KR20030083600A - 전도성 막 형성용 조성물, 전도성 막, 및 그의 형성 방법 - Google Patents

전도성 막 형성용 조성물, 전도성 막, 및 그의 형성 방법 Download PDF

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Abstract

다양한 전기 장치에 적합하게 사용할 수 있는 배선 또는 전극을 용이하고 저렴하게 형성할 수 있는 전도성 막 형성용 조성물, 상기 조성물을 사용한 막의 형성 방법, 상기 형성 방법에 의해 형성되는 전도성 막, 및 상기 막을 포함하는 배선 또는 전극이 제공된다.
아민 화합물과 수소화 알루미늄의 착화합물 및 유기 용매를 포함하는 전도성 막 형성용 조성물을 기판에 도포한 후, 열 처리 및(또는) 광조사하여 전극 또는 배선과 같은 전도성 막을 형성한다.

Description

전도성 막 형성용 조성물, 전도성 막, 및 그의 형성 방법 {CONDUCTIVE FILM FORMING COMPOSITION, CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR FORMING THE SAME}
본 발명은, 전도성 막 형성용 조성물, 상기 조성물을 사용한 전도성 막 및 상기 조성물의 형성 방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는, 전자 장치의 배선 형성에 적합하게 사용할 수 있는 전도성 막 형성용 조성물, 상기 조성물의 형성 방법, 및 상기 방법에 의해 형성된 막, 예를 들어 배선 또는 전극에 관한 것이다.
알루미늄은 태양 전지, 반도체 장치 및 다양한 전자 장치, 예를 들어 전자 디스플레이 장치에 사용된다. 지금까지, 이러한 알루미늄 막은 스퍼터링법, 진공 증착법 또는 화학 기상 증착 (CVD)법에 의해 형성되며, 레지스트를 사용하는 포토에칭법에 의해 얻어진 알루미늄 막을 알루미늄 패턴으로 형성하는 것이 일반적이었다. 그러나, 이러한 방법은 대규모 진공 증착 장치가 필요하기 때문에 에너지 소비의 면에서 불리하다. 또한, 상기 방법으로 넓은 면적 기판상에 균일하게 알루미늄 배선을 형성하는 것이 어렵기 때문에 수율 저하 및 비용 상승을 가져온다.
한편, 알루미늄 미립자를 결합제에 분산시킨 페이스트가 최근 개발되었으며, 이 페이스트를 스크린-인쇄하여 패턴을 형성하고 상기 패턴을 소성시킴으로써 알루미늄 패턴을 형성하는 방법이 보고되었다. 이러한 방법은 알루미늄 페이스트의 인쇄에 의한 직접적인 패턴화이기 때문에, 적은 비용으로 수행할 수 있다. 그러나, 얻어진 알루미늄이 불순물을 함유하므로 저항성이 낮은 알루미늄을 얻기 어려우며, 이러한 방법을 사용하여 미세 패턴을 형성하는 것은 기술상 어렵다.
따라서, 본 발명의 목적은 다양한 전자 장치에 적합하게 사용할 수 있는 배선 또는 전극을 용이하고 저렴하게 형성할 수 있는 전도성 막 형성용 조성물, 상기 조성물을 사용한 막의 형성 방법, 상기 형성 방법에 의해 형성된 전도성 막, 및 상기 막으로 구성된 배선 또는 전극을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적 및 이점은, 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 실시예에서 사용한 알란-아민 착화합물의 IR 스펙트럼의 도표이다.
도 2는 실시예에서 사용한 알란-아민 착화합물의 NMR 스펙트럼의 도표이다.
첫번째로, 본 발명에 따라 상기 목적 및 이점은, 아민 화합물과 수소화 알루미늄과의 착화합물 및 유기 용매를 포함하는 전도성 막 형성용 조성물에 의해 달성된다.
두번째로, 본 발명에 따라 상기 목적 및 이점은, 본 발명의 전도성 막 형성용 조성물을 기판상에 도포한 후 도포된 조성물을 가열 및(또는) 광조사하는 단계를 포함하는 전도성 막의 형성 방법에 의해 달성된다.
세번째로, 본 발명에 따라 상기 목적 및 이점은, 본 발명의 상기 방법에 의해 얻어진 전도성 막에 의해서 달성된다.
네번째로, 본 발명에 따라 본 발명의 상기 목적 및 이점은, 표면에 패턴화된 친수성 부분 및 소수성 부분을 갖는 기판상에 상기 본 발명의 전도성 막 형성용 조성물을 도포하여 패턴화된 코팅 막을 형성한 후 상기 코팅 막을 가열 및(또는) 광조사하여 패턴화된 알루미늄 막을 형성하는 단계를 포함하는, 패턴화된 전도성 막의 형성 방법에 의해 달성된다.
다섯번째로, 본 발명에 따라 상기 목적 및 이점은, 본 발명의 상기 방법에 의해 얻어진 배선 또는 전극에 의해 달성된다.
이하에 본 발명을 더욱 상세하게 설명할 것이다.
본 발명의 전도성 막 형성용 조성물은, 아민 화합물과 수소화 알루미늄과의 착화합물 및 유기 용매를 함유한다. 수소화 알루미늄 (종종 관용적으로 "알란"이라 불림)은 알루미늄과 수소 원자를 포함하는 화합물이며 일반적으로 AlH3으로 표시되는 시성식을 갖는 것으로 믿어진다.
본 발명의 전도성 막 형성용 조성물에 사용되는 아민 화합물과 알란과의 착화합물을, 예를 들어 문헌 [J. K. Ruff 등, J. Amer. Chem. Soc., 82권, 2141쪽, 1960년; G. W. Fraser 등, J. Chem. Soc., 3742 쪽, 1963년; J. L. Atwood 등, J. Amer. Chem. Soc., 113권, 8183쪽, 1991년]에 기재된 방법에 따라 합성할 수 있다.
본 발명의 전도성 막 형성용 조성물에서 착화합물을 구성하는 아민 화합물은 모노아민 화합물 또는, 디아민 또는 트리아민과 같은 폴리아민 화합물일 수 있다. 모노아민 화합물로는, 예를 들어 하기 화학식 1의 화합물을 적합하게 사용할 수 있다.
R1R2R3N
상기 식에서, R1, R2, R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클릭 알킬기 또는 아릴기이다.
화학식 1의 R1, R2및 R3의 구체예는 수소; 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기 및 도데실기와 같은 알킬기; 메트알릴기와 같은 알케닐기; 및 페닐에티닐기와 같은 알키닐기; 시클로프로필기와 같은 시클릭 알킬기; 페닐기 및 벤질기와 같은 아릴기를 포함한다. 이들 기들은 적합하게 사용될 수 있다. 또한, 상기 알킬기, 알케닐기 및 알키닐기는 직선형, 고리형 또는 분지형일 수 있다.
화학식 1의 모노아민 화합물의 구체예는 암모니아, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리시클로프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리이소부틸아민, 트리-t-부틸아민, 트리-2-메틸부틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리시클로헥실아민, 트리(2-에틸헥실)아민, 트리옥틸아민, 트리페닐아민, 트리벤질아민, 디메틸페닐아민, 디에틸페닐아민, 디이소부틸페닐아민, 메틸디페닐아민, 에틸디페닐아민, 이소부틸디페닐아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디이소프로필아민, 디시클로프로필아민, 디-n-부틸아민, 디이소부틸아민, 디-t-부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸부틸아민, 디-n-헥실아민, 디시클로헥실아민, 디(2-에틸헥실)아민, 디옥틸아민, 디페닐아민, 디벤질아민, 메틸페닐아민, 에틸페닐아민, 이소부틸페닐아민, 메틸메타크릴아민, 메틸(페닐에티닐)아민, 페닐(페닐아티닐)아민, 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, 시클로프로필아민, n-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 2-메틸부틸아민, n-헥실아민, 시클로헥실아민, 2-에틸헥실아민, 옥틸아민, 페닐아민, 벤질아민을 포함한다. 폴리아민 화합물의 구체예는 에틸렌디아민, N,N'-디메틸에틸렌디아민, N,N'-디에틸에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라에틸에틸렌디아민, N,N'-디이소프로필에틸렌디아민, N,N'-디-t-부틸에틸렌디아민, N,N'-디페닐에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 1,7-디메틸-1,4,7-트리아자헵탄, 1,7-디에틸-1,4,7-트리아자헵탄, 트리에틸렌테트라아민, 페닐렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸디아미노벤젠, 1-아자-비시클로[2.2.1]헵탄, 1-아자-비시클로[2,2.2]옥탄(퀴누클리딘), 1-아자시클로헥산, 1-아자-시클로헥산-3-엔, N-메틸-1-아자시클로헥산-3-엔, 모르폴린, N-메틸모르폴린, N-에틸모르폴린, 피페라진 및 N,N',N"-트리메틸-1,3,5-트리아자-시클로헥산을 포함한다. 이러한 아민 화합물은 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
본 발명의 전도성 막 형성용 조성물은 아민 화합물과 알란과의 착화합물을 포함하지만, 아민 화합물과 알란과의 착화합물 이외의 알루미늄 화합물을 더 포함할 수 있다. 본 발명의 전도성 막 형성용 조성물에 포함될 수 있는 착화합물 이외의 알루미늄 화합물의 예는, 트리메틸알루미늄, 트리에틸알루미늄, 트리-n-프로필알루미늄, 트리시클로프로필알루미늄, 트리-n-부틸알루미늄, 트리이소부틸알루미늄, 트리-t-부틸알루미늄, 트리-2-메틸부틸알루미늄, 트리-n-헥실알루미늄, 트리시클로헥실알루미늄, 트리(2-에틸헥실)알루미늄, 트리옥틸알루미늄, 트리페닐알루미늄, 트리벤질알루미늄, 디메틸페닐알루미늄, 디에틸페닐알루미늄, 디이소부틸페닐알루미늄, 메틸디페닐알루미늄, 에틸디페닐알루미늄, 이소부틸디페닐알루미늄, 디에틸 수소화 알루미늄, 디이소부틸 수소화 알루미늄, 디페닐 수소화 알루미늄, 디메틸메타크릴알루미늄, 디메틸(페닐에티닐)알루미늄, 디페닐(페닐에티닐)알루미늄, 디메틸아민ㆍ디메틸알루미늄 착화합물, 디에틸아민ㆍ디에틸알루미늄 착화합물, 디메틸아민ㆍ디에틸알루미늄 착화합물, 디에틸아민ㆍ디메틸알루미늄 착화합물, 디페닐아민ㆍ디메틸알루미늄 착화합물, 및 디페닐아민ㆍ디에틸알루미늄 착화합물을 포함한다. 이러한 알루미늄 화합물은 단독 또는 2종 이상의 혼합물로 사용될 수 있다.
아민 화합물과 알란과의 착화합물은 용매에 용해되어 코팅 용액으로 사용된다. 사용되는 용매는 특별히 한정되지 않으며 아민 화합물과 알란과의 착화합물을 용해시킬 수 있지만 그와는 반응하지 않는 임의의 용매일 수 있다. 용매의 예는, n-펜탄, 시클로펜탄, n-헥산, 시클로헥산, n-헵탄, 시클로헵탄, n-옥탄, 시클로옥탄, 데칸, 시클로데칸, 디시클로펜타디엔 히드리드, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 두렌, 인덴, 테트라히드로나프탈렌, 데카히드로나프탈렌 및 스쿠알란 등의 탄화수소계 용매; 디에틸 에테르, 디프로필 에테르, 디부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 메틸에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸에틸 에테르, 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란 및 p-디옥산 등의 에테르계 용매; 및 염화메틸렌 및 클로로포름 등의 극성 용매를 포함한다. 이들 중, 아민 화합물과 알란과의 착화합물의 용해성 및 상기 용액의 안정성의 면에서 탄화수소계 용매, 또는 탄화수소계 용매와 에테르계 용매와의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 용매를 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로 사용할 수 있다.
아민 화합물과 알란과의 착화합물의 용액의 농도는 바람직하게는 0.1 내지 50 중량％이다. 이러한 농도는 목적하는 전도성 막의 두께에 따라 적절하게 조절할 수 있다.
용액의 전도성을 조절하기 위해서, 조성물의 사용 전에 적절하게 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 철, 니오븀, 티타늄, 규소, 인듐, 주석 등의 금속 및(또는) 반도체의 미립자를 아민 화합물과 알란과의 착화합물의 용액으로 혼합할 수 있다. 또한, 필요에 따라 사용전에 산화 알루미늄, 산화 지르코늄, 산화 티타늄 또는 산화 규소와 같은 금속 산화물의 미립자도 또한 조성물에 혼합할 수 있다. 또한, 코팅하려는 대상에 대한 용액의 습윤성을 개선하고 코팅 막의 레벨링 특성을 개선하며 코팅 막상의 덩어리 및 오렌지 필의 발생을 방지하기 위해, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 또는 비이온계 계면활성제와 같은 표면 장력 조절제를 목적 효과를 손상시키지 않을 정도의 소량으로 첨가할 수 있다. 첨가할 수 있는 비이온계 계면활성제는 플루오로알킬기 또는 퍼플루오로알킬기를 갖는 불소계 계면활성제, 및 옥시알킬기를 갖는 폴리에테르 알킬 계면활성제를 포함한다. 상기 불소계 계면활성제의 구체적인 예는 C9F19CONHC12H25, C8F17SO2NH-(C2H4O)6H, C9F17O(플루로닉 (PLURONIC) L-35)C9F17및 C9F17O (플루로닉 P-84)C9F17을 포함한다. 플루로닉 L-35는 아사히 덴까 캄파니, 리미티드 (ASAHI DENKA CO., LTD.)에 의해 제조된 평균 분자량 1,900의 폴리옥시프로필렌-폴리옥시에틸렌 블록 공중합체이며, 플루로닉 P-84는 아사히 덴까 캄파니, 리미티드에 의해 제조된 평균 분자량 4,200의 폴리옥시프로필렌-폴리옥시에틸렌 블록 공중합체이다. 이러한 불소계 계면활성제의 구체예는, 에프톱 (EFTOP) EF301, 에프톱 EF303 및 에프톱 EF352 (신 아끼따 가세이 캄파니, 리미티드. (SHIN AKITA KASEI CO., LTD.) 제품), 메가팩 (MEGAFAC) Fl71 및 메가팩 F173 (다이니뽄 잉크 앤드 케미칼즈, 인크. (DIANIPPON INK AND CHEMICALS, INC.) 제품), 아사히 가드 (ASAHI GUARD) AG710 (아사히 글라스 캄파니 (ASAHI GLASS COMPANY) 제품), 플루오라드 (FLUORAD) FC-170C, 플루오라드 FC430, 플루오라드 FC431 (스미또모 쓰리엠 (Sumitomo 3M) 제품), 서플론 (SURFLON) S-382, 서플론 SC101, 서플론 SC102, 서플론 SC103, 서플론 SC104, 서플론 SC105 및 서플론 SC106 (아사히 글라스 캄파니 제품), BM-1000 및 BM-1100 (비. 엠-케미 캄파니, 리미티드 (B. M-Chemie Co., Ltd.) 제품), 슈세고-플루오르 (Schsego-Fluor, 슈베크만 캄파니 리미티드 (Schwegmann Co., Ltd.) 제품)을 포함한다. 또한, 폴리에테르 알킬계 계면활성제는 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르, 폴리옥시에틸렌 알릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬페놀 에테르, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르, 소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 지방산 에스테르 및 옥시에틸렌 옥시프로필렌 블록 공중합체를 포함한다. 이러한 폴리에테르 알킬 계면활성제의 구체예는 에멀겐 (EMULGEN) 105, 에멀겐 430, 에멀겐 810, 에멀겐 920, 레오돌 (RHEODOL) SP-40S, 레오돌 TW-L120, 에마놀 (EMANOL) 3199, 에마놀 4110, 엑셀 (EXCEL) P-40S, 브릿지 (BRIDGE) 30, 브릿지 52, 브릿지 72, 브릿지 92, 아라셀 (ARACEL) 20, 에마솔 (EMASOL) 320, 트윈 (TWIN) 20, 트윈 60 및 머지 (MERGE) 45 (카오 코포레이현 (Kao Corporation) 제품), 및 노니발 (NONIBAL) 55 (산요 케미칼 인더스트리즈, 리미티드 (Sanyo Chemical Industries, Ltd.) 제품)을 포함한다. 상기 열거된 것 이외의 비이온성 계면활성제의 예는 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 지방산 에스테르, 및 폴리알킬렌 옥시드 블럭 공중합체를 포함한다. 이들의 구체적인 예는 케미스타트 (CHEMISTAT) 2500 (산요 케미칼 인더스트리즈, 리미티드 제품), SN-EX9228 (산놉코 캄파니, 리미티드 (SANNOPCO CO., LTD.) 제품) 및 노날 (NONAL) 530 (도호 케미칼 인더스트리 캄파니, 리미티드 (Toho Chemical Industry Co., Ltd.)를 포함한다.
이렇게 얻어진 용액 조성물을 기판상에 도포하여 아민 화합물과 알란과의 착화합물을 포함하는 코팅 막을 형성한다. 기판의 재료 및 형상은 특히 제한되지 않는다. 기판의 재료는 후속 가열 처리 단계를 견딜 수 있는 것이 바람직하다. 코팅 막이 형성되는 기판의 표면은 평평하거나 평평하지 않을 수 있으며, 기판의 형상은 특히 제한되지 않는다. 기판의 재료의 구체적인 예는 유리, 금속, 플라스틱및 세라믹을 포함한다. 유리로는, 석영 유리, 붕규산염 유리, 소다 유리 및 납 유리를 사용할 수 있다. 금속으로는, 금, 은, 구리, 니켈, 규소, 알루미늄, 철 및 스테인레스 강을 사용할 수 있다. 플라스틱으로는, 폴리이미드 및 폴리에테르 술폰을 사용할 수 있다. 또한, 이러한 재료의 형상은 벌크형, 판형, 필름형 등일 수 있으며 특히 제한되지 않는다. 또한, 상기 용액을 코팅하는 방법은 특히 제한되지 않으며, 용액은 스핀 코팅, 침지 코팅, 커튼 코팅, 롤러 코팅, 분무 코팅, 잉크 젯 코팅, 인쇄 등에 의해 코팅될 수 있다. 용액은 한번에 코팅되거나 또는 수회에 걸쳐 재코팅될 수 있다.
또한, 본 발명에서 상기 기판은, Ti, Pd 및 Al로 구성된 군으로부터 선택되는 금속 원자를 포함하는 유기금속 화합물을 함유하는 용액으로 미리 코팅되어 유기금속 화합물을 포함하는 코팅 막 (기초층)을 갖는 기판으로 사용될 수 있다. 이러한 기초층을 형성함으로써, 기판과 알루미늄 막간의 접착이 안정하게 유지된다.
Ti 원자를 포함하는 유기금속 화합물의 예는 티타늄 알콕시드, 아미노기 함유 티타늄 화합물, β-디케톤과의 티타늄 착화합물, 시클로펜타디에닐기 함유 티타늄 화합물 및 할로겐기 함유 티타늄 화합물을 포함한다.
Pd 원자를 포함하는 유기금속 화합물의 예는 할로겐기를 갖는 팔라듐 착화합물, 팔라듐 아세테이트, β-디케톤을 갖는 팔라듐 착화합물, 공액 카르보닐기를 갖는 화합물과의 팔라듐 착화합물, 포스핀 Pd 착화합물 등을 포함한다.
또한, Al 원자를 포함하는 유기금속 화합물의 예는 알루미늄 알콕시드, 알루미늄 알킬레이트, β-디케톤과의 알루미늄 착화합물을 포함하며 알란-아민 착화합물은 제외한다.
유기금속 화합물의 예는 티타늄 알콕시드, 예를 들어 티타늄 메톡시드, 티타늄 에톡시드, 티타늄-n-프로폭시드, 티타늄-n-노닐옥시드, 티타늄 스테아릴옥시드, 티타늄 이소프로폭시드, 티타늄-n-부톡시드, 티타늄 이소부톡시드, 티타늄-t-부톡시드, 티타늄 테트라키스(비스-2,2-(알릴옥시메틸)부톡시드), 티타늄 트리이소스테아로일 이소프로폭시드, 티타늄 트리메틸실록시드, 티타늄-2-에틸헥스옥시드, 티타늄 메타크릴레이트 트리이소프로폭시드, (2-메타크릴옥시에톡시)트리이소프로폭시 티타네이트, 티타늄 메톡시프로폭시드, 티타늄 페녹시드, 티타늄 메틸페녹시드, 폴리(디부틸 티타네이트), 폴리(옥틸렌 글리콜 티타네이트), 티타늄 비스(트리에탄올아민)디이소프로폭시드, 티타늄 트리스(도데실벤젠 술포네이트)이소프로폭시드, 티타늄 트리메타크릴레이트 메톡시에톡시에톡시드, 티타늄 트리스(디옥틸 피로포스페이트)이소프로폭시드 및 티타늄 락테이트; 아미노기를 갖는 티타늄 화합물, 예를 들어 테트라키스(디메틸아미노)티타늄 및 테트라키스(디에틸아미노)티타늄; β-디케톤과의 티타늄 착화합물, 예를 들어 티타늄 비스(에틸아세토아세테이트)디이소프로폭시드, 트리스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트)티타늄, 티타늄 옥시드 비스(펜탄디오네이트), 티타늄 옥시드(테트라메틸헵탄디오네이트), 티타늄 메타크릴옥시아세토아세테이트 트리이소프로폭시드, 티타늄 디-n-부톡시드(비스-2,4-펜탄디오네이트), 티타늄 디이소프로폭시드(비스-2,4-펜탄디오네이트), 티타늄 디이소프로폭시드 비스(테트라메틸헵탄디오네이트), 티타늄 디이소프로폭시드 비스(에틸아세토아세테이트), 디(이소-프로폭시드)비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄 디오네이트)티타늄 및 티타늄 알릴아세토아세테이트 트리이소프로폭시드; 시클로펜타디에닐기 함유 티타늄 화합물, 예를 들어 티타노센 디클로라이드, (트리메틸)펜타메틸시클로펜타디에닐 티타늄 및 디메틸 비스(t-부틸시클로펜타디에닐)티타늄; 할로겐 원자 함유 티타늄 화합물, 예를 들어 인데닐 티타늄 트리클로라이드, 펜타메틸시클로펜타디에닐 티타늄 트리클로라이드, 펜타메틸시클로펜타디에닐 티타늄 트리메톡시드, 트리클로로트리스(테트라히드로푸란)티타네이트, 테트라클로로비스(테트라히드로푸란)티타늄, 티타늄 클로라이드 트리이소프로폭시드, 티타늄 요오다이드 트리이소프로폭시드, 티타늄 디클로라이드 디에톡시드, 디클로로비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디아노네이트)티타늄, 테트라클로로비스(시클로헥실머르캅토)티타늄 및 염화 티타늄; 할로겐 원자를 갖는 팔라듐 착화합물, 예를 들어 염화 팔라듐, 알릴 염화 팔라듐, 디클로로비스(아세토니트릴)팔라듐 및 디클로로비스(벤조니트릴)팔라듐; 아세테이트, 예를 들어 팔라듐 아세테이트; β-디케톤과의 팔라듐 착화합물, 예를 들어 팔라듐 2,4-펜탄 디오네이트 및 팔라듐 헥사플루오로펜탄 디오네이트; 공액 카르보닐기를 갖는 화합물과의 팔라듐 착화합물, 예를 들어 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐; 포스핀계 Pd 착화합물, 예를 들어 비스[1,2-비스(디페닐포스피노)에탄]팔라듐, 비스(트리페닐포스핀)팔라듐 클로라이드, 비스(트리페닐포스핀)팔라듐 아세테이트, 디아세테이트 비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디클로로[1,2-비스(디페닐포스핀)에탄]팔라듐, 트랜스-디클로로비스(트리시클로헥실포스핀)팔라듐, 트랜스-디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 트랜스-디클로로비스(트리-o-톨릴포스핀)팔라듐 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐; 알루미늄 알콕시드, 예를 들어 알루미늄 에톡시드, 알루미늄 이소프로폭시드, 알루미늄-n-부톡시드, 알루미늄-s-부톡시드, 알루미늄-t-부톡시드, 알루미늄 에톡시에톡시에톡시드, 알루미늄 페녹시드 및 알루미늄 락테이트; 알루미늄 알킬레이트, 예를 들어 알루미늄 아세테이트, 알루미늄 아크릴레이트, 알루미늄 메타크릴레이트 및 알루미늄 시클로헥산 부티레이트; 및 β-디케톤과의 알루미늄 착화합물, 예를 들어 알루미늄-2,4-펜탄 디오네이트, 알루미늄 헥사플루오로펜탄 디오네이트, 알루미늄-2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄 디오네이트, 알루미늄-s-부톡시드 비스(에틸아세토아세테이트), 알루미늄 디-s-부톡시드 에틸아세토아세테이트, 알루미늄 디이소프로폭시드 에틸아세토아세테이트를 포함한다.
물론, 티타늄 이소프로폭시드, 알루미늄 이소프로폭시드, 티타늄 비스(에틸아세토아세테이트)디이소프로폭시드, 팔라듐-2,4-펜탄 디오네이트, 팔라듐 헥사플루오로펜탄 디오네이트, 알루미늄-2,4-펜탄 디오네이트 및 알루미늄 헥사플루오로펜탄 디오네이트가 바람직하게 사용된다.
Ti, Pd 및 Al로 구성된 군으로부터 선택되는 금속 원자를 포함하는 유기금속 화합물의 용액에 사용되는 용매로는, 이들 단독으로 또는 물과의 혼합물로 유기금속 화합물을 용해할 수 있다면 어떠한 용매도 사용할 수 있다. 이들 용매로는, 예를 들어 물, 테트라히드로푸란, 디옥산, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르 및 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르와 같은 에테르류, 메탄올, 에탄올 및 프로파놀과 같은 알코올류, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세토아미드, 헥사메틸포스포아미드 및γ-부티로락톤과 같은 비양자성 극성 용매를 포함한다. 이들 용매는 단독으로 또는 물과의 혼합물로 사용할 수 있다.
이러한 유기금속 화합물의 용액은, 알란과 아민 화합물의 용액을 코팅하는데 사용하는 것과 동일한 코팅 방법에 의해 기판에 코팅될 수 있다. 용매의 제거 후 코팅 막의 두께 (기초층)는 바람직하게는 0.001 내지 10 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.005 내지 1 ㎛이다. 두께가 너무 두꺼워지는 경우, 막의 평탄성을 얻기 어렵지만, 두께가 너무 얇을 경우에는 기초층은 기판 또는 층과 접촉하는 막에 대한 밀착성이 불량할 수 있다. 기초층은 상기 용액을 코팅한 후 코팅된 용액을 건조시켜 용매를 제거함으로써 형성된다.
본 발명에 사용되는 기판은 또한 동일 기판상에 소수성 부분과 친수성 부분을 둘 다 갖는 기판으로 사용할 수도 있다. 이것에 의해, 기판상의 특정 부분에만 전도성 막을 형성할 수 있게 된다.
본 발명에 사용되는 동일 기판상에 소수성 부분과 친수성 부분을 갖는 기판의 소수성 부분에 해당하는 부분은, 예를 들면 헥사메틸디실라잔 또는 상기 불소계 계면활성제 등을 함유하는 용액을 소수성 부분이 형성되는 부분에 도포한 후, 100 ℃ 내지 500 ℃에서 소성함으로써 형성된다. 해당 부분에만 헥사메틸디실라잔, 또는 상기불소계 계면활성제 등을 함유하는 용액을 도포하기 위해서는, 기판의 전체 표면을 후술되는 방법으로 처리하여 미리 친수성으로 만들고, 친수성으로 남아야 하는 친수성 표면의 부분을 커버한 후, 해당하는 친수성 부분을 소수성이 되도록 처리한다. 친수성 부분을 커버하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어,공지된 포토리소그래피 공정에 따라 패턴화를 수행함으로써 친수성으로 남아야 하는 부분을 공지된 레지스트 또는 마스킹 테이프로 커버하고 본 발명의 전도성 막을 해당 부분에 형성한 후 공지된 방법에 의해 사용한 레지스트 또는 마스킹 테이프를 제거하는 단계를 포함하는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 기판의 전체 표면을 유사한 방법에 의해 처리하여 소수성으로 만든 후 특정 부분을 처리하여 소수성으로 만들 수도 있다.
또한, 본 발명에 사용하는 동일 기판상에 소수성 부분과 친수성 부분을 갖는 기판의 친수성 부분은 기판상에 친수성 부분을 형성하려는 부분에 Ti, Pd 및 Al로 구성된 군으로부터 선택되는 금속을 포함하는 유기금속 화합물을 포함하는 용액을 도포한 후 도포된 용액을 건조시켜 얻을 수 있다.
유기금속 화합물로는, 기초층에 관해 상기 기재된 바와 동일한 유기금속 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명의 방법에서, 아민 화합물과 알란과의 착화합물을 사용한 용액의 코팅막은 열 처리 및(또는) 광 조사함으로써 전도성 막으로 변환된다. 열 처리 온도는 바람직하게는, 100 ℃ 이상, 더욱 바람직하게는 150 내지 500 ℃이다. 열 처리 시간은 30 초 내지 약 120 분이 충분하다. 또한, 열 처리는 수소를 함유하고 가능한 산소가 거의 함유하지 않는 소성 분위기 중에서 수행하는 것이 양호한 품질의 전도성 막을 얻을 수 있으므로 바람직하다. 상기 소성 분위기 중 수소는 예를 들어 질소, 헬륨 또는 아르곤과의 혼합 가스로도 사용될 수 있다. 또한, 아민 화합물과 알란과의 착화합물을 사용한 용액의 코팅 막을 광 조사함으로서 전도성 막을형성할 수도 있다. 광조사에서는, 예를 들면 저압 또는 고압의 수은 램프, 중수소 램프, 아르곤, 크립톤 또는 크세논과 같은 영족 기체의 방전 광, YAG 레이저, 아르곤 레이저, 이산화탄소 레이저, 또는 XeF, XeCl, XeBr, KrF, KrCl, ArF, ArCl 등의 엑시머 레이저 등을 광원으로 사용할 수 있다. 이러한 광원으로서는 일반적으로 10 내지 5,000 W의 출력을 갖는 광원이 사용되지만 통상 100 내지 1,000 W의 출력을 갖는 광원이 충분하다. 이러한 광원의 파장은 특별히 한정되지 않지만, 통상 170 nm 내지 600 nm이다. 또한, 전도성 막의 개질 효과의 면에서 레이저 광을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 이러한 광 조사시의 온도는 통상 실온 내지 200 ℃의 범위이다. 또한, 광조사는 마스크를 통해 조사하여 특정 부위만을 광조사할 수 있다. 전도성 막의 적합한 두께는 사용한 코팅 방법 및 고체 함량에 따라 변화되지만, 막 두께는 바람직하게는 0.01 내지 100 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 10 ㎛이다. 두께가 너무 두꺼우면 전도성 막의 평탄성을 얻기 어려운 반면, 두께가 너무 얇으면 전도성 막은 기판 또는 접촉하고 있는 막과의 밀착성이 불량해질 수 있다.
이렇게 얻어진 전도성 막은 공기 중 방치시 쉽게 산화되어 표면에 산화알루미늄층이 형성된다. 이것은, 예를 들어 배선 및(또는) 전극에 사용하는 경우 문제가 될 수 있다. 산화를 방지하기 위해서는, 불활성 가스 분위기하에서 전도성 막을 형성한 후, 불활성 가스 분위기하에서 보호막을 형성하는 것이 바람직하다. 보호막으로서는 예를 들어 (i) Ti, Pd 및 Al로 구성된 군으로부터 선택되는 금속막, 또는 (ii) 유기 중합체막이 바람직하게 사용된다.
상기 금속막은, 기초층을 형성하는데 사용되는 것과 동일한 유기금속 화합물의 용액을 도포한 후, 도포된 용액을 가열 및(또는) 광 조사하여 유기금속 화합물을 상응하는 금속으로 변환함으로서 형성할 수 있다. 가열 및(또는) 광조사는 상기 기재된 바와 동일한 조건하에서 수행될 수 있다.
또한, 유기 중합체 막은 유기 중합체의 용액을 도포한 후 도포된 용액을 예를 들어 50 내지 200 ℃에서 건조시켜 용매를 제거함으로써 형성될 수 있다. 용액에 사용한 중합체는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리부틸 메타크릴레이트 및 폴리에틸 아크릴레이트 등의 폴리알킬 (메트)아크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리부텐, 폴리비닐 알코올, 폴리비닐 아세테이트 및 폴리부타디엔 등의 단독중합체 또는 상기 중합체들의 공중합체를 사용할 수 있다. 이들 중합체의 용액에 사용되는 용매는 중합체를 용해하는 어떠한 용매도 사용될 수 있다.
용매 제거 후 보호막의 두께는 바람직하게 0.001 내지 10 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 1 ㎛이다. 두께가 너무 두꺼우면 보호막의 평탄성을 얻기 어려운 반면, 두께가 너무 얇으면 보호막은 기판 또는 접촉하고 있는 막과의 밀착성이 불량해질 수 있다.
<실시예>
이하에, 실시예를 참조하여 본 발명이 더 설명될 것이다. 그러나, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되어서는 안된다.
하기 실시예에서 사용한 알란-아민 착화합물을 하기 방법으로 합성하였다.
에틸 에테르 (100 ml) 중 트리에틸아민 20 g 함유 용액에, 5배 몰의 염화수소 가스를 버블링하여 반응시켰다. 그 후, 침전된 염을 필터로 여과하고 100 ml의 에틸에테르로 세척하고 건조시켜 24 g의 트리에틸아민 히드로클로라이드를 합성하였다. 14 g의 얻어진 트리에틸아민 히드로클로라이드를 500 ml의 테트라히드로푸란에 용해하고, 얻어진 용액을 3.8 g의 리튬 수소화 알루미늄 및 500 ml의 에틸 에테르를 포함하는 현탁액에 실온에서 질소하에서 1 시간 동안 적가하였고, 적가 완료 후 얻어진 혼합물을 실온에서 6 시간 동안 더 반응시켰다. 반응 용액을 0.2 ㎛ 막 필터로 여과하고, 여액을 질소하에서 농축시키고, 농축 동안 침전된 염을 0.2 ㎛ 막 필터로 여과하였다. 또한, 300 ml의 톨루엔의 첨가 후, 용매를 질소하에서 산란시켜 용액을 농축하였다. 농축동안 침전된 염을 0.2 ㎛ 막 필터로 다시 정제 여과하여 반응 생성물의 10 ％ 톨루엔 용액을 얻었다.
얻어진 반응 생성물의 10 ％ 톨루엔 용액을 KBr 상에 도포하여 질소하에서 용매를 증발시킨 샘플의 IR 스펙트럼을 도 1에 도시하고 있다. 도 1의 IR 스펙트럼에는, 얻어진 반응 생성물이 트리에틸아민-알란 착화합물임을 표시하는 1,710 cm-1에서 γ(Al-H), 760 cm-1에서 γ(Al ≡H3) 및 γ(N-Al-H), 및 470 cm-1에서 γ(N-Al-N)의 흡수가 도시되어 있다. 또한, 반응 생성물의 NMR 스펙트럼 (측정 용매: 중벤젠 (C6D6), 도 2)에는, 얻어진 반응 생성물이 트리에틸아민-알란 착화합물임을 표시하는, 4.1 ppm에서 AlH3의 양성자의 흡수, 및 1.5 및 3.8 ppm에서 C2H5N 기의 메틸및 메틸렌의 양성자의 흡수가 도시되어 있다.
<실시예 1>
유리 기판을 티타늄 비스(에틸아세토아세테이트)디이소프로폭시드의 1 ％ 톨루엔 용액에 1 시간 동안 침지한 후, 100 ℃에서 30 분 동안에 이어 300 ℃에서 30 분 동안 건조시켜 친수성 기판을 제조하였다. 상기 유리 기판상에 질소 분위기 중에서 10 g의 트리에틸아민-알란 착화합물을 45 g의 톨루엔 및 45 g의 테트라히드로푸란을 포함하는 혼합 용매에 용해시킴으로써 제조된 용액으로 1,000 rpm에서 스핀-코팅하고, 코팅된 기판을 110 ℃에서 즉시 예비소성하여 용매를 제거함으로써 트리에틸아민-알란 착화합물을 주성분으로 하는 막을 형성하였다. 코팅 막을 250 ℃에서 30 분 동안에 이어 350 ℃에서 30 분 동안 질소 분위기하에서 더 가열하여 막을 열분해하여, 유리 기판상에 금속 광택을 갖는 막이 형성되었다. 기판상의 막 두께를 α-스텝 (텐코르 캄파니, 리미티드 (Tenchor Co., Ltd.) 제품)을 사용하여 측정하였을 때 100 ㎚이었다. 막의 ESCA를 측정하였을 때 Al2p의 알루미늄에 기여하는 피크가 73.5 eV에서 관찰되었다. 또한, 막의 전도성을 시험하였을 때 막은 100 μΩ?의 시트 저항값 및 30 μΩㆍcm의 저항값을 나타내는 전도성 막인 것으로 밝혀졌다.
<실시예 2>
실시예 1에 사용한 것과 동일한 친수성 유리 기판을 사용하여, 10 g의 트리에틸아민-알란 착화합물 대신 10 g의 암모니아-알란 착화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 소성막을 제조하였다. 기판상의 막 두께를 α-스텝 (텐코르 캄파니, 리미티드 제품)을 사용하여 측정하였을 때 90 ㎚이었다.또한, 막의 전도성을 시험하였을 때 막은 120 μΩ?의 시트 저항값을 나타내는 전도성 막인 것으로 밝혀졌다.
<실시예 3>
실시예 1에 사용한 것과 동일한 친수성 유리 기판을 사용하여, 10 g의 트리에틸아민-알란 착화합물 대신 10 g의 페닐디메틸아민-알란 착화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 소성막을 제조하였다. 기판상의 막 두께를 α-스텝 (텐코르 캄파니, 리미티드 제품)을 사용하여 측정하였을 때 85 ㎚이었다. 또한, 막의 전도성을 시험하였을 때 막은 95 μΩ?의 시트 저항값을 나타내는 전도성 막인 것으로 밝혀졌다.
<실시예 4>
실시예 1에 사용한 것과 동일한 친수성 유리 기판을 사용하여, 10 g의 트리에틸아민-알란 착화합물 대신 10 g의 트리이소부틸아민-알란 착화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 소성막을 제조하였다. 기판상의 막 두께를 α-스텝 (텐코르 캄파니, 리미티드 제품)을 사용하여 측정하였을 때 75 ㎚이었다. 또한, 막의 전도성을 시험하였을 때 막은 125 μΩ?의 시트 저항값을 나타내는 전도성 막인 것으로 밝혀졌다.
<실시예 5>
실시예 1에 사용한 것과 동일한 친수성 유리 기판을 사용하여, 10 g의 트리에틸아민-알란 착화합물 대신 10 g의 디이소프로필아민-알란 착화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 소성막을 제조하였다. 기판상의 막 두께를 α-스텝 (텐코르 캄파니, 리미티드 제품)을 사용하여 측정하였을 때 95 ㎚이었다. 또한, 막의 전도성을 시험하였을 때 막은 130 μΩ?의 시트 저항값을 나타내는 전도성 막인 것으로 밝혀졌다.
<실시예 6>
실시예 1에 사용한 것과 동일한 친수성 유리 기판을 사용하여, 10 g의 트리에틸아민-알란 착화합물 대신 10 g의 트리이소프로필아민-알란 착화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 소성막을 제조하였다. 기판상의 막 두께를 α-스텝 (텐코르 캄파니, 리미티드 제품)을 사용하여 측정하였을 때 85 ㎚이었다. 또한, 막의 전도성을 시험하였을 때 막은 95 μΩ?의 시트 저항값을 나타내는 전도성 막인 것으로 밝혀졌다.
<실시예 7>
실시예 1에 사용한 것과 동일한 친수성 유리 기판을 사용하여, 10 g의 트리에틸아민-알란 착화합물 대신 10 g의 트리페닐아민-알란 착화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 소성막을 제조하였다. 기판상의 막 두께를 α-스텝 (텐코르 캄파니, 리미티드 제품)을 사용하여 측정하였을 때 85 ㎚이었다. 또한, 막의 전도성을 시험하였을 때 막은 110 μΩ?의 시트 저항값을 나타내는 전도성 막인 것으로 밝혀졌다.
<실시예 8>
유리 기판을 티타늄 비스(에틸아세토아세테이트)디이소프로폭시드의 1 ％ 톨루엔 용액에 1 시간 동안 침지한 후 100 ℃에서 30 분 동안에 이어 300 ℃에서 30 분 동안 건조시켜 친수성 티타늄-함유 기초층을 형성하였다. 상기 기판상에 질소 분위기 중에서 90 g의 톨루엔 중 10 g의 트리에틸아민-알란 착화합물을 용해시킴으로써 제조된 용액을 1,000 rpm에서 스핀-코팅하고, 코팅된 기판을 110 ℃에서 15 분 동안 즉시 예비소성하여 용매를 제거함으로써 트리에틸아민-알란 착화합물을 주성분으로 하는 막을 형성하였다. 코팅 막을 250 ℃에서 30 분 동안에 이어 350 ℃에서 30 분 동안 질소 분위기하에서 더 가열하여 막을 열분해하여, 유리 기판상에 금속 광택을 갖는 막이 형성되었다. 기판상의 막 두께를 α-스텝 (텐코르 캄파니, 리미티드 제품)을 사용하여 측정하였을 때 300 ㎚이었다. 막의 ESCA를 측정하였을 때 Al2p의 알루미늄에 기여하는 피크가 73.5 eV에서 관찰되었다. 또한, 막의 전도성을 시험하였을때 막은 100 μΩ?의 시트 저항값 및 30 μΩㆍcm의 저항값을 나타내는 전도성 막인 것으로 밝혀졌다. 이어서, 알루미늄막 상에, 티타늄 비스(에틸아세토아세테이트)디이소프로폭시드의 5 ％ 톨루엔 용액을 스핀-코팅하고, 얻어진 기판을 350 ℃에서 1 시간 동안 소성시켜, 막 두께 50 ㎚를 갖는 보호층을 형성하였다. 이로 인해, 기초층, 알루미늄층 및 최상층 (보호층)을 포함하는 3층 구조를 갖는 전도성 막이 얻어졌다. 3층 구조를 갖는 전도성 막의 전도성을 시험하였을때 막은 45 μΩㆍcm의 저항값을 나타내는 3층 구조의 전도성 막인 것으로 밝혀졌다.
<실시예 9>
티타늄-함유 기초층 및 전도성 알루미늄층을 실시예 8과 동일한 방법으로 유리 기판상에 형성하였다. 그 후, 알루미늄막 상에 팔라듐 헥사플루오로펜탄 디오네이트의 3 ％ THF 용액을 스핀-코팅하고, 얻어진 기판을 350 ℃에서 1 시간 동안 소성시켜 두께 30 ㎚의 보호층을 형성하였다. 이로 인해, 기초층, 알루미늄층 및 최상층 (보호층)을 포함하는 3층 구조의 전도성 막이 형성되었다. 3층 구조의 전도성 막의 전도성을 시험하였을 때, 막은 50 μΩㆍcm의 저항값을 나타내는 3층 구조의 전도성 막인 것으로 밝혀졌다.
<실시예 10>
티타늄-함유 기초층 및 전도성 알루미늄층을 실시예 8과 동일한 방법으로 유리 기판상에 형성하였다. 그 후, 알루미늄막 상에 알루미늄-n-부톡시드의 3 ％ THF 용액을 스핀-코팅하고, 얻어진 기판을 350 ℃에서 1 시간 동안 소성시켜 두께 35 ㎚의 보호층을 형성하였다. 이로 인해, 기초층, 알루미늄층 및 최상층 (보호층)을 포함하는 3층 구조의 전도성 막이 형성되었다. 3층 구조의 전도성 막의 전도성을 시험하였을 때, 막은 45 μΩㆍcm의 저항값을 나타내는 3층 구조의 전도성 막인 것으로 밝혀졌다.
<비교예 1>
실시예 1에 사용된 것과 동일한 기판을 실시예 1에서 사용한 트리에틸아민-알란 착화합물 대신, 10 ％의 알루미늄 이소프로폭시드가 용해된 이소프로필 알코올 용액을 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 처리하였다. 전도성 막은 형성되지 않았다.
이상 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 전도성 막을 용이하게 형성하는 공업적 방법이 제공된다. 상기 방법은, 특별한 처리를 수행한 기판상에 특정한 질소-함유 화합물인 아민과 알란과의 착화합물을 스핀 코팅 또는 잉크 젯 코팅과 같은 용액 코팅 방법에 의해 코팅하여 코팅 막을 형성한 후 코팅 막을 열 처리 및(또는) 광조사하여 전도성 막을 형성하는 단계를 포함한다는 점에서 스퍼터링법, 진공 증착법 또는 화학 기상 증착법과 같은 진공 공정에 의한 전도성 알루미늄 막을 형성하는 통상적인 방법과 상이하다. 또한, 기상으로부터의 침착을 포함하는 통상적인 CVD 공정과는 다른 코팅 방법에 의해 형성된 전구체 막을 열 처리 및(또는) 광 조사함으로써 저 비용으로 균일하고 텍스쳐가 조밀한 전도성 막 및 상기 전도성 막을 사용한 배선 및(또는) 전극을 형성할 수 있다.

Claims (8)

  1. 아민 화합물과 수소화 알루미늄의 착화합물 및 유기 용매를 포함하는, 전도성 막 형성용 조성물.
  2. 제1항에 따른 전도성 막 형성용 조성물을 기판상에 도포한 후 도포된 조성물을 가열 및(또는) 광조사시켜 알루미늄막을 형성하는 단계를 포함하는, 전도성 막 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기판이 Ti, Pd 및 Al로 구성된 군으로부터 선택된 금속 원자를 함유하는 유기금속 화합물을 포함하는 코팅막을 갖고, 상기 전도성 막 형성용 조성물을 기판의 코팅막 상에 도포하는 것인 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 알루미늄 막 상에 Ti, Pd 및 Al로 구성된 군으로부터 선택된 금속 원자를 함유하는 유기금속 화합물을 포함하는 코팅막을 형성한 후 형성된 코팅막을 가열 및(또는) 광조사하여 코팅막을 상응하는 금속막으로 변환시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 얻어진 전도성 막.
  6. 표면에 패턴화된 친수성 부분 및 소수성 부분을 갖는 기판상에 제1항에 따른 전도성 막 형성용 조성물을 도포하여 패턴화된 코팅 막을 형성한 후 상기 코팅 막을 가열 및(또는) 광조사하여 패턴화된 알루미늄 막을 형성하는 단계를 포함하는, 패턴화된 전도성 막의 형성 방법.
  7. 제6항에 있어서, 패턴화된 알루미늄 막 상에 Ti, Pd 및 Al로 구성된 군으로부터 선택된 금속 원자를 함유하는 유기금속 화합물을 포함하는 코팅막을 형성한 후 형성된 코팅막을 가열 및(또는) 광조사하여 코팅막을 상응하는 금속막으로 변환시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 따른 방법에 의해 얻어진 패턴화된 전도성 막인 배선 또는 전극.
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