KR20030027757A - 필름 기판, 반도체 장치, 필름 기판의 제조 방법, 및반도체 장치를 갖는 회로 기판의 제조 방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/4985—Flexible insulating substrates
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
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- H01L2924/01006—Carbon [C]
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- H01L2924/01029—Copper [Cu]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
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- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10681—Tape Carrier Package [TCP]; Flexible sheet connector
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Abstract
장래 분리될 영역의 외주선 상에 절결부를 갖고, 반도체 디바이스 칩이 탑재되는 절연성 시트와, 상기 절연성 시트 상에 형성되며, 상기 절결부를 횡단하여, 상기 반도체 디바이스 칩의 외부 단자에 접속되는 도전성 패턴을 포함한 필름형 기판이다.
Description
본 발명은, 반도체 디바이스 칩이 탑재되는 예정된 필름 기판, 반도체 장치, 필름 기판의 제조 방법, 및 반도체 장치를 갖는 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 칩을 도전성 패턴이 형성된 절연성 필름 상에 탑재하는 종래 방법의 일례에 대하여, 도 18a 및 도 18b ∼ 도 22a 및 도 22b를 참조하여 설명한다.
도 18a는 반도체 디바이스 칩(1)(반도체 집적 회로 디바이스 칩 등)의 외관을 도시한 사시도이며, 도 18b는 도 18a의 B-B에 따라 자른 단면도이다. 반도체 디바이스 칩(1)의 표면에는, 외부 단자로서 복수의 스터드 범프(2)가 형성되어 있다.
도 19a는 도전성 패턴(배선 패턴 : 4)이 형성된 테이프형 절연성 필름(3)을 도시한 평면도이며, 도 19b는 도 19a의 B-B에 따라 자른 단면도이다. 도 19a 및 도 19b에 도시한 구조는, 절연성 필름(3)(두께 25∼75㎛ 정도) 상에 접착제(5)에 의해 접착된 도전성 금속박(예를 들면, 두께 35㎛ 정도의 동박이나 알루미늄 박)을, 리소그래피 및 에칭에 의해 패터닝함으로써 얻을 수 있다.
이어서, 도 20a 및 도 20b에 도시한 바와 같이, 상기한 바와 같이 함으로써 얻어진 도전성 패턴(4)이 부착된 절연성 필름(3) 표면의 칩 탑재 영역에, 이방성 도전 수지(anisotropic conductive resin)(6)를 접착한다. 또한, 도 21a 및 도 21b에 도시한 바와 같이, 플립 칩 방식에 의해 이방성 도전 수지(6) 상에 반도체 디바이스 칩(1)을 탑재한다. 이와 같이 하여, 테이프형 필름 기판이 얻어진다.
그 후, 도 22a에 도시한 바와 같이, 프레스 장치 등에 의해 테이프형 필름 기판으로부터 소정의 형상을 분리한다. 이에 따라, 도 22b에 도시한 바와 같이 필름 기판편(片)을 얻을 수 있다.
이와 같이 하여 얻어진 필름 기판편은, 이하와 같이 하여 PCB(Printed Circuit Board)나 FPC(Flexible Printed Circuit board) 등의 회로 기판에 실장된다.
우선, 도 23a 및 도 23b에 도시한 바와 같이, 수동 부품(7) 및 접속 단자(9) 등이 형성된 회로 기판(8) 상에 도전성 접착제(10)를 접착한다. 도전성 접착제(10)로서는 이방성 도전 수지를 이용할 수 있다.
이어서, 도 24에 도시한 바와 같이, 도 22a 및 도 22b의 공정에서 얻어진 필름 기판편을 흡착 지그(11)를 이용하여 회로 기판(8) 상에 배치하고, 필름 기판편에 형성되어 있는 도전성 패턴(4)과 회로 기판(8)에 형성되어 있는 접속 단자(9)를 도전성 접착제에 의해 접속한다. 접속시에는, 가열 압착(thermocompression bonding) 지그(12)에 의해 가열 압착(200℃, 20초 정도)을 행한다.
그러나, 상술한 종래의 방법에서는 테이프형 필름 기판으로부터 필름 기판편을 분리하고, 분리된 필름 기판편을 회로 기판에 탑재하기 때문에, 이하와 같은 문제가 있었다.
즉, 필름 기판편을 개개로 취급해야 하므로, 필름 기판편의 취급이 어렵다. 그 때문에, 자동화에 의한 생산성의 향상이 곤란하다. 또한, 필름 기판편의 사이즈를 작게 하면, 흡착 지그(11)와 가열 압착 지그(12)를 나란히 배치할 수 없게 된다. 그 때문에, 도 25a 및 도 25b에 도시한 바와 같이, 2 단계의 공정을 행할 필요가 있어, 공정이 증가된다. 또한, 도 26에 도시한 바와 같이, 도전성 접착제(10)가 필름 기판편의 주연부로부터 올라와, 예를 들면 가열 압착 지그(12)에 부착될 우려가 있다. 이것을 방지하기 위해서는 필름 기판편을 크게 해야 함으로써, 소형화의 요구에 반하게 된다.
이와 같이, 종래 기술에서는 테이프형 필름 기판으로부터 필름 기판편을 분리한 후에 필름 기판편을 회로 기판 상에 탑재할 필요가 있기 때문에, 취급이 어렵고, 소형화가 어려우며, 생산성이 좋지 않은 문제가 있었다.
한편, 특개평3-84955호 공보 및 특개평6-53288호 공보에는, 반도체 디바이스 칩이 탑재된 테이프형 필름 기판에 사전에 절결부(slit)를 형성해 두는 기술이 개시되어 있다. 절결부 내측의 영역에는, 반도체 디바이스 칩 및 반도체 디바이스 칩에 접속된 도전성 패턴이 형성되어 있다. 사전에 절결부를 형성해 둠으로써, 테이프형 필름 기판으로부터 필름 기판편이 분리되기 쉬워진다.
그러나, 이들 종래 기술에 개시된 방법에서는, 절결부 내측의 영역과 절결부 외측의 영역은, 인접하는 절결부 사이의 부분에 의해 연결되어 있을 뿐이다. 즉, 분리 전에는, 절결부 내측의 영역은, 절결부 사이의 부분에 의해 유지되어 있을 뿐이다. 따라서, 절결부 내측의 영역의 유지 강도가 약하고, 테이프형 필름 기판의 취급이 어렵다는 문제가 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 14a 및 도 14d는 본 발명의 실시예의 변경예를 설명하기 위한 도면.
도 15a 및 도 15b는 본 발명의 실시예의 다른 변경예를 설명하기 위한 도면.
도 16a 및 도 16b는 본 발명의 실시예의 다른 변경예를 설명하기 위한 도면.
도 17a 및 도 17b는 본 발명의 실시예의 다른 변경예를 설명하기 위한 도면.
도 18a 및 도 18b는 종래 기술에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 19a 및 도 19b는 종래 기술에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 20a 및 도 20b는 종래 기술에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 21a 및 도 21b는 종래 기술에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 22a 및 도 22b는 종래 기술에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 23a 및 도 23b는 종래 기술에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 24는 종래 기술에 따른 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
도 25a 및 도 25b는 종래 기술의 문제점을 설명하기 위한 도면.
도 26은 종래 기술의 문제점을 설명하기 위한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 반도체 디바이스 칩
2 : 스터드 범프
3 : 테이프형 절연성 필름
4 : 배선 패턴
5 : 접착제
6 : 이방성 도전 수지
본 발명의 제1 시점은, 장래 분리될 영역의 외주선 상에 절결부를 갖고, 반도체 디바이스 칩이 탑재되는 절연성 시트와, 상기 절연성 시트 상에 형성되며, 상기 절결부를 횡단하여, 상기 반도체 디바이스 칩의 외부 단자에 접속되는 도전성 패턴을 포함하는 필름 기판이다.
본 발명의 제2 시점은, 장래 분리될 영역의 외주 상에 절결부를 갖는 절연성 시트와, 상기 절연성 시트 상에 형성되며, 상기 절결부를 횡단하는 도전성 패턴과, 상기 절연성 시트 상에 탑재되며, 상기 도전성 패턴에 전기적으로 접속된 외부 단자를 갖는 반도체 디바이스 칩을 포함하는 반도체 장치이다.
본 발명의 제3 시점은, 반도체 디바이스 칩이 탑재되는 절연성 시트를 준비하는 공정과, 상기 절연성 시트의 장래 분리될 영역의 외주선 상에 절결부를 형성하는 공정과, 상기 절연성 시트 상에, 상기 절결부를 횡단하여 상기 반도체 디바이스 칩의 외부 단자에 접속되는 도전성 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 필름 기판의 제조 방법이다.
본 발명의 제4 시점은, 반도체 디바이스 칩이 탑재되는 절연성 시트를 준비하는 공정과, 상기 절연성 시트의 장래 분리될 영역의 외주선 상에 절결부를 형성하는 공정과, 상기 절연성 시트 상에 상기 절결부를 횡단하는 도전성 패턴을 형성하는 공정과, 상기 절연성 시트 상에 반도체 디바이스 칩을 탑재하고, 상기 반도체 디바이스 칩의 외부 단자를 상기 도전성 패턴에 전기적으로 접속하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이다.
본 발명의 제5 시점은, 반도체 디바이스 칩이 탑재되는 절연성 시트를 준비하는 공정과, 상기 절연성 시트의 장래 분리될 제1 영역의 외주선 상에 절결부를 형성하는 공정과, 상기 절연성 시트 상에 상기 절결부를 횡단하는 도전성 패턴을 형성하는 공정과, 상기 절연성 시트 상에 반도체 디바이스 칩을 탑재하고, 상기 반도체 디바이스 칩의 외부 단자를 상기 도전성 패턴에 접속하는 공정과, 상기 반도체 디바이스 칩이 탑재된 절연성 시트의 상기 제1 영역 중 적어도 일부를 회로 기판에 접착하는 공정과, 상기 제1 영역의 외측의 제2 영역을 상기 제1 영역으로부터 분리하고, 상기 제1 영역을 상기 회로 기판 상에 남겨두는 공정을 포함하는 반도체 장치를 갖는 회로 기판의 제조 방법이다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
우선, 도 1a 및 도 1b ∼ 도 13a 및 도 13b를 참조하여, 본 실시예에 따른 제조 방법의 일례에 대하여 설명한다.
우선, 도 1a 및 도 1b에 도시한 바와 같이, 폴리이미드나 PET(폴리에스테르테레프탈레이트) 등의 테이프형 절연성 필름(절연성 시트에 상당함, 이하 동일 : 3)에, 금속 칼(가령 톰슨 칼 : 13)을 이용하여, 절연성 필름(3)을 관통하는 절결부를 형성한다.
도 2a는 이와 같이 하여 절결부(15)가 형성된 절연성 필름(3)의 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 B-B에 따라 자른 단면도이며, 도 2c는 도 2a의 파선으로 나타낸 부분을 확대한 도면이다. 절결부(15)는, 도 2a에 도시한 바와 같이 장래 분리될 분리 예정 영역(최종적으로 필요한 목적으로 하는 영역)의 외주선을 따라 (외주선에 대응하여) 부분적으로 형성된다. 즉, 절결부(15)는 분리 예정 영역의 외주선 상 전체에 형성되어 있는 것이 아니며, 외주선에 대응하는 부분 중 절결부(15)가 형성되어 있지 않은 부분도 존재하고 있다. 이 절결부(15)는, 후공정에서 절결부(15) 내측의 부분을 분리하기 위한 것이다. 절결부(15) 내측의 부분을, 분리 공정에서 용이하게 분리할 수 있고, 또한 분리 공정 전에 떨어져 나가지 않도록 하기 위해, 절결부(15)의 길이는, 외주선 전체 길이의 70% 이상 또한 100% 미만(바람직하게는 99% 이하)인 것이 바람직하다. 또한, 도면에 도시한 예에서는, 절결부가 형성되어 있지 않은 곳이 4 개소 있지만, 해당 개소는 1개소 이상, 바람직하게는 2 개소 이상 형성되도록 한다.
한편, 도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 절연성 필름(3) 상에 도전성 패턴(배선 패턴)을 형성하기 위한 도전성 금속박(14)을 준비하고, 이 금속박(14) 위에 접착제(5)를 도포한다. 금속박(15)으로는, 예를 들면 동박이나 알루미늄 박을 이용할 수 있다. 또한, 접착제(5)로는 도레이(東レ) 제조의 #7100이나 도모에가와(巴川) 제지제의 X 등을 이용하는 것이 가능하다.
그 후, 도 4a 및 도 4b에 도시한 바와 같이, 절결부(15)를 갖는 절연성 필름(3)과 금속박(14)을 접착제(5)에 의해 접합한다.
이어서, 도 5a 및 도 5b에 도시한 바와 같이, 리소그래피 및 에칭에 의해 금속박(14)을 패터닝하고, 도전성 패턴(배선 패턴 : 4)을 형성한다. 금속박(14)으로서 동박이나 알루미늄박을 이용한 경우에는, 염화제2철 등의 약액에 의해 에칭을 행하는 것이 가능하다. 이 때, 도전성 패턴(4)은 절결부(15)를 횡단하도록 형성된다. 이와 같이 함으로써, 절결부(15)를 갖는 절연성 필름(3) 상에 도전성 패턴(4)이 형성된 테이프형의 필름 기판이 얻어진다.
이어서, 도 6a 및 도 6b에 도시한 바와 같이, 도전성 패턴(4)이 형성된 절연성 필름(3) 표면의 칩 탑재 영역에, 접착성을 갖는 이방성 도전 수지(6)를 접착한다. 또한, 플립 칩 방식에 의해, 이방성 도전 수지(0) 상에 반도체 디바이스 칩(1)을 탑재한다. 반도체 디바이스 칩(1)은 예를 들면 도 18a 및 도 18b의 종래 기술로 나타낸 것과 마찬가지로, 외부 단자로서 복수의 스터드 범프가 이면측에 형성되어 있다. 각 스터드 범프는 대응하는 도전성 패턴(4)에 이방성 도전 수지(6)를 개재하여 전기적으로 접속된다.
이상과 같이 함으로써, 반도체 디바이스 칩(1)이 탑재된 테이프형 필름 기판이 얻어진다. 이러한 테이프형 필름 기판은, 릴 상태 혹은 롤 상태에서 연속적으로 제조 가능하고, 도 6a에 도시한 단위 구조(파선으로 나타낸 부분)가 연속적으로 형성된다.
이어서, 이와 같이 함으로써 얻어진 테이프형 필름 기판을 이용하여, 이하와 같이 하여 PCB나 FPC 등의 회로 기판 상에 필름 기판을 실장한다.
우선, 도 7a 및 도 7b에 도시한 바와 같이, 수동 부품(7) 및 접속 단자(9) 등이 형성된 회로 기판(8)을 준비하고, 접속 단자(9)가 형성된 영역 상에 도전성 접착제(10)를 접착한다. 도전성 접착제(10)로서는, 이방성 도전 수지(예를 들면, 히타치 화성 제조의 FC-262b) 등을 이용할 수 있다.
이어서, 도 8에 도시한 바와 같이 도 6a 및 도 6b에 도시한 반도체 디바이스 칩(1)이 탑재된 테이프형 필름 기판을, 도 7a 및 도 7b에 도시한 회로 기판(8) 상에 배치한다. 그리고, 도전성 접착제(10)에 의해, 테이프형 필름 기판에 형성된 도전성 패턴(4)과, 회로 기판(8)에 형성된 접속 단자(9)를 접속한다.
구체적으로는, 도 9에 도시한 바와 같이, 롤러(16 및 17)에 의해 유지된 반도체 디바이스(1)가 탑재된 테이프형 필름 기판과 회로 기판(8)과의 위치 결정(alignment)을 행한 후, 테이프형 필름 기판을 회로 기판(8)에 접속한다. 접속시에는, 가열 압착 지그(12)에 의해 가열 압착(200℃, 20초 정도)을 행한다. 이에 따라, 반도체 디바이스 칩(1)에 형성된 각 스터드 범프(2)(외부 단자)가 대응하는 도전성 패턴(4)을 통해, 회로 기판(8)에 형성된 대응하는 접속 단자(9)와 전기적으로 접속된다. 또, 도 9에서는 지면의 형편 상, 접착제(5) 및 도전성접착제(10)는 생략되어 도시되어 있지만, 도 5a 및 도 5b ∼ 도 7a 및 도 7b 등으로부터 알 수 있듯이, 실제로는 이들도 형성되어 있다(이후의 도면도 마찬가지). 도 10은, 이와 같이 하여 반도체 디바이스 칩(1)이 탑재된 테이프형 필름 기판과 회로 기판(8)을 접착한 상태를 도시하고 있다.
계속해서, 도 11에 도시한 바와 같이, 롤러(16 및 17)를 상방으로 이동시켜, 테이프형 필름 기판을 끌어올린다. 이 때, 테이프형 필름 기판에는 절결부(15)가 형성되어 있기 때문에, 절결부 내측의 부분만이 필름 기판편으로서 분리되어 회로 기판(8) 위에 남겨진다. 그 외의 부분은, 도 12에 도시한 바와 같은 형상이 되어 분리된다.
이와 같이 하여 도 13a 및 도 13b에 도시한 바와 같이 반도체 디바이스 칩(1)이 탑재된 필름 기판편이 실장된 회로 기판이 얻어진다.
그 후, 한쪽의 롤러(예를 들면 롤러(17))에 의해, 테이프형 필름 기판을 도 6a에 도시한 1 단위 구조만큼 권취하는, 즉 도 11의 공정 후, 테이프형 필름 기판을 1 단위 구조만큼 이동시킨다. 그 후, 상술한 공정과 마찬가지의 공정을 행함으로써, 다른 회로 기판 상에 필름 기판편을 탑재한다. 이후, 마찬가지의 공정을 반복함으로써, 순차적으로 각 필름 기판편을 각 회로 기판 상에 실장할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 절연 필름(3)에 사전에 절결부(15)를 형성해 두므로, 테이프형 필름 기판을 회로 기판(8)에 접속한 상태에서 용이하게 필름 기판편을 분리할 수 있다. 따라서, 개개의 필름 기판편으로 분리하지 않고 테이프형 필름 기판을 취급할 수 있어, 자동화에 의한 생산성 향상을꾀할 수 있다. 또한, 종래 기술에서 설명한 바와 같은 문제, 즉 흡착 지그와 가열 압착 지그를 나란히 배치할 수 없는 문제(도 25 참조), 도전성 접착제가 필름 기판편의 주연부로부터 올라오는 문제(도 26 참조) 등을 방지할 수 있기 때문에, 필름 기판편을 작게 할 수 있다. 또한, 도전성 패턴(4)이 절결부(15)를 횡단하도록 형성되어 있으므로(도 5a 및 도 5b, 도 6a 및 도 6b 참조), 필름 기판편을 최종적으로 분리할 때까지, 필름 기판편을 확실하게 유지할 수 있다. 따라서, 테이프형 필름 기판의 취급이 용이해진다.
또, 본 실시예는 이하에 나타내는 바와 같이 여러가지 변형하여 실시하는 것이 가능하다.
도 14a ∼ 도 14d는 절결부(15)의 형상에 대하여 여러가지의 변형예를 도시한 것이다. 이들 절결부 형상을 채용한 경우에도, 상술한 효과와 마찬가지의 효과를 발휘하는 것이 가능하다.
도 15a 및 도 15b는, 도전성 패턴(4)의 형상의 변형예를 도시한 것이다. 본 예에서는, 도 15b(도 15a의 파선 내의 확대도)에 도시한 바와 같이, 도전성 패턴(4)의 선 폭이 절결부(15)를 횡단하는 부분에서 좁게 되어 있다. 이와 같은 구성을 채용함으로써, 필름 기판편을 확실하고 용이하게 분리하는 것이 가능해진다.
도 16a 및 도 16b는, 도전성 패턴(4)과는 별도의 부가적인 도전성 패턴(18)을, 절연 필름 상에 형성한 것이다. 도전성 패턴(18)도, 절결부(15)를 횡단하도록 형성되어 있다. 이 도전성 패턴(18)은, 도전성 패턴(4)의 패터닝 공정에서 동시에패터닝된다. 단, 도전성 패턴(18)은 반도체 디바이스 칩의 외부 단자(스터드 범프)와는 전기적으로 분리되어 있다. 이와 같이, 부가적인 도전성 패턴(18)을 형성함으로써, 필름 기판편을 최종적으로 분리할 때까지, 필름 기판편을 확실하게 유지할 수 있다.
도 17a 및 도 17b는, 도전성 패턴(4) 및 그것에 대응하는 절결부(15) 패턴의 예를 도시한 것이다. 도 17a는 도전성 패턴(4)이 3 방향으로 배치되어 있는 예이다. 도 17b는, 하측의 도전성 패턴(4)이 상측의 도전성 패턴(4)보다도 개수가 많아 밀도도 높은 경우의 예이다. 어떤 예든, 상술한 실시예의 경우(도 5a 및 도 5b 등 참조)와 비교하여, 도전성 패턴(4)의 배치 형상으로 기인하여 절결부(15)의 패턴이 복잡하게 되어 있지만, 이러한 경우에도 상술한 실시예의 효과와 마찬가지의 효과를 발휘하는 것이 가능하다.
상술한 실시예는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야한다. 본 발명의 범위는 상기한 실시예의 설명이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정의되며, 또한 특허 청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것으로 의도되어야한다.
본 발명에 따르면, 테이프형 필름 기판의 취급이 용이하여 자동화에 의한 생산성 향상을 도모할 수 있다.
Claims (13)
- 장래 분리될 영역의 외주선 상에 절결부(slit portion)를 갖고, 반도체 디바이스 칩이 탑재되는 절연성 시트와,상기 절연성 시트 상에 형성되고, 상기 절결부를 횡단하여, 상기 반도체 디바이스 칩의 외부 단자에 접속되는 도전성 패턴을 포함하는 필름 기판.
- 제1항에 있어서,상기 도전성 패턴의 폭은 상기 절결부를 횡단하는 부분에서 좁게 되어 있는 필름 기판.
- 제1항에 있어서,상기 절연성 시트 상에 형성되고, 상기 외주선 상의 절결부를 횡단하여, 상기 반도체 디바이스 칩의 외부 단자에 접속되지 않는 도전성 패턴을 더 포함하는 필름 기판.
- 장래 분리될 영역의 외주 상에 절결부를 갖는 절연성 시트와,상기 절연성 시트 상에 형성되고, 상기 절결부를 횡단하는 도전성 패턴과,상기 절연성 시트 상에 탑재되고, 상기 도전성 패턴에 전기적으로 접속된 외부 단자를 갖는 반도체 디바이스 칩.을 포함하는 반도체 장치.
- 제4항에 있어서,상기 도전성 패턴의 폭은 상기 절결부를 횡단하는 부분에서 좁게 되어 있는 반도체 장치.
- 제4항에 있어서,상기 절연성 시트 상에 형성되고, 상기 외주선 상의 절결부를 횡단하고, 상기 반도체 디바이스 칩의 외부 단자에 접속되지 않는 패턴을 더 포함하는 반도체 장치.
- 반도체 디바이스 칩이 탑재되는 절연성 시트를 준비하는 공정과,상기 절연성 시트의 장래 분리될 영역의 외주선 상에 절결부를 형성하는 공정과,상기 절연성 시트 상에, 상기 절결부를 횡단하여 상기 반도체 디바이스 칩의 외부 단자에 접속되는 도전성 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 필름 기판의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 도전성 패턴의 폭은 상기 절결부를 횡단하는 부분에서 좁게 되어 있는 필름 기판의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 도전성 패턴을 형성하는 공정은, 상기 절연성 시트 상에, 상기 외주선 상의 절결부를 횡단하여 상기 반도체 디바이스 칩의 외부 단자에 접속되지 않는 부가적인 도전성 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 필름 기판의 제조 방법.
- 반도체 디바이스 칩이 탑재되는 절연성 시트를 준비하는 공정과,상기 절연성 시트의 장래 분리될 영역의 외주선 상에 절결부를 형성하는 공정과,상기 절연성 시트 상에 상기 절결부를 횡단하는 도전성 패턴을 형성하는 공정과,상기 절연성 시트 상에 반도체 디바이스 칩을 탑재하고, 상기 반도체 디바이스 칩의 외부 단자를 상기 도전성 패턴에 전기적으로 접속하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 도전성 패턴의 폭은 상기 절결부를 횡단하는 부분에서 좁게 되어 있는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 도전성 패턴을 형성하는 공정은, 상기 절연성 시트 상에, 상기 외주선 상의 절결부를 횡단하여, 상기 반도체 디바이스 칩의 외부 단자에 접속되지 않는 부가적인 도전성 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 반도체 디바이스 칩이 탑재되는 절연성 시트를 준비하는 공정과,상기 절연성 시트의 장래 분리될 제1 영역의 외주선 상에 절결부를 형성하는 공정과,상기 절연성 시트 상에 상기 절결부를 횡단하는 도전성 패턴을 형성하는 공정과,상기 절연성 시트 상에 반도체 디바이스 칩을 탑재하고, 상기 반도체 디바이스 칩의 외부 단자를 상기 도전성 패턴에 전기적으로 접속하는 공정과,상기 반도체 디바이스 칩이 탑재된 절연성 시트의 상기 제1 영역 중 적어도 일부를 회로 기판에 접착하는 공정과,상기 제1 영역 외측의 제2 영역을 상기 제1 영역으로부터 분리하여, 상기 제1 영역을 상기 회로 기판 상에 남겨두는 공정을 포함하는 반도체 장치를 갖는 회로 기판의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2001-00297041 | 2001-09-27 | ||
JP2001297041A JP3825664B2 (ja) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | フィルム基板、フィルム基板の製造方法及びフィルム基板付回路基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030027757A true KR20030027757A (ko) | 2003-04-07 |
KR100550171B1 KR100550171B1 (ko) | 2006-02-10 |
Family
ID=19118184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020058485A KR100550171B1 (ko) | 2001-09-27 | 2002-09-26 | 필름 기판, 반도체 장치, 필름 기판의 제조 방법, 및반도체 장치를 갖는 회로 기판의 제조 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6911725B2 (ko) |
JP (1) | JP3825664B2 (ko) |
KR (1) | KR100550171B1 (ko) |
CN (1) | CN1245755C (ko) |
TW (1) | TW558802B (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7300182B2 (en) | 2003-05-05 | 2007-11-27 | Lamina Lighting, Inc. | LED light sources for image projection systems |
EP1550889A3 (en) * | 2003-12-30 | 2005-12-14 | IBM Corporation | Opto-electronic module comprising flexible electric connection cable and method of making the same |
US9113547B2 (en) * | 2008-10-24 | 2015-08-18 | Intel Corporation | Same layer microelectronic circuit patterning using hybrid laser projection patterning (LPP) and semi-additive patterning(SAP) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2751450B2 (ja) | 1989-08-28 | 1998-05-18 | セイコーエプソン株式会社 | テープキャリアの実装構造及びその実装方法 |
JPH0653288A (ja) | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Sony Corp | タブテープ及びタブテープの実装方法 |
JP2852178B2 (ja) * | 1993-12-28 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | フィルムキャリアテープ |
JPH0982752A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Sony Corp | 半導体装置 |
US6171888B1 (en) * | 1996-03-08 | 2001-01-09 | Lsi Logic Corp. | Multi-layer tab tape having distinct signal, power and ground planes, semiconductor device assembly employing same, apparatus for and method of assembling same |
JP3442978B2 (ja) | 1997-10-15 | 2003-09-02 | シャープ株式会社 | テープキャリアパッケージ半導体装置及びそれを用いた液晶パネル表示装置 |
JP2001007239A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-09-27 JP JP2001297041A patent/JP3825664B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-09-24 TW TW091121903A patent/TW558802B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-09-26 US US10/254,779 patent/US6911725B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-26 KR KR1020020058485A patent/KR100550171B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-09-27 CN CNB021439133A patent/CN1245755C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-16 US US10/941,908 patent/US20050029635A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100550171B1 (ko) | 2006-02-10 |
US20030057543A1 (en) | 2003-03-27 |
TW558802B (en) | 2003-10-21 |
US6911725B2 (en) | 2005-06-28 |
JP2003100813A (ja) | 2003-04-04 |
US20050029635A1 (en) | 2005-02-10 |
JP3825664B2 (ja) | 2006-09-27 |
CN1245755C (zh) | 2006-03-15 |
CN1411056A (zh) | 2003-04-16 |
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