JPH0638437B2 - 半導体ペレツトの接合方法 - Google Patents
半導体ペレツトの接合方法Info
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- JPH0638437B2 JPH0638437B2 JP60048515A JP4851585A JPH0638437B2 JP H0638437 B2 JPH0638437 B2 JP H0638437B2 JP 60048515 A JP60048515 A JP 60048515A JP 4851585 A JP4851585 A JP 4851585A JP H0638437 B2 JPH0638437 B2 JP H0638437B2
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
- H05K1/095—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks for polymer thick films, i.e. having a permanent organic polymeric binder
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
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- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
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- Power Engineering (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、半導体ペレットを配線基板のような基板に
直接接合する半導体ペレットの接合方法に関するもので
ある。
直接接合する半導体ペレットの接合方法に関するもので
ある。
〔発明の技術的背景とその問題点〕 ＬＳＩペレット等の半導体ペレットを配線基板に取付け
る方法としては、一般に、半導体ペレットの外部回路接
続パッド上に設けた金バンプと配線基板面の半導体ペレ
ット接続端子とをワイヤボンディングにより接続する方
法が広く利用されているが、この方法は、ワイヤボンデ
ィングに時間がかかるとともに、ボンディングワイヤと
して高価な金ワイヤ等を使用しなければならないから、
最近では、半導体ペレットを配線基板面に直接接合する
方法が採用されるようになってきている。
る方法としては、一般に、半導体ペレットの外部回路接
続パッド上に設けた金バンプと配線基板面の半導体ペレ
ット接続端子とをワイヤボンディングにより接続する方
法が広く利用されているが、この方法は、ワイヤボンデ
ィングに時間がかかるとともに、ボンディングワイヤと
して高価な金ワイヤ等を使用しなければならないから、
最近では、半導体ペレットを配線基板面に直接接合する
方法が採用されるようになってきている。
半導体ペレットを配線基板面に直接接合する方法として
は、従来、半導体ペレットの主面に形成されている複数
の外部回路接続パッドの表面に金をメッキして金バンプ
を形成するとともに、この半導体ペレットの各金バンプ
と対応する複数の半導体ペレット接続端子を配列形成し
た配線基板面に前記各端子の上から異方導電性接着剤を
塗布し、この異方導電性接着剤の上から配線基板面に半
導体ペレットを重ねて半導体ペレットと配線基板とを相
対的に押圧することにより、半導体ペレットと配線基板
とをその各バンプと端子とを導通させて接着する方法が
採用されている。
は、従来、半導体ペレットの主面に形成されている複数
の外部回路接続パッドの表面に金をメッキして金バンプ
を形成するとともに、この半導体ペレットの各金バンプ
と対応する複数の半導体ペレット接続端子を配列形成し
た配線基板面に前記各端子の上から異方導電性接着剤を
塗布し、この異方導電性接着剤の上から配線基板面に半
導体ペレットを重ねて半導体ペレットと配線基板とを相
対的に押圧することにより、半導体ペレットと配線基板
とをその各バンプと端子とを導通させて接着する方法が
採用されている。
なお、前記異方導電性接着剤は、絶縁性接着剤中に導電
性粒子を、導電性粒子同志が互いに接触し合わないよう
な割合で混入したもので、この異方導電性接着剤からな
る接着剤層は、厚さ方向には導通性を示すが面方向（横
方向）には絶縁性をもっているから、半導体ペレットと
配線基板との接合面に異方導電性接着剤を介在させて半
導体ペレットと配線基板とを相対的に押圧すると、半導
体ペレットの各バンプと配線基板の各端子とが導通（導
電性粒子を介して導通）される。
性粒子を、導電性粒子同志が互いに接触し合わないよう
な割合で混入したもので、この異方導電性接着剤からな
る接着剤層は、厚さ方向には導通性を示すが面方向（横
方向）には絶縁性をもっているから、半導体ペレットと
配線基板との接合面に異方導電性接着剤を介在させて半
導体ペレットと配線基板とを相対的に押圧すると、半導
体ペレットの各バンプと配線基板の各端子とが導通（導
電性粒子を介して導通）される。
また、上記接合方法において、半導体ペレットの外部回
路接続パッドの表面に金バンプを設けているのは、半導
体ペレットのパッドは一般にアルミニウムからなってお
り、このパッドの表面を金バンプで被覆せずに配線基板
と接合すると、長期のうちにパッドが酸化して導通不良
を起すからであり、上記のようにパッド上に金バンプを
設けておけば、パッドの酸化を防いで導通不良の発生を
防止することができる。
路接続パッドの表面に金バンプを設けているのは、半導
体ペレットのパッドは一般にアルミニウムからなってお
り、このパッドの表面を金バンプで被覆せずに配線基板
と接合すると、長期のうちにパッドが酸化して導通不良
を起すからであり、上記のようにパッド上に金バンプを
設けておけば、パッドの酸化を防いで導通不良の発生を
防止することができる。
すなわち、上記接合方法は、半導体ペレットを直接配線
基板面に接着接合するもので、この接合方法によれば、
ワイヤボンディングに比べて、短時間で能率よくかつ低
コストに半導体ペレットを配線基板に取付けることがで
きる。
基板面に接着接合するもので、この接合方法によれば、
ワイヤボンディングに比べて、短時間で能率よくかつ低
コストに半導体ペレットを配線基板に取付けることがで
きる。
しかしながら、従来は、上記のように、半導体ペレット
のパッド上に高価な金バンプを設けて半導体ペレットの
パッドの酸化を防ぐようにしているために、半導体ペレ
ットがかなり高価となり、そのために、大巾なコストダ
ウンをはかることはできなかった。なお、上記バンプを
半田バンプとすれば、半導体ペレットの価格を低減させ
てコストを下げることができるが、半田バンプはフラッ
クスを含んでいるために、半田バンプでは配線基板面の
端子との導通に信頼がもてなくなる。
のパッド上に高価な金バンプを設けて半導体ペレットの
パッドの酸化を防ぐようにしているために、半導体ペレ
ットがかなり高価となり、そのために、大巾なコストダ
ウンをはかることはできなかった。なお、上記バンプを
半田バンプとすれば、半導体ペレットの価格を低減させ
てコストを下げることができるが、半田バンプはフラッ
クスを含んでいるために、半田バンプでは配線基板面の
端子との導通に信頼がもてなくなる。
この発明は上記のような実情にかんがみてなされたもの
であって、その目的とするところは、半導体ペレットの
パッド上に高価な金バンプを設けることなく前記パッド
の酸化を防ぐことができるようにした、コストの大巾な
低減をはかることができる半導体ペレットの接合方法を
提供することにある。
であって、その目的とするところは、半導体ペレットの
パッド上に高価な金バンプを設けることなく前記パッド
の酸化を防ぐことができるようにした、コストの大巾な
低減をはかることができる半導体ペレットの接合方法を
提供することにある。
すなわち、この発明は、一面に形成された保護膜に没入
された複数のパッドを有する半導体ペレットと前記各パ
ッドに対応する複数の端子を有する基板との接合方法に
おいて、前記半導体ペレットの各パッドに前記保護膜か
ら突出するように導電性インクを被着し、この後、前記
半導体ペレットを、その各パッドを前記基板の各端子と
対向させて前記基板に接着することを特徴とするもので
ある。
された複数のパッドを有する半導体ペレットと前記各パ
ッドに対応する複数の端子を有する基板との接合方法に
おいて、前記半導体ペレットの各パッドに前記保護膜か
ら突出するように導電性インクを被着し、この後、前記
半導体ペレットを、その各パッドを前記基板の各端子と
対向させて前記基板に接着することを特徴とするもので
ある。
つまり、この発明は、半導体ペレットの各パッドに前記
半導体ペレットの保護膜から突出するように導電性イン
クを被着して、この導電性インクにより前記各パッドと
前記基板の各端子とを導通接続するとともに、前記導電
性インクで前記各パッドを被覆することにより、この導
電性インクで前記パッドを酸化しないように保護するも
のであり、この発明によれば、半導体ペレットのパッド
上に高価な金バンプを設けることなく前記パッドの酸化
を防ぐことができるし、また、導電性インクはかなり安
価であるから、コストも大巾に低減することができる。
半導体ペレットの保護膜から突出するように導電性イン
クを被着して、この導電性インクにより前記各パッドと
前記基板の各端子とを導通接続するとともに、前記導電
性インクで前記各パッドを被覆することにより、この導
電性インクで前記パッドを酸化しないように保護するも
のであり、この発明によれば、半導体ペレットのパッド
上に高価な金バンプを設けることなく前記パッドの酸化
を防ぐことができるし、また、導電性インクはかなり安
価であるから、コストも大巾に低減することができる。
以下、この発明の第１の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
第１図および第２図は半導体ペレット例えばＬＳＩペレ
ットを配線基板面に接合した状態を示したもので、図中
１は配線基板（基板）であり、この配線基板１面には第
６図に示すように多数の配線２，２，…が形成されてい
る。この各配線２，２，…は、配線基板１のＬＳＩペレ
ット接合部から導出されており、各配線２，２，…のＬ
ＳＩペレット接合部側の端部は、ＬＳＩペレット10の主
面（配線基板接合面）に配列形成されている多数の外部
回路接続パッド11,11,…とそれぞれ対応するＬＳＩペレ
ット接続端子２ａ，２ａ，…とされている。
ットを配線基板面に接合した状態を示したもので、図中
１は配線基板（基板）であり、この配線基板１面には第
６図に示すように多数の配線２，２，…が形成されてい
る。この各配線２，２，…は、配線基板１のＬＳＩペレ
ット接合部から導出されており、各配線２，２，…のＬ
ＳＩペレット接合部側の端部は、ＬＳＩペレット10の主
面（配線基板接合面）に配列形成されている多数の外部
回路接続パッド11,11,…とそれぞれ対応するＬＳＩペレ
ット接続端子２ａ，２ａ，…とされている。
また、20,20,…は前記ＬＳＩペレット10の各パッド11,1
1,…の表面に被着されたカーボンインク（導電性イン
ク）であり、このカーボンインク20,20,…は、前記各パ
ッド11,11,…の表面を完全に覆うように、各パッド11,1
1,…より若干広巾に被着されている。なお、第２図にお
いて、12はＬＳＩペレット10の基材（ここではＮ型基
材）、13はＰ型拡散層、14はＮ型拡散層であり、これら
拡散層13,14が形成されたペレット主面には酸化シリコ
ン（ＳｉＯ２）からなる絶縁膜15が形成され、その上に
はアルミニウムからなる配線16が形成されている。この
配線16は、前記絶縁膜15に設けた開口部において前記拡
散層13,14のうちの所定の拡散層と導通されており、こ
の配線16の導出端は外部回路接続パッド11とされてい
る。17は前記配線16を覆う酸化シリコンからなる絶縁保
護膜であり、この保護膜17は、前記パッド11部分を除い
てチップ全面に形成され、これによって前記パッド11,1
1部分は前記保護膜17に没入されており、またカーボン
インク20,20,…は前記保護膜17から突出している。
1,…の表面に被着されたカーボンインク（導電性イン
ク）であり、このカーボンインク20,20,…は、前記各パ
ッド11,11,…の表面を完全に覆うように、各パッド11,1
1,…より若干広巾に被着されている。なお、第２図にお
いて、12はＬＳＩペレット10の基材（ここではＮ型基
材）、13はＰ型拡散層、14はＮ型拡散層であり、これら
拡散層13,14が形成されたペレット主面には酸化シリコ
ン（ＳｉＯ２）からなる絶縁膜15が形成され、その上に
はアルミニウムからなる配線16が形成されている。この
配線16は、前記絶縁膜15に設けた開口部において前記拡
散層13,14のうちの所定の拡散層と導通されており、こ
の配線16の導出端は外部回路接続パッド11とされてい
る。17は前記配線16を覆う酸化シリコンからなる絶縁保
護膜であり、この保護膜17は、前記パッド11部分を除い
てチップ全面に形成され、これによって前記パッド11,1
1部分は前記保護膜17に没入されており、またカーボン
インク20,20,…は前記保護膜17から突出している。
一方、３は前記配線基板１面のＬＳＩチップ接合部に、
全てのＬＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，…を覆うよ
うに形成されたＬＳＩペレット接合材であり、この接合
材３は、ＬＳＩペレット接合部にその全面にわたって均
一に塗布した絶縁性接着剤３ａ中に、多数の導電性粒子
４，４，…を埋込んだものである。この導電性粒子４，
４，…は、ＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…上に被
着したカーボンインク20,20,…と配線基板１面のＬＳＩ
ペレット接続端子２ａ，２ａ，…とのいずれの巾よりも
小さく、かつ前記カーボンインク20,20,…間の間隔とＬ
ＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，…間の間隔とのいず
れよりも小さい粒径のものとされており、この導電性粒
子４，４，…は、絶縁性接着剤３ａ中に、前記カーボン
インク20,20,…とＬＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，
…とのいずれの巾よりも小さい間隔で等間隔に埋込まれ
ている。なお、この導電性粒子４，４，…としては、例
えばニッケル粒子を金メッキしたものや、銅粒子を金ま
たは銀メッキしたもの等がある。
全てのＬＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，…を覆うよ
うに形成されたＬＳＩペレット接合材であり、この接合
材３は、ＬＳＩペレット接合部にその全面にわたって均
一に塗布した絶縁性接着剤３ａ中に、多数の導電性粒子
４，４，…を埋込んだものである。この導電性粒子４，
４，…は、ＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…上に被
着したカーボンインク20,20,…と配線基板１面のＬＳＩ
ペレット接続端子２ａ，２ａ，…とのいずれの巾よりも
小さく、かつ前記カーボンインク20,20,…間の間隔とＬ
ＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，…間の間隔とのいず
れよりも小さい粒径のものとされており、この導電性粒
子４，４，…は、絶縁性接着剤３ａ中に、前記カーボン
インク20,20,…とＬＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，
…とのいずれの巾よりも小さい間隔で等間隔に埋込まれ
ている。なお、この導電性粒子４，４，…としては、例
えばニッケル粒子を金メッキしたものや、銅粒子を金ま
たは銀メッキしたもの等がある。
そして、前記ＬＳＩペレット10は、その各パッド11,11,
…上に被着したカーボンインク20,20,…と配線基板１面
の各端子２ａ，２ａ，…とを接合材３中の導電性粒子
４，４，…により導通させた状態で、第１図および第２
図に示すように前記接合材３の絶縁性接着剤３ａにより
配線基板１面に接着接合されている。
…上に被着したカーボンインク20,20,…と配線基板１面
の各端子２ａ，２ａ，…とを接合材３中の導電性粒子
４，４，…により導通させた状態で、第１図および第２
図に示すように前記接合材３の絶縁性接着剤３ａにより
配線基板１面に接着接合されている。
なお、第１図および第２図において、30は配線基板１面
に接合されたＬＳＩペレット10をモールドするエポキシ
樹脂等のモールド樹脂であり、このモールド樹脂30は、
ＬＳＩペレット10の接合後に塗布されたものである。
に接合されたＬＳＩペレット10をモールドするエポキシ
樹脂等のモールド樹脂であり、このモールド樹脂30は、
ＬＳＩペレット10の接合後に塗布されたものである。
次に、配線基板１面にＬＳＩペレット10を接合する方法
を説明する。
を説明する。
この接合方法は、ＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…
の表面にカーボンインク20,20,…を被着し、配線基板１
面に前記接合材３を形成した後に、ＬＳＩペレット10を
その各パッド11,11,…を配線基板１面の各端子２ａ，２
ａ，…と対向させて前記接合材３により配線基板１面に
接着するもので、ＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…
表面へのカーボンインク20,20,…の被着および配線基板
１面への接合材３の形成は次のようにして行なわれる。
の表面にカーボンインク20,20,…を被着し、配線基板１
面に前記接合材３を形成した後に、ＬＳＩペレット10を
その各パッド11,11,…を配線基板１面の各端子２ａ，２
ａ，…と対向させて前記接合材３により配線基板１面に
接着するもので、ＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…
表面へのカーボンインク20,20,…の被着および配線基板
１面への接合材３の形成は次のようにして行なわれる。
すなわち、第４図はＬＳＩペレット10の各パッド11,11,
…の表面にカーボンインク20,20,…を被着する方法の一
例を示したもので、このカーボンインク20,20は次のよ
うにしてＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…上に被着
される。
…の表面にカーボンインク20,20,…を被着する方法の一
例を示したもので、このカーボンインク20,20は次のよ
うにしてＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…上に被着
される。
まず、第４図（ａ）に示すように、平坦なプレート40の
上面にカーボンインク20を均一厚さに塗布し、このカー
ボンインク20の上に、ＬＳＩペレット10のパッド11,11,
…より若干広巾な多数の凸部41a,41a…をＬＳＩペレッ
ト10の各パッド11,11,…と対応する間隔で突設した凸版
部材41を第４図（ｂ）に示すように押付けて、凸版部材
41の各凸部41a,41a,…にカーボンインク20を付着させ
る。
上面にカーボンインク20を均一厚さに塗布し、このカー
ボンインク20の上に、ＬＳＩペレット10のパッド11,11,
…より若干広巾な多数の凸部41a,41a…をＬＳＩペレッ
ト10の各パッド11,11,…と対応する間隔で突設した凸版
部材41を第４図（ｂ）に示すように押付けて、凸版部材
41の各凸部41a,41a,…にカーボンインク20を付着させ
る。
この後は、凸版部材41を第４図（ｃ）に示すように引上
げて、この凸版部材41をその各凸部41a,41aをＬＳＩペ
レット10の各パッド11,11,…と対向させて第４図（ｄ）
に示すようにＬＳＩペレット10に押付け、凸版部材41の
各凸部41a,41a,…に付着しているカーボンインク20,20,
…をＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…の表面に被着
させた後に、凸版部材41を引上げてから、各パッド11,1
1,…の表面に被着させたカーボンインク20,20,…を乾燥
させる。
げて、この凸版部材41をその各凸部41a,41aをＬＳＩペ
レット10の各パッド11,11,…と対向させて第４図（ｄ）
に示すようにＬＳＩペレット10に押付け、凸版部材41の
各凸部41a,41a,…に付着しているカーボンインク20,20,
…をＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…の表面に被着
させた後に、凸版部材41を引上げてから、各パッド11,1
1,…の表面に被着させたカーボンインク20,20,…を乾燥
させる。
また、第５図は配線基板１面にＬＳＩペレット接合材３
を形成する方法の一例を示したもので、この接合材３は
次のようにして形成される。
を形成する方法の一例を示したもので、この接合材３は
次のようにして形成される。
まず、各配線２，２，…およびＬＳＩペレット接続端子
２ａ，２ａ，…等を形成した配線基板１面に、そのＬＳ
Ｉペレット接合部全体にわたって絶縁性接着剤３ａを第
５図（ａ）に示すように均一厚さに塗布する。なお、こ
の絶縁性接着剤３ａは、この絶縁性接着剤３ａ中に埋込
まれる導電性粒子の４，４，…のうちの最大粒子の粒径
に応じて、例えば最大粒子の粒径が４０μである場合は
端子２ａ，２ａ上の層厚が４０〜６０μ程度になるよう
に塗布する。
２ａ，２ａ，…等を形成した配線基板１面に、そのＬＳ
Ｉペレット接合部全体にわたって絶縁性接着剤３ａを第
５図（ａ）に示すように均一厚さに塗布する。なお、こ
の絶縁性接着剤３ａは、この絶縁性接着剤３ａ中に埋込
まれる導電性粒子の４，４，…のうちの最大粒子の粒径
に応じて、例えば最大粒子の粒径が４０μである場合は
端子２ａ，２ａ上の層厚が４０〜６０μ程度になるよう
に塗布する。
次に、この絶縁性接着剤３ａの塗布層の上に第５図
（ｂ）に示すようにメッシュスクリーン５を載置する。
このメッシュスクリーン５は、テトロン等の樹脂繊維
か、またはエッチング等により微細な開口を形成したス
テンレス等の薄板からなるもので、このメッシュスクリ
ーン５は、前記導電性粒子の４，４，…のうちの最大粒
子の粒径よりもわずかに大きい多数の開口５ａ，５ａ，
…を、前記絶縁性接着剤３ａ中への導電性粒子４，４，
…の埋込み間隔と同じ間隔で等間隔に形成したものとさ
れている。なお、このメッシュスクリーン５の厚さは、
最大径の導電性粒子４の粒径とほぼ同じか、あるいはそ
れよりわずかに厚くされている。
（ｂ）に示すようにメッシュスクリーン５を載置する。
このメッシュスクリーン５は、テトロン等の樹脂繊維
か、またはエッチング等により微細な開口を形成したス
テンレス等の薄板からなるもので、このメッシュスクリ
ーン５は、前記導電性粒子の４，４，…のうちの最大粒
子の粒径よりもわずかに大きい多数の開口５ａ，５ａ，
…を、前記絶縁性接着剤３ａ中への導電性粒子４，４，
…の埋込み間隔と同じ間隔で等間隔に形成したものとさ
れている。なお、このメッシュスクリーン５の厚さは、
最大径の導電性粒子４の粒径とほぼ同じか、あるいはそ
れよりわずかに厚くされている。
この後は、第５図（ｃ）に示すように前記メッシュスク
リーン５の上からその全面にわたって導電性粒子４，
４，…をほぼ均一厚さに散布し、次いでその上から第５
図（ｄ）に示すようにローラ６等の加圧治具により加圧
して、メッシュスクリーン５の各開口５ａ，５ａ，…内
に入った導電性粒子４，４，…を絶縁性接着剤３ａ中に
押込んでやる。この場合、導電性粒子４，４，…の粒径
が全て最大粒径であれば、メッシュスクリーン５の各開
口５ａ，５ａ，…内に１個ずつ導電性粒子４，４，…が
入るから絶縁性接着剤３ａ中に等間隔に１個ずつの導電
性粒子４，４，…が押込まれるが、導電性粒子４，４，
…の粒径を揃えることは歩留りの関係上コストアップに
つながるから、この実施例ではある程度小径の導電性粒
子４，４，…も使用している。従って、メッシュスクリ
ーン５の上から導電性粒子４，４，…を散布すると、最
大径の導電性粒子４はメッシュスクリーン５の開口５ａ
に１個ずつ入って絶縁性接着剤３ａ中に押込まれ、小径
の導電性粒子４はメッシュスクリーン５の開口５ａに複
数個入って絶縁性接着剤３ａ中に押込まれるが、その場
合でも絶縁性接着剤３ａ中に押込まれる導電性粒子４，
４，…の間隔は実質的に等間隔になる。
リーン５の上からその全面にわたって導電性粒子４，
４，…をほぼ均一厚さに散布し、次いでその上から第５
図（ｄ）に示すようにローラ６等の加圧治具により加圧
して、メッシュスクリーン５の各開口５ａ，５ａ，…内
に入った導電性粒子４，４，…を絶縁性接着剤３ａ中に
押込んでやる。この場合、導電性粒子４，４，…の粒径
が全て最大粒径であれば、メッシュスクリーン５の各開
口５ａ，５ａ，…内に１個ずつ導電性粒子４，４，…が
入るから絶縁性接着剤３ａ中に等間隔に１個ずつの導電
性粒子４，４，…が押込まれるが、導電性粒子４，４，
…の粒径を揃えることは歩留りの関係上コストアップに
つながるから、この実施例ではある程度小径の導電性粒
子４，４，…も使用している。従って、メッシュスクリ
ーン５の上から導電性粒子４，４，…を散布すると、最
大径の導電性粒子４はメッシュスクリーン５の開口５ａ
に１個ずつ入って絶縁性接着剤３ａ中に押込まれ、小径
の導電性粒子４はメッシュスクリーン５の開口５ａに複
数個入って絶縁性接着剤３ａ中に押込まれるが、その場
合でも絶縁性接着剤３ａ中に押込まれる導電性粒子４，
４，…の間隔は実質的に等間隔になる。
このように絶縁性接着剤３ａ中に導電性粒子４，４，…
を押込んだ後は、散布した導電性粒子４，４，…を真空
吸引により吸引し、絶縁性接着剤３ａ中に押込まれてこ
の絶縁性接着剤３ａに保持された導電性粒子４，４，…
を除く導電性粒子４，４，…を第５図（ｅ）に示すよう
に除去し（この除去された導電性粒子４，４，…は回収
して再使用する）、次いで第５図（ｆ）に示すように前
記メッシュスクリーン５を撤去して、ＬＳＩペレット接
合材３を完成する。
を押込んだ後は、散布した導電性粒子４，４，…を真空
吸引により吸引し、絶縁性接着剤３ａ中に押込まれてこ
の絶縁性接着剤３ａに保持された導電性粒子４，４，…
を除く導電性粒子４，４，…を第５図（ｅ）に示すよう
に除去し（この除去された導電性粒子４，４，…は回収
して再使用する）、次いで第５図（ｆ）に示すように前
記メッシュスクリーン５を撤去して、ＬＳＩペレット接
合材３を完成する。
そして、ＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…の表面に
カーボンインク20,20,…を被着させ、配線基板１面のＬ
ＳＩペレット接合部にＬＳＩペレット接合材３を形成し
た後は、第６図に示すように、ＬＳＩペレット10をその
パッド11,11,…上に被着させたカーボンインク20,20,…
を配線基板１面の端子２ａ，２ａ，…と対応させて前記
接合材３の上に重ね、このＬＳＩペレット10と配線基板
１とを相対的に押圧（例えばＬＳＩペレット10を加圧）
して、ＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…の表面に被
着させておいたカーボンインク20,20と配線基板１面の
端子２ａ，２ａ，…とを前記導電性粒子４により導通接
続させるとともに、この押圧状態で前記絶縁性接着剤３
ａを硬化させてＬＳＩペレット10を配線基板１面に接着
接合する。
カーボンインク20,20,…を被着させ、配線基板１面のＬ
ＳＩペレット接合部にＬＳＩペレット接合材３を形成し
た後は、第６図に示すように、ＬＳＩペレット10をその
パッド11,11,…上に被着させたカーボンインク20,20,…
を配線基板１面の端子２ａ，２ａ，…と対応させて前記
接合材３の上に重ね、このＬＳＩペレット10と配線基板
１とを相対的に押圧（例えばＬＳＩペレット10を加圧）
して、ＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…の表面に被
着させておいたカーボンインク20,20と配線基板１面の
端子２ａ，２ａ，…とを前記導電性粒子４により導通接
続させるとともに、この押圧状態で前記絶縁性接着剤３
ａを硬化させてＬＳＩペレット10を配線基板１面に接着
接合する。
なお、前記絶縁性接着剤３ａは、常温硬化型のもので
も、一般にホットメルト型と呼ばれている熱可塑性接着
剤でも、熱硬化型のものでも、あるいはＵＶインク等で
もよく、絶縁性接着剤３ａとして常温硬化型接着剤また
はＵＶインクを使用する場合は、絶縁性接着剤３ａ中に
導電性粒子４，４，…を埋込んで接合材３を形成した後
直ちにＬＳＩペレット10を接合するか、あるいは形成し
た接合材３の上に剥離紙を被着して絶縁性接着剤３を自
然硬化しないように保護しておき、ＬＳＩペレット10の
接合時に剥離紙を剥がして直ちにＬＳＩペレット10を接
合すればよい。なお、絶縁性接着剤３ａとして前記熱可
塑性接着剤または熱硬化型接着剤を使用する場合は、接
合材形成後直ちにＬＳＩペレット10を接合してもよい
が、接合材３を形成した後に熱風または赤外線等により
絶縁性接着剤３ａを７０〜１３０℃の温度で乾燥させて
おいてもよい（この場合は、接合材３の上に剥離紙を被
着して絶縁性接着剤３ａを保護しておく必要はない）。
も、一般にホットメルト型と呼ばれている熱可塑性接着
剤でも、熱硬化型のものでも、あるいはＵＶインク等で
もよく、絶縁性接着剤３ａとして常温硬化型接着剤また
はＵＶインクを使用する場合は、絶縁性接着剤３ａ中に
導電性粒子４，４，…を埋込んで接合材３を形成した後
直ちにＬＳＩペレット10を接合するか、あるいは形成し
た接合材３の上に剥離紙を被着して絶縁性接着剤３を自
然硬化しないように保護しておき、ＬＳＩペレット10の
接合時に剥離紙を剥がして直ちにＬＳＩペレット10を接
合すればよい。なお、絶縁性接着剤３ａとして前記熱可
塑性接着剤または熱硬化型接着剤を使用する場合は、接
合材形成後直ちにＬＳＩペレット10を接合してもよい
が、接合材３を形成した後に熱風または赤外線等により
絶縁性接着剤３ａを７０〜１３０℃の温度で乾燥させて
おいてもよい（この場合は、接合材３の上に剥離紙を被
着して絶縁性接着剤３ａを保護しておく必要はない）。
また、絶縁性接着剤３ａとしてホットメルト型と呼ばれ
ている熱可塑性接着剤または熱硬化型接着剤を使用する
場合は、ＬＳＩペレット10の接合時に、接合材３の上に
ＬＳＩペレット10を重ねてプレス治具または加圧ローラ
等により１００〜１５０℃の温度で加熱加圧すればよ
く、この場合は、絶縁性接着剤３ａを加熱軟化させると
きにカーボンインク20,20,…も再軟化するから、この状
態でＬＳＩペレット10と配線基板１とを押圧すると、導
電性粒子４が第３図に示すようにカーボンインク20中に
押込まれて、導電性粒子４の大部分がカーボンインク20
で被覆される。従って、この場合は、導電性粒子４を金
または銀でメッキしておかなくても導電性粒子４の酸化
をカーボンインク20によって防ぐことができるから、導
電性粒子４として、安価な非メッキ粒子を使用すること
ができる。
ている熱可塑性接着剤または熱硬化型接着剤を使用する
場合は、ＬＳＩペレット10の接合時に、接合材３の上に
ＬＳＩペレット10を重ねてプレス治具または加圧ローラ
等により１００〜１５０℃の温度で加熱加圧すればよ
く、この場合は、絶縁性接着剤３ａを加熱軟化させると
きにカーボンインク20,20,…も再軟化するから、この状
態でＬＳＩペレット10と配線基板１とを押圧すると、導
電性粒子４が第３図に示すようにカーボンインク20中に
押込まれて、導電性粒子４の大部分がカーボンインク20
で被覆される。従って、この場合は、導電性粒子４を金
または銀でメッキしておかなくても導電性粒子４の酸化
をカーボンインク20によって防ぐことができるから、導
電性粒子４として、安価な非メッキ粒子を使用すること
ができる。
しかして、上記接合方法では、前記ＬＳＩペレット10と
配線基板１とを、絶縁性接着剤３ａ中に導電性粒子４，
４，…を埋込んだ接合材３を介して接着接合しているか
ら、ＬＳＩペレット10と配線基板１とを相対的に押圧し
て絶縁性接着剤３ａを硬化させるだけで、ＬＳＩペレッ
ト10をその外部回路接続パッド11,11,…をカーボンイン
ク20および導電性粒子４を介して配線基板１面の端子２
ａ，２ａ，…と導通させた状態で配線基板１面に接合す
ることができ、従って、短い時間で能率よくＬＳＩペレ
ット10を配線基板１面に取付けることができる。
配線基板１とを、絶縁性接着剤３ａ中に導電性粒子４，
４，…を埋込んだ接合材３を介して接着接合しているか
ら、ＬＳＩペレット10と配線基板１とを相対的に押圧し
て絶縁性接着剤３ａを硬化させるだけで、ＬＳＩペレッ
ト10をその外部回路接続パッド11,11,…をカーボンイン
ク20および導電性粒子４を介して配線基板１面の端子２
ａ，２ａ，…と導通させた状態で配線基板１面に接合す
ることができ、従って、短い時間で能率よくＬＳＩペレ
ット10を配線基板１面に取付けることができる。
また、この接合方法では、前記導電性粒子４，４，…の
最大径を、ＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…上に被
着したカーボンインク20,20,…と配線基板１面のＬＳＩ
ペレット接続端子２ａ，２ａ，…とのいずれの巾よりも
小さく、かつ前記カーボンインク20,20.…間の間隔とＬ
ＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，…間の間隔とのいず
れよりも小さい粒径のものとして、この導電性粒子４，
４，…を絶縁性接着剤３ａ中に、前記カーボンインク2
0,20,…とＬＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，…との
いずれの巾よりも小さい間隔で等間隔に埋込んでいるか
ら、ＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…上に被着した
カーボンインク20,20,…と配線基板１面のＬＳＩペレッ
ト接続端子２ａ，２ａ，…との間に少なくとも１つの導
電性粒子４が必ず介在されることになり、従って、ＬＳ
Ｉペレット10の各パッド11,11,…上に被着したカーボン
インク20,20,…と配線基板１面のＬＳＩペレット接続端
子２ａ，２ａ，…とを確実に導通接続することができ
る。
最大径を、ＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…上に被
着したカーボンインク20,20,…と配線基板１面のＬＳＩ
ペレット接続端子２ａ，２ａ，…とのいずれの巾よりも
小さく、かつ前記カーボンインク20,20.…間の間隔とＬ
ＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，…間の間隔とのいず
れよりも小さい粒径のものとして、この導電性粒子４，
４，…を絶縁性接着剤３ａ中に、前記カーボンインク2
0,20,…とＬＳＩペレット接続端子２ａ，２ａ，…との
いずれの巾よりも小さい間隔で等間隔に埋込んでいるか
ら、ＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…上に被着した
カーボンインク20,20,…と配線基板１面のＬＳＩペレッ
ト接続端子２ａ，２ａ，…との間に少なくとも１つの導
電性粒子４が必ず介在されることになり、従って、ＬＳ
Ｉペレット10の各パッド11,11,…上に被着したカーボン
インク20,20,…と配線基板１面のＬＳＩペレット接続端
子２ａ，２ａ，…とを確実に導通接続することができ
る。
そして、この接合方法では、ＬＳＩペレット10の各パッ
ド11,11,…の表面にカーボンインク20,20,…を被着させ
ておいてこのＬＳＩペレット10を配線基板１面に接続し
ているから、前記パッド11,11,…をカーボンインク20,2
0,…で被覆してこのパッド11,11,…を酸化しないように
保護することができる。
ド11,11,…の表面にカーボンインク20,20,…を被着させ
ておいてこのＬＳＩペレット10を配線基板１面に接続し
ているから、前記パッド11,11,…をカーボンインク20,2
0,…で被覆してこのパッド11,11,…を酸化しないように
保護することができる。
すなわち、この接合方法は、ＬＳＩペレット10の各パッ
ド11,11,…の表面にカーボンインク20,20,…を被着さ
せ、この後ＬＳＩペレット10をその各パッド11,11,…を
配線基板１面の各端子２ａ，２ａ，…と対向させて配線
基板１面に接着することを特徴とするもので、この接合
方法によれば、従来のようにＬＳＩペレットの各パッド
の上に高価な金バンプを設けることなく前記パッド11,1
1,…の酸化を防ぐことができるし、また、カーボンイン
クはかなり安価であるから、コストも大巾に低減するこ
とできる。
ド11,11,…の表面にカーボンインク20,20,…を被着さ
せ、この後ＬＳＩペレット10をその各パッド11,11,…を
配線基板１面の各端子２ａ，２ａ，…と対向させて配線
基板１面に接着することを特徴とするもので、この接合
方法によれば、従来のようにＬＳＩペレットの各パッド
の上に高価な金バンプを設けることなく前記パッド11,1
1,…の酸化を防ぐことができるし、また、カーボンイン
クはかなり安価であるから、コストも大巾に低減するこ
とできる。
なお、上記実施例では、接合材３を配線基板１側に形成
しているが、この接合材３は第７図に示すようにＬＳＩ
ペレット10の配線基板接合面に形成してもよく、また、
前記接合材３は、絶縁性接着剤中に導電性粒子を混入し
た異方導電性接着剤を塗布して形成してもよい。
しているが、この接合材３は第７図に示すようにＬＳＩ
ペレット10の配線基板接合面に形成してもよく、また、
前記接合材３は、絶縁性接着剤中に導電性粒子を混入し
た異方導電性接着剤を塗布して形成してもよい。
さらに、上記実施例では、ＬＳＩペレット10と配線基板
１とを導電性粒子４，４，…を含む接合材３によって接
着しているが、ＬＳＩペレット10と配線基板１とは、導
電性粒子を含まない絶縁性接着剤によって接着してもよ
い。
１とを導電性粒子４，４，…を含む接合材３によって接
着しているが、ＬＳＩペレット10と配線基板１とは、導
電性粒子を含まない絶縁性接着剤によって接着してもよ
い。
第８図はＬＳＩペレット10と配線基板１とを導電性粒子
を含まない絶縁性接着剤によって接着する実施例を示し
ている。この実施例は、ＬＳＩペレット10の各パッド1
1,11,…の表面にカーボンインク20,20,…を被着させた
後、配線基板１面のＬＳＩペレット接合部またはＬＳＩ
ペレット10の配線基板接合面に絶縁性接着剤３ａを塗布
し、この後ＬＳＩペレット10をその各パッド11,11,…を
配線基板１面の各端子２ａ，２ａ，…と対向させて配線
基板１面に加圧接着するものであり、この実施例によっ
ても、ＬＳＩペレット10を配線基板１面に重ねて加圧す
ると、カーボンインク20,20,…と端子２ａ，２ａ，…と
の間の絶縁性接着剤３ａがその周囲に押出されて、ＬＳ
Ｉペレット10の各パッド11,11,…の表面に被着させたカ
ーボンインク20,20,…と配線基板１面の端子２ａ，２
ａ，…とが直接接触するから、ＬＳＩペレット10の各パ
ッド11,11,…と配線基板１面の端子２ａ，２ａ，…とを
カーボンインク20,20,…を介して導通させることができ
るし、またＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…はカー
ボンインク20,20,…によって被覆されているから、パッ
ド11,11,…の酸化も防ぐことができる。
を含まない絶縁性接着剤によって接着する実施例を示し
ている。この実施例は、ＬＳＩペレット10の各パッド1
1,11,…の表面にカーボンインク20,20,…を被着させた
後、配線基板１面のＬＳＩペレット接合部またはＬＳＩ
ペレット10の配線基板接合面に絶縁性接着剤３ａを塗布
し、この後ＬＳＩペレット10をその各パッド11,11,…を
配線基板１面の各端子２ａ，２ａ，…と対向させて配線
基板１面に加圧接着するものであり、この実施例によっ
ても、ＬＳＩペレット10を配線基板１面に重ねて加圧す
ると、カーボンインク20,20,…と端子２ａ，２ａ，…と
の間の絶縁性接着剤３ａがその周囲に押出されて、ＬＳ
Ｉペレット10の各パッド11,11,…の表面に被着させたカ
ーボンインク20,20,…と配線基板１面の端子２ａ，２
ａ，…とが直接接触するから、ＬＳＩペレット10の各パ
ッド11,11,…と配線基板１面の端子２ａ，２ａ，…とを
カーボンインク20,20,…を介して導通させることができ
るし、またＬＳＩペレット10の各パッド11,11,…はカー
ボンインク20,20,…によって被覆されているから、パッ
ド11,11,…の酸化も防ぐことができる。
なお、上記実施例ではＬＳＩペレット10の接合について
説明したが、この発明はＩＣペレット等の半導体ペレッ
トの接合に広く適用できるし、また、半導体ペレットの
パッド表面や配線基板の端子表面へのカーボンインクの
被着方法も上記実施例に限られるものではない。
説明したが、この発明はＩＣペレット等の半導体ペレッ
トの接合に広く適用できるし、また、半導体ペレットの
パッド表面や配線基板の端子表面へのカーボンインクの
被着方法も上記実施例に限られるものではない。
この発明は、半導体ペレットの各パッドに前記半導体ペ
レットの保護膜から突出するように導電性インクを被着
して、この導電性インクにより半導体ペレットの各パッ
ドと基板の各端子とを導通接続するとともに、前記各パ
ッドを前記導電性インクで被覆して前記パッドを酸化し
ないように保護するようにしたものであるから、この発
明によれば、半導体ペレットのパッド上に高価な金バン
プを設けることなく前記パッドの酸化を防ぐことができ
るし、また、導電性インクはかなり安価であるから、コ
ストも大巾に低減することができる。
レットの保護膜から突出するように導電性インクを被着
して、この導電性インクにより半導体ペレットの各パッ
ドと基板の各端子とを導通接続するとともに、前記各パ
ッドを前記導電性インクで被覆して前記パッドを酸化し
ないように保護するようにしたものであるから、この発
明によれば、半導体ペレットのパッド上に高価な金バン
プを設けることなく前記パッドの酸化を防ぐことができ
るし、また、導電性インクはかなり安価であるから、コ
ストも大巾に低減することができる。
第１図〜第６図はこの発明の第１の実施例を示したもの
で、第１図は配線基板面にＬＳＩペレットを接合した状
態の断面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿う拡大断面
図、第３図はＬＳＩペレットを接着する接着剤が熱可塑
性または熱硬化性である場合のＬＳＩペレット接合状態
の拡大断面図、第４図はＬＳＩペレットのパッド表面に
カーボンインクを被着する方法を工程順に示す断面図、
第５図は配線基板面にＬＳＩペレット接合材を形成する
方法を工程順に示す断面図、第６図はＬＳＩペレットと
配線基板の斜視図である。第７図はこの発明の第２の実
施例を示すＬＳＩペレットと配線基板の断面図、第８図
はこの発明の第３の実施例を示す配線基板面にＬＳＩペ
レットを接合した状態の断面図である。 １……配線基板（基板）、２ａ……ＬＳＩペレット接続
用端子、３……接合材、３ａ……絶縁性接着剤、４……
導電性粒子、10……ＬＳＩペレット、11……外部回路接
続パッド、20……カーボンインク（導電性インク）。
で、第１図は配線基板面にＬＳＩペレットを接合した状
態の断面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿う拡大断面
図、第３図はＬＳＩペレットを接着する接着剤が熱可塑
性または熱硬化性である場合のＬＳＩペレット接合状態
の拡大断面図、第４図はＬＳＩペレットのパッド表面に
カーボンインクを被着する方法を工程順に示す断面図、
第５図は配線基板面にＬＳＩペレット接合材を形成する
方法を工程順に示す断面図、第６図はＬＳＩペレットと
配線基板の斜視図である。第７図はこの発明の第２の実
施例を示すＬＳＩペレットと配線基板の断面図、第８図
はこの発明の第３の実施例を示す配線基板面にＬＳＩペ
レットを接合した状態の断面図である。 １……配線基板（基板）、２ａ……ＬＳＩペレット接続
用端子、３……接合材、３ａ……絶縁性接着剤、４……
導電性粒子、10……ＬＳＩペレット、11……外部回路接
続パッド、20……カーボンインク（導電性インク）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 和弘 東京都西多摩郡羽村町栄町３丁目２番１号 カシオ計算機株式会社羽村技術センター 内 (72)発明者 出口 敏良 東京都西多摩郡羽村町栄町３丁目２番１号 カシオ計算機株式会社羽村技術センター 内 (72)発明者 玉木 敏晴 東京都西多摩郡羽村町栄町３丁目２番１号 カシオ計算機株式会社羽村技術センター 内 (72)発明者 鑓田 好男 東京都西多摩郡羽村町栄町３丁目２番１号 カシオ計算機株式会社羽村技術センター 内 (72)発明者 厚見 好則 東京都西多摩郡羽村町栄町３丁目２番１号 カシオ計算機株式会社羽村技術センター 内 (56)参考文献 特開 昭57−99750（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】一面に形成された保護膜に没入された複数
のパッドを有する半導体ペレットと前記各パッドに対応
する複数の端子を有する基板との接合方法において、前
記半導体ペレットの各パッドに前記保護膜から突出する
ように導電性インクを被着し、この後、前記半導体ペレ
ットを、その各パッドを前記基板の各端子と対向させて
前記基板に接着することを特徴とする半導体ペレットの
接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60048515A JPH0638437B2 (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 半導体ペレツトの接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60048515A JPH0638437B2 (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 半導体ペレツトの接合方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2104792A Division JPH06105728B2 (ja) | 1992-02-06 | 1992-02-06 | 半導体装置の接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207025A JPS61207025A (ja) | 1986-09-13 |
| JPH0638437B2 true JPH0638437B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=12805501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60048515A Expired - Lifetime JPH0638437B2 (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 半導体ペレツトの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638437B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2596960B2 (ja) * | 1988-03-07 | 1997-04-02 | シャープ株式会社 | 接続構造 |
| JP2008171833A (ja) * | 2005-04-19 | 2008-07-24 | Shimadzu Corp | 二次元画像検出器およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2492164B1 (fr) * | 1980-10-15 | 1987-01-23 | Radiotechnique Compelec | Procede de realisation simultanee de liaisons electriques multiples, notamment pour le raccordement electrique d'une micro-plaquette de semiconducteurs |
-
1985
- 1985-03-12 JP JP60048515A patent/JPH0638437B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61207025A (ja) | 1986-09-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |