KR20040053222A - 열가소성 수지 조성물, 및 그것으로 만든 시트 및 카드 - Google Patents

열가소성 수지 조성물, 및 그것으로 만든 시트 및 카드 Download PDF

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Abstract

본 발명에서는 그것의 재료내에 하기 열가소성 수지 조성물 I 내지 III 중 어느 하나를 함유하며, 내열성, 가공성 및 엠보싱능이 우수하기 때문에 자기 카드, IC 카드 등으로 사용될 수 있는 카드가 제공된다 :
I. 하기 성분 (A) 및 (B)로 이루어지는 조성물
II. 하기 성분 (A), (B) 및 (D)로 이루어지는 조성물
III. 총 100중량부의 하기 성분 (A), (B) 및 (D)로부터 선택되는 한가지 이상의 성분과 2 내지 25중량부의 하기 성분 (C)로 이루어지는 조성물
(상기 I 내지 III에서, 성분 (A)는 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르이고; 성분 (B)는 방향족 폴리카보네이트이고; 성분 (C)는 평균 입도가 0.5 내지 20㎛인 무기 시트상 충전제이고; 그리고 성분 (D)는 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 미만으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르이다.)

Description

열가소성 수지 조성물, 및 그것으로 만든 시트 및 카드{THERMOPLASTIC RESIN COMPOSITION AND SHEETS AND CARDS MADE FROM THE SAME}
본 발명은 내열성, 가공성 및 엠보싱능 사이의 밸런스가 우수한 자기 카드 및 IC 카드와 같은 카드, 그러한 카드에 적당한 시트, 및 그러한 카드 및 시트용의 열가소성 수지 조성물에 관한 것이다.
최근에, 자기 카드 및 IC 카드와 같은 카드가 다양한 용도로 사용되고 있다. 이들 카드는 때때로 상징 및 문자를 삼차원적으로 강조하기 위하여 엠보싱된다. 이들 카드는 일반적으로 경질의 폴리염화비닐 수지로 만든 다층 시트에 의해 형성된다. 그러나, 폴리염화비닐 수지는 내구성 및 내열성이 불량하기 때문에, 고온에 노출되는 경우 변형될 수 있으며, 따라서 폴리염화비닐 수지를 대신할 수 있는 내열성이 우수한 엠보싱가능한 카드 재료가 요구되어 왔다.
1,4-시클로헥산디메탄올 유도체 공중합된 폴리에스테르는 엠보싱이 잘 되는 수지이며, 또한 기계적 강도와 내약품성이 우수하기 때문에 그것의 카드에 대한 적용이 조사되고 있다. 1,4-시클로헥산디메탄올 유도체 공중합된 폴리에스테르는 유리전이온도가 약 80℃이며, 또한 다층 시트로 가공될 때 약 110 내지 120℃의 저온에서 열 용융될 수 있기 때문에 가공성이 우수하다는 특징이 있다. 그러나, 낮은 유리전이온도 때문에 상기의 화합물은 내열성을 필요로 하는 용도에는 사용될 수 없다. 1,4-시클로헥산디메탄올 유도체 공중합된 폴리에스테르의 내열성을 개선시키기 위하여 종래에 고려되던 방법중 한 가지는 높은 유리전이온도를 갖는 중합체를 배합하는 것이다.
일본 특허 공개 제 53-94536호에는 폴리카보네이트와 폴리(1,4-시클로헥산디메탄올테레프탈레이트-코-이소프탈레이트)의 배합물 및 그것으로 만든 시트가 개시되어 있다. 이 배합물은 광범위한 혼합 비율에서도 상용성을 유지하며, 폴리카보네이트와 폴리(1,4-시클로헥산디메탄올테레프탈레이트-코-이소프탈레이트)에 특징적인 투명도를 가지고 있다. 폴리카보네이트와 폴리(1,4-시클로헥산디메탄올테레프탈레이트-코-이소프탈레이트)로 구성된 배합물과 그것으로 만든 시트는 폴리카보네이트 함량을 증가시킴으로써 내열성이 확실하게 개선될 수 있다. 그러나, 만약 내열성이 개선되면 가공 온도도 또한 올라가게 되고, 그 결과 배합물 및 시트는 높은 내열성 및 높은 가공성을 동시에 가질 수 없게 된다.
일본 특허 공개 제 59-120648호에는 폴리카보네이트와 1,4-시클로헥산디메탄올 유도체 공중합된 폴리에스테르로 구성되는 배합물이 개시되어 있다. 이 배합물은 사용된 1,4-시클로헥산디메탄올 유도체 공중합된 폴리에스테르의 글리콜 성분중에 1,4-시클로헥산디메탄올 또는 에틸렌 글리콜중 어느 것이 더 많이 함유되었느냐에 따라 실질적으로 투명하거나 (1,4-시클로헥산디메탄올 함량이 더 많을 때), 또는 반투명하거나 불투명할 수 있다(에틸렌 글리콜 함량이 더 많을 때). 그러나,실질적으로 투명한 배합물은 만약 내열성이 개선되면 가공 온도가 올라가기 때문에 높은 내열성과 높은 가공성을 동시에 가지기가 어렵다. 나아가, 상기 일본 특허 공개 제 59-120648호에는 시트의 열용융성에 대해서는 전혀 언급이 없으며, 다층 시트 또는 카드에 대한 응용에 대해서도 전혀 언급이 없다.
더욱이, 폴리카보네이트와 1,4-시클로헥산디메탄올 유도체 공중합된 폴리에스테르로 구성된 배합물은, 만약 폴리카보네이트 함량이 증가되면 내열성이 개선될 수 있음에도 불구하고 엠보싱능이 크게 감소하기 때문에 엠보싱 가능한 카드에는 적당하지 않다는 문제점을 가지고 있다.
폴리카보네이트 단독으로는 내열성이 우수하지만 엠보싱능이 불량하여 카드에 대한 적용은 거의 조사되지 않았다.
일본 특허 공개 제 8-279150호에는 비-배향된 열-결정화 폴리에틸렌테레프탈레이트를 사용한 카드가 개시되어 있다. 그러나, 이 카드는 우수한 내열성을 가지고 있음에도 엠보싱능이 낮다는 문제점을 가지고 있다.
본 발명의 문제는 내열성, 가공성 및 엠보싱능 사이의 밸런스가 우수한 자기 카드 및 IC 카드와 같은 카드, 그러한 카드에 적당한 시트, 및 그러한 카드 및 시트에 적당한 열가소성 수지 조성물을 제공하는 것이다.
발명의 개시
본 발명자들은 내열성, 가공성 및 엠보싱능 사이의 밸런스가 우수한 자기 카드 및 IC 카드와 같은 카드, 그러한 카드에 적당한 시트, 및 그러한 카드 및 시트에 적당한 열가소성 수지 조성물을 제공하기 위하여 집중적으로 연구하였고, 그 결과 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르와 폴리카보네이트로 이루어진 배합물이 카드 적용에 요구되는 비교적 낮은 부하에서 내열성을 개선시키는 효과가 크며, 나아가 만약 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 미만으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르가 추가로 함유된다면, 가공성 및 내열성이 더욱 향상될 수 있다는 것을 발견하였다. 더욱이, 특정한 평균 입도를 가지고 있는 무기 시트상 충전제가 엠보싱능을 향상시키는데 아주 효과적임을 발견하였다. 이로써 본 발명이 완성되었다.
본 발명은 다음과 같다 :
(1) 재료내에 하기의 열가소성 수지 조성물 I 내지 III 중 어느 한 가지를 포함하고 있는 카드:
I. 하기 성분 (A) 및 (B)로 이루어지는 조성물
II. 하기 성분 (A), (B) 및 (D)로 이루어지는 조성물
III. 총 100중량부의 하기 성분 (A), (B) 및 (D)와 2 내지 25중량부의 하기 성분 (C)로 이루어지는 조성물
(상기 I 내지 III에서, 성분 (A)는 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르이고;
성분 (B)는 방향족 폴리카보네이트이고;
성분 (C)는 평균 입도가 0.5 내지 20㎛인 무기 시트상 충전제이고; 그리고
성분 (D)는 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 미만으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르이다.)
(2) 판독가능 및 기입가능 정보를 전기적, 광학적 또는 자기적으로 기록할 수 있고 및/또는 엠보싱에 의하여 정보를 기록할 수 있는 상기 (1)에 기재된 카드.
(3) 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (A)와 (D)로 이루어진 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는 조성물 II인, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 카드.
(4) 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (D)와 (B)로 이루어진 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는 조성물 II인, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 카드.
(5) 열가소성 수지가 조성물 III인, 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 카드.
(6) 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (A)와 (D)로 이루어진 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 성분 (A), (B), (C) 및 (D)로 이루어진 조성물인 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 카드.
(7) 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (D) 와 (B)로 이루어진 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 성분 (A), (B), (C) 및 (D)로 이루어진 조성물인 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 카드.
(8) 엠보싱된, 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 하나에 기재된 카드.
(9) 시트상 충전제가 활석인, 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 카드.
(10) 시트를 가공함에 의해 얻어지는, 상기 (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 카드.
(11) 다수의 시트를 적층시킴으로써 제조된 다층 시트를 가공함에 의해 얻어지는, 상기 (1) 내지 (10) 중 어느 하나에 기재된 카드.
본 발명은 또한 다음과 같다 :
(12) 하기 성분 (A), (D) 및 (B)로 이루어진 열가소성 수지 조성물을 포함하고 있는 시트 :
성분 (A) : 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르;
성분 (B) : 방향족 폴리카보네이트;
성분 (D) : 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 미만으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르.
(13) 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (A)와 (D)로 이루어지는 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (12)에 기재된 시트.
(14) 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (D)와 (B)로 이루어지는 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (12)에 기재된 시트.
(15) 하기 성분 (A), (B) 및 (D)로부터 선택된 한가지 이상의 열가소성 수지 100중량부와 하기 성분 (C) 2 내지 25중량부로 이루어진 열가소성 수지 조성물을 포함하고 있는 시트 :
성분 (A) : 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르;
성분 (B) : 방향족 폴리카보네이트;
성분 (C) : 평균 입도가 0.5 내지 20㎛인 무기 시트상 충전제;
성분 (D) : 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 미만으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르.
(16) 열가소성 수지 조성물이 총 100중량부의 성분 (A) 및 (B)와 2 내지 25중량부의 성분 (C)로 이루어지는, 상기 (15)에 기재된 시트.
(17) 열가소성 수지 조성물이 총 100중량부의 성분 (A), (D) 및 (B)와 2 내지 25중량부의 성분 (C)로 이루어지는, 상기 (15)에 기재된 시트.
(18) 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (A)와 (D)로 이루어지는 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (17)에 기재된 시트.
(19) 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (D)와 (B)로 이루어지는 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (17)에 기재된 시트.
(20) 시트상 충전제가 활석인, 상기 (15) 내지 (19) 중 어느 하나에 기재된 시트.
(21) 적어도 하나의 층으로서 하기 성분 (A) 및 (B)로 이루어진 열가소성 수지 조성물로 만든 시트를 포함하고 있는 다층 시트 :
성분 (A) : 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르;
성분 (B) : 방향족 폴리카보네이트.
(22) 열가소성 수지 조성물이 추가로 하기 성분 (D)를 함유하는, 상기 (21) 에 기재된 다층 시트 :
성분 (D) : 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 미만으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르.
(23) 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (A)와 (D)로 이루어진 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (22)에 기재된 다층 시트.
(24) 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (D)와 (B)로 이루어진 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (22)에 기재된 다층 시트.
(25) 엠보싱된, 상기 (21) 내지 (24) 중 어느 하나에 기재된 다층 시트.
(26) 성분 (A), (B) 및 (D)로부터 선택된 한가지 이상의 열가소성 수지 100중량부와 2 내지 25중량부의 하기 성분 (C)로 이루어진 열가소성 수지 조성물로 만든 시트를 포함하고 있는 다층 시트 :
성분 (A) : 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르;
성분 (B) : 방향족 폴리카보네이트;
성분 (C) : 평균 입도가 0.5 내지 20㎛인 무기 시트상 충전제;
성분 (D) : 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 미만으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르.
(27) 열가소성 수지 조성물이 총 100중량부의 성분 (A) 및 (B)와 2 내지 25중량부의 성분 (C)로 이루어지는, 상기 (26)에 기재된 다층 시트.
(28) 열가소성 수지 조성물이 총 100중량부의 성분 (A), (D) 및 (B)와 2 내지 25중량부의 성분 (C)로 이루어지는, 상기 (26)에 기재된 다층 시트.
(29) 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (A)와 (D)로 이루어지는 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (28)에 기재된 다층 시트.
(30) 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (D) 와 (B)로 이루어지는 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (28)에 기재된 다층 시트.
(31) 시트상 충전제가 활석인, 상기 (26) 내지 (30) 중 어느 하나에 기재된 다층 시트.
(32) 성분 (A), (B) 및 (D)로부터 선택된 한가지 이상과 성분(C)로 이루어진 열가소성 수지 조성물로 만든 시트가 내부층으로서 구비되는, 상기 (26) 내지 (31) 중 어느 하나에 기재된 다층 시트.
(33) 성분 (A) 및 (B)로 이루어진 열가소성 수지 조성물로 만든 시트가 표면층으로서 구비되는 상기 (32)에 기재된 다층 시트.
(34) 성분 (A) 및 (B)로 이루어진 열가소성 수지 조성물이 추가로 성분 (D) 를 함유하는, 상기 (33)에 기재된 다층 시트.
(35) 성분 (A), (B) 및 (D)로 이루어진 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (A)와 (D)로 이루어진 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (34)에 기재된 다층 시트.
(36) 성분 (A), (B) 및 (D)로 이루어진 열가소성 수지 조성물이 주로 성분 (D)와 (B)로 이루어진 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (34)에 기재된 다층 시트.
(37) 엠보싱된, 상기 (26) 내지 (36) 중 어느 하나에 기재된 다층 시트.
본 발명은 또한 다음과 같다 :
(38) 열가소성 수지 조성물을 사출 성형함으로써 제조된, 상기 (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 카드.
본 발명은 또한 다음과 같다 :
(39) 하기 성분 (A), (D) 및 (B)를 포함하고 있는 열가소성 수지 조성물 :
성분 (A) : 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르;
성분 (B) : 방향족 폴리카보네이트;
성분 (D) : 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 미만으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르.
(40) 주로 성분 (A) 및 (D)로 이루어진 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (39)에 기재된 열가소성 수지 조성물.
(41) 주로 성분 (D) 및 (B)로 이루어진 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (39)에 기재된 열가소성 수지 조성물.
(42) 성분 (A), (B) 및 (D)로부터 선택된 한가지 이상의 열가소성 수지 조성물 100중량부와 2 내지 25중량부의 하기 성분 (C)를 포함하고 있는 열가소성 수지 조성물 :
성분 (A) : 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르;
성분 (B) : 방향족 폴리카보네이트;
성분 (C) : 평균 입도가 0.5 내지 20㎛인 무기 시트상 충전제;
성분 (D) : 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 미만으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르.
(43) 총 100중량부의 성분 (A) 및 (B)와 2 내지 25중량부의 성분 (C)로 이루어진, 상기 (42)에 기재된 열가소성 수지 조성물.
(44) 총 100중량부의 성분 (A), (D) 및 (B)와 2 내지 25중량부의 성분 (C) 로 이루어진, 상기 (42)에 기재된 열가소성 수지 조성물.
(45) 주로 성분 (A)와 (D)로 이루어진 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (44)에 기재된 열가소성 수지 조성물.
(46) 주로 성분 (D)와 (B)로 이루어진 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조를 가지고 있는, 상기 (44)에 기재된 열가소성 수지 조성물.
본 발명의 카드는 긴 쪽의 길이가 10mm 내지 300mm이고 짧은 쪽의 길이가 10 mm 내지 200mm이며 두께가 50 내지 5000㎛인 성형된 직사각형 시트를 말하며 (긴 쪽의 길이는 짧은 쪽의 길이와 같을 수도 있다. 즉 시트는 정사각형일 수도 있다), 어느 쪽의 치수든지 카드보다 더 크게 성형된 시트는 시트라 불린다. 바람직한 카드는 긴 쪽의 길이가 50 내지 100mm이며 짧은 쪽의 길이가 25 내지 80mm이고 두께가 400 내지 2000㎛인 직사각 형태를 가지고 있으며, 보다 바람직한 카드는 긴 쪽의 길이가 약 85mm이며 짧은 쪽의 길이가 약 54mm이고 두께가 600 내지 900㎛인 직사각 형태를 가지고 있다.
본 발명에서 카드는 일반적으로 정보를 기록할 수 있으며, 특히 판독가능 및/또는 기입가능 정보를 전기적, 광학적 또는 자기적으로 기록할 수 있는 카드로서 적당하고, 및/또는 엠보싱에 의해 정보를 기록할 수 있는 카드를 말한다. 구체적으로, 바람직한 카드로는 자기 카드, 광학 카드 등, 예를 들면 접촉형 IC 카드(smart card), 안에 IC 칩이 삽입되어 있는 비-접촉형 IC 카드 및 자기적으로 줄무늬가 있는 카드가 있다. 용도 관점에서 보면 카드에는 선불 카드, 신용 카드, 은행 업무용 카드, 다양한 식별 카드 등이 있다.
본 발명의 카드는 내열성, 가공성 및 엠보싱능 사이의 밸런스가 우수하며, 실제로 까다로운 조건하에서의 사용을 매우 잘 견뎌낼 수 있다.
본 발명의 카드는 바람직하게는 열가소성 수지 조성물을 시트로 성형하고 그것을 카드로 절단하거나, 또는 그러한 시트를 적층시켜 다층 시트를 형성한 후 그것을 카드로 절단함으로써 제조될 수 있다. 압축성형 등에 의하여 이차 가공된 시트도 또한 카드로 가공될 수 있다. 나아가, 열가소성 수지 조성물을 용융-혼련하고 펠릿화하여, 공개적으로 공지되어 있는 압축성형에 의하여 카드로 가공할 수도 있지만, 카드는 사출 성형에 의해 제조되는 것이 바람직하다.
시트를 제조하기 위해서는 T 다이 방법 및 팽창 방법과 같은 어떠한 공지된 방법이든지 사용될 수 있다. 본 발명의 시트는 단일층 시트이거나 또는 동일하거나 상이한 종류의 둘 이상의 시트를 적층함으로써 얻어질 수 있다. 둘 이상의 시트를 적층하기 위해서는 필요에 따라 공지된 방법, 예를 들면 공-압출 방법, 열 적층 방법 및 고온 용융 방법이 사용될 수 있다. 본 발명의 시트는 저온에서도 열 용융될 수 있기 때문에, 열 적층 방법이 바람직하게 사용될 수 있다.
본 발명의 시트의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 단일층 시트인 경우에, 두께는 바람직하게는 50 내지 5000㎛이고, 보다 바람직하게는 100 내지 1000㎛이다. 둘 이상의 시트로 이루어진 라미네이트의 경우에는 전체 두께는 바람직하게는 150 내지 5000㎛이며, 보다 바람직하게는 300 내지 1000㎛이다. 각 시트의 두께는 적층되는 시트의 수, 전체 두께, 장식 효과 등에 따라 적절하게 결정될 수 있다.
본 발명의 카드 및 시트의 재료로서 사용되는 열가소성 수지 조성물은 하기 성분 I 내지 III 중 어느 하나이다.
I. 하기 성분 (A) 및 (B)로 이루어지는 조성물
II. 하기 성분 (A), (B) 및 (D)로 이루어지는 조성물
III. 총 100중량부의 하기 성분 (A), (B) 및 (D)와 2 내지 25중량부의 하기 성분 (C)로 이루어지는 조성물
(상기 I 내지 III에서, 성분 (A)는 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르이고;
성분 (B)는 방향족 폴리카보네이트이고;
성분 (C)는 평균 입도가 0.5 내지 20㎛인 무기 시트상 충전제이고; 그리고
성분 (D)는 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 미만으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르이다.)
먼저, 성분 (A) 내지 (D)를 아래에서 설명하기로 한다.
본 발명에서 성분 (A)는 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르이다.
성분 (A)는 글리콜 성분내에서 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 바람직하게는 90/10 내지 60/40에서, 보다 바람직하게는 75/25 내지 65/35에서 유지되며, 산 성분으로서 테레프탈산을 함유하고 있다.
본 발명에서, 성분 (D)는 주요 디카르복실산 성분으로서 테레프탈산 성분을 가지고 있는 디카르복실산 성분 및 주요 글리콜 성분으로서 에틸렌 글리콜 성분 (I)과 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)으로 구성되며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 미만으로 유지되도록 구성된 폴리에스테르이다.
성분 (D)는 글리콜 성분내에서 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 바람직하게는 2/3 이하에서 유지되며, 산 성분으로서 테레프탈산 성분 외에 이소프탈산 성분을 함유할 수 있다. 보다 바람직하게는, 성분 (D)는 30/70 내지 40/60에서 유지되는 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)를 가지고 있으며, 산 성분으로서 테레프탈산 성분을 함유하고 있다.
본 발명에서, 성분 (A) 및 (D)로서 사용된 1,4-시클로헥산디메탄올 유도체 공중합된 폴리에스테르를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면 상기 폴리에스테르는 테레프탈산 또는 그것의 저급 알킬에스테르, 1,4-시클로헥산디메탄올 및 에틸렌 글리콜을 유기 티탄 화합물과 같은 촉매 없이 중축합함으로써 제조될 수 있다. 중합 조건에 대해서는 예를 들면 미국 특허 제 2,901,466호에 개시된 조건을 적용할 수 있다.
본 발명에서, 성분 (A) 및 (D)로서 사용된 1,4-시클로헥산디메탄올 유도체 공중합된 폴리에스테르는 본 발명의 효과가 손상되지 않는 한 통상 20몰% 이하, 바람직하게는 10몰% 이하의 다른 디카르복실산, 예컨대 이소프탈산, 오르토프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 2,7-나프탈렌디카르복실산, 1,5-나프탈렌디카르복실산, 메틸테레프탈산, 4,4'-비페닐디카르복실산, 2,2'-비페닐디카르복실산, 1,2'-비스(4-카르복시페녹시)에탄, 숙신산, 아디프산, 수베르산, 아젤라산, 세바스산, 도데칸디온산, 옥타데칸디카르복실산, 다이머산 또는 1,4-시클로헥산디카르복실산을 다른 산 성분으로서, 그리고 다른 글리콜, 예컨대 프로필렌 글리콜, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,8-옥탄디올, 1,10-데칸디올, 1,3-시클로헥산디메탄올, 1,2-시클로헥산디메탄올 또는 2,2-비스(2'-히드록시에톡시페닐)프로판을 다른 글리콜 성분으로서 함유할 수 있으며, 상기 화합물들은 각각 공중합되어 있다.
본 발명에서 성분 (B)로서 사용된 방향족 폴리카보네이트는 바람직하게는 주요 원료로서 2,2'-비스(4-히드록시페닐)프로판 (비스페놀 A), 4,4'-디히드록시디페닐알칸, 4,4'-디히드록시디페닐술폰 및 4,4'-디히드록시디페닐에테르로부터 선택된 한가지 이상의 화합물을 사용하여 제조되며, 상기 화합물중에서도 주요 원료로서 비스페놀 A를 사용하여 제조된 방향족 폴리카보네이트가 바람직하다. 구체적으로, 디히드록시 성분으로서 상기 비스페놀 A를 사용하여 에스테르 상호교환 방법 또는 포스겐 방법에 의하여 얻어진 폴리카보네이트가 바람직하다. 나아가, 부분적으로 (바람직하게는 10몰% 이하) 4,4'-디히드록시디페닐알칸, 4,4'-디히드록시디페닐술폰 또는 4,4'-디히드록시디페닐에테르 등으로 치환된 비스페놀 A를 사용하여 얻어진 폴리카보네이트도 또한 바람직하다.
본 발명에서, 성분 (C)로서의 무기 시트상 충전제는 바람직하게는 삼차원적으로 비등방성이고 2축으로 배향되어 있는 입자들로 된 충전제이다. 이것은 예를 들면 활석, 카올린, 운모, 견운모, 염기성 탄산마그네슘, 수산화알루미늄, 유리 플레이크 등으로부터 선택될 수 있다. 이들 충전제중 둘 이상이 함께 사용될 수 있다. 이들 충전제중에서, 활석과 카올린이 바람직하며, 활석이 가장 바람직하다.
무기 시트상 충전제의 평균 입도는 바람직하게는 혼합 전의 단계에서 0.5 내지 20㎛이며, 보다 바람직하게는 1 내지 10㎛이다. 만약 입도가 이 범위내에 있다면 열가소성 수지 조성물의 시트 및 카드로의 성형성은 양호하며, 엠보싱능을 개선시키는 효과도 높다. 나아가, 투명도도 또한 우수하다.
무기 시트상 충전제의 평균 입도는 원심분리를 이용한 침전 방법에 의해 측정될 수 있다.
무기 시트상 충전제는 또한 그것의 입자 표면이 커플링제, 예를 들면 이소시아네이트계 화합물, 유기 실란계 화합물, 유기 티타네이트계 화합물, 유기 보란계 화합물 또는 에폭시 화합물에 의하여 처리될 수 있다.
이제 조성물 I 내지 III 에 대하여 설명하기로 한다.
조성물 I은 성분 (A) 및 (B)로 이루어진다. 조성물 I은 내열성이 우수하며 비교적 낮은 온도에서 열 용융이 가능하다. 그러므로, 조성물은 특히 다층 시트의 적어도 한 층으로서 사용되는 재료로서 유용하며, 또한 그것을 가공함으로써 얻어지는 카드에도 적당하다.
조성물 I에서 성분 (A)와 (B)의 혼합 비율은 구체적으로 한정되지 않으며, 성분 (A)가 연속 상으로서 존재하는 분산된 구조인 경우 또는 성분 (B)가 연속 상으로서 존재하는 분산된 구조인 경우에 조성물은 높은 내열성 및 높은 가공성을 가질 수 있다. 분산된 구조에서, 성분 (B)는 성분 (A)에 의해 형성된 연속 상중에 분산된 상으로서 존재하거나, 또는 성분 (A)와 (B)가 둘 다 연속 상으로서 존재하거나, 또는 성분 (A)가 성분 (B)에 의해 형성된 연속 상중에 분산된 상으로서 존재하는 것이 가능하다. 분산된 구조란 단일 상이외의 어떠한 다중 상 구조를 말한다.
이 경우 혼합 비율에 대해서는, 성분 (A)의 양이 성분 (A)와 (B)의 총 중량을 기준으로 10 내지 90중량%인 반면, 성분 (B)의 양은 90 내지 10중량%인 것이 바람직하다. 이 혼합 비율 범위내에서, 내열성과 가공성이 모두 우수한 카드 및 다층 시트가 얻어질 수 있다. 특히, 만약 성분 (A)의 양이 50 내지 90중량%이고 성분 (B)의 양이 50 내지 10중량%라면, 성분 (A)가 연속 상을 형성하는 것 같고, 열가소성 수지 조성물은 110 내지 130℃의 낮은 온도에서 열 용융이 일어나는 것이 가능해진다. 다른 한편으로, 만약 성분 (A)의 양이 10 내지 50중량%이고 성분 (B)의 양이 90 내지 50중량%라면, 성분 (B)가 연속 상을 형성하는 것 같고, 그 결과 열가소성 수지 조성물은 비록 내열성이 우수하더라도 130 내지 150℃의 실제 온도에서 열 용융이 가능해진다.
조성물 II는 성분 (A), (B) 및 (D)로 이루어진다. 이 조성물은 바람직하게도 추가로 성분 (D)를 함유하기 때문에 조성물 I보다 가공성 및 내열성이 더 높다.
조성물 II에서 각각의 성분의 혼합 비율은 특별히 한정되지 않는다. 주로 성분 (A)와 (B)로 이루어지는 상이 연속 상으로서 존재하는 분산된 구조인 경우에 또는 주로 성분 (B)와 (D)로 이루어지는 상이 연속 상으로서 존재하는 분산된 구조인 경우에 내열성이 특히 높다. 그러한 분산된 구조에서는, 주로 성분 (B)와 (D) 로 이루어지는 상이 주로 성분 (A)와 (D)로 이루어지는 연속 상중에 분산된 상으로서 존재하거나, 또는 주로 성분 (A)와 (D)로 이루어지는 상과 주로 성분 (B)와 (D)로 이루어지는 상이 연속 상으로서 존재하거나, 또는 주로 성분 (A)와 (D)로 이루어지는 상이 주로 성분 (B)와 (D)로 이루어지는 연속 상중에 분산된 상으로서 존재하는 것이 가능해진다.
이런 경우에 각각의 성분의 양에 대해서 살펴보면, 성분 (B)의 양은 성분 (A)와 (D)의 총 중량을 100부로 한 것을 기준으로 하여 바람직하게는 10 내지 900중량부이며, 보다 바람직하게는 20 내지 500중량부이다.
구체적으로, 성분 (B)의 양이 성분 (A)와 (D)의 총 중량을 100부로 하였을 때 10 내지 100중량부라면, 주로 성분 (A)와 (D)로 이루어지는 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조가 얻어지기 쉬우며, 바람직하게도 높은 가공성이 보장될 수 있다. 나아가, 만약 성분 (B)의 양이 성분 (A)와 (D)의 총 중량을 100부로 하였을 때 100중량부 내지 900중량부보다 많으면, 주로 성분 (B)와 (D)로 이루어지는 상이 연속상으로서 존재하는 분산된 구조가 얻어지기 쉬우며, 바람직하게도 더 높은 내열성이 보장될 수 있다.
이런 경우에, 성분 (D)에 대한 성분 (A)의 중량비 (A)/(D)는 바람직하게는 90/10 내지 30/70이며, 보다 바람직하게는 80/20 내지 50/50이고, 이 범위내에서 특히 양호한 분산된 구조가 얻어질 수 있다.
조성물 III은 성분 (A), (B) 및 (D)로부터 선택된 한가지 이상의 성분 100중량부와, 2 내지 25중량부의 성분 (C)로 이루어진다. 조성물 III은 성분 (C)를 함유하고 있기 때문에, 바람직하게도 내열성 및 가공성이 저하되는 일 없이 엠보싱능이 크게 향상된다.
조성물 III에서는 적어도 성분 (A) 또는 (D) 중 하나, 특히 성분 (A)를 사용하는 것이 바람직하다. 나아가, 성분 (A), (B) 및 (D) 중 적어도 둘 또는 셋을 사용하는 것이 바람직하다.
조성물 III에 대해 특히 바람직한 조합은 성분 (A), (B) 및 (C)로 이루어지는 조성물 및 성분 (A), (B), (C) 및 (D)로 이루어지는 조성물이다. 이것들 중에서, 성분 (A), (B), (C) 및 (D)로 이루어지는 조성물이 특히 바람직하다.
성분 (C)의 양은 성분 (A), (B) 및 (D)의 총 중량을 100부로 하였을 때 2 내지 25중량부, 바람직하게는 4 내지 15중량부이다(만약 한 성분이라도 함유되지 않았다면, 그 성분의 양은 총량을 계산할 때 0중량부이다). 만약 양이 이 범위내에 있으면, 성형성이 양호하여, 양호한 시트와 카드가 얻어질 수 있다. 나아가, 엠보싱능을 개선시키는 효과도 크고, 또한 투명도도 우수하다.
성분 (A), (B) 및 (D)로부터 둘 또는 세 개가 선택된다면, 각각의 성분의 비율은 임의적이다. 성분 (A)와 (B)가 함께 사용되거나 또는 성분 (A), (B) 및 (D)가 모두 함께 사용된다면, 상기 조성물 I 및 II에 대해 설명된 바람직한 혼합 비율 및 방식이 적용될 수 있다.
본 발명에서, 각각의 성분의 배합 방법은 특별히 한정되지 않으며, 공개적으로 공지된 어떠한 방법이든지 사용될 수 있다. 구체적으로 1축 또는 2축 압출기가 균질한 용융-혼련을 위하여 사용될 수 있다. 다른 방법으로서는, 특정 성분만이 예비적으로 혼련되고 이 혼련된 혼합물이 마스터배치로서 나머지 성분과 혼련될 수 있다.
본 발명의 조성물은 또한 본 발명의 목적이 손상되지만 않는다면 다른 다양한 첨가제를 함유할 수 있다. 이들 다른 첨가제로는 보강제, 예를 들면 유리 섬유, 탄소 섬유, 아스베스토스 섬유, 암면, 탄산칼슘, 규사, 벤토나이트, 점토, 규회석, 황산바륨, 유리 비드, 운모 및 산화티탄, 충전제, 항산화제 (인계, 황계 등), 자외선 흡수제, 열안정제 (장애 페놀계 등), 윤활제, 이형제, 대전방지제, 항차단제, 염료 및 안료를 포함한 착색제, 난연제 (할로겐계, 인계 등), 난연보조제 (삼산화안티몬과 같은 안티몬 화합물, 산화지르코늄, 산화몰리브덴 등), 발포제, 가교제(예컨대 폴리에폭시 화합물, 이소시아네이트 화합물, 산 무수물 등)등이 있다. 나아가, 어떠한 다른 합성 수지(예컨대 폴리아미드 수지, 폴리스티렌 수지, 아크릴 수지, 폴리에틸렌 수지, 에틸렌/비닐 아세테이트 공중합체, 페녹시 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등)도 함유될 수 있다.
본 열가소성 수지 조성물은 예를 들어 산화티탄 등을 첨가함으로써 불투명하게 만들어질 수 있다. 본 수지 조성물이 자기 카드 및 IC 카드와 같은 정보를 기록할 수 있는 카드로서 사용되는 경우에는, 조성물을 불투명하게 만들기 위하여 통상 성분 (A) 내지 (D)를 총 100중량부로 하여 2 내지 25중량부의 산화티탄이 첨가될 수 있다.
본 열가소성 수지 조성물은 시트로 성형될 수 있으며, 그러한 시트는 다시 다층 시트로 적층될 수 있다.
다층 시트인 경우에, 적어도 한 개의 층이 상기 조성물 I, II 또는 III에 의해 형성된다. 조성물 III으로서는, 성분 (A), (B) 및 (D)로부터 선택된 한가지 이상의 성분 100중량부와 2 내지 25중량부의 성분 (C)로 이루어지는 열가소성 수지 조성물이 바람직하며, 특히, 총 100중량부의 성분 (A) 및 (B)와 2 내지 25중량부의 성분 (C)로 이루어진 열가소성 수지 조성물, 및 총 100중량부의 성분 (A), (B) 및 (D)와 2 내지 25중량부의 성분 (C)로 이루어진 열가소성 수지 조성물이 바람직하다.
다른 바람직한 형태도 또한 조성물 I 내지 III에 대하여 설명된 것과 동일하다.
다른 층의 재료는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 종이, 천 및 합성 수지(예컨대 폴리올레핀 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리염화비닐 수지, 염화비닐/비닐아세테이트 공중합체 수지, ABS 수지 등)와 같은 재료가 사용될 수 있다. 각각의 층 사이에는 필요에 따라 접착층이 또한 형성될 수 있다. 나아가, 각각의 층들은 도장될 수 있으며, 또한 자기 물질로 피복될 수도 있다. 자기층은 전체 시트위에 또는 줄무늬로서 시트위에 부분적으로 존재할 수 있다.
열 적층법에 의해 본 발명의 다층 시트를 제조하기 위해서는, 110 내지 150 ℃ 범위의 온도에서 열 용융을 가능하게 하는 재료의 시트, 예를 들면 비정질 폴리에스테르 시트가 바람직하게 사용될 수 있다.
비정질 폴리에스테르는 시차주사열량계에 의해 10℃/분의 속도로 용융 상태로부터 냉각될 때 결정화 열량이 5cal/g 이하인 폴리에스테르일 수 있다.
적층될 비정질 폴리에스테르 시트는 비정질 폴리에스테르 단독으로 만든 시트이거나 또는 비정질 폴리에스테르를 함유하는 조성물로 만든 시트일 수 있다. 비정질 폴리에스테르는 비정질 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 공중합체, 1,4-시클로헥산디메탄올 유도체 공중합된 폴리에스테르 등으로부터 선택될 수 있다. 이들 비정질 폴리에스테르중 어느 것이든지 다른 비정질 중합체와의 혼합물로서 사용될 수 있다. 비정질 중합체는 방향족 폴리카보네이트 또는 비정질 폴리에스테르 등일 수 있으며, 그것들 중에서도 방향족 폴리카보네이트가 바람직하다. 첨가되는 비정질 중합체의 양은 바람직하게는 10 내지 90중량%이다.
본 발명의 다층 시트는 둘 이상의 층으로 이루어진다. 조성물 I로 만든 시트, 조성물 II로 만든 시트 또는 조성물 III으로 만든 시트의 두께는 모든 시트의 적어도 50% 이상인 것이 바람직하다. 보다 바람직한 것은 모든 시트가 조성물 I로 만든 시트, 조성물 II로 만든 시트 또는 조성물 III으로 만든 시트이고, 이들 적층된 시트가 동일한 재료이거나 상이한 재료로 되어 있을 수 있다.
만약 성분 (C)를 함유하지 않은 시트가 표면층으로서 사용된다면, 다층 시트는 바람직하게도 상기 시트가 투명성이 매우 우수하기 때문에 외관이 우수하다. 성분 (C)를 함유하는 시트는 그것의 엠보싱능이 매우 우수하기 때문에 카드로서 적당하다. 그러므로, 만약 성분 (C)를 함유하는 시트로서 조성물 III으로 만든 시트가 내부층으로서 사용되고 조성물 I 또는 II로 만든 시트가 표면층으로서 사용된다면, 다층 시트는 내열성 및 엠보싱능 두가지 면에서 모두 우수하다.
본 발명의 효과를 하기 실시예를 참고로 하여 더 설명한다.
실시예 1 내지 8
표 1에 나타낸 원료를 V 배합기를 사용하여 표 1에 나타낸 비율로 건식-배합하고, 이 배합물을 압출기에 넣은 후, T 다이로부터 방출하여 두께가 100㎛ 및 600㎛인 시트를 얻었다. 시트상 충전제를 예비혼련하여 마스터배치로서 공급하였다.
두께가 100㎛ 및 600㎛인 시트를 압축성형기안에 넣고, 1MPa의 압력에서 표 1에 나타낸 온도에서 10분동안 유지시켜 열 용융이 일어나도록 한 후, 접착도를 조사하였다. 표 1에서, 손으로 분리할 수 있는 라미네이트를 ｘ로 표시하였고, 손으로 분리할 수 없는 라미네이트를 ｏ로 표시하였다. 사용된 성분 (A)는 테레프탈산 성분, 에틸렌 글리콜 성분 및 1,4-시클로헥산디메탄올 성분으로 이루어졌으며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)는 약 70/30 으로 유지된 폴리에스테르(이스트만 케미칼사제 "Easter" GN071)이었다. 사용된 성분 (B)는 미츠비시 엔지니어링 플라스틱스(주)제 "Yupiron" S3000이었다. 사용된 성분 (C)는 후지 탈크 고교(주)제 Talc LMS-300(평균 입도 1.4 ㎛)이었다. 사용된 성분 (D)는 테레프탈산 성분, 에틸렌 글리콜 성분 및 1,4-시클로헥산디메탄올 성분으로 이루어졌으며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)는 약 35/65로 유지된 폴리에스테르(이스트만 케미칼사제 "Easter" DN003)였다.
2층 시트의 분산 방식을 투과형 전자 현미경으로 관찰하였고, 그 결과 관찰된 방식을 표 1에 나타낸다.
비교예 1 내지 4
2층 시트를 실시예 1, 2, 5 및 6에 기재된 바와 같이 제조하되, 단 성분 (A)로서 테레프탈산 성분, 에틸렌 글리콜 성분 및 1,4-시클로헥산디메탄올 성분으로 이루어졌으며, 에틸렌 글리콜 성분 (I) 대 1,4-시클로헥산디메탄올 성분 (II)의 몰비 (I)/(II)가 약 70/30으로 유지되는 폴리에스테르 대신에 폴리(1,4-시클로헥산디메탄올테레프탈레이트-코-이소프탈레이트)를 사용하였고, 실시예 1에서와 동일한 조건하에서 접착도를 조사하였다.
비교예 5
1mm 두께의 경질의 폴리염화비닐 시트(Takiron ESS8800A)를 압축성형기에 넣고, 230℃의 온도 및 1MPa의 압력에서 100㎛ 및 600㎛ 두께의 시트를 제조하였다.
100㎛ 및 600㎛ 두께의 시트를 압축성형기에 넣고, 120℃의 온도 및 1MPa의 압력에서 10분 동안 유지시켜 열 용융시켰다. 그런 다음 접착도를 조사하였다. 2층 시트는 용융되지 않았고, 따라서 분리될 수 있었다.
실시예 9 내지 13, 및 비교예 6 및 7
표 2에 나타낸 원료를 표 2에 나타낸 비율로 V 배합기를 사용하여 건식-배합하고, 이 배합물을 압출기에 넣은 후 270℃에서 펠릿화하여 열가소성 수지 조성물을 얻었다. 이 열가소성 수지 조성물을 230℃의 온도 및 1MPa의 압력에서 압축성형에 의하여 100mm×100mm×0.8mm 크기의 카드로 성형하였다.
이 카드로부터 85mm×54mm 크기의 견본을 잘라내어 열 새그 시험에 의하여 내열성을 평가하였다. 구체적으로, 20mm×54mm 크기의 한쪽 단부 영역을 105℃의 고온 공기 오븐안에서 수평으로 유지시킨 후, 60분이 지난 다음 견본의 선단에서 새그 거리를 측정하였다.
실시예 14 내지 18, 및 비교예 8 및 9
표 3에 나타낸 원료를 표 3에 나타낸 비율로 V 배합기를 사용하여 건식-배합하고, 이 배합물을 압출기에 넣은 후 270℃에서 펠릿화하여 열가소성 수지 조성물을 얻었다. 이 열가소성 수지 조성물을 230℃의 온도 및 1MPa의 압력에서 압축성형에 의하여 100mm×100mm×0.8mm 크기의 카드로 성형하였다.
이 카드로부터 85mm×54mm 크기의 견본을 잘라내어 열 새그 시험에 의하여내열성을 평가하였다. 구체적으로, 20mm×54mm 크기의 한쪽 단부 영역을 135℃의 고온 공기 오븐안에서 수평으로 유지시킨 후, 60분이 지난 다음 견본의 선단에서 새그 거리를 측정하였다.
실시예 19 내지 26, 및 비교예 10
표 4에 나타낸 원료를 표 4에 나타낸 비율로 V 배합기를 사용하여 건식-배합하고, 이 배합물을 압출기에 넣은 후 T 다이로부터 방출하여 100㎛ 및 300㎛ 두께의 시트를 얻었다.
100㎛ 및 300㎛ 두께의 시트를 100/300/300/100㎛의 순서("/"은 적층화를 나타낸다)로 겹쳐놓고, 이 라미네이트를 압축성형기에 넣어 120℃의 온도 및 1MPa 의 압력에서 10분 동안 유지시켜 열 용융시켰다. 실시예 19 내지 24에서는 동일한 종류의 시트를 적층시켰다. 실시예 25 및 26에서는 무기 시트상 충전제를 함유하고 있는 시트를 내부층으로서 사용하였고, 어떠한 무기 시트상 충전제도 함유하지 않은 시트를 표면층으로서 사용하였다.
4층 시트로부터 85mm×54mm×0.8mm 크기의 견본을 잘라내어 열 새그 시험에 의하여 내열성을 평가하였다. 구체적으로, 20mm×54mm 크기의 한쪽 단부 영역을 105℃의 고온 공기 오븐안에서 수평으로 유지시킨 후, 60분이 지난 다음 견본의 선단에서 새그 거리를 측정하였다.
실시예 27 내지 34, 및 비교예 11
표 5에 나타낸 원료를 표 5에 나타낸 비율로 V 배합기를 사용하여 건식-배합하고, 이 배합물을 압출기에 넣은 후, T 다이로부터 방출하여 100㎛ 및 300㎛ 두께의 시트를 얻었다.
100㎛ 및 300㎛ 두께의 시트를 100/300/300/100㎛의 순서("/"은 적층화를 나타낸다)로 겹쳐놓고, 이 라미네이트를 압축성형기에 넣어 145℃의 온도 및 1MPa의 압력에서 10분 동안 유지시켜 열 용융시켰다. 실시예 27 내지 32에서는 동일한 종류의 시트를 적층시켰다. 실시예 33 및 34에서는 무기 시트상 충전제를 함유하고 있는 시트를 내부층으로서 사용하였고, 어떠한 무기 시트상 충전제도 함유하지 않은 시트를 표면층으로서 사용하였다.
4층 시트로부터 85mm×54mm×0.8mm 크기의 견본을 잘라내어 열 새그 시험에 의하여 내열성을 평가하였다. 구체적으로, 20mm×54mm 크기의 한쪽 단부 영역을 135℃의 고온 공기 오븐안에서 수평으로 유지시킨 후, 60분이 지난 다음 견본의 선단에서 새그 거리를 측정하였다.
실시예 35 내지 39, 및 비교예 12 및 13
표 6에 나타낸 원료를 표 6에 나타낸 비율로 V 배합기를 사용하여 건식-배합하고, 이 배합물을 압출기에 넣은 후 270℃에서 펠릿화하여 열가소성 수지 조성물을 얻었다. 이 열가소성 수지 조성물을 사출 성형기에 넣고, 275℃의 처리온도 및 60℃의 성형온도에서 85mm×54mm×0.8mm 크기의 카드로 성형하였다.
견본의 20mm×54mm 크기의 한쪽 단부 영역을 105℃의 고온 공기 오븐안에서 수평으로 유지시킨 후, 60분이 지난 다음 견본의 선단에서 새그 거리를 측정하였다.
실시예 40 내지 44, 및 비교예 14 및 15
표 7에 나타낸 원료를 표 7에 나타낸 비율로 V 배합기를 사용하여 건식-배합하고, 이 배합물을 압출기에 넣은 후 270℃에서 펠릿화하여 열가소성 수지 조성물을 얻었다. 이 열가소성 수지 조성물을 사출 성형기에 넣고, 275℃의 처리온도 및60℃의 성형온도에서 85mm×54mm×0.8mm 크기의 카드로 성형하였다.
견본의 한쪽 단부 영역을 135℃의 고온 공기 오븐안에서 수평으로 유지시킨 후, 60분이 지난 다음 견본의 선단에서 새그 거리를 측정하였다.
실시예 45 내지 49, 및 비교예 16 내지 18
표 8에 나타낸 원료를 표 8에 나타낸 비율로 V 배합기를 사용하여 건식-배합하고, 이 배합물을 압출기에 넣은 후 T 다이로부터 방출하여 100㎛ 및 300㎛ 두께의 시트를 얻었다.
100㎛ 및 300㎛ 두께의 시트를 100/300/300/100㎛의 순서("/"은 적층화를 나타낸다)로 겹쳐놓고, 이 라미네이트를 압축성형기에 넣고 1MPa의 압력에서 10분동안 유지시켜 열 용융시킴으로써 85mm×54mm×0.8mm 크기의 카드를 얻었다.
카드를 수동 엠보서(닛폰 지켄샤사제 NE-1600)를 사용하여 엠보싱하고, 카드의 휨을 JIS X 6301에 따라 측정하였다.
실시예 45 및 46과 비교예 16 및 17에서는 카드를 250℃의 시트성형온도 및 120℃의 열용융온도에서 제조하였다. 비교에 18에서는 카드를 270℃의 시트성형온도 및 200℃의 열용융온도에서 제조하였다. 실시예 47 내지 49에서는 카드를 260℃의 시트성형온도 및 200℃의 열용융온도에서 제조하였다.
실시예 50 내지 54, 및 비교예 19 내지 21
표 9에 나타낸 원료를 표 9에 나타낸 비율로 V 배합기를 사용하여 건식-배합하고, 이 배합물을 용융-혼련하여 이축 압출기에 의해 펠릿화하여 수지 조성물을 얻었다. 이 조성물을 사출 성형기안에 넣고 JIS X 6301에 따라 카드를 성형하였다.
카드를 수동 엠보서(닛폰 지켄샤사제 NE-1600)를 사용하여 엠보싱하고, 카드의 휨을 JIS X 6301에 따라 측정하였다.
실시예 50 및 51과 비교예 19 및 20에서는 카드를 270℃의 처리온도 및 40℃의 성형온도에서 제조하였다. 비교에 21에서는 카드를 280℃의 처리온도 및 90℃의 성형온도에서 제조하였다. 실시예 52 내지 54에서는 카드를 275℃의 처리온도 및 60℃의 성형온도에서 제조하였다.
실시예 55 내지 58, 및 비교예 22 및 23
표 10에 나타낸 원료를 표 10에 나타낸 비율로 V 배합기를 사용하여 건식-배합하고, 이 배합물을 260℃로 고정되어 있는 압출기안에 넣고 T 다이로부터 방출하여 100㎛ 및 300㎛ 두께의 시트를 얻었다.
100㎛와 300㎛의 시트를 100/300/300/100㎛의 순서("/"은 적층화를 나타낸다)로 겹쳐놓고, 이 라미네이트를 압축성형기안에 넣은 후, 1MPa의 압력에서 10분 동안 유지시켜 열 용융시킴으로써 85mm×54mm×0.8mm의 카드를 얻었다.
카드를 수동 엠보서(닛폰 지켄샤사제 NE-1600)를 사용하여 엠보싱하고, 카드의 휨을 JIS X 6301에 따라 측정하였다.
실시예 55 및 56과 비교예 22 및 23에서는 카드를 250℃의 시트성형온도 및 120℃의 열용융온도에서 제조하였다. 실시예 57 및 58에서는 카드를 260℃의 시트 성형온도 및 200℃의 열용융온도에서 제조하였다.
비교예 23에서는 휨이 작았지만, 용융 혼련성은 낮았고, 시트의 방출 안정성도 불량하였다. 따라서 성형성은 현저하게 낮았다.
실시예 59 및 60, 및 비교예 24 및 25
표 11에 나타낸 원료를 표 11에 나타낸 비율로 V 배합기를 사용하여 건식-배합하고, 이 배합물을 260℃로 고정되어 있는 압출기안에 넣고 T 다이로부터 방출하여 100㎛ 및 300㎛ 두께의 시트를 얻었다.
실시예 59에서는 무기 시트상 충전제로서 카올린(하야시 가세이(주)제 연소 카올린 "Satintone" 5, 평균 입도 0.8㎛)을 사용하였다. 비교예 24에서는 무기 구상 충전제로서 실리카(닛폰 실리카 고교(주)제 "Nipseal" E150K)를 사용하였다. 비교예 25에서는 무기 침상 충전제로서 규회석(니코 미네랄스사제 "NYAD G")을 사용하였다.
100㎛와 300㎛의 시트를 100/300/300/100㎛의 순서("/"은 적층화를 나타낸다)로 겹쳐놓고, 이 라미네이트를 압축성형기안에 넣은 후, 200℃의 온도 및 1MPa의 압력에서 10분 동안 유지시킴으로써 JIS X 6301에 일치하는 카드를 얻었다.
카드를 수동 엠보서(닛폰 지켄샤사제 NE-1600)에 의하여 엠보싱하고, 카드의 휨을 JIS X 6301에 따라 측정하였다.
조 성 카드의 휨(mm)
A(중량부) B(중량부) C(중량부) D(중량부)
시트상 충전제(활석) 시트상 충전제(카올린) 구상 충전제(실리카) 침상 충전제(규회석)
실시예 45 100 - 11 - - - - 1.4
실시예 46 100 - - 11 - - - 1.5
실시예 47 25 50 11 - - - 25 1.6
실시예 48 25 50 - 11 - - 25 1.7
비교예 24 100 - - - 11 - - 2.0
비교예 25 100 - - - - 11 - 1.9
A:폴리(에틸렌-코-1,4-시클로헥산디메틸렌테레프탈레이트), 이스트만 케미칼사제 Easter GN071B:방향족 폴리카보네이트, 미츠비시 가스 케미칼(주)제 Yupiron S3000C:무기 시트상 충전제, 후지 탈크 고교(주)제 Talc LMS-300C:시트상 충전제(카올린), 하야시 가세이(주)제 연소 카올린 Satintone 5C:구상 충전제(실리카), 닛폰 실리카 고교(주)제 Nipseal E150KC:침상 충전제(규회석), 니코 미네랄스사제 NYAD GD:폴리(에틸렌-코-1,4-시클로헥산디메틸렌테레프탈레이트), 이스트만 케미칼사제 Easter DN003
실시예 61 내지 64, 및 비교예 26
표 12에 나타낸 원료를 표 12에 나타낸 비율로 V 배합기를 사용하여 건식-배합하고, 이 배합물을 260℃로 고정되어 있는 압출기안에 넣고 T 다이로부터 방출하여 100㎛ 및 300㎛ 두께의 시트를 얻었다.
실시예 61 및 63에서는 무기 시트상 충전제로서 평균 입도가 5.5㎛인 활석(후지 탈크 고교(주)제 PKP-80)을 사용하였다. 실시예 62 및 64 에서는 무기 시트상 충전제로서 평균 입도가 12.0㎛ 인 활석(후지 탈크 고교(주)제 NK48)을 사용하였다. 비교예 26에서는 무기 시트상 충전제로서 평균 입도가 24.5㎛ 인 활석(후지 탈크 고교(주)제 Supercut 15)을 사용하였다.
100㎛와 300㎛의 시트를 100/300/300/100㎛의 순서("/"은 적층화를 나타낸다)로 겹쳐놓고, 이 라미네이트를 압축성형기안에 넣은 후, 200℃의 온도 및 1MPa 의 압력에서 10분 동안 유지시켜 열 용융시킴으로써 JIS X 6301 에 일치하는 카드를 얻었다.
카드를 수동 엠보서(닛폰 지켄샤사제 NE-1600)에 의하여 엠보싱하고, 카드의 휨을 JIS X 6301 에 따라 측정하였다.
조 성 카드의 휨(mm)
A(중량부) B(중량부) C(중량부) D(중량부)
평균 입도 1.4㎛ 평균 입도 5.5㎛ 평균 입도 12㎛ 평균 입도 24.5㎛
실시예 45 100 - 11 - - - - 1.4
실시예 61 100 - - 11 - - - 1.1
실시예 62 100 - - - 11 - - 1.4
실시예 49 25 50 11 - - - 25 1.6
실시예 63 25 50 - 11 - - 25 1.3
실시예 64 25 50 - - 11 - 25 1.6
비교예 26 100 - - - - 11 - 1.9
A:폴리(에틸렌-코-1,4-시클로헥산디메틸렌테레프탈레이트), 이스트만 케미칼사제 Easter GN071B:방향족 폴리카보네이트, 미츠비시 가스 케미칼(주)제 Yupiron S3000C:후지 탈크 고교(주)제 Talc LMS-300C:후지 탈크 고교(주)제 Talc PKP-800C:후지 탈크 고교(주)제 Talc NK48C:후지 탈크 고교(주)제 Talc SC15D:폴리(에틸렌-코-1,4-시클로헥산디메틸렌테레프탈레이트), 이스트만 케미칼사제 Easter DN003
본 발명은 내열성, 가공성 및 엠보싱능 사이의 밸런스가 우수한 자기 카드 및 IC 카드와 같은 카드, 그러한 카드에 적당한 시트, 및 그러한 카드 및 시트용의 열가소성 수지 조성물을 제공한다.

Claims (24)

  1. 하기 성분 (A) 및 성분 (B)를 포함하는 열가소성 수지 조성물을 소재로 포함하는 카드.
    (상기 조성물중, 성분 (A)는 테레프탈산 단위를 포함하는 디카르복실산 단위와, 에틸렌 글리콜 단위(I) 및 1,4-시클로헥산디메탄올 단위(II)를 포함하는 글리콜 단위로 이루어지는 폴리에스테르로서, 또한, 에틸렌 글리콜 단위(I) 와 1,4-시클로헥산디메탄올 단위(II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상인 폴리에스테르,
    성분 (B)는 방향족 폴리카보네이트이다.)
  2. 제 1항에 있어서, 열가소성 수지 조성물이 하기 성분 (C)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 카드.
    (성분(C)는, 평균입경 0.5 ∼ 20 ㎛의 무기 시트상 충전제이다.)
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 성분(A)를 포함하는 연속상중에, 성분(B) 를 포함하는 상이 분산상으로서 존재하거나, 성분(A)를 포함하는 상, 성분(B)를 포함하는 상의 모두가 연속상으로서 존재하거나, 또는 성분(B)를 포함하는 연속상중에, 성분(A)를 포함하는 상이 분산상으로 존재하는 것을 특징으로 하는 카드.
  4. 제 2 항에 있어서, 열가소성 수지 조성물이 성분(A) 및 성분(B)의 합계 100중량부에 대해서, 성분(C) 2∼25중량부를 배합해서 이루어지는 조성물인 것을 특징으로 하는 카드.
  5. 제 2 항에 있어서, 무기 시트상 충전제가 활석인 것을 특징으로 하는 카드.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 카드가 전기적, 광학적 또는 자기적으로 판독가능 및 기입가능한 정보를 기록할 수 있는 기능을 갖고, 및/또는, 엠보싱 가공에 의해 정보를 기록할 수 있는 것을 특징으로 하는 카드.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 엠보싱 가공된 것을 특징으로 하는 카드.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 열가소성 수지 조성물을 사출성형해서 얻어지는 것을 특징으로 하는 카드.
  9. 하기 성분 (A) 및 (B)를 포함하는 열가소성 수지 조성물로 이루어지는 시트.
    (성분 (A) : 테레프탈산 단위를 포함하는 디카르복실산 단위와, 에틸렌 글리콜 단위 (I) 및 1,4-시클로헥산디메탄올 단위 (II)를 포함하는 글리콜 단위로 이루어지는 폴리에스테르로서, 또한, 에틸렌 글리콜 단위 (I) 와 1,4-시클로헥산디메탄올 단위 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상인 폴리에스테르;
    성분 (B) : 방향족 폴리카보네이트)
  10. 제 9 항에 있어서, 열가소성 수지 조성물이 하기 성분(C)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시트.
    (성분(C) : 평균입경 0.5∼20㎛의 무기 시트상 충전제)
  11. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 열가소성 수지 조성물중에 있어서, 성분(A) 를 포함하는 연속상중에, 성분(B)를 포함하는 상이 분산상으로서 존재하거나, 성분(A)를 포함하는 상, 성분(B)를 포함하는 상의 모두가 연속상으로서 존재하거나, 또는 성분(B)를 포함하는 연속상중에, 성분(A)를 포함하는 상이 분산상으로 존재하는 것을 특징으로 하는 시트.
  12. 제 10항에 있어서, 열가소성 수지 조성물이 성분(A) 및 성분(B)의 합계 100중량부에 대해서, 성분(C) 2∼25중량부를 배합해서 이루어지는 조성물인 것을 특징으로 하는 시트.
  13. 제 10항에 있어서, 무기 시트상 충전제가 활석인 것을 특징으로 하는 시트.
  14. 제 9항 또는 제 10항의 시트를 가공해서 얻어지는 카드.
  15. 하기 성분 (A) 및 (B)를 포함하는 열가소성 수지 조성물로 이루어지는 시트를 적어도 한층으로 하는 다층시트.
    (성분 (A) : 테레프탈산 단위를 포함하는 디카르복실산 단위와, 에틸렌 글리콜 단위 (I) 및 1,4-시클로헥산디메탄올 단위 (II)를 포함하는 글리콜 단위로 이루어지는 폴리에스테르로서, 또한, 에틸렌 글리콜 단위 (I) 와 1,4-시클로헥산디메탄올 단위 (II)의 몰비 (I)/(II)가 1 이상인 폴리에스테르,
    성분 (B) : 방향족 폴리카보네이트)
  16. 제 15 항에 있어서, 열가소성 수지 조성물이 하기 성분 (C)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층시트.
    (성분(C) : 평균입경 0.5 ∼ 20 ㎛의 무기 시트상 충전제)
  17. 제 15 항 또는 제 16항에 있어서, 열가소성 수지 조성물중에 있어서, 성분(A)를 포함하는 연속상중에, 성분(B)를 포함하는 상이 분산상으로서 존재하거나, 성분(A)를 포함하는 상, 성분(B)를 포함하는 상의 모두가 연속상으로서 존재하거나, 또는 성분(B)를 포함하는 연속상중에, 성분(A)를 포함하는 상이 분산상으로 존재하는 것을 특징으로 하는 다층시트.
  18. 제 15항에 있어서, 성분(A) 및 성분(B)를 배합해서 이루어지는 열가소성수지조성물로 이루어지는 시트가 표면층에 배치된 것을 특징으로 하는 다층시트.
  19. 제 16항에 있어서, 열가소성 수지 조성물이, 성분(A) 및 성분(B)의 합계 100중량부에 대해서, 성분(C) 2∼25중량부를 배합해서 이루어지는 조성물인 것을 특징으로 하는 다층시트.
  20. 제 16항에 있어서, 무기 시트상 충전제가 활석인 것을 특징으로 하는 다층시트.
  21. 제 16 항에 있어서, 성분(A), 성분(B) 및 성분(C)를 배합해서 이루어지는 열가소성 수지 조성물로 이루어지는 시트가 내층에 배치된 것을 특징으로 하는 다층시트.
  22. 제 16항에 있어서, 성분(A) 및 성분(B)를 배합해서 이루어지는 열가소성 수지 조성물로 이루어지는 시트가 표면층에 배치되고, 또한, 성분(A), 성분(B) 및 성분(C)를 배합해서 이루어지는 열가소성 수지 조성물로 이루어지는 시트가 내층에 배치된 것을 특징으로 하는 다층시트.
  23. 제 15항 또는 제 16항에 있어서, 엠보싱 가공되기 위한 시트인 것을 특징으로 하는 다층시트.
  24. 제 15항 또는 제 16항의 다층시트를 가공해서 얻어지는 카드.
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