KR20040084710A - 기판검사 시스템, 기판검사방법 및 기판검사장치 - Google Patents

기판검사 시스템, 기판검사방법 및 기판검사장치 Download PDF

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Abstract

(과제) 피검사기판의 넓은 영역을 대상으로 한 검사와 좁은 영역을 대상으로 한 검사를 효율적으로 운용할 수 있는 기판검사시스템을 제공한다.
(해결수단) 복수의 피검사기판 14(1)∼14(n) 각각에 대한 매크로 검사를 실시하여, 각각의 피검사기판의 결함의 유무정보를 출력하는 제1 검사장치 (11) 와, 제1 검사장치로부터 출력된 결함의 유무정보를 피검사기판마다 기억하는 기억장치 (12) 와, 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 제2 검사장치 (13) 를 구비한다. 이 제2 검사장치는, 기억장치에 기억된 결함의 유무정보를 참조하여, 복수의 피검사기판 14(1)∼14(n) 중, 결함이 없는 피검사기판에서 검사를 실시하는 것이다.

Description

기판검사 시스템, 기판검사방법 및 기판검사장치{SUBSTRATE INSPECTION SYSTEM, SUBSTRATE INSPECTION METHOD AND SUBSTRATE INSPECTION APPARATUS}
본 발명은 반도체회로소자나 액정표시소자의 제조공정에 있어서 기판을 검사하는 기판 검사 시스템에 관한 것으로, 특히 리소그래피 공정후의 검사에 적합한 기판 검사 시스템, 기판 검사 방법 및 기판 검사장치에 관한 것이다.
종래부터, 반도체회로소자나 액정표시소자의 제조공정에서는, 제조공정의 시간적 변동을 감시하거나, 제조공정에서 발생된 재생가능한 불량품을 검출하거나, 재생불가능한 불량품을 제거하기 위해, 기판 (IC 제품용의 웨이퍼나 액정제조용의 유리기판 등) 에 대해 각종 검사가 실시되고 있다.
제조공정에 있어서의 각종 검사를 크게 구별하면 매크로 검사와 마이크로 검사로 나눌 수 있다. 매크로 검사와 마이크로 검사는 기판 중에서 실제로 검사를 실시하는 영역의 면적비율 (검사면적률) 이 크게 다르고, 또 검사대상물의 크기나 요구되는 검사정밀도도 크게 다르다.
매크로 검사는 검사 면적률이 4 %∼100 % 이고, 검사 대상물의 크기가 수 100㎛ 이상이다. 즉, 육안으로 보이는 정도의 거시적인 결함 (예를 들면 이물이나 레지스트 패턴의 흠집 등) 을 넓은 영역에서 검사하는 것이다. 이에 대해 마이크로 검사는 검사 면적율이 10-8% 정도이고, 검사 정밀도가 100 ㎚∼10 ㎚ 이하이다. 즉, 육안으로 볼 수 없는 미시적인 결함 (예를 들면 레지스트 패턴의 선폭의 이상 등) 을 아주 좁은 영역에서 검사하는 것이다.
따라서 매크로 검사와 마이크로 검사의 각각의 이점을 살려, 매크로 검사는 기판의 넓은 영역에서 검사하고자 할 때에, 마이크로 검사는 기판을 미세하게 검사하고자 할 때에 개별로 실시되었다. 특허문헌 1 에는 매크로 검사와 마이크로 검사를 각각 실행하는 장치가 기재되어 있다.
[특허문헌 1]
일본 공개특허공보 2002-76077호
상술한 종래기술에서는, 피검사기판의 넓은 영역을 대상으로 한 검사와 좁은 영역을 대상으로 한 검사가 개별적으로 실시되기 때문에, 양방의 검사의 조합에 의한 1개의 기판 검사 시스템을 고려했을 때에, 이 기판 검사 시스템 중에서 양방의 검사가 효율적으로 운용되고 있다고는 할 수 없었다.
본 발명의 목적은 피검사기판의 넓은 영역을 대상으로 한 검사와 좁은 영역을 대상으로 한 검사를 효율적으로 운용할 수 있는 기판 검사 시스템 및 기판 검사 방법을 제공하는 것에 있다.
도 1 은 제1 실시형태의 기본 검사 시스템 (10) 의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 2 는 웨이퍼 14(j) 에서의 매크로 결함 14a(j) 를 설명하는 도면이다.
도 3 은 미리 준비된 샘플링 영역 (13a) 을 설명하는 도면이다.
도 4 는 중첩 측정 공정의 구체예를 나타내는 플로차트이다.
도 5 는 제2 실시형태의 기본 검사 시스템 (30) 의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 6 은 웨이퍼 (14) 의 매크로 결함의 자동분류를 설명하는 도면이다.
도 7 은 선폭 측정 공정의 구체예를 나타내는 플로차트이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10, 30 : 기판 검사 시스템
11, 31 : 자동 매크로 검사장치
12 : 검사 데이터 기억장치
13 : 중첩 측정 장치
13a : 샘플링 영역
14 : 웨이퍼
14a, 14b, 14c, 14d : 매크로 결함
15, 35 : 웨이퍼 결함 맵
33 : 선폭 측정 장치
청구항 1 에 기재된 기판 검사 시스템은, 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사를 실시하여, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 유무정보를 출력하는 제1 검사장치와, 상기 제1 검사장치로부터 출력된 상기 결함의 유무정보를 상기 피검사기판마다 기억하는 기억장치와, 상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 제2 검사장치를 구비하고, 상기 제2 검사장치는, 상기 기억장치에 기억된 상기 결함의 유무정보를 참조하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 결함이 없는 피검사기판에서 상기 검사를 실시하는 것이다.
청구항 2 에 기재된 기판 검사 시스템은, 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사를 실시하여, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 분포정보를 출력하는 제1 검사장치와, 상기 제1 검사장치로부터 출력된 상기 결함의 분포정보를 상기 피검사기판마다 기억하는 기억장치와, 상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 제2 검사장치를 구비하고, 상기 제2 검사장치는, 상기 기억장치에 기억된 상기 결함의 분포정보를 참조하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 소정 부분에 상기 결함이 분포되어 있지 않은 피검사기판에서, 상기 검사를 실시하는 것이다.
청구항 3 에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 청구항 2 에 기재된 기판 검사 시스템에 있어서, 상기 제2 검사장치는, 상기 피검사기판의 표면에 형성되어 있는 레지스트 패턴과 하지 패턴과의 상대적인 어긋남을 측정함으로써 상기 검사를 실시하는 것이다.
청구항 4 에 기재된 기판 검사 시스템은, 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사를 실시하여, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 분포정보 및 분류정보를출력하는 제1 검사장치와, 상기 제1 검사장치로부터 출력된 상기 결함의 분포정보 및 분류정보를 상기 피검사기판마다 기억하는 기억장치와, 상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 제2 검사장치를 구비하고, 상기 제2 검사장치는, 상기 기억장치에 기억된 상기 결함의 분포정보 및 분류정보를 참조하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 검사를 실시해야 하는 피검사기판을 결정하는 것이다.
청구항 5 에 기재된 발명은, 청구항 4 에 기재된 기판 검사 시스템에 있어서, 상기 제2 검사장치는, 상기 분류정보에 포함되어 있는 상기 결함의 종류와 당해 제2 검사장치로 검출가능한 결함의 종류의 관련 정도에 따라, 상기 검사를 실시해야 하는 피검사기판을 결정하는 것이다.
청구항 6 에 기재된 발명은, 청구항 4 또는 청구항 5 에 기재된 기판 검사 시스템에 있어서, 상기 제2 검사장치는, 상기 피검사기판의 표면에 형성되어 있는 레지스트 패턴의 선폭을 측정함으로써 상기 검사를 실시하는 것이다.
청구항 7 에 기재된 기판 검사 방법은, 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사를 실시하여, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 유무정보를 출력하는 제1 검사공정과, 상기 제1 검사공정에서 출력된 상기 결함의 유무정보를 상기 피검사기판마다 기억하는 기억공정과, 상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 제2 검사공정을 구비하고, 상기 제2 검사공정에서는, 상기 기억공정에서 기억된 상기 결함의 유무정보를 참조하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 결함이 없는 피검사기판에서 상기 검사를 실시하는 것이다.
청구항 8 에 기재된 기판 검사 방법은, 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사를 실시하여, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 분포정보를 출력하는 제1 검사공정과, 상기 제1 검사공정에서 출력된 상기 결함의 분포정보를 상기 피검사기판마다 기억하는 기억공정과, 상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 제2 검사공정을 구비하고, 상기 제2 검사공정에서는, 상기 기억공정에서 기억된 상기 결함의 분포정보를 참조하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 소정 부분에 상기 결함이 분포되어 있지 않은 피검사기판에서 상기 검사를 실시하는 것이다.
청구항 9 에 기재된 발명은, 청구항 7 또는 청구항 8 에 기재된 기판 검사 방법에 있어서, 상기 제2 검사공정에서는, 상기 피검사기판의 표면에 형성되어 있는 레지스트 패턴과 하지 패턴의 상대적인 어긋남을 측정함으로써 상기 검사를 실시하는 것이다.
청구항 10 에 기재된 기판 검사 방법은, 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사를 실시하여, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 분포정보 및 분류정보를 출력하는 제1 검사공정과, 상기 제1 검사공정에서 출력된 상기 결함의 분포정보 및 분류정보를 상기 피검사기판마다 기억하는 기억공정과, 상기 피검사기판의 소정의 부분에 대한 검사를 실시하는 제2 검사공정을 구비하고, 상기 제2 검사공정에서는, 상기 기억공정에서 기억된 상기 결함의 분포정보 및 분류정보를 참조하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 검사를 실시해야 하는 피검사기판을 결정하는 것이다.
청구항 11 에 기재된 발명은, 청구항 10 에 기재된 기판 검사 방법에 있어서, 상기 제2 검사공정에서는, 상기 분류정보에 포함되어 있는 상기 결함의 종류와 당해 제2 검사공정에서 검출가능한 결함의 종류의 관련 정도에 따라, 상기 검사를실시해야 하는 피검사기판을 결정하는 것이다.
청구항 12 에 기재된 발명은, 청구항 10 또는 청구항 11 에 기재된 기판 검사 방법에 있어서, 상기 제2 검사공정에서는, 상기 피검사기판의 표면에 형성되어 있는 레지스트 패턴의 선폭을 측정함으로써, 상기 검사를 실시하는 것이다.
청구항 13 에 기재된 발명은, 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사의 결과 얻어진, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 유무정보가 기억되는 기억장치와, 상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 검사부를 구비하고, 상기 검사부는, 상기 기억장치에 기억된 상기 결함의 유무정보에 의거하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 결함이 없는 피검사기판에서 상기 검사를 실시하는 것이다.
청구항 14 에 기재된 발명은, 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사의 결과 얻어진, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 분포정보가 기억되는 기억장치와, 상기 피검사기판의 소정의 부분에 대한 검사를 실시하는 검사부를 구비하고, 상기 검사부는, 상기 기억장치에 기억된 상기 결함의 분포정보에 의거하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 소정 부분에 상기 결함이 분포되어 있지 않은 피검사기판에서 상기 검사를 실시하는 것이다.
청구항 15 에 기재된 발명은, 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사의 결과 얻어진, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 분포정보 및 분류정보가 기억되는 기억장치와, 상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 검사부를 구비하고, 상기 검사부는, 상기 기억장치에 기억된 상기 결함의 분포정보 및 분류정보에 의거하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 검사를 실시해야 하는 피검사기판을 결정하는 것이다.
발명의 실시형태
이하 도면을 이용하여 본 발명의 실시형태를 상세하게 설명한다.
(제1 실시형태)
제1 실시형태의 기판 검사 시스템 (10) 은, 도 1 에 나타내는 바와 같이 자동 매크로 검사장치 (11) 와 검사 데이터 기억장치 (12) 와 중첩 측정 장치 (13) 로 구성되고, 자동 매크로 검사장치 (11) 와 검사 데이터 기억장치 (12) 가 도시하지 않은 통신수단을 통해 접속되고, 마찬가지로 검사 데이터 기억장치 (12) 와 중첩 측정 장치 (13) 도 도시하지 않은 통신수단을 통해 접속되어, 전제적으로 네트워크를 형성하고 있다.
이 기판 검사 시스템 (10) 은, 반도체회로소자의 제조공정에 있어서, 제조공정의 시간적 변동을 감시하거나, 제조공정에서 발생된 재생가능한 불량품을 검출하거나, 재생불가능한 불량품을 제거하기 위해, IC 제조용 웨이퍼 14(1)∼14(n) 에 대해 매크로 검사와 중첩 검사를 실시하는 것이다 (상세한 것은 후술함).
검사대상의 웨이퍼 (14(1)∼14(n) (피검사기판) 은, 하나의 카세트 (16) 내에 수평인 상태에서 격납되고, 수직방향으로 나열되어 있다. 여기에서는 상단에 격납된 웨이퍼로부터 순서대로 "14(1)"∼"14(n)" 의 부호를 달았다. "n" 은 2 이상의 정수 (예를 들면 25) 이다. 또 웨이퍼 (14(1)∼14(n) 은 리소그래피 공정을 거친 후의 상태에 있다.
그리고 리소그래피 공정에서는, 웨이퍼 14(1)∼14(n) 의 표면에 레지스트막이 도포되고, 이 레지스트막에 마스크 (레티클) 의 회로패턴이 노광되고, 또한 레지스트막의 노광부분 또는 미노광부분이 현상된다. 이 때문에, 리소그래피 공정후의 웨이퍼 14(1)∼14(n) 는, 그 표면에 레지스트 패턴이 형성된 상태로 되어 있다.
리소그래피 공정에 의해 레지스트 패턴이 표면에 형성된 웨이퍼 14(1)∼14(n) 는, 기판 검사 시스템 (10) 에 있어서, 카세트 (16) 내에 격납된 상태에서, 도시하지 않은 반송수단에 의해, 먼저 처음에 자동 매크로 검사장치 (11; 제1 검사장치) 로 반송되고, 그 다음에 중첩 측정 장치 (13; 제 2 검사장치) 로 반송된다.
상세한 것은 후술하는데, 자동 매크로 검사장치 (11) 는, 웨이퍼 14(1)∼14(n) 각각에 대한 매크로 검사를 실시한다. 또 중첩 측정 장치 (13) 는 웨이퍼 14(1)∼14(n) 의 샘플링 영역에 대한 중첩 검사를 실시한다. 즉, 기판 검사 시스템 (10) 에 있어서의 검사는, "넓은 영역을 대상으로 한 검사(매크로 검사)" →"좁은 영역을 대상으로 한 검사 (중첩 검사)" 의 순서로 실시된다.
또한 자동 매크로 검사장치 (11) 와 중첩 측정 장치 (13) 는, 카세트 (16) 가 반송되어 오면, 그 카세트 (16) 내로부터 1장씩 웨이퍼 (14(i)) 를 취출하여 소정 검사를 실시한다 (j=1∼n). 그리고 검사가 종료된 웨이퍼 (14(j)) 를 다시 카세트 (16) 내로 격납한다.
그리고 자동 매크로 검사장치 (11) 는, 웨이퍼 14(1)∼14(n) 중 임의의 웨이퍼 14(j) 의 넓은 영역을 조명함과 동시에, 웨이퍼 14(j) 로부터 발생되는 회절광이나 반사광 등에 의거하여 웨이퍼 14(j) 의 이미지를 촬상한다 (예를 들면 일본 공개특허공보11-72443호). 그리고 얻어진 웨이퍼 화상에 대해 화상처리를 실행하거나, 웨이퍼 화상의 광량을 모니터함으로써, 웨이퍼 14(j) 의 매크로 결함 14a(j) (도2) 을 자동적으로 검출한다. 자동 매크로 검출장치 (11) 에 의한 검사 면적률은 4 %∼100 % 이다.
자동 매크로 검사장치 (11) 에 의해 검출되는 매크로 결함 14a(j) 이란 웨이퍼 14(j) 의 표면에 부착된 이물, 레지스트 패턴의 흠집, 레지스트막의 도포 불균일, 노광시의 디포커스에 의한 막두께 불균일이나 단면 형상의 이상 등을 말한다. 즉, 매크로 결함 14a(j) 은 육안으로 보이는 정도의 거시적인 결함이다 (크기는 수 100㎛ 이상).
또한 자동 매크로 검사장치 (11) 는, 웨이퍼 14(j) 로부터 검출한 매크로 결함 14a(j) 의 분석정보를 자동적으로 전자정보화하여 매크로 결함 맵 15(j) 을 생성하고, 이 매크로 결함 맵 15(j) 을 자동적으로 출력한다. 매크로 결함 맵 15(j) 에는 검출된 매크로 결함 14a(j) 의 웨이퍼 14(j) 상에서의 좌표나 면적에 관한 정보가 포함되어 있다.
또한 매크로 결함 14a(j) 의 검출 및 매크로 결함 맵 15(j) 의 생성은, 자동 매크로 검사장치 (11) 에 반송되어 온 카세트 (16) 내의 모든 웨이퍼 14(1)∼14(n) 각각에 대해 순서대로 실행된다 (전체수 검사). 그리고 얻어진 매크로 결함 맵 15(1)∼15(n) 은, 웨이퍼 14(1)∼14(n) 가 격납되어 있는 카세트 (16) 의 번호 및 카세트 (16) 내에서의 단의 번호와 함께 출력된다. 출력처는 검사 데이터 기억장치 (12) 이다.
다음으로 검사 데이터 기억장치 (12) 에 대해 설명한다. 검사 데이터 기억장치 (12) 는, 자동 매크로 검사장치 (11) 로부터 출력된 매크로 결함 맵 15(1)∼15(n), 카세트 (16) 의 번호, 카세트 (16) 내에서의 단의 번호를 도시하지 않은 통신수단을 통해 받아들여, 매크로 결함 맵 15(1)∼15(n) 의 각각에 적절한 ID 번호를 붙여 기억하는 데이터 서버이다. ID 번호는 카세트 (16) 의 번호 및 카세트 (16) 내에서의 단의 번호로부터 매크로 결함 맵 15(1)∼15(n) 을 특정할 때에 참조된다.
이와 같이 하여 웨이퍼 14(1)∼14(n) 마다의 매크로 결함 맵 15(1)∼15(n) 이 검사 데이터 기억장치 (12) 에 기억되는 한편, 자동 매크로 검사장치 (11) 에 의한 매크로 검사를 마친 웨이퍼 14(1)∼14(n) 는, 카세트 (16) 에 격납된 상태에서 중첩하여 측정 장치 (13) 를 향하여 반송된다. 그리고 중첩 측정 장치 (13) 에 의해 웨이퍼 14(1)∼14(n) 에 대한 중첩 검사가 실시된다.
중첩 측정 장치 (13) 는 카세트 (16) 에 격납된 웨이퍼 14(1)∼14(n) 중 중첩 검사에 적합한 웨이퍼 14(j) 를 후술하는 방법에 의해 선별한 후, 그 웨이퍼 14(j) 의 극히 좁은 영역을 조명함과 동시에, 웨이퍼 14(j) 로부터 발생되는 반사광 등에 의거하여 웨이퍼 14(j) 의 이미지를 촬상한다. 그리고 얻어진 웨이퍼 화상에 대해 화상처리를 실행함으로써, 웨이퍼 14(j) 의 표면에 형성되어 있는 레지스트 패턴과 하지 패턴의 상대적인 어긋남(중첩 어긋남)을 자동적으로 측정한다.
중첩 측정 장치 (13) 의 검사정밀도는 100 ㎚∼10 ㎚ 이하이다. 또한 중첩 측정 장치 (13) 에 의한 검사 면적률은 10-8% 정도이고, 이 검사 면적률에 따라 경험적으로 복수의 샘플링 영역 (13a : 도 3(a)) 이 웨이퍼 14(j) 의 검사영역으로서 미리 준비되어 있다. 샘플링 영역 (13a) 은 청구항의 「소정의 부분」에 대응한다.
중첩 측정 장치 (13) 에 의해 검출되는 결함의 종류 (레지스트 패턴의 중첩 어긋남의 이상) 은 육안으로 볼 수 없는 미시적인 것이다. 또 이 결함의 종류 (레지스트 패턴의 중첩 어긋남의 이상) 은 상술한 자동 매크로 검사장치 (11) 에 의해 검출되는 매크로 결함 14a(j) 의 종류 (이물이나 레지스트 패턴의 흠집 등) 과 관련이 없다. 즉 매크로 결함 14a(j) 가 중첩 어긋남의 변동에 직접적인 인과관계를 갖는 것은 아니다.
그러나 만약에 중첩 측정 장치 (13) 에 의한 검사 영역 (웨이퍼 14(j) 의 샘플링 영역 (13a)) 에 매크로 결함 14a(j) 이 존재하면 (도 3(b) 참조), 중첩 측정 장치 (13) 의 측정결과에 어떠한 변화가 발생하거나, 정상적인 중첩 측정을 할 수 없다.
이와 같은 사태를 피하기 위해, 중첩 측정 장치 (13) 는 도 4 의 처리 (스텝 S10∼S16) 를 순서대로 실행하고, 카세트 (16) 에 격납된 웨이퍼 14(1)∼14(n) 중 중첩 검사에 적합한 웨이퍼 14(j) 를 선별한 후, 웨이퍼 14(j) 의 샘플링 영역 13a (도3(a)) 에 대한 중첩 검사를 실시한다.
도 4 를 참조하여 중첩 측정 장치 (13) 의 구체적인 동작을 설명한다.
중첩 측정 장치 (13) 는 스텝 S10 에 있어서, 반송되어 온 카세트 (16) 내의 웨이퍼 14(1)∼14(n) 중, 위로부터 1단째에 격납되어 있는 웨이퍼 14(1) 를 1회째의 처리대상으로 지정하고, 이어지는 스텝 S11∼S14 의 처리를 실행한다.
스텝 S11 에서는, 웨이퍼 14(1) 가 격납되어 있는 카세트 (16) 의 번호 및 카세트 (16) 내에서의 단의 번호에 의거하여, 검사 데이터 기억장치 (12) 에 기억되어 있는 각각의 웨이퍼 결함 맵의 ID 번호를 참조함으로써, 웨이퍼 14(1) 에 대응하는 매크로 결함 맵 15(1) 을 특정하고, 이것을 도시하지 않은 통신수단을 통해 받아들인다.
스텝 S12 에서는, 받아들인 매크로 결함 맵 15(1) 을 참조하여, 웨이퍼 14(1) 에 매크로 결함 (도 2 의 14a(j) 참조) 이 있는지 없는지를 판단한다. 그리고 매크로 결함이 없는 경우에는 (S12 가 No) 스텝 S13 으로 진행하고, 매크로 결함 맵 15(1) 에 대응하는 웨이퍼 14(1) 을 카세트 (16) 내의 1단째로부터 취출하여, 미리 준비된 샘플링 영역 (13a ; 도3(a) 참조) 에서 중첩 검사를 실시한다.
또 매크로 결함이 있는 경우에는 (S12 가 Yes), 스텝 S14 로 진행해, 매크로 결함의 분포영역과 샘플링 영역 (13a) 이 겹쳐 있는지 여부를 판단한다. 그리고 매크로 결함의 분포영역과 샘플링 영역 (13a) 이 전혀 겹쳐 있지 않은 경우는 (S14 가 No), 스텝 S13 으로 진행하고, 상기와 동일하게 웨이퍼 14(1) 의 샘플링 영역 13a (도3(c) 참조) 으로 중첩 검사를 실시한다.
한편, 도 3(b) 에 나타내는 바와 같이 매크로 결함 (14a(j) 참조) 의 분포영역과 샘플링 영역 (13a) 이 조금이라도 겹쳐 있는 경우에는 (S14 가 Yes). 웨이퍼14(1) 의 샘플링 영역 (13a) 에 대한 중첩 검사를 실시해도 정확한 결과가 얻어지지 않는다. 따라서 중첩 검사를 실시하지 않고, 다음의 스텝 S15 로 진행한다.
스텝 S15 에서는, 중첩 검사가 실시된 웨이퍼 (즉, 스텝 S13 의 처리를 거친 웨이퍼) 의 총수가, 소정 매수 m 에 도달했는지 여부를 판단한다 (m〈n). 카세트 (16) 내에 격납되어 있는 웨이퍼는 n 장이지만, 이 중, 중첩 검사를 실시하기 위한 매수 m 은 미리 전체수 n 보다 적게 정해져 있다. 즉 일반적으로 중첩 검사는 카세트 (16) 내의 일부의 웨이퍼에 대해 실시된다 (발췌검사). 또한 중첩 검사가 실시되는 웨이퍼는, 샘플링 영역 (13a) 에 매크로 결함이 분포되어 있지 않은 웨이퍼이다.
스텝 S15 의 판단의 결과, 검사 완료 웨이퍼의 총수가 소정 매수 m 보다 적은 경우 (S15 가 No), 중첩 측정 장치 (13) 는 스텝 S16 을 거쳐 스텝 S11 로 되돌아간다. 그리고 이번에는 카세트 (16) 의 위로부터 2단째에 격납되어 있는 웨이퍼 14(2) 를 2회째의 처리대상으로 지정하고, 상기와 동일한 처리 (스텝 S11∼S15) 를 실행한다.
스텝 S11∼S16 의 처리는, 스텝 S15 의 판단의 결과, 검사 완료 웨이퍼의 총수가 소정매수 m 으로 도달할 때까지 (S15 가 Yes), 처리대상의 웨이퍼를 변경하면서 반복하여 실행된다. 그리고 검사완료 웨이퍼의 총수가 소정매수 m 에 도달하면, 그 카세트 (16) 에 대한 중첩 검사를 종료한다.
이와 같이 하여 중첩 측정 공정이 종료되면, 다음으로 상기 매크로 검사 및 중첩 검사의 결과에 의거하여, 카세트 (16) 단위로 양부 판정이 이루어진다.그리고 예를 들면 정상인 것으로 판정된 카세트 (16) 는 다음공정 (가공공정) 으로 이송되고, 불량으로 판정된 카세트 (16) 는 재생공정으로 이송되어, 재생불가능한 카세트 (16) 는 폐기된다.
상기한 바와 같이 제1 실시형태의 기판 검사 시스템 (10) 에서는, 자동 매크로 검사장치 (1) 에서 검출된 매크로 결함 14a(j) 의 분포영역에 있어서, 중첩 측정 장치 (13) 에 의한 검사를 실시하지 않는다. 즉, 매크로 결함 14a(j) 의 분포영역을 피하여, 중첩 측정 장치 (13) 에 의한 검사를 실시할 수 있다.
이 때문에, 항상 웨이퍼 14(j) 의 표면에 부착된 이물이나 레지스트 패턴의 흠집 등 (매크로 결함 14a(j)) 의 영향을 받지 않고, 정확하게 레지스트 패턴의 중첩 어긋남을 측정할 수 있다. 따라서 레지스트 패턴의 중첩 어긋남의 이상도 정확하게 검출할 수 있어 신뢰성이 향상된다.
또한 카세트 (16) 의 중첩 검사에 적합한 검사영역 (샘플링 영역 13a) 을 웨이퍼 단위로 취사선택하여, 매크로 결함 14a(j) 의 분포영역에서 쓸데없이 중첩 검사를 실시하는 것을 확실하게 생략할 수 있기 때문에, 중첩 측정 장치 (13) 에 의한 정확한 검사를 효율적으로 실시할 수 있게 된다.
또 중첩 측정 장치 (13) 에 의한 검사를, 제조공정의 시간적 변동을 감시하는 프로세스 모니터로서 실시하는 경우, 중첩 측정 장치 (13) 가 모니터하고 있는 프로세스 변동 (중첩 어긋남의 변동) 과 직접적인 인과관계가 없는 돌발적인 불량이 발생해도, 그 영향을 받지 않는다 (프로세스 변동의 특이점을 회피한) 정확하고 효율적인 프로세스 모니터가 가능해진다.
또한 상기 제1 실시형태에서는 자동 매크로 검사장치 (11) 가 매크로 결함 14a(j) 의 분포정보에 관련되는 매크로 결함 맵 15(j) 을 출력하고, 중첩 측정 장치 (13) 가 중첩 검사를 실시하기 전에 매크로 결함 맵 (j) 을 참조하는 예로 설명하였으나, 본 발명은 이 예에 한정되지 않는다.
예를 들면 매크로 결함 14(j) 의 "유무정보" 를 자동 매크로 검사장치 (11) 가 출력하고, 이 "유무정보" 를 검사 데이터 기억장치 (12) 에 기억시키고, 중첩 측정 장치 (13) 가 중첩 검사를 실시하기 전에 "유무정보" 를 참조하도록 해도 상관없다. 이 경우의 중첩 측정 장치 (13) 는, 도 4 의 스텝 S14 를 생략한 수순으로 동작한다. 따라서 카세트 (16) 내의 웨이퍼 14(1)∼14(n) 중, 매크로 결함 14(j) 이 없는 웨이퍼 14(j) 만으로 중첩 검사가 실시된다.
또한 상술한 제1 실시형태에서는, 중첩 측정 장치 (13) 를 사용한 기판 검사 시스템 (10) 의 예를 설명하였으나, 본 발명은 이 구성에 한정되지 않는다. 자동 매크로 검사장치 (11) 에 의해 검출되는 매크로 결함 (14a) 의 종류와 관련이 없는 결함을 검출가능한 검사장치이면, 중첩 측정 장치 (13) 대신에 사용할 수 있다. 이 경우에도 상기와 동일한 효과를 나타낸다.
(제2 실시형태)
제2 실시형태의 기판 검사 시스템 (30) 은 도 5 에 나타내는 바와 같이 상기 자동 매크로 검사장치 (11) 대신에 자동 매크로 검사장치 (31 ; 제 1 의 검사장치) 를 설치하고, 상기 중첩 측정 장치 (13) 대신에 선폭 측정 장치 (33 ; 제2 검사장치) 를 설치한 것으로, 카세트 (16) 내의 웨이퍼 14(1)∼14(n) 에 대해 매크로 검사와 선폭 검사를 순서대로 실시한다. 선폭 검사는 좁은 영역을 대상으로 한 검사이다. 자동 매크로 검사장치 (31) 의 기본적인 구성은 상기 자동 매크로 검사장치 (11) 와 동일하다.
자동 매크로 검사장치 (31) 는, 상기 자동 매크로 검사장치 (11) 와 동일하게 웨이퍼 14(j) (도 6) 의 매크로 결함 14b(j)∼14d(j) 를 자동적으로 검출할 때, 웨이퍼 화상에 나타나는 패턴의 특징이나 광량에 의거하여, 매크로 결함 14b(j)∼ 14d(j) 의 분류도 함께 자동적으로 실행한다.
예를 들면 웨이퍼 14(j) 의 표면에 부착된 이물 (매크로 결함 14b(j)) 은, 웨이퍼 화상 중에서 작게 빛나는 점이 된다. 레지스트막의 도포 불균일 (매크로 결함 14c(j)) 는, 웨이퍼 화상 중에서 중심으로부터 외측을 향하여 꼬리를 끄는 것과 같은 코메트 형상으로 된다. 노광시의 디포커스에 의한 막두께 어긋남이나 단면 형상의 이상 (매크로 결함 14d(j)) 은 쇼트단위로 밝아지거나 어두워진다.
이와 같이 웨이퍼 14(j) 의 매크로 결함 14b(j)∼14d(j) 의 종류마다 웨이퍼 화상 중에 나타나는 패턴의 특징이나 광량이 다르기 때문에, 이들 특징 등을 자동 매크로 검사장치 (31) 내에 미리 기억해 두고, 매크로 결함 14b(j)∼14d(j) 의 검출시에 참조함으로써 자동결함분류를 실행할 수 있다.
그리고 자동 매크로 검사장치 (31) 는 웨이퍼 14(j) 로부터 검출한 매크로 결함 14b(j)∼14d(j) 의 분포정보 및 분류정보를 자동적으로 전자정보화하여 매크로 결함 맵 35(j) 을 생성하고, 이 매크로 결함 맵 34(j) 을 자동적으로 출력한다. 매크로 결함 맵 35(j) 에는 검출된 매크로 결함 14b(j)∼14d(j) 의 웨이퍼 14(j)상에서의 좌표나 면적에 관한 정보와 종류에 관한 정보가 포함되어 있다.
또한 매크로 결함 14b(j)∼14d(j) 의 검출이나 분류 및 매크로 결함 맵 35(j) 의 생성은, 자동 매크로 검사장치 (31) 에 반송되어 온 카세트 (16) 내의 모든 웨이퍼 14(1)∼14(n) 각각에 대해 순서대로 실행된다 (전체수검사).
그리고 얻어진 매크로 결함 맵 35(1)∼35(n) 은, 웨이퍼 14(1)∼14(n) 이 격납되어 있는 카세트 (16) 의 번호 및 카세트 (16) 내에서의 단의 번호와 함께 출력되고, 도시하지 않은 통신수단을 통해 검사 데이터 기억장치 (12) 에 받아들여진다. 검사 데이터 기억장치 (12) 내에서는, 매크로 결함 맵 35(1)∼35(n) 의 각각에 적절한 ID 번호가 부여된다.
한편, 자동 매크로 검사장치 (31) 에 의한 매크로 검사를 마친 웨이퍼 14(1)∼14(n) 은, 카세트 (16) 에 격납된 상태에서 선폭 측정 장치 (33) 를 향하여 반송된다. 그리고 선폭 측정 장치 (33) 에 의해 웨이퍼 14(1)∼14(n) 에 대한 선폭 검사가 실시된다.
선폭 측정 장치 (33) 는 카세트 (16) 에 격납된 웨이퍼 14(1)∼14(n) 중 선폭 검사에 적합한 웨이퍼 14(j) 를 후술하는 방법에 의해 선별한 후, 그 웨이퍼 14(j) 의 아주 좁은 영역을 조명함과 동시에, 웨이퍼 14(j) 로부터 발생되는 반사광 등에 의거하여 웨이퍼 14(j) 의 이미지를 촬상한다. 그리고 얻어진 웨이퍼 화상에 대해 화상처리를 실행함으로써, 웨이퍼 14(j) 의 표면에 형성되어 있는 레지스트 패턴의 선폭을 자동적으로 측정한다. 선폭 측정 장치 (33) 의 검사정밀도는 100 ㎚∼10 ㎚ 이하이다. 선폭 측정 장치 (33) 에 의한 검사 면적률은 10-8% 정도이다.
선폭 측정 장치 (33) 에 의해 검출되는 결함의 종류 (레지스트 패턴의 선폭의 이상) 은 육안으로 볼 수 없는 미시적인 것이다. 또 이 결함의 종류 (레지스트 패턴의 선폭의 이상) 은, 상술한 자동 매크로 검사장치 (31) 에 의해 검출되는 매크로 결함 14b(j)∼14d(j) 의 종류와 관련이 있고, 특히 노광시의 디포커스에 의한 막두께 어긋남이나 단면 형상의 이상 (매크로 결함 14d(j)) 과 관련이 깊다. 즉, 디포커스에 의한 매크로 결함 14d(j) 은, 레지스트 패턴의 선폭의 이상에 직접적인 인과관계를 갖는 것이 있다.
이 때문에, 선폭 측정 장치 (33) 는 도 7 의 처리 (스텝 S30∼S36) 를 순서대로 실행하고, 카세트 (16) 내의 웨이퍼 14(1)∼14(n) 중 선폭 검사에 적합한 웨이퍼 14(j) 를 선별한 후에, 웨이퍼 14(j) 에 대한 선폭 검사를 실시한다. 도 7 의 스텝 S30∼S32, S35, S36 은, 상술한 도 4 의 스텝 S10∼S12, S15, S16 과 동일하기 때문에 상세한 설명을 생략한다.
선폭 측정 장치 (33) 는 검사 데이터 기억장치 (12) 로부터 웨이퍼 결함 맵 35 (i) 을 받아들이고 (S31), 매크로 결함 14b(j)∼14d(j) 이 있는지 여부를 판단하여 (S32), 「있는」경우 (S32 가 Yes) 에는 스텝 S33 으로 진행하고, 이들 종류가 노광시의 디포커스에 의한 매크로 결함 14d(j) 인지의 여부를 판단한다.
이 판단의 결과, 디포커스에 의한 매크로 결함 14d(i) 을 포함하는 경우(S33 이 Yes) 는, 스텝 S34 로 진행하고, 웨이퍼 결함 맵 35(i) 에 대응하는 웨이퍼 14(i) 를 카세트 (16) 로부터 취출하고, 디포커스에 의한 매크로 결함 14d(i) 의 분포영역 (도6 참조) 에서 선폭 검사를 실시한다. 제2 실시형태에서는 매크로 결함 14d(i) 의 분포영역이 청구항 「소정의 부분」에 대응한다.
한편, 웨이퍼 14(i) 에 매크로 결함 (14b∼14d) 가 존재하지 않는 경우 (S32가 No), 또는 디포커스에 의한 매크로 결함 14d(i) 가 존재하지 않는 경우 (S33 이 No) 에, 선폭 측정 장치 (33) 는 스텝 S34 의 처리를 실행하지 않고 (즉, 웨이퍼 14(i) 에 대한 선폭검사를 실시하지 않고), 다음의 스텝 S35 로 진행한다.
스텝 S35 에서는 선폭 검사가 실시된 웨이퍼 (즉, 스텝 S34 의 처리를 거친 웨이퍼) 의 총수가, 소정 매수 k 에 도달했는지 여부를 판단한다 (k〈 n). 카세트 (16) 내에 격납되어 있는 웨이퍼는 n장이지만, 이 중 선폭 검사를 실시해야 하는 매수 k 는 전체수 n 보다 적다 (발췌 검사). 또한 선폭 검사를 실시해야 하는 웨이퍼는 웨이퍼 결함 맵 35(i) 를 참조하여 결정된다.
스텝 S31∼S36 의 처리는, 스텝 S35 의 판단 결과, 검사 완료 웨이퍼의 총수가 소정 매수 k 에 도달할 때까지 (S35 가 Yes), 처리대상의 웨이퍼를 변경하면서 반복하여 실행된다. 그리고 검사 완료 웨이퍼의 총수가 소정 매수 k에 도달하면, 그 카세트 (16) 에 대한 선폭 검사를 종료한다.
이와 같이 하여 선폭 측정공정이 종료되면, 다음에 상기 매크로 검사 및 선폭 검사의 결과에 의거하여, 카세트 (16) 단위로 양부 판정이 이루어진다. 그리고 예를 들면 정상인 것으로 판정된 카세트 (16) 는 다음공정 (가공공정) 으로이송되고, 불량으로 판정된 카세트 (16) 는 재생공정으로 이송되어, 재생불가능한 카세트 (16) 는 폐기된다.
상술한 바와 같이 제2 실시형태의 기판 검사 시스템 (30) 에서는, 자동 매크로 검사장치 (31) 에서 검출된 매크로 결함의 종류를 참조하고, 선폭 검사를 실시해야 하는 웨이퍼를 결정한다. 구체적으로는 선폭 측정 장치 (33) 에서 검출가능한 결함의 종류 (레지스트 패턴의 선폭의 이상) 과 관련의 정도가 깊은 매크로 결함 (예를 들면 노광시의 디코커스에 의한 매크로 결함 14d) 을 갖는 웨이퍼가 선폭 검사를 실시해야 하는 웨이퍼로서 결정된다.
이 때문에, 디포커스에 의한 매크로 결함 (14d) 이 검출된 쇼트영역에서 효율적으로 선폭 검사를 실시할 수 있다. 또 디포커스에 의한 매크로 결함 (14d) 의 상세한 선폭 측정이 가능해져, 디포커스에 의해 레지스트 패턴의 선폭이 정상값으로부터 몇 ㎚ 변화했는지를 정량적으로 파악할 수도 있다. 또한 미리 준비된 샘플링 영역에서의 선폭 측정만으로는 놓칠 수 있었던 결함 (선폭의 이상) 도 검출할 수 있어 신뢰성이 향상된다.
또한 디포커스에 의한 매크로 결함 (14d) 이 검출된 쇼트영역에서의 선폭 검사에 추가하여, 미리 준비된 복수의 샘플링 영역 13a (도 3(a)) 에서의 선폭 검사를 실시하여도 상관없다. 단, 선폭 측정 장치 (33) 에 의해 검출가능한 결함 (선폭의 이상) 과는 관련이 적은 매크로 결함 (14b ; 이물) 이나 매크로 결함 (14c; 레지스트 도포 얼룩) 이 샘플링 영역 (13a) 에 존재하는 경우는, 그 샘플링 영역 (13a) 에서의 선폭 검사를 실시하지 않도록 하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 선폭 검사를 효율적으로 실시할 수 있다.
또 선폭 측정 장치 (33) 에 의한 검사를 프로세스 모니터로서 실시하는 경우, 선폭 측정 장치 (33) 가 모니터하고 있는 프로세스 변동 (레지스트 패턴의 선폭의 변동) 과 직접적인 인과관계가 없는 돌발적인 불량이 발생해도, 그 영향을 받지 않는 (프로세스 변동의 특이점을 회피한) 효율적인 프로세스 모니터가 가능해진다.
또한 상기 제2 실시형태에서는, 선폭 측정 장치 (33) 를 사용한 기판 검사 시스템 (30) 을 설명하였으나, 본 발명은 이 구성에 한정되지 않는다. 자동 매크로 검사장치 (31) 에 의해 검출되는 매크로 결함 (14b∼14d) 의 종류와 관련이 있는 결함을 검출가능한 검사장치이면, 선폭 측정 장치 (33) 대신에 사용할 수 있다. 이 경우에도 상기와 동일한 효과를 나타낸다.
예를 들면 레지스트 패턴의 단면 형상을 측정하는 단면 형상 측정 장치를 상기 선폭 측정 장치 (33) 대신에 사용한 경우, 이 단면 형상 측정 장치에 의해 검출가능한 결함의 종류 (단면 형상의 이상) 는, 노광시의 디포커스에 의한 매크로 결함 (14d) 과 관련이 깊기 때문에, 이 매크로 결함 (14d) 의 분포영역에서, 단면 형상 측정을 실시하면 된다. 이에 의해 디포커스에 의한 매크로 결함 (14d) 의 상세한 단면 형상 측정이 가능해져, 디포커스에 의해 레지스트 패턴의 단면 형상이 어떻게 변화했는지를 파악할 수도 있다.
또한 레지스트 막두께를 측정하는 막두께 측정 장치를 상기 선폭 측정 장치 (33) 대신에 사용한 경우, 이 막두께 측정 장치에 의해 검출가능한 결함의 종류 (막두께의 이상) 는, 레지스트막의 도포 얼룩 (매크로 결함 (14c)) 나 디포커스에 의한 매크로 결함 (14d) 과 관련이 깊기 때문에, 이들 매크로 결함 (14c, 14d) 의 분포영역에서 막두께 측정을 실시하면 된다. 이에 의해 레지스트막의 도포 얼룩 (14c) 이나 디포커스에 의한 매크로 결함 (14d) 의 상세한 막두께 측정 장치가 가능해져, 그 막두께가 바람직한 두께에 대해 몇 ㎚ 변화했는지를 파악할 수도 있다.
또 기판표면의 이물을 검사하는 표면이물검사장치를 상기 선폭 측정 장치 (33) 대신에 사용한 경우, 이 표면이물검사장치에 의해 검출가능한 결함의 종류 (이물) 는, 웨이퍼 (14) 의 표면에 부착된 이물 (매크로 결함 (14b)) 과 관련이 깊기 때문에, 이 매크로 결함 (14b) 의 분포영역에서, 이물검사를 실시하면 된다. 이에 의해, 그 이물을 구성하는 물질을 특정하거나, 크기가 몇㎛ 인지를 파악할 수도 있다.
또한 선폭 측정 장치 (33) 와, 단면 형상 측정 장치와, 막두께 측정 장치와, 표면 이물 검사장치를 조합하여 사용할 수도 있다. 이 경우, 자동 매크로 검사장치 (31) 에 의해 검출된 매크로 결함에 대해 자동결함분류 (이물, 도포불량, 디포커스) 를 실행함으로써, 결함종별에 따른 선폭 검사, 단면 형상검사, 막두께 검사, 이물 검사를 효율적으로 실시할 수 있게 된다.
또 제1 실시형태에서 설명한 중첩 측정 장치 (13) 와, 제2 실시형태에서 설명한 선폭 측정 장치 (33) 나 단면 형상 측정 장치 등을 조합하여 사용할 수도 있다. 그 외에 현미경 장치나, 패턴결함을 검사하는 패턴 결함 검사장치, 기판의평면형상의 측정을 실행하는 평탄도 측정 장치를 조합해도 된다. 현미경 장치에는 예를 들면 광학현미경, 전자현미경, 원자간력현미경, 근접장광학현미경 등을 사용할 수 있다.
이와 같이 하여 복수의 검사장치 (13, 33, …) 를 조합한 기판 검사 시스템에서는, 자동 매크로 검사장치에 의해 검출된 매크로 결함의 분포정보 및 분류정보 (매크로 결함 맵) 를 검사 데이터 기억장치 (12) 에 기억시키고, 이 매크로 결함 맵을 복수의 검사장치 (13, 33, …) 에서 공유하기 때문에, 각종 검사를 효율적으로 실시할 수 있다.
또한 상술한 실시형태에서는, 반도체 회로소자의 제조공정에서 IC 제조용의 웨이퍼를 검사하는 예를 설명했으나, 본 발명은, 액정표시소자의 제조공정에 있어서 액정제조용의 유리기판을 검사하는 경우에도 동일하게 적용할 수 있다.
상술한 본 실시형태에서는 검사 데이터 기억장치 (12) 는, 데이터 서버이고, 자동 매크로 검사장치 (11), 중첩 측정 장치 (13), 선폭 측정 장치 (33) 의 외부에 설치되는 것으로 하였으나, 각각의 측정 검사장치의 내부에 설치된 기억장치를 사용해도 된다. 적어도 하나의 측정 검사장치내의 기억장치에 데이터를 기억하고, 다른 측정 검사장치로부터 데이터의 기록이 가능한 구성으로 하면 된다.
이상 설명한 바와 같이 상술한 실시형태에 의하면, 피검사기판의 넓은 영역을 대상으로 한 검사와 좁은 영역을 대상으로 한 검사를 효율적으로 운용할 수 있기 때문에, 비용증가를 억제하면서 신뢰성이 높은 검사를 실시할 수 있게 된다.

Claims (15)

  1. 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사를 실시하여, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 유무정보를 출력하는 제1 검사장치와,
    상기 제1 검사장치로부터 출력된 상기 결함의 유무정보를 상기 피검사기판마다 기억하는 기억장치와,
    상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 제2 검사장치를 구비하고,
    상기 제2 검사장치는, 상기 기억장치에 기억된 상기 결함의 유무정보를 참조하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 결함이 없는 피검사기판에서 상기 검사를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판검사 시스템.
  2. 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사를 실시하여, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 분포정보를 출력하는 제1 검사장치와,
    상기 제1 검사장치로부터 출력된 상기 결함의 분포정보를 상기 피검사기판마다 기억하는 기억장치와,
    상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 제2 검사장치를 구비하고,
    상기 제2 검사장치는, 상기 기억장치에 기억된 상기 결함의 분포정보를 참조하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 소정 부분에 상기 결함이 분포되어 있지않은 피검사기판에서, 상기 검사를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판검사 시스템.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 검사장치는, 상기 피검사기판의 표면에 형성되어 있는 레지스트 패턴과 하지 패턴과의 상대적인 어긋남을 측정함으로써 상기 검사를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판검사 시스템.
  4. 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사를 실시하여, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 분포정보 및 분류정보를 출력하는 제1 검사장치와,
    상기 제1 검사장치로부터 출력된 상기 결함의 분포정보 및 분류정보를 상기 피검사기판마다 기억하는 기억장치와,
    상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 제2 검사장치를 구비하고,
    상기 제2 검사장치는, 상기 기억장치에 기억된 상기 결함의 분포정보 및 분류정보를 참조하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 검사를 실시해야 하는 피검사기판을 결정하는 것을 특징으로 하는 기판검사 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 검사장치는, 상기 분류정보에 포함되어 있는 상기 결함의 종류와 당해 제2 검사장치에 의해 검출가능한 결함의 종류와의 관련 정도에 따라, 상기 검사를 실시해야 하는 피검사기판을 결정하는 것을 특징으로 하는 기판검사 시스템.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 검사장치는, 상기 피검사기판의 표면에 형성되어 있는 레지스트 패턴의 선폭을 측정함으로써 상기 검사를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판검사 시스템.
  7. 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사를 실시하여, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 유무정보를 출력하는 제1 검사공정과,
    상기 제1 검사공정에서 출력된 상기 결함의 유무정보를 상기 피검사기판마다 기억하는 기억공정과,
    상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 제2 검사공정을 구비하고,
    상기 제2 검사공정에서는, 상기 기억공정에서 기억된 상기 결함의 유무정보를 참조하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 결함이 없는 피검사기판에서 상기 검사를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
  8. 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사를 실시하여, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 분포정보를 출력하는 제1 검사공정과,
    상기 제1 검사공정에서 출력된 상기 결함의 분포정보를 상기 피검사기판마다기억하는 기억공정과,
    상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 제2 검사공정을 구비하고,
    상기 제2 검사공정에서는, 상기 기억공정에서 기억된 상기 결함의 분포정보를 참조하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 소정 부분에 상기 결함이 분포되어 있지 않은 피검사기판에서 상기 검사를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제2 검사공정에서는, 상기 피검사기판의 표면에 형성되어 있는 레지스트 패턴과 하지 패턴과의 상대적인 어긋남을 측정함으로써 상기 검사를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
  10. 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사를 실시하여, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 분포정보 및 분류정보를 출력하는 제1 검사공정과,
    상기 제1 검사공정에서 출력된 상기 결함의 분포정보 및 분류정보를 상기 피검사기판마다 기억하는 기억공정과,
    상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 제2 검사공정을 구비하고,
    상기 제2 검사공정에서는, 상기 기억공정에서 기억된 상기 결함의 분포정보및 분류정보를 참조하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 검사를 실시해야 하는 피검사기판을 결정하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제2 검사공정에서는, 상기 분류정보에 포함되어 있는 상기 결함의 종류와 당해 제2 검사공정에서 검출가능한 결함의 종류와의 관련 정도에 따라, 상기 검사를 실시해야 하는 피검사기판을 결정하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 제2 검사공정에서는, 상기 피검사기판의 표면에 형성되어 있는 레지스트 패턴의 선폭을 측정함으로써, 상기 검사를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
  13. 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사의 결과 얻어진, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 유무정보가 기억되는 기억장치와,
    상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 검사부를 구비하고,
    상기 검사부는, 상기 기억장치에 기억된 상기 결함의 유무정보에 기초하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 결함이 없는 피검사기판에서 상기 검사를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판검사장치.
  14. 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사의 결과 얻어진, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 분포정보가 기억되는 기억장치와,
    상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 검사부를 구비하고,
    상기 검사부는, 상기 기억장치에 기억된 상기 결함의 분포정보에 기초하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 소정 부분에 상기 결함이 분포되어 있지 않은 피검사기판에서 상기 검사를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판검사장치.
  15. 복수의 피검사기판 각각에 대한 매크로 검사의 결과 얻어진, 각각의 상기 피검사기판의 결함의 분포정보 및 분류정보가 기억되는 기억장치와,
    상기 피검사기판의 소정 부분에 대한 검사를 실시하는 검사부를 구비하고,
    상기 검사부는, 상기 기억장치에 기억된 상기 결함의 분포정보 및 분류정보에 기초하여, 상기 복수의 피검사기판 중, 상기 검사를 실시해야 하는 피검사기판을 결정하는 것을 특징으로 하는 기판검사장치.
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