KR20040079464A - 플래시 메모리용 드레인 펌프 - Google Patents
플래시 메모리용 드레인 펌프 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040079464A KR20040079464A KR1020030014254A KR20030014254A KR20040079464A KR 20040079464 A KR20040079464 A KR 20040079464A KR 1020030014254 A KR1020030014254 A KR 1020030014254A KR 20030014254 A KR20030014254 A KR 20030014254A KR 20040079464 A KR20040079464 A KR 20040079464A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage
- pmos transistor
- terminal
- current
- pump
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/30—Power supply circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/163—Soft switching
- H03K17/164—Soft switching using parallel switching arrangements
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
Description
Claims (7)
- 프로그램할 비트 수에 따라 가변 전압을 생성하기 위한 수단과;입력되는 전압을 펌프하기 위한 펌프와;상기 펌프의 출력 전압을 상기 가변 전압에 따라 레귤레이션 하여 출력하기 위한 레귤레이터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 플래시 메모리용 드레인 펌프.
- 제 1 항에 있어서,상기 수단은프로그램할 비트의 수에 따라 가변되는 전류를 생성하기 위한 바이너리 디지털 아날로그 컨버터와;상기 바이너리 디지털 아날로그 컨버터의 출력을 증폭하여 상기 가변 전압을 생성하기 위한 OP 앰프를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 플래시 메모리용 드레인 펌프.
- 제 2 항에 있어서,상기 바이너리 디지털 아날로그 컨버터는상기 OP 앰프로부터의 제 1 및 제 2 전류를 각기 공급받으며 외부데이터 입력 및 반전된 외부 데이터 입력에 따라 각기 턴온되고 소스 단자가 서로 접속된 한쌍의 트랜지스터로 이루어지는 다수의 전류 패스 수단과;상기 각각의 전류패스 수단과 접지간에 각기 접속되며 제 1 기준 전압에 따라 턴온되는 다수의 트랜지스터를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플래시 메모리용 드레인 펌프.
- 제 2 또는 제 3 항에 있어서,상기 OP 앰프는전원과 제 1 노드 간에 접속된 제 1 PMOS트랜지스터와;상기 제 1 노드와 제 1 출력 단자 간에 접속되며 상기 제 1 전류를 증폭하기 위한 제 1 커런트 미러와;전원과 제 2 노드 간에 접속된 제 2 PMOS트랜지스터와;상기 제 2 노드와 제 2 출력 단자 간에 접속되며 상기 제 2 전류를 증폭하기 위한 제 2 커런트 미러를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 플래시 메모리용 드레인 펌프.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 출력 단자와 접지간 및, 상기 제 2 출력 단자와 접지간에 각기 접속되는 저항을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 플래시 메모리용 드레인 펌프.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 커런트 미러는 상기 제 1 노드와 제 1 출력 단자간에 접속된 제 3 PMOS트랜지스터와;드레인 단자 및 게이트 단자가 상기 제 3 PMOS트랜지스터의 드레인 단자 및 게이트 단자에 각기 접속되고, 상기 게이트 단자가 자신의 소스 단자에 접속되는 제 4 PMOS트랜지스터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 플래시 메모리용 드레인 펌프.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 2 커런트 미러는 상기 제 1 노드와 제 1 출력 단자간에 접속된 제 5 PMOS트랜지스터와;드레인 단자 및 게이트 단자가 상기 제 5 PMOS트랜지스터의 드레인 단자 및 게이트 단자에 각기 접속되고, 상기 게이트 단자가 자신의 소스 단자에 접속되는 제 6 PMOS트랜지스터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 플래시 메모리용 드레인 펌프.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030014254A KR100550790B1 (ko) | 2003-03-07 | 2003-03-07 | 플래시 메모리용 드레인 펌프 |
TW092135386A TWI239011B (en) | 2003-03-07 | 2003-12-15 | Drain pump for flash memory |
US10/736,731 US7301375B2 (en) | 2003-03-07 | 2003-12-16 | Off-chip driver circuit and data output circuit using the same |
US10/739,244 US6922360B2 (en) | 2003-03-07 | 2003-12-18 | Drain pump for flash memory |
JP2003434676A JP2004273096A (ja) | 2003-03-07 | 2003-12-26 | フラッシュメモリ用ドレインポンプ |
DE10361719A DE10361719B4 (de) | 2003-03-07 | 2003-12-30 | Drain-Pumpe für Flash-Speicher |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030014254A KR100550790B1 (ko) | 2003-03-07 | 2003-03-07 | 플래시 메모리용 드레인 펌프 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040079464A true KR20040079464A (ko) | 2004-09-16 |
KR100550790B1 KR100550790B1 (ko) | 2006-02-08 |
Family
ID=32866977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030014254A KR100550790B1 (ko) | 2003-03-07 | 2003-03-07 | 플래시 메모리용 드레인 펌프 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6922360B2 (ko) |
JP (1) | JP2004273096A (ko) |
KR (1) | KR100550790B1 (ko) |
DE (1) | DE10361719B4 (ko) |
TW (1) | TWI239011B (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100672984B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 시간을 줄일 수 있는 플래시 메모리 장치 |
KR100744133B1 (ko) * | 2006-02-25 | 2007-08-01 | 삼성전자주식회사 | 안정적인 전압레벨을 제공하는 승압전압 발생회로 |
US8125827B2 (en) | 2008-07-23 | 2012-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash memory systems and operating methods using adaptive read voltage levels |
KR101333503B1 (ko) * | 2006-02-03 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 셀의 수에 따라 프로그램 전압을 조절하는 반도체메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5250254B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2013-07-31 | 三星電子株式会社 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
US7936617B2 (en) * | 2007-12-26 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
WO2010089815A1 (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | パナソニック株式会社 | 不揮発性半導体メモリ |
US8391094B2 (en) | 2009-02-10 | 2013-03-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory circuits, systems, and operating methods thereof |
US9704581B2 (en) * | 2014-12-27 | 2017-07-11 | Intel Corporation | Voltage ramping detection |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5263000A (en) * | 1992-10-22 | 1993-11-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Drain power supply |
JPH06303137A (ja) * | 1992-12-29 | 1994-10-28 | Hitachi Ltd | D/a変換器、オフセット調整回路及びこれを用いた携帯通信端末装置 |
US5537350A (en) * | 1993-09-10 | 1996-07-16 | Intel Corporation | Method and apparatus for sequential programming of the bits in a word of a flash EEPROM memory array |
JP3737525B2 (ja) * | 1994-03-11 | 2006-01-18 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP2705585B2 (ja) * | 1994-09-08 | 1998-01-28 | 日本電気株式会社 | 直並列型アナログ/ディジタル変換器 |
US5798966A (en) * | 1997-03-31 | 1998-08-25 | Intel Corporation | Flash memory VDS compensation techiques to reduce programming variability |
US5835420A (en) * | 1997-06-27 | 1998-11-10 | Aplus Flash Technology, Inc. | Node-precise voltage regulation for a MOS memory system |
JP3497708B2 (ja) * | 1997-10-09 | 2004-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
JP2003109389A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
-
2003
- 2003-03-07 KR KR1020030014254A patent/KR100550790B1/ko active IP Right Grant
- 2003-12-15 TW TW092135386A patent/TWI239011B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-18 US US10/739,244 patent/US6922360B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-26 JP JP2003434676A patent/JP2004273096A/ja active Pending
- 2003-12-30 DE DE10361719A patent/DE10361719B4/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100672984B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 시간을 줄일 수 있는 플래시 메모리 장치 |
US7417896B2 (en) | 2004-12-14 | 2008-08-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash memory device capable of reduced programming time |
US7492642B2 (en) | 2004-12-14 | 2009-02-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash memory device capable of reduced programming time |
KR101333503B1 (ko) * | 2006-02-03 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 셀의 수에 따라 프로그램 전압을 조절하는 반도체메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
KR100744133B1 (ko) * | 2006-02-25 | 2007-08-01 | 삼성전자주식회사 | 안정적인 전압레벨을 제공하는 승압전압 발생회로 |
US8125827B2 (en) | 2008-07-23 | 2012-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash memory systems and operating methods using adaptive read voltage levels |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI239011B (en) | 2005-09-01 |
KR100550790B1 (ko) | 2006-02-08 |
JP2004273096A (ja) | 2004-09-30 |
US6922360B2 (en) | 2005-07-26 |
DE10361719B4 (de) | 2012-02-23 |
US20040174745A1 (en) | 2004-09-09 |
TW200428398A (en) | 2004-12-16 |
DE10361719A1 (de) | 2004-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100362700B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 전압 레귤레이터 회로 | |
KR100383769B1 (ko) | 펌핑 전압 레귤레이션 회로 | |
US6774712B2 (en) | Internal voltage source generator in semiconductor memory device | |
US20050231265A1 (en) | Voltage generating circuit | |
US20080238530A1 (en) | Semiconductor Device Generating Voltage for Temperature Compensation | |
JPWO2007017926A1 (ja) | 半導体装置およびその制御方法 | |
US7446683B2 (en) | Digital current source | |
KR100550790B1 (ko) | 플래시 메모리용 드레인 펌프 | |
JP2008270732A (ja) | 半導体装置 | |
KR100660875B1 (ko) | 트리밍전압 발생회로를 구비하는 반도체 메모리 장치 및반도체 메모리 장치에서의 트리밍전압 발생방법 | |
US20050093581A1 (en) | Apparatus for generating internal voltage capable of compensating temperature variation | |
TW202034317A (zh) | 電流電壓轉換電路、基準電壓產生電路及非揮發性半導體存儲裝置 | |
JP2018148304A (ja) | 増幅回路 | |
KR100495854B1 (ko) | 부스팅 회로 | |
KR20030057885A (ko) | 전압 레귤레이션 회로 | |
KR20030079200A (ko) | 외부 전압의 변화에 무관하게 안정된 출력 전압을발생하는 전압 발생회로 | |
JP2004145703A (ja) | 電源回路装置 | |
KR20020056204A (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 포스트 프로그램 검증 회로 | |
US20020122333A1 (en) | Reading circuit for a memory cell | |
KR100631936B1 (ko) | 내부전압 발생회로 | |
KR100616218B1 (ko) | 출력신호의 슬루율을 제어할 수 있는 연산증폭기 | |
KR0174508B1 (ko) | 기준전압 발생회로 | |
KR100307526B1 (ko) | 첨두전류제한회로 | |
TW202205043A (zh) | 電壓調整器 | |
KR20000044911A (ko) | 워드라인 부트스트랩 회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130128 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140122 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150121 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160121 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170124 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180122 Year of fee payment: 13 |