JPS61194732A - 半導体ペレツトと基板の接合方法 - Google Patents
半導体ペレツトと基板の接合方法Info
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- JPS61194732A JPS61194732A JP3394985A JP3394985A JPS61194732A JP S61194732 A JPS61194732 A JP S61194732A JP 3394985 A JP3394985 A JP 3394985A JP 3394985 A JP3394985 A JP 3394985A JP S61194732 A JPS61194732 A JP S61194732A
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- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体ペレットと基板の接合方法に関するも
のである。
のである。
（発明の技術的背景）
ＩＣペレット等の半導体ペレットを基板に取付ける方法
としては、一般に、半導体ペレットのバンブと基板の端
子部とをワイヤボンディングにより接続する方法が採用
されているが、この方法では、ワイヤボンディングに時
間がかかるだけでなく、ボンディングワイヤも高価であ
るために、かなりコスト高となるから、最近では、半導
体ペレットのバンブを直接基板の端子部に接続する方法
が検討されている。
としては、一般に、半導体ペレットのバンブと基板の端
子部とをワイヤボンディングにより接続する方法が採用
されているが、この方法では、ワイヤボンディングに時
間がかかるだけでなく、ボンディングワイヤも高価であ
るために、かなりコスト高となるから、最近では、半導
体ペレットのバンブを直接基板の端子部に接続する方法
が検討されている。
半導体ペレットのバンブを直接基板の端子部に接続する
半導体ペレットと基板の接合方法としては、従来、半導
体ペレットと、この半導体ペレットの各バンブに対応す
る端子部が形成された基板とを、その接合面に異方導電
性接着剤を介在させて相対的に押圧することにより、半
導体ペレットと基板とを前記異方導電性接着剤によって
接着接合する方法が考えられている。
半導体ペレットと基板の接合方法としては、従来、半導
体ペレットと、この半導体ペレットの各バンブに対応す
る端子部が形成された基板とを、その接合面に異方導電
性接着剤を介在させて相対的に押圧することにより、半
導体ペレットと基板とを前記異方導電性接着剤によって
接着接合する方法が考えられている。
なお、前記異方導電性接着剤は、絶縁性接着剤中に導電
性粒子を、導電性粒子同志が互いに接触し合わないよう
な割合で混入したもので、この異方導電性接着剤からな
る接着剤層は、厚さ方向には導通性を示すが面方向（横
方向）には絶縁性をもっているから、半導体ペレットと
基板との接合面に異方５４電性接看剤を介在させて半導
体ペレットと基板とを相対的に押圧すると、半導体ペレ
ットの各バンブと基板の各端子部とが導通接続（導電性
粒子を介して導通接続）される。
性粒子を、導電性粒子同志が互いに接触し合わないよう
な割合で混入したもので、この異方導電性接着剤からな
る接着剤層は、厚さ方向には導通性を示すが面方向（横
方向）には絶縁性をもっているから、半導体ペレットと
基板との接合面に異方５４電性接看剤を介在させて半導
体ペレットと基板とを相対的に押圧すると、半導体ペレ
ットの各バンブと基板の各端子部とが導通接続（導電性
粒子を介して導通接続）される。
しかしながら、上記のように異方導電性接着剤によって
半導体ペレットと基板とを接着接合する方法では、半導
体ペレットの各バンブと基板の各端子部との全てが必ず
導通接続されるとは限らず、−そのために信頼性が悪い
という問題をもっていた。
半導体ペレットと基板とを接着接合する方法では、半導
体ペレットの各バンブと基板の各端子部との全てが必ず
導通接続されるとは限らず、−そのために信頼性が悪い
という問題をもっていた。
これは、前記異方導電性接着剤の導電性粒子の分布が不
規則にばらついているためであり、これに対して半導体
ペレットの各バンブの巾は非常に狭いから、異方導電性
接着剤にその導電性粒子の間隔が前記バンブの巾より広
くなっている箇所があってこの箇所に半導体ペレットの
バンブがたまたま対応すると、この部分のバンブと基板
の端子部との間には導電性粒子が介在されずにこのバン
ブと端子部とが導通接続されない状態になる。なお、異
方導電性接着剤中の導電性粒子の混入比を多くしてやれ
ば、導電性粒子の間隔も小さくなるから、全てのバンブ
と端子部とをほぼ確実に導通接続することができるが、
このように異方導電性接着剤中の導電性粒子の混入比を
多くすると、導電性粒子の間隔が密になっている部分で
導電性粒子同志が接触し合って隣接するバンブ同志を短
絡させてしまうことになる。
規則にばらついているためであり、これに対して半導体
ペレットの各バンブの巾は非常に狭いから、異方導電性
接着剤にその導電性粒子の間隔が前記バンブの巾より広
くなっている箇所があってこの箇所に半導体ペレットの
バンブがたまたま対応すると、この部分のバンブと基板
の端子部との間には導電性粒子が介在されずにこのバン
ブと端子部とが導通接続されない状態になる。なお、異
方導電性接着剤中の導電性粒子の混入比を多くしてやれ
ば、導電性粒子の間隔も小さくなるから、全てのバンブ
と端子部とをほぼ確実に導通接続することができるが、
このように異方導電性接着剤中の導電性粒子の混入比を
多くすると、導電性粒子の間隔が密になっている部分で
導電性粒子同志が接触し合って隣接するバンブ同志を短
絡させてしまうことになる。
また、上記異方導電性接着剤によって半導体ペレットと
基板とを接着接合する方法は、半導体ペレットまたは基
板の接合面に異方導電性接着剤を塗布して半導体ペレッ
トと基板とを押圧することで半導体ペレットのバンブと
基板の端子部とを導通接続することができるから、短時
間で半導体ペレットと基板とを接合することができ、従
ってワイヤボンディングによる方法に比べればある程度
はコストを下げることができるが、それでも、異方導電
性接着剤が高価であるために、大巾なコストダウンはは
かれなかった。
基板とを接着接合する方法は、半導体ペレットまたは基
板の接合面に異方導電性接着剤を塗布して半導体ペレッ
トと基板とを押圧することで半導体ペレットのバンブと
基板の端子部とを導通接続することができるから、短時
間で半導体ペレットと基板とを接合することができ、従
ってワイヤボンディングによる方法に比べればある程度
はコストを下げることができるが、それでも、異方導電
性接着剤が高価であるために、大巾なコストダウンはは
かれなかった。
この発明は上記のような実情にかんがみてなされたもの
であって、その目的とするところは、異方導電性接着剤
によって半導体ペレットと基板とを接着接合する方法と
同程度の短い時間で能率よく半導体ペレットと基板とを
接合することができるとともに、半導体ペレットと基板
とを導通不良部分を生ずることなく確実に導通接続する
ことができ、しかも異方導電性接着剤を用いる方法より
もさらにコストを低減することができる半導体ペレット
と基板の接合方法を提供することにある。
であって、その目的とするところは、異方導電性接着剤
によって半導体ペレットと基板とを接着接合する方法と
同程度の短い時間で能率よく半導体ペレットと基板とを
接合することができるとともに、半導体ペレットと基板
とを導通不良部分を生ずることなく確実に導通接続する
ことができ、しかも異方導電性接着剤を用いる方法より
もさらにコストを低減することができる半導体ペレット
と基板の接合方法を提供することにある。
すなわち、この発明は、端子部を除く主面に保！ｌ！Ｉ
Ｊが形成された半導体ペレットと、この半導体ペレット
の端子部に対応する端子部が形成された基板とを、その
両方の両端子部が対向する部分を含む接合面に絶縁性接
着剤を介在させて相対的に押圧し、この押圧力により前
記端子部間の前記接着剤をこの端子部間の外側に押出し
て前記両方の端子部を導通接続させるとともに、前記接
着剤により前記半導体ペレットと前記基板とを接着する
ものであり、この発明は、半導体ペレットと基板とを、
その両方の両端子部が対向する部分を含む接合面に介在
させた絶縁性接着剤で接着接合するものであるから、異
方導電性接着剤によって半導体ペレットと基板とを接着
接合する方法と同程度の短い時間で能率よく半導体ペレ
ットと基板とを接合することができるし、また、半導体
ペレットと基板との両方の両端子部をその間の絶縁性接
着剤を外側に押出すことによって直接導通接続させるよ
うにしているために、異方導電性接着剤を使用する方法
のように異方導電性接着剤中の導電性粒子の分布のばら
つきによる導通不良部分を生ずることもなく、ざらに、
前記絶縁性接着剤は異方導電性接着剤に比べてかなり安
価であるから、異方導電性接着剤を用いる方法よりもざ
らにコストを低減することができる。
Ｊが形成された半導体ペレットと、この半導体ペレット
の端子部に対応する端子部が形成された基板とを、その
両方の両端子部が対向する部分を含む接合面に絶縁性接
着剤を介在させて相対的に押圧し、この押圧力により前
記端子部間の前記接着剤をこの端子部間の外側に押出し
て前記両方の端子部を導通接続させるとともに、前記接
着剤により前記半導体ペレットと前記基板とを接着する
ものであり、この発明は、半導体ペレットと基板とを、
その両方の両端子部が対向する部分を含む接合面に介在
させた絶縁性接着剤で接着接合するものであるから、異
方導電性接着剤によって半導体ペレットと基板とを接着
接合する方法と同程度の短い時間で能率よく半導体ペレ
ットと基板とを接合することができるし、また、半導体
ペレットと基板との両方の両端子部をその間の絶縁性接
着剤を外側に押出すことによって直接導通接続させるよ
うにしているために、異方導電性接着剤を使用する方法
のように異方導電性接着剤中の導電性粒子の分布のばら
つきによる導通不良部分を生ずることもなく、ざらに、
前記絶縁性接着剤は異方導電性接着剤に比べてかなり安
価であるから、異方導電性接着剤を用いる方法よりもざ
らにコストを低減することができる。
以下、この発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図において、１は半導体ペレット（例えばＩＣペレ
ット）であり、この半導体ペレット１の主面には、その
外周に沿わせて多数の端子部２゜２、・・・が配列され
、またこの半導体ペレット１の主面には、前記端子部２
．２．・・・を除いて、絶縁性の保護膜３が主面全面に
わたって形成されている。なお、この半導体ペレット１
は、例えば−辺の長さが４ｒｒｖｎの方形で厚さが０．
３ｓのもので、各端子部はＯ１１〜０．５Ｉｎ！Ｒのピ
ッチで配ＦＪされている。
ット）であり、この半導体ペレット１の主面には、その
外周に沿わせて多数の端子部２゜２、・・・が配列され
、またこの半導体ペレット１の主面には、前記端子部２
．２．・・・を除いて、絶縁性の保護膜３が主面全面に
わたって形成されている。なお、この半導体ペレット１
は、例えば−辺の長さが４ｒｒｖｎの方形で厚さが０．
３ｓのもので、各端子部はＯ１１〜０．５Ｉｎ！Ｒのピ
ッチで配ＦＪされている。
また、４は絶縁材からなる配線基板であり、この基板４
面には多数の配線５．５．・・・が形成されている。こ
の各配線５，５．・・・は、基板４面の半導体ペレット
取付は位置から導出されており、各配線５，５．・・・
の半導体ペレット取付は位置側の端部はそれぞれ半導体
ペレット１の各端子部２゜２、・・・とそれぞれ対応す
る半導体ペレット接続用端子部５ａ 、 ５ａ 、・・
・とされている。なお、この半導体ペレット接続用端子
部５ａ 、 ５ａ 、・・・の巾は、半導体ペレット１
の端子部２，２．・・・の巾よりわずかに狭い巾とされ
ている。
面には多数の配線５．５．・・・が形成されている。こ
の各配線５，５．・・・は、基板４面の半導体ペレット
取付は位置から導出されており、各配線５，５．・・・
の半導体ペレット取付は位置側の端部はそれぞれ半導体
ペレット１の各端子部２゜２、・・・とそれぞれ対応す
る半導体ペレット接続用端子部５ａ 、 ５ａ 、・・
・とされている。なお、この半導体ペレット接続用端子
部５ａ 、 ５ａ 、・・・の巾は、半導体ペレット１
の端子部２，２．・・・の巾よりわずかに狭い巾とされ
ている。
この実施例は、半導体ペレット１と基板４との一方例え
ば基板４の半導体ペレット取付は位置に、この基板４面
に形成した各端子部５ａ 、 ５ａ 、・・・の上から
絶縁性接着剤６を塗布し、その上に半導体ペレット１を
重ねてこの半導体ペレット１と基板４とを相対的に押圧
することにより、半導体ペレット１側の各端子部２，２
．・・・と基板４側の各端子部５ａ 、 ５ａ 、・・
・とを導通接続させるとともに、前記絶縁性接着剤６を
硬化させて半導体ペレット１と基板４とを絶縁性接着剤
６によって接着接合するものであり、この半導体ペレッ
ト１と基板４との接合は具体的には次のようにして行な
われる。
ば基板４の半導体ペレット取付は位置に、この基板４面
に形成した各端子部５ａ 、 ５ａ 、・・・の上から
絶縁性接着剤６を塗布し、その上に半導体ペレット１を
重ねてこの半導体ペレット１と基板４とを相対的に押圧
することにより、半導体ペレット１側の各端子部２，２
．・・・と基板４側の各端子部５ａ 、 ５ａ 、・・
・とを導通接続させるとともに、前記絶縁性接着剤６を
硬化させて半導体ペレット１と基板４とを絶縁性接着剤
６によって接着接合するものであり、この半導体ペレッ
ト１と基板４との接合は具体的には次のようにして行な
われる。
まず、第２図（ａ）に示すような半導体ペレット接続用
端子部５ａ 、 ５ａ 、・・・を配列形成した基板１
面に、その各端子部５ａ 、 ５ａ 、・・・を含む半
導体ペレット接合面全体にわたって各端子部５ａ。
端子部５ａ 、 ５ａ 、・・・を配列形成した基板１
面に、その各端子部５ａ 、 ５ａ 、・・・を含む半
導体ペレット接合面全体にわたって各端子部５ａ。
５ａ、・・・の上から絶縁性接着剤６を第２図（ｂ）に
示すようにほぼ均一厚さに塗布する。
示すようにほぼ均一厚さに塗布する。
この後は、第２図（Ｃ）に示すように、前記絶縁性接着
剤６の上から半導体ペレット１を、その各端子部２，２
．・・・を基板４側の各端子部５ａ。
剤６の上から半導体ペレット１を、その各端子部２，２
．・・・を基板４側の各端子部５ａ。
５ａ、・・・とそれぞれ対応させて重ね、この状態で半
導体ペレット１をその上から加圧治具７により加圧して
半導体ペレット１と基板４とを相対的に押圧するととも
に、前記絶縁性接着剤６を硬化させて半導体ペレット１
と基板４とを絶縁性接着剤６によって接着接合する。
導体ペレット１をその上から加圧治具７により加圧して
半導体ペレット１と基板４とを相対的に押圧するととも
に、前記絶縁性接着剤６を硬化させて半導体ペレット１
と基板４とを絶縁性接着剤６によって接着接合する。
しかして、上記のように絶縁性接着剤６の上から半導体
ペレット１を重ねて半導体ペレット１と基板４とを相対
的に押圧すると、この押圧力により、半導体ペレット１
と基板４との両方の端子部２．５ｓ間の接着剤６がこの
端子部間の外側に押出され、両方の端子部２．５８が第
２図（Ｃ）に示すように互いに直接接触してこの両端子
部２゜５ａが導通接続される。なお、半導体ペレット１
と基板４とを相対的に押圧する加圧力は、７００ｇ〜１
Ｋｇ程度で十分であり、この程度の加圧力で半導体ペ
レット１と基板４とを相対的に押圧すると両端子部２，
５ｓ間の接着剤６がほぼ完全に押出されて両端子部２，
５ａが十分な導通性をもって接続される。また、この状
態で前記絶縁性接着剤６を硬化させると、この接着剤６
により半導体ペレット１と基板４とが互いに接着される
。
ペレット１を重ねて半導体ペレット１と基板４とを相対
的に押圧すると、この押圧力により、半導体ペレット１
と基板４との両方の端子部２．５ｓ間の接着剤６がこの
端子部間の外側に押出され、両方の端子部２．５８が第
２図（Ｃ）に示すように互いに直接接触してこの両端子
部２゜５ａが導通接続される。なお、半導体ペレット１
と基板４とを相対的に押圧する加圧力は、７００ｇ〜１
Ｋｇ程度で十分であり、この程度の加圧力で半導体ペ
レット１と基板４とを相対的に押圧すると両端子部２，
５ｓ間の接着剤６がほぼ完全に押出されて両端子部２，
５ａが十分な導通性をもって接続される。また、この状
態で前記絶縁性接着剤６を硬化させると、この接着剤６
により半導体ペレット１と基板４とが互いに接着される
。
なお、前記絶縁性接着剤６は、常温硬化型のものでも、
一般にホットメルト型と呼ばれている熱可塑性接着剤で
も、熱硬化型のものでも、あるいはＵＶインク等でもよ
く、例えば絶縁性接着剤６として常温硬化型接着剤を使
用する場合は、基板４面に接着剤を塗布した後、直ちに
半導体ペレット１を重ねて加圧し、この状態で接着剤を
硬化させればよい。また、絶縁性接着剤６としてＵＶイ
ンクを使用する場合は、基板４面に塗布した接着剤の上
に半導体ペレット１を重ねて加圧し、この状態で紫外線
を照射して接着剤を硬化させればよく、ざらに絶縁性接
着剤６としてホットメルト型と呼ばれている熱可塑性接
着剤を使用する場合−は、接着剤を基板４面に塗布して
これを乾燥させておき、その上に半導体ペレット１を重
ねて接着剤の溶融温度に加熱（加圧治具７を加熱治具を
兼ねるものとして半導体ペレット１側から加熱するか、
または他の手段で基板４の裏面側から加熱）しながら加
圧し、この後加圧状態で冷却して接着剤を硬化させれば
よい。また、絶縁性接着剤６として熱硬化型接着剤を使
用する場合は、接着剤の塗布後直ちに半導体ペレット１
を重ねて加圧し、この状態で接着剤の硬化温度に加熱す
るか、基板４面に塗布した接着剤を乾燥（硬化温度以下
の温度で乾燥）させておき、その上に半導体ペレット１
を重ねて加圧加熱して接着剤を硬化させればよい。
一般にホットメルト型と呼ばれている熱可塑性接着剤で
も、熱硬化型のものでも、あるいはＵＶインク等でもよ
く、例えば絶縁性接着剤６として常温硬化型接着剤を使
用する場合は、基板４面に接着剤を塗布した後、直ちに
半導体ペレット１を重ねて加圧し、この状態で接着剤を
硬化させればよい。また、絶縁性接着剤６としてＵＶイ
ンクを使用する場合は、基板４面に塗布した接着剤の上
に半導体ペレット１を重ねて加圧し、この状態で紫外線
を照射して接着剤を硬化させればよく、ざらに絶縁性接
着剤６としてホットメルト型と呼ばれている熱可塑性接
着剤を使用する場合−は、接着剤を基板４面に塗布して
これを乾燥させておき、その上に半導体ペレット１を重
ねて接着剤の溶融温度に加熱（加圧治具７を加熱治具を
兼ねるものとして半導体ペレット１側から加熱するか、
または他の手段で基板４の裏面側から加熱）しながら加
圧し、この後加圧状態で冷却して接着剤を硬化させれば
よい。また、絶縁性接着剤６として熱硬化型接着剤を使
用する場合は、接着剤の塗布後直ちに半導体ペレット１
を重ねて加圧し、この状態で接着剤の硬化温度に加熱す
るか、基板４面に塗布した接着剤を乾燥（硬化温度以下
の温度で乾燥）させておき、その上に半導体ペレット１
を重ねて加圧加熱して接着剤を硬化させればよい。
なお、絶縁性接着剤６として熱硬化型接着剤を使用する
場合は、半導体ペレット１に熱破壊を生じさせない程度
の比較的低温度で硬化するものを選ぶことが必要である
。
場合は、半導体ペレット１に熱破壊を生じさせない程度
の比較的低温度で硬化するものを選ぶことが必要である
。
このようにして半導体ペレット１を基板４に接着接合し
た後は、必要に応じて第３図に示すように半導体ペレッ
ト１をエポキシ樹脂等の合成樹脂８でモールドする。
た後は、必要に応じて第３図に示すように半導体ペレッ
ト１をエポキシ樹脂等の合成樹脂８でモールドする。
第４図は上記のようにして接合された半導体ペレット１
と基板４の接合部の一部分を拡大して示したもので、半
導体ペレット１は、その端子部２から金バンプをなくし
たものとされている。すなわち、第４図において、１１
は半導体ペレット１の基材（ここではＮ型基材）、１２
はＰ型拡散層、１３はＮ型拡散層であり、これら拡散層
１２．１３が形成されたペレット主面には酸化シリコン
（Ｓｉ ０２ ）からなる絶縁膜１４が形成され、その
上にはアルミニウムからなる配線１５が形成されている
。この配線１５は、前記絶縁膜１４に設けた開口部にお
いて前記拡散層１２．１３のうちの所定の拡散層と導通
されている。また、この配線１５は、ペレット外周縁部
に導出されており、この配線１５の端部は、外部回路と
の接続用パッド２ａとされ、このバッド２ａは、そのま
ま半導体ペレット１の端子部２とされている。また、３
は前記配線１５の上から半導体ペレット１の主面に形成
された酸化シリコンからなる絶縁保護膜であり、この保
［１３は、前記パッド２ａからなる端子部２を除いて形
成されている。
と基板４の接合部の一部分を拡大して示したもので、半
導体ペレット１は、その端子部２から金バンプをなくし
たものとされている。すなわち、第４図において、１１
は半導体ペレット１の基材（ここではＮ型基材）、１２
はＰ型拡散層、１３はＮ型拡散層であり、これら拡散層
１２．１３が形成されたペレット主面には酸化シリコン
（Ｓｉ ０２ ）からなる絶縁膜１４が形成され、その
上にはアルミニウムからなる配線１５が形成されている
。この配線１５は、前記絶縁膜１４に設けた開口部にお
いて前記拡散層１２．１３のうちの所定の拡散層と導通
されている。また、この配線１５は、ペレット外周縁部
に導出されており、この配線１５の端部は、外部回路と
の接続用パッド２ａとされ、このバッド２ａは、そのま
ま半導体ペレット１の端子部２とされている。また、３
は前記配線１５の上から半導体ペレット１の主面に形成
された酸化シリコンからなる絶縁保護膜であり、この保
［１３は、前記パッド２ａからなる端子部２を除いて形
成されている。
なお、この実施例において、半導体ペレット１の端子部
２から金バンプをなくしたのは、半導体ペレット１が基
板４に直接接合されるものであるために、ワイヤボンデ
ィングによる場合のようにバッド１５ａ上にポンディン
グワイヤの溶着のための金バンブを設けておく必要がな
いからであり、このように半導体ペレット１を端子部２
から金バンブをなくしたものとすれば、それだけ半導体
ペレット１が安価となる。
２から金バンプをなくしたのは、半導体ペレット１が基
板４に直接接合されるものであるために、ワイヤボンデ
ィングによる場合のようにバッド１５ａ上にポンディン
グワイヤの溶着のための金バンブを設けておく必要がな
いからであり、このように半導体ペレット１を端子部２
から金バンブをなくしたものとすれば、それだけ半導体
ペレット１が安価となる。
しかして、この半導体ペレットと基板の接合方法では、
上記のように、基板４面に絶縁性接着剤６を塗布し、そ
の上に半導体ペレット１を重ねて半導体ペレット１と基
板４とを相対的に押圧することにより、この押圧力で半
導体ペレット１と基板４との端子部２，５８間の接着剤
６をこの端子部２．５ａ間の外側に押出して両方の端子
部２゜５ａを導通接続させるようにしているから、前記
接着剤６は基板４面の各端子部５ａ 、 ５ａ 、・・
・を含む半導体ペレット接合面にべた塗りすればよいし
、また半導体ペレット１と基板４との接合も、半導体ペ
レット１と基板４とを相対的に押圧してその状態で接着
剤６を硬化させるだけで行なえるから、異方導電性接着
剤によって半導体ペレットと基板とを接着接合する方法
と同程度の短い時間で能率よく半導体ペレットと基板と
を接合することができる。また、この接合方法では、半
導体ペレット１と基板４との両方の両端子部２，５ａを
その間の絶縁性接着剤６を外側に押出すことによって直
接導通接続させるようにしているために、異方導電性接
着剤を使用する方法のように異方導電性接着剤中の導電
性粒子の分布のばらつきにょる導通不良部分を生ずるこ
ともなく、さらに、前記絶縁性接着剤６は異方導電性接
着剤に比べてがなり安価であるから、異方導電性接着剤
を用いる方法よりもさらにコストを低減することができ
る。
上記のように、基板４面に絶縁性接着剤６を塗布し、そ
の上に半導体ペレット１を重ねて半導体ペレット１と基
板４とを相対的に押圧することにより、この押圧力で半
導体ペレット１と基板４との端子部２，５８間の接着剤
６をこの端子部２．５ａ間の外側に押出して両方の端子
部２゜５ａを導通接続させるようにしているから、前記
接着剤６は基板４面の各端子部５ａ 、 ５ａ 、・・
・を含む半導体ペレット接合面にべた塗りすればよいし
、また半導体ペレット１と基板４との接合も、半導体ペ
レット１と基板４とを相対的に押圧してその状態で接着
剤６を硬化させるだけで行なえるから、異方導電性接着
剤によって半導体ペレットと基板とを接着接合する方法
と同程度の短い時間で能率よく半導体ペレットと基板と
を接合することができる。また、この接合方法では、半
導体ペレット１と基板４との両方の両端子部２，５ａを
その間の絶縁性接着剤６を外側に押出すことによって直
接導通接続させるようにしているために、異方導電性接
着剤を使用する方法のように異方導電性接着剤中の導電
性粒子の分布のばらつきにょる導通不良部分を生ずるこ
ともなく、さらに、前記絶縁性接着剤６は異方導電性接
着剤に比べてがなり安価であるから、異方導電性接着剤
を用いる方法よりもさらにコストを低減することができ
る。
なお、上記実施例では、基板４の半導体ペレット接合面
全体に絶縁性接着剤６を塗布しているが、この絶縁性接
着剤６は、端子部５８ 、５ａ 、・・・の配列部分に
のみ塗布してもよい。また、上記実施例では、半導体ペ
レット１を端子部２，２．・・・がら金バンブをなくし
たものとしているが、この半導体ペレット１は、第５図
に示すような、端子部２，２．・・・のパッド２ａ
（第４図参照）の上に金をメッキして金バンブ２ｂ、２
ｂ、・・・を形成したものであってもよく、また絶縁性
接着剤６は第５図に示すように半導体ペレット１の接合
面に塗布してもよいし、さらに絶縁性接着剤は、基板４
または半導体ペレット１に塗布する代わりに、あらかじ
めシート状に成形しておいて基板４と半導体ペレット１
の間に挟み込むようにしてもよい。
全体に絶縁性接着剤６を塗布しているが、この絶縁性接
着剤６は、端子部５８ 、５ａ 、・・・の配列部分に
のみ塗布してもよい。また、上記実施例では、半導体ペ
レット１を端子部２，２．・・・がら金バンブをなくし
たものとしているが、この半導体ペレット１は、第５図
に示すような、端子部２，２．・・・のパッド２ａ
（第４図参照）の上に金をメッキして金バンブ２ｂ、２
ｂ、・・・を形成したものであってもよく、また絶縁性
接着剤６は第５図に示すように半導体ペレット１の接合
面に塗布してもよいし、さらに絶縁性接着剤は、基板４
または半導体ペレット１に塗布する代わりに、あらかじ
めシート状に成形しておいて基板４と半導体ペレット１
の間に挟み込むようにしてもよい。
（発明の効果）
この発明は、半導体ペレットと基板とを、その両方の両
端子部が対向する部分を含む接合面に介在させた絶縁性
接着剤で接着接合するものであるから、異方導電性接着
剤によって半導体ペレットと基板とを接着接合する方法
と同程度の短い時間で能率よく半導体ペレットと基板と
を接合することができるし、また、半導体ペレットと基
板との両方の両端子部をその間の絶縁性接着剤を外側に
押出すことによって直接導通接続させるようにしている
ために、異方導電性接着剤を使用する方法のように異方
導電性接着剤中の導電性粒子の分布のばらつきによる導
通不良部分を生ずることもなく、さらに、前記絶縁性接
着剤は異方導電性接着剤に比べてかなり安価であるから
、異方導電性接着剤を用いる方法よりもさらにコストを
低減することができる。
端子部が対向する部分を含む接合面に介在させた絶縁性
接着剤で接着接合するものであるから、異方導電性接着
剤によって半導体ペレットと基板とを接着接合する方法
と同程度の短い時間で能率よく半導体ペレットと基板と
を接合することができるし、また、半導体ペレットと基
板との両方の両端子部をその間の絶縁性接着剤を外側に
押出すことによって直接導通接続させるようにしている
ために、異方導電性接着剤を使用する方法のように異方
導電性接着剤中の導電性粒子の分布のばらつきによる導
通不良部分を生ずることもなく、さらに、前記絶縁性接
着剤は異方導電性接着剤に比べてかなり安価であるから
、異方導電性接着剤を用いる方法よりもさらにコストを
低減することができる。
第１図〜第４図はこの発明の一実施例を示したもので、
第１図は接合方法の概略図、第２図は接合工程を示す端
子部配列線に沿う断面図、第３図は半導体ペレットをモ
ールドした状態の断面図、第４図は第３図のＡ−ＡＩに
沿う拡大断面図である、第５図はこの発明の他の実施例
を示す半導体ペレットと基板の端子部配列線に沿う断面
図である。 １・・・半導体ペレット、２・・・端子部、２ａ・・・
パッド、２ｂ・・・金バンブ、３・・・保護膜、４・・
・基板、５・・・配線、５ａ・・・端子部、６・・・絶
縁性接着剤、７・・・加圧冶具。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 （棒径方法の楓呪）
第１図は接合方法の概略図、第２図は接合工程を示す端
子部配列線に沿う断面図、第３図は半導体ペレットをモ
ールドした状態の断面図、第４図は第３図のＡ−ＡＩに
沿う拡大断面図である、第５図はこの発明の他の実施例
を示す半導体ペレットと基板の端子部配列線に沿う断面
図である。 １・・・半導体ペレット、２・・・端子部、２ａ・・・
パッド、２ｂ・・・金バンブ、３・・・保護膜、４・・
・基板、５・・・配線、５ａ・・・端子部、６・・・絶
縁性接着剤、７・・・加圧冶具。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 （棒径方法の楓呪）
Claims (1)
- 端子部を除く主面に保護膜が形成された半導体ペレッ
トと、この半導体ペレットの端子部に対応する端子部が
形成された基板とを、その両方の両端子部が対向する部
分を含む接合面に絶縁性接着剤を介在させて相対的に押
圧し、この押圧力により前記端子部間の前記接着剤をこ
の端子部間の外側に押出して前記両方の端子部を導通接
続させるとともに、前記接着剤により前記半導体ペレッ
トと前記基板とを接着することを特徴とする半導体ペレ
ットと基板の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033949A JPH0638436B2 (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 半導体ペレツトと基板の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033949A JPH0638436B2 (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 半導体ペレツトと基板の接合方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4020898A Division JPH06103706B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 半導体装置と基板の接合方法 |
| JP4020897A Division JPH06103705B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 半導体装置と基板の接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194732A true JPS61194732A (ja) | 1986-08-29 |
| JPH0638436B2 JPH0638436B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=12400752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60033949A Expired - Lifetime JPH0638436B2 (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 半導体ペレツトと基板の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638436B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63151033A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS642331A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH0234950A (ja) * | 1988-04-28 | 1990-02-05 | Seiko Epson Corp | 半導体素子の実装構造 |
| JPH05109818A (ja) * | 1991-10-16 | 1993-04-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体チツプの接続構造 |
| JP2004504723A (ja) * | 2000-07-17 | 2004-02-12 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 集積回路を備えた電子チップ部品およびその製造方法 |
| US7553890B2 (en) | 1997-03-31 | 2009-06-30 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Circuit-connecting material and circuit terminal connected structure and connecting method |
| US7629056B2 (en) | 1997-03-31 | 2009-12-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Circuit-connecting material and circuit terminal connected structure and connecting method |
| US9306132B2 (en) | 2013-03-28 | 2016-04-05 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| US9837587B2 (en) | 2013-03-28 | 2017-12-05 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light-emitting device with improved flexural resistance and electrical connection between layers, production method therefor, and device using light-emitting device |
| US9905545B2 (en) | 2014-03-25 | 2018-02-27 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light emitting device |
| US10096581B2 (en) | 2014-09-26 | 2018-10-09 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light emitting module |
| US10461063B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-10-29 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light-emitting device |
| US10483443B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-11-19 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US10553769B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-02-04 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light-emitting unit and manufacturing method of light-emitting unit |
| US10580949B2 (en) | 2014-09-26 | 2020-03-03 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Light emitting module |
Citations (3)
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-
1985
- 1985-02-22 JP JP60033949A patent/JPH0638436B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0638436B2 (ja) | 1994-05-18 |
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