KR20040029473A - 회로소자의 실장방법 및 가압장치 - Google Patents

회로소자의 실장방법 및 가압장치 Download PDF

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Abstract

기판(10) 상에 이방성(異方性) 도전막(14)과 회로소자(16)를 겹쳐 놓아 배치한다. 그리고, 회로소자에 접촉하는 면에 유연한 층(22)을 가지는 가압 몰드(pressing mold)에 의하여 등방(等方)가압하고, 동시에 가열을 행하여 회로소자를 기판 상에 압착한다. 복수의 회로소자의 두께의 차이를 유연한 층이 흡수하므로, 복수의 소자에 대하여 동시에 가압을 행할 수 있다. 또한, 복수의 회로소자에 동시에 가열함으로써, 한 개씩 가열하는 경우의, 가열 전 인접하는 회로소자에 대한 열 영향을 고려할 필요가 없어진다. 또한, 등방가압에 의하여, 이방성 도전막의 측방에의 밀려 나옴을 방지할 수 있다. 이로써, 회로소자의 간격을 좁힐 수 있다.

Description

회로소자의 실장방법 및 가압장치{Circuit device mounting method and press}
기판 상에 회로소자를 실장하는 방법으로서, 기판과 회로소자의 사이에 접착성이 있는 필름을 배치하고, 회로소자를 기판을 향하여 가압, 가열하여, 압착실장하는 방법이 알려져 있다. 상기 접착필름으로서 열경화성의 이방성(異方性) 도전막을 이용하는 경우가 있으며, 이 경우, 소자의 접착과 배선을 동시에 행할 수 있다. 그 공정을 설명하면, 우선, 기판 상의, 회로소자 탑재위치에 이방성 도전막을 올려놓고, 그 위에 회로소자를 놓는다. 이방성 도전막의 표면은 접착성을 가지고 있어서, 회로소자를 놓을 때에 약간 가압함으로써, 회로소자는 가(假)고정 또는 가(假)압착된다. 회로소자에는, 외부와 전기적인 접속을 행하기 위한 범프(bump)라고 불리우는 전극이 돌출하여 설치되어 있다. 소자를 올려 놓았을 때의, 기판 상의 상기 범프에 대향하는 위치에는, 배선이 위치하고 있다. 회로소자가 기판 상에 올려 놓아진 상태에서, 이것을 가압하면, 상기 범프와 배선은, 주위보다 돌출하고 있기 때문에, 이들 사이의 이방성 도전막이 보다 가압되어, 도통하는 상태가 된다. 이와같이 이방성 도전막은, 가압되고 압축하면 그 부분이 도통상태가 되는 성질을 가지는 막이다. 그리고, 가열에 의하여 이방성 도전막이 기판과 회로소자를 접착하여, 본(本)압착이 행하여진다.
본(本)압착할 때에 회로소자를 가압하는 것은, 가압대상이 되는 소자의 면과 거의 동일 선단의 면적을 가지는 가압봉이고, 이 가압봉에 발열체를 마련함으로써, 가열도 행하고 있다.
이와 같이, 종래의 장치에 있어서는, 경질의 가압봉 선단에서 가압을 행하고 있어서, 이방성 도전막 등의 접착필름의 두께가 균일하지 않은 경우 등 회로소자가 기울어져 놓여서, 전체적으로 같은 압력으로 가압할 수 없어서, 전기적인 접속에 불량이 발생하는 경우가 있다는 문제가 있었다.
또한, 가압에 의하여 접착필름이 측방에서 밀려 나오며, 이것을 고려하여 인접하는 회로소자끼리를 이격하여 배치할 필요가 있어서, 실장 밀도를 높일 수 없다는 문제가 있었다.
또한, 회로소자는, 종류에 따라 그 두께가 달라서, 이 두께에 의하여 가압봉의 스트로크가 변경된다. 따라서, 회로소자를 하나씩 가압, 가열을 행하지 않으면 안되어, 많은 공정이 소요된다는 문제가 있었다.
더욱이, 압착을 위하여 가열을 행하고 있을 때에, 인접하는 미(未)압착의 회로소자 및 이에 대응하는 접착필름에 열이 전해지는 것을 막기 위하여, 회로소자끼리를 이격하여 배치할 필요가 있어, 실장 밀도를 높일 수 없다는 문제가 있었다.
본 발명은, 집적회로칩 등의 회로소자를 기판 상에 실장(實裝)하는 방법 및, 회로소자의 실장에 적합한 가압장치에 관한 것이다.
도 1은, 본 실시예의 집적회로칩의 실장방법의 설명도이다.
도 2는, 집적회로칩 실장에 이용하는 가압장치의 개략 구성을 나타낸 도면이다.
도 3은, 각종 고무재료의 전열(傳熱) 특성을 나타낸 도면이다.
도 4는, 집적회로칩 실장에 있어서의 문제점의 하나를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는, 집적회로칩 실장에 있어서의 문제점의 하나를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은, 본 실시예의 실장방법의 특징을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은, 집적회로칩 실장에 이용하는 다른 가압장치의 개략 구성을 나타낸 도면이다.
본 발명은, 상술한 문제점을 고려하여 이루어진 것으로서, 회로소자의 실장 밀도를 향상시키는 것을 하나의 목적으로 하고, 또한 실장에 소요되는 공정을 단축하는 것을 다른 목적으로 한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 관련되는 회로소자의 실장방법은, 기판 상에 접착필름과 적어도 하나의 회로소자를 겹쳐 놓아 배치하고, 이 회로소자에 접촉하는 면에 유연한 층을 가지는 가압 몰드(pressing mold)에 의하여, 상기 회로소자를 기판에 대하여 가압하여 기판 상에 압착한다.
유연한 층을 통하여 압력을 가함으로써, 회로소자에 대하여 균등한 압력을 가할 수 있고, 보다 확실하게 접합할 수 있다. 또한, 복수의 회로소자에 두께의 차이가 있었다 하더라도, 이 차이를 유연한 층이 흡수하므로, 복수의 소자에 대하여 동시에 가압을 행할 수 있다.
더욱이, 접착필름을 열경화성 수지필름으로 한 경우, 상기 가압과 동시에 가압 몰드에 의해서 가열을 행하여, 수지를 경화시켜서 접착을 행하도록 할 수 있다. 상술한 바와 같이 복수의 회로소자를 동시에 가압, 가열할 수 있으므로, 인접하는 미(未)가열의 회로소자 및 접착시트에 대한 열 영향을 고려할 필요가 없어진다. 이로써, 소자간격을 채운 배치로 할 수 있어서, 실장 밀도를 높일 수 있다.
상기 유연한 층은, 겹쳐 놓아져서 일체가 되어 있는 접착필름과 회로소자의, 가압 몰드에 대향하는 면 및 측면에 밀착하여 주위 전체에서 가압하는 등방(等方)가압을 행하도록, 그 유연함, 두께 등이 설정되어 있는 것이 바람직하다. 등방가압을 행함으로써, 이방성 도전막의 측방에서의 밀려 나옴을 방지할 수 있다. 이로써,집적회로칩의 간격을 채운 배치를 할 수 있어서, 실장 밀도를 높일 수 있다.
또한, 유연한 층은, 유연성을 가지는 기재에, 이 기재에 첨가함으로써 해당 유연층의 열전도성이 향상하는 물질이 혼합되어 있는 것으로 할 수 있다. 예컨대, 유연한 층은, 유연층의 기재는 고무로 하고, 이것에 미세 입자 또는 미세 섬유의 탄소를 혼합한 것으로 할 수 있다.
유연한 층의 열전도성이 개선되면, 접착필름의 가열이 단시간에 행하여져서, 공정의 단축을 도모할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를, 도면을 따라서 설명한다. 도 1은, 본 실시예의 집적회로칩 등의 회로소자의 실장방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 1의 (a)에 나타낸 바와 같이, 기판(10)의 표면에는, 소정의 패턴으로, 배선(12)이 형성되어 있다. 기판(10) 상에, 접착용 및 배선용으로서의 열경화성의 이방성(異方性) 도전막(14)과 회로소자(16)를 소정위치에 배치한다. 회로소자(16)의 기판(10)에 대향하는 면(도면에 있어서 하면)에는, 전기적인 접점이 되기 범프(bump; 18)라고 불리우는 융기(隆起)가 마련되어 있다. 배선(12)과 범프(18)는, 이방성 도전막(14)을 사이에 두고 대향하는 위치에 있다. 환언하면, 회로소자(16)의 실장위치에 기하여 배선(12)을 설치하는 위치가 결정되어 있다.
다음으로, 도 1의 (b)에 나타낸 바와 같이, 가압 몰드(pressing mold)의, 회로소자(16) 등에 접촉하는 부분에 마련된 유연층(22)을, 회로소자(16)의 표면에 접촉시킨다. 그리고, 가압 몰드를 더욱 스트로크시켜서, 유연층(22)을 도면 중 화살표로 나타낸 바와 같이, 회로소자(16)나 이방성 도전막(14)의 측방으로 회전시켜 넣는다.
도 1의 (c)에 나타낸 바와 같이, 가압대상이 되는 회로소자(16) 및 이방성 도전막(14)을 일체로, 그 주위, 도면에 있어서는 상방 및 측방에서 가압하는, 이른바 등방가압을 행한다. 상술한 바와 같이 배선(12) 및 범프(18)는, 각각 배치된 면보다 융기되어 있어서, 가압됨으로써, 이들 배선(12), 범프(18)로 끼워진 이방성 도전막(14)의 부분이 보다 압축되어, 이 압축된 부분이 도전성을 가지게 되어, 배선(12)과 범프(18)의 사이가 도통상태가 된다. 또한, 가압 몰드에는, 히터(54,84)(도 2 참조)가 구비되어, 이로부터의 열에 의하여 이방성 도전막(14)이 경화하여, 회로소자(16)가 압착된다.
도 2는, 집적회로칩의 압착을 행하는 가압장치의 개략 구성을 나타낸 도면이다. 본 장치는, 상측 몰드(上型)(30), 하측 몰드(下型)(32) 및 사이드 몰드(34)에 의하여, 가압대상이 되는 기판(10), 회로소자(16) 등이 그 속에 올려 놓아지는 캐버티(36)를 형성하고 있다. 상측 몰드(30)를 하측 몰드(32)를 향하여 이동함으로써, 캐버티(36) 내의 가압대상에 압력을 부여한다. 즉, 상측 몰드(30)와 하측 몰드(32)로 기판(10) 및 그것에 겹쳐서 올려 놓아진 이방성 도전막(14), 회로소자(16)를 사이에 끼워서, 가압한다.
상측 몰드(30)는, 도시하지 않은 유체압 피스톤에 결합되는 상측 몰드 본체(46)를 포함하고, 상측 몰드 본체(46)의 선단에는, 더욱 가열판(48) 및 가압패드(50)가 고정되어 있다. 가열판(48)은, 구멍이 있는 볼트(52)에 의하여 상측 몰드 본체(46)에 고정되어 있다. 또한, 그 내부에는, 히터(54)가 마련되어 있다. 히터(54)의 가열에 의하여 가열판(48)의 온도가 상승하고, 이것이 가압패드(50)를 통하여, 가압대상물에 전달된다.
가압패드(50)는, 서로 접착 고정되어 있는 배판(背板)(56) 및 고무판(58)을 포함하는 다층구조를 가진다. 배판(56)에는, 행잉핀(hanging pin; 62)이 나사결합하고 있으며, 행잉핀(62)은, 상측 몰드 본체(46)에 형성된 홀(hole; 64)에 삽입되어, 측방으로부터의 볼트(66)에 의하여 고정되어 있다. 배판(56) 측면의 사이드 몰드(34)에 접하는 부분에는, 캐버티(36) 내를 감압하기 위하여, 몰드(型)끼리의 실링(sealing)을 행하기 위한 오링(O-ring; 63)이 배치되어 있다. 고무판(58)은, 도 1에 나타낸 유연층(22)에 대응하며, 회로소자(16)나 이방성 도전막(14)을 주위에서 가압할 수 있을 만한 유연성을 가지고 있다. 또한, 고무판(58)은, 그 탄성에 의하여, 회로소자 압착후, 가압상태로부터 개방되면, 도시하는 바와 같은 평판형상으로 되돌아가서, 다음 번의 가압도 마찬가지로 행할 수 있다.
고무판(58)은, 기판(10) 상에 올려 놓아진 회로소자(16)의 상면이 기판에 대하여 평행이 아닌 경우 등, 이 울퉁불퉁함(deflection)을 흡수하여 전체적으로 균일한 가압을 행하기 위하여 기능한다. 예컨대, 회로소자(16)의 상면이, 상측 몰드(30)의 선단면과 평행하지 않은 경우, 고무판(58)이 없이, 상측 몰드(30)가 단단하게 형성되어 있으면, 회로소자(16)의 가장 높은 부분에 큰 압력이 가해지게 된다. 고무판(58)을 설치함으로써, 회로소자(16)의 기울어짐을 흡수할 수 있다. 즉, 고무판(58)은, 회로소자(16)의 기울어짐을 흡수할 수 있을 정도로 유연한 층으로서 기능한다. 따라서, 이 유연한 층은, 요구되는 유연성을 가지는 것이면, 고무 대신에, 다른 재료로 구성할 수 있다. 본 실시예에서는, 특히, 내열성을 고려하여 실리콘 고무에 의하여 고무판(58)을 형성하고 있지만, 다른 종류의 고무, 및 상술한 바와 같이 다른 재료를 이용하는 것도 가능하다.
고무판(58)의 배판(56)에 접하는 면의 둘레에는, 백업링(backup ring; 68)이 배치된다. 백업링(68)은, 고무판(58)의 둘레에 형성된 환상(環狀)의 견부(肩部)를 메우는 듯한 형상을 가진다. 백업링의 외주면은, 사이드 몰드(34)의 내측면에 접촉한다. 이로써, 고무판(58)이 압력에 의하여 몰드(型)끼리의 간극으로부터 빠져나오는 것을 저지하고 있다. 또한, 고무판(58)의 둘레 부분을 움푹 패이게 하여 견부를 형성하고, 이 견부를 메우도록 백업링(68)을 배치함으로써, 압력이 가해진 고무판(58) 자체가, 백업링(68)의 배후로부터, 이것을 사이드 몰드(34)의 방향으로 밀어내는 힘을 가하게 된다. 이로써, 더욱 강고하게 실링할 수 있다.
사이드 몰드(34)는, 4개의 유체압 실린더(72)를 통하여 상측 몰드(30)에 매달려 지지되어 있다. 사이드 몰드(34)는, 가압패드(50) 및 캐버티(36)의 측방을 둘러싸는 듯한 환(環)형상을 가지고 있다. 유체압 실린더(72)는, 가압성형시에 있어서, 사이드 몰드(34)를 하측 몰드(32)를 향하여 밀어서, 이들을 밀착시킨다. 이때, 유체압 실린더(72)는, 반작용으로서 상측 몰드(30)를 밀어올리려고 하지만, 상측 몰드(30)를 하방으로 미는 프레스(press)력은, 유체압 실린더(72)의 힘에 대비하여 충분히 커서, 프레스력이 실질적으로 감소하지는 않는다. 사이드 몰드(34)의 내부에는, 가스 등을 캐버티(36) 밖으로 배출하기 위한 배기공(exhaust hole; 74)이 형성되어 있다. 사이드 몰드(34)의 외주를 따라서, 환형상의 실링 프레임(seal frame; 76)이 고정되어 있다. 이 실링 프레임(76)은, 접촉편(abutment piece; 79)과 함께, 캐버티(36)를 포함하는, 몰드에 의해서 대략 포위되는 공간을 외부에서 실링하는 실링구조를 형성한다.
하측 몰드(32)는, 기판(10)이 올려 놓아지는 하측 몰드 본체(78)를 가지며, 하측 몰드 본체(78)는 테이블(80) 위에 고정된 가열판(82) 위에 올려 놓아진다. 가열판(82)의 내부에는, 히터(84)가 구비되어 있어, 히터(84)가 발생하는 열이, 가열판(82)과 하측 몰드 본체(78)를 통하여 기판(10) 및 이방성 도전막(14)에 전달된다. 하측 몰드 본체(78)의 측방에는, 실링 프레임(76)의 내측면에 접촉하는 환상의 접촉편(79)이 고정되어 있다.
하측 몰드 본체(78)의 4 모퉁이에는 하측을 향하여 다리부(脚部)(86)가 형성되어 있다. 하측 몰드 본체(78)와 다리부(86) 전체적으로, 테이블(80)의 가열판(82)을 덮어 씌우는 형상으로 되어 있다. 다리부(86)에는, 테이블(80) 위에 형성된 레일(88)의 상면에 접촉하여, 하측 몰드(32)의 도 2에 있어서의 상하위치를 규정하는 상하롤러(90)가 회전운동 가능하게 지지되어 있다. 더욱이, 다리부(86)에는, 레일(88)의 측면에 접촉하여, 하측 몰드(32)의 도 2에 있어서의 좌우위치를 규정하는 좌우롤러(92)가 회전운동 가능하게 지지되어 있다.
상술한 바와 같이, 상측 몰드(30)에 구비된 가열판(48)으로부터의 열은 고무판(58)을 통하여, 가열대상물에 전달된다. 고무는, 일반적으로 말하면 전열성이 비교적 나쁜 재료이며, 고무판(58) 부분이 가열판(48)으로부터의 전열의 저해가 될 가능성이 있다. 본 실시예에 있어서는, 고무판(58)의 재질로서, 다음에 서술하는 바와 같이, 보다 양호하게 전열을 행하는 재료를 이용하고 있다.
도 3은, 일반적인 고무재료와, 본 장치에 이용하는 고무재료의 전열 특성을 비교한 도면이다. 이 도면은, 가는 실선 A로 나타낸 바와 같이 온도 변화하는 테이블 위에, 유연성을 가지는 재료로서, 몇 가지 다른 고무재료를 올려 놓고, 이들 고무재료마다의 상면의 온도변화를 나타내고 있다. 굵은 파선 B는, 일반적인 고무재료인 실리콘 고무의 온도변화를 나타내고 있다. 굵은 실선 C는, 상기 실리콘 고무에, 탄소의 미세 입자 또는 미세 섬유로서 중량비로 30％의 탄소 위스커를 혼입한고무재료의 온도변화를, 또한, 굵은 일점쇄선 D는, 탄소 위스커의 혼입율을 15％로 한 고무재료의 온도변화를 나타내고 있다. 혼입한 탄소 위스커는, 직경 수십∼수백㎚, 평균 약 200㎚로서, 길이와 직경의 비(l/d)가 약 100인 것이다.
도시되는 바와 같이, 탄소 위스커가 혼입되어 있지 않은 실리콘 고무에 대하여, 15％, 30％의 혼입율 중 어느 쪽의 재료도, 어떤 온도에 도달하는 시간이 절반 이하로 되어 있어서, 전열성의 개선이 이루어져 있는 것을 알 수 있다. 따라서, 예컨대, 회로소자의 실장에 있어서, 이방성 도전막의 경화에 요하는 시간을 단시간으로 할 수 있어서, 생산성의 향상을 도모할 수 있다.
본 실시예의 압착 방법에 의하면, 일체로 올려 놓아진 회로소자(16)와 이방성 도전막(14)의 주위에서 가압을 행하므로, 이방성 도전막(14)이 주위에 밀려 나오는 양을 억제할 수 있다. 예컨대, 도 4에 나타낸 바와 같이, 회로소자(16)의 상면에서만 가압봉(24)으로 가압하는 경우, 이방성 도전막(14)이 주위에 밀려 나온다. 이 밀려 나오는 양을 고려하여, 인접하는 회로소자(16) 등의 실장부품의 간격(d)을 벌려 놓을 필요가 있어서, 종래, 이것이 하나의 제약이 되어서 실장 밀도를 높일 수 없었다. 본 실시예에 의하면, 이방성 도전막(14)의 밀려 나옴을 억제할 수 있으므로, 실장부품 간(間)의 간격을 좁힐 수 있어서, 실장 밀도를 높일 수 있다.
또한, 두께가 다른 복수의 회로소자를 동시에 가압할 수 있다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 종래는, 두께가 다른 회로소자(16-1, 16-2)를 압착하는 경우, 딱딱한 가압 몰드로 가압하면, 소자마다 압력이 달라져 버리기 때문에, 소자 하나하나를 차례로 가압, 가열할 필요가 있었다. 그러나, 본 실시예에 의하면, 도 6에 나타낸 바와 같이, 가압 몰드가 유연한 층(22)을 가지고 있으므로, 회로소자의 두께에 따른 단차를 흡수할 수 있어서, 거의 같은 압력으로 압착을 행할 수 있다. 이로써, 실장의 공정수를 크게 삭감할 수 있다.
또한, 복수의 회로소자(16)를 하나하나 가열하여 압착하는 경우, 압착 중인 회로소자 근방의 미압착의 회로소자 및 이방성 도전막(14)에, 압착을 위한 열이 전해져 버려서, 압착 전에 이방성 도전막(14)이 경화하여 버리는 경우가 있었다. 이것을 방지하기 위하여, 종래는, 열의 영향이 인접하는 회로소자 등에 미치지 않도록, 회로소자 간의 간격을 벌려 놓을 필요가 있어서, 이것이 하나의 제약이 되어서, 실장 밀도를 높일 수 없었다. 본 실시예에 있어서는, 복수의 회로소자(16)를 동시에 가열 압착할 수 있으므로, 이 면에서도 실장 밀도의 향상에 기여한다.
또한, 상술한 바와 같이 가압 몰드의 유연층으로서 전열성이 양호한 고무재료를 이용하고 있으므로, 회로소자의 압착과정 등, 가압과정에 있어서 보다 빠른 온도의 상승, 하강이 요구되는 경우, 유연성 재료의 열전도성이 좋다고 하는 본 장치의 특징이 유효하게 기능한다.
도 7은, 본 실시예에 관련되는 가압장치의 다른 예의 개략 구성을 나타낸 도면이다. 이 가압장치는, 기판(100)의 표리에 회로소자(102)를 실장하는 경우에 적합한 장치이다. 기판(100)을 사이에 끼운 상측과 하측의 구성은, 거의 기판에 대하여 대칭이며, 이하에 있어서는, 상측, 하측에 있어서 동일한 구성요소에는, 동일한 부호를 사용하고, 특히, 이들 구별이 필요한 경우에 있어서는, 각각 부호에 A, B를붙여서 설명한다.
본 장치는, 기판(100) 및 회로소자(102)를 사이에 끼워서, 가압하는 가압 몰드(104)와, 가압 몰드(104)의 측방을 둘러싸도록 위치하고, 또한 기판(100)의 단부(端部)를 지지하는 사이드 몰드(106)를 가진다. 가압 몰드(104)는, 도시하지 않은 유체압 피스톤에 결합되는 가압 몰드 본체(108)를 포함하고, 가압 몰드 본체(108)의 선단에는, 더욱 가열판(110) 및 가압패드(112)가 고정되어 있다. 가열판(110)은, 구멍이 있는 볼트에 의하여 가압 몰드 본체(108)에 고정되어 있다. 또한, 그 내부에는, 히터(114)가 마련되어 있다. 히터(114)의 가열에 의하여 가열판(110)의 온도가 상승하고, 이것이 가압패드(112)를 통하여, 가압대상물에 전달된다.
가압패드(112)는 유연성 및 탄성을 가지는 고무판으로 구성되고, 가열판(110)에 접착 고정되어 있다. 가압 몰드 본체(108) 측면의, 사이드 몰드(106)에 접하는 부분에는, 상하 가압 몰드(104) 및 사이드 몰드(106)에 의하여 둘러싸여 형성되는 캐버티를 감압하기 위하여, 몰드끼리의 실링을 행하기 위한 오링(116)이 배치되어 있다.
가압패드(112)는, 기판(100) 상에 올려 놓아진 회로소자(102)의, 해당 패드가 접촉하는 면이 기판에 대하여 평행하지 않은 경우, 또한 복수의 회로소자(102)의 두께가 고르지 않은 경우 등, 이들의 울퉁불퉁함을 흡수하여 전체적으로 균일한 가압을 행하기 위하여 기능한다. 즉, 가압패드(112)는, 회로소자(102)의 기울어짐, 소자끼리 두께가 고르지 않음을 흡수할 수 있을 정도로 유연한 층, 즉 도 1에 나타낸 유연층(22)으로서 기능한다. 이 유연한 층은, 요구되는 유연성을 가지는 것이면, 고무 대신에, 다른 유연성 재료로 구성할 수 있다. 본 실시예에서는, 특히, 내열성을 고려하여 실리콘 고무에 의하여 구성하고 있다. 또한, 상술한 탄소 위스커를 중량비로 15∼30％정도 혼입한 실리콘 고무를 이용할 수도 있다.
사이드 몰드(106)는, 4개의 지지구조(118)에 의하여 가압 몰드(104)로부터 매달려 지지되어 있다. 지지구조(118)는, 선단에 스토퍼(120)를 가지며, 사이드 몰드(106)를 도면 중 상하방향으로 안내하는 가이드 로드(122)와, 사이드 몰드(106)가 스토퍼(120)에 접촉하도록, 이것을 가세하는 스프링(124)을 가진다. 또한, 상측의 사이드 몰드(106) 내에는, 몰드에 둘러싸인 공간(캐버티)으로부터 가스를 빼기 위한 배기공(126)이 마련되어 있다. 또한, 상하 가압 몰드(104A, 104B)의 이동을 안내하기 위하여, 상측의 가압 몰드 본체(108A)에는 가이드 로드(128)가, 하측의 가압 몰드 본체(108B)에는 상기 가이드 로드(128)가 삽입되는 가이드 실린더(130)가 마련되어 있다.
회로소자(102)의 실장을 행하기 위해서는, 상술한 기판의 한쪽 면에만 실장을 행하는 것과 마찬가지로, 기판(100) 위에 이방성 도전막과 회로소자를 겹쳐서 배치한다. 기판(100) 상면에 이방성 도전막을 올려 놓고, 여기에다 겹쳐서 회로소자를 놓는다. 이때, 회로소자를 가볍게 가압하여 이방성 도전막에 밀어붙여서, 가(假)압착을 행한다. 기판(100)을 뒤집어서, 마찬가지로 하여, 또 한쪽의 면에도 회로소자를 가압착한다. 먼저 기판 위에 올려 놓아진 회로소자에 대해서는, 가압착되어 있으므로, 기판을 뒤집어도 탈락하지는 않는다.
이 기판(100)을 하측의 사이드 몰드(106B) 내측의 둘레 부근에 마련된 견부(132)에 맞춰서 올려 놓는다. 그리고, 상하의 가압 몰드(104A, 104B)를 접근시키는 방향으로 이동시킨다. 먼저, 상하의 사이드 몰드(106A, 106B)가 접촉한다. 더욱 가압 몰드(104A, 104B)가 접근하면, 사이드 몰드(106A, 106B)는, 상대적으로 가이드 로드(122) 위를 이동하여, 가압 몰드에 의한 가압이 방해되지 않도록 한다. 그리고, 유연성을 가지는 가압패드(112)에 의하여, 기판(100), 회로소자(102)를 사이에 끼워서 가압한다. 또한, 동시에 히터(114)에 의하여 가열하여, 상술한 이방성 도전막을 경화시켜서, 회로소자(102)가 실장된다.
본 장치에 의하면, 동시에 표리에 회로소자를 실장할 수 있어서, 실장에 필요한 공정수를 삭감할 수 있다. 또한, 상술한 기판의 1면에만 실장하는 경우와 마찬가지로, 이방성 도전막의 밀려 나옴, 또한 미압착의 것에 대한 열영향을 방지하고, 이로써 실장 밀도를 향상할 수 있다.
이상의 각 실시예에 있어서, 이방성 도전막을 이용하여 회로소자와 기판 상의 배선의 전기적인 접속, 및 회로소자의 기판에의 접착을 행하였지만, 단순히 접착만 행하는 경우에 있어서는, 이방성 도전막 대신에 도전 기능을 가지지 않는 접착용 필름을 이용할 수 있다. 예컨대, 열경화성 수지필름 등을 이용하여, 가열과 가압에 의하여 회로소자의 실장을 행할 수 있다.

Claims (17)

  1. 회로소자를 기판 상에 실장하는 방법으로서,
    기판 상에 접착필름과, 이에 겹쳐서 적어도 하나의 회로소자를 배치하는 공정과,
    상기 회로소자를, 이 소자에 접촉하는 면에 유연성이 있는 유연층을 가지는 적어도 하나의 가압 몰드(pressing mold)에 의하여, 상기 기판에 대하여 가압하여, 기판 상에 압착하는 공정을 가지는 회로소자의 실장방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착필름은, 열경화성 수지필름이고,
    상기 회로소자를 기판 상에 압착하는 공정에 있어서, 가압과 동시에 가열을 행하여 압착하는 것을 특징으로 하는 회로소자의 실장방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 접착필름은, 이방성(異方性) 도전막인 것을 특징으로 하는 회로소자의 실장방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회로소자를 기판 상에 압착하는 공정은, 상기 유연층이, 일체가 된 회로소자와 접착필름의, 상기 가압 몰드에 대향하는 면 및 측면 전체에 밀착하여 등방(等方)가압을 행하는 것을 특징으로 하는 회로소자의 실장방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회로소자를 기판 상에 압착하는 공정은, 복수의 회로소자를 동시에 압착하는 것인 것을 특징으로 하는 회로소자의 실장방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회로소자를 배치하는 공정은, 기판의 표리 양면에 회로소자를 배치하는 것이고,
    상기 회로소자를 압착하는 공정은, 기판의 표리 양면의 각각에 대향하여, 유연층을 가지는 가압 몰드를 구비하여, 이들 가압 몰드에 의하여 상기 회로소자와 함께 기판을 사이에 끼워서 압착을 행하는 것인 것을 특징으로 하는 회로소자의 실장방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유연층은, 유연성을 가지는 기재(基材)에, 이 기재에 첨가함으로써 해당 유연층의 열전도성이 향상하는 물질이 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 회로소자의 실장방법.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유연층은, 유연한 고무로 만들어진 기재에, 미세 입자 또는 미세 섬유의 탄소가 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 회로소자의 실장방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기재에 혼합되는 탄소는 탄소 위스커(whisker)인 것을 특징으로 하는 회로소자의 실장방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 유연층의 탄소 위스커의 함유율은, 중량비로 15∼30％인 것을 특징으로 하는 회로소자의 실장방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 탄소 위스커는, 직경 10∼1000㎚, 길이와 직경의 비가 100정도의 것인 것을 특징으로 하는 회로소자의 실장방법.
  12. 복수의 가압 몰드로 피(被)가압물을 사이에 끼워서, 가압하고, 동시에 가열을 행하는 가압장치로서,
    적어도 하나의 가압 몰드는, 그 피가압물에 대향하는 부분에, 유연성을 가지는 유연층을 포함하는 가압패드를 가지고,
    상기 유연층은, 유연성을 가지는 기재(基材)에, 이 기재에 첨가함으로써 이 유연층의 열전도성이 향상하는 물질이 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 가압장치.
  13. 복수의 가압 몰드로 피가압물을 사이에 끼워서, 가압하고, 동시에 가열을 행하는 가압장치로서,
    적어도 하나의 가압 몰드는, 그 피가압물에 대향하는 부분에, 유연한 고무로 만들어진 유연층을 포함하는 가압패드를 가지고,
    상기 유연층의 고무는, 미세 입자 또는 미세 섬유의 탄소가 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 가압장치.
  14. 제13항에 있어서,
    기판 상에 회로소자를 실장할 때에, 상기 기판과 상기 회로소자의 사이에 끼워져 배치되는 접착필름에 대하여, 가압을 행하는 것인 것을 특징으로 하는 가압장치.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 혼합되어 있는 탄소는, 탄소 위스커인 것을 특징으로 하는 가압장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 유연층 고무의 탄소 위스커 함유율은, 중량비로 15∼30％인 것을 특징으로 하는 가압장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 탄소 위스커는, 직경 10∼1000㎚, 길이와 직경의 비가 100정도의 것인 것을 특징으로 하는 가압장치.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200450443Y1 (ko) * 2008-05-15 2010-10-04 김성식 마사지장치
US8011407B2 (en) 2006-01-13 2011-09-06 Sony Corporation Compression bonding device
KR101651272B1 (ko) * 2015-09-30 2016-08-26 (주)플렉스컴 이방성 접착제를 이용하여 접속영역의 스트레스가 완화되는 연성 패키지
KR101716882B1 (ko) * 2015-09-08 2017-03-15 (주)플렉스컴 접속 영역의 스트레스가 분산되는 연성 패키지, 및 그 제조 방법

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3921459B2 (ja) * 2003-07-11 2007-05-30 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 電気部品の実装方法及び実装装置
US20060003548A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Kobrinsky Mauro J Highly compliant plate for wafer bonding
DE602006021540D1 (de) * 2005-01-22 2011-06-09 Blentech Corp Halbkontinuierliches fleischpressverfahren
US7989958B2 (en) 2005-06-14 2011-08-02 Cufer Assett Ltd. L.L.C. Patterned contact
US7781886B2 (en) 2005-06-14 2010-08-24 John Trezza Electronic chip contact structure
US7786592B2 (en) 2005-06-14 2010-08-31 John Trezza Chip capacitive coupling
US7838997B2 (en) 2005-06-14 2010-11-23 John Trezza Remote chip attachment
US7687400B2 (en) 2005-06-14 2010-03-30 John Trezza Side stacking apparatus and method
US7560813B2 (en) 2005-06-14 2009-07-14 John Trezza Chip-based thermo-stack
US7767493B2 (en) 2005-06-14 2010-08-03 John Trezza Post & penetration interconnection
US7851348B2 (en) 2005-06-14 2010-12-14 Abhay Misra Routingless chip architecture
US8456015B2 (en) 2005-06-14 2013-06-04 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Triaxial through-chip connection
JP4996859B2 (ja) * 2006-02-10 2012-08-08 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 圧着装置
US7687397B2 (en) 2006-06-06 2010-03-30 John Trezza Front-end processed wafer having through-chip connections
US20070284050A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Illinois Tool Works Inc. Method and apparatus for hermetically sealing a zipper into a reclosable package
EP2063465A4 (en) * 2006-09-15 2012-08-08 Lintec Corp PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR CONSTRUCTION ELEMENT
US7670874B2 (en) 2007-02-16 2010-03-02 John Trezza Plated pillar package formation
JP2009141269A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Sony Chemical & Information Device Corp 電気部品の実装方法及び実装装置
US8163599B2 (en) * 2008-04-18 2012-04-24 Panasonic Corporation Flip-chip mounting method, flip-chip mounting apparatus and tool protection sheet used in flip-chip mounting apparatus
US7473618B1 (en) 2008-04-22 2009-01-06 International Business Machines Corporation Temporary structure to reduce stress and warpage in a flip chip organic package
WO2010109718A1 (ja) * 2009-03-26 2010-09-30 シャープ株式会社 チップ部品実装構造、チップ部品実装方法および液晶表示装置
US8188597B2 (en) 2010-09-22 2012-05-29 International Business Machines Corporation Fixture to constrain laminate and method of assembly
US8912045B2 (en) * 2012-06-12 2014-12-16 International Business Machines Corporation Three dimensional flip chip system and method
DE102013003527A1 (de) * 2013-03-04 2014-09-04 Danfoss Silicon Power Gmbh Vorrichtung zum Niedertemperatur-Drucksintern, Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern und leistungselektronische Baugruppe
CN103929896A (zh) * 2014-05-07 2014-07-16 上海美维科技有限公司 一种内埋芯片的印制电路板制造方法
DE102015120156B4 (de) * 2015-11-20 2019-07-04 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur materialschlüssigen Verbindung von Verbindungspartnern eines Leistungselekronik-Bauteils und Verwendung einer solchen Vorrichtung
JP6181807B1 (ja) 2016-04-27 2017-08-16 日機装株式会社 加圧装置および加圧方法
KR20210031558A (ko) * 2019-09-11 2021-03-22 삼성디스플레이 주식회사 본딩 장치
CN113068322B (zh) * 2021-02-11 2022-04-12 达翔技术（恩施）有限公司 一种柔性电路板接线方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1376132A (en) * 1971-02-09 1974-12-04 Clarks Ltd Manufacture of articles from leather and plastics sheet materials
DE3372252D1 (en) * 1982-10-29 1987-07-30 Plessey Overseas Conductive gaskets
JPS63305520A (ja) * 1987-06-05 1988-12-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2903697B2 (ja) * 1990-11-06 1999-06-07 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JPH04273452A (ja) * 1991-02-28 1992-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｉｃチップの実装方法
JPH04274386A (ja) * 1991-03-01 1992-09-30 Sharp Corp 電子回路部品の接続方法
JPH0779152B2 (ja) * 1991-09-24 1995-08-23 日本電気株式会社 フリップチップ型半導体装置の実装方法
WO1993025385A1 (en) * 1992-06-12 1993-12-23 Aluminum Company Of America Method of fabricating multilayer structures with nonplanar surfaces
JPH0786336A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Fujitsu Ltd ボンディング装置
JPH09324127A (ja) * 1996-06-04 1997-12-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子用ダイボンド材およびそれを用いた半導体装置
JP3959654B2 (ja) * 1997-03-17 2007-08-15 日立化成工業株式会社 マルチチップ実装法
JP3663931B2 (ja) * 1998-08-25 2005-06-22 セイコーエプソン株式会社 圧着方法、圧着装置及び液晶表示装置の製造方法
JP2000281802A (ja) * 1999-03-30 2000-10-10 Polymatech Co Ltd 熱伝導性成形体およびその製造方法ならびに半導体装置
JP2001230528A (ja) * 2000-02-15 2001-08-24 Sony Corp 実装装置及び実装方法
US6513236B2 (en) * 2000-02-18 2003-02-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing bump-component mounted body and device for manufacturing the same
JP2002121404A (ja) * 2000-10-19 2002-04-23 Polymatech Co Ltd 熱伝導性高分子シート

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8011407B2 (en) 2006-01-13 2011-09-06 Sony Corporation Compression bonding device
KR200450443Y1 (ko) * 2008-05-15 2010-10-04 김성식 마사지장치
KR101716882B1 (ko) * 2015-09-08 2017-03-15 (주)플렉스컴 접속 영역의 스트레스가 분산되는 연성 패키지, 및 그 제조 방법
KR101651272B1 (ko) * 2015-09-30 2016-08-26 (주)플렉스컴 이방성 접착제를 이용하여 접속영역의 스트레스가 완화되는 연성 패키지

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