의 포토 레지스트(106)를 마스크로 이용하여 패드 질화막(104) 및 패드 산화막(102)을 패터닝함으로써, 차폐층으로 사용하여는 부분만 노출시킨다.
다음 단계로, 도 1c에 도시된 바와 같이, 패터닝된 질화막(104)을 마스크로 사용하여 실리콘 기판(100)을 소정 깊이까지 습식 식각하여, 실리콘 기판(100) 내에 둥근 모양의 트렌치(108)를 형성한다.
도 1d에 도시된 바와 같이, 확산 공정을 이용하여 트렌치(108)의 측면에 실리콘 산화막(110)을 형성한다.
이어서, 도 1e에 도시된 바와 같이, 고밀도 플라즈마(HDP; high density plasma)와 같은 공정을 이용하여 트렌치(108)의 나머지를 충진한 후, 화학적 기계적 연마(CMP; chemical mechanical polishing)와 같은 공정을 진행하여 평탄화를 수행함으로써, 트렌치(108)를 산화막으로 완전히 충진하여 충진된 산화막(112)을 형성한다.
그리고 나서, 도 1f에 도시한 바와 같이, 살리사이드 차단층(114)을 증착한 후, 살리사이드가 형성되지 않아야 할 부분에 형성된 살리사이드 차단층(114)을 식각으로 제거하여, 충진된 산화막(112)을 개방시킨다.
다음 단계로, 도 1g에 도시한 바와 같이, 살리사이드를 충진된 산화막 상에 형성함으로써, 액티브 차폐층(116)을 형성한다.
이후의 후속 공정은 일반적인 반도체 제조 공정과 동일하게 진행한 후, 상부 메탈 부에서 인덕터를 형성하면 인덕터와 실리콘 기판(100) 사이에 실리사이드가형성된 액티브 차폐층(116)이 형성된다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 형성한 차폐층을 구비하는 인덕터를 설명하기 위한 단면도이다. 참조번호 100은 실리콘 기판을, 116은 살리사이드로 형성된 액티브 차폐층을, 120은 인덕터를 나타낸다.
본 발명을 본 명세서 내에서 몇몇 바람직한 실시예에 따라 기술하였으나, 당업자라면 첨부한 특허 청구 범위에서 개시된 본 발명의 진정한 범주 및 사상으로부터 벗어나지 않고 많은 변형 및 향상이 이루어질 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.
상기한 바와 같이 본 발명은 인덕터와 실리콘 기판사이에 전기전도성을 갖는 실리사이드가 형성된 차폐층을 형성하여, 인덕터로부터 형성된 전기장이 실리콘 기판으로 빠져나가는 것을 제어하여 인덕터의 효율을 개선할 뿐만 아니라, 메인 칩의 를 손상을 줄일 수 있는 효과를 갖는다.
Claims (3)
- 기판 상에 패드 산화막 및 패드 질화막을 순차적으로 형성하는 단계와,상기 패드 질화막 상에 소정 형상의 포토 레지스트를 도포한 후, 상기 소정 형상의 포토 레지스트를 마스크로 이용하여 상기 패드 질화막 및 상기 패드 산화막을 패터닝함으로써, 차폐층으로 사용하여는 부분만 노출시키는 단계와,상기 패터닝된 질화막을 마스크로 사용하여 상기 기판을 소정 깊이까지 습식 식각하여, 기판 내에 둥근 모양의 트렌치를 형성하는 단계와,상기 트렌치를 산화막으로 충진하는 단계와,살리사이드 차단층을 증착한 후, 살리사이드가 형성되지 않아야 할 부분에 형성된 살리사이드 차단층을 식각으로 제거하여, 충진된 산화막을 개방시키는 단계와,상기 충진된 산화막 상에 살리사이드를 형성함으로써, 액티브 차폐층을 형성하는 단계를포함하는 것을 특징으로 하는 차폐층을 구비하는 인덕터 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 트렌치를 산화막으로 충진하는 단계는:확산 공정을 이용하여 상기 트렌치의 측면에 실리콘 산화막을 형성하는 단계와,HDP와 같은 공정을 이용하여 상기 트렌치의 나머지를 충진하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차폐층을 구비하는 인덕터 제조방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 트렌치의 나머지를 충진하는 단계를 수행한 후, CMP와 같은 공정을 진행하여 평탄화를 수행함으로써, 상기 트렌치를 산화막으로 완전히 충진하여 충진된 산화막을 형성하는 것을 특징을 하는 차폐층을 구비하는 인덕터 제조방법.
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| KR101035588B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2011-05-19 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 집적화된 박막 인덕터와 실리콘벌크의 격리 구조 및 그의제조 방법 |
| KR101044389B1 (ko) * | 2004-07-23 | 2011-06-29 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 인덕터 형성방법 |
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