KR20040032955A - 엘리베이티드 포어 상변화 메모리 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (30)
- 반도체 구조물에 베이스 콘택트를 형성하는 단계;상기 반도체 구조물을 층으로 덮는 단계;상기 층을 통하여 상기 콘택트로의 전기적 커넥션을 형성하는 단계; 및상변화 물질을 상기 층 위에 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 물질은 상기 콘택트에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체 구조물을 층으로 덮는 단계는 상기 구조물을 적어도 하나의 절연층으로 덮는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 절연층을 통하여 패시지를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 패시지를 통하여 전기적 커넥션을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제4항에 있어서, 전기적 커넥션을 형성하는 단계는 컵형상의 전기적 커넥션을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 컵형상의 전기적 커넥션을 절연체로 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 컵형상의 커넥션에 연결된 하부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 컵형상의 하부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 컵형상의 하부 전극에 측벽 스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제9항에 있어서, 상변화 물질을 형성하는 단계는 상기 스페이서 및 상기 절연층 위에 상변화 물질을 퇴적시키고 상기 하부 전극을 전기적으로 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 반도체 구조물;상기 반도체 구조물상에 형성된 베이스 콘택트;상기 반도체 구조물 위의 절연층;상기 절연층을 통하여 형성되고, 전기적 커넥션을 포함하는 패시지; 및상기 전기적 커넥션에 전기적으로 연결된 상변화 물질;을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제11항에 있어서, 상기 전기적 커넥션은 컵형상인 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제12항에 있어서, 하부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제13항에 있어서, 상기 하부 전극상의 측벽 스페이서를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제14항에 있어서, 상변화 물질은 상기 측벽 스페이서 위에 상기 하부 전극과 접촉하여 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제15항에 있어서, 상기 컵형상의 전기적 커넥션내 절연 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제16항에 있어서, 상기 하부 전극은 컵형상인 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제17항에 있어서, 상기 하부 전극은 상기 절연층의 상부면 아래로 오목하게들어간 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제18항에 있어서, 상기 상변화 물질 위의 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리.
- 반도체 구조물;상기 반도체 구조물 위에 이격되어 있는 상변화 물질; 및상기 상변화 물질을 상기 반도체 구조물에 전기적으로 연결하는 관상 커넥션;을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제20항에 있어서, 상기 반도체 구조물 위의 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제21항에 있어서, 상기 절연층을 통하여 형성된 패시지를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제22항에 있어서, 상기 패시지는 상기 관상 커넥션으로 라이닝되는 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제20항에 있어서, 상기 상변화 물질 및 상기 커넥션에 전기적으로 연결된 하부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제24항에 있어서, 상기 하부 전극은 관상인 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제20항에 있어서, 상기 커넥션은 컵형상인 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제26항에 있어서, 상기 하부 전극은 컵형상인 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제27항에 있어서, 상기 전극과 상기 상변화 물질의 사이 및 상기 전극 위의 측벽 스페이서를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제28항에 있어서, 상기 측벽 스페이서는 상기 패시지내에 위치결정되고 상기 측벽 스페이서는 원통형인 것을 특징으로 하는 메모리.
- 제29항에 있어서, 상기 상변화 물질 위의 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리.
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