CN110325918B - 直接成像曝光装置以及直接成像曝光方法 - Google Patents

直接成像曝光装置以及直接成像曝光方法 Download PDF

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Abstract

【课题】能够超过以往的分辨率的极限而有效地提高分辨率，以使照射的光的图案尽可能接近设计曝光图案。【解决手段】利用具备作为DMD的空间光调制器的曝光单元向曝光区域E照射曝光图案的光，一边利用移动机构使对象物W经过曝光区域E而移动一边向对象物W的表面的感光层照射临界曝光量以上的光而进行曝光。对象物W的要曝光点多次位于空间光调制器的开启状态的像素镜所对应的对应坐标G而进行多重曝光。到设计曝光图案的边界的距离小于曝光点间距的曝光点的多重曝光的次数是根据到边界的距离而设定的比最大次数少的次数。

Description

直接成像曝光装置以及直接成像曝光方法
技术领域
本申请涉及直接成像曝光的技术。
背景技术
对表面形成有感光层的对象物进行曝光而使感光层感光的曝光技术作为光刻的主要技术而被广泛利用于各种微细电路、微细构造的形成等。在代表性的曝光技术中，对形成有与曝光图案相同的图案的掩模照射光，并将掩模的像投影到对象物的表面，从而使曝光图案的光照射到对象物。
与这种使用了掩模的曝光技术不同，已知有使用空间光调制器在对象物的表面直接形成像来进行曝光的技术。以下，在本说明书中，将该技术称为直接成像曝光，简称为DI曝光。
在DI曝光中，典型的空间光调制器是DMD(Digital Mirror Device)。DMD具有将微小的方形的镜配设为直角格子状的构造。各镜相对于光轴的角度被独立地控制，可实现反射来自光源的光而使其到达对象物的姿势、以及使来自光源的光不到达对象物的姿势。DMD具备控制各镜的控制器，控制器按照曝光图案控制各镜，将曝光图案的光照射到对象物的表面。
在DI曝光的情况下，由于不使用掩模，因此可在多品种少量生产中发挥优势。在使用了掩模的曝光的情况下，需要按照每个品种准备掩模，还包含掩模保管等的成本而花费较大成本。另外，在为了生产不同品种而更换掩模时，需要停止装置的运行，再次开始需要花费工夫和时间。因此，成为生产性降低的重要因素。另一方面，在DI曝光的情况下，按照每个品种准备各镜的控制数据即可，在制造不同品种时仅通过变更控制数据就能够应对，因此成本上、生产性上的优势显著。另外，还能够根据需要按照每个工件(曝光对象物)对曝光图案进行微调，在工序的灵活性方面也优异。
作为空间光调制器，除了反射型的上述DMD以外，还研究了透射型的空间光调制器。典型的透射型的空间光调制器应用了透射型的液晶显示元件，通过各单元的液晶的排列来控制光的透射、遮挡，向对象物照射曝光图案的光。
另外，在以下的说明中，将空间光调制器中的使光反射或透射而到达对象物的各部分称作像素。像素在反射型的空间光调制器的情况下成为各镜，在透射型的空间光调制器的情况下成为各单元。另外，关于各像素，将使光反射或透射而到达对象物的状态称为开启(on)状态，将不使光到达对象物的状态称为关闭(off)状态。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004－355006号公报
发明内容
发明要解决的课题
DI曝光虽然具有上述那样的优势，但也具有数字技术特有的缺点。其中之一是曝光分辨率的极限。在DI曝光中，无法进行比空间光调制器的各像素的像素尺寸的投影倍率更细的曝光。这一点也可以说成无法按照作为设计信息的曝光图案(在产品的设计上希望在对象物上曝光的图案，以下称作设计曝光图案。)那样忠实地进行曝光。例如在制造的产品是印刷基板的情况下，设计曝光图案是形成在基板上的电路的设计上的图案。
更具体而言，在DI曝光中，按照设计曝光图案制作光栅图像(raster image)(位图(bit map)图像)。这是因为，设计曝光图案大多是矢量图像，通过矢量图像数据无法实现空间光调制器的各像素的开启关闭控制。在该情况下，光栅图像的数据分辨率只能精细到空间光调制器的像素尺寸×投影倍率。这是因为，即使进一步提高数据分辨率，也无法用空间光调制器来表现，因此没有意义。
另一方面，设计曝光图案的数据大多是比光栅图像的分辨率高的分辨率的数据。在该情况下，当按照设计曝光图案生成光栅图像时，图像不可避免地变得“粗糙”。随之出现一些问题。
关于这一点，使用图10及图11进行说明。图10及图11是表示空间光调制器的控制用的图像数据变得比设计曝光图案粗糙而带来的问题的图。
其中，图10中示出了产生锯齿的问题。图10的(1)示出设计曝光图案的一例，图10的(2)示出根据(1)的设计曝光图案生成的光栅图像。假设设计曝光图案如图10的(1)所示那样具有倾斜的边界。“倾斜”是指相对于空间光调制器的像素的排列方向倾斜。在该情况下，在使设计曝光图案二值化而成为光栅图像时，如图10的(2)所示，在倾斜的边界产生锯齿。
若产生锯齿，则例如在为了形成微细电路而进行曝光的情况下，有在形成的微细电路中容易产生不需要的辐射(噪声)的问题。此外，一般来说，若通过曝光形成的图案有锯齿，则外观较差。因而，在DI曝光中要求形成尽可能无锯齿的平滑的轮廓形状的图案。
另外，关于向光栅图像的转换，还存在曝光图案的变更自由度低这一课题。图11示意性地示出了这种情况。
设计曝光图案如微细电路的形成那样常常包含线状的部分。在该情况下，线宽被四舍五入为光栅图像中的像素尺寸的单位。例如，在设计曝光图案的线宽为8.4像素的情况下，由于不能为8.4像素，因此如图11的(1)所示，设为8像素的线宽。在该情况下，例如在希望在设计曝光图案中将线宽变更为7.4像素的情况下，在光栅图像中四舍五入而成为7像素。并且，在该情况下，由于线路的中心位置(宽度方向的中央位置)不应变更的情况较多，因此这样会如图11的(2)所示那样成为6像素的线宽。即，成为比设计曝光图案细1.4像素的线。
这样，在DI曝光中，在根据设计曝光图案生成光栅图像数据时数据无论如何都会变粗糙，因此无法以设计曝光图案或者与之接近的分辨率进行曝光，产生由此引发的问题。除了上述以外，虽然省略了详细说明，但若欲在图10的(2)所示那样的倾斜45度延伸的线路的图案的曝光中校正线宽，则校正单位为
Figure GDA0002226408730000031
(2)倍，因此还存在产生过度校正的问题。
本发明是为了解决这样的DI曝光的课题而完成的，目的在于提供如下优异的技术：在按照设计曝光图案控制空间光调制器而进行曝光时，能够超过以往的分辨率的极限而有效地提高分辨率，以使照射的光的图案尽可能接近设计曝光图案。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，本发明的技术方案1所记载的发明具有如下结构：一种直接成像曝光装置，具备：曝光单元，向曝光区域照射符合设计曝光图案的图案的光；以及移动机构，使对象物经过曝光区域相对地移动，该对象物的表面形成有通过进行临界曝光量以上的曝光而感光的感光层；曝光单元具备：光源；空间光调制器，配置于来自光源的光所照射的位置，具有多个像素，以使向曝光区域照射的光成为符合设计曝光图案的图案的方式使来自光源的光进行空间调制，所述多个像素被设为使光朝向曝光区域进行取向的状态即开启状态和不使光朝向曝光区域进行取向的状态即关闭状态中的某一种；以及光学系统，将由空间光调制器进行了空间调制后的光投影到曝光区域；所述直接成像曝光装置，设有：调制器控制器，控制空间光调制器的各像素；以及存储部，存储有曝光控制数据，该曝光控制数据是调制器控制器用于控制各像素的开启关闭的数据；在曝光区域，设定了与空间光调制器的各像素对应的对应坐标；在对象物的表面，设定了表示应被曝光的位置的要曝光点，各要曝光点是以曝光点间距的距离相互隔开的点；光学系统在与空间光调制器的开启状态的各像素对应的各对应坐标上将该像素的像素图案进行投影；移动机构使对象物移动，以使对象物的一个要曝光点的位置根据沿着移动方向的扫描线上的像素图案而被曝光并且还根据相邻的扫描线上的像素图案的周边部而被叠加地曝光，各像素图案的照度分布是在中央部变高而在周边部变低的分布；曝光控制数据使得伴随着由移动机构进行的对象物的移动、对象物的表面的同一要曝光点以包含一次及两次以上的规定次数位于像素图案所投影的对应坐标而进行曝光；所述曝光控制数据中的规定次数，对于到设计曝光图案的边界的距离为曝光点间距以上的要曝光点而言是最大次数，对于到设计曝光图案的边界的距离小于曝光点间距的要曝光点而言，是根据到边界的距离而设定的比最大次数少的次数。
另外，为了解决上述课题，技术方案2所记载的发明，在所述技术方案1的结构中，具有如下结构：所述空间光调制器是数字微镜器件。
另外，为了解决上述课题，技术方案3所记载的发明，一种直接成像曝光方法，具备以下步骤：调制器照射步骤，向空间光调制器照射来自光源的光，该空间光调制器具有多个像素，该多个像素被设为使光朝向曝光区域进行取向的状态即开启状态和不使光朝向曝光区域进行取向的状态即关闭状态中的某一种；调制器控制步骤，控制空间光调制器，以使向曝光区域照射的光成为符合设计曝光图案的图案；投影步骤，利用光学系统将来自空间光调制器的光进行投影；以及移动步骤，使对象物经过曝光区域相对地移动，该对象物的表面形成有通过进行临界曝光量以上的曝光而感光的感光层；在曝光区域，设定了与空间光调制器的各像素对应的对应坐标；在对象物的表面，设定了表示应被曝光的位置的要曝光点，各要曝光点是以曝光点间距的距离相互隔开的点；在投影步骤中，在与空间光调制器的开启状态的各像素对应的各对应坐标上将该像素的像素图案进行投影；在投影步骤及移动步骤中，使对象物移动，以使对象物的一个要曝光点的位置根据沿着移动方向的扫描线上的像素图案而被曝光并且还根据相邻的扫描线上的像素图案的周边部而被叠加地曝光，各像素图案的照度分布是在中央部变高而在周边部变低的分布；在调制器控制步骤及移动步骤中，使得伴随着由移动机构进行的对象物的移动、对象物的表面的同一要曝光点以包含一次及两次以上的规定次数位于像素图案所投影的对应坐标而进行曝光；所述曝光控制数据中的规定次数，对于到设计曝光图案的边界的距离为曝光点间距以上的要曝光点而言是最大次数，对于到设计曝光图案的边界的距离小于曝光点间距的要曝光点而言，是根据到边界的距离而设定的比最大次数少的次数。
另外，为了解决上述课题，技术方案4所记载的发明是，所述技术方案3中所述空间光调制器是数字微镜器件。
发明效果
如以下所说明，根据本发明，采用对相同要曝光点进行多次曝光的多重曝光，各要曝光点的曝光次数根据到设计曝光图案的边界的距离而设定，因此能够更细致地调整有效的被曝光区域的大小。因此，有效的曝光的分辨率提高。
附图说明
图1是实施方式的直接成像曝光装置的概略图。
图2是图1所示的装置所具备的曝光单元的概略图。
图3是示出各曝光单元的曝光区域的立体概略图。
图4是概略地表示各像素图案以及各像素图案的照度分布的立体图。
图5是概念性地表示多重曝光的图。
图6是概念性地表示多重曝光的图。
图7是表示感光层的感光特性的一例的图。
图8是示意性地表示实施方式的DI曝光装置中的曝光控制数据的图。
图9是表示实施方式的DI曝光装置中的曝光控制数据的一例的概略图。
图10是表示DI曝光技术的课题的图。
图11是表示DI曝光技术的课题的图。
具体实施方式
接下来，对用于实施本发明的方式(以下称作实施方式)进行说明。
首先，对DI曝光装置的发明的实施方式进行说明。图1是实施方式的DI曝光装置的概略图。
图1所示的DI曝光装置具备：曝光单元1，对曝光区域照射按照设计曝光图案的图案的光；移动机构2，使对象物W经过曝光区域相对地移动。
该实施方式的DI曝光装置成为印刷基板制造用的装置。因而，对象物W成为在基板上形成有布线用的导电膜且在之上形成有感光层的结构。感光层是所涂敷的抗蚀剂膜。
图2说明图1所示的装置所具备的曝光单元1。图2是图1所示的装置所具备的曝光单元1的概略图。如图2所示，曝光单元1具备光源3、对来自光源3的光进行空间调制的空间光调制器4、以及将被空间光调制器4调制后的光的像进行投影的光学系统(以下称作投影光学系统)5等。
光源3采用根据对象物W中的感光层的感光波长而输出最适波长的光的光源。抗蚀剂膜的感光波长多从可见短波长区到紫外区，作为光源3，采用输出405nm、365nm那样的从可见短波长区到紫外区的光的光源。另外，为了发挥空间光调制器4的性能，优选的是输出相干光，因此优选采用激光光源。例如，采用氮化镓(GaN)类的半导体激光器。
作为空间光调制器4，在该实施方式中使用了DMD。如前述那样，在DMD中，各像素是微小的镜(图2中未图示)。镜(以下称作像素镜。)例如是约13.68μm见方的正方形的镜，被做成多个像素镜以直角格子状排列的构造。排列数例如为1024×768个。
空间光调制器4具备控制各像素镜的调制器控制器41。实施方式的DI曝光装置具备对整体进行控制的主控制部7。调制器控制器41按照来自主控制部7的信号控制各像素镜。另外，各像素镜以排列有各像素镜的平面为基准面，可实现沿着该基准面的第一姿势、以及相对于该基准面例如以约11～13°倾斜的第二姿势。在该实施方式中，第一姿势为关闭状态，第二姿势为开启状态。
空间光调制器4包含对各像素镜进行驱动的驱动机构，调制器控制器41能够针对各像素镜，独立地控制是采取第一姿势还是采取第二姿势。这样的空间光调制器4能够从德州仪器(日文原文：テキサス·インスツルメンツ)公司获得。
如图2所示，曝光单元1具备向这样的空间光调制器4照射来自光源3的光的照射光学系统6。在该实施方式中，照射光学系统6包含光纤61。为了以更高的照度进行图像形成，一个曝光单元1具备多个光源3，对于各光源3设有光纤61。作为光纤61，例如使用石英类的多模光纤。
为了利用作为DMD的空间光调制器4进行精度良好的图像形成，希望使平行光入射且在各像素镜42反射，此外，希望使光相对于各像素镜42倾斜地入射。因此，照射光学系统6如图2所示，具备使从各光纤61出射而扩展的光成为平行光的准直透镜62、以及用于使光倾斜地向空间光调制器4入射的反射镜63。“倾斜”指的是相对于空间光调制器4的基准面倾斜。以相对于基准面的入射角θ而言，例如为22～26°左右的角度。
投影光学系统5由两个投影透镜组51、52和配置在投影透镜组51、52之间的微透镜阵列(以下简称为MLA。)53等构成。为了实现形状精度更高的曝光而辅助性地配置了MLA53。MLA53是将微小的透镜呈直角格子状排列多个而成的光学部件。各透镜元件与空间光调制器4的各像素镜一对一地对应。
在上述的曝光单元1中，来自光源3的光在被光纤61引导之后，利用照射光学系统6向空间光调制器4入射。此时，空间光调制器4的各像素镜被调制器控制器41控制，成为根据设计曝光图案而选择性地倾斜的姿势。即，按照设计曝光图案，位于应使光到达曝光区域的位置的像素镜被设为第二姿势(开启状态)，除此以外的像素镜被设为第一姿势(关闭状态)。反射到关闭状态的像素镜的光不到达曝光区域，仅反射到开启状态的像素镜的光到达。因此，遵循设计曝光图案的图案的光被照射到曝光区域。
另一方面，如图1所示，实施方式的DI曝光装置具备载置对象物W的工作台21。移动机构2成为使载置有对象物W的工作台21直线移动的机构。
作为移动机构2，例如如图1所示，采用由滚珠丝杠22、一对线性引导件23、以及使滚珠丝杠22旋转的伺服马达24等构成的直线移动机构。此外，也有采用像线性马达工作台那样利用磁作用使工作台21直线移动的部件的情况。另外，工作台21通过真空吸附等方法将对象物W不动地支承。为了减少与工件W的接触面积，有时也采用在表面设有多个突起的构造。
基于移动机构2的移动方向是水平方向。在移动机构2作用下的工作台21的移动线(扫描线)上设定有曝光区域。
另外，如图1所示，设有多个曝光单元1。各曝光单元1为相同结构。多个曝光单元1在与基于移动机构2的移动方向垂直的方向上排列两列。一列相对于另一列在排列方向上错开配置。这是为了各曝光单元1的曝光区域无间隙地覆盖对象物W的表面。关于这一点，使用图3进行说明。图3是表示各曝光单元的曝光区域的立体概略图。
图3概略地表示到达了各曝光单元1下方的对象物W被曝光的情形。在图3中，各曝光单元1的曝光区域E在对象物W的表面上用方形框表示。实际上，在各曝光区域E内，照射了按照设计曝光图案的图案的光，以该图案进行曝光。
对象物W一边向图3中箭头所示的方向(X方向)移动，一边接受形成于各曝光区域E的图案的光照射。此时，由于两列曝光单元1相互错开地配置，因此即使在与移动方向垂直的水平方向上也能无间隙地进行曝光。
另外，在这样的实施方式的DI曝光装置中，采用了超过以往的DI曝光中的分辨率的极限而有效地提高分辨率的结构。该结构主要通过主控制部7向调制器控制器41发送的空间光调制器4的控制用的数据(以下称作曝光控制数据)来实现。以下，对这一点进行说明。
曝光控制数据与基于空间光调制器4的各像素镜42的光的照射图案(以下称作像素图案)紧密相关。首先，对像素图案以及各像素图案的照度分布进行说明。图4是概略地表示各像素图案以及各像素图案的照度分布的立体图。
如前述那样，实施方式的DI曝光装置使用了DMD作为空间光调制器4，投影光学系统5如图4所示那样利用开启状态的各像素镜42将像素图案S投影。各像素图案S的投影位置是设定于曝光区域的各对应坐标G的位置。像素图案S被投影到与开启状态的像素镜42对应的对应坐标G。在实施方式中，各像素镜42是正方形的，因此各对应坐标相当于纵横比为1的直角格子的各交点的位置。
纵横的对应坐标间的距离取决于曝光倍率。在倍率大于1的情况下，坐标间距离长于像素镜42的一边，在倍率小于1的情况下，坐标间距离短于像素镜42的一边。在印刷基板制造用的曝光的情况下，倍率大于1的情况较多。另外，在实施方式中，各像素镜42的形状虽然是方形，但基于投影光学系统5的像(像素图案)成为带圆角的像(大致圆形的像)。
对象物W利用移动机构2在水平方向上移动。在该移动时，对象物W通过各像素图案S的照射位置并被曝光。对象物W的要曝光位置利用以对象物W的表面上的特定位置为基准的XY坐标来确定。以下将该坐标称为要曝光点，用M表示。各要曝光点M是棋盘的网格状，以一定的间隔隔开。以下，将该间隔称作曝光点间距。曝光点间距相当于前述光栅图像的像素尺寸。
各要曝光点M在对象物W利用移动机构2移动时通过各像素图案S的中心，此时进行曝光。以下，将各要曝光点M移动的线称作扫描线，在图4中用单点划线SL表示。在图4的例子中，扫描线SL成为对象物W的X方向，但这不是必须的，也有相对于XY方向倾斜的方向的情况。
如图4所示，在某个要曝光点M通过某个扫描线SL而移动且通过像素图案S时，该要曝光点M的位置还根据位于相邻的扫描线SL上的像素图案S’而被曝光。即，虽然稍微存在时滞，但由于通过相邻的扫描线SL的像素图案S’的周边部，因此也被该周边部曝光。即，移动机构2成为这样的机构：使对象物M移动，以使得各要曝光点M的位置利用扫描线SL上的像素图案而被曝光，并且还利用相邻的扫描线SL上的像素图案的周边部而叠加地被曝光。各要曝光点M的位置指的是由要曝光点M确定的对象物W的表面的区域，是以要曝光点M为中心的区域。该区域是以曝光点间距为一边的方形的区域。
在图4中，将基于像素图案S的照度分布表示为I，将基于像素图案S’的照度分布表示为I’。如图4所示，各像素图案S、S’的照度分布I、I’成为在未重合的部分高、在重合的部分低的分布。更具体而言，成为在一个像素图案的中央大、随着朝向周边而逐渐降低的分布。照度分布也有所谓的高斯分布的情况。另外，照度分布I相对于像素图案的中心(对应坐标G)对称，在水平方向的任意方向都成为图4所示那样的分布。
以基于各像素镜的光的照射图案及其照度分布为上述那样作为前提，实施方式的DI曝光装置优化了曝光控制数据。更具体而言，关于对象物W的表面中的需要规定量以上的曝光的位置(要曝光位置)，进行包含一次及两次以上的规定次数的曝光(以下称作多重曝光)，并且为了提高有效的分辨率，优化了曝光次数。
图5及图6是概念性地表示多重曝光的图。图5的(1)示出不是多重曝光的以往的曝光。另外，图5的(2)示出曝光次数为两次的二次多重曝光，图5的(3)示出曝光次数为三次的三次多重曝光，图5的(4)示出曝光次数为四次的四次多重曝光。
在图5的(1)～(4)中，左侧的图表示基于连续(相互重合)的各像素图案的各个曝光量，右侧的图表示像素图案连续的区域的整体的曝光量。另外，在图5的(2)～(4)中，左侧的图的虚线表示通过各次的曝光而曝光量增加的状态。
首先，为了进行比较，对不是多重曝光的通常的曝光进行说明。图5的(1)是与图4相同的图，示出了基于连续的对要曝光位置投影的各像素图案的曝光量。由于是一次曝光，因此曝光量是与各像素图案的照度分布I相同的分布。
将图5的(1)的左侧所示的各曝光量累计而得到的曝光量为实际的曝光量，其在右侧示出。以下，将该曝光量称作区域累计曝光量。
另外，在该实施方式中，一些要曝光位置进行仅一次的曝光。由于仅一次的曝光也包含在“多重曝光”的概念中，因此在以下的说明中，将仅一次的曝光称作“一次多重”。并且，将两次曝光称作“二次多重”，将三次曝光称作“三次多重”，将四次曝光称作“四次多重”。
形成于对象物W表面的感光层被进行某个临界量的曝光从而感光。图7是表示感光层的感光特性的一例的图。在图7中，作为一例，示出了负型抗蚀剂的情况。如图7所示，感光层在某个临界曝光量EC处相对于显影液的可溶性为零(不溶)。即使进一步增大曝光量，该特性也不变。以下，将这样的曝光量EC称为临界曝光量。
在图5的(1)中，区域累计曝光量在被照射像素图案的光的对应坐标中成为临界曝光量EC以上。这通过适当调整各像素图案的照度(平均照度或者峰值照度)来实现。如图6所示，在要曝光位置中的、比位于端部的对应坐标靠外侧的位置EB，区域累计曝光量低于临界曝光量，因此该位置EB成为有效的被曝光区域的端部(以下称作有效曝光边界)。
对于图5的(1)～(4)的多重曝光的情况，也同样在各右侧示出了区域累计曝光量。图6是将图5的(1)～(4)的各右侧所示的区域累计曝光量表示在一个图中而容易理解的图。
在图6中，设要曝光位置中的位于最右侧的要曝光位置的要曝光点为G1。分别示出了将到达G1为止的要曝光位置设为一次多重的情况、二次多重的情况、三次多重的情况、四次多重的情况。另外，用D表示曝光点间距。
如图6所示，随着如一次多重→四次多重那样提高多重度，有效曝光边界EB的位置向外侧移动。在该例子中，在四次多重的情况下，一个相邻的要曝光点(G2)达到临界曝光量EC。即，有效曝光边界EB的数量增加到四倍(之间能够选择三个坐标)，从外观上来看，意味着能够以四倍的分辨率进行曝光。
另外，在该例子中，在一次多重的情况下，相对于位于端部的要曝光点(G1)离开了曝光点间距D的1/4的位置P1达到临界曝光量EC。因而，在希望使G1为有效曝光边界的情况下，在G1的前一个要曝光点(用G0表示)设为四次多重，对于要曝光点G1，设为曝光次数0即可。以下，为了方便起见，将曝光次数0称为“0次多重”。
这样，实施方式的DI曝光装置，使对所选择的要曝光位置的曝光为两次以上，由此使有效曝光边界EB向外侧移动，从而提高有效的曝光分辨率。
根据曝光控制数据更具体地说明这一点。图8是示意性地表示实施方式的DI曝光装置的曝光控制数据的图。
曝光控制数据包含对象物W表面的要曝光位置的信息。为了理解，假设投影光学系统(图8中未图示)的光轴是铅垂方向(Z方向)。另外，假设对象物W是边沿着XY方向延伸的方形的板状物。另外，基于移动机构2的移动方向设为X方向。
要曝光点通过以对象物W表面上的特定位置为基准的XY坐标来确定。假设某个要曝光点M的坐标(Xm，Ym)被确定。并且，假设某个要曝光点M是应进行四次多重(四次曝光)的位置。
该情况下，在该要曝光点M所行进的线(扫描线)SL上的四个对应坐标G1～G4，要曝光点M被进行曝光。即，如图8的(1)所示，在位于扫描线SL上的四个对应坐标G1～G4，照射像素图案S的光。这意味着与四个对应坐标对应的四个像素镜42为开启状态。另外，在图8的(1)中，描绘成在同一时期四个像素镜42为开启状态，但这是为了进行理解的，实际上，只要在要曝光点M到达了各对应坐标G1～G4的定时成为开启状态就足够。
在上述例子中，例如，对于与要曝光点M相邻的要曝光点N，设为需要三次多重曝光(三次曝光)，假设要曝光点N相对于要曝光点M位于扫描线SL上的后方。在该情况下，如图8的(2)所示，在要曝光点N到达了最后的对应坐标G4的阶段，该对应坐标G4所对应的像素镜42被变更为关闭状态，因此成为不进行第四次的曝光的状态。
这样，曝光控制数据被设定为在各要曝光点到达了各对应坐标的定时、与该对应坐标对应的像素镜42是开启状态还是关闭状态这样的数据。“到达了各对应坐标的定时”与基于移动机构2的移动相对应。移动机构2的移动速度是一定的已知值，与此相应的各像素镜42的开启关闭的顺序成为曝光控制数据。
对于进行多重曝光的曝光控制数据，说明更具体的例子。图9是表示实施方式的DI曝光装置的曝光控制数据的一例的概略图。
图9的(1)示出了在对象物W的表面希望曝光的形状的一部分。该例子成为以倾斜延伸的一定宽度的线(电路线)的图案进行曝光的例子。用灰色填充的区域是希望曝光的形状，这成为设计曝光图案。在图9的(1)中，用黑色圆圈表示的位置是要曝光点。
图9的(2)用条形图示出了以(1)那样的形状进行曝光的情况下的各扫描线SL上的多重度。
在实施方式中，根据到设计曝光图案的边界(灰色的区域)的距离，设定各要曝光点的曝光次数。对于到边界的距离为曝光点间距以上的要曝光点，全部设为最大的曝光次数(四次多重)。并且，对于到设计曝光图案的边界的距离小于曝光点间距的要曝光点，根据到边界的距离而设为比最大次数少的曝光次数。
具体而言，扫描线a上的各要曝光点由于到设计曝光图案的边界的距离为曝光点间距以上，因此全部设为最大次数(四次多重)的曝光。扫描线e上的各曝光点也是同样的。
另外，扫描线b上的要曝光点之中，中央的四个曝光点由于到边界为曝光点间距以上从而被设为四次多重(四次曝光)，左端的要曝光点设为一次多重(一次曝光)。因此，如图9的(1)所示，向左侧超出曝光点间距D的1/4地进行曝光。在右端的要曝光点，设为3次多重(三次曝光)，因此，如图9的(1)所示，向右超出曝光点间距D的3/4而有效地进行曝光。
另外，在扫描线c上，同样地中央的四个要曝光点由于到边界为曝光点间距以上从而设为四次多重(四次曝光)，在左右的端部的要曝光点，分别设为二次多重(两次曝光)。因此向左右分别超出曝光点间距D的1/2而有效地进行曝光。
进而，在扫描线d上，同样地中央的四个要曝光点由于到边界为曝光点间距以上从而设为四次多重(四次曝光)，左端的要曝光点设为三次多重(三次曝光)，右端的要曝光点设为一次多重(一次曝光)。因此，在左端超出曝光点间距D的3/4、在右端超出曝光点间距D的1/4而有效地进行曝光。
图9的(3)是将图9的(2)所示的多重度作为数据而表示为控制数据的图。通过如图9的(3)所示那样在各要曝光点选择多重度，从而如图9的(1)所示那样以倾斜延伸的一定宽度的电路线的图案进行曝光。
在主控制部7的存储部71中，安装有编入了曝光控制数据的序列程序。序列程序被送至调制器控制器41，空间光调制器4以基于多重度数据的序列而被控制。结果，以图9所示那样的多重度将各要曝光点曝光。在序列程序中，除了上述之外，还编入了对象物W相对于工作台21上的基准点的载置位置的数据、对象物W的表面相对于工作台21上的基准点的各要曝光点的数据、工作台21的移动速度的数据等。
若对上述多重度的选定进行稍微详细的说明，则对于设计曝光图案中的各要曝光点，考虑以各要曝光点为中心、以曝光点间距D的2倍为一边的方形的区域。并且，判断在该区域内是否存在设计曝光图案的边界。在存在边界的情况下，计算到该边界为止的距该要曝光点的距离(X方向或者Y方向的距离)，判断其最接近于曝光点间距D的1/4、1/2、3/4中的哪个值。并且，根据最接近的值选定多重度。即，如果是1/4则设为一次多重(一次曝光)，如果是1/2则设为二次多重(两次曝光)，如果是3/4则设为三次多重(三次曝光)。在到边界的距离与曝光点间距D相等的情况下、或者在区域内没有设计曝光图案的边界的要曝光点全部设为四次多重。另外，在从要曝光点到边界的距离比曝光点间距D的1/8小的情况下，视为要曝光点在边界上而设为0次多重(0次曝光)。这样，关于各要曝光点选定多重度，并编入到曝光控制数据中。
接下来，对实施方式的DI曝光装置的整体动作进行说明。以下的说明是DI曝光方法的发明的实施方式的说明。在以下的说明中，与前述同样地，对象物W设为印刷基板制造用的工件。
在图1中，对象物W在装载位置被载置于工作台21，根据需要真空吸附在工作台21上。接下来，移动机构2动作，朝向各曝光单元1的下方的曝光区域E水平移动。该移动方向与对应坐标的一方的排列方向高精度地一致。
移动机构2使工作台21以规定的速度移动。并且，在工作台21上的对象物W的表面的要曝光点到达对应坐标的时刻，与该对应坐标对应的像素镜42成为开启状态，要曝光点被曝光。
移动机构2继续使工作台21向相同方向移动。并且，在该要曝光点到达下一对应坐标时，如果该要曝光点是二次多重以上的位置，则与该对应坐标对应的像素镜42成为开启状态，进行第二次的曝光。
这样，在各要曝光点到达对应坐标时，对应于该要曝光位置的多重度，像素镜42开启或关闭，各要曝光点以所确定的多重度曝光。当对象物W通过各曝光单元1的下方，则各要曝光点的曝光完成，包含各曝光点的对象物W的表面被进行图9的(1)所示那样的所希望的曝光图案的曝光。
之后，当工作台21到达卸载位置，则工作台21的移动停止，已曝光的对象物W被从工作台21取出。并且，对象物W被输送到进行下一处理(例如显影处理)的场所。
根据上述DI曝光装置以及DI曝光方法，采用将相同的要曝光点进行多次曝光的多重曝光，通过基于像素图案的周边部的多次曝光调整了被曝光区域的大小，因此能够比曝光点间距D更细致地调整被曝光区域的大小。即，曝光的分辨率变高。因而，能够通过设计曝光图案以忠实的高精细度的图案进行曝光。因此，能够尽可能抑制锯齿而实现平滑的轮廓形状的曝光，能够更细致地进行线宽变更那样的曝光图案的微调。此时，由于不需要细化空间光调制器4的像素，因此成本不会特别上升，容易导入。
另外，无需减慢对象物W的移动速度，仅改变各要曝光点到达对应坐标时的各像素镜42的控制数据(开启关闭数据)即可。因此，生产性能也不会有任何降低。另外，曝光控制数据的数据量也不会特别增加，数据处理不会变得繁琐。
在上述实施方式中，若进行四次多重(四次曝光)则正好相邻的要曝光点成为有效曝光边界EB，各曝光单元1以这样的照度进行曝光。然而，这是一个例子，其他结构当然也可以。例如，若降低像素图案的照度、进行更多的多重，则在两个对应坐标间可获得的有效曝光边界EB的数量增加，能够进一步提高分辨率。
另外，虽然说明了像素图案的照度分布为高斯分布，但无需是完全的高斯分布，也可以是高斯分布以外的分布。必要的是，两个像素图案在相互重合的周边部较低、在不重合的中央部较高(比周边部高)，只要是这样的分布就能够实施。
在上述实施方式的DI曝光装置以及DI曝光方法中，对象物W的移动是连续的，不特别停止地进行基于各像素图案的曝光。但是，也可以是一边使对象物W在规定位置停止一边间歇地使对象物W移动而进行曝光的情况。例如，也可以是在要曝光点与对应坐标一致的状态下使对象物W停止并以该状态进行曝光的情况。
另外，虽然说明了在工作台21一次通过各曝光单元1的下方时进行曝光，但也可以是工作台21在曝光单元1的下方往复移动、在这双方进行曝光的情况。
另外，对象物W的移动只要相对于照射的曝光图案的光是相对的即可，除了如上述那样对象物W移动的情况之外，也可以是曝光图案相对于静止的对象物W移动。例如，也可以是曝光单元1相对于静止的对象物W整体移动的结构。
另外，在DI曝光装置的结构中，曝光单元1并非必须有多个，也可以是仅一个曝光单元1。这是对象物W较小的情况或采用大型的空间光调制器4等情况下可采用的结构。
在以上的说明中，对象物W设为印刷基板制造用的工件，但本发明的DI曝光装置以及DI曝光方法在其他用途的曝光技术中也能够采用。例如，可在微机械那样的微细构造物的制造(所谓的MEMS)时的光刻中采用本发明的DI曝光技术。
附图标记说明
1 曝光单元
2 移动机构
21 工作台
3 光源
4 空间光调制器
41 调制器控制器
42 像素镜
5 投影光学系统
6 照射光学系统
7 主控制部
71 存储部
W 对象物
S 像素图案
EB 有效曝光边界
D 曝光点间距

Claims (4)

1.一种直接成像曝光装置，其特征在于，具备：
曝光单元，以符合设计曝光图案的图案向曝光区域照射光；以及
移动机构，使对象物经过曝光区域相对地移动，该对象物的表面形成有通过进行临界曝光量以上的曝光而感光的感光层，
曝光单元具备：
光源；
空间光调制器，配置于来自光源的光所照射的位置，具有多个像素，以使向曝光区域照射的光成为符合设计曝光图案的图案的方式使来自光源的光进行空间调制，所述多个像素被设为使光朝向曝光区域进行取向的状态即开启状态和不使光朝向曝光区域进行取向的状态即关闭状态中的某一种；以及
光学系统，将由空间光调制器进行了空间调制后的光投影到曝光区域，
所述直接成像曝光装置，设有：
调制器控制器，控制空间光调制器的各像素；以及
存储部，存储有曝光控制数据，该曝光控制数据是调制器控制器用于控制各像素的开启关闭的数据，
在曝光区域，设定了与空间光调制器的各像素对应的对应坐标，
在对象物的表面，设定了表示应被曝光的位置的要曝光点，各要曝光点是以曝光点间距的距离相互隔开的点，
光学系统在与空间光调制器的开启状态的各像素对应的各对应坐标上将该像素的像素图案进行投影，
移动机构使对象物移动，以使对象物的一个要曝光点的位置根据沿着移动方向的扫描线上的像素图案而被曝光并且还根据相邻的扫描线上的像素图案的周边部而被叠加地曝光，各像素图案的照度分布是在中央部变高而在周边部变低的分布，
曝光控制数据使得当由移动机构使对象物移动时，对象物的表面的同一要曝光点以包含一次及两次以上的规定次数位于像素图案所投影的对应坐标而进行曝光，
所述曝光控制数据中的规定次数，对于到设计曝光图案的边界的距离为曝光点间距以上的要曝光点而言是最大次数，对于到设计曝光图案的边界的距离小于曝光点间距的要曝光点而言，是根据到边界的距离而设定的比最大次数少的次数。
2.如权利要求1所述的直接成像曝光装置，其特征在于，
所述空间光调制器是数字微镜器件。
3.一种直接成像曝光方法，其特征在于，
具备以下步骤：
调制器照射步骤，向空间光调制器照射来自光源的光，该空间光调制器具有多个像素，该多个像素被设为使光朝向曝光区域进行取向的状态即开启状态和不使光朝向曝光区域进行取向的状态即关闭状态中的某一种；
调制器控制步骤，控制空间光调制器，以使向曝光区域照射的光成为符合设计曝光图案的图案；
投影步骤，利用光学系统将来自空间光调制器的光向曝光区域投影；以及
移动步骤，使对象物经过曝光区域相对地移动，该对象物的表面形成有通过进行临界曝光量以上的曝光而感光的感光层，
在曝光区域，设定了与空间光调制器的各像素对应的对应坐标，
在对象物的表面，设定了表示应被曝光的位置的要曝光点，各要曝光点是以曝光点间距的距离相互隔开的点，
在投影步骤中，在与空间光调制器的开启状态的各像素对应的各对应坐标上将该像素的像素图案进行投影，
在投影步骤及移动步骤中，使对象物移动，以使对象物的一个要曝光点的位置根据沿着移动方向的扫描线上的像素图案而被曝光并且还根据相邻的扫描线上的像素图案的周边部而被叠加地曝光，各像素图案的照度分布是在中央部变高而在周边部变低的分布，
在调制器控制步骤及移动步骤中，使得当由移动机构使对象物移动时，对象物的表面的同一要曝光点以包含一次及两次以上的规定次数位于像素图案所投影的对应坐标而进行曝光，
所述规定次数，对于到设计曝光图案的边界的距离为曝光点间距以上的要曝光点而言是最大次数，对于到设计曝光图案的边界的距离小于曝光点间距的要曝光点而言，是根据到边界的距离而设定的比最大次数少的次数。
4.如权利要求3所述的直接成像曝光方法，其特征在于，
所述空间光调制器是数字微镜器件。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10495979B1 (en) * 2019-02-19 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Half tone scheme for maskless lithography
JP7196011B2 (ja) * 2019-04-26 2022-12-26 株式会社アドテックエンジニアリング 直描式露光装置
JP7293032B2 (ja) * 2019-08-08 2023-06-19 株式会社エスケーエレクトロニクス 露光方法及び露光装置
JP7431532B2 (ja) 2019-08-21 2024-02-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画方法、および、描画装置
JP7432418B2 (ja) * 2020-03-26 2024-02-16 株式会社オーク製作所 露光装置および露光方法
CN113840093B (zh) * 2020-06-24 2023-07-25 北京小米移动软件有限公司 图像生成方法及装置
WO2023282208A1 (ja) 2021-07-05 2023-01-12 株式会社ニコン パターン露光装置、デバイス製造方法、及び露光装置
CN113379651B (zh) * 2021-08-11 2021-11-19 深圳市先地图像科技有限公司 一种激光成像过程中的图像处理方法、系统及相关设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5393987A (en) * 1993-05-28 1995-02-28 Etec Systems, Inc. Dose modulation and pixel deflection for raster scan lithography
CN101551592A (zh) * 2008-03-31 2009-10-07 大日本网屏制造株式会社 图案描画装置及图案描画方法
CN102385256A (zh) * 2010-08-30 2012-03-21 株式会社Orc制作所 曝光装置
CN102998914A (zh) * 2012-12-31 2013-03-27 苏州大学 一种直写式光刻加工系统及光刻方法
JP5414281B2 (ja) * 2009-01-05 2014-02-12 大日本スクリーン製造株式会社 露光装置および露光方法
CN104298080A (zh) * 2014-11-06 2015-01-21 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 一种无掩膜激光直写叠加曝光方法
JP5697188B2 (ja) * 2009-09-15 2015-04-08 国立大学法人東北大学 露光装置および露光方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050129397A1 (en) * 2002-06-07 2005-06-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure device
JP2004212471A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 描画ヘッド、描画装置及び描画方法
JP4250052B2 (ja) * 2003-10-14 2009-04-08 財団法人国際科学振興財団 パターン描画方法、及びパターン描画装置
US20040239901A1 (en) 2003-05-29 2004-12-02 Asml Holding N.V. System and method for producing gray scaling using multiple spatial light modulators in a maskless lithography system
US7459709B2 (en) * 2003-08-27 2008-12-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of forming optical images, a control circuit for use with this method, apparatus for carrying out said method and process for manufacturing a device using said method
JP2005210112A (ja) * 2003-12-26 2005-08-04 Fuji Photo Film Co Ltd 露光方法および装置
JP2005203697A (ja) * 2004-01-19 2005-07-28 Fuji Photo Film Co Ltd マルチビーム露光装置
US7230677B2 (en) * 2004-12-22 2007-06-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids
JP2007003861A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Fujifilm Holdings Corp 露光方法および装置
JP2007041239A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Fujifilm Corp カラーフィルタの製造方法、及びカラーフィルタ並びに液晶表示装置
JP2008076590A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Fujifilm Corp 描画位置測定方法および装置
JP2008256730A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Fujifilm Corp 液晶表示装置用ｔｆｔアレイ基板の製造装置及び製造方法
DE102008017623A1 (de) * 2007-04-05 2008-10-09 Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Abbilden einer programmierbaren Maske auf einem Substrat
US8335999B2 (en) * 2010-06-11 2012-12-18 Orbotech Ltd. System and method for optical shearing

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5393987A (en) * 1993-05-28 1995-02-28 Etec Systems, Inc. Dose modulation and pixel deflection for raster scan lithography
CN101551592A (zh) * 2008-03-31 2009-10-07 大日本网屏制造株式会社 图案描画装置及图案描画方法
JP5414281B2 (ja) * 2009-01-05 2014-02-12 大日本スクリーン製造株式会社 露光装置および露光方法
JP5697188B2 (ja) * 2009-09-15 2015-04-08 国立大学法人東北大学 露光装置および露光方法
CN102385256A (zh) * 2010-08-30 2012-03-21 株式会社Orc制作所 曝光装置
CN102998914A (zh) * 2012-12-31 2013-03-27 苏州大学 一种直写式光刻加工系统及光刻方法
CN104298080A (zh) * 2014-11-06 2015-01-21 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 一种无掩膜激光直写叠加曝光方法

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Publication number Publication date
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