JP6633925B2 - 露光装置および露光方法 - Google Patents

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Description

本発明は、DMD(Digital Micro-mirror Device)などの光変調素子アレイによってパターンを直接描画するマスクレス露光装置に関し、特に、露光対象物で高低差のある露光対象面にパターン像を露光するマスクレス露光装置および露光方法に関する。
DMDを備えたマスクレス露光装置では、光変調素子をマトリクス状に2次元配列させた光変調素子アレイを制御して露光動作を行い、パターンを基板の描画面へ直接形成する。具体的には、光源から放射された照明光がDMDに導かれると、投影対象となるエリアに形成すべきパターンに従い、DMDの各マイクロミラーがON/OFF制御される。DMD上で反射した光は投影光学系によって結像され、パターン像が露光対象面(ワーク材の感光材層など)に形成される。
露光装置においては、高解像度のパターンを形成する必要があることから、オートフォーカス機構によって焦点調整を高精度に行う必要がある。基板は熱変形などによって変形しているため、露光対象面は完全な平面とならない。そのため、高解像度を維持しながら深い焦点深度を得るように、焦点位置を段階的にずらす投影光学系が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
一方、露光対象である球状半導体デバイスなど曲面への露光に対しては、露光対象面すべてを焦点深度に収めるのは困難である。そのため、半導体デバイスを投影光学系の光軸方向に沿って移動させることで焦点深度範囲にある表面部分を徐々に移動させるとともに、DMDが、半導体デバイスの移動に合わせて焦点範囲にある表面部分に応じたパターンへ順次切り替える露光装置が提案されている(特許文献2参照)。
特開2011−007941号公報 特表2006−513568号公報
モバイル機器などにおける配線パターンの細線化、高密度化により、焦点深度を超えた高低差のある回路パターンを形成する必要性が近年生じており、また、デザインとしてパターンをプロダクト表面に形成する新たな加飾方法が提案されている。そのため、従来の平坦な基板とは異なる立体的露光対象物に対しても、現実的なスループットでフォトリソグラフィによるパターン形成を行う必要が生じている。
しかしながら、露光対象物を光軸方向に移動させる露光動作では、1ショットエリアより大きなエリアに対して焦点の合うパターン投影を行うことができず、多重露光(オーバラップ露光)に対応できない。また、1ショットエリア内で焦点位置をずらした投影光学系を配置すると、焦点の合っていないパターン光も投影されるため、露光の解像度が低下する。
したがって、高低差があるような露光対象面に対し、焦点の合った高解像度パターンを全体的に形成できる露光動作を実現することが求められる。
本発明の露光装置は、複数の光変調素子を2次元配列させた光変調素子アレイと、光変調素子アレイからのパターン光を、被描画体(露光対象物)の露光対象面に投影する投影光学系と、露光エリアを被描画体に対して相対的に移動させる走査部と、露光エリアの位置に応じたパターンデータに基づいて光変調素子アレイを露光制御する露光制御部とを備える。露光制御部は、オーバラップ露光動作を実行すればよい。
本発明の露光装置は、走査平面に平行でない表面、曲面などの外表面をもつ露光対象物に適応可能であり、投影光学系は、走査平面に対し傾斜する焦点面にパターン光を結像させる。ただし、走査平面は、被描画体の走査時の相対移動方向(主走査方向)に沿った平面を表す。投影光学系は、焦点深度の範囲を超えるように傾斜した焦点面に露光エリアを形成することが可能である。具体的には、投影光学系は、「T<H」を満たすように焦点面を形成することができる。ただし、Tは投影光学系の焦点深度、Hは露光エリアを走査平面の垂線に投影したときの距離を表す。
そして本発明の露光制御部は、露光動作時、すなわち各ショット露光を行うとき、露光対象面の中で合焦範囲にある部分(ここでは、合焦エリアという)に対し、パターンデータに基づいた光変調素子の制御を行う。合焦エリアは、露光エリアの相対的位置と露光対象物の形状、相対的位置に従って露光対象面に規定される領域であり、その形状は様々である。所定のショット露光動作時において、焦点位置に当たる焦点面上に規定される露光エリアに基づいて合焦範囲が定められると、露光対象面の中でその合焦範囲にある合焦エリアに対し、パターン光が投影される。
一方、露光エリアの中で合焦エリアに該当しない部分については、パターンデータに基づく露光動作を行わない。例えば露光制御部は、合焦エリア以外のエリアに応じた光変調素子に対し、マスクデータを設定することができる。マスクデータは、不使用の光変調素子を指定するデータであり、例えば露光データと論理積演算を行うことにより、光変調素子アレイの中で特定の光変調素子を露光パターンに関わらずOFF方向に駆動することができる。
露光制御部は、被描画体の露光対象面の高さ分布データと、焦点面の走査平面に対する傾斜角度に基づき、合焦エリアに応じた光変調素子に対し、パターンデータに基づく露光制御を行うことができる。例えば、光変調素子の露光エリアにおける投影像であるセルのサイズに合わせて高さ分布データをあらかじめ作成すればよい。
投影光学系は、画質差が生じないように、走査平面の法線と焦点面の法線とのなす角が走査平面の法線と主光線の法線とのなす角より大きくなる範囲で、主光線を焦点面に対して入射させればよい。例えば投影光学系は、コリメートプリズムなどで構成することが可能であり、パターン光の主光線を走査平面に対して略垂直な光で焦点面に入射させる。なお、投影光学系は、前記光変調素子アレイからのパターン光を結像させる結像光学系と、焦点面に投影される投影像の主光線の角度を変更し、被描画体の相対移動方向に沿った走査平面に対し傾斜する焦点面に沿ってパターン光を結像させる光学系とを備えるように構成することが可能であって、投影露光制御に関連付けなくても本発明と同様の技術的意義をもつ。
本発明の他の態様における露光方法は、複数の光変調素子を2次元配列させた光変調素子アレイからのパターン光を、被描画体の露光対象面に投影し、露光エリアを被描画体に対して相対的に移動させ、露光エリアの位置に応じたパターンデータに基づいて光変調素子アレイを露光制御する露光方法であって、被描画体の相対移動方向に沿った走査平面に対し傾斜する焦点面にパターン光を結像させ、露光動作時、露光対象面の中で焦点深度の範囲にある合焦エリアに対し、パターンデータに基づいた光変調素子の制御を行う。
一方、本発明の他の態様における露光装置は、複数の光変調素子を2次元配列させた光変調素子アレイと、光変調素子アレイからのパターン光を、被描画体の露光対象面に投影する投影光学系と、露光エリアを被描画体に対して相対的に移動させる走査部と、露光エリアの位置に応じたパターンデータに基づいて光変調素子アレイを露光制御する露光制御部とを備え、走査部が、露光エリアを主走査方向に沿って移動させながら露光平面に垂直な方向に沿って昇降させ、露光制御部が、露光動作時、露光対象面の中で焦点深度の範囲にある合焦エリアに対し、パターンデータに基づいた光変調素子の制御を行う。
走査部は、露光エリアの昇降過程で非露光エリアが生じないように定められる、露光エリアの主走査方向への移動速度および走査平面垂直方向に沿った移動距離に従って露光対象物を相対移動させればよい。
本発明の他の態様における露光方法は、複数の光変調素子を2次元配列させた光変調素子アレイからのパターン光を、被描画体の露光対象面に投影し、露光エリアを被描画体に対して相対的に移動させ、露光エリアの位置に応じたパターンデータに基づいて光変調素子アレイを露光制御する露光方法であって、露光エリアを主走査方向に沿って移動させながら露光平面に垂直な方向に沿って昇降させ、露光動作時、露光対象面の中で焦点深度の範囲にある合焦エリアに対し、パターンデータに基づいた光変調素子の制御を行う。
本発明によれば、マスクレス露光装置において、高低差のある露光対象物においても、全体に渡って焦点を合わせて高解像度のパターンを形成することができる。
第1の実施形態である露光装置のブロック図である。 投影光学系の概略的内部構成の一例を示した図である。 多重露光動作時の露光対象物の移動方向傾斜角度を俯瞰的に示した図である。 露光対象物の斜視図である。 露光対象物を上から見た平面図である。 露光対象物と焦点面とを横方向から見た図である。 焦点面が露光対象物と交差する断面を示した図である。 露光対象物と焦点面の交差部分を示した図である。 所定の露光位置における露光対象物外表面の合焦エリアを上から見て示した図である。 露光位置P1〜P10における合焦エリアを上から見て示した図である。 露光位置P1〜P10における合焦エリアを上から見て示した図である。 露光位置P1〜P10における合焦エリアを上から見て示した図である。 露光位置P1〜P10における合焦エリアを上から見て示した図である。 露光位置P1〜P10における合焦エリアを上から見て示した図である。 露光位置P1〜P10における合焦エリアを上から見て示した図である。 露光位置P1〜P10における合焦エリアを上から見て示した図である。 露光位置P1〜P10における合焦エリアを上から見て示した図である。 露光位置P1〜P10における合焦エリアを上から見て示した図である。 露光位置P1〜P10における合焦エリアを上から見て示した図である。 露光動作処理のフローチャートである。 露光面上におけるセル高さを示した図である。 走査平面(描画面)上におけるセル配列位置を示した図である。 走査平面上における露光対象物の高さ分布を示した図である。 主光線が傾斜しているときの焦点深度と合焦可能範囲を示した図である。 露光動作中における露光エリアの鉛直方向移動を示した図である。 露光不可能エリアが生じる場合の露光エリアの移動過程を示した図である。 露光不可能エリアが生じない場合の露光エリアの移動可能を示した図である。 露光エリアの幅に対する移動高さが低くなるように変えた場合の露光エリアの移動過程を示した図である。 露光エリアの幅に対する移動高さが高くなるように変えた場合の露光エリアの移動過程を示した図である。
以下では、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図1は、第1の実施形態である露光装置のブロック図である。
露光装置10は、露光対象物(被描画体)Wの表面に設けられた感光層Pへ光を照射することによってパターンを形成するマスクレス露光装置であり、露光対象物Wがステージ(描画テーブル)12に搭載される。ステージ駆動機構15は、主走査方向X、副走査方向Yに沿ってステージ12を移動させることができるとともに、ステージ12の移動方向(X−Y方向)に垂直なZ方向にも移動させることができる。
露光装置10は、パターン光を投影する複数の露光ヘッドを備えており(ここでは1つの露光ヘッド20のみ図示)、露光ヘッド20は、照明光学系21、DMD22、投影光学系23を備える。放電ランプなどによって構成される光源40は、光源駆動部41によって駆動される。
ベクタデータなどで構成されるCAD/CAMデータが露光装置10へ入力されると、描画処理部26は、ベクタデータをラスタデータに変換する。ラスタデータは、バッファメモリ(図示せず)に一時的に格納された後、画面生成部24へ送られる。
DMD22は、微小マイクロミラーを2次元配列させた光変調素子アレイであり、各マイクロミラーは、姿勢を変化させることによって光の反射方向を選択的に切り替える。画面生成部24がDMD22を駆動することによって各ミラーが姿勢制御され、パターンに応じた光が投影光学系23を介して焦点面に結像される。これによって、パターン像が露光対象面に形成される。
ステージ駆動機構15は、コントローラ30からの制御信号に従い、ステージ12を移動させる。ステージ駆動機構15にはエンコーダ(図示せず)が備わっており、ステージ12の位置を測定し、コントローラ30にフィードバックする。コントローラ30は、露光装置10の動作を制御し、ステージ駆動機構15、描画処理部26などへ制御信号を出力する。露光動作に関するプログラムは、あらかじめRAM(図示せず)などのメモリに格納されている。
露光動作前のアライメント調整および露光動作の際に、ステージ12は、主走査方向Xに沿って一定速度で移動する。DMD22全体による投影エリア(以下、露光エリアという)は、ステージ12の移動に伴って露光対象物W上を相対的に移動する。ここでは、多重露光動作、すなわちオーバラップ露光動作を実行するように構成されており、ステージ12の移動方向である主走査方向Xは、露光エリアのカラム方向(X方向)に対して微小角度傾斜している。
また、露光ピッチは、ミラー1ショットの中心位置(以下、露光点という)が互いに重ならないように微小角度に応じて定められている。これにより、ミラー投影エリア(セル)サイズ内に露光点が多数分散して点在することになり、積算光量分布に偏りなく多重露光によってパターン形成することができる。露光ヘッド20を含めた複数の露光ヘッドそれぞれの露光動作によって描画することによって、露光対象物Wの露光対象面全体にパターンが形成される。
本実施形態の露光装置は、走査平面に対して平行ではない平面、曲面あるいはそれらを組み合わせた露光対象面をもつ露光対象物Wに対し、パターンを形成することが可能である。結像光学系23Bは、X−Y平面、すなわちステージ12の移動方向に沿った平面に対して垂直方向Zに傾斜する焦点面を形成するように構成されている。
コントローラ30は、ステージ12の移動中、露光対象物Wの露光対象面の中で合焦範囲にあるエリアにショット露光する投影マイロミラーを選択し、それ以外のマイクロミラーに対しては、マスク生成部25で生成されるマスクデータに基づいてマスク処理を施す。以下、投影光学系23および3次元露光動作について説明する。
図2は、投影光学系の概略的内部構成の1例を示した図である。
投影光学系23は、コリメートプリズム23A、結像光学系23B、コリメートプリズム23Cを備え、結像光学系23Bは、共役関係にあるコリメートプリズム23A、23Cの間に配置されている。コリメートプリズム23A,23Cは、それぞれ結像面に投影される投影像の主光線の角度を変更するためのウェッジプリズムであり、対として使用することで投影光学系23の入射側光路と出射側光路を略平行に保ちながら(コリメートしながら)焦点面を傾斜させる機能を果たす。コリメートプリズム23Aとコリメートプリズム23Cは結像光学系23Bを挟むようにDMD側とステージ12側と間に配置されている。結像光学系23Bは、焦点深度Tの範囲でパターン光を結像させる。
コリメートプリズム23A、23Cは、DMD22からのパターン光の主光線MCを垂直方向Zに沿ってステージ12方向へ導く。ここでの主光線MCは、主走査方向X、副走査方向Yによって規定される走査平面SPに対して垂直に入射する。したがって、コリメートプリズム23A、23Cは、焦点面(結像面)を、走査平面SPに対し垂直方向Z側に傾斜した平面に沿って形成する。図2では、焦点面を符号「ES」で表している。
これにより、DMD22からのパターン光が結像する像面エリア、すなわち露光エリアEAは、焦点面ESに沿ったエリアとなる。コリメートプリズム23A、23Cは、露光エリアEAの走査平面SPに対する垂直方向高さHが焦点深度Tよりも大きくなるように、焦点面ESを走査平面SPに対し傾ける。なお焦点深度Tについては、垂直方向Zに沿って定めている。なお、露光可能な主走査方向に沿った長さ(幅)について、便宜上、露光対象物と同じ符号“W”を以下において用いている。
図3は、多重露光動作時の露光対象物の移動方向傾斜角度を俯瞰的に示した図である。
図3において、awは、露光エリアEAにおいて焦点深度に相当する高さ(=T)までの主走査方向Xに沿った微小露光エリア幅を表す。上述したように、ステージ12の移動方向である主走査方向Xに対して、露光エリアのカラム方向(X方向)が焦点面ESに沿って微小角度だけ傾斜している。このとき、多重露光動作を実現させるため、傾斜角度は、以下の式を満たすように定められる。ただし、asは、微小露光エリア幅awの位置における露光エリアEAの副走査方向Yに沿った長さを示す。CSは、マイクロミラーの投影像(セル)の露光面上でのサイズ(セルサイズ)を表す。

as=m×CS (mは素数)
・・・・・(1)
上記数式を満たすことにより、焦点深度Tの範囲で、多重露光動作のときの光量分布の偏りが抑えられる。特に、mを素数とすることで最も光量分布の偏りを抑えることができる。
次に、図4〜図10を用いて、多重露光動作をおこなったときに露光エリアの中で露光対象となる部分の変化について説明する。
図4は、露光対象物Wの斜視図である。図5は、露光対象物Wを上から見た平面図である。ここでは、説明を簡単にするため、露光対象物Wを四角錐の形状とし、その外表面WSは4つの三角形状平面から成る。なお、図4、5では、便宜上、露光対象物Wの突起部分のみを図示している。また、以下では突起部分だけに関しても符号Wを適宜用いる。
図6は、露光対象物Wと焦点面ESとを横方向から見た図である。図7は、焦点面ESが露光対象物Wと交差する断面を示した図である。図6、7には、所定の露光ピッチで移動する焦点面ESとそのときの露光対象物Wの位置関係を示している。ここでは説明を簡単にするために比較的大きな露光ピッチを設定しているが、実際は微小距離間隔であり、実質的に連続的移動とみなせる。
図6に示すように、四角錐形状である露光対象物Wの外表面WSは、ステージ12すなわち走査平面SPに対する傾斜角度を有する。P1〜P10の露光位置で露光動作を行う場合、各露光動作時に焦点面ESが露光対象物Wと交差する断面形状は、それぞれ異なる。ここでの露光対象物Wの外表面WSは、走査平面SPとは異なる傾斜角度になっている。
一方、焦点深度Tは焦点面ESの光路方向の前後に定められるものであり、焦点面ESの前後の焦点深度の半分の距離(=T/2)の範囲で焦点面ESと垂直にオフセットしていても、焦点が合うものと見なせる。したがって、焦点面ESと露光対象物Wが交差する場合、その外表面WSでは、焦点位置となる交線を内包する部分(以下、合焦エリアという)が、焦点深度Tの範囲に応じて存在する。
図8Aは、露光対象物と露光位置P3における焦点面との交差部分を示した図である。図8Bは、露光位置P3における露光対象物外表面(以下、露光対象面ともいう)WSの合焦エリアを上から示した図である。図8Bでは、露光エリアEAの中で合焦エリア(=合焦範囲に収まる領域)EPを白色で示している。また図8Bでは、露光対象物Wの露光エリアEAに対する相対位置に基づいて露光対象物外表面WSを鎖線で示している。
図9A〜図9Jは、露光位置P1〜P10における合焦エリアを上から見て示した図である。ここでは、露光ヘッド20と露光対象物Wの相対移動に従う合焦エリアEPの変化を時系列的に示している。図9A〜9Jから明らかなように、合焦エリアEPは、露光エリアEAの移動に伴ってそのエリア形状は変遷し、その形状は1つの閉じた図形に限らず、複数の領域が分散する場合もある。一方、露光対象物外表面WSの合焦エリアEP以外にパターン光を投影すると、その像は焦点が合っていない。そのため、マスクデータを用いたマスク処理によって合焦エリアのみパターン光を投影し、それ以外の領域についてはパターン光を投影しない。
図10は、露光動作処理のフローチャートである。図11は、露光面上におけるセル高さを示した図である。図12は、走査平面(描画面)上におけるセル位置座標を示した図である。図13は、走査平面上における露光対象物の高さ分布を示した図である。図10〜図13を用いて、露光動作処理について説明する。
ステップS101では、光変調素子アレイであるDMD22においてアレイの中の配列位置(r、c)をもつマイクロミラーMMに関し、その焦点面ESでのセルCの高さaHが、以下の式によって算出される(図11参照)。すなわち、1つのマイクロミラーの焦点面ES上でのショットエリアの高さが求められる。ただし、配列位置rは、DMD22上で規定される座標である。また、CSは、セルサイズを表す。

aH=r×CS×H/W
・・・・・(2)
ステップS102では、マイクロミラーMM(=セルC)の走査平面SPにおける配列位置(ax、ay)に基づき、露光対象物外表面WSの高さhが求められる(図12、図13参照)。図12に示すように、DMD22の描画面上における原点座標(Xpos、Ypos)から、マイクロミラーMMに応じたセルCの配列位置(ax、ay)が以下の式によって求められる。なお、図12に示すエリアEA’は、DMD22全体から光を走査平面SPに投影したときのエリアを示している。

ax=Xpos+r×CS
ay=Ypos+c×CS
・・・・・(3)
一方、露光対象物Wについては、セルサイズCSに応じた微小領域ごとの高さ分布データがあらかじめデータとしてメモリ32に記憶されており、上記式で算出された配列位置(ax、ay)に対応する露光対象物Wの高さhが読み出される。図13に示すように、走査平面SPの全域はセルサイズCSに応じてマトリクス状(格子状)に細分化されており、露光対象物Wの各微小領域の高さ分布データが、同一高さを示す等高線EHに基づいて定められている。なお、露光対象物Wのステージ12上の搭載位置および露光動作回数に基づいて露光対象物Wの描画面上における位置W0が検出される。
ステップS103では、露光対象物外表面WSのセルCの配列位置(ax、ay)での高さhが、合焦範囲内にあるか否かが以下の式に基づいて判断される。

aH−T/2<h<aH+T/2
・・・・・(4)
(4)式を満たす場合、パターンデータに基づいてマイクロミラーをON/OFF制御するため、マスクデータをOFFに設定する(S104)。一方、(4)式を満たさない場合、マスク処理を施すため、対象となるマイクロミラーに対してマスクデータONを設定する(S105)。このような判断を露光エリアEA全体に対して実行すると(S106)、マスク生成部25はマスクデータを生成し、画面生成部24は、描画処理部26で生成されたラスタデータにマスクデータを重ねた露光データに基づいて、パターン光を投影する(S107)。露光対象面の全エリアに対する描画が終了するまで露光動作が続けられる。
このように本実施形態によれば、立体的な露光対象物Wに対して多重露光動作を行うため、投影光学系23がコリメートプリズム23A、23Cによって焦点面ESを走査平面SPに対して傾斜させる。そして、露光位置で焦点位置から外れる表面部分に光を投影するマイクロミラーについては、マスクONに設定し、合焦範囲にある表面部分については、マスクOFF設定してパターンデータに基づいてマイクロミラーを制御する。
これにより、露光対象物の外表面が平坦でなく、ワンショットエリアとなる露光エリア内において焦点深度を超える高低差がある場合でも、焦点の合った高解像度のパターンを形成することができる。また、多重露光動作によってパターンを形成するため、露光対象領域が広い場合でもその表面全体に焦点の合ったパターン光を結像させることができる。
なお、本実施形態では、主光線MCは走査平面SPに垂直入射するように構成されているが、ある程度許容される範囲で垂直方向Zに対し傾斜していてもよい。この場合、走査平面SPの法線と結像面ESの法線とのなす角をa、走査平面SPの法線と主光線MCの法線とのなす角をbとすると、a>bを満たすようにコリメートプリズム23A、23Cの光学特性が定められる。この範囲であれば、露光対象面の傾斜する向きによって画質に差異が生じない。
図14は、主光線MCが傾斜しているときの焦点深度の範囲を示した図である。
図14において、αは主光線MCと走査平面SPの法線との成す角度を表す。主光線MCが垂直入射する場合(α=0)、主走査方向Xに沿って焦点深度T内に収まる露光可能範囲2Bは、以下の式によって求められる。ただし、βは走査平面SPと焦点面ESのなす角度を表す。

2B=T/tanβ
・・・・・(5)
一方、主光線MCが垂直入射しない場合、露光可能範囲2Bは以下の式によって求められる。図14では、主光線MCが垂直入射していない場合の状態を示している。

2B=T×cosα/tanβ
・・・・(6)

これに基づいて、投影エリア位置座標、およびセル配列位置などが補正される。
本実施形態では、結像面ESが平面であるが、光学系特性に合わせて結像面ESが曲率をもつ曲面として定めてもよく、平面に限定されない。この場合、その結像面の面特性に合わせて露光動作を作成すればよい。また、焦点深度Tの範囲全体ではなく、焦点深度の上限値、下限値付近を除いた焦点面に近い範囲だけで合焦範囲を定めてもよい。
また本実施形態では、主光線を走査平面に対して垂直に入射するとともに、焦点面(結像面)を、走査平面に対し垂直方向Z側に傾斜した平面に沿って形成するためのコリメート手段として、コリメートプリズムを使用したが、コリメート手段はコリメートプリズムに限定するものではなく、例えばレンズやミラーを用いても良い。また、コリメート手段に焦点面の傾斜角度を変更可能な機構を設け、露光対象物の形状に応じて角度調整しても良い。
本実施形態では、露光対象物Wについて微小領域ごとの高さデータがあらかじめデータとしてメモリ32に記憶されているが、この高さデータは露光装置内部にて不図示のセンサを用いて測定し作成することとしてもよい。あるいは、露光装置外部の測定機によって測定した結果を入力するようにしてもよい。
次に、図15を用いて、第2の実施形態である露光装置について説明する。第2の実施形態では、投影光学系23が走査平面に平行な露光面を結像し、ステージ駆動機構15が走査方向Xにステージ12を移動させるとともに走査平面SPに対し垂直な方向に往復移動させながら露光動作を行う。それ以外の構成については第1実施形態と共通であるので説明は省略する。
図15Aは、露光動作中における露光エリアの垂直方向移動を示した図である。
第2の実施形態では、投影光学系23は、走査平面SPに平行な焦点面を形成する。その一方で、ステージ12を露光動作中、すなわちステージ12を主走査方向Xに移動している間、垂直方向Zに沿って上昇、下降させる。このとき多重露光動作の露光ピッチに合わせて上昇、下降する。図15Aには、最下段から最上段まで高さaHの距離を移動する露光エリアEAの位置の変動を示している。
ステージ12が主走査方向Xに移動しながら垂直方向Zに移動していくため、ステージ12の移動速度によっては、多重露光動作を行っているのに露光エリアEAが通過しない(すなわち多重露光できない)露光不可能エリアが生じてしまう。これを防ぐため、ステージ12の往路と復路で2回露光動作を実現できる移動速度を設定する必要がある。
図15Bは、露光不可能エリアが生じる場合の露光エリアEAの移動過程を示した図である。図15Bには、露光エリアEAが最上段へ移動するまでに主走査方向Xに沿ってステージ12の移動する距離aXが、高さaHと等しい(図15Bの角度γ=45°)。図15Bの、露光エリアEAが通過しない三角形状空白部分ETに露光対象面が存在する場合、その部分は露光できない。
図15Cは、露光不可能エリアEAが生じない場合の露光エリアEAの移動過程を示した図である。Wx≧2×aXの場合、すべてのエリアで露光エリアEAが少なくとも1度通過し、多重露光することができる。このときの角度γは60°である。
図15Dは、露光エリアEAの幅に対する移動高さが低くなるように変えた場合の露光エリアEAの移動過程を示した図である。aX=aHである場合においても、2Wx≧aXであれば、すべての露光対象エリアに対して露光可能である。
図15Eは、露光エリアEAの幅に対する移動高さが高くなるように変えた場合の露光エリアEAの移動過程を示した図である。Wx>aHであっても、露光対象エリア全体に対して露光可能である。
このように、露光エリアEAが最上段へ移動するまでに主走査方向Xに沿ってステージ12の移動する距離aXと、移動高さaHとを調整する(実質的にはステージ12の移動速度と移動高さaHとを調整する)ことによって、露光対象エリアを確実に露光することができる。コントローラ30は、ステージ12の移動速度とステージ12の鉛直方向移動範囲を、露光対象物Wの高さ情報などに基づいて定める。なお、露光動作については、第1の実施形態の図11に示した露光制御と同様、合焦エリアに該当するマイクロミラーをパターンデータに基づいて制御し、それ以外についてはマスクデータによってOFFに設定すればよい。
なお、本実施形態では、ステージのZ方向の移動速度が往復で同じ場合について説明したが、上昇時と下降時で異なる速度で移動するようにしても良い。また、上昇または下降の一方の間のみ露光するようにしても良い。例えば、ステージを走査方向に移動させると同時に上昇させながら多重露光を行い、露光エリアESがaHまで上昇した時点でステージの走査を停止し、ステージを下降させてから、再度ステージの走査と上昇および露光を行っても良い。その場合は露光エリアの移動過程を示す図形は鋸歯状となる。
露光動作については、第1の実施形態と同様、焦点深度に合わせて露光対象物Wの露光対象面高さがが焦点深度の範囲に収まるか否かを判断し、合焦範囲の表面部分についてはパターンデータによる露光動作を行い、それ以外についてはマイクロミラーOFF状態にしてマスク処理を行う。なお、ステージ12の代わりに露光ヘッドあるいは投影光学系を垂直方向Zに沿って相対移動ささせてもよい。
以上、第1の実施形態によれば、投影光学系の焦点深度以上の高低差のある露光対象物においても、1度の走査露光によって全体に焦点の合ったパターンを形成することができるので、スループットよく非平坦面を含む露光対象物を露光する事ができる。また、第2実施形態によれば、第1実施形態よりも更に大きな高低差のある露光対象物を1度の走査によって露光することができる。
10 露光装置
12 ステージ
15 ステージ駆動機構(走査部)
20 露光ヘッド
22 DMD(光変調素子アレイ)
23 投影光学系
23A コリメートプリズム
23B 結像光学系
23C コリメートプリズム
24 画面生成部
25 マスク生成部
30 コントローラ(露光制御部、走査部)
ES 焦点面
T 焦点深度
W 露光対象物

Claims (8)

  1. 複数の光変調素子を2次元配列させた光変調素子アレイと、
    前記光変調素子アレイからのパターン光を、被描画体の露光対象面に投影する投影光学系と、
    露光エリアを前記被描画体に対して相対的に移動させる走査部と、
    露光エリアの位置に応じたパターンデータに基づいて前記光変調素子アレイを露光制御する露光制御部とを備え、
    前記投影光学系が、前記被描画体の相対移動方向に沿った走査平面に対し傾斜する焦点面にパターン光を結像させ、
    前記露光制御部が、露光動作時、露光対象面の中で焦点深度の範囲にある合焦エリアに対し、パターンデータに基づいた光変調素子の制御を行い、
    前記投影光学系が、パターン光の主光線を走査平面に対して略垂直な光で焦点面に入射させることを特徴とする露光装置。
  2. 前記露光制御部が、前記被描画体の露光対象面高さ分布データと、焦点面の走査平面に対する傾斜角度に基づき、合焦エリアに応じた光変調素子に対し、パターンデータに基づく露光制御を行うことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記露光制御部が、合焦エリア以外のエリアに応じた光変調素子に対し、マスクデータを設定することを特徴とする請求項1乃至2のいずれかに記載の露光装置。
  4. 前記投影光学系が、以下の関係式を満たすように焦点面を形成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の露光装置。

    T<H

    ただし、Tは投影光学系の焦点深度、Hは露光エリアを走査平面の垂線に投影したときの距離である。
  5. 前記投影光学系が、走査平面の法線と焦点面の法線とのなす角が走査平面の法線と主光線とのなす角より大きくなる範囲で、主光線を焦点面に対して入射させることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の露光装置。
  6. 焦点面が平面であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の露光装置。
  7. 前記投影光学系が、コリメートプリズムを有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の露光装置。
  8. 複数の光変調素子を2次元配列させた光変調素子アレイからのパターン光を、被描画体の露光対象面に投影し、
    露光エリアを前記被描画体に対して相対的に移動させ、
    露光エリアの位置に応じたパターンデータに基づいて前記光変調素子アレイを露光制御する露光方法であって、
    前記被描画体の相対移動方向に沿った走査平面に対し傾斜する焦点面にパターン光を結像させ、
    露光動作時、露光対象面の中で焦点深度の範囲にある合焦エリアに対し、パターンデータに基づいた光変調素子の制御を行う露光方法であって、
    パターン光の主光線を走査平面に対して略垂直な光で焦点面に入射させることを特徴とする露光方法。
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