JPH0563031A - 半導体装置と基板の接合方法 - Google Patents
半導体装置と基板の接合方法Info
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- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
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- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】異方導電性接着剤によって半導体装置と基板と
を接着接合する方法と同程度の短い時間で能率よく半導
体装置と基板とを接合することができると共に、半導体
装置と基板とを導通不良部分を生ずることなく確実に導
通接続することができ、しかも異方導電性接着剤を用い
る方法よりもさらにコストを低減することができる半導
体装置と基板の接合方法を提供する。 【構成】半導体装置１に形成された複数の端子部２と基
板４上に形成された複数の接続用端子部５ａとの間に紫
外線硬化型またはホットメルト型の絶縁性接着剤６を介
在し、半導体装置１と基板４とを相対的に、各端子部
２，５ａに５〜３０ｇ程度が加圧される加圧力で押圧
し、加圧状態で絶縁性接着剤６に紫外線を照射するかま
たは加熱および冷却して前記絶縁性接着剤６を硬化す
る。
を接着接合する方法と同程度の短い時間で能率よく半導
体装置と基板とを接合することができると共に、半導体
装置と基板とを導通不良部分を生ずることなく確実に導
通接続することができ、しかも異方導電性接着剤を用い
る方法よりもさらにコストを低減することができる半導
体装置と基板の接合方法を提供する。 【構成】半導体装置１に形成された複数の端子部２と基
板４上に形成された複数の接続用端子部５ａとの間に紫
外線硬化型またはホットメルト型の絶縁性接着剤６を介
在し、半導体装置１と基板４とを相対的に、各端子部
２，５ａに５〜３０ｇ程度が加圧される加圧力で押圧
し、加圧状態で絶縁性接着剤６に紫外線を照射するかま
たは加熱および冷却して前記絶縁性接着剤６を硬化す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置と基板の接
合方法に関する。
合方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣペレット等の半導体装置を基板に取
付ける方法としては、一般に、半導体装置のバンプと基
板の端子部とをワイヤボンディングにより接続する方法
が採用されているが、この方法では、ワイヤボンディン
グに時間がかかるだけでなく、ボンディングワイヤも高
価であるために、かなりコスト高となるから、最近で
は、半導体装置のバンプを直接基板の端子部に接続する
方法が検討されている。
付ける方法としては、一般に、半導体装置のバンプと基
板の端子部とをワイヤボンディングにより接続する方法
が採用されているが、この方法では、ワイヤボンディン
グに時間がかかるだけでなく、ボンディングワイヤも高
価であるために、かなりコスト高となるから、最近で
は、半導体装置のバンプを直接基板の端子部に接続する
方法が検討されている。
【０００３】半導体装置のバンプを直接基板の端子部に
接続する半導体装置と基板の接合方法としては、従来、
半導体装置と、この半導体装置の各バンプに対応する端
子部が形成された基板とを、その接合面に異方導電性接
着剤を介在させて相対的に押圧することにより、半導体
装置と基板とを前記異方導電性接着剤によって接着接合
する方法が考えられている。
接続する半導体装置と基板の接合方法としては、従来、
半導体装置と、この半導体装置の各バンプに対応する端
子部が形成された基板とを、その接合面に異方導電性接
着剤を介在させて相対的に押圧することにより、半導体
装置と基板とを前記異方導電性接着剤によって接着接合
する方法が考えられている。
【０００４】なお、前記異方導電性接着剤は、絶縁性接
着剤中に導電性粒子を、導電性粒子同志が互いに接触し
合わないような割合で混入したもので、この異方導電性
接着剤からなる接着剤層は、厚さ方向には導通性を示す
が面方向（横方向）には絶縁性をもっているから、半導
体装置と基板との接合面に異方導電性接着剤を介在させ
て半導体装置と基板とを相対的に押圧すると、半導体装
置の各バンプと基板の各端子部とが導通接続（導電性粒
子を介して導通接続）される。
着剤中に導電性粒子を、導電性粒子同志が互いに接触し
合わないような割合で混入したもので、この異方導電性
接着剤からなる接着剤層は、厚さ方向には導通性を示す
が面方向（横方向）には絶縁性をもっているから、半導
体装置と基板との接合面に異方導電性接着剤を介在させ
て半導体装置と基板とを相対的に押圧すると、半導体装
置の各バンプと基板の各端子部とが導通接続（導電性粒
子を介して導通接続）される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように異方導電性接着剤によって半導体装置と基板とを
接着接合する方法では、半導体装置の各バンプと基板の
各端子部との全てが必ず導通接続されるとは限らず、そ
のために信頼性が悪いという問題をもっていた。これ
は、前記異方導電性接着剤の導電性粒子の分布が不規則
にばらついているためであり、これに対して半導体装置
の各バンプの巾は非常に狭いから、異方導電性接着剤に
その導電性粒子の間隔が前記バンプの巾より広くなって
いる箇所があってこの箇所に半導体装置のバンプがたま
たま対応すると、この部分のバンプと基板の端子部との
間には導電性粒子が介在されずにこのバンプと端子部と
が導通接続されない状態になる。
ように異方導電性接着剤によって半導体装置と基板とを
接着接合する方法では、半導体装置の各バンプと基板の
各端子部との全てが必ず導通接続されるとは限らず、そ
のために信頼性が悪いという問題をもっていた。これ
は、前記異方導電性接着剤の導電性粒子の分布が不規則
にばらついているためであり、これに対して半導体装置
の各バンプの巾は非常に狭いから、異方導電性接着剤に
その導電性粒子の間隔が前記バンプの巾より広くなって
いる箇所があってこの箇所に半導体装置のバンプがたま
たま対応すると、この部分のバンプと基板の端子部との
間には導電性粒子が介在されずにこのバンプと端子部と
が導通接続されない状態になる。
【０００６】なお、異方導電性接着剤中の導電性粒子の
混入比を多くしてやれば、導電性粒子の間隔も小さくな
るから、全てのバンプと端子部とをほぼ確実に導通接続
することができるが、このように異方導電性接着剤中の
導電性粒子の混入比を多くすると、導電性粒子の間隔が
密になっている部分で導電性粒子同志が接触し合って隣
接するバンプ同志を短絡させてしまうことになる。
混入比を多くしてやれば、導電性粒子の間隔も小さくな
るから、全てのバンプと端子部とをほぼ確実に導通接続
することができるが、このように異方導電性接着剤中の
導電性粒子の混入比を多くすると、導電性粒子の間隔が
密になっている部分で導電性粒子同志が接触し合って隣
接するバンプ同志を短絡させてしまうことになる。
【０００７】また、上記異方導電性接着剤によって半導
体装置と基板とを接着接合する方法は、半導体装置また
は基板の接合面に異方接着剤を塗布して半導体装置と基
板とを押圧することで半導体装置値のバンプと基板の端
子部とを導通接続することができるから、短時間で半導
体装置と基板とを接合することができ、従ってワイヤボ
ンデシングによる方法に比べればある程度はコストを下
げることができるが、それでも、異方導電性接着剤が高
価であるために、大巾なコストダウンははかれなかっ
た。
体装置と基板とを接着接合する方法は、半導体装置また
は基板の接合面に異方接着剤を塗布して半導体装置と基
板とを押圧することで半導体装置値のバンプと基板の端
子部とを導通接続することができるから、短時間で半導
体装置と基板とを接合することができ、従ってワイヤボ
ンデシングによる方法に比べればある程度はコストを下
げることができるが、それでも、異方導電性接着剤が高
価であるために、大巾なコストダウンははかれなかっ
た。
【０００８】この発明は上記のような実情にかんがみて
なされたものであって、その目的とするところは、異方
導電性接着剤によって半導体装置と基板とを接着接合す
る方法と同程度の短い時間で能率よく半導体装置と基板
とを接合することができると共に、半導体装置と基板と
を導通不良部分を生ずることなく確実に導通接続するこ
とができ、しかも異方導電性接着剤を用いる方法よりも
さらにコストを低減することができる半導体装置と基板
の接合方法を提供することにある。
なされたものであって、その目的とするところは、異方
導電性接着剤によって半導体装置と基板とを接着接合す
る方法と同程度の短い時間で能率よく半導体装置と基板
とを接合することができると共に、半導体装置と基板と
を導通不良部分を生ずることなく確実に導通接続するこ
とができ、しかも異方導電性接着剤を用いる方法よりも
さらにコストを低減することができる半導体装置と基板
の接合方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置と
基板の接合方法は、半導体装置に形成された複数の端子
部と基板上に形成された複数の接続用端子部との間に紫
外線硬化型またはホットメルト型の絶縁性接着剤を介在
し、前記半導体装置と前記基板とを相対的に、前記各端
子部に５〜３０ｇ程度が加圧される加圧力で押圧し、加
圧状態で前記絶縁性接着剤に紫外線を照射するかまたは
加熱および冷却して前記絶縁性接着剤を硬化するように
したものである。
基板の接合方法は、半導体装置に形成された複数の端子
部と基板上に形成された複数の接続用端子部との間に紫
外線硬化型またはホットメルト型の絶縁性接着剤を介在
し、前記半導体装置と前記基板とを相対的に、前記各端
子部に５〜３０ｇ程度が加圧される加圧力で押圧し、加
圧状態で前記絶縁性接着剤に紫外線を照射するかまたは
加熱および冷却して前記絶縁性接着剤を硬化するように
したものである。
【００１０】
【作用】このような接合方法では、半導体装置と基板と
を、その両方が対向する部分を含む接合面に介在させた
絶縁性接着剤で接合するものであるから、異方導電性接
着剤によって半導体装置と基板とを接着接合する方法と
同様、短時間で能率良く接合できるものであるし、ま
た、半導体装置と基板とを相対的に、各端子部に５〜３
０ｇ程度が加圧される加圧力で押圧して絶縁性接着剤を
硬化するので、各端子部が破壊されることがなく且つ確
実に導通することになり、極めて信頼性の高い接合が得
られるし、さらに、導電性粒子を含まない絶縁性接着剤
は異方導電性接着剤に比べてかなり安価であるから、異
方導電性接着剤を用いる方法よりもコストを低減するこ
とができる。
を、その両方が対向する部分を含む接合面に介在させた
絶縁性接着剤で接合するものであるから、異方導電性接
着剤によって半導体装置と基板とを接着接合する方法と
同様、短時間で能率良く接合できるものであるし、ま
た、半導体装置と基板とを相対的に、各端子部に５〜３
０ｇ程度が加圧される加圧力で押圧して絶縁性接着剤を
硬化するので、各端子部が破壊されることがなく且つ確
実に導通することになり、極めて信頼性の高い接合が得
られるし、さらに、導電性粒子を含まない絶縁性接着剤
は異方導電性接着剤に比べてかなり安価であるから、異
方導電性接着剤を用いる方法よりもコストを低減するこ
とができる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の一実施例を参照して説明す
る。
る。
【００１２】図１において、１は半導体装置（例えばＩ
Ｃペレット）であり、この半導体装置１の主面には、そ
の外周に沿わせて多数の端子部２，２，…が配列され、
またこの半導体装置１の主面には、前記端子部２，２，
…を除いて、絶縁性の保護膜３が主面全面にわたって形
成されている。なお、この半導体装置１は、例えば一辺
の長さが４mmの方形で厚さが０．３mmのもので、各端子
部は０．１〜０．５mmのピッチで配列され（従って端子
部２の総数は３２〜１６０個程度）ている。
Ｃペレット）であり、この半導体装置１の主面には、そ
の外周に沿わせて多数の端子部２，２，…が配列され、
またこの半導体装置１の主面には、前記端子部２，２，
…を除いて、絶縁性の保護膜３が主面全面にわたって形
成されている。なお、この半導体装置１は、例えば一辺
の長さが４mmの方形で厚さが０．３mmのもので、各端子
部は０．１〜０．５mmのピッチで配列され（従って端子
部２の総数は３２〜１６０個程度）ている。
【００１３】また、４は絶縁材からなる配線基板であ
り、この基板４面には多数の配線５，５，…が形成され
ている。この各配線５，５，…は、基板４面の半導体装
置取付け位置から導出されており、各配線５，５，…の
半導体装置取付け位置側の端部はそれぞれ半導体装置１
の各端子部２，２，…とそれぞれ対応する半導体装置接
続用端子部５ａ，５ａ，…とされている。なお、この半
導体装置接続用端子部５ａ，５ａ，…の巾は、半導体装
置１の端子部２，２，…の巾よりわずかに狭い巾とされ
ている。
り、この基板４面には多数の配線５，５，…が形成され
ている。この各配線５，５，…は、基板４面の半導体装
置取付け位置から導出されており、各配線５，５，…の
半導体装置取付け位置側の端部はそれぞれ半導体装置１
の各端子部２，２，…とそれぞれ対応する半導体装置接
続用端子部５ａ，５ａ，…とされている。なお、この半
導体装置接続用端子部５ａ，５ａ，…の巾は、半導体装
置１の端子部２，２，…の巾よりわずかに狭い巾とされ
ている。
【００１４】この実施例は、半導体装置１と基板４との
一方例えば基板４の半導体装置取付け位置に、この基板
４面に形成した各端子部５ａ，５ａ，…の上から絶縁性
接着剤６を塗布し、その上に半導体装置１を重ねてこの
半導体装置１と基板４とを相対的に押圧することによ
り、半導体装置１側の各端子部２，２，…と基板４側の
各端子部５ａ，５ａ，…とを導通接続させるとともに、
前記絶縁性接着剤６を硬化させて半導体装置１と基板４
とを絶縁性接着剤６によって接着接合するものであり、
この半導体装置１と基板４との接合は具体的には次のよ
うにして行なわれる。
一方例えば基板４の半導体装置取付け位置に、この基板
４面に形成した各端子部５ａ，５ａ，…の上から絶縁性
接着剤６を塗布し、その上に半導体装置１を重ねてこの
半導体装置１と基板４とを相対的に押圧することによ
り、半導体装置１側の各端子部２，２，…と基板４側の
各端子部５ａ，５ａ，…とを導通接続させるとともに、
前記絶縁性接着剤６を硬化させて半導体装置１と基板４
とを絶縁性接着剤６によって接着接合するものであり、
この半導体装置１と基板４との接合は具体的には次のよ
うにして行なわれる。
【００１５】まず、図２（ａ）に示すような半導体装置
接続用端子部５ａ，５ａ，…を配列形成した基板１面
に、その各端子部５ａ，５ａ，…を含む半導体装置接合
面全体にわたって各端子部５ａ，５ａ，…の上から絶縁
性接着剤６を図２（ｂ）に示すようにほぼ均一厚さに塗
布する。
接続用端子部５ａ，５ａ，…を配列形成した基板１面
に、その各端子部５ａ，５ａ，…を含む半導体装置接合
面全体にわたって各端子部５ａ，５ａ，…の上から絶縁
性接着剤６を図２（ｂ）に示すようにほぼ均一厚さに塗
布する。
【００１６】この後は、図２（ｃ）に示すように、前記
絶縁性接着剤６の上から半導体装置１を、その各端子部
２，２，…を基板４側の各端子部５ａ，５ａ，…とそれ
ぞれ対応させて重ね、この状態で半導体装置１をその上
から加圧治具７により加圧して半導体装置１と基板４と
を相対的に押圧するとともに、前記絶縁性接着剤６を硬
化させて半導体装置１と基板４とを絶縁性接着剤６によ
って接着接合する。
絶縁性接着剤６の上から半導体装置１を、その各端子部
２，２，…を基板４側の各端子部５ａ，５ａ，…とそれ
ぞれ対応させて重ね、この状態で半導体装置１をその上
から加圧治具７により加圧して半導体装置１と基板４と
を相対的に押圧するとともに、前記絶縁性接着剤６を硬
化させて半導体装置１と基板４とを絶縁性接着剤６によ
って接着接合する。
【００１７】しかして、上記のように絶縁性接着剤６の
上から半導体装置１を重ねて半導体装置１と基板４とを
相対的に押圧すると、この押圧力により、半導体装置１
と基板４との両方の端子部２，５ａ間の接着剤６がこの
端子部間の外側に押出され、両方の端子部２，５ａが図
２（ｃ）に示すように互いに直接接触してこの両端子部
２，５ａが導通接続される。半導体装置１と基板４とを
相対的に押圧する加圧力は、７００ｇ〜１ｋｇ程度で十
分であり、これを前述した端子部２の総数で除すると、
端子部２１個当たりの加圧力は５〜３０ｇ程度となる。
この程度の加圧力で半導体装置１と基板４とを相対的に
押圧すると両端子部２，５ａ間の接着剤６がほぼ完全に
押出されて両端子部２，５ａが十分な導通性をもって接
続される。また、この状態で前記絶縁性接着剤６を硬化
させると、この接着剤６により半導体装置１と基板４と
が互いに接着される。
上から半導体装置１を重ねて半導体装置１と基板４とを
相対的に押圧すると、この押圧力により、半導体装置１
と基板４との両方の端子部２，５ａ間の接着剤６がこの
端子部間の外側に押出され、両方の端子部２，５ａが図
２（ｃ）に示すように互いに直接接触してこの両端子部
２，５ａが導通接続される。半導体装置１と基板４とを
相対的に押圧する加圧力は、７００ｇ〜１ｋｇ程度で十
分であり、これを前述した端子部２の総数で除すると、
端子部２１個当たりの加圧力は５〜３０ｇ程度となる。
この程度の加圧力で半導体装置１と基板４とを相対的に
押圧すると両端子部２，５ａ間の接着剤６がほぼ完全に
押出されて両端子部２，５ａが十分な導通性をもって接
続される。また、この状態で前記絶縁性接着剤６を硬化
させると、この接着剤６により半導体装置１と基板４と
が互いに接着される。
【００１８】なお、前記絶縁性接着剤６は、一般にホッ
トメルト型と呼ばれている熱可塑性接着剤でも、熱硬化
型のものでも、あるいはＵＶインク等でもよい。絶縁性
接着剤６としてＵＶインクを使用する場合は、基板４面
に塗布した接着剤の上に半導体装置１を重ねて加圧し、
この状態で紫外線を照射して接着剤を硬化させればよ
く、さらに絶縁性接着剤６としてホットメルト型と呼ば
れている熱可塑性接着剤を使用する場合は、接着剤を基
板４面に塗布してこれを乾燥させておき、その上に半導
体装置１を重ねて接着剤の溶融温度に加熱（加圧治具７
を加熱治具を兼ねるものとして半導体装置１側から加熱
するか、または他の手段で基板４の裏面側から加熱）し
ながら加圧し、この後加圧状態で冷却して接着剤を硬化
させればよい。
トメルト型と呼ばれている熱可塑性接着剤でも、熱硬化
型のものでも、あるいはＵＶインク等でもよい。絶縁性
接着剤６としてＵＶインクを使用する場合は、基板４面
に塗布した接着剤の上に半導体装置１を重ねて加圧し、
この状態で紫外線を照射して接着剤を硬化させればよ
く、さらに絶縁性接着剤６としてホットメルト型と呼ば
れている熱可塑性接着剤を使用する場合は、接着剤を基
板４面に塗布してこれを乾燥させておき、その上に半導
体装置１を重ねて接着剤の溶融温度に加熱（加圧治具７
を加熱治具を兼ねるものとして半導体装置１側から加熱
するか、または他の手段で基板４の裏面側から加熱）し
ながら加圧し、この後加圧状態で冷却して接着剤を硬化
させればよい。
【００１９】また、絶縁性接着剤６として熱硬化型接着
剤を使用する場合は、接着剤の塗布後直ちに半導体装置
１を重ねて加圧し、この状態で接着剤の硬化温度に加熱
するか、基板４面に塗布した接着剤を乾燥（硬化温度以
下の温度で乾燥）させておき、その上に半導体装置１を
重ねて加圧加熱して接着剤を硬化させればよい。なお、
絶縁性接着剤６として熱硬化型接着剤を使用する場合
は、半導体装置１に熱破壊を生じさせない程度の比較的
低温度で硬化するものを選ぶことが必要である。このよ
うにして半導体装置１を基板４に接着接合した後は、必
要に応じて図３に示すように半導体装置１をエポキシ樹
脂等の合成樹脂８でモールドする。
剤を使用する場合は、接着剤の塗布後直ちに半導体装置
１を重ねて加圧し、この状態で接着剤の硬化温度に加熱
するか、基板４面に塗布した接着剤を乾燥（硬化温度以
下の温度で乾燥）させておき、その上に半導体装置１を
重ねて加圧加熱して接着剤を硬化させればよい。なお、
絶縁性接着剤６として熱硬化型接着剤を使用する場合
は、半導体装置１に熱破壊を生じさせない程度の比較的
低温度で硬化するものを選ぶことが必要である。このよ
うにして半導体装置１を基板４に接着接合した後は、必
要に応じて図３に示すように半導体装置１をエポキシ樹
脂等の合成樹脂８でモールドする。
【００２０】図４は上記のようにして接合された半導体
装置１と基板４の接合部の一部分を拡大して示したもの
で、半導体装置１は、その端子部２から金バンプをなく
したものとされている。すなわち、図４において、１１
は半導体装置１の基材（ここではＮ型基材）、１２はＰ
型拡散層、１３はＮ型拡散層であり、これら拡散層１
２，１３が形成された装置主面には酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）からなる絶縁膜１４が形成され、その上にはアル
ミニウムからなる配線１５が形成されている。この配線
１５は、前記絶縁膜１４に設けた開口部において前記拡
散層１２，１３のうちの所定の拡散層と導通されてい
る。また、この配線１５は、装置外周縁部に導出されて
おり、この配線１５の端部は、外部回路との接続用パッ
ド２ａとされ、このパッド２ａは、そのまま半導体装置
１の端子部２とされている。また、３は前記配線１５の
上から半導体装置１の主面に形成された酸化シリコンか
らなる絶縁保護膜であり、この保護膜３は、前記パッド
２ａからなる端子部２を除いて形成されている。
装置１と基板４の接合部の一部分を拡大して示したもの
で、半導体装置１は、その端子部２から金バンプをなく
したものとされている。すなわち、図４において、１１
は半導体装置１の基材（ここではＮ型基材）、１２はＰ
型拡散層、１３はＮ型拡散層であり、これら拡散層１
２，１３が形成された装置主面には酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）からなる絶縁膜１４が形成され、その上にはアル
ミニウムからなる配線１５が形成されている。この配線
１５は、前記絶縁膜１４に設けた開口部において前記拡
散層１２，１３のうちの所定の拡散層と導通されてい
る。また、この配線１５は、装置外周縁部に導出されて
おり、この配線１５の端部は、外部回路との接続用パッ
ド２ａとされ、このパッド２ａは、そのまま半導体装置
１の端子部２とされている。また、３は前記配線１５の
上から半導体装置１の主面に形成された酸化シリコンか
らなる絶縁保護膜であり、この保護膜３は、前記パッド
２ａからなる端子部２を除いて形成されている。
【００２１】なお、この実施例において、半導体装置１
の端子部２から金バンプをなくしたのは、半導体装置１
が基板４に直接接合されるものであるために、ワイヤボ
ンディングによる場合のようにパッド１５ａ上にボンデ
ィングワイヤの溶着のための金バンプを設けておく必要
がないからであり、このように半導体装置１を端子部２
から金バンプをなくしたものとすれば、それだけ半導体
装置１が安価となる。
の端子部２から金バンプをなくしたのは、半導体装置１
が基板４に直接接合されるものであるために、ワイヤボ
ンディングによる場合のようにパッド１５ａ上にボンデ
ィングワイヤの溶着のための金バンプを設けておく必要
がないからであり、このように半導体装置１を端子部２
から金バンプをなくしたものとすれば、それだけ半導体
装置１が安価となる。
【００２２】しかして、この半導体装置と基板の接合方
法では、上記のように、基板４面に絶縁性接着剤６を塗
布し、その上に半導体装置１を重ねて半導体装置１と基
板４とを相対的に押圧することにより、この押圧力で半
導体装置１と基板４との端子部２，５ａ間の接着剤６を
この端子部２，５ａ間の外側に押出して両方の端子部
２，５ａを導通接続させるようにしているから、前記接
着剤６は基板４面の各端子部５ａ，５ａ，…を含む半導
体装置接合面にべた塗りすればよいし、また半導体装置
１と基板４との接合も、半導体装置１と基板４とを相対
的に押圧してその状態で接着剤６を硬化させるだけで行
えるから、異方導電性接着剤によって半導体装置と基板
とを接着接合する方法と道程度の短い時間で能率よく半
導体装置と基板とを接合することができる。
法では、上記のように、基板４面に絶縁性接着剤６を塗
布し、その上に半導体装置１を重ねて半導体装置１と基
板４とを相対的に押圧することにより、この押圧力で半
導体装置１と基板４との端子部２，５ａ間の接着剤６を
この端子部２，５ａ間の外側に押出して両方の端子部
２，５ａを導通接続させるようにしているから、前記接
着剤６は基板４面の各端子部５ａ，５ａ，…を含む半導
体装置接合面にべた塗りすればよいし、また半導体装置
１と基板４との接合も、半導体装置１と基板４とを相対
的に押圧してその状態で接着剤６を硬化させるだけで行
えるから、異方導電性接着剤によって半導体装置と基板
とを接着接合する方法と道程度の短い時間で能率よく半
導体装置と基板とを接合することができる。
【００２３】また、この接合方法では、半導体装置１と
基板４との両方の両端子部２，５ａをその間の絶縁性接
着剤６を外側に押出すことによって直接導通接続させる
ようにしているために、異方導電性接着剤を使用する方
法のように異方導電性接着剤中の導電性粒子の分布のば
らつきによる導通不良部分を生ずることもなく、さら
に、前記絶縁性接着剤６は異方導電性接着剤に比べてか
なり安価であるから、異方導電性接着剤を用いる方法よ
りもさらにコストを低減することができる。
基板４との両方の両端子部２，５ａをその間の絶縁性接
着剤６を外側に押出すことによって直接導通接続させる
ようにしているために、異方導電性接着剤を使用する方
法のように異方導電性接着剤中の導電性粒子の分布のば
らつきによる導通不良部分を生ずることもなく、さら
に、前記絶縁性接着剤６は異方導電性接着剤に比べてか
なり安価であるから、異方導電性接着剤を用いる方法よ
りもさらにコストを低減することができる。
【００２４】なお、上記実施例では、基板４の半導体装
置接合面全体に絶縁性接着剤６を塗布しているが、この
絶縁性接着剤６は、端子部５ａ，５ａ，…の配列部分に
のみ塗布してもよい。また、上記実施例では、半導体装
置１を端子部２，２，…から金バンプをなくしたものと
なしているが、この半導体装置１は、図５に示すよう
な、端子部２，２，…のパッド２ａ（図４参照）の上に
金をメッキして金バンプ２ｂ，２ｂ，…を形成したもの
であってもよく、また絶縁性接着剤６は図５に示すよう
に半導体装置１の接合面に塗布してもよいし、さらに絶
縁性接着剤は、基板４または半導体装置１に塗布する代
わりに、あらかじめシート状に成形しておいて基板４と
半導体装置１の間に挟み込むようにしてもよい。
置接合面全体に絶縁性接着剤６を塗布しているが、この
絶縁性接着剤６は、端子部５ａ，５ａ，…の配列部分に
のみ塗布してもよい。また、上記実施例では、半導体装
置１を端子部２，２，…から金バンプをなくしたものと
なしているが、この半導体装置１は、図５に示すよう
な、端子部２，２，…のパッド２ａ（図４参照）の上に
金をメッキして金バンプ２ｂ，２ｂ，…を形成したもの
であってもよく、また絶縁性接着剤６は図５に示すよう
に半導体装置１の接合面に塗布してもよいし、さらに絶
縁性接着剤は、基板４または半導体装置１に塗布する代
わりに、あらかじめシート状に成形しておいて基板４と
半導体装置１の間に挟み込むようにしてもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明の接合方法に
よれば、半導体装置と基板とを、その両方が対向する部
分を含む接合面に介在させた絶縁性接着剤で接合するも
のであるから、異方導電性接着剤によって半導体装置と
基板とを接着接合する方法と同様、短時間で能率良く接
合できるし、また、半導体装置と基板とを相対的に、各
端子部に５〜３０ｇ程度が加圧される加圧力で押圧して
絶縁性接着剤を硬化するので、各端子部が破壊されるこ
とがなく且つ確実に導通することとなり、極めて信頼性
の高い接合が得られ、さらに、導電性粒子を含まない絶
縁性接着剤は異方導電性接着剤に比べてかなり安価であ
るから、異方導電性接着剤を用いる方法よりもコストを
低減することができる、などの効果を奏する。
よれば、半導体装置と基板とを、その両方が対向する部
分を含む接合面に介在させた絶縁性接着剤で接合するも
のであるから、異方導電性接着剤によって半導体装置と
基板とを接着接合する方法と同様、短時間で能率良く接
合できるし、また、半導体装置と基板とを相対的に、各
端子部に５〜３０ｇ程度が加圧される加圧力で押圧して
絶縁性接着剤を硬化するので、各端子部が破壊されるこ
とがなく且つ確実に導通することとなり、極めて信頼性
の高い接合が得られ、さらに、導電性粒子を含まない絶
縁性接着剤は異方導電性接着剤に比べてかなり安価であ
るから、異方導電性接着剤を用いる方法よりもコストを
低減することができる、などの効果を奏する。
【図１】この発明の一実施例を示す接合方法の概略図。
【図２】同じく接合工程を示す端子部配列線に沿う断面
図。
図。
【図３】同じく半導体装置をモールドした状態の断面
図。
図。
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図。
【図５】この発明の他の実施例を示す半導体装置と基板
の端子部配列線に沿う断面図。
の端子部配列線に沿う断面図。
１…半導体装置、２…端子部、２ａ…パッド、２ｂ…金
バンプ、３…保護膜、４…基板、５…配線、５ａ…端子
部、６…絶縁性接着剤、７…加圧治具。
バンプ、３…保護膜、４…基板、５…配線、５ａ…端子
部、６…絶縁性接着剤、７…加圧治具。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 正木 久士 東京都羽村市栄町３丁目２番１号 カシオ 計算機株式会社羽村技術センター内（市制 実施による住居表示の変更） (72)発明者 鑓田 好男 東京都羽村市栄町３丁目２番１号 カシオ 計算機株式会社羽村技術センター内（市制 実施による住居表示の変更） (72)発明者 厚見 好則 東京都羽村市栄町３丁目２番１号 カシオ 計算機株式会社羽村技術センター内（市制 実施による住居表示の変更） (72)発明者 玉木 敏晴 東京都羽村市栄町３丁目２番１号 カシオ 計算機株式会社羽村技術センター内（市制 実施による住居表示の変更）
Claims (1)
- 【請求項１】半導体装置に形成された複数の端子部と、
該端子部の各々に対応して基板上に形成された複数の接
続用端子部との間に紫外線硬化型またはホットメルト型
の絶縁性接着剤を介在し、前記半導体装置の各端子部と
前記基板の各接続用端子部を位置合わせして、前記半導
体装置と前記基板とを相対的に、前記各端子部に５〜３
０ｇ程度が加圧される加圧力で押圧し、加圧状態で前記
絶縁性接着剤に紫外線を照射するかまたは加熱および冷
却して前記絶縁性接着剤を硬化することを特徴とする半
導体装置と基板の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4020898A JPH06103706B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 半導体装置と基板の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4020898A JPH06103706B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 半導体装置と基板の接合方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60033949A Division JPH0638436B2 (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 半導体ペレツトと基板の接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563031A true JPH0563031A (ja) | 1993-03-12 |
| JPH06103706B2 JPH06103706B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=12040049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4020898A Expired - Lifetime JPH06103706B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 半導体装置と基板の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103706B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998028788A1 (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Nitto Denko Corporation | Manufacture of semiconductor device |
| KR100379562B1 (ko) * | 2001-02-15 | 2003-04-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지의 플립칩 본딩방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56122193A (en) * | 1980-01-31 | 1981-09-25 | Rogers Corp | Electrically connected unit and method therefor |
| JPS56167340A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-23 | Toshiba Corp | Junction of semicondctor pellet with substrate |
| JPS5873126A (ja) * | 1981-10-27 | 1983-05-02 | Seiko Keiyo Kogyo Kk | 半導体装置の実装方法 |
-
1992
- 1992-02-06 JP JP4020898A patent/JPH06103706B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56122193A (en) * | 1980-01-31 | 1981-09-25 | Rogers Corp | Electrically connected unit and method therefor |
| JPS56167340A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-23 | Toshiba Corp | Junction of semicondctor pellet with substrate |
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|---|---|---|---|---|
| WO1998028788A1 (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Nitto Denko Corporation | Manufacture of semiconductor device |
| US6333206B1 (en) | 1996-12-24 | 2001-12-25 | Nitto Denko Corporation | Process for the production of semiconductor device |
| KR100379562B1 (ko) * | 2001-02-15 | 2003-04-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지의 플립칩 본딩방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103706B2 (ja) | 1994-12-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |