JPS5910231A - パタ−ン欠陥解析装置 - Google Patents
パタ−ン欠陥解析装置Info
- Publication number
- JPS5910231A JPS5910231A JP12021182A JP12021182A JPS5910231A JP S5910231 A JPS5910231 A JP S5910231A JP 12021182 A JP12021182 A JP 12021182A JP 12021182 A JP12021182 A JP 12021182A JP S5910231 A JPS5910231 A JP S5910231A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inspection
- wafer
- pattern
- micro
- defects
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体ウェハ上に形成された集積回路パタ
ーンの異常有無を検査解析するために光学的な手法で行
、うパターン欠陥解析装置に関するものである。
ーンの異常有無を検査解析するために光学的な手法で行
、うパターン欠陥解析装置に関するものである。
従来のパターン欠陥解析装置として第１図に示すものが
あった。観察検査するためのウェハ４は事前に検査機架
台１上のウェハ供給ラック２に装填されており、順次ウ
ェハ移送装置１１３からチャックおよびステージ５に載
せられる。チャックおよびステージ５は縦、横１回転の
ｘ、ｙ、 θ方向に可動であり、この上に載ったウェ
ハ４は顕微＠８゜９．１０（ただＬＩＯは見えない）に
より拡大検査され、パターンの異常を判定後ウェハ移送
装置６からウェハ受取ラックに移される。これ等の一連
の操作は操作盤１１により行われる。
あった。観察検査するためのウェハ４は事前に検査機架
台１上のウェハ供給ラック２に装填されており、順次ウ
ェハ移送装置１１３からチャックおよびステージ５に載
せられる。チャックおよびステージ５は縦、横１回転の
ｘ、ｙ、 θ方向に可動であり、この上に載ったウェ
ハ４は顕微＠８゜９．１０（ただＬＩＯは見えない）に
より拡大検査され、パターンの異常を判定後ウェハ移送
装置６からウェハ受取ラックに移される。これ等の一連
の操作は操作盤１１により行われる。
第１図において、集積回路パターンを形成したウェハ４
は自動的に操作盤１１からの指示で順次顕微鏡８の対物
レンズの下方に送られる。一方、顕微鏡９の接眼レンズ
によって拡大像を観察検査するためのチャックおよびス
テージ５はＸ軸、ｙ軸。
は自動的に操作盤１１からの指示で順次顕微鏡８の対物
レンズの下方に送られる。一方、顕微鏡９の接眼レンズ
によって拡大像を観察検査するためのチャックおよびス
テージ５はＸ軸、ｙ軸。
θ軸の移動が操作者のプログラムにより事前に制御系に
指示されており、対物レンズの倍率を少なくとも２０倍
以上に選びウェハ４面上を走査しパターン異常有無の判
定を行う。
指示されており、対物レンズの倍率を少なくとも２０倍
以上に選びウェハ４面上を走査しパターン異常有無の判
定を行う。
検査判定を終ったウェハ４は１個若しくは複数個のウェ
ハ受取りラック７にウェハ移送装置１６経由で送り込ま
れる。
ハ受取りラック７にウェハ移送装置１６経由で送り込ま
れる。
従来のパターン検査装置は以上のように構成されている
ので、主として微細なパターンの観察。
ので、主として微細なパターンの観察。
検査するのか目的であり、大口径のウェハ４上に形成さ
れたパターンの欠陥密度が低い場合、ウェハ４土の欠陥
総数などの全体像を検査するには非常に多くの時間を要
し、大量のウェハ処理は不可能であるなどの欠点があっ
た。
れたパターンの欠陥密度が低い場合、ウェハ４土の欠陥
総数などの全体像を検査するには非常に多くの時間を要
し、大量のウェハ処理は不可能であるなどの欠点があっ
た。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ため、微細パターンを高倍率で検査するだけでなく、ま
ず目視または低倍顕微鏡によって観察し、欠陥パターン
位置を制御装置に記憶させた後″、拡大観察により微細
部の異常を記憶した位置を順次検査するものであり、重
大なパターン欠陥を確実妬検査可能な装置を提供するこ
とを目的としている。以下、この発明について説明する
。
ため、微細パターンを高倍率で検査するだけでなく、ま
ず目視または低倍顕微鏡によって観察し、欠陥パターン
位置を制御装置に記憶させた後″、拡大観察により微細
部の異常を記憶した位置を順次検査するものであり、重
大なパターン欠陥を確実妬検査可能な装置を提供するこ
とを目的としている。以下、この発明について説明する
。
第２図はこの発明の一実施例を示すものである。
検査すべきパターン形成されたウェハ４はウェハ供給ラ
ック２からウェハ移送袋ｋ ３ ＆由でチャックお１よ
びステージ５に載る。ウェハ４とチャックおよびステー
ジ５はこの位置で低倍検査（以下、マクロ検査と称す）
し、その発見された欠陥をチャックおよびステージ５を
移動させて５Ａの位置としくこの位置におけるウェハな
４Ａとする）、顕微鏡８．９．１０で検査（以下、ミク
ロ検査と称する）する。検査を終えたウェハ４Ａはウェ
ハ移送装置６を経由して１個若しくは検査区分するため
複数個のウェハ受取ラック７に入る。そして各部は検査
機架台１および遮光するための７−ド１２に収容される
。１３はマクロ検査時に発見された欠陥位置を示すため
の元ビーム照射器、１４パターンに適合する方向、光量
、ビーム径でウェハ４を照射する。１５はマクロ検査用
テレビカメラ、１６はミクロ検査用テレビカメラ、１７
はテレビモニタであり、マクｐ検査、ミクｐ検査とも高
解像度のテレビモニタ】台で表示、観察を行プことがで
きる。また、チャックおよびステージ５は、プログラマ
ブルで少なくとも±５μｍの精度を有すｘ、ｙ、 θ
方向に可動できるものが望ましく、操作盤１１は、ウェ
ハ４の移送、チャックおよびステージ５の移動、照射ビ
ーム。検査判定データ入力などの一連の制御を行う。
ック２からウェハ移送袋ｋ ３ ＆由でチャックお１よ
びステージ５に載る。ウェハ４とチャックおよびステー
ジ５はこの位置で低倍検査（以下、マクロ検査と称す）
し、その発見された欠陥をチャックおよびステージ５を
移動させて５Ａの位置としくこの位置におけるウェハな
４Ａとする）、顕微鏡８．９．１０で検査（以下、ミク
ロ検査と称する）する。検査を終えたウェハ４Ａはウェ
ハ移送装置６を経由して１個若しくは検査区分するため
複数個のウェハ受取ラック７に入る。そして各部は検査
機架台１および遮光するための７−ド１２に収容される
。１３はマクロ検査時に発見された欠陥位置を示すため
の元ビーム照射器、１４パターンに適合する方向、光量
、ビーム径でウェハ４を照射する。１５はマクロ検査用
テレビカメラ、１６はミクロ検査用テレビカメラ、１７
はテレビモニタであり、マクｐ検査、ミクｐ検査とも高
解像度のテレビモニタ】台で表示、観察を行プことがで
きる。また、チャックおよびステージ５は、プログラマ
ブルで少なくとも±５μｍの精度を有すｘ、ｙ、 θ
方向に可動できるものが望ましく、操作盤１１は、ウェ
ハ４の移送、チャックおよびステージ５の移動、照射ビ
ーム。検査判定データ入力などの一連の制御を行う。
第２図の笑施例の動作を第３図、第４図を参照りながら
説明する。
説明する。
この発明の特徴はパターン欠陥の検出感度を高めるため
の照明系および遮光フードと発見された欠陥位置を識別
しやすいポインタビームで確認し、その位置データを多
数記憶させ、ミクロ検査の位置にウニ・・を移した後、
位置データを順次読み出しステージを移動し高倍率の検
査を行う点にある。
の照明系および遮光フードと発見された欠陥位置を識別
しやすいポインタビームで確認し、その位置データを多
数記憶させ、ミクロ検査の位置にウニ・・を移した後、
位置データを順次読み出しステージを移動し高倍率の検
査を行う点にある。
第１図で、ウェハ４はチャックおよびステージ５上のあ
らかじめ決められた位置に載っている。
らかじめ決められた位置に載っている。
パターン欠陥りは第３図のようなウェハ４に対し低角反
で照射するビームＢ、や広く平行度の高いビームＢ２に
よって、回折、散乱１反射現象から目視でも数μｍ以上
の欠陥点として検出可能となる。
で照射するビームＢ、や広く平行度の高いビームＢ２に
よって、回折、散乱１反射現象から目視でも数μｍ以上
の欠陥点として検出可能となる。
マクロ検査により発見され゛た欠陥は、光ビーム照射器
１３がらのポインタビームＰ Ｂ （例えハ約］ ｘｍ
ψ）で確認した後ミクロ検査に送る。
１３がらのポインタビームＰ Ｂ （例えハ約］ ｘｍ
ψ）で確認した後ミクロ検査に送る。
第４図（ａ）はマクロ検査において発見された欠陥ａ−
ｇを示しており、この欠陥ａ −Ｈの位置データを記憶
装置に入れる。
ｇを示しており、この欠陥ａ −Ｈの位置データを記憶
装置に入れる。
次いで、ウェハ４を第１図のチャックおよびステージ５
を移動させることにより位置５Ａのミクロ検査部に移し
、第４図（ｂ）の矢印に示す順序で欠陥ａ−ｇを読み出
しチャックおよびステージ５の移動により最終的に微細
パターンの検査０判定が行われる。
を移動させることにより位置５Ａのミクロ検査部に移し
、第４図（ｂ）の矢印に示す順序で欠陥ａ−ｇを読み出
しチャックおよびステージ５の移動により最終的に微細
パターンの検査０判定が行われる。
そして、低倍検査および高倍検査が別々のマクロ検査用
テレビカメラ１５とミクロ検査用テレビカメラ１６から
得られた像を同一のテレビモニタＩＴ上で比較検査する
。
テレビカメラ１５とミクロ検査用テレビカメラ１６から
得られた像を同一のテレビモニタＩＴ上で比較検査する
。
なお、この発明は、パターンが繰返しで微細であれば検
出感度が高く欠陥の検査が効果的である。
出感度が高く欠陥の検査が効果的である。
そのため集積回路パターンを対象とするのみでな（、集
積回路パターンを形成するためのマスク等の他のｉ検査
物にも、ウーハ供給ランク２．つ工・・受取ラック７の
形状を変更すれば同一構成で利用可能である。
積回路パターンを形成するためのマスク等の他のｉ検査
物にも、ウーハ供給ランク２．つ工・・受取ラック７の
形状を変更すれば同一構成で利用可能である。
以上説明したように、この発明によればマクロ検査の際
目視または低倍の検出感度を上げ、パターンの重大欠陥
の検出が確実に行える上、その位１ｉ￥をポインタビー
ムにより自動的に記憶され、その欠陥が拡大検査時に欠
陥場所が自動的に位置決めされるため、パターン検査を
迅速に、かつ確度尚く行える利点がある。
目視または低倍の検出感度を上げ、パターンの重大欠陥
の検出が確実に行える上、その位１ｉ￥をポインタビー
ムにより自動的に記憶され、その欠陥が拡大検査時に欠
陥場所が自動的に位置決めされるため、パターン検査を
迅速に、かつ確度尚く行える利点がある。
第１図は従来のパターン欠陥装置の一例を示す正面図、
第２図はこの発明の一実施例を示す正面図、第３図は第
２図の実施例の動作説明のための部分断面図、第４図（
、）、 （ｂ）は同じくウニ・・の平面図である。 図中、１は検査機架台、２はウエノ・供給ランク、３は
ウェハ移送装置、４はウエノ１．５はチャックおよびス
テージ、６はウェハ移送装置、Ｔはウェハ受取ランク、
８．９．１０は顕微鏡、１１は操作盤、１２はフード、
１３は光ビーム照射器、１４は高輝度光源、１５はマク
ロ倹査用テレビカしラ、１６はミクｐ検査用テレビカメ
ラ、１７はテレビモニタである。なお、図中の同一符号
は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図 第２図 ７ １ ３ ４ コ １１４Ａ’）Ａ
５第３図 第４図 （ａ）（ｂ）
第２図はこの発明の一実施例を示す正面図、第３図は第
２図の実施例の動作説明のための部分断面図、第４図（
、）、 （ｂ）は同じくウニ・・の平面図である。 図中、１は検査機架台、２はウエノ・供給ランク、３は
ウェハ移送装置、４はウエノ１．５はチャックおよびス
テージ、６はウェハ移送装置、Ｔはウェハ受取ランク、
８．９．１０は顕微鏡、１１は操作盤、１２はフード、
１３は光ビーム照射器、１４は高輝度光源、１５はマク
ロ倹査用テレビカしラ、１６はミクｐ検査用テレビカメ
ラ、１７はテレビモニタである。なお、図中の同一符号
は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図 第２図 ７ １ ３ ４ コ １１４Ａ’）Ａ
５第３図 第４図 （ａ）（ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 自動的に１個または複数個の可視光源を光量。 方向、ビーム径を制御し遮光した雰囲気で被検査物上に
照射し前記被検査物の微細パターン欠陥を目視または低
倍顕微鏡で高感度検出する低倍検査手段と、この低倍検
査手段により検出された欠陥をポインタビーム光の照射
により位置データを記憶する手段と、この記憶された位
置データに基づいて高倍率顕微鏡にその位置を自動的に
順次設定する高倍検査手段とからなることを特徴とする
パターン欠陥解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12021182A JPS5910231A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | パタ−ン欠陥解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12021182A JPS5910231A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | パタ−ン欠陥解析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5910231A true JPS5910231A (ja) | 1984-01-19 |
Family
ID=14780643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12021182A Pending JPS5910231A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | パタ−ン欠陥解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910231A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60194535A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-10-03 | ケイエルエイ・インストラメンツ・コ−ポレ−シヨン | ウエハ−検査装置の電気的制御装置 |
| JPS60202949A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-10-14 | ケイエルエイ・インストラメンツ・コ−ポレ−シヨン | パターン化されたウエハーの自動的な検査装置 |
| JPS6199845A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 光学的欠陥検出装置 |
| JPS61179549A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Olympus Optical Co Ltd | ウエハ検査顕微鏡装置 |
| JPS6276732A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 異物検査装置 |
| JP2002168793A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表面欠陥検査装置および表面欠陥検査方法 |
| JP2004294172A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Nikon Corp | 基板検査システムおよび基板検査方法 |
| US7035003B2 (en) * | 2002-05-21 | 2006-04-25 | Infineon Technologies, Ag | Microscope arrangement for inspecting a substrate |
| JP2008014822A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Canon Chemicals Inc | 板状体の検査装置 |
| JP2010181414A (ja) * | 2010-04-23 | 2010-08-19 | Nikon Corp | 基板検査システムおよび基板検査方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5792844A (en) * | 1980-11-29 | 1982-06-09 | Nec Home Electronics Ltd | Inspection of external appearance of semiconductor pellet |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP12021182A patent/JPS5910231A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0783043B2 (ja) * | 1985-02-04 | 1995-09-06 | オリンパス光学工業株式会社 | ウエハ検査顕微鏡装置 |
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| KR101104665B1 (ko) * | 2003-03-26 | 2012-01-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 검사 시스템, 기판 검사 방법 및 기판 검사 장치 |
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| JP2010181414A (ja) * | 2010-04-23 | 2010-08-19 | Nikon Corp | 基板検査システムおよび基板検査方法 |
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