KR20020075392A - 기판으로의 접합을 위한 구리 표면의 조면화 방법 - Google Patents

기판으로의 접합을 위한 구리 표면의 조면화 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20020075392A
KR20020075392A KR1020027008776A KR20027008776A KR20020075392A KR 20020075392 A KR20020075392 A KR 20020075392A KR 1020027008776 A KR1020027008776 A KR 1020027008776A KR 20027008776 A KR20027008776 A KR 20027008776A KR 20020075392 A KR20020075392 A KR 20020075392A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cas
copper surface
composition
carbon atoms
methyl
Prior art date
Application number
KR1020027008776A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100693973B1 (ko
Inventor
로저 버나즈
헥터 곤잘레즈
알 쿠세라
마이크 샨하어
Original Assignee
일렉트로케미칼스 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=23902613&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20020075392(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 일렉트로케미칼스 인코퍼레이티드 filed Critical 일렉트로케미칼스 인코퍼레이티드
Publication of KR20020075392A publication Critical patent/KR20020075392A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100693973B1 publication Critical patent/KR100693973B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
    • C23C22/68—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous solutions with pH between 6 and 8
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
    • C23C22/06—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6
    • C23C22/48—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous acidic solutions with pH less than 6 not containing phosphates, hexavalent chromium compounds, fluorides or complex fluorides, molybdates, tungstates, vanadates or oxalates
    • C23C22/52—Treatment of copper or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/383—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by microetching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2222/00—Aspects relating to chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive medium
    • C23C2222/20—Use of solutions containing silanes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0239—Coupling agent for particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0793—Aqueous alkaline solution, e.g. for cleaning or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
    • H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
    • H05K2203/0796—Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/12—Using specific substances
    • H05K2203/122—Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax, thiol
    • H05K2203/124—Heterocyclic organic compounds, e.g. azole, furan
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/385—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by conversion of the surface of the metal, e.g. by oxidation, whether or not followed by reaction or removal of the converted layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/389—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a coupling agent, e.g. silane
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Treatment Of Metals (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

본 발명은 후속적인 다층 적층에 적합한 조면화된 구리 표면을 제공하기 위한 방법 및 조성물에 관한 것이다. 접착성 촉진 조성물은 산화제, pH 조정제, 토포그래피 변형제(도 1) 및 균일성 증진제(도 2)를 주성분으로 한다. 코팅 촉진제는 균일성 증진제 대신에 또는 균일성 증진제에 부가하여 사용될 수 있다. 본 발명의 방법은 아졸 또는 실란 화합물, 또는 아졸과 실란의 배합물을 포함하는 후침지액과 균일한 조면화된 구리 표면을 접촉시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 후침지액은 티타네이트, 지르코네이트 및 알루미네이트를 단독으로 또는 조합하여 더 포함할 수 있다.

Description

기판으로의 접합을 위한 구리 표면의 조면화 방법 {Method for Roughening Copper Surfaces for Bonding to Substrates}
본 발명은 인쇄 회로판(PCB)의 제조에 사용되는 기판에 접합하기 위한 구리 표면의 제조에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 다층 PCB의 제조에 관한 것이다.
다층 PCB는 구리의 화상화 전도층을 유전층으로 개재하여 다층 샌드위치를 제조함으로써 이루어진다. 유전층은 구리층을 함께 접합하는 유기 수지층이다. 구리층 및 유전층은 열 및 압력의 적용에 의해 함께 접합된다. 구리의 표면은 평탄하여 유전층에 용이하게 접합되지 않는다.
개선된 접합은 구리 표면을 에칭하거나 또는 그렇지 않은 경우 조면화 (roughening)하여 구리 표면에 미시적인 갈라진 틈 및 마루를 제공함으로써 달성될 수 있다. 구리 표면은 기계적으로 조면화될 수 있다. 그러나, 기계적으로 조면화되는 경우 세밀한 회로 패턴이 손상받기 쉽다. 따라서, 구리 표면의 기계적 조면화가 불필요한 구리 표면 조면화 방법에 대한 필요성이 존재한다.
또한, 조면을 갖는 산화물이 구리 표면상에 형성되는 산화물 방법이 공지되어 있다. 산화물은 구리의 화학 처리에 의해 형성될 수 있다. 산화물 방법은 많은 단점을 갖는다. 통상의 산화물 방법은 기판이 종종 뒤틀어지는 고온에서 수행되어 품질 제어 문제 및 추가의 제조 비용을 초래한다. 또한, 산화 방법은 구리표면의 일부가 산화되지 않거나 산화 용액에 의해 코팅되지 않는 균일성 문제와 관련된다. 균일성 문제는 다층 PCB에서 부분적 박리를 초래한다. 이 문제를 방지하기 위해, PCB는 더욱 균일한 산화물 코팅물을 얻기 위해 다수의 경로를 통해 수행된다. 다수의 경로를 수행함으로써 상당한 제조 비용이 추가된다. 따라서, 다수의 경로 또는 고온을 요구하지 않는 구리 조면화 방법에 대한 필요성이 존재한다.
다층 PCB는 에칭된 구리 표면의 각각의 층과 유기 수지의 각각의 층 사이에 예리한 전이를 갖는 경향이 있다. 따라서, 유기 수지의 조면화된 구리 표면으로의 접착을 용이하게 하기 위해 코팅 촉진제를 사용할 필요가 있다.
미국 특허 4,512,818호는 다층 인쇄 회로의 구리 표면상의 흑색 산화물의 형성을 위한 처리 용액을 기재하고 있다. 처리 용액은 산화제 및 수산화물로 이루어지고 흑색 산화물 용액의 특성을 조절하는 수용성 또는 수분산성 중합체의 첨가를 특징으로 한다.
흑색 산화물 과정의 다수의 결점에는 한계 접합 강도 및 고온 가공이 포함된다는 것이 보고되어 있다. 생성된 표면 코팅물은 기계적 손상 및 관통 홀 둘레에서 부분적 박리되기 쉽고, 이 문제는 "핑크 링(pink ring)"으로 불린다. 핑크 링은 관통 홀 세정 및 전기도금 약품에 의한 접합 산화물 층의 제거에 의해 초래된다. 따라서, 핑크 링 문제를 덜 초래하기 쉬운 조성물에 대한 필요성이 있다.
미국 특허 5,861,076호는 구리 박(foil)의 표면과 인접하는 수지 함침 기판 또는 위에 놓쳐진 금속성 부층 사이에 강하고 안정한 접착제 접합을 촉진하기 위한 접합 증진 방법을 기재하고 있다. 이 방법에 따르면, 흑색 산화물 코팅된 구리 표면은 메타 중아황산나트륨 및 황화나트륨을 함유하는 환원 수용액으로 처리되어 흑색 산화물 코팅물을 조면화된 금속성 구리 코팅물로 전환시킨다. 그 후, 조면화된 금속성 구리 코팅된 표면은 부동태화되고 수지 함침된 기판에 적층된다.
화학적 산화물 변형 공정에서, 강한 환원제, 통상 디메틸아민 보란이 산화물 코팅물에 도포되어 균일한 산화물 코팅물을 얻는다. 이러한 유형의 접착성 촉진 공정은 취급시 파손되기 쉽고 긁히기 쉬운 산화물 코팅물을 생성한다. 산화물 코팅물의 파손성 때문에 적층전에 회로의 검사가 어렵다. 따라서, 접착성 촉진 공정후 및 적층 단계전에 덜 문제있는 검사를 허용하는 접착성 촉진 방법에 대한 필요성이 있다.
구리 또는 구리 합금 표면의 조면화 방법이 미국 특허 5,532,094호에 기재되어 있다. 구리 표면은 아졸 화합물, 가용성 구리 화합물, 유기 또는 무기산 및 할로겐 이온을 포함하는 수용액으로 처리된다.
미국 특허 5,073,456호는 구리 회로를 절연층에 접합시키는 경우 중간층을 사용함으로써 형성된 많은 관통 홀을 갖는 다층 인쇄 회로판의 제조에 관한 것이다.
미국 특허 3,756,957호 및 5,800,859호는 과산화수소 안정화제의 범위를 기재하고 있고, 미국 특허 3,756,957호 및 5,800,859호는 그의 전문이 본원에 참고로 포함된다. 알파 메탈스(Alpha Metals)는 접착성 촉진 용액을 등록상표 "알파 프레프(Alpha Prep)"로 시판하고 있다.
미국 특허 5,800,859호는 구리 코팅 인쇄 회로판을 제공하는 방법을 기재하고 있다. 이 방법은 금속 표면을 접착성 촉진 물질과 접촉시키는 처리 단계를 포함한다. 접착성 촉진 물질은 0.1 내지 20 중량％의 과산화수소, 무기산, 유기 부식 억제제 및 계면활성제를 포함한다. 계면활성제는 바람직하게는 양이온성 계면활성제, 통상적으로 아민 계면활성제, 가장 바람직하게는 4급 암모늄 계면활성제이다.
<본 발명의 간단한 요약>
따라서, 본 발명의 목적은 구리 표면의 기계적 조면화를 요구하지 않는 구리 표면 조면화 방법을 제공하는 것이다.
또다른 목적은 다수의 경로 또는 고온을 요구하지 않는 구리 조면화 방법을 제공하는 것이다.
또다른 목적은 고 알칼리성 용액을 요구하지 않는 구리 조면화 방법을 제공하는 것이다.
또다른 목적은 임의로는 코팅 촉진제를 포함하는 조성물을 제공하는 것이다.
또다른 목적은 우수한 구리 표면 영역을 달성하기 위해 양이온성 계면활성제에 의지하지 않는 조면화된 구리 표면을 생성하는 간단한 방법을 제공하는 것이다.
이들 목적중 적어도 하나는 본 발명에 의해 전부 또는 부분적으로 해결된다. 본 발명은 다층 PCB에서 구리층과 유전 수지층 사이의 높은 접합 강도를 제공하기 위해 구리 표면을 조면화하기 위한 조성물 및 방법이다. 본 발명의 조성물은 산화제, pH 조정제, 토포그래피 변형제, 및 균일성 증진제와 코팅 촉진제중 1종 이상을 주성분으로 한다.
<여러 도면의 간단한 설명>
도 1은 N-헤테로시클릭 고리중 1 내지 3개의 질소 원자를 갖는 5원 방향족 융합된 N-헤테로시클릭 고리 화합물의 개략도이다. 융합된 고리중 1번 위치에서의 질소 원자는 수소 원자에 결합되어 있다.
도 2는 1H-테트라졸(CAS 288-94-8)의 분자 구조이다.
도 3은 1H-테트라졸(CAS 288-94-8)의 유도체의 분자 구조이다.
도 4는 융합된 고리에 1 내지 3개의 질소 원자를 갖는 5원 방향족 융합된 N-헤테로시클릭 고리 화합물의 분자 구조이며 여기서 융합된 고리중 1 내지 3개의 질소 원자의 어떠한 것도 수소 원자에 결합되어 있지 않다.
도 5는 처리 조성물로서 3％ H2O2, 5％ H2SO4, 1.0 g/l BTA, 0.5 g/l 1-히드록시벤조트리아졸(코팅 촉진제) 및 나머지 DI를 사용하여 본 발명에 따라 조면화된 구리 표면의 주사 전자 현미경("SEM") 사진이다. 구리 표면은 균일하게 에칭되고 유기금속 코팅물로 피복되어 있다.
본 발명이 1개 이상의 실시 양태와 관련하여 설명될 것이지만, 본 발명이 이들 실시 양태에 제한되지 않는다는 것이 이해될 것이다. 반대로, 본 발명은 첨부된 청구범위의 정신 및 범위내에 포함될 수 있는 모든 대안, 변형 및 동등한 것을 포함한다.
상기 주지한 바와 같이, 본 발명의 일면은 산화제, pH 조정제, 토포그래피변형제, 및 균일성 증진제와 코팅 촉진제중 1종 이상을 주성분으로 하는 구리 표면의 조면화용 조성물이다.
산화제는 바람직하게는 과산화수소이고, 바람직하게는 약 0.1 내지 5％(본 명세서에서 과산화수소의 비율은 달리 언급이 없는 한 수용액중 50 중량％의 과산화수소를 사용하는 것을 기준함), 더욱 바람직하게는 약 0.1 내지 약 2％의 범위로 존재한다. 또한, 과산화수소는 바람직하게는 약 1 내지 3.5％(50 중량％의 과산화수소를 기준으로 함), 더욱 바람직하게는 약 1 내지 2％(50 중량％의 과산화수소를 기준으로 함)의 범위로 존재한다.
과산화수소 안정화제는 본 발명을 실시하는데 요구되지 않는다. 그러나, 과산화수소 안정화제가 사용될 수 있다. 임의적인 과산화수소 안정화제의 비제한적인 예는 탄소수 2 내지 10의 알킬 모노아민 및 그의 염; 탄소수 4 내지 12의 폴리메틸렌디아민 및 그의 염; 암모니아의 1개 이상의 수소 원자를 탄소수 2 내지 6의 알콕시 라디칼로 치환함으로써 형성된 알콕시아민, 및 탄소수 2 내지 10의 알킬 모노아민의 질소 원자에 연결된 1개 이상의 수소 원자를 탄소수 2 내지 6의 알콕시 라디칼로 치환함으로써 형성된 알콕시아민; 암모니아의 1개 이상의 수소 원자를 탄소수 3 내지 6의 알킬 아실 라디칼로 치환함으로써 형성된 알킬 아실 라디칼, 및 탄소수 2 내지 10의 1종 이상의 알킬 모노아민을 탄소수 3 내지 6의 알킬 아실 라디칼로 치환함으로써 형성된 1종 이상의 알킬 산 아미드; 5 내지 8원 고리를 갖는 지환족 이민; 모노-n-프로필아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민 및 헥사메틸렌디아민; 옥틸아민; 및 프로피오닐아미드를 포함한다.
pH 조정제의 선택은 중요하지 않다. 임의의 적합한 유기 또는 무기 산이 사용될 수 있지만, 질산은 바람직하지 않다. 적합한 산의 비제한적인 예는 황산, 인산, 아세트산, 포름산, 술팜산 및 히드록시아세트산을 포함한다. 황산은 바람직한 pH 조정제이다. 황산은 약 0.01 내지 20 중량％의 범위, 또한 약 0.5 내지 10 중량％의 범위로 존재한다.
적합한 토포그래피 변형제는 N-헤테로시클릭 고리중 1개 이상의 질소 원자를 갖는 5원 방향족 융합된 N-헤테로시클릭 고리 화합물(이하, "N-헤테로시클릭 화합물")이다. 헤테로시클릭 고리중 1개 이상의 질소 원자는 수소 원자에 직접 결합되어 있다. 헤테로시클릭 고리중 1번 위치의 질소 원자는 바람직하게는 수소 원자에 결합되어 있다(도 1 참조). 적합한 토포그래피 변형제의 비제한적인 예는 1H-벤조트리아졸(CAS 등록번호, "CAS":95-14-7), 1H-인돌(CAS 120-72-9), 1H-인다졸(CAS 271-44-3) 및 1H-벤즈이미다졸(CAS 51-17-2)을 포함한다. 토포그래피 변형제로서 적합한 N-헤테로시클릭 화합물의 유도체는 헤테로시클릭 고리중 1번 위치의 질소 원자에 결합된 수소 원자를 갖는 N-헤테로시클릭 화합물을 포함한다. 방향족 고리상의 R 치환체(도 1 참조)는 탄소수 1 내지 약 10 이상의 알킬, 히드록시알킬, 아미노알킬, 니트로알킬, 메르캅토알킬 또는 알콕시 기일 수 있다. 알킬기의 구체적인 예는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, sec-부틸, tert-부틸, 아밀 등을 포함한다.
토포그래피 변형제로서 사용하는데 적합한 1H-벤조트리아졸(CAS 95-14-7)의 적합한 유도체의 비제한적인 예는 5-메틸-1H-벤조트리아졸(CAS 136-85-6), 6-니트로-1H-벤조트리아졸(CAS 2338-12-7), 1H-나프토(1,2-d)트리아졸(CAS 233-59-0) 및 1H-나프토[2,3-d]트리아졸(CAS 269-12-5)을 포함한다.
토포그래피 변형제로서 사용하는데 적합한 인돌(1H-인돌; CAS 120-72-9)의 적합한 유도체의 비제한적인 예는 5-아미노인돌(1H-인돌-5-아민; CAS 5192-03-0), 6-메틸인돌(1H-인돌, 6-메틸-; CAS 3420-02-8), 1H-인돌-5-메틸(CAS 614-96-0), 7-메틸인돌(1H-인돌, 7-메틸-; CAS 933-67-5), 3-메틸인돌(1H-인돌, 3-메틸-; CAS 83-34-1), 2-메틸인돌(2-메틸-1H-인돌; CAS 95-20-5), 1H-인돌, 3,5-디메틸-(CAS 3189-12-6), 2,3-디메틸인돌(1H-인돌, 2,3-디메틸-; CAS 91-55-4) 및 2,6-디메틸인돌(1H-인돌, 2,6-디메틸-; CAS 5649-36-5)을 포함한다.
토포그래피 변형제로서 사용하는데 적합한 1H-인다졸(CAS 271-44-3)의 적합한 유도체의 비제한적인 예는 1H-인다졸-5-아민(CAS 19335-11-6) 및 3-클로로-1H-인다졸(CAS 29110-74-5)을 포함한다.
토포그래피 변형제로서 사용하는데 적합한 1H-벤즈이미다졸(CAS 51-17-2)의 적합한 유도체의 비제한적인 예는 2-히드록시-1H-벤즈이미다졸(CAS 615-16-7), 2-메틸-1H-벤즈이미다졸(CAS 615-15-6) 및 2-(메틸티오)-1H-벤즈이미다졸(CAS 7152-24-1)을 포함한다.
토포그래피 변형제는 바람직하게는 약 0.1 내지 20 g/l(그램/리터), 더욱 바람직하게는 약 0.5 내지 7 g/l의 범위로 존재한다. 예를 들어, 1H-벤조트리아졸은 약 0.1 내지 20 g/l, 더욱 바람직하게는 약 0.5 내지 7 g/l의 범위로 존재할 수 있다.
본 발명자들은 본 발명에 대해 하기 작용 이론을 제시한다. 본 발명은 이 이론에 의해 특정되는 바와 같이 작용되는 공정 또는 제품에 제한되지는 않는다. 이 이론에서 어떠한 부정확성도 본 발명의 범위를 제한하지 않는다. 토포그래피 변형제는 본 발명의 접착성 촉진 용액으로 구리 표면을 처리하는 동안 구리의 표면 특성을 변화시키는 것으로 생각된다. 본 발명의 접착성 촉진 용액을 사용한 처리시, 구리 표면은 토포그래피 변형제와 함께 구리의 착물을 포함함으로써 토포그래피 변형제 없이 가능한 표면적보다 큰 표면적을 생성하는 것으로 믿어진다. 토포그래피 변형제는 박리 강도에 유익한 효과를 갖기 때문에 본 발명에 필수적이다. 박리 강도는 토포그래피 변형제가 접착성 촉진 용액에 사용되지 않는 경우 극적으로 감소된다.
균일성 증진제는 1H-테트라졸(CAS 288-94-8, 도 2) 및 그의 유도체(도 3)와 같은 테트라졸이다. 균일성 증진제로서 본 발명에 사용될 수 있는 적합한 테트라졸 유도체의 비제한적인 예는 5-아미노테트라졸(CAS 5378-49-4), 5-메틸테트라졸(CAS 4076-36-2), 5-메틸아미노테트라졸(CAS 53010-03-0), 1H-테트라졸-5-아민(CAS 4418-61-5), 1H-테트라졸-5-아민, N,N-디메틸-(CAS 5422-45-7), 1-메틸테트라졸(CAS 16681-77-9), 1-메틸-5-메르캅토테트라졸, 1,5-디메틸테트라졸(CAS 5144-11-6), 1-메틸-5-아미노테트라졸(CAS 5422-44-6) 및 1-메틸-5-메틸아미노-테트라졸(CAS 17267-51-5)을 포함한다.
도 3을 참고로 하면, 테트라졸 고리상의 R1 및 R2 치환체는 히드록실, 아미노, 탄소수 1 내지 약 10 이상의 알킬, 히드록시알킬, 아미노알킬, 니트로알킬, 메르캅토알킬 또는 알콕시기일 수 있다. 알킬 기의 구체적인 예는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, sec-부틸, tert-부틸, 아밀 등을 포함한다.
임의적인 코팅 촉진제는 융합된 고리에 1 내지 3개의 질소 원자를 갖는 5원 방향족 융합된 N-헤테로시클릭 고리 화합물이고, 이 때 융합된 고리중 1 내지 3개의 질소 원자의 어떠한 것도 수소 원자에 결합되지 있지 않다(도 4 참조). 본 발명에 사용하는데 적합한 임의적인 코팅 촉진제의 비제한적인 예는 1-히드록시벤조트리아졸(CAS 2592-95-2), 1-메틸인돌(CAS 603-76-9), 1-메틸벤조트리아졸(CAS 13351-73-0), 1-메틸벤즈이미다졸(CAS 1632-83-3), 1-메틸인다졸(CAS 13436-48-1), 1-에틸-인다졸(CAS 43120-22-5), 1H-인돌, 1,5-디메틸-인돌(CAS 27816-53-1), 1,3-디메틸-인돌(CAS 875-30-9), 메틸 1-(부틸카르바모일)-2-벤즈이미다졸카르보네이트, 1-(클로로메틸)-1H-벤조트리아졸 및 1-아미노벤조트리아졸을 포함한다. 코팅 촉진제가 본 발명에 임의적이지만, 이 촉진제가 존재하는 경우 균일성 증진제가 또한 임의적인 것으로 고려될 수 있다.
도 4를 참고하면, 방향족 고리상의 R 치환체는 탄소수 1 내지 약 10 이상의 알킬, 히드록시알킬, 아미노알킬, 니트로알킬, 메르캅토알킬 또는 알콕시기일 수 있다. 1번 위치의 질소 원자에 결합된 헤테로시클릭 고리상의 R1 치환체는 히드록실, 아미노, 알킬, 히드록시알킬, 아미노알킬, 니트로알킬, 메르캅토알킬 또는 알콕시기일 수 있다. 알킬기의 구체적인 예는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, sec-부틸, tert-부틸, 아밀 등을 포함한다.
본 발명의 조성물은 바람직하게는 탈이온수로 보충하여 이루어진다.
본 발명의 조성물은 할로겐 이온을 요구하지 않으며, 목적하는 경우 본질적으로 할로겐 이온을 함유하지 않을 수 있다. "본질적으로 할로겐 이온을 함유하지 않는"은 접착성 촉진 조성물이 약 0.01 중량％ 미만의 할로겐 이온을 포함하는 것을 의미한다. 본 발명자들은 "할로겐 이온"을 수용액중 플루오라이드, 클로라이드, 브로마이드 또는 요오다이드 이온 또는 이들 이온의 임의의 조합 또는 동등한 것으로서 정의한다. 이외에, 본 발명의 조성물은 우수한 조면화된 구리 표면을 달성하기 위한 계면활성제를 요구하지 않는다.
그러나, 목적하는 경우 할로겐이 조성물에 사용될 수 있다. 예를 들어, 소량의 클로라이드 이온 또는 다른 할라이드 이온이 조성물에 사용될 수 있다. 할라이드는 본 발명의 조성물에서 임의적인 성분으로서 간주될 수 있다.
본 발명의 또다른 면에 따라, 후속적인 다층 적층에 적합한 조면화된 구리 표면을 제조하는 방법은 하기 단계들을 포함하고, 이들중 일부는 임의적이다:
(i) 실질적으로 깨끗한 구리 표면을 제공하고, 임의로는 고도로 형성된 알칼리성 세정 용액(이 용액은 계면활성제 및 포스페이트 또는 포스페이트 에스테르를 포함한다.)을 구리 표면에 도포함으로써 그러한 구리 표면을 제공하는 단계.
(ii) 임의로는, 실질적으로 깨끗한 구리 표면을 예비 침지액중으로 침지시켜 구리 표면으로부터 과잉의 세정 용액을 제거하여 깨끗한 구리 표면을 제공하는 단계.
(iii) 상기 기재된 바와 같이 산화제, pH 조정제, 토포그래피 변형제 및 균일성 증진제를 주성분으로 하는 접착성 촉진 조성물을 깨끗한 구리 표면에 도포하는 단계.
(iv) 임의로는, 균일하게 조면화된 구리 표면을 후침지액중에 침지시켜 후속적인 다층 적층에 적합한 조면화된 구리 표면을 제공하는 단계. 임의적인 후침지액은 조면화된 구리 표면을 조면화된 구리 표면과 적합한 유전 수지 사이의 증진된 접합을 가능하게 하는 유기 분자의 코팅물로 코팅하는데 사용된다. 후침지 용액은 아졸 또는 실란 화합물을 포함한다. 후침지액은 티타네이트, 지르코네이트 또는 알루미네이트를 더 포함할 수 있다.
단계 (i)은 과량의 세정 용액을 구리 표면으로부터 배출시키는 것을 더 포함할 수 있다.
구리 표면과 유전 수지 사이의 접합 강도를 증진시키기 위한 실란의 비제한적인 예는 임의의 트리클로로 또는 트리메톡시 실란, 특히 1개 이상의 질소 원자를 갖는 그러한 유도체, 예를 들어 트리메톡시실릴프로필디에틸렌트리아민을 포함한다. 본 발명에 사용하기에 적합한 실란의 다른 예는
3-메틸아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란,
3-(N-스티릴메틸-2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란 염산염,
3-(N-알릴-2-아미노에틸아미노)-프로필트리메톡시실란 염산염,
N-(스티릴메틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란 염산염,
N-2-아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란,
3-(N-벤질-2-아미노에틸아미노)-프로필트리메톡시실란 염산염,
베타-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란,
감마-아미노프로필-트리에톡시 실란,
감마-글리시독시프로필트리메톡시실란 및
비닐트리메톡시실란을 포함한다.
본 발명에 사용될 수 있는 티타네이트의 비제한적인 예는
티타네이트 아민,
테트라옥틸 디(디트리데실)포스파이토 티타네이트,
테트라(2,2-디알릴옥시메틸)부틸-디(디트리데실)포스파이토 티타네이트,
네오펜틸(디알릴)옥시트리(디옥틸)피로-포스페이토 티타네이트 및
네오펜틸(디알릴)옥시 트리(m-아미노)페닐 티타네이트를 포함한다.
적합한 지르코네이트의 비제한적인 예(예를 들어, 미국 뉴저지주 베이온 소재의 켄리치 페트로케미칼스(Kenrich Petrochemicals, Inc.)에서 시판함)는
KZ 55-테트라(2,2 디알릴옥시메틸)부틸,
디(디트리데실)포스파이토 지르코네이트,
NZ-01-네오펜틸(디알릴)옥시,
트리네오데카노일 지르코네이트 및
NZ-09-네오펜틸(디알릴)옥시, 트리(도데실)벤젠-술포닐 지르코네이트를 포함한다.
적합한 지르코네이트의 추가의 비제한적인 예는 테트라(2,2-디알릴옥시메틸)부틸-디(디트리데실)포스파이토 지르코네이트 및 지르코늄 IV 2,2-디메틸 1,3-프로판디올을 포함한다.
본 발명에 사용될 수 있는 알루미네이트의 비제한적인 예는 켄리치(Kenrich)(등록상표) 디이소부틸(올레일)아세토아세틸알루미네이트(KA 301) 및 디이소프로필(올레일)아세토아세틸 알루미네이트(KA 322)를 포함한다.
구리 표면의 토포그래피는 바람직하게는 당업계에 공지된 퍼옥시드 기재의 에칭 용액에 의해 달성되는 통상의 토포그래피에 더하여 본 발명의 조성물에 의해 변형된다. 또한, 토포그래피 변형 및 코팅물의 균일성 및 완전성은 당업계에 통상적으로 알려진 것보다 충분히 높다.
접착성 촉진 조성물은 임의로는 황산구리와 같은 구리 염을 포함할 수 있다. 수성 구리 이온은 화학적 공격으로부터 공정 탱크의 표면과 같은 미사용 스테인레스강 표면을 보호한다. 따라서, 처리하려는 구리 표면이 새로운 또는 앞서 미사용된 강철 탱크중에 침지되는 경우, 접착성 촉진 조성물중 일정량의 구리 염을 포함시키는 것이 유리하다. 그러나, 고도로 만족스러운 조면화된 구리 표면을 얻기 위해 구리염을 포함시키는 것이 요구되지는 않는다.
수지의 본 발명의 구리 표면으로의 우수한 접착성을 나타내는데 사용될 수 있는 한가지 실제적인 시험은 박리 강도로 공지된 테이프 시험이다. 자가 접착성 테이프는 처리된 구리 표면에 접착된 후 박리 제거되고 검사되어 처리된 표면 물질의 얼만큼이 제거되는지를 측정한다. 테이프 시험되는 많은 통상적인 처리된 구리 표면은 충분한 물질을 테이프에 이송시킴으로써 후속적으로 경질 표면과 접촉하여 배치되는 경우 테이프가 부착되는 것을 방해한다. 그러나, 본 발명을 수행함으로써 생성된 처리된 표면은 공통적으로 테이프에 물질을 거의 또는 전혀 이송시키지않고 테이프가 또다른 표면에 재부착되는 것을 방해하지 않는다. 이 테이프 시험 결과는 본 발명이 목적하는 긴밀하게 부착하는 코팅물을 제공한다는 것을 나타낸다.
하기 실시예는 본 발명의 구체적이나 비제한적인 실시 양태를 나타낸다:
<실시예 1>
구리 표면을 어떠한 균일성 증진제나 코팅 촉진제를 사용하지 않고서 3％ H2O2, 5％ H2SO4, 5 g/l 벤조트리아졸("BTA"), 나머지 탈이온수("DI")에 의해 에칭하였다(표 1 참조). 에칭된 구리 표면은 바람직하지 못하게 광택이 있는 구리의 점들로 얼룩지게 되었고 이는 불균일한 에칭을 나타낸다.
<실시예 2>
구리 표면을 어떠한 균일성 증진제나 코팅 촉진제를 사용하지 않고서 3％ H2O2, 5％ H2SO4, 1.5 g/l BTA, 나머지 DI의 조성물로 에칭하였다. 에칭된 구리 표면에는 바람직하지 못한 줄무늬가 발생하였고 이는 불균일한 에칭을 나타낸다.
<실시예 3>
구리 표면을 코팅 촉진제를 사용하지 않고서 3％ H2O2, 5％ H2SO4, 1.5 g/l BTA, 0.5 g/l 5-아미노테트라졸(균일성 증진제), 나머지 DI에 의해 에칭하였다. 에칭된 구리 표면은 바람직하게 균일하게 에칭되었다. 이 실시예는 균일성 증진제의 가치를 입증한다.
<실시예 4>
구리 표면을 3％ H2O2, 5％ H2SO4, 1.0 g/l BTA, 0.5 g/l 1-히드록시벤조트리아졸(코팅 촉진제), 나머지 DI의 조성물을 사용하여 에칭하였다. 에칭된 구리 표면의 SEM 사진, 도 5는 균일하게 에칭되고 유기금속 코팅물인 것으로 믿어지는 코팅물로 피복된 구리 표면을 나타낸다.
<실시예 5>
구리 표면을 3％ H2O2, 5％ H2SO4, 1.0 g/l BTA, 2 g/l 1-히드록시벤조트리아졸(코팅 촉진제), 나머지 DI의 에칭액을 사용하여 에칭하였다.
<실시예 6>
구리 표면을 3％ H2O2, 5％ H2SO4, 1.5 g/l 톨릴트리아졸(토포그래피 변형제), 0.05 g/l 5-메르캅토메틸 테트라졸(균일성 증진제), 2 g/l 1-히드록시벤조트리아졸(코팅 촉진제) 및 나머지 DI의 에칭액을 사용하여 에칭하였다.
실시예 1 내지 6의 요약을 위해 하기 표 1을 참조한다.
본 발명을 바람직하거나 예시적인 실시 양태 및 실시예와 관련하여 상기 기재하였지만, 이들은 본 발명을 속속들이 규명하거나 제한하기 위한 것은 아니다. 오히려, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 바와 같이 본 발명의 정신 및 범위내에 포함되는 모든 대안, 변형 및 동등한 것을 포함하는 것으로 의도된다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6
산화제 3％ H2O2 3％ H2O2 3％ H2O2 3％ H2O2 3％ H2O2 3％ H2O2
pH 조정제 5％ 황산 5％ 황산 5％ 황산 5％ 황산 5％ 황산 5％ 황산
토포그래피 변형제 5 g/l 벤조트리아졸 1.5 g/l 벤조트리아졸 1.5 g/l 벤조트리아졸 1 g/l 벤조트리아졸 1 g/l 벤조트리아졸 1.5 g/l 톨릴트리아졸
균일성 증진제 없음 없음 0.5 g/l 5-아미노테트라졸 없음 없음 0.05 g/l 5-메르캅토메틸테트라졸
코팅 촉진제 없음 없음 없음 0.5 g/l 1-히드록시벤조트리아졸 2 g/l 1-히드록시벤조트리아졸 2 g/l 1-히드록시벤조트리아졸
탈이온수 나머지 나머지 나머지 나머지 나머지 나머지
평가 얼룩짐 줄무늬 균일한 에칭 균일한 에칭유기금속 코팅물 - -
결과 결점 결점 결점 없음 결점 없음 - -

Claims (34)

  1. 산화제, pH 조정제, 토포그래피 변형제, 및 균일성 증진제와 코팅 촉진제중 1종 이상을 주성분으로 하는 구리 표면 접착성 촉진 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 코팅 촉진제를 포함하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산화제가 과산화수소인 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 과산화수소 안정화제를 더 주성분으로 하는 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 상기 과산화수소 안정화제가 본질적으로 탄소수 2 내지 10의 알킬 모노아민 및 그의 염; 탄소수 4 내지 12의 폴리메틸렌디아민 및 그의 염; 암모니아의 1개 이상의 수소 원자를 탄소수 2 내지 6의 알콕시 라디칼로 치환함으로써 형성된 알콕시아민, 및 탄소수 2 내지 10의 알킬 모노아민의 질소 원자에 연결된 1개 이상의 수소 원자를 탄소수 2 내지 6의 알콕시 라디칼로 치환함으로써 형성된 알콕시아민; 암모니아의 1개 이상의 수소 원자를 탄소수 3 내지 6의 알킬 아실 라디칼로 치환함으로써 형성된 알킬 아실 라디칼, 및 탄소수 2 내지 10의 1종 이상의 알킬 모노아민을 탄소수 3 내지 6의 알킬 아실 라디칼로 치환함으로써 형성된 1종 이상의 알킬 산 아미드; 5 내지 8원 고리를 갖는 지환족 이민; 모노-n-프로필아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민 및 헥사메틸렌디아민; 옥틸아민; 프로피오닐아미드; 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 pH 조정제가 본질적으로 황산, 인산, 아세트산, 포름산, 술팜산 및 히드록시아세트산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 pH 조정제가 황산인 조성물.
  8. 제8항에 있어서, 상기 황산이 약 0.01 내지 20 중량％의 범위로 존재하는 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 상기 황산이 약 0.5 내지 10 중량％의 범위로 존재하는 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 토포그래피 변형제가 N-헤테로시클릭 고리중 1번 위치의 질소 원자가 수소 원자에 결합되어 있는 5원 방향족 융합된 N-헤테로시클릭 화합물인 조성물.
  11. 제11항에 있어서, 상기 5원 방향족 융합된 N-헤테로시클릭 화합물이 본질적으로 1H-벤조트리아졸(CAS 95-14-7), 1H-인돌(CAS 120-72-9), 1H-인다졸(CAS 271-44-3), 1H-벤즈이미다졸(CAS 51-17-2), 5-메틸-1H-벤조트리아졸(CAS 136-85-6), 6-니트로-1H-벤조트리아졸(CAS 2338-12-7), 1H-나프토(1,2-d)트리아졸(CAS 233-59-0), 1H-나프토[2,3-d]트리아졸(CAS 269-12-5), 5-아미노인돌(CAS 5192-03-0), 6-메틸인돌(CAS 3420-02-8), 1H-인돌-5-메틸(CAS 614-96-0), 7-메틸인돌(CAS 933-67-5), 3-메틸인돌(CAS 83-34-1), 2-메틸인돌(CAS 95-20-5), 1H-인돌, 3,5-디메틸-(CAS 3189-12-6), 2,3-디메틸인돌(CAS 91-55-4), 2,6-디메틸인돌(CAS 5649-36-5), 1H-인다졸-5-아민(CAS 19335-11-6), 3-클로로-1H-인다졸(CAS 29110-74-5), 2-히드록시-1H-벤즈이미다졸(CAS 615-16-7), 2-메틸-1H-벤즈이미다졸(CAS 615-15-6) 및 2-(메틸티오)-1H-벤즈이미다졸(CAS 7152-24-1)로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 상기 토포그래피 변형제가 약 0.1 내지 20 g/l의 범위로 존재하는 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 상기 토포그래피 변형제가 약 0.5 내지 7 g/l의 범위로 존재하는 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 상기 균일성 증진제가 테트라졸인 조성물.
  15. 제15항에 있어서, 상기 테트라졸이 본질적으로 5-아미노테트라졸(CAS 5378-49-4), 5-메틸테트라졸(CAS 4076-36-2), 5-메틸아미노테트라졸(CAS 53010-03-0), 1H-테트라졸-5-아민(CAS 4418-61-5), 1H-테트라졸-5-아민, N,N-디메틸-(CAS 5422-45-7), 1-메틸테트라졸(CAS 16681-77-9), 1-메틸-5-메르캅토테트라졸, 1,5-디메틸테트라졸(CAS 5144-11-6), 1-메틸-5-아미노테트라졸(CAS 5422-44-6) 및 1-메틸-5-메틸아미노-테트라졸(CAS 17267-51-5)로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물.
  16. 제2항에 있어서, 상기 코팅 촉진제가 융합된 고리에 1 내지 3개의 질소 원자를 갖는 5원 방향족 융합된 N-헤테로시클릭 화합물(여기서, 상기 질소 원자의 어떠한 것도 수소 원자에 결합되어 있지 않음)인 조성물.
  17. 제2항에 있어서, 상기 코팅 촉진제가 본질적으로 1-히드록시벤조트리아졸(CAS 2592-95-2), 1-메틸인돌(CAS 603-76-9), 1-메틸벤조트리아졸(CAS 13351-73-0), 1-메틸벤즈이미다졸(CAS 1632-83-3), 1-메틸인다졸(CAS 13436-48-1), 1-에틸-인다졸(CAS 43120-22-5), 1H-인돌, 1,5-디메틸-인돌(CAS 27816-53-1), 1,3-디메틸-인돌(CAS 875-30-9), 메틸 1-(부틸카르바모일)-2-벤즈이미다졸카르보네이트, 1-(클로로메틸)-1H-벤조트리아졸 및 1-아미노벤조트리아졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 조성물.
  18. 산화제, pH 조정제, 토포그래피 변형제 및 코팅 촉진제를 주성분으로 하는 구리 표면 접착성 촉진 조성물.
  19. 제19항에 있어서, 균일성 증진제를 더 주성분으로 하는 조성물.
  20. pH 조정제,
    산화제,
    융합된 고리중 1개 이상의 질소 원자가 수소 원자에 결합되어 있는 5원 방향족 융합된 N-헤테로시클릭 화합물인 토포그래피 변형제, 및
    테트라졸인 균일성 증진제, 또는 융합된 고리중 어떠한 질소 원자도 수소 말단기를 갖지 않는 5원 방향족 융합된 N-헤테로시클릭 화합물인 코팅 촉진제
    를 주성분으로 하는 구리 표면 접착성 촉진 조성물.
  21. 과산화수소, pH 조정제, 토포그래피 변형제 및 균일성 증진제를 주성분으로 하고 적어도 본질적으로 할로겐 이온을 함유하지 않는 접착성 촉진 조성물과 깨끗한 구리 표면을 조면화된 구리 표면을 제공하기에 유효한 조건하에 접촉시키는 단계를 포함하는, 후속적인 다층 적층에 적합한 조면화된 구리 표면의 제조 방법.
  22. 제22항에 있어서, 실질적으로 깨끗한 구리 표면을 제공하는 임의적인 단계로 수행하는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 균일한 조면화된 구리 표면을 후침지액과 접촉시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  24. 제24항에 있어서, 상기 후침지액이 아졸 또는 실란 화합물, 또는 아졸과 실란의 배합물을 포함하는 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 후침지액이 티타네이트, 지르코네이트, 알루미네이트 또는 이들 티타네이트, 지르코네이트와 알루미네이트의 배합물을 더 포함하는 방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 실란이 본질적으로
    3-메틸아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란,
    3-(N-스티릴메틸-2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란 염산염,
    3-(N-알릴-2-아미노에틸아미노)-프로필트리메톡시실란 염산염,
    N-(스티릴메틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란 염산염,
    N-2-아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란,
    3-(N-벤질-2-아미노에틸아미노)-프로필트리메톡시실란 염산염,
    베타-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란,
    감마-아미노프로필-트리에톡시 실란,
    감마-글리시독시프로필트리메톡시실란 및
    비닐트리메톡시실란
    으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 티타네이트가 티타네이트 아민, 테트라옥틸 디(디트리데실)포스파이토 티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸)부틸-디(디트리데실)포스파이토 티타네이트, 네오펜틸(디알릴)옥시-트리(디옥틸)피로포스페이토 티타네이트 및 네오펜틸(디알릴)옥시트리-(m-아미노)페닐 티타네이트를 포함하는 군으로부터 선택되는 방법.
  28. 제26항에 있어서, 상기 지르코네이트가 테트라(2,2-디알릴옥시메틸)부틸, 디(디트리데실)포스파이토 지르코네이트, 네오펜틸(디알릴)옥시, 트리네오데카노일 지르코네이트, 네오펜틸(디알릴)옥시, 트리(도데실)벤젠-술포닐 지르코네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸)부틸-디(디트리데실)포스파이토 지르코네이트 및 지르코늄 IV 2,2-디메틸 1,3-프로판디올을 포함하는 군으로부터 선택되는 방법.
  29. 제26항에 있어서, 상기 알루미네이트가 디이소부틸(올레일)아세토아세틸알루미네이트 및 디이소프로필(올레일)아세토아세틸 알루미네이트를 포함하는 군으로부터 선택되는 방법.
  30. 제22항에 있어서, 상기 균일성 증진제가 5-아미노테트라졸인 방법.
  31. 제22항에 있어서, 상기 접착성 촉진 조성물이 구리염을 더 주성분으로 하는 방법.
  32. 제22항에 있어서, 과량의 세정 용액을 구리 표면으로부터 배출시키는 단계를 더 포함하는 방법.
  33. (a) 고도로 형성된 알칼리성 세정 용액을 구리 표면에 도포하여 실질적으로 깨끗한 구리 표면을 제공하는 단계 및
    (b) 산화제, pH 조정제, 토포그래피 변형제 및 균일성 증진제를 주성분으로 하는 제1항에 따른 접착성 촉진 조성물중으로 깨끗한 구리 표면을 침지시켜 후속적인 다층 적층에 적합한 균일한 조면화된 구리 표면을 제공하는 단계
    를 포함하는, 후속적인 다층 적층에 적합한 조면화된 구리 표면의 제조 방법.
  34. (a) 고도로 형성된 알칼리성 세정 용액을 구리 표면에 도포하여 실질적으로 깨끗한 구리 표면을 제공하는 단계 및
    (b) 산화제, pH 조정제, 토포그래피 변형제 및 균일성 증진제를 주성분으로 하는 제2항에 따른 접착성 촉진 조성물중으로 깨끗한 구리 표면을 침지시켜 후속적인 다층 적층에 적합한 균일한 조면화된 구리 표면을 제공하는 단계
    를 포함하는, 후속적인 다층 적층에 적합한 조면화된 구리 표면의 제조 방법.
KR1020027008776A 2000-01-07 2000-11-16 기판으로의 접합을 위한 구리 표면의 조면화 방법 KR100693973B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/479,089 2000-01-07
US09/479,089 US7351353B1 (en) 2000-01-07 2000-01-07 Method for roughening copper surfaces for bonding to substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020075392A true KR20020075392A (ko) 2002-10-04
KR100693973B1 KR100693973B1 (ko) 2007-03-12

Family

ID=23902613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020027008776A KR100693973B1 (ko) 2000-01-07 2000-11-16 기판으로의 접합을 위한 구리 표면의 조면화 방법

Country Status (9)

Country Link
US (4) US7351353B1 (ko)
EP (1) EP1255797B2 (ko)
JP (1) JP4754752B2 (ko)
KR (1) KR100693973B1 (ko)
CN (1) CN100340632C (ko)
AU (1) AU4506601A (ko)
CA (1) CA2297447C (ko)
TW (1) TW546362B (ko)
WO (1) WO2001049805A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100901060B1 (ko) * 2009-02-09 2009-06-04 김의연 내열성 조면형성 조성물 및 이를 이용한 조면형성방법
KR20100128335A (ko) * 2008-03-21 2010-12-07 엔쏜 인코포레이티드 다작용기성 화합물을 이용한 적층체에 대한 금속의 접착 촉진

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6141870A (en) 1997-08-04 2000-11-07 Peter K. Trzyna Method for making electrical device
US7351353B1 (en) * 2000-01-07 2008-04-01 Electrochemicals, Inc. Method for roughening copper surfaces for bonding to substrates
US6521139B1 (en) 2000-08-04 2003-02-18 Shipley Company L.L.C. Composition for circuit board manufacture
US6743303B2 (en) 2000-11-02 2004-06-01 Shipley Company, L.L.C. Process for treating adhesion promoted metal surfaces with an organo-silcon post-treatment
JP2003096593A (ja) * 2001-09-21 2003-04-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 粗化処理方法及び電解銅メッキ装置
US6716281B2 (en) * 2002-05-10 2004-04-06 Electrochemicals, Inc. Composition and method for preparing chemically-resistant roughened copper surfaces for bonding to substrates
DE10313517B4 (de) * 2003-03-25 2006-03-30 Atotech Deutschland Gmbh Lösung zum Ätzen von Kupfer, Verfahren zum Vorbehandeln einer Schicht aus Kupfer sowie Anwendung des Verfahrens
JP5026710B2 (ja) * 2005-09-02 2012-09-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
KR20070088245A (ko) * 2006-02-24 2007-08-29 후지필름 가부시키가이샤 금속용 연마액
JP5121273B2 (ja) * 2007-03-29 2013-01-16 富士フイルム株式会社 金属用研磨液及び研磨方法
US7883738B2 (en) * 2007-04-18 2011-02-08 Enthone Inc. Metallic surface enhancement
US10017863B2 (en) * 2007-06-21 2018-07-10 Joseph A. Abys Corrosion protection of bronzes
TWI453301B (zh) * 2007-11-08 2014-09-21 Enthone 浸鍍銀塗層上的自組分子
US7972655B2 (en) * 2007-11-21 2011-07-05 Enthone Inc. Anti-tarnish coatings
US8518281B2 (en) * 2008-06-03 2013-08-27 Kesheng Feng Acid-resistance promoting composition
TWI468550B (zh) * 2009-04-14 2015-01-11 Enthone 以多官能分子系統促進金屬黏著成層合體
KR101411731B1 (ko) * 2009-09-11 2014-06-25 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 리튬 이온 전지 집전체용 동박
JP5531708B2 (ja) * 2010-03-26 2014-06-25 メック株式会社 銅のエッチング液および基板の製造方法
KR101958606B1 (ko) 2010-07-06 2019-03-14 아토테크 도이칠란드 게엠베하 인쇄회로기판의 제조 방법
KR101730983B1 (ko) 2010-07-06 2017-04-27 나믹스 코포레이션 인쇄회로기판에서 사용하기 위한 유기 기판에의 접착을 향상시키는 구리 표면의 처리 방법
EP2453041B1 (en) * 2010-11-10 2014-02-12 Atotech Deutschland GmbH Solution and process for the pre-treatment of copper surfaces using an N-alkoxylated adhesion-promoting compound
KR101845084B1 (ko) * 2010-12-10 2018-04-04 동우 화인켐 주식회사 액정 표시장치용 어레이 기판 제조방법
CN102181853B (zh) * 2011-04-08 2012-11-07 广州立铭环保科技有限公司 一种铝合金无铬钝化处理液
KR101366938B1 (ko) * 2012-01-06 2014-02-25 삼성전기주식회사 에칭액 및 이를 이용한 인쇄 배선 기판의 제조방법
US9113634B1 (en) 2012-04-01 2015-08-25 Modular Services Company Panel assembly with interstitial copper
US9338896B2 (en) 2012-07-25 2016-05-10 Enthone, Inc. Adhesion promotion in printed circuit boards
US8961678B2 (en) * 2012-12-20 2015-02-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Organic solderability preservative and method
KR101924384B1 (ko) * 2012-12-28 2018-12-03 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막의 식각액 조성물
JP6494254B2 (ja) * 2014-11-18 2019-04-03 関東化學株式会社 銅、モリブデン金属積層膜エッチング液組成物、該組成物を用いたエッチング方法および該組成物の寿命を延ばす方法
JP6560976B2 (ja) * 2014-12-19 2019-08-14 四国化成工業株式会社 無機材料または樹脂材料の表面処理液、表面処理方法およびその利用
WO2018191708A1 (en) 2017-04-13 2018-10-18 Nitride Solutions Inc. Device for thermal conduction and electrical isolation
US11268809B2 (en) 2018-11-07 2022-03-08 International Business Machines Corporation Detecting and correcting deficiencies in surface conditions for bonding applications
CN109355649B (zh) * 2018-12-21 2020-08-28 苏州美吉纳纳米新材料科技有限公司 一种pcb铜面氧化剂及其制备方法
CN112064026A (zh) * 2020-08-03 2020-12-11 罗山县金硕电子材料有限公司 一种新型的铜面粗糙度咬蚀稳定剂及其制备方法
CN113755829B (zh) * 2021-08-16 2024-05-07 深圳市志凌伟业技术股份有限公司 一种黑化处理的铜膜表面防腐保护药水
CN115094421B (zh) * 2022-08-24 2022-11-08 深圳市板明科技股份有限公司 一种高频印制线路板用铜面粗化溶液及其制备方法
WO2024096006A1 (ja) * 2022-11-01 2024-05-10 三菱瓦斯化学株式会社 エッチング用水性組成物、それを用いたエッチング方法及び半導体基板の製造方法

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3756957A (en) 1971-03-15 1973-09-04 Furukawa Electric Co Ltd Solutions for chemical dissolution treatment of metallic materials
JPS5434907B2 (ko) * 1972-02-14 1979-10-30
JPS50145342A (ko) * 1974-05-15 1975-11-21
JPS52150104A (en) 1976-06-07 1977-12-13 Fuji Photo Film Co Ltd Photoosensitive lithographic press plate material
US4177325A (en) * 1977-08-31 1979-12-04 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Aluminium or copper substrate panel for selective absorption of solar energy
JPS57164984A (en) * 1981-04-06 1982-10-09 Metsuku Kk Exfoliating solution for tin or tin alloy
US4512818A (en) 1983-05-23 1985-04-23 Shipley Company Inc. Solution for formation of black oxide
US5886101A (en) * 1988-03-02 1999-03-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solvent dispersible interpenetrating polymer networks
US4976817A (en) * 1988-12-09 1990-12-11 Morton International, Inc. Wet lamination process and apparatus
US5304252A (en) * 1989-04-06 1994-04-19 Oliver Sales Company Method of removing a permanent photoimagable film from a printed circuit board
US5073456A (en) 1989-12-05 1991-12-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Multilayer printed circuit board formation
JPH0465184A (ja) 1990-07-05 1992-03-02 Kansai Paint Co Ltd 電着前処理方法
US5128065A (en) 1990-10-03 1992-07-07 Betz Laboratories, Inc. Method for the inhibition of corrosion of copper-bearing metallurgies
US5861076A (en) 1991-07-19 1999-01-19 Park Electrochemical Corporation Method for making multi-layer circuit boards
JPH0653651A (ja) * 1992-07-28 1994-02-25 Matsushita Electric Works Ltd 多層プリント配線板の製造方法
US5447619A (en) * 1993-11-24 1995-09-05 Circuit Foil Usa, Inc. Copper foil for the manufacture of printed circuit boards and method of producing the same
JP2781954B2 (ja) 1994-03-04 1998-07-30 メック株式会社 銅および銅合金の表面処理剤
JP3199208B2 (ja) * 1994-03-24 2001-08-13 三井金属鉱業株式会社 有機防錆処理銅箔およびその製造方法
GB9425090D0 (en) * 1994-12-12 1995-02-08 Alpha Metals Ltd Copper coating
DE19501307C2 (de) 1995-01-18 1999-11-11 Eckart Standard Bronzepulver Farbige Aluminiumpigmente, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung
JP2793515B2 (ja) * 1995-01-30 1998-09-03 富山日本電気株式会社 銅及び銅合金の表面処理剤
US5925174A (en) * 1995-05-17 1999-07-20 Henkel Corporation Composition and process for treating the surface of copper-containing metals
TW374802B (en) 1996-07-29 1999-11-21 Ebara Densan Ltd Etching composition, method for roughening copper surface and method for producing printed wiring board
EP0934553A1 (de) 1996-10-25 1999-08-11 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. Verfahren zur vorbereitung der erzeugung strukturierter metallschichten mit hilfe von proteinen
US5910255A (en) 1996-11-08 1999-06-08 W. L. Gore & Associates, Inc. Method of sequential laser processing to efficiently manufacture modules requiring large volumetric density material removal for micro-via formation
US5869130A (en) * 1997-06-12 1999-02-09 Mac Dermid, Incorporated Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
US6162503A (en) * 1997-06-12 2000-12-19 Macdermid, Incorporated Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
US6146701A (en) 1997-06-12 2000-11-14 Macdermid, Incorporated Process for improving the adhension of polymeric materials to metal surfaces
JPH1129883A (ja) * 1997-07-08 1999-02-02 Mec Kk 銅および銅合金のマイクロエッチング剤
JP3909920B2 (ja) * 1997-07-24 2007-04-25 メック株式会社 銅および銅合金の表面処理法
US5962190A (en) * 1997-08-27 1999-10-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photopolymerizable compositions having improved sidewall geometry and development latitude
KR100489576B1 (ko) * 1997-10-08 2005-12-21 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
US6261466B1 (en) 1997-12-11 2001-07-17 Shipley Company, L.L.C. Composition for circuit board manufacture
US6054061A (en) * 1997-12-11 2000-04-25 Shipley Company, L.L.C. Composition for circuit board manufacture
US6284309B1 (en) 1997-12-19 2001-09-04 Atotech Deutschland Gmbh Method of producing copper surfaces for improved bonding, compositions used therein and articles made therefrom
TW460622B (en) 1998-02-03 2001-10-21 Atotech Deutschland Gmbh Solution and process to pretreat copper surfaces
TW470785B (en) 1998-02-03 2002-01-01 Atotech Deutschland Gmbh Process for preliminary treatment of copper surfaces
JP2000064067A (ja) 1998-06-09 2000-02-29 Ebara Densan Ltd エッチング液および銅表面の粗化処理方法
US6358847B1 (en) * 1999-03-31 2002-03-19 Lam Research Corporation Method for enabling conventional wire bonding to copper-based bond pad features
US6188027B1 (en) 1999-06-30 2001-02-13 International Business Machines Corporation Protection of a plated through hole from chemical attack
DE19951324C2 (de) 1999-10-20 2003-07-17 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum elektrolytischen Behandeln von elektrisch leitfähigen Oberflächen von gegeneinander vereinzelten Platten- und Folienmaterialstücken sowie Anwendung des Verfahrens
DE19951325C2 (de) 1999-10-20 2003-06-26 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum elektrolytischen Behandeln von elektrisch gegeneinander isolierten, elektrisch leitfähigen Strukturen auf Oberflächen von elektrisch isolierendem Folienmaterial sowie Anwendungen des Verfahrens
US7351353B1 (en) 2000-01-07 2008-04-01 Electrochemicals, Inc. Method for roughening copper surfaces for bonding to substrates
US6383272B1 (en) 2000-06-08 2002-05-07 Donald Ferrier Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces
JP4033611B2 (ja) 2000-07-28 2008-01-16 メック株式会社 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いるマイクロエッチング法
US6521139B1 (en) 2000-08-04 2003-02-18 Shipley Company L.L.C. Composition for circuit board manufacture

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100128335A (ko) * 2008-03-21 2010-12-07 엔쏜 인코포레이티드 다작용기성 화합물을 이용한 적층체에 대한 금속의 접착 촉진
KR100901060B1 (ko) * 2009-02-09 2009-06-04 김의연 내열성 조면형성 조성물 및 이를 이용한 조면형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP1255797B2 (en) 2016-10-12
EP1255797A4 (en) 2009-01-14
CN1451031A (zh) 2003-10-22
JP4754752B2 (ja) 2011-08-24
CA2297447A1 (en) 2001-07-07
US20040048486A1 (en) 2004-03-11
CN100340632C (zh) 2007-10-03
US7351353B1 (en) 2008-04-01
KR100693973B1 (ko) 2007-03-12
CA2297447C (en) 2010-01-12
US7153445B2 (en) 2006-12-26
AU4506601A (en) 2001-07-16
TW546362B (en) 2003-08-11
EP1255797A1 (en) 2002-11-13
EP1255797B1 (en) 2012-06-13
JP2003519286A (ja) 2003-06-17
US20060191869A1 (en) 2006-08-31
US20020084441A1 (en) 2002-07-04
WO2001049805A1 (en) 2001-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100693973B1 (ko) 기판으로의 접합을 위한 구리 표면의 조면화 방법
KR101177145B1 (ko) 구리 및 혼합 금속 회로를 미세조면화 처리하기 위한개선된 방법
US7108795B2 (en) Composition and method for preparing chemically-resistant roughened copper surfaces for bonding to substrates
KR100459104B1 (ko) 구리코팅
JP2000282265A (ja) 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いる表面処理法
JP2002047583A (ja) 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いるマイクロエッチング法
JP4644365B2 (ja) 銅表面を前処理するための溶液及び方法
JP5596746B2 (ja) エッチング液およびそれを用いたプリント配線板の製造方法
JP4836365B2 (ja) 回路板製造のための組成物
JP4143262B2 (ja) 銅表面の前処理のための方法
JP5656081B2 (ja) 皮膜形成液及びこれを用いた皮膜形成方法
JPH0897559A (ja) 多層プリント配線板の内層用回路板の銅箔処理方法、及び該内層用回路板の銅箔処理液
TW200814184A (en) Method for manufacturing a composite of copper and resin
TW202337984A (zh) 用於改善聚合物材料至金屬基材之黏著性之單步驟氧化物浴
JPH05291729A (ja) 銅スルーホールプリント配線板の製造方法
JPH02285696A (ja) プリント配線板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130226

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140224

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150223

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160223

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170228

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180227

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200226

Year of fee payment: 14