JP2001230528A - 実装装置及び実装方法 - Google Patents
実装装置及び実装方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子間に厚さのバラツキがあって
も、均一に半導体素子をプリント回路基板上に実装する
ことができ、しかもフィレット形成も一括して行うこ
と。 【解決手段】 基板１１のランド上には、ＩＣチップ１
４が搭載される。ＩＣチップ１４の搭載の際には、実装
領域に接合部材である樹脂１３を供給し、ＩＣチップ１
４の接合部位である金バンプを基板１１側に向けた状態
でＩＣチップ１４を基板１１に搭載する。上型１８の基
板１１側には弾性部材であるダイヤフラム１５が取り付
けられている。上型１８を下降させて、ダイヤフラム１
５でＩＣチップ１４を加圧する。これにより、ダイヤフ
ラム１５が基板１１及びＩＣチップ１４の形状に沿って
変形し、基板１１及びＩＣチップ１４を全体的に均一に
加圧する。
も、均一に半導体素子をプリント回路基板上に実装する
ことができ、しかもフィレット形成も一括して行うこ
と。 【解決手段】 基板１１のランド上には、ＩＣチップ１
４が搭載される。ＩＣチップ１４の搭載の際には、実装
領域に接合部材である樹脂１３を供給し、ＩＣチップ１
４の接合部位である金バンプを基板１１側に向けた状態
でＩＣチップ１４を基板１１に搭載する。上型１８の基
板１１側には弾性部材であるダイヤフラム１５が取り付
けられている。上型１８を下降させて、ダイヤフラム１
５でＩＣチップ１４を加圧する。これにより、ダイヤフ
ラム１５が基板１１及びＩＣチップ１４の形状に沿って
変形し、基板１１及びＩＣチップ１４を全体的に均一に
加圧する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおいて使用される実装装置及び実装方法に関する。
スにおいて使用される実装装置及び実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、異方性導電フィルム、異方性導電
ペースト、又は接着用樹脂を用いて加熱・加圧により半
導体実装を行う場合には、半導体チップを加熱・加圧す
るための金属又はセラミック製のヒーターツールを備え
た設備が使われている。
ペースト、又は接着用樹脂を用いて加熱・加圧により半
導体実装を行う場合には、半導体チップを加熱・加圧す
るための金属又はセラミック製のヒーターツールを備え
た設備が使われている。
【０００３】従来の実装方法を図４を用いて説明する。
まず、下型４６上に載置した基板４１の実装領域（ラン
ド）に接合部材である樹脂４３を介して半導体素子であ
るＩＣチップ４４を搭載する。このとき、ＩＣチップ４
４は、一方の面に形成された金バンプ４２を基板４１に
向けるようにして基板４１上に搭載する。なお、樹脂４
３としては、例えば異方性導電フィルム、異方性導電ペ
ースト、又は接着用樹脂が挙げられる。
まず、下型４６上に載置した基板４１の実装領域（ラン
ド）に接合部材である樹脂４３を介して半導体素子であ
るＩＣチップ４４を搭載する。このとき、ＩＣチップ４
４は、一方の面に形成された金バンプ４２を基板４１に
向けるようにして基板４１上に搭載する。なお、樹脂４
３としては、例えば異方性導電フィルム、異方性導電ペ
ースト、又は接着用樹脂が挙げられる。
【０００４】そして、ＩＣチップ４４の上から金属ブロ
ックのヒーターツール４５を押圧して、ＩＣチップ４４
を加熱しながら加圧する。これにより、ＩＣチップ４４
が基板４１の実装領域に樹脂４３により実装される。
ックのヒーターツール４５を押圧して、ＩＣチップ４４
を加熱しながら加圧する。これにより、ＩＣチップ４４
が基板４１の実装領域に樹脂４３により実装される。
【０００５】このとき、ＩＣチップ４４の下の樹脂４３
は硬化しており、この接合部分を保持する。ＩＣチップ
４４からはみ出した樹脂４３は、加圧されることによっ
てＩＣチップ４４の外周部に流れ出す。流れ出た樹脂４
３は、ヒーターツール４５の熱が充分伝わらず、未硬化
のまま残ってしまう。したがって、従来の方法では、こ
の後、別工程として全体を加熱硬化させる必要がある。
は硬化しており、この接合部分を保持する。ＩＣチップ
４４からはみ出した樹脂４３は、加圧されることによっ
てＩＣチップ４４の外周部に流れ出す。流れ出た樹脂４
３は、ヒーターツール４５の熱が充分伝わらず、未硬化
のまま残ってしまう。したがって、従来の方法では、こ
の後、別工程として全体を加熱硬化させる必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】金属製のヒーターツー
ルの場合、ＩＣチップの上面を平行に押す必要があり、
常に一定の荷重でＩＣチップの上面に対して平行に押す
ためには、設備の調整や工程管理などが大変であり、設
備も平行度を出すために大掛かりなものとなる。
ルの場合、ＩＣチップの上面を平行に押す必要があり、
常に一定の荷重でＩＣチップの上面に対して平行に押す
ためには、設備の調整や工程管理などが大変であり、設
備も平行度を出すために大掛かりなものとなる。
【０００７】また、１個だけのＩＣチップであれば、上
記設備で調整は可能であるが、複数のＩＣチップを同時
に加熱・加圧する場合、各ＩＣチップ間に厚みのバラツ
キがあるために、一つのヒーターツールですべてのＩＣ
チップに対して均一に加圧を行うことはできない。
記設備で調整は可能であるが、複数のＩＣチップを同時
に加熱・加圧する場合、各ＩＣチップ間に厚みのバラツ
キがあるために、一つのヒーターツールですべてのＩＣ
チップに対して均一に加圧を行うことはできない。
【０００８】すべてのＩＣチップに対して均一に加圧を
行うためには、ヒーターツールをいくつかに別けて、そ
れぞれ独立に動作させれば、原理的には可能であるが、
非常に高い設備になり、調整・管理も煩雑になる。
行うためには、ヒーターツールをいくつかに別けて、そ
れぞれ独立に動作させれば、原理的には可能であるが、
非常に高い設備になり、調整・管理も煩雑になる。
【０００９】また、金属製のヒーターツールの場合は、
常にＩＣチップの上面しか押すことができない。したが
って、加圧により、ＩＣチップの側面からはみ出した樹
脂は、それ以上熱も圧もかからなくなってしまう。結果
として、上述したように、はみ出した樹脂を、別の加熱
硬化工程で硬化させることになるが、このような別工程
ではみ出した樹脂を硬化させても、ＩＣチップを包むよ
うなフィレットは形成することができない。なお、この
フィレットは、外部から半導体チップを保持する作用が
あり、信頼性上有益なものである。
常にＩＣチップの上面しか押すことができない。したが
って、加圧により、ＩＣチップの側面からはみ出した樹
脂は、それ以上熱も圧もかからなくなってしまう。結果
として、上述したように、はみ出した樹脂を、別の加熱
硬化工程で硬化させることになるが、このような別工程
ではみ出した樹脂を硬化させても、ＩＣチップを包むよ
うなフィレットは形成することができない。なお、この
フィレットは、外部から半導体チップを保持する作用が
あり、信頼性上有益なものである。
【００１０】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、半導体素子間に厚さのバラツキがあっても、均一
に半導体素子をプリント回路基板上に実装することがで
き、しかもフィレット形成も一括して行うことができる
実装装置及び実装方法を提供することを目的とする。
あり、半導体素子間に厚さのバラツキがあっても、均一
に半導体素子をプリント回路基板上に実装することがで
き、しかもフィレット形成も一括して行うことができる
実装装置及び実装方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、異方性導電フ
ィルム、異方性導電ペースト、又は接着用樹脂などの接
合部材を介して半導体素子をプリント回路基板上に実装
する実装装置であって、プリント回路基板を載置する載
置台と、流体を導入した弾性部材を有し、前記弾性部材
を前記プリント回路基板に押圧する押圧手段と、を具備
し、前記プリント回路基板の実装領域に接合部材を介し
て搭載された半導体素子を前記弾性部材で押圧すること
により、前記プリント回路基板に前記半導体素子を実装
することを特徴とする実装装置を提供する。
ィルム、異方性導電ペースト、又は接着用樹脂などの接
合部材を介して半導体素子をプリント回路基板上に実装
する実装装置であって、プリント回路基板を載置する載
置台と、流体を導入した弾性部材を有し、前記弾性部材
を前記プリント回路基板に押圧する押圧手段と、を具備
し、前記プリント回路基板の実装領域に接合部材を介し
て搭載された半導体素子を前記弾性部材で押圧すること
により、前記プリント回路基板に前記半導体素子を実装
することを特徴とする実装装置を提供する。
【００１２】この構成によれば、ＩＣチップ間に厚さの
バラツキがあっても、均一にＩＣチップをプリント回路
基板上に実装することができ、しかもフィレット形成も
一括して行うことができる。これにより、工程を簡略化
することができ、生産性が高くなる。また、この方法で
は、ダイヤフラムが被押圧体の形状に沿って変形するの
で、加熱用ヒーターツールの平行度を厳しく管理する必
要がなくなる。
バラツキがあっても、均一にＩＣチップをプリント回路
基板上に実装することができ、しかもフィレット形成も
一括して行うことができる。これにより、工程を簡略化
することができ、生産性が高くなる。また、この方法で
は、ダイヤフラムが被押圧体の形状に沿って変形するの
で、加熱用ヒーターツールの平行度を厳しく管理する必
要がなくなる。
【００１３】本発明の実装装置においては、少なくとも
２つの半導体素子を同時に実装可能であることが好まし
い。
２つの半導体素子を同時に実装可能であることが好まし
い。
【００１４】また、本発明の実装装置においては、半導
体素子に対する前記押圧手段の押圧の際に、前記接合部
材から気泡を除去する気泡除去手段をさらに具備するこ
とが好ましい。これにより、半導体素子をプリント回路
基板上に高い信頼性で実装することができる。
体素子に対する前記押圧手段の押圧の際に、前記接合部
材から気泡を除去する気泡除去手段をさらに具備するこ
とが好ましい。これにより、半導体素子をプリント回路
基板上に高い信頼性で実装することができる。
【００１５】本発明は、接合部材を介して半導体素子を
プリント回路基板上に実装する実装方法であって、流体
を導入した弾性部材をプリント回路基板に押圧すること
により、前記プリント回路基板の実装領域に接合部材を
介して搭載された半導体素子を前記プリント回路基板に
実装することを特徴とする実装方法を提供する。
プリント回路基板上に実装する実装方法であって、流体
を導入した弾性部材をプリント回路基板に押圧すること
により、前記プリント回路基板の実装領域に接合部材を
介して搭載された半導体素子を前記プリント回路基板に
実装することを特徴とする実装方法を提供する。
【００１６】この方法によれば、ＩＣチップ間に厚さの
バラツキがあっても、均一にＩＣチップをプリント回路
基板上に実装することができ、しかもフィレット形成も
一括して行うことができる。これにより、工程を簡略化
することができ、生産性が高くなる。また、この方法で
は、ダイヤフラムが被押圧体の形状に沿って変形するの
で、加熱用ヒーターツールの平行度を厳しく管理する必
要がなくなる。
バラツキがあっても、均一にＩＣチップをプリント回路
基板上に実装することができ、しかもフィレット形成も
一括して行うことができる。これにより、工程を簡略化
することができ、生産性が高くなる。また、この方法で
は、ダイヤフラムが被押圧体の形状に沿って変形するの
で、加熱用ヒーターツールの平行度を厳しく管理する必
要がなくなる。
【００１７】本発明の実装方法においては、前記半導体
素子を前記弾性部材で押圧したときにはみ出した前記接
合部材をフィレット状に整形すると共に、前記接合部材
を熱硬化することが好ましい。
素子を前記弾性部材で押圧したときにはみ出した前記接
合部材をフィレット状に整形すると共に、前記接合部材
を熱硬化することが好ましい。
【００１８】この方法によれば、フィレット形成ができ
るので、半導体素子とプリント回路基板との間の接合の
信頼性がより高くなる。また、余剰樹脂の加熱硬化のた
めの工程は不要となるので、工程を簡略化することがで
きる。
るので、半導体素子とプリント回路基板との間の接合の
信頼性がより高くなる。また、余剰樹脂の加熱硬化のた
めの工程は不要となるので、工程を簡略化することがで
きる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照して詳細に説明する。本発明の実装
装置及び実装方法では、押圧部材として、充分柔軟性の
ある弾性材料（例えばシリコーンゴム）で構成された袋
に高圧の流体（気体又は液体）を導入してなる部材を用
いる。この部材を用いて半導体素子を押圧する。このよ
うに、弾性部材に対向する位置に配置された半導体素子
を加圧する機構をダイヤフラムと称し、以下このような
加圧機構をダイヤフラムと記す。
て、添付図面を参照して詳細に説明する。本発明の実装
装置及び実装方法では、押圧部材として、充分柔軟性の
ある弾性材料（例えばシリコーンゴム）で構成された袋
に高圧の流体（気体又は液体）を導入してなる部材を用
いる。この部材を用いて半導体素子を押圧する。このよ
うに、弾性部材に対向する位置に配置された半導体素子
を加圧する機構をダイヤフラムと称し、以下このような
加圧機構をダイヤフラムと記す。
【００２０】図１は、本発明に係るダイヤフラムによる
加圧の原理を示す図である。載置台である下型７上に基
板１が固定されており、基板１の実装領域（例えば、ラ
ンド）に接合部材である樹脂３が供給され、その樹脂３
上に半導体素子であるＩＣチップ４が搭載される。ＩＣ
チップ４は、樹脂３の粘着力によって仮固定される。
加圧の原理を示す図である。載置台である下型７上に基
板１が固定されており、基板１の実装領域（例えば、ラ
ンド）に接合部材である樹脂３が供給され、その樹脂３
上に半導体素子であるＩＣチップ４が搭載される。ＩＣ
チップ４は、樹脂３の粘着力によって仮固定される。
【００２１】なお、樹脂３としては、異方性導電フィル
ム、異方導電性ペースト、又は接着用樹脂などを挙げら
れる。樹脂３を基板１の実装領域に供給する方法として
は、フィルムとして貼付する方法、ペーストであれば印
刷・ディスペンスなどの方法が挙げられる。
ム、異方導電性ペースト、又は接着用樹脂などを挙げら
れる。樹脂３を基板１の実装領域に供給する方法として
は、フィルムとして貼付する方法、ペーストであれば印
刷・ディスペンスなどの方法が挙げられる。
【００２２】次いで、基板１上に搭載したＩＣチップ４
をダイヤフラム５を備えたヒーターツール６で上方から
押圧する。これにより、ＩＣチップ４は、加熱された状
態で基板１に対して押圧される。
をダイヤフラム５を備えたヒーターツール６で上方から
押圧する。これにより、ＩＣチップ４は、加熱された状
態で基板１に対して押圧される。
【００２３】このとき、ダイヤフラム５は、ＩＣチップ
４の外形に沿うように変形し、ＩＣチップ４の周囲の基
板１までを包むように加圧する。ダイヤフラム５の中に
は、ヒーターツール６と同様に温度制御された流体（多
くの場合、空気）が導入されているので、ダイヤフラム
５は、パスカルの原理により均一な圧力でＩＣチップ４
及び基板１を加圧しながら、樹脂３の加熱硬化を行う。
４の外形に沿うように変形し、ＩＣチップ４の周囲の基
板１までを包むように加圧する。ダイヤフラム５の中に
は、ヒーターツール６と同様に温度制御された流体（多
くの場合、空気）が導入されているので、ダイヤフラム
５は、パスカルの原理により均一な圧力でＩＣチップ４
及び基板１を加圧しながら、樹脂３の加熱硬化を行う。
【００２４】これにより、ＩＣチップ４が基板１の実装
領域（例えばランド）に樹脂３により実装される。ま
た、ＩＣチップ４の周囲にはみ出した樹脂３は、変形し
たダイヤフラム５の形状に沿うように充填され、ダイヤ
フラム５によって加圧されながら加熱硬化される。
領域（例えばランド）に樹脂３により実装される。ま
た、ＩＣチップ４の周囲にはみ出した樹脂３は、変形し
たダイヤフラム５の形状に沿うように充填され、ダイヤ
フラム５によって加圧されながら加熱硬化される。
【００２５】すなわち、図３に示すように、ＩＣチップ
４の外周部に形成されるはみ出した樹脂３は、ダイヤフ
ラム５によって加圧されることにより、フィレット形状
となる。したがって、本発明による方法では、ここまで
の工程でＩＣチップ４と基板１との接合を行うと共に、
フィレット形成まで一括して行うことができる。したが
って、はみ出した余剰樹脂の加熱硬化のための工程は不
要となる。その結果、工程を簡略化することができる。
また、フィレット形成ができるので、ＩＣチップ４と基
板１との間の接合の信頼性がより高くなる。
４の外周部に形成されるはみ出した樹脂３は、ダイヤフ
ラム５によって加圧されることにより、フィレット形状
となる。したがって、本発明による方法では、ここまで
の工程でＩＣチップ４と基板１との接合を行うと共に、
フィレット形成まで一括して行うことができる。したが
って、はみ出した余剰樹脂の加熱硬化のための工程は不
要となる。その結果、工程を簡略化することができる。
また、フィレット形成ができるので、ＩＣチップ４と基
板１との間の接合の信頼性がより高くなる。
【００２６】図２は、本発明の一実施の形態に係る実装
装置の構成を示す図である。この図２においては、複数
のＩＣチップを一括で加熱圧着する時を示している。載
置台である下型１７上には、基板１１が載置されてい
る。この下型１６には、下ヒーター１７が埋め込まれて
いる。
装置の構成を示す図である。この図２においては、複数
のＩＣチップを一括で加熱圧着する時を示している。載
置台である下型１７上には、基板１１が載置されてい
る。この下型１６には、下ヒーター１７が埋め込まれて
いる。
【００２７】この基板１１の実装領域であるランド上に
は、半導体素子であるＩＣチップ１４が搭載される。Ｉ
Ｃチップ１４の搭載の際には、実装領域に接合部材であ
る樹脂１３を供給し、ＩＣチップ１４の接合部位である
金バンプを基板１１側に向けた状態でＩＣチップ１４を
基板１１に搭載する。
は、半導体素子であるＩＣチップ１４が搭載される。Ｉ
Ｃチップ１４の搭載の際には、実装領域に接合部材であ
る樹脂１３を供給し、ＩＣチップ１４の接合部位である
金バンプを基板１１側に向けた状態でＩＣチップ１４を
基板１１に搭載する。
【００２８】押圧部材である上型１８の基板１１側には
弾性部材であるダイヤフラム１５が取り付けられてい
る。このダイヤフラム１５は、上述したように、弾性材
料で構成された袋内に、上型１８に埋め込まれた上ヒー
ター１９と同様に温度制御された流体（多くの場合、空
気）が導入されている。上ヒーター１９と下ヒーター１
７は、それぞれ図示しないヒーター電源に電気的に接続
されており、ヒーター電源により電力が供給されて発熱
するようになっている。
弾性部材であるダイヤフラム１５が取り付けられてい
る。このダイヤフラム１５は、上述したように、弾性材
料で構成された袋内に、上型１８に埋め込まれた上ヒー
ター１９と同様に温度制御された流体（多くの場合、空
気）が導入されている。上ヒーター１９と下ヒーター１
７は、それぞれ図示しないヒーター電源に電気的に接続
されており、ヒーター電源により電力が供給されて発熱
するようになっている。
【００２９】このように構成された上型１８を下降させ
て、ダイヤフラム１５でＩＣチップ１４を加圧する。こ
のとき、上ヒーター１９と下ヒーター１７は、樹脂１３
を加熱硬化できる程度の温度に上型１８及び下型１６を
加熱している。
て、ダイヤフラム１５でＩＣチップ１４を加圧する。こ
のとき、上ヒーター１９と下ヒーター１７は、樹脂１３
を加熱硬化できる程度の温度に上型１８及び下型１６を
加熱している。
【００３０】これにより、ダイヤフラム１５が基板１１
及びＩＣチップ１４の形状に沿って変形し、基板１１及
びＩＣチップ１４を全体的に均一に加圧する。ダイヤフ
ラム１５により加圧を行うとき、上型１８の上部に形成
された流体流入口２０から袋内に流体が流入され、加圧
状態を保持する。
及びＩＣチップ１４の形状に沿って変形し、基板１１及
びＩＣチップ１４を全体的に均一に加圧する。ダイヤフ
ラム１５により加圧を行うとき、上型１８の上部に形成
された流体流入口２０から袋内に流体が流入され、加圧
状態を保持する。
【００３１】ＩＣチップ１４の厚みは個々にバラツキを
持っているため、従来の方法では全体的に均一な加圧を
行うことができない問題があるが、本発明によるダイヤ
フラムを利用した方法では、そのダイヤフラムの特性に
より、ＩＣチップ１４が１個を加圧する場合とまったく
同じように、全体的に均一な加圧を実現することができ
る。さらに、ＩＣチップ１４の周囲にはみ出した樹脂１
３により、図３に示すようにして、フィレット形成及び
硬化を同時に一括して完了することができる。
持っているため、従来の方法では全体的に均一な加圧を
行うことができない問題があるが、本発明によるダイヤ
フラムを利用した方法では、そのダイヤフラムの特性に
より、ＩＣチップ１４が１個を加圧する場合とまったく
同じように、全体的に均一な加圧を実現することができ
る。さらに、ＩＣチップ１４の周囲にはみ出した樹脂１
３により、図３に示すようにして、フィレット形成及び
硬化を同時に一括して完了することができる。
【００３２】このように、本発明によれば、ＩＣチップ
間に厚さのバラツキがあっても、均一にＩＣチップをプ
リント回路基板上に実装することができ、しかもフィレ
ット形成も一括して行うことができる。これにより、工
程を簡略化することができ、生産性が高くなる。また、
この方法では、ダイヤフラムが被押圧体の形状に沿って
変形するので、加熱用ヒーターツールの平行度を厳しく
管理する必要がなくなる。
間に厚さのバラツキがあっても、均一にＩＣチップをプ
リント回路基板上に実装することができ、しかもフィレ
ット形成も一括して行うことができる。これにより、工
程を簡略化することができ、生産性が高くなる。また、
この方法では、ダイヤフラムが被押圧体の形状に沿って
変形するので、加熱用ヒーターツールの平行度を厳しく
管理する必要がなくなる。
【００３３】さらに、上述した構成の実装装置の加熱加
圧部全体を開閉可能な真空容器の中に組み込むことによ
って、真空に引きながら、上記の一連の作業を行うこと
により、ＩＣチップ１４の下の樹脂１３に含まれるボイ
ド（エア）を脱泡する（気泡除去）ことができ、より信
頼性の高い接合を行うことができる。
圧部全体を開閉可能な真空容器の中に組み込むことによ
って、真空に引きながら、上記の一連の作業を行うこと
により、ＩＣチップ１４の下の樹脂１３に含まれるボイ
ド（エア）を脱泡する（気泡除去）ことができ、より信
頼性の高い接合を行うことができる。
【００３４】本発明は上記実施の形態に限定されず種々
変更して実施することが可能である。例えば、装置の外
形形状や部材の位置などについては、適宜変更して実施
することが可能である。また、各部材の材質や寸法など
も適宜変更して実施することが可能である。
変更して実施することが可能である。例えば、装置の外
形形状や部材の位置などについては、適宜変更して実施
することが可能である。また、各部材の材質や寸法など
も適宜変更して実施することが可能である。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体素子間に厚さのバラツキがあっても、均一に半導体
素子をプリント回路基板上に実装することができ、しか
もフィレット形成も一括して行うことができる。これに
より、工程を簡略化することができ、生産性が高くな
る。また、本発明では、ダイヤフラムが被押圧体の形状
に沿って変形するので、加熱用ヒーターツールの平行度
を厳しく管理する必要がなくなる。
導体素子間に厚さのバラツキがあっても、均一に半導体
素子をプリント回路基板上に実装することができ、しか
もフィレット形成も一括して行うことができる。これに
より、工程を簡略化することができ、生産性が高くな
る。また、本発明では、ダイヤフラムが被押圧体の形状
に沿って変形するので、加熱用ヒーターツールの平行度
を厳しく管理する必要がなくなる。
【図１】本発明に係るダイヤフラムによる加圧の原理を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る実装装置の構成を
示す図である。
示す図である。
【図３】ダイヤフラムによる実装部分を示す拡大図であ
る。
る。
【図４】従来の実装方法を説明するための図である。
１，１１…基板、２，１２…金バンプ、３，１３…樹
脂、４，１４…ＩＣチップ、５，１５…ダイヤフラム、
６…ヒーターツール、７，１６…下型、１７…下ヒータ
ー、１８…上型、１９…上ヒーター、２０…流体流入
口、２１…フィレット形成部分。
脂、４，１４…ＩＣチップ、５，１５…ダイヤフラム、
６…ヒーターツール、７，１６…下型、１７…下ヒータ
ー、１８…上型、１９…上ヒーター、２０…流体流入
口、２１…フィレット形成部分。
Claims (5)
- 【請求項１】 異方性導電フィルム、異方性導電ペース
ト、又は接着用樹脂などの接合部材を介して半導体素子
をプリント回路基板上に実装する実装装置であって、 プリント回路基板を載置する載置台と、 流体を導入した弾性部材を有し、前記弾性部材を前記プ
リント回路基板に押圧する押圧手段と、を具備し、 前記プリント回路基板の実装領域に接合部材を介して搭
載された半導体素子を前記弾性部材で押圧することによ
り、前記プリント回路基板に前記半導体素子を実装する
ことを特徴とする実装装置。 - 【請求項２】 少なくとも２つの半導体素子を同時に実
装可能であることを特徴とする請求項１記載の実装装
置。 - 【請求項３】 半導体素子に対する前記押圧手段の押圧
の際に、前記接合部材から気泡を除去する気泡除去手段
をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の実装
装置。 - 【請求項４】 接合部材を介して半導体素子をプリント
回路基板上に実装する実装方法であって、 流体を導入した弾性部材をプリント回路基板に押圧する
ことにより、前記プリント回路基板の実装領域に接合部
材を介して搭載された半導体素子を前記プリント回路基
板に実装することを特徴とする実装方法。 - 【請求項５】 前記半導体素子を前記弾性部材で押圧し
たときにはみ出した前記接合部材をフィレット状に整形
すると共に、前記接合部材を熱硬化することを特徴とす
る請求項４記載の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000036630A JP2001230528A (ja) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | 実装装置及び実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000036630A JP2001230528A (ja) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | 実装装置及び実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001230528A true JP2001230528A (ja) | 2001-08-24 |
Family
ID=18560655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000036630A Pending JP2001230528A (ja) | 2000-02-15 | 2000-02-15 | 実装装置及び実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001230528A (ja) |
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- 2000-02-15 JP JP2000036630A patent/JP2001230528A/ja active Pending
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