JP2000294500A - 周辺露光装置及び方法 - Google Patents

周辺露光装置及び方法

Info

Publication number
JP2000294500A
JP2000294500A JP11103228A JP10322899A JP2000294500A JP 2000294500 A JP2000294500 A JP 2000294500A JP 11103228 A JP11103228 A JP 11103228A JP 10322899 A JP10322899 A JP 10322899A JP 2000294500 A JP2000294500 A JP 2000294500A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
exposure
area
light
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11103228A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Kato
正紀 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP11103228A priority Critical patent/JP2000294500A/ja
Publication of JP2000294500A publication Critical patent/JP2000294500A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】露光光に400nm以下の光を用いる場合であ
っても、大型の基板に対しても比較的容易でかつ安価
で、更に耐久性に優れ、かつコストをかけずにスループ
ットを向上させる 【解決手段】角型基板22に塗布された感光性材料上の
所定の回路パターンが転写される領域とは異なる領域に
対して露光光を照射する周辺露光装置であって、露光光
を供給する光源10と;この光源からの露光光を基板へ
向ける照明光学系11〜21と;光源と基板との間に配
置されて、基板上での露光光が照射される領域を制限す
るための露光領域可変手段27と;を有する。そして、
基板の異なる領域への露光に際し、照明光学系の少なく
とも一部18を回転させつつ異なる領域へ露光光を照射
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
表示素子等のデバイスの製造に用いられる基板の周辺の
不要なレジスト等の感光性材料を露光し、除去する周辺
露光装置及び方法に関する。特に本発明は、液晶表示素
子等の角型の大型基板への周辺露光に好適な周辺露光装
置及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の周辺露光装置は、特開平
6−283406に記載されているような構成をしてい
る。超高圧水銀ランプを光源にもち、楕円鏡によりその
第二焦点位置に光ファイバーを配置し、この射出側の形
状スリット状に形成された光ファイバーにて基板上に露
光光を導き、露光を行う。この光ファイバーが基板上を
走査することにより露光を行うのである。走査方向に
は、走査するためのガイドがあり、ほぼ等速に光ファイ
バーが移動するように制御され、この光ファイバーの射
出側は、2分岐され、各射出端がスリット形状角型基板
の同方向を走査するように構成されている。また、基板
の走査と直交する方向を露光する場合には、基板を90
°回転することにより露光を行う構成を採用している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年で
は、液晶表示素子には特に400nm以下の光に感度を
強く持つ感光性樹脂等の特殊な感光性材料を用いられる
ケースが増えてきている。そして、基板は、年々大型化
の道を辿り、最近では、600mm×750mm程度の
基板が多用されており、さらに大型の基板として、80
0ミリ角程度や、1000ミリ角程度の基板も検討され
ている。
【0004】このように近年では、400nm以下の光
を用いる必然性があり、更に1m角のような大型の基板
に対応しなくてはならない要求がある。従来例で挙げた
ような周辺露光装置の場合には、光ファイバーを用いる
ため、特に400nm以下の光を用いるには、ファイバ
ーの繊維を石英ファイバーにしなければなくなってしま
う。一般に石英ファイバーは、多成分ファイバーに比べ
て光の取込み角度も小さいため、ファイバーとして大型
な基板に対応するためには、長く太い石英ファイバーが
必要で高価になってしまう。また、基板自体の大型化に
より、当然周辺露光するための露光幅も大きなものに対
応する必要がある。例えば、基板の外周100mmを露
光するためには、少なくともファイバーの幅も100m
mの幅が必要になるのである。ファイバーのスリット形
状を例えば5mm×100mmとすると、ファイバーの
入射側の径Φ1は、射出側の2分岐を考慮すると、 Φ1=2×√(2×5×100/π)=35.7mm となり、基板の外周を露光するためには、長くて、径の
太いものとなり、高価で極まりないものになってしま
う。更に、従来例では、ファイバーが、基板上を走り回
るような構成であるため、ファイバー自体にストレスが
加わり断線してしまう可能性もでてくる。安価なもので
あれば、交換部品的に交換することも可能であるが、高
価であるがためにそれも難しい。
【0005】そこで、本発明は、上記の問題点に鑑み
て、露光光に400nm以下の光を用いる場合であって
も、大型の基板に対しても比較的容易でかつ安価で、更
に耐久性に優れ、かつコストをかけずにスループットを
向上させることが可能な周辺露光装置を提供することを
目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明にかかる周辺露光装置は、例えば図1に示
す如く、角型基板に塗布された感光性材料上の所定の回
路パターンが転写される領域とは異なる領域に対して露
光光を照射する周辺露光装置であって、露光光を供給す
る光源と;該光源からの露光光を前記基板へ向ける照明
光学系と;前記光源と前記基板との間に配置されて、前
記基板上での前記露光光が照射される領域を制限するた
めの露光領域制限手段と;を有し、前記基板の前記異な
る領域への露光に際し、前記照明光学系の少なくとも一
部を回転させつつ前記異なる領域へ前記露光光を照射す
るものである。
【0007】上述の構成において、前記基板の前記異な
る領域への露光に際しては、前記基板は静止しているこ
とが好ましい。。また、前記照明光学系の少なくとも一
部を回転させつつ前記露光光を照射することにより、ほ
ぼ直線状に延びた露光領域を前記基板上に形成すること
が好ましい。
【0008】また、前記露光領域制限手段は、前記露光
光が照射される領域を変更できるように構成されること
が好ましい。また、前記光源と前記照明光学系の少なく
とも一部は、前記露光領域の長手方向と交差する方向へ
移動可能であることが好ましい。この場合、前記照明光
学系の少なくとも一部は、前記露光領域を前記露光領域
の長手方向と交差する方向へ移動させるために、前記基
板と平行な面内において回転可能に構成されることが好
ましい。
【0009】また、前記基板の前記異なる領域への露光
に際して、前記露光領域制限手段は前記基板に対して静
止していることが好ましい。また、前記露光領域制限手
段は、前記基板上での照射領域を規定するためのエッジ
を有することが好ましく、該エッジは前記基板上の前記
異なる領域の長さよりも小さく形成され、かつ前記照明
光学系の前記少なくとも一部の回転に同期或いは連動し
て移動可能に構成され、前記照明光学系の前記少なくと
も一部の回転と前記エッジの移動とにより前記基板上の
照射領域を走査することが好ましい。
【0010】また、前記照明光学系の前記少なくとも一
部は、少なくとも反射面を有していることが好ましい。
また、前記角型基板をほぼ90°ずつ回転させる基板回
転機構をさらに有することが好ましく、前記角型基板へ
の前記露光光の照射の後に、前記角型基板を回転させる
ことが好ましい。
【0011】なお、上述の構成の何れかにおいて、前記
照明光学系と前記露光領域制限手段とを少なくとも2組
設けて、前記基板上の少なくとも2箇所をほぼ同時に露
光する構成とすることが好ましい。また、本発明は、前
記感光性材料を前記角型基板へ塗布する第1工程と;前
記角型基板上の前記感光性材料上の所定領域に回路パタ
ーンを転写する第2工程と;上述の構成の何れか一項記
載の周辺露光装置を用いて前記回路パターンが転写され
る領域に対して露光光を照射する第3工程とを有する周
辺露光方法であって、前記第3工程は、前記第2工程の
前または後に実行されるものである。
【0012】
【発明の実施の形態】上述の構成のごとく本発明によれ
ば、長い石英ファイバーを用いることなく、露光幅の拡
大を容易にできるため、安価に構成することが可能にな
り、また、ファイバー自体を移動させないため、耐久性
にすぐれ、かつ安価な周辺露光装置を提供できる。
【0013】以下、図面を参照して本発明を液晶表示基
板製造に用いられる基板の周辺露光装置に用いた実施形
態について詳細に説明する。図1は、本発明の周辺露光
装置の第一の実施例を示す装置概略図である。図1にお
いて、光源としての超高圧水銀灯10は、400nm以
下の波長の光(例えばi線(365nm))を含む光を
発する。そして、この光は、超高圧水銀灯が第1焦点位
置となるように設けられた楕円鏡11により反射され、
400nm以下の露光光のみを反射させるダイクロイッ
クミラー12で反射された後、楕円鏡11の第2焦点位
置13に光源像を形成する。この第2焦点位置13の近
傍には、図示無きシャッターが設けられており、このシ
ャッターにより露光のON/OFFが制御される。
【0014】さて、第2焦点位置13からの光は、ミラ
ー14、リレーレンズ15、ミラー15及びリレーレン
ズ16を順に経由して、リレーレンズ16の射出側に光
源像をリレーする。リレーされた光源像からの光は、図
1におけるYZ平面内で回転可能に設けられた平面鏡1
8により反射された後、コリメートレンズ19を介して
オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ
20に入射する。
【0015】本実施形態におけるフライアイレンズ20
は、所定の断面形状を有する複数のレンズ素子を集積し
てなり、これらレンズ素子の断面形状が基板上での照射
領域と相似形状となっている。例えば基板上での照射領
域が正方形状である場合には各レンズ素子の断面形状も
正方形状となる。そして複数のレンズ素子は通常、各々
正レンズで構成され、それらの射出側に複数の光源像
(2次光源)を形成する。フライアイレンズ20を通過
した光は、コンデンサレンズ21を介して基板上に導か
れる。ここで、フライアイレンズ20の複数のレンズ素
子の入射面の各々が、これら複数のレンズ素子及びコン
デンサレンズによって所定倍率のもとで角型基板22上
にそれぞれ結像する。これにより、角型基板22上には
所定形状の照射領域が形成される。
【0016】さて、本実施形態においては、照明光学系
11〜21を構成する部材のうち少なくとも一部の部材
である平面鏡18が回転可能に構成されている。この平
面鏡18の回転に伴って、コリメートレンズ19、フラ
イアイレンズ20及びコンデンサレンズ21は、平面鏡
18との間隔を変えながら、平面鏡18の回転中心を中
心として回転する。このとき、平面鏡18の回転角は、
コリメートレンズ19、フライアイレンズ20及びコン
デンサレンズ21からなる部分光学系の回転角の1/2
となる。この回転動作により、基板22上に形成される
照射領域が図中Y方向に沿って走査され、その結果、基
板22上にはY方向に伸びた形状の露光領域が形成され
る。
【0017】次に、図2を参照して、平面鏡18よりも
基板22側に位置する部分光学系を可動に保持する構造
について説明する。図2は、図1の光学系のXZ平面図
である。図2において、平面鏡18は鏡筒23内でX軸
を中心として回転可能となるように支持されている。そ
して、コリメートレンズ19、フライアイレンズ20、
及びコンデンサレンズ21は鏡筒24内に固定されてい
る。これらの鏡筒23、24は、コンデンサレンズ21
と平面鏡との間隔が可変となるように嵌め合わされてお
り、伸縮機構となっている。これにより、回転にて光路
長が延びた分を吸収している。つまり、回転走査露光を
行うことにより平面鏡とコンデンサレンズの間隔が可変
になる。なお、図2では不図示ではあるが、内側の鏡筒
24にピンを設け、外側の鏡筒23に鏡筒24のピンと
係合する長穴形状のガイド溝を設けている。なお、伸縮
機構としては、鏡筒23,24を連結するように設けた
蛇腹でも良い。
【0018】また、鏡筒24の基板側には、Y方向に延
びた形状のガイド25に沿って移動可能に設けられた移
動部材26が設けられており、この移動部材26と鏡筒
24とは図中X軸を中心として相対的に回転可能となる
ように連結されている。移動部材26には、基板22上
に形成される照射領域のX方向の幅を規定する(制限す
る)ために露光領域制限手段としてのブラインド(遮光
部材)27が設けられており、このブラインド27は移
動部材26に対してX方向に移動可能となっている。こ
こで、照射領域の大きさ(X方向の幅)はブラインド2
7の移動範囲よりも若干大きく設定している。ブライン
ド27のX方向への移動により基板22上の照射領域の
X方向の幅を可変にできる。なお、ブラインド27は鏡
筒24に取り付けられる構成であっても良い。
【0019】ここで、図示無き駆動部により、移動部材
26をガイド25に沿ってY方向へ移動させると、鏡筒
24と移動部材26との連結部分の軌跡がY方向に延び
た直線状となるように、かつ平面鏡18の回転中心を中
心としてYZ平面内で回転するように移動する。図1に
移動後のコリメートレンズ19、フライアイレンズ20
及びコンデンサレンズ21からなる部分光学系の配置を
示す。なお、移動部材26に取り付けられているブライ
ンド27もY方向へ移動する。
【0020】平面鏡18の回転は、コリメートレンズ1
9、フライアイレンズ20及びコンデンサレンズ21か
らなる部分光学系の回転角の1/2となるように制御さ
れるが、平面鏡18への回転駆動は、移動部材26を移
動させる駆動部とは別に設けられた回転駆動部(モータ
等)で行ってもよく、また鏡筒23,24等の回転移動
を回転角が1/2となるように平面鏡18へ伝達するギ
アトレインやベルト等の伝達機構であっても良い。
【0021】図1に戻って、図示無きシャッタを開き、
平面鏡18とコリメートレンズ19、フライアイレンズ
20及びコンデンサレンズ21からなる部分光学系とを
同期した状態で回転させることにより、基板22上の所
定形状の照射領域がY方向へ移動し、これによりY方向
に延びた略長方形状の露光領域が形成される。言いかえ
ると、照射領域による基板22上での走査露光が達成さ
れる。
【0022】このとき、オプティカルインテグレータと
してのフライアイレンズ20とコンデンサレンズ21と
の間隔が一定であり、かつコンデンサレンズ21と基板
22との間隔が実質的に一定であるため、照射領域が基
板22上のどの位置であっても、すなわち照明光学系の
一部の回転角がどのようなものであっても、基板上での
照度分布をほぼ一定に保つことが可能である。
【0023】また、図1及び図2に示した例では、回転
可能な平面鏡18とコンデンサレンズ21の間が可変と
なるように設定したが、例えばフライアイレンズを大き
くすることによって、コンデンサレンズ21とフライア
イレンズ20との間を間隔可変にしても構わない。この
とき、コンデンサレンズ21と基板との間の感覚は実質
的に一定であることが好ましい。 次に図3を参照して
装置全体の構成及び周辺露光動作について説明する。図
3に示す装置は、図1及び図2に示したユニット10〜
21を2組設けた例である。図3において、+X方向側
にあるユニットには符号Aを付し、−X方向側にあるユ
ニットには符号Bを付すことにより両ユニットを区別し
てある。
【0024】図3において、コリメートレンズ19、フ
ライアイレンズ20及びコンデンサレンズ21からなる
部分光学系を収納している鏡筒24A,24Bは、それ
ぞれY方向に延びたガイド25A,25Bに沿って移動
可能に設けられた移動部材26と連結している。また、
平面鏡18を収納している鏡筒23A,23Bは、連結
部材29A,29Bを介してフレーム(架台)28に取
り付けられている。ここで、それぞれの連結部材29
A,29Bはフレーム28に対してX方向に沿って独立
に移動可能となっており、連結部材29A,29Bの移
動により、鏡筒23A,23B,24A,24BもX方
向に移動し、基板上に形成される照射領域のX方向の位
置も移動する。これにより、照射領域が基板22上を走
査されることにより形成される露光領域ERA,ERB
のX方向の位置を可変にできる。また、鏡筒23A,2
3Bは、平面鏡18の回転中心と同軸で連結部材29
A,29Bに対して回転可能に取り付けられている。そ
して、これらの連結部材29A,29Bには、図1に示
した光源10、楕円鏡11、ダイクロイックミラー1
2、シャッタ、ミラー14,16、リレーレンズ15,
17を収納しているランプハウス30A,30Bが取り
付けられている。
【0025】次に露光動作について説明する。まず、基
板22が不図示のローダーのアーム(ロードアーム)に
より装置内に搬入される。ここで、図3では不図示では
あるが、周辺露光装置内の基板載置位置には、上下動可
能(Z方向に可動)なピンを備えた基板ホルダが位置し
ている。そして、ロードアームは基板ホルダ上のピンに
基板を載置し、このロードアームが退避した後、基板ホ
ルダ上のピンが下方に移動し、基板22がホルダ上に吸
着される。また、基板ホルダまたはその周囲には、基板
22のXY平面内での位置決めを行うための基準ピンが
設けられており、ロードアームが基板ホルダ上のピンに
基板を載置する際、基板22を基準ピンに押し当てて基
板の位置合わせを行う。
【0026】なお、基板の位置合わせにあたっては、ポ
テンシヨメータ等により基板22の位置を計測した後、
基板に補正をかけても構わないし、例えば、基板ホルダ
ごと回転調整したり、走査のためのガイド自身を回転調
整したり、ブラインドの位置により補正をかけても構わ
ない。この場合、基板ホルダをXY方向及びZ軸を中心
とする回転方向(θ方向)で微動可動となるように構成
しておく。
【0027】なお、基板22の搬入の際には、移動部材
26をロードアームと反対側へ移動させておき、コリメ
ートレンズ19、フライアイレンズ20及びコンデンサ
レンズ21からなる部分光学系(鏡筒24A,24B)
と、ブラインド27とを基板の搬入路と干渉しない位置
へ退避させておくことが好ましい。次に、ランプハウス
30A,30B内のシャッタを開き、退避位置にあった
フライアイレンズ20及びコンデンサレンズ21からな
る部分光学系(鏡筒24A,24B)とブラインド27
とをガイド25A,25Bに沿って移動させて周辺露光
を開始する。このとき、基板22上に形成される露光領
域ERA,ERBのX方向の幅を規定するために、ブラ
インド27のX方向の位置はそれぞれ設定されている。
なお、ブラインド27と基板22との間隔によりエッジ
精度(露光領域ERA,ERBの端部のボケ具合)が決
定するため、エッジ精度が厳しく要求される場合には、
可能な限りブラインド27と基板22を近接させれば良
いことになる。
【0028】露光時間は、上記部分光学系が退避位置に
ある際に形成される照射領域の位置に配置された照度セ
ンサを用いて照度を計測し、照明光学系による照射領域
のY方向の長さ、照度、および必要な露光量から走査速
度を算出し、この走査速度となるように部分光学系の速
度(平面鏡の回転速度も)をコントロールして露光す
る。
【0029】なお、照度センサは、上記のように基板ホ
ルダに隣接して設ける構成の代わりに、照明光学系11
〜21中を通過する光の一部を取り出して照度センサへ
導くように構成しても良い。また、照度を計測する場合
は、露光中モニタを行っても構わないが、不要なレジス
トを感光させることが目的であるので、複数枚毎に一度
計測するような構成をとっても構わない。
【0030】ここで一例を挙げると、照射長さL=10
0mm、照度S=100mW/cm 2、必要露光量をE
=50mJ/cm2とすると、走査速度vは、 v=(L/E)×S により求まるため、上記の場合にはv=200mm/se
cとなる。従って、この速度になるように照射領域を走
査すれば良いことになる。こうして露光量制御を行って
露光するが、当然スループットの観点から、基板の2辺
を一度に走査露光した方が、スループットを短縮できる
ため、図3の例では、2組の照明光学系を配置すること
により、角型の基板で平行な2辺を同時に露光してい
る。
【0031】次に基板22自体を90°回転させた後、
上述の例と同様に短辺側2辺を露光する。なお、基板2
2の回転機構としては、例えば基板ホルダに設けられ
て、上下動(Z方向)可能で、かつZ方向を中心として
回転可能なセンターアップピンを用いることができる。
この場合、一方の2辺への周辺露光が完了した後、セン
ターアップピンをZ方向で上へ移動させて、基板22を
基板ホルダから浮かす。その後、センターアップピンを
Z方向を中心として90°回転させた後に、Z方向で下
へ移動させて再び基板22を基板ホルダ上に吸着させ
る。
【0032】さて、基板22のサイズを700×800
mmとすると、例えば基板22の中心で基板を回転した
場合には、800mm側の辺を露光する場合の露光領域
の位置と、700mm側の辺を露光する場合の露光領域
の位置とのX方向での差は、それぞれ50mmずつとな
る。例えば800mm側の辺を周辺露光した後に基板2
2を回転させて700mm側の辺を周辺露光する場合に
は、露光領域の位置を片側50mmずつ内側へ移動させ
る必要がある。
【0033】この場合、長辺側の露光領域と短辺側の露
光領域との双方を照明光学系のX方向の移動無しで露光
できるように、コンデンサレンズ21による照射領域を
広げておき、ブラインド27のX方向の移動のみで露光
領域の位置を移動させても良い。この場合、照明光学系
をX方向へ移動させる機構(例えば移動部材29A,2
9B)が不用になる。
【0034】一例を挙げると、例えば700×800m
mの基板の外周80mmをこの周辺露光装置で露光する
場合は、まず、800mm側の辺への露光をブラインド
27で80mmになるように設定し、露光する。次に基
板22を回転させて700mm側を露光する。この場合
には、基板22の中心を回転軸として回転させれば、基
板の端辺は、800mm側の辺と比べて片側50mm内
側に位置することになる。この場合、ブラインド27を
X方向へ移動させて、この基板端辺より80mm内側に
照射領域の端部が位置するように設定し、露光を開始す
る。すなわち、800mm側を露光したときのブライン
ドの位置よりも更に、50mm内側にブラインドを設定
し、露光を行えば良いため、基板22の回転に伴う照明
光学系の移動が無くてすむ。
【0035】しかしながら、この場合には、縦横比の大
きな基板を露光する場合には実質的に露光に寄与する光
量が少なくなってしまうため、図3に示したように、光
学系全体を露光幅と直交する方向に移動させるための駆
動機構とガイドを設け、移動可能にすれば良い。なお、
図3に示した例では、照明光学系全体をX方向(走査直
交方向)へ移動可能としているが、光源10と楕円鏡1
1とを固定し、ダイクロイックミラー12以降の光学系
を光源10と楕円鏡11との光軸を中心として回転可能
にしても良い。この場合の例を図4に示す。図4は、図
1及び図2に示した照明光学系をZ軸において上方から
見た場合のXY平面図である。図4に示す例では、図1
に示した光源10及び楕円鏡11は固定されており、ダ
イクロイックミラー12、シャッタ及びミラー14が光
源を中心としてZ軸周りに回転可能であり、ミラー16
及びリレーレンズ17が、リレーレンズ17の光軸をY
方向に維持しつつ(リレーレンズ17からの光束(ミラ
ー16からの反射光)の射出方向を一定に維持しつつ)
光源を中心としてZ軸周りに回転可能である。なお、図
4では、射出側の光軸を1点鎖線でしめしている。この
場合、例えば光源10及び楕円鏡11を第1ユニットに
収め、ダイクロイックミラー12、シャッタ及びミラー
14を第2ユニットに収め、ミラー16及びリレーレン
ズ17を第3ユニットに収めることを考えると、第2ユ
ニットは第1ユニットに対してZ軸を中心として回転可
能となるように取り付けられ、第3ユニットは第2ユニ
ットに対してZ軸を中心として回転可能となるように取
り付けられることになる。そして、平面鏡18が収めら
れる鏡筒23は、第3ユニットに対してX軸を中心とし
て回転可能となるように取り付けられる。なお、リレー
レンズ15は第2ユニットまたは第3ユニットの何れか
に取り付けられる。
【0036】このように照明光学系の一部を光源を中心
とした水平面内(基板22と平行なXY平面内)で回転
可能に設けると、光源10が収められる第1ユニットを
固定した状態で照射領域をX方向へ移動させることが可
能となり、光源10を冷却するためのファンやエアダク
トを抱えたまま移動させる必要がなくなるため、構成の
簡易化を図れる。また、光源が収められる第1ユニット
自体を回転台等に載置してZ軸を中心として回転させて
も良い。
【0037】上記の場合、第3ユニットを円弧状の軌跡
に沿って移動させるために円弧状のガイドや案内部材を
設けれは、光源10からミラー16までの光路長を一定
に維持することができる。また、図4に示した構成とす
れば、基板22の周辺部のみならず、基板22の中央部
へも露光領域を形成することが可能となり、一枚の基板
22から複数の素子をとる多面取りの場合にも対応でき
る。
【0038】なお、第1実施形態では、基板22の露光
領域の長辺方向から回転可能な平面鏡18へ光束を導く
構成とし、平面鏡18の回転角を光線の反射角の1/2
になるようにしたが、基板22の短辺側から光束を導く
構成とし、平面鏡18と部分光学系(コリメートレンズ
19、フライアイレンズ20及びコンデンサレンズ2
1)を一体で(回転角が同じとなるように)動くように
しても当然構わない。
【0039】次に図5を参照して第2実施形態について
説明する。図5に示す第2実施形態の周辺露光装置は、
基板上の露光する辺(領域)に対して大きなブラインド
を固定的に配置し、照明光束を固定ブラインドの上で走
査させて露光する方式である。図5において、光源とし
ての超高圧水銀灯10は、楕円鏡11の第1焦点位置に
配置されており、光源10から発する光は、所定波長の
光のみを反射させるダイクロイックミラー12で反射さ
れた後に、楕円鏡11の第2焦点位置に集光される。な
お、図5の装置においても、楕円鏡11の第2焦点位置
近傍にはシャッタが設けられている。第2焦点位置から
の光は、コリメートレンズ19によりほぼ平行光束にな
った後に、オプティカルインテグレータとしてのフライ
アイレンズ20に入射する。そして、このフライアイレ
ンズ20の射出側に複数の光源像からなる2次光源を形
成する。図5の装置では、フライアイレンズ20による
2次光源位置近傍に前側焦点が位置するように設けられ
た凹面鏡31により、フライアイレンズ20からの光束
が基板22上へ導かれる。
【0040】第2実施形態では、基板22の直上にブラ
インド32が近接配置されており、凹面鏡31からの光
束が基板22へ導かれることにより基板22上に形成さ
れる照射領域の形状は、ブラインド32により制限され
る。なお、このブラインド32は露光時には固定される
が、基板22の搬入または搬出時には基板22と干渉し
ない位置に退避させることが好ましい。なお、エッジ精
度があまり厳しく要求されない場合には、ブラインド3
2と基板22との間隔を広げることが可能となり、基板
22の搬入または搬出時においてブラインド32を移動
させる必要が薄くなる。
【0041】そして、凹面鏡32は図中X方向及びY方
向の2軸を軸として回転可能となるように保持されてお
り、この凹面鏡32の回転により基板22上の照射領域
をXY平面内で移動させることができる。実際には、凹
面鏡31からの光束をブラインド32の端辺または開口
部に沿うように走査させることにより、基板22上の周
辺部または中央部にブラインドの端辺または開口部で規
定される露光領域を形成することができる。
【0042】なお、図5の例では、照射領域の走査に伴
い、基板22と凹面鏡31との間の光路長が変化する。
この場合には、凹面鏡31と基板22Gとの距離を長く
とり(すなわち凹面鏡31の焦点距離を長く設定し)、
フライアイレンズ20の径を小さくすることが好まし
い。これにより、基板22を照明する光束の開口数
(N.A.)を小さくすることができ、凹面鏡31の回
転による光路長の変化に伴って照射領域がディフォーカ
スしたとしても光束の広がりによる光量ロスを小さくで
きる。
【0043】なお、図5の例では凹面鏡31を用いた
が、その代わりに例えばレンズ系と平面鏡等の構成をと
っても構わない。また、図5の例では、ブラインド32
は露光時には固定形状であったが、このブラインド32
による遮光領域の形状を可変とし、基板の形状やサイ
ズ、または周辺露光すべき領域の変更に対応させる構成
であっても良い。なお、この場合であっても、ブライン
ド32は露光時には移動しないことが好ましい。
【0044】また、上述の各実施形態ではオプティカル
インテグレータとしてフライアイレンズにて構成した
が、射出面の形状が照射領域と相似形のロッドインテグ
レータ(内面反射型インテグレータ)や、ランダムに束
ねられたファイバー束(ランダムファイバー束)をオプ
ティカルインテグレータとして用いても構わない。ま
た、ファイバーにて光束を整形する場合には射出端を矩
形にして拡大光学系にてファイバー端をリレーする構成
とするのが望ましい。
【0045】また、上述の例では、光源として400n
m以下の波長の光を供給する超高圧水銀ランプを適用し
たが、本発明の光源としては超高圧水銀ランプには限定
されない。また、第1実施形態では平面鏡18を回転さ
せたが、曲率を有する鏡(凹面鏡、凸面鏡)を回転させ
る構成であっても良い。
【0046】以上のように本発明に係る各実施形態によ
れば、露光光に400nm以下の光を用いて露光する場
合であっても、石英のファイバーのみで構成する場合に
比べて、価格が安く、更に、ファイバーが基板上を走り
回るような構成とは異なり、ファイバー自体にストレス
が加わり断線するといったこともなく、装置の耐久性が
増し、大幅なコストダウンが実現する。
【0047】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、露光光に
400nm以下の光を用いる場合であっても、大型の基
板に対しても比較的容易でかつ安価で、更に耐久性に優
れ、かつコストをかけずにスループットを向上させるこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態にかかる周辺露光装置の
概略を示す平面図である。
【図2】第1実施形態にかかる周辺露光装置の一部の構
成を示す平面図である。
【図3】第1実施形態の一つの変形例にかかる周辺露光
装置の概略を示す斜視図である。
【図4】第1実施形態の別の変形例にかかる周辺露光装
置の一部の構成を示す平面図である。
【図5】本発明の第2実施形態にかかる周辺露光装置の
概略を示す平面図である。
【符号の説明】
10:光源 18:平面鏡 19:コリメートレンズ 20:フライアイレンズ(オプティカルインテグレー
タ) 21:コンデンサレンズ 22:基板

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】角型基板に塗布された感光性材料上の所定
    の回路パターンが転写される領域とは異なる領域に対し
    て露光光を照射する周辺露光装置であって、 露光光を供給する光源と、 該光源からの露光光を前記基板へ向ける照明光学系と、 前記光源と前記基板との間に配置されて、前記基板上で
    の前記露光光が照射される領域を制限するための露光領
    域制限手段とを有し、 前記基板の前記異なる領域への露光に際し、前記照明光
    学系の少なくとも一部を回転させつつ前記異なる領域へ
    前記露光光を照射することを特徴とする周辺露光装置。
  2. 【請求項2】前記基板の前記異なる領域への露光に際し
    て、前記基板は静止していることを特徴とする請求項1
    記載の周辺露光装置。
  3. 【請求項3】前記照明光学系の少なくとも一部を回転さ
    せつつ前記露光光を照射することにより、ほぼ直線状に
    延びた露光領域を前記基板上に形成することを特徴とす
    る請求項1または2記載の周辺露光装置。
  4. 【請求項4】前記光源と前記照明光学系の少なくとも一
    部は、前記露光領域の長手方向と交差する方向へ移動可
    能であることを特徴とする請求項3記載の周辺露光装
    置。
  5. 【請求項5】前記照明光学系の少なくとも一部は、前記
    露光領域を前記露光領域の長手方向と交差する方向へ移
    動させるために、前記基板と平行な面内において回転可
    能に構成されることを特徴とする請求項3記載の周辺露
    光装置。
  6. 【請求項6】前記基板の前記異なる領域への露光に際し
    て、前記露光領域制限手段は前記基板に対して静止して
    いることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載
    の周辺露光装置。
  7. 【請求項7】前記露光領域制限手段は、前記基板上での
    照射領域を規定するためのエッジを有し、 該エッジは前記基板上の前記異なる領域の長さよりも小
    さく形成され、かつ前記照明光学系の前記少なくとも一
    部の回転に同期或いは連動して移動可能に構成され、 前記照明光学系の前記少なくとも一部の回転と前記エッ
    ジの移動とにより前記基板上の照射領域を走査すること
    を特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載の周辺露
    光装置。
  8. 【請求項8】前記照明光学系の前記少なくとも一部は、
    少なくとも反射面を有していることを特徴とする請求項
    1乃至7の何れか一項記載の周辺露光装置。
  9. 【請求項9】前記角型基板をほぼ90°ずつ回転させる
    基板回転機構をさらに有し、 前記角型基板への前記露光光の照射の後に、前記角型基
    板を回転させることを特徴とする請求項1乃至8の何れ
    か一項記載の周辺露光装置。
  10. 【請求項10】前記感光性材料を前記角型基板へ塗布す
    る第1工程と、 前記角型基板上の前記感光性材料上の所定領域に回路パ
    ターンを転写する第2工程と、 請求項1乃至9の何れ
    か一項記載の周辺露光装置を用いて前記回路パターンが
    転写される領域に対して露光光を照射する第3工程とを
    有し、 前記第3工程は、前記第2工程の前または後に実行され
    ることを特徴とする周辺露光方法。
JP11103228A 1999-04-09 1999-04-09 周辺露光装置及び方法 Pending JP2000294500A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11103228A JP2000294500A (ja) 1999-04-09 1999-04-09 周辺露光装置及び方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11103228A JP2000294500A (ja) 1999-04-09 1999-04-09 周辺露光装置及び方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000294500A true JP2000294500A (ja) 2000-10-20

Family

ID=14348623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11103228A Pending JP2000294500A (ja) 1999-04-09 1999-04-09 周辺露光装置及び方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000294500A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339183A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン描画装置およびブロック数決定方法
JP2007148362A (ja) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd レーザビーム・紫外線照射周辺露光装置およびその方法
JP2007148358A (ja) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd レーザビーム・紫外線照射周辺露光装置およびその方法
JP2007148359A (ja) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd レーザビーム露光装置およびその方法
JP2007148360A (ja) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd 周辺露光装置およびその方法
JP2007148361A (ja) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd 周辺露光装置およびその方法
JP2008242173A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Orc Mfg Co Ltd 露光描画装置
JP2008268888A (ja) * 2007-03-28 2008-11-06 Orc Mfg Co Ltd 露光描画装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339183A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン描画装置およびブロック数決定方法
JP4491447B2 (ja) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 レーザビーム・紫外線照射周辺露光装置およびその方法
JP2007148358A (ja) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd レーザビーム・紫外線照射周辺露光装置およびその方法
JP2007148359A (ja) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd レーザビーム露光装置およびその方法
JP2007148360A (ja) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd 周辺露光装置およびその方法
JP2007148361A (ja) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd 周辺露光装置およびその方法
JP4491444B2 (ja) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 レーザビーム・紫外線照射周辺露光装置およびその方法
JP2007148362A (ja) * 2005-11-04 2007-06-14 Orc Mfg Co Ltd レーザビーム・紫外線照射周辺露光装置およびその方法
JP4491446B2 (ja) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 周辺露光装置およびその方法
JP4491445B2 (ja) * 2005-11-04 2010-06-30 株式会社オーク製作所 周辺露光装置およびその方法
JP4533874B2 (ja) * 2005-11-04 2010-09-01 株式会社オーク製作所 レーザビーム露光装置
JP2008242173A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Orc Mfg Co Ltd 露光描画装置
JP2008268888A (ja) * 2007-03-28 2008-11-06 Orc Mfg Co Ltd 露光描画装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100530676B1 (ko) 투영노광방법
JPH0429212B2 (ja)
JP6663914B2 (ja) 露光用照明装置、露光装置及び露光方法
TW495835B (en) Peripheral exposure device
JP2000294500A (ja) 周辺露光装置及び方法
JP3363835B2 (ja) 戻り光除去方法と装置
JP2697014B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2000294501A (ja) 周辺露光装置及び方法
US7862961B2 (en) Mask and exposure apparatus
JPH0545886A (ja) 角形基板の露光装置
JP4144059B2 (ja) 走査型露光装置
TWI388939B (zh) 曝光設備及裝置製造方法
JP2000299273A (ja) 周辺露光装置及び方法
JP3209294B2 (ja) 露光装置
JP3175059B2 (ja) 周辺露光装置及び方法
JP4581262B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2000097864A (ja) 外観検査用投光装置
JPH01165118A (ja) ウエハの周縁部露光装置
KR102439935B1 (ko) 투영 노광 장치
JP2674579B2 (ja) 走査露光装置および走査露光方法
JP3219925B2 (ja) 周辺露光装置及び周辺露光方法
JP2004062079A (ja) 近接露光装置
JP2004342803A (ja) 露光装置及び露光方法
JP2000299272A (ja) 周辺露光装置及び露光方法
JP2891737B2 (ja) 反射装置及び転写装置