JP4753625B2 - パターン描画装置およびブロック数決定方法 - Google Patents
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Description
請求項9に記載の発明は、感光材料上において所定の行方向に沿って少なくとも1行にて配列された複数の光照射領域を照射ブロックとして、複数の照射ブロックが前記行方向に垂直な列方向に配列され、前記複数の光照射領域のそれぞれへと光源部からの光を変調して導くとともに、各光照射領域への光照射のON/OFFを示す描画信号の入力を照射ブロックに対応する空間変調ブロック毎に順次受け付けて前記描画信号が入力された少なくとも1つの空間変調ブロックにそれぞれ対応する少なくとも1つの照射ブロックに含まれる各光照射領域への光照射のON/OFFを一斉に行う空間光変調デバイスと、感光材料上において前記複数の照射ブロックを所定の走査方向に走査させ、前記走査方向に関して一定の描画ピッチとなるように前記感光材料上に2次元に固定配列された描画領域群のそれぞれに対して各照射ブロックに含まれる少なくとも1つの光照射領域を相対的に通過させる走査機構とを備え、前記複数の照射ブロックの走査に同期しつつ、前記描画信号を前記空間光変調デバイスへと入力することにより感光材料上にパターンを描画するパターン描画装置において、実際のパターン描画に使用する空間変調ブロックの使用ブロック数を決定するブロック数決定方法であって、走査速度を最大とすることができる空間変調ブロックの個数と感光材料の感度または感光露光量との関係を示す参照テーブルを準備する工程と、描画対象の感光材料の感度または感光露光量から前記参照テーブルを参照することにより前記使用ブロック数を決定する工程とを備える。
9 基板
21 光量検出部
31 ステージ移動機構
42 DMD
51 制御ユニット
61,61a〜61e 光照射領域
411 ランプハウス
413 光量調整フィルタ
422 微小ミラー群
423 ミラーブロック
510 制御演算部
511 CPU
512 メモリ
620,621,622,62a〜62d 描画領域
PW 描画ピッチ
S21,S23,S24 ステップ
Claims (9)
- 感光材料に光を照射してパターンを描画するパターン描画装置であって、
光源部と、
感光材料上において所定の行方向に沿って少なくとも1行にて配列された複数の光照射領域を照射ブロックとして、複数の照射ブロックが前記行方向に垂直な列方向に配列され、前記複数の光照射領域のそれぞれへと前記光源部からの光を変調して導くとともに、各光照射領域への光照射のON/OFFを示す描画信号の入力を照射ブロックに対応する空間変調ブロック毎に順次受け付けて前記描画信号が入力された少なくとも1つの空間変調ブロックにそれぞれ対応する少なくとも1つの照射ブロックに含まれる各光照射領域への光照射のON/OFFを一斉に行う空間光変調デバイスと、
感光材料上において前記複数の照射ブロックを所定の走査方向に走査させ、前記走査方向に関して一定の描画ピッチとなるように前記感光材料上に2次元に固定配列された描画領域群のそれぞれに対して各照射ブロックに含まれる少なくとも1つの光照射領域を相対的に通過させる走査機構と、
前記複数の照射ブロックの走査に同期しつつ、前記描画信号を前記空間光変調デバイスへと入力する描画制御部と、
前記感光材料の感度または感光露光量に応じて、パターン描画に使用する空間変調ブロックの個数を、走査速度を最大とすることができる使用ブロック数に決定するブロック数決定部と、
を備えることを特徴とするパターン描画装置。 - 請求項1に記載のパターン描画装置であって、
前記ブロック数決定部が、使用される空間変調ブロックの個数を変数とする前記描画信号の入力に要する時間、および、前記描画ピッチから走査速度の第1の上限値を求め、前記使用される空間変調ブロックの個数を変数とする感光材料上に照射される光の最大光量、前記使用される空間変調ブロックに対応する照射ブロックの前記走査方向に垂直な方向の実質的な幅、および、前記感光材料の感度または感光露光量から走査速度の第2の上限値を求め、前記第1の上限値および前記第2の上限値のうち小さい方の値が最大となる場合の前記使用される空間変調ブロックの個数を、前記使用ブロック数として決定することを特徴とするパターン描画装置。 - 請求項2に記載のパターン描画装置であって、
前記光源部から前記空間光変調デバイスを介して感光材料上に照射される光の量を検出する光量検出部をさらに備え、
前記ブロック数決定部が、前記光の量に基づいて前記最大光量を取得することを特徴とするパターン描画装置。 - 請求項1に記載のパターン描画装置であって、
走査速度を最大とすることができる空間変調ブロックの個数と感光材料の感度または感光露光量との関係を示す参照テーブルを記憶する記憶部をさらに備え、
前記ブロック数決定部が、描画対象の感光材料の感度または感光露光量から前記参照テーブルを参照することにより前記使用ブロック数を決定することを特徴とするパターン描画装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載のパターン描画装置であって、
前記空間光変調デバイスが、姿勢が個別に変更可能な複数の微小ミラーを2次元に配列して有することを特徴とするパターン描画装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載のパターン描画装置であって、
前記走査方向が、前記列方向に対して傾斜しており、一の光照射領域の中心と、同列に属する他のいずれか一の光照射領域の中心との前記走査方向に垂直な方向に関する距離が、前記描画領域群における前記走査方向に垂直な方向のピッチに等しいことを特徴とするパターン描画装置。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載のパターン描画装置であって、
前記ブロック数決定部にて決定される前記使用ブロック数に対応する走査速度が前記走査機構における最大走査速度よりも大きい場合に、前記空間光変調デバイスに照射される光の強度を低減する光強度調整手段をさらに備えることを特徴とするパターン描画装置。 - 感光材料上において所定の行方向に沿って少なくとも1行にて配列された複数の光照射領域を照射ブロックとして、複数の照射ブロックが前記行方向に垂直な列方向に配列され、前記複数の光照射領域のそれぞれへと光源部からの光を変調して導くとともに、各光照射領域への光照射のON/OFFを示す描画信号の入力を照射ブロックに対応する空間変調ブロック毎に順次受け付けて前記描画信号が入力された少なくとも1つの空間変調ブロックにそれぞれ対応する少なくとも1つの照射ブロックに含まれる各光照射領域への光照射のON/OFFを一斉に行う空間光変調デバイスと、感光材料上において前記複数の照射ブロックを所定の走査方向に走査させ、前記走査方向に関して一定の描画ピッチとなるように前記感光材料上に2次元に固定配列された描画領域群のそれぞれに対して各照射ブロックに含まれる少なくとも1つの光照射領域を相対的に通過させる走査機構とを備え、前記複数の照射ブロックの走査に同期しつつ、前記描画信号を前記空間光変調デバイスへと入力することにより感光材料上にパターンを描画するパターン描画装置において、実際のパターン描画に使用する空間変調ブロックの使用ブロック数を決定するブロック数決定方法であって、
使用される空間変調ブロックの個数を変数とする前記描画信号の入力に要する時間、および、前記描画ピッチから走査速度の第1の上限値を求める工程と、
前記使用される空間変調ブロックの個数を変数とする感光材料上に照射される光の最大光量、前記使用される空間変調ブロックに対応する照射ブロックの前記走査方向に垂直な方向の実質的な幅、および、前記感光材料の感度または感光露光量から走査速度の第2の上限値を求める工程と、
前記第1の上限値および前記第2の上限値のうち小さい方の値が最大となる場合の前記使用される空間変調ブロックの個数を、実際のパターン描画に使用する空間変調ブロックの使用ブロック数として決定する工程と、
を備えることを特徴とするブロック数決定方法。 - 感光材料上において所定の行方向に沿って少なくとも1行にて配列された複数の光照射領域を照射ブロックとして、複数の照射ブロックが前記行方向に垂直な列方向に配列され、前記複数の光照射領域のそれぞれへと光源部からの光を変調して導くとともに、各光照射領域への光照射のON/OFFを示す描画信号の入力を照射ブロックに対応する空間変調ブロック毎に順次受け付けて前記描画信号が入力された少なくとも1つの空間変調ブロックにそれぞれ対応する少なくとも1つの照射ブロックに含まれる各光照射領域への光照射のON/OFFを一斉に行う空間光変調デバイスと、感光材料上において前記複数の照射ブロックを所定の走査方向に走査させ、前記走査方向に関して一定の描画ピッチとなるように前記感光材料上に2次元に固定配列された描画領域群のそれぞれに対して各照射ブロックに含まれる少なくとも1つの光照射領域を相対的に通過させる走査機構とを備え、前記複数の照射ブロックの走査に同期しつつ、前記描画信号を前記空間光変調デバイスへと入力することにより感光材料上にパターンを描画するパターン描画装置において、実際のパターン描画に使用する空間変調ブロックの使用ブロック数を決定するブロック数決定方法であって、
走査速度を最大とすることができる空間変調ブロックの個数と感光材料の感度または感光露光量との関係を示す参照テーブルを準備する工程と、
描画対象の感光材料の感度または感光露光量から前記参照テーブルを参照することにより前記使用ブロック数を決定する工程と、
を備えることを特徴とするブロック数決定方法。
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