KR20040010084A - 패턴 묘화장치 및 패턴 묘화방법 - Google Patents
패턴 묘화장치 및 패턴 묘화방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040010084A KR20040010084A KR1020030019612A KR20030019612A KR20040010084A KR 20040010084 A KR20040010084 A KR 20040010084A KR 1020030019612 A KR1020030019612 A KR 1020030019612A KR 20030019612 A KR20030019612 A KR 20030019612A KR 20040010084 A KR20040010084 A KR 20040010084A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light irradiation
- light
- irradiation area
- pattern
- scanning direction
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
Description
Claims (16)
- 감광재료에 패턴을 묘화(描畵)하는 패턴 묘화장치로서,격자 형태로 배열된 광 조사 영역군의 각각으로 광을 조사하는 헤드부와,감광재료 위에 있어서 상기 광 조사 영역군을 배열방향에 대해서 경사진 주사 방향으로 주사하고, 상기 감광재료 위의 복수의 묘화영역의 각각에 대해서 복수의 광 조사 영역을 통과시키는 주사기구와,상기 광 조사 영역군의 주사에 동기하면서 상기 광 조사 영역군으로의 광 조사의 온/오프(ON/OFF)를 개별로 제어하는 것에 의해, 상기 감광재료 위의 각 묘화영역에 조사되는 광의 양을 제어하는 컨트롤러를 구비하는 것을 특징으로 하는 패턴 묘화장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 헤드부가,반사광을 공간 변조하는 광변조 소자군을 격자 형태로 배열하고 있는 공간광변조기와,상기 공간광변조기로 조사되는 광을 방사하는 광원과,상기 광 조사 영역군의 각각으로 각 광변조 소자로부터의 광을 안내하는 광학계를 구비하는 것을 특징으로 하는 패턴 묘화장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 광변조 소자군의 각 소자가, 자세를 변경하는 미소 미러인 것을 특징으로 하는 패턴 묘화장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 광 조사 영역군의 광 조사 영역이, 서로 수직한 2 방향에 대해서 등간격으로 배열되는 것을 특징으로 하는 패턴 묘화장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 광 조사 영역군의 2개의 배열방향중 상기 주사 방향에 대략 따르는 방향에 관해서 서로 인접하는 광 조사 영역에 있어서, 상기 주사 방향에 수직한 방향에 대한 중심 사이의 거리가, 상기 주사 방향에 수직한 방향에 관해서 서로 인접하는 묘화영역의 중심 사이의 거리와 동등한 것을 특징으로 하는 패턴 묘화장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 컨트롤러가, 상기 주사 방향으로 늘어 선 2개의 묘화영역의 중심 사이 거리의 2배의 거리만큼 상기 광 조사 영역군을 주사시키는 동안에 상기 광 조사의 온/오프를 1회 제어하는 것을 특징으로 하는 패턴 묘화장치.
- 제 1 항에 있어서,프린트 배선 기판용의 기판 위의 포토레지스트막에 패턴을 묘화하는 것을 특징으로 하는 패턴 묘화장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 주사기구가, 상기 광 조사 영역군을 연속적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 패턴 묘화장치.
- 감광재료에 패턴을 묘화하는 패턴 묘화방법으로서,격자 형태로 배열된 광 조사 영역군의 각각으로 광을 조사하고, 감광재료 위에서 상기 광 조사 영역군을 배열방향에 대해서 경사진 주사 방향으로 주사하는 것에 의해, 상기 감광재료 위의 복수의 묘화영역의 각각에 대해서 복수의 광 조사 영역을 통과시키는 공정과,상기 광 조사 영역군의 주사에 동기하면서 상기 광 조사 영역군으로의 광 조사의 온/오프(ON/OFF)를 개별로 제어하는 것에 의해, 상기 감광재료 위의 각 묘화영역에 조사되는 광의 양을 제어하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 패턴 묘화방법.
- 제 9 항에 있어서,반사광을 공간 변조하는 광변조 소자군을 격자 형태로 배열하고 있는 공간광변조기를 통해서, 상기 광 조사 영역군의 각각으로 광이 조사되는 것을 특징으로하는 패턴 묘화방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 광변조 소자군의 각 소자가, 자세를 변경하는 미소 미러인 것을 특징으로 하는 패턴 묘화방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 광 조사 영역군의 광 조사 영역이, 서로 수직한 2 방향에 대해서 등간격으로 배열되는 것을 특징으로 하는 패턴 묘화방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 광 조사 영역군의 2개의 배열방향중 상기 주사 방향에 대략 따르는 방향에 관해서 서로 인접하는 광 조사 영역에 있어서, 상기 주사 방향에 수직한 방향에 대한 중심 사이의 거리가, 상기 주사 방향에 수직한 방향에 관해서 서로 인접하는 묘화영역의 중심 사이의 거리와 동등한 것을 특징으로 하는 패턴 묘화방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 제어하는 공정에 있어서, 상기 주사 방향으로 늘어 선 2개의 묘화영역의 중심 사이 거리의 2배의 거리만큼 상기 광 조사 영역군을 주사시키는 동안에 상기 광 조사의 온/오프가 1회 제어되는 것을 특징으로 하는 패턴 묘화방법.
- 제 9 항에 있어서,프린트 배선 기판용의 기판 위의 포토레지스트막에 패턴이 묘화되는 것을 특징으로 하는 패턴 묘화방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 광 조사 영역군이 연속적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 패턴 묘화방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2002-00141320 | 2002-05-16 | ||
JP2002141320A JP3938714B2 (ja) | 2002-05-16 | 2002-05-16 | 露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040010084A true KR20040010084A (ko) | 2004-01-31 |
KR100524002B1 KR100524002B1 (ko) | 2005-10-27 |
Family
ID=29267810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2003-0019612A KR100524002B1 (ko) | 2002-05-16 | 2003-03-28 | 패턴 묘화장치 및 패턴 묘화방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20030214644A1 (ko) |
EP (1) | EP1363166A3 (ko) |
JP (1) | JP3938714B2 (ko) |
KR (1) | KR100524002B1 (ko) |
CN (1) | CN1258694C (ko) |
TW (1) | TW594433B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100888526B1 (ko) * | 2006-10-18 | 2009-03-11 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 패턴 묘화 장치, 패턴 묘화 시스템 및 패턴 묘화 방법 |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005353927A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン描画装置 |
JP4201178B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2008-12-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
JP4502596B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2010-07-14 | 財団法人国際科学振興財団 | パターン描画方法及びパターン描画装置 |
TWI356973B (en) * | 2003-04-11 | 2012-01-21 | Tadahiro Ohmi | Pattern drawing apparatus and pattern drawing meth |
USRE43515E1 (en) * | 2004-03-09 | 2012-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4508743B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-07-21 | 日立ビアメカニクス株式会社 | パターン露光方法およびパターン露光装置 |
US7283209B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-10-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for microlithography |
US20060138467A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Hsiang-Lan Lung | Method of forming a small contact in phase-change memory and a memory cell produced by the method |
JP4638826B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2011-02-23 | 富士フイルム株式会社 | 描画装置及び描画方法 |
JP2006284842A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターン形成方法 |
JP4753625B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2011-08-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | パターン描画装置およびブロック数決定方法 |
JP2007003661A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Fujifilm Holdings Corp | パターン形成方法 |
JP2007003861A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Fujifilm Holdings Corp | 露光方法および装置 |
JP2007010785A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Fujifilm Holdings Corp | 永久パターン形成方法 |
JP2007024969A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Fujifilm Holdings Corp | セル内構造の製造方法及びセル内構造並びに表示装置 |
JP2007025394A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Fujifilm Holdings Corp | パターン形成方法 |
US20070153249A1 (en) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types |
JP2007219011A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Hitachi Via Mechanics Ltd | マスクレス露光装置及びその露光方法 |
DE102006008080A1 (de) * | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Kleo Maschinenbau Ag | Belichtungsanlage |
WO2007129834A1 (en) | 2006-05-04 | 2007-11-15 | Lg Chem, Ltd. | Organic light-emitting device having light-emitting pattern, method and apparatus for preparing the same |
JP5182913B2 (ja) | 2006-09-13 | 2013-04-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | パターン描画装置およびパターン描画方法 |
JP2008129248A (ja) | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン描画装置及びパターン描画方法 |
JP5211487B2 (ja) | 2007-01-25 | 2013-06-12 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法 |
DE102009020320A1 (de) * | 2008-11-19 | 2010-05-20 | Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Steigerung der Auflösung und/oder der Geschwindigkeit von Belichtungssystemen |
KR101657210B1 (ko) * | 2008-11-26 | 2016-09-19 | 마이크로닉 마이데이타 에이비 | 복잡한 2차원 인터레이스 방식을 사용한 이미지 판독 및 기록 |
WO2010063830A1 (en) * | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Micronic Laser Systems Ab | Rotating arm for writing or reading an image on a workpiece |
JP2010197750A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
JP5355245B2 (ja) * | 2009-06-25 | 2013-11-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
JP5331622B2 (ja) * | 2009-09-02 | 2013-10-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光装置 |
US8743165B2 (en) | 2010-03-05 | 2014-06-03 | Micronic Laser Systems Ab | Methods and device for laser processing |
US8335999B2 (en) | 2010-06-11 | 2012-12-18 | Orbotech Ltd. | System and method for optical shearing |
TWI483705B (zh) * | 2010-07-28 | 2015-05-11 | Crystalvue Medical Corp | 眼底光學影像裝置 |
JP5433524B2 (ja) * | 2010-08-03 | 2014-03-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 露光装置及び露光方法並びに表示用パネル基板製造装置及び表示用パネル基板の製造方法 |
JP5687013B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2015-03-18 | 株式会社Screenホールディングス | 露光装置および光源装置 |
DE202010014718U1 (de) | 2010-09-24 | 2011-01-20 | Printprocess Ag | Belichtungsanordnung |
DE102012000650A1 (de) * | 2012-01-16 | 2013-07-18 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum abrastern einer oberfläche eines objekts mit einem teilchenstrahl |
US10855889B2 (en) * | 2012-03-29 | 2020-12-01 | Anteleon Imaging Sàrl | Imaging device for capturing images of moving objects |
DE102012207866A1 (de) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie |
EP3559724B1 (de) | 2016-12-20 | 2020-06-17 | EV Group E. Thallner GmbH | Vorrichtung und verfahren zur belichtung einer lichtempfindlichen schicht |
CN114185250A (zh) | 2016-12-20 | 2022-03-15 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 将一光敏层曝光之装置及方法 |
WO2018136197A1 (en) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | Applied Materials, Inc. | Resolution enhanced digital lithography with anti-blazed dmd |
JP7309759B2 (ja) * | 2018-06-19 | 2023-07-18 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 描画点を露光するための方法および装置 |
KR102592916B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2023-10-23 | 삼성전자주식회사 | 마스크리스 노광 장치와 노광 방법, 및 그 노광 방법을 포함한 반도체 소자 제조방법 |
JP7128760B2 (ja) * | 2019-03-11 | 2022-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | 露光装置、露光方法およびプログラム |
CN117616341A (zh) * | 2021-07-05 | 2024-02-27 | 株式会社尼康 | 曝光装置 |
CN114200784A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-03-18 | 锡凡半导体无锡有限公司 | 可提高分辨率的无掩膜激光直写光刻用扫描方法 |
US11899198B2 (en) | 2022-05-23 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Controlling light source wavelengths for selectable phase shifts between pixels in digital lithography systems |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6221220A (ja) | 1985-07-22 | 1987-01-29 | Canon Inc | マスクレス露光装置 |
US5049901A (en) * | 1990-07-02 | 1991-09-17 | Creo Products Inc. | Light modulator using large area light sources |
DE4022732A1 (de) | 1990-07-17 | 1992-02-20 | Micronic Laser Systems Ab | Auf einem lichtempfindlich beschichteten substrat durch fokussierte laserstrahlung hergestellte struktur sowie verfahren und vorrichtung zu ihrer herstellung |
JP2717035B2 (ja) | 1991-07-15 | 1998-02-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | マルチビーム走査記録装置 |
CA2075026A1 (en) | 1991-08-08 | 1993-02-09 | William E. Nelson | Method and apparatus for patterning an imaging member |
CA2087625C (en) | 1992-01-23 | 2006-12-12 | William E. Nelson | Non-systolic time delay and integration printing |
JP2710519B2 (ja) | 1992-05-27 | 1998-02-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | マルチビーム記録装置 |
JPH06100829A (ja) | 1992-09-17 | 1994-04-12 | Sakura Color Prod Corp | ボールペン用水性インキ組成物 |
JP2875125B2 (ja) | 1992-12-25 | 1999-03-24 | クレオ プロダクツ インコーポレイテッド | 平面基板上にデータパターンを記録するためのシステム |
JP2001500628A (ja) | 1996-02-28 | 2001-01-16 | ケニス シー ジョンソン | マイクロリトグラフィ用マイクロレンズスキャナ及び広フィールド共焦顕微鏡 |
DE19626176A1 (de) * | 1996-06-29 | 1998-01-08 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Lithographie-Belichtungseinrichtung und Lithographie-Verfahren |
JPH10112579A (ja) | 1996-10-07 | 1998-04-28 | M S Tec:Kk | レジスト露光方法及びその露光装置 |
JPH11320968A (ja) * | 1998-05-13 | 1999-11-24 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 光像形成方法及びその装置、画像形成装置並びにリソグラフィ用露光装置 |
US6251550B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-06-26 | Ball Semiconductor, Inc. | Maskless photolithography system that digitally shifts mask data responsive to alignment data |
JP3620580B2 (ja) | 1999-11-04 | 2005-02-16 | ノーリツ鋼機株式会社 | ライン露光式画像形成装置 |
US6425669B1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-07-30 | Ball Semiconductor, Inc. | Maskless exposure system |
US6552779B2 (en) * | 2000-05-25 | 2003-04-22 | Ball Semiconductor, Inc. | Flying image of a maskless exposure system |
US6537738B1 (en) | 2000-08-08 | 2003-03-25 | Ball Semiconductor, Inc. | System and method for making smooth diagonal components with a digital photolithography system |
US6493867B1 (en) * | 2000-08-08 | 2002-12-10 | Ball Semiconductor, Inc. | Digital photolithography system for making smooth diagonal components |
US6473237B2 (en) * | 2000-11-14 | 2002-10-29 | Ball Semiconductor, Inc. | Point array maskless lithography |
WO2003040830A2 (en) * | 2001-11-07 | 2003-05-15 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
-
2002
- 2002-05-16 JP JP2002141320A patent/JP3938714B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-24 US US10/394,261 patent/US20030214644A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-24 EP EP03006579A patent/EP1363166A3/en not_active Withdrawn
- 2003-03-28 KR KR10-2003-0019612A patent/KR100524002B1/ko active IP Right Grant
- 2003-04-11 TW TW092108352A patent/TW594433B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-11 CN CNB031101305A patent/CN1258694C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-07-26 US US10/898,197 patent/US6903798B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100888526B1 (ko) * | 2006-10-18 | 2009-03-11 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 패턴 묘화 장치, 패턴 묘화 시스템 및 패턴 묘화 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200400421A (en) | 2004-01-01 |
TW594433B (en) | 2004-06-21 |
JP2003332221A (ja) | 2003-11-21 |
EP1363166A3 (en) | 2006-07-26 |
US20030214644A1 (en) | 2003-11-20 |
CN1258694C (zh) | 2006-06-07 |
KR100524002B1 (ko) | 2005-10-27 |
US20050002002A1 (en) | 2005-01-06 |
CN1459662A (zh) | 2003-12-03 |
JP3938714B2 (ja) | 2007-06-27 |
US6903798B2 (en) | 2005-06-07 |
EP1363166A2 (en) | 2003-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100524002B1 (ko) | 패턴 묘화장치 및 패턴 묘화방법 | |
KR100821415B1 (ko) | 패턴 묘화 장치 및 블록 수 결정 방법 | |
US7212327B2 (en) | Imaging head, imaging device and imaging method | |
US6859223B2 (en) | Pattern writing apparatus and pattern writing method | |
KR100752588B1 (ko) | 묘화방법 및 묘화장치 | |
CN103329041B (zh) | 光学修剪的系统和方法 | |
KR101170067B1 (ko) | 묘화 장치 및 묘화 방법 | |
JP4315694B2 (ja) | 描画ヘッドユニット、描画装置及び描画方法 | |
JP4638826B2 (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
US20100123745A1 (en) | Frame data creation device, creation method, creation program, storage medium storing the program, and imaging device | |
JP2003084444A (ja) | 多重露光描画方法及び多重露光描画装置 | |
US7190435B2 (en) | Pattern writing apparatus and pattern writing method | |
US7339602B2 (en) | Image-drawing device and image-drawing method | |
US20050212900A1 (en) | Multibeam exposure method and device | |
US20070291348A1 (en) | Tracing Method and Apparatus | |
JP2005353927A (ja) | パターン描画装置 | |
JP4209344B2 (ja) | 露光ヘッド並びに画像露光装置および画像露光方法 | |
US6700597B2 (en) | Two dimensional scanning image recording method and image recording apparatus with two-dimensionally disposed light source elements | |
JP2006106289A (ja) | 露光装置、露光方法 | |
WO2007102376A1 (ja) | 描画用画像データ作成方法および装置並びに描画方法および装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120924 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130924 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140923 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150917 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160921 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170920 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181004 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191002 Year of fee payment: 15 |