JP4718734B2 - 回路素子の実装方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路チップなどの回路素子を基板上に実装する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板上に回路素子を実装する方法として、基板と回路素子の間に接着性のあるフィルムを配置し、回路素子を基板に向けて加圧、加熱し、圧着実装する方法が知られている。前記接着フィルムとして熱硬化性の異方性導電膜を用いることがあり、この場合、素子の接着と配線を同時に行うことができる。その工程を説明すれば、まず、基板上の、回路素子搭載位置に異方性導電膜を載置し、その上に回路素子を置く。異方性導電膜の表面は接着性を有しており、回路素子を置く際にわずかに押圧することによって、回路素子は仮固定または仮圧着される。回路素子には、外部と電気的な接続を行うためのバンプと呼ばれる電極が突設されている。素子を載置した際の、基板上の前記バンプに対向する位置には、配線が位置している。回路素子が基板上に載置された状態で、これを加圧すると、前記バンプと配線は、周囲より飛び出しているために、これらの間の異方性導電膜がより加圧され、導通する状態となる。また、加熱によって異方性導電膜が基板と回路素子を接着され、本圧着が行われる。
【0003】
本圧着の際に回路素子を加圧するのは、加圧対象となる素子の面とほぼ同じ先端の面積を有する加圧棒であり、この加圧棒に発熱体を設けることにより、加熱も行っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、従来の装置においては、硬質の加圧棒の先端で加圧を行っており、異方性導電膜などの接着フィルムの厚みが均一でない場合など回路素子が傾いて置かれ、全体に等しい圧力で加圧できず、電気的な接続に不良が発生する場合があるという問題があった。
【0005】
また、加圧によって接着フィルムが側方よりはみ出し、これを見込んで隣接する回路素子同士を離して配置する必要があり、実装密度を高められないという問題があった。
【0006】
また、回路素子は、種類によってその厚みが異なり、この厚みによって加圧棒のストロークが変わってくる。よって、回路素子を一つずつ加圧、加熱を行わなければならず、工数がかかるという問題があった。
【0007】
さらに、圧着のために加熱を行っている際に、隣接する未圧着の回路素子およびこれに対応する接着フィルムに熱が伝わるのを防ぐために、回路素子同士を離して配置する必要があり、実装密度を高められないという問題があった。
【0008】
本発明は、前述の問題点を考慮してなされたものであり、回路素子の実装密度を向上させることを一つの目的とし、また実装にかかる工程を短縮することを他の目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前述の課題を解決するために、本発明にかかる回路素子の実装方法は、基板上に接着フィルムと回路素子を重ねて配置し、回路素子に接触する面に柔軟な層を有する加圧型により加圧して基板上に圧着する。基板、接着フィルムおよび回路素子は、加圧型である上型、下型および上型と下型の対向方向の側方を囲うサイド型に囲まれた空間内で加圧される。回路素子は、基板の表裏両面に配置される。前記回路素子に接触する面に柔軟性を有する柔軟層を有する上型と、前記回路素子に接触する面に柔軟性を有する柔軟層を有する下型と、は、前記回路素子と共に基板を挟持して圧着を行う。サイド型は、前記柔軟層の側面と接触している。
【0010】
柔軟な層を介して圧力を加えることにより、回路素子に対し均等な圧力を加えることができ、より確実に接合することができる。また、複数の回路素子に厚さの違いがあったとしても、この違いを柔軟な層が吸収するため、複数の素子に対し同時に加圧を行うことができる。
【0011】
さらに、接着フィルムを熱硬化性樹脂フィルムとした場合、前記の加圧と同時に加圧型により加熱を行って、樹脂を硬化させ接着を行うようにすることができる。前述のように複数の回路素子を同時に加圧、加熱することができるので、隣接する未加熱の回路素子および接着シートに対する熱影響を考慮することがなくなる。これにより、素子間隔を詰めた配置とすることができ、実装密度を高めることができる。また、前記接着フィルムは、異方性導電膜とすることができる。
【0012】
前記の柔軟な層は、重ねられて一体となっている接着フィルムと回路素子の、加圧型に対向する面および側面に密着して周囲全体より加圧する等方加圧を行うように、その柔らかさ、厚さなどが設定されていることが好ましい。等方加圧を行うことによって、異方性導電膜の側方からのはみ出しを防止することができる。これにより、回路素子の間隔を詰めた配置をすることができ、実装密度を高めることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態(以下実施形態という)を、図面に従って説明する。図1は、本実施形態の集積回路チップなどの回路素子の実装方法を説明するための図である。図1(a)に示すように、基板10の表面には、所定のパターンで、配線12が形成されている。基板10上に、接着用および配線用としての熱硬化性の異方性導電膜14と回路素子16を所定位置に配置する。回路素子16の基板10に対向する面(図において下面)には、電気的な接点となるバンプ18と呼ばれる隆起が設けられている。配線12とバンプ18は、異方性導電膜14を挟んで対向する位置にある。言い換えれば、回路素子16の実装位置に基づき配線12を設ける位置が決定されている。
【0014】
次に、図1(b)に示すように、加圧型の、回路素子16等に接触する部分に設けられた柔軟層22を、回路素子16の表面に接触させる。そして、加圧型をさらにストロークさせ、柔軟層22を図中矢印で示すように、回路素子16や異方性導電膜14の側方へと回り込ませる。
【0015】
図1(c)に示すように、加圧対象となる回路素子16および異方性導電膜14を一体に、その周囲、図においては上方および側方より加圧する、いわゆる等方加圧を行う。前述のように配線12およびバンプ18は、各々が配置された面より隆起しており、加圧されることによって、これらの配線12,バンプ18で挟まれた異方性導電膜14の部分がより圧縮され、この圧縮された部分が導電性を有するようになり、配線12とバンプ18の間が導通状態となる。また、加圧型には、ヒータ54,84(図2参照)が備えられ、これからの熱により異方性導電膜14が硬化し、回路素子16が圧着される。
【0016】
図2は、集積回路チップの圧着を行う加圧装置の概略構成を示す図である。本装置は、上型30、下型32およびサイド型34によって、加圧対象となる基板10、回路素子16等がその中に載置されるキャビティ36を形成している。上型30を下型32に向けて移動することによって、キャビティ36内の加圧対象に圧力を付与する。すなわち、上型30と下型32とで基板10およびそれに重ねて載置された異方性導電膜14、回路素子16を挟持、加圧する。
【0017】
上型30は、図示しない流体圧ピストンに結合される上型本体46を含み、上型本体46の先端には、さらに加熱板48および加圧パッド50が固定されている。加熱板48は、穴付きボルト52によって上型本体46に固定されている。また、その内部には、ヒータ54が設けられている。ヒータ54の加熱により加熱板48の温度が上昇し、これが加圧パッド50を介して、加圧対象物に伝達される。
【0018】
加圧パッド50は、互いに接着固定されている背板56およびゴム板58を含む多層構造を有する。背板56には、つり下げピン62がねじ結合しており、つり下げピン62は、上型本体46に形成された穴64に挿入され、側方からのボルト66により固定されている。背板56の側面のサイド型34に接する部分には、キャビティ36内を減圧するために、型どうしのシールを行うためのOリング63が配置されている。ゴム板58は、図1に示した柔軟層22に対応し、回路素子16や異方性導電膜14を周囲より加圧することができるような柔軟性を有している。また、ゴム板58は、その弾性により、回路素子圧着後、加圧状態から開放されると、図示するような平板状に戻り、次回の加圧も同様に行うことができる。
【0019】
ゴム板58は、基板10上に載置された回路素子16の上面が基板に対して平行でない場合など、この歪みを吸収して全体に均一な加圧を行うために機能する。例えば、回路素子16の上面が、上型30の先端面と平行でなかった場合、ゴム板58がなく、上型30が剛に形成されていれば、回路素子16の最も高い部分に大きな圧力が加わることになる。ゴム板58を設けることによって、回路素子16の傾きを吸収することができる。すなわち、ゴム板58は、回路素子16の傾きを吸収できる程度に柔軟な層として機能する。したがって、この柔軟な層は、要求される柔軟性を有するものであれば、ゴムに代えて、他の材料で構成することができる。本実施形態では、特に、耐熱性を考慮してシリコンゴムによりゴム板58を形成しているが、他の種類のゴム、および前述のように他の材料を用いることも可能である。
【0020】
ゴム板58の背板56に接する面の縁には、バックアップリング68が配置される。バックアップリング68は、ゴム板58の縁に形成された環状の肩部を埋めるような形状を有する。バックアップリングの外周面は、サイド型34の内側面に当接する。これによって、ゴム板58が圧力によって型どうしの隙間から漏れ出すことを阻止している。また、ゴム板58の縁の部分を窪ませて肩部を形成し、この肩部を埋めるようにバックアップリング68を配置したことにより、圧力が加えられたゴム板58自体が、バックアップリング68の背後から、これをサイド型34の方向へ押しつける力を加えるようになる。これによって、より強固にシールすることができる。
【0021】
サイド型34は、4個の流体圧シリンダ72を介して上型30につり下げ支持されている。サイド型34は、加圧パッド50およびキャビティ36の側方を取り囲むような環形状を有している。流体圧シリンダ72は、加圧成形時において、サイド型34を下型32に向けて押し、これらを密着させる。このとき、流体圧シリンダ72は、反作用として上型30を押し上げようとするが、上型30を下方に押すプレス力は、流体圧シリンダ72の力に対して十分大きく、プレス力が実質的に減少することはない。サイド型34の内部には、ガスなどをキャビティ36外に排出するための排気孔74が形成されている。サイド型34の外周に沿って、環形状のシール枠76が固定されている。このシール枠76は、当接片79と共に、キャビティ36を含む、型により略囲まれた空間を外部からシールするシール構造を形成する。
【0022】
下型32は、基板10が載置される下型本体78を有し、下型本体78はテーブル80上に固定された加熱板82上に載置される。加熱板82の内部には、ヒータ84が設けられており、ヒータの84の発生する熱が、加熱板82と下型本体78を介して基板10および異方性導電膜14に伝達される。下型本体78の側方には、シール枠76の内側面に当接する環状の当接片79が固定されている。
【0023】
下型本体78の四隅には下方に向けて脚部86が形成されている。下型本体78と脚部86全体として、テーブル80の加熱板82をまたぐ形状となっている。脚部86には、テーブル80上に形成されたレール88の上面に当接し、下型32の図2における上下位置を規定する上下ローラ90が回動可能に支持されている。さらに、脚部86には、レール88の側面に当接し、下型32の図2における左右位置を規定する左右ローラ92が回動可能に支持されている。
【0024】
本実施形態の圧着の手法によれば、一体に載置された回路素子16と異方性導電膜14の周囲より加圧を行うので、異方性導電膜14が周囲にはみ出す量を抑えることができる。例えば、図3に示すように、回路素子16の上面からのみ加圧棒24で押圧する場合、異方性導電膜14が周囲にはみ出す。このはみ出す量を見込んで、隣接する回路素子16等の実装部品の間隔dを開けておく必要があり、従来、これが一つの制約となって実装密度が高められなかった。本実施形態によれば、異方性導電膜14のはみ出しを抑えることができるので、実装部品間の間隔を狭めることができ、実装密度を高めることができる。
【0025】
また、厚さの異なる複数の集積回路チップ等を同時に加圧することができる。図4(a)に示すように、従来は、厚さの異なる回路素子16-1,16-2を圧着する場合、硬い加圧型で加圧すると、チップごとに圧力が異なってしまうので、チップ一つ一つを順に加圧、加熱する必要があった。しかし、本実施形態によれば、図4(b)に示すように、加圧型が柔軟な層22を有しているため、チップの厚さによる段差を吸収することができ、ほぼ等しい圧力で圧着を行うことができる。これにより、実装の工数を大きく削減できる。
【0026】
また、複数の回路素子16を一つ一つ加熱して圧着する場合、圧着中のチップの近傍の未圧着のチップおよび異方性導電膜14に、圧着のための熱が伝わってしまい、圧着前に異方性導電膜14が硬化してしまう場合があった。これを防止するために、従来は、熱の影響が隣接するチップ等に及ばないように、集積回路チップ間の間隔を開けておく必要があり、これが一つの制約となって、実装密度が高められなかった。本実施形態においては、複数の回路素子16を同時に加熱圧着することができるので、この面からも実装密度の向上に寄与する。
【0027】
図5は、本実施形態にかかる加圧装置の他の例の概略構成を示す図である。この加圧装置は、基板100の表裏に回路素子102を実装する場合に適した装置である。基板100を挟んだ上方と下方の構成は、ほぼ基板に対し対称であり、以下においては、上側、下側において同一の構成要素には、同一の符号を用い、特に、これらの区別が必要な場合においては、それぞれ符号にA、Bを付与して説明する。
【0028】
本装置は、基板100および回路素子102を挟持、加圧する加圧型104と、加圧型104の側方を取り囲むように位置し、また基板100の端部を支持するサイド型106を有する。加圧型104は、図示しない流体圧ピストンに結合される加圧型本体108を含み、加圧型本体108の先端には、さらに加熱板110および加圧パッド112が固定されている。加熱板110は、穴付きボルトによって加圧型本体108に固定されている。また、その内部には、ヒータ114が設けられている。ヒータ114の加熱により加熱板110の温度が上昇し、これが加圧パッド112を介して、加圧対象物に伝達される。
【0029】
加圧パッド112は柔軟性および弾性を有するゴム板で構成され、加熱板110に接着固定されている。加圧型本体108の側面の、サイド型106に接する部分には、上下の加圧型104およびサイド型106により囲まれて形成されるキャビティを減圧するために、型どうしのシールを行うためのOリング116が配置されている。
【0030】
加圧パッド112は、基板100上に載置された回路素子102の、当該パットが接触する面が基板に対して平行でない場合、また複数の回路素子102の厚さが揃っていない場合など、これらの不揃いを吸収して全体に均一な加圧を行うために機能する。すなわち、加圧パッド112は、回路素子102の傾き、チップ間の厚さの不揃いを吸収できる程度に柔軟な層、すなわち図1に示す柔軟層22として機能する。この柔軟な層は、要求される柔軟性を有するものであれば、ゴムに代えて、他の柔軟性材料で構成することができる。本実施形態では、特に、耐熱性を考慮してシリコンゴムにより構成している。
【0031】
サイド型106は、4個の支持構造118により加圧型104よりつり下げ支持されている。支持構造118は、先端にストッパ120を有し、サイド型106の図中上下方向に案内するガイドロッド122と、サイド型106がストッパ120に当接するように、これを付勢するばね124を有する。また、上方のサイド型106内には、型に囲まれた空間(キャビティ)からガスを抜くための排気孔126が設けられている。また、上下の加圧型104A,104Bの移動を案内するために、上方の加圧型本体108Aにはガイドロッド128が、下方の加圧型本体108Bには前記ガイドロッド128が挿入されるガイドシリンダ130が設けられている。
【0032】
回路素子102の実装を行うには、前述の基板の一方の面にのみ実装を行うのと同様、基板100上に異方性導電膜と回路素子を重ねて配置する。基板100に上面に異方性導電膜を載置し、更に重ねて回路素子を置く。この際、回路素子を軽く押圧して異方性導電膜に押し付け、仮圧着を行う。基板100をひっくり返し、同様にして、もう一方の面にも回路素子を仮圧着する。先に基板上に載置された回路素子については、仮圧着されているので、基板をひっくり返したとしても脱落することはない。
【0033】
この基板100を下方のサイド型106Bの内側の縁付近に設けられた肩部132に合わせて載置する。そして、上下の加圧型104A,104Bを接近させる方向に移動させる。まず、上下のサイド型106A,106Bが当接する。さらに加圧型104A,104Bが接近すると、サイド型106A,Bは、相対的にガイドロッド122上を移動し、加圧型による加圧が妨げられないようにする。そして、柔軟性を有する加圧パッド112により、基板100、回路素子102を挟持加圧する。また、同時にヒータ114により加熱し、前述の異方性導電膜を硬化させて、回路素子102が実装される。
【0034】
本装置によれば、同時に表裏に集積回路チップを実装することができ、実装に要する工数を削減することができる。また、前述の基板の1面にのみ実装する場合と同様、異方性導電膜のはみ出し、また未圧着のものに対する熱影響を防止し、これにより実装密度を向上することができる。
【0035】
以上の実施形態において、異方性導電膜を用いて回路素子と基板上の配線の電気的な接続、および回路素子の基板への接着を行ったが、単に接着のみ行う場合においては、異方性導電膜に代えて導電機能を有さない接着用のフィルムを用いることができる。例えば、熱硬化性樹脂フィルムなどを用い、加熱と加圧によって回路素子の実装を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本実施形態の集積回路チップの実装方法の説明図である。
【図2】 集積回路チップ実装に用いる加圧装置の概略構成を示す図である。
【図3】 集積回路チップ実装における問題点の一つを説明するための図である。
【図4】 本実施形態の実装方法の特徴を説明するための図である。
【図5】 集積回路チップ実装に用いる他の加圧装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
10 基板、12 配線、14 異方性導電膜(接着フィルム)、16 回路素子、18 バンプ、22 柔軟層、24 加圧棒。
Claims (6)
- 回路素子を基板上に実装する方法であって、
対向する上型および下型と、上型と下型の対向方向の側方を囲うサイド型に囲まれた空間内に、基板と、基板上に重ねて接着フィルムと、さらに重ねて回路素子とを配置する工程と、
前記回路素子を、前記上型および前記下型により加圧し、基板上に圧着する工程と、
を有し、
前記回路素子を配置する工程は、基板の表裏両面に回路素子を配置するものであり、
前記回路素子を圧着する工程は、前記回路素子に接触する面に柔軟性を有する柔軟層を有する上型と、前記回路素子に接触する面に柔軟性を有する柔軟層を有する下型と、により前記回路素子と共に基板を挟持して圧着を行うものであり、
前記サイド型は、前記柔軟層の側面と接触している、
回路素子の実装方法。 - 請求項1に記載の回路素子の実装方法であって、
前記接着フィルムは、熱硬化性樹脂フィルムであり、
前記回路素子を基板上に圧着する工程において、加圧と同時に加熱を行って圧着する、
回路素子の実装方法。 - 請求項1に記載の回路素子の実装方法であって、前記接着フィルムは、異方性導電膜である、回路素子の実装方法。
- 請求項1から3のいずれか1項に記載の回路素子の実装方法において、前記回路素子を基板上に圧着する工程は、前記柔軟層が、一体となった回路素子と接着フィルムの、前記上型に対向する面および側面全体に密着して等方加圧を行う、回路素子の実装方法。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の回路素子の実装方法において、前記回路素子を基板上に圧着する工程は、複数の回路素子を同時に圧着するものである、回路素子の実装方法。
- 請求項1から5のいずれか1項に記載の回路素子の実装方法において、
前記回路素子を配置する工程は、各回路素子ごとに設けられた接着フィルムを、他の回路素子に対応する接着フィルムとの間に間隔を空けて配置し、
前記回路素子を基板上に圧着する工程は、前記柔軟層を回路素子の基板から離れる側の面および回路素子および接着フィルムの側面に密着させて、回路素子および接着フィルムの周囲全体より等方加圧する、
回路素子の実装方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001276806A JP4718734B2 (ja) | 2001-09-12 | 2001-09-12 | 回路素子の実装方法 |
CNA2007100917576A CN101043794A (zh) | 2001-09-12 | 2002-09-12 | 电路元件安装方法以及加压装置 |
CNB028177886A CN1319140C (zh) | 2001-09-12 | 2002-09-12 | 电路元件安装方法 |
US10/489,680 US20040238115A1 (en) | 2001-09-12 | 2002-09-12 | Circuit device mounting method and press |
DE60235821T DE60235821D1 (de) | 2001-09-12 | 2002-09-12 | Verfahren und presse zur montage einer schaltung |
KR1020047003466A KR100889283B1 (ko) | 2001-09-12 | 2002-09-12 | 회로소자의 실장방법 및 가압장치 |
EP02765504A EP1434261B1 (en) | 2001-09-12 | 2002-09-12 | Circuit device mounting method and press |
PCT/JP2002/009342 WO2003025997A1 (en) | 2001-09-12 | 2002-09-12 | Circuit device mounitng method and press |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001276806A JP4718734B2 (ja) | 2001-09-12 | 2001-09-12 | 回路素子の実装方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003086635A JP2003086635A (ja) | 2003-03-20 |
JP2003086635A5 JP2003086635A5 (ja) | 2008-11-13 |
JP4718734B2 true JP4718734B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=19101453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001276806A Expired - Lifetime JP4718734B2 (ja) | 2001-09-12 | 2001-09-12 | 回路素子の実装方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4718734B2 (ja) |
CN (1) | CN101043794A (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3921459B2 (ja) | 2003-07-11 | 2007-05-30 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 電気部品の実装方法及び実装装置 |
JP4841431B2 (ja) * | 2005-02-02 | 2011-12-21 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 電気部品の実装装置 |
JP4925669B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2012-05-09 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 圧着装置及び実装方法 |
JP4996859B2 (ja) | 2006-02-10 | 2012-08-08 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 圧着装置 |
JP4832107B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2011-12-07 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 実装方法 |
JP2007324413A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Sony Chemical & Information Device Corp | 熱圧着ヘッド及びこれを用いた実装装置 |
JP4979288B2 (ja) * | 2006-07-19 | 2012-07-18 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 熱圧着ヘッドを用いた実装方法 |
JP5361134B2 (ja) * | 2007-02-19 | 2013-12-04 | パナソニック株式会社 | 加圧ヘッドおよび部品圧着装置 |
JP2009141269A (ja) | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Sony Chemical & Information Device Corp | 電気部品の実装方法及び実装装置 |
CN101960578B (zh) * | 2008-04-18 | 2013-01-02 | 松下电器产业株式会社 | 倒装芯片安装方法和倒装芯片安装装置及其所使用的工具保护膜 |
JP6053360B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2016-12-27 | 古河電気工業株式会社 | 電子部品の接合方法 |
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GB2525605B (en) * | 2014-04-28 | 2018-10-24 | Flexenable Ltd | Method of bonding flexible printed circuits |
CN106605296A (zh) * | 2015-03-31 | 2017-04-26 | 新电元工业株式会社 | 加压单元 |
JP6181807B1 (ja) | 2016-04-27 | 2017-08-16 | 日機装株式会社 | 加圧装置および加圧方法 |
CN107517506A (zh) * | 2017-09-27 | 2017-12-26 | 高雄 | 一种安全加热器 |
CN107682949A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-02-09 | 高雄 | 一种均衡加压垫、加热头及加热器 |
CN107567121A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-01-09 | 高雄 | 一种柱罐形磁芯、加热源、加热头及加热器 |
CN107623957A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-01-23 | 高雄 | 一种电磁加热线圈、加热源、加热头及加热器 |
CN107580382A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-01-12 | 高雄 | 一种可探测热熔片的加热头及加热器 |
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2001
- 2001-09-12 JP JP2001276806A patent/JP4718734B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-09-12 CN CNA2007100917576A patent/CN101043794A/zh active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101043794A (zh) | 2007-09-26 |
JP2003086635A (ja) | 2003-03-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080912 |
|
A621 | Written request for application examination |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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