JP4386177B2 - 導電性積層膜およびその形成方法 - Google Patents
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ここで、R1はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t−ブチル基またはフェニル基であり、aは0〜6の整数であり、bは0〜6の整数であり、a+b=6である。
ここで、L1はシクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル基、トリメチルシリルシクロペンタジエニル基、1,5−シクロオクタジエン、1,3−シクロヘキサジエン、1,4−シクロヘキサジエンまたはノルボルナジエンであり、R2は水素原子、メチル基またはエチル基であり、cは3または4であり、d=4−cである。
ここで、L2はベンゼン、トルエンまたはシクロヘプタジエニル基である。
ここで、L3はベンゼン、トルエンまたはシクロペンタジエニル基であり、R3はエチレンまたはジフェニルアセチレンであり、eは0または1である。
その他のモリブデン錯体として、ビス(η5−シクロペンタジエニル)モリブデンジヒドリド、トリス(ブタジエン)モリブデン、ジ(ピペリジニル)テトラカルボニルモリブデン、(2−エチルヘキサン酸)モリブデン(III)を挙げることができる。
ここで、R2はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、t−ブチル基またはフェニル基であり、fは0〜6の整数であり、gは0〜6の整数であり、f+g=6である。
ここで、L4はアリル基、シクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル基、トリメチルシリルシクロペンタジエニル基、1,5−シクロオクタジエン、1,3−シクロヘキサジエン、1,4−シクロヘキサジエンまたはノルボルナジエンであり、R3は水素原子、メチル基またはエチル基であり、hは1または2であり、iは3または4であり、j=4−(i+h)である。
ここで、L5はベンゼン、トルエンまたはシクロヘプタジエニル基である。
ここで、L6はベンゼン、トルエン、アリル基またはシクロペンタジエニル基であり、R3はエチレンまたはジフェニルアセチレンまたはシクロペンタジエニル基であり、kは0または1である。
その他のタングステン錯体として、ビス(η5−シクロペンタジエニル)タングステンジヒドリド、トリス(ブタジエン)タングステン、ジ(ピペリジニル)テトラカルボニルタングステン、(2−エチルヘキサン酸)タングステン(III)をそれぞれ挙げることができる。
ここで、L7はシクロペンタジエニル基またはペンタメチルシクロペンタジエニル基であり、mは0,2または4の整数であり、nは0,2または4の整数であり、m+n=4である。
ここで、L8はシクロペンタジエニル基またはペンタメチルシクロペンタジエニル基であり、L9はブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチルブタジエンまたはエチレンである。
ここで、L10はシクロペンタジエニル基またはペンタメチルシクロペンタジエニル基であり、L11はブタジエン、イソプレンまたは2,3−ジメチルブタジエンである。
ここで、L12はシクロペンタジエニル基またはペンタメチルシクロペンタジエニル基であり、R4は水素原子またはメチル基である。
上記式(12)で表されるものとして、ビス(η5−シクロペンタジエニル)タンタルトリヒドリド、ビス(η5−シクロペンタジエニル)トリメチルタンタルを;
(ここで、R1、R2、R3は水素原子もしくは炭素数1〜12のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、またはフェニル基で同一もしくは異なる。)
トリ(アセトニトリル)トリカルボニルモリブデンの合成
D. P. Tateら、Inorg. Chem., Vol., 1, p433, 1962年に記載された方法に準じてトリ(アセトニトリル)トリカルボニルモリブデンを合成した。合成および生成物の単離は全て乾燥窒素下で行った。
トリ(トリメチルアセトニトリル)トリカルボニルタングステンの合成
D. P. Tateら、Inorg. Chem., Vol., 1, p433, 1962年に記載された方法に準じてトリ(トリメチルアセトニトリル)トリカルボニルタングステンを合成した。合成および生成物の単離は全て乾燥窒素下で行った。
トリエチルアミン−アラン錯体の4−メチルアニソール溶液の調製
合成工程および精製工程は全て窒素気流下にて行った。トリエチルアミンの塩化水素塩17.9gを、3.8gのリチウムアルミニウムハイドライドの100mlジエチルエーテル懸濁液中へ0℃で15分かけ滴下し、滴下終了後さらに0℃で1時間反応させた。反応溶液を0.45μmのメンブレンフイルターで濾過した。そこへ20mlの4−メチルアニソールを添加後、濾液を窒素下で濃縮し、濃縮中に析出した塩を0.1μmのメンブレンフイルターで濾別し、反応生成物の4−メチルアニソール溶液を得た。得られた反応生成物のIRスペクトルおよびNMRスペクトルから、生成物が目的物のトリエチルアミン−アラン錯体であることが分かった(1H−NMRスペクトル同定[AlHa 3・N(CHb 2CHc 3)3]9Hc:0.9〜1.1 ppm(t), 6Hb:2.4〜3.6 ppm(dd), 3Ha:3.6〜6.0 ppm(b))。
合成例1で得られたトリ(アセトニトリル)トリカルボニルモリブデン0.5gを良く乾燥したアセトニトリル4.5gに溶解し、トリ(アセトニトリル)トリカルボニルモリブデンの10質量%アセトニトリル溶液を得た。
n型Si基板上へ、合成例3で得られたトリエチルアミン−アラン錯体のメチルアニソール溶液をスピンコート法により回転数500rpmで窒素気流下にて塗布した後、N2中150℃10分で加熱し、次いで250℃で30分間加熱処理することにより、銀白色金属光沢の膜を得た。この膜の膜厚は150nmであった。この膜のESCAを測定したところ、73.5eVにAl2pに帰属されるピークが観察され、金属アルミニウムであることが判った。このアルミニウム膜の導電性を調べた所、5μΩ・cmの抵抗値を示した。このアルミニウム膜に対し密着性の評価を行ったところ、アルミニウム膜と基板との剥離は全く見られなかった。
合成例2で得られたトリ(トリメチルアセトニトリル)トリカルボニルタングステン0.5gを良く乾燥したアセトニトリル4.5gに溶解し、トリ(トリメチルアセトニトリル)トリカルボニルタングステンの10質量%アセトニトリル溶液を得た。
参考例1と同様の手法にて、n型Si基板上にモリブデン膜とアルミニウム膜の積層膜を形成した。この積層膜上へ合成例1で合成したトリ(アセトニトリル)トリカルボニルモリブデンをアセトニトリルに溶解した溶液(濃度10質量%)を、窒素気流下にて回転数1,000rpmでスピンコートし、窒素中300℃で30分間加熱処理し、黒色金属光沢を有する膜を形成した。この膜の膜厚は60nmであった。この膜のESCAスペクトルを測定したところ、Mo3d2/5に帰属されるピークが228eVに観察され金属モリブデンであることが判った。
参考例2と同様の手法にて、n型Si基板上にタングステン膜とアルミニウム膜の積層膜を形成した。この積層膜上へ合成例2で合成したトリ(トリメチルアセトニトリル)トリカルボニルタングステンをアセトニトリルに溶解した溶液(濃度10質量%)を、窒素気流下にて回転数1,000rpmでスピンコートし、窒素中450℃で30分間加熱処理し、黒色金属光沢を有する膜を形成した。この膜の膜厚は70nmであった。この膜のESCAスペクトルを測定したところ、W4f7/2軌道に帰属されるピークが31.7eVに観察され、金属タングステン膜であることが判った。
Claims (3)
- モリブデン、タングステンおよびタンタルよりなる群から選ばれる金属の有機金属錯体を基体上に塗布し次いで水素が存在する雰囲気中熱処理することにより導電性膜を形成し、そして該導電性膜上にアミン化合物とアランとの錯体を塗布し次いで熱および/または光処理して金属アルミニウム膜を形成し、さらに該金属アルミニウム膜上にモリブデン、タングステンおよびタンタルよりなる群から選ばれる金属の有機金属錯体を塗布し次いで水素が存在する雰囲気中熱処理して導電性膜を形成する、ことを特徴とする、導電性積層膜の形成法。
- 導電性膜が炭素をさらに含有する請求項1の形成法。
- 基体がシリコンからなる請求項1に記載の形成法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004017238A JP4386177B2 (ja) | 2004-01-26 | 2004-01-26 | 導電性積層膜およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004017238A JP4386177B2 (ja) | 2004-01-26 | 2004-01-26 | 導電性積層膜およびその形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005206925A JP2005206925A (ja) | 2005-08-04 |
JP4386177B2 true JP4386177B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=34902142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004017238A Expired - Fee Related JP4386177B2 (ja) | 2004-01-26 | 2004-01-26 | 導電性積層膜およびその形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4386177B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4783178B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2011-09-28 | Jsr株式会社 | アルミニウム微粒子分散フィルムおよびその形成用組成物並びに形成方法 |
US7482289B2 (en) * | 2006-08-25 | 2009-01-27 | Battelle Memorial Institute | Methods and apparatus for depositing tantalum metal films to surfaces and substrates |
US8153831B2 (en) * | 2006-09-28 | 2012-04-10 | Praxair Technology, Inc. | Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof |
EP1916253A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-04-30 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | New group V metal containing precursors and their use for metal containing film deposition |
TWI425110B (zh) * | 2007-07-24 | 2014-02-01 | Sigma Aldrich Co | 以化學相沉積法製造含金屬薄膜之方法 |
TWI382987B (zh) | 2007-07-24 | 2013-01-21 | Sigma Aldrich Co | 應用於化學相沉積製程的有機金屬前驅物 |
KR101569224B1 (ko) | 2007-12-26 | 2015-11-13 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 알루미늄막 형성용 조성물 및 알루미늄막의 형성 방법 |
JP5326780B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2013-10-30 | 大日本印刷株式会社 | 正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法、並びに正孔注入輸送層形成用インク |
US20220372053A1 (en) * | 2021-05-21 | 2022-11-24 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Stable bis(alkyl-arene) transition metal complexes and methods of film deposition using the same |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4136321A1 (de) * | 1991-11-05 | 1993-05-06 | Solvay Deutschland Gmbh, 3000 Hannover, De | Verfahren zur abscheidung von molybdaen oder wolfram enthaltenden schichten |
JP3227090B2 (ja) * | 1996-04-03 | 2001-11-12 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子形成用の金属含有水溶液、並びに該水溶液を用いた電子放出素子、電子源、表示パネルおよび画像形成装置の製造方法 |
JP2818557B2 (ja) * | 1995-07-28 | 1998-10-30 | 日本電気株式会社 | 金属薄膜の形成方法および形成装置 |
JPH11269656A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-05 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 薄膜形成用組成物の製造法とそれを用いた薄膜 |
JP2000021292A (ja) * | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Canon Inc | 電子放出素子、電子源、画像形成装置及びそれらの製造方法 |
JP2000243262A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Canon Inc | 電子放出素子製造用金属含有組成物、該組成物を用いた電子放出素子、電子源、画像形成装置、及びこれらの製造方法 |
JP3817201B2 (ja) * | 2002-04-19 | 2006-09-06 | Jsr株式会社 | 導電性膜形成用組成物、導電性膜およびその形成法 |
-
2004
- 2004-01-26 JP JP2004017238A patent/JP4386177B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005206925A (ja) | 2005-08-04 |
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