JP7287900B2 - 熱伝導及び電気絶縁のための装置 - Google Patents
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Description
本特許出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、2017年4月13日に出願された「DEVICE FOR THERMAL CONDUCTION AND ELECTRICAL ISOLATION」という名称の米国特許出願第62/485,202号の35 U.S.C.○119(e)に基づく利益を主張する。
第2のIMS堆積誘電体層、すなわち、AlN層は、高い熱伝導率と、良好な電気絶縁に変換される高い誘電率とを有する。しかし、その高い誘電率にもかかわらず、IMSのための許容可能な電気絶縁を有するAlN堆積誘電体層を製造することは困難である。これは、現在の堆積技術を用いたAlN成長の高度に柱状の性質に由来する。
一実施形態では、絶縁金属基板(IMS)が第1の面および第2の面を有する基板を含むことができる。IMSはまた、基板の第1の面上に第1の誘電体層を含むことができる。誘電体層は、金属ベースの酸窒化物および/または半金属ベースの酸窒化物層を含んでもよく、酸素は0.1原子(at)%~49.9原子%、窒素は0.1原子%~49.9原子%、酸素および窒素の合計は約50原子%である。
一実施形態では、半金属ベースの酸窒化物がBが半金属を表し、yが0.1at%~49.9at%であり、zが0.1at%~49.9at%であり、y+zが約50at%であるBxOyNzを含む。
一実施形態では、第1の誘電体層が金属ベースの酸窒化物、III族金属ベースの酸窒化物、II族金属ベースの酸窒化物、IV族半金属ベースの酸窒化物、オキシヒドロナイトライド、およびオキシカルボナイトライドからなる群から選択される材料を含む。
一実施形態では、第1の誘電体層が酸窒化アルミニウム(AlON)、アルミニウムオキシヒドロナイトライド(AlHON)、アルミニウムオキシカルボナイトライド(AlCON)、SiGeON、GaON、SiON、およびGeONからなる群から選択される材料を含む。
一実施形態では、基板がCu、Al、AlSi、C-Al、W-Cu、またはTi、またはこれらの任意の合金のうちの1つを含む。
一実施形態では、基板はフィン付き構造を含む。
一実施形態では、基板はプレストレスを受ける。
一実施形態では、第1の誘電体層が基板のテクスチャ加工された表面上に配置される。
一実施形態では、第1の誘電体層が複数の凹部を含む。
一実施形態では、IMSはまた、基板の第1の面の上に第1の応力低減金属層を含み、基板の第2の面の上に第2の応力低減金属層を含むことができる。
一実施形態では、IMSはまた、第1の誘電体層の上にプレメタル酸窒化物接着層を含むことができる。
一実施形態では、第1の誘電体層が交互の第1および第2の誘電体層を含むことができる。
一実施形態では、第1の誘電体層が金属-酸窒化物組成勾配を含むことができる。
一実施形態では、IMSはまた、基板の第2の面の上に第2の誘電体層を含むことができる。
一実施形態では、第1の誘電体層が50nm~500μmの範囲の厚さを有する。
一実施形態では、第1の誘電体層が少なくとも1W/mkの熱伝導率および50v/μmを超える電気スタンドオフ電圧を有する。
一実施形態では、IMSが第1の面および第2の面を有する基板と、基板の第1の面上に0.0001~15at%の酸素を含む酸素ドープAlN層とを含むことができる。
一実施形態では、IMSが第1の面および第2の面と、基板の第1の面上に0.0001~15at%の窒素を含む窒素ドープAl2O3層とを有する基板を含むことができる。
一実施形態では、AlN層またはAl2O3層が複数の凹部を含む。
一実施形態では、IMSが基板とAlN層との間に金属層を含むこともできる。
一実施形態では、AlN層またはAl2O3層が基板の側面または底部を覆う。
一実施形態では、IMSはまた、基板の第2の面上に第2のAlN層またはAl2O3層を含むことができる。
一実施形態では、第1のAlN層またはAl2O3層が50nm~500μmの範囲の厚さを有する。
一実施形態では、IMSシステムがIMSボード上に配置された電子デバイスまたは音響デバイスを含むことができる。
一実施形態では、電子デバイスが発光ダイオード(LED)、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、およびトランジスタのうちの1つを含む。
一実施形態では、音響装置が圧電トランスデューサを含む。
絶縁金属基板(IMS)
対照的に、DPC/DBC CCS装置は図1Aに示すように、誘電体分離のために、より厚いセラミックコア基板1上に、より薄い付着金属層2を使用する。
IMSのための堆積誘電体層としてのAlNの問題の両方に対する解決策は、堆積誘電体層の製造中に酸素が導入されるときに見出すことができる。酸素の導入は0.001at%のレベルの酸素でドープされた窒化アルミニウムからAlONの形態を通り、0.001at%までのレベルの窒素ドープアルミナにまで及ぶ。同様に、IMS用のアルミナ膜の製造中に窒素を導入する場合、アルミナの問題に対する解決策を見出すことができる。
いくつかの実施形態ではAlNおよびAl2O3に対応するAlONのように、堆積誘電体層はとりわけ、窒化シリコン(SiN)および酸化シリコン(SiO2)の対に対応するSiON、窒化チタン(TiN)および酸化チタン(TiO2)に対応するTiON、ならびに窒化マグネシウム(MgN)および酸化マグネシウム(MgO)に対応するMgONを含むことができる。当業者であれば、TiまたはMgを他の金属で置き換えることができることを理解するのであろう。
いくつかの実施形態では、基板がとりわけ、コア金属基板、またはグラファイト、熱プラスチック、高温プラスチック、繊維強化複合体(例えば、炭素強化複合体)、セラミックマトリックス複合体、および層状積層体などの非金属ベースの基板を含むことができる。金属及び非金属を含む全ての可能な基板のセットは、ここでは簡略化のためにコア-金属-基板と呼ばれる。
一態様では、基板への化学結合がα-Al2O3中の主にイオン性からAlN中の共有結合に変化する。
図3は一実施形態による、基板上に交互の誘電体層(例えば、金属酸窒化物層)を含むIMSを示す。図3に示すように、多層構造またはフィルム7が基板3上に配置される。多層構造7は、2つの異なる交互に堆積された誘電体層AlON 7AおよびAlON’7Bを含む。
トップメタライゼーションのための変化する組成を有する金属-酸窒化物膜
一実施形態では、金属酸窒化物コーティングが基板がヒートパイプなどの相変化冷却システムである基板に塗布される。
一実施形態では、堆積誘電体層SiONはAlSi基板上にある。
一実施形態では、IMSが強化された直接銅結合のためのAlON-Al2O3を含み、ここで、Cuは基板であり、Al2O3はAlONと基板との間の層である
一実施形態では、IMSが強化上部金属ボンディングのためにAlONからAlを含み、Alは図に示すように、金属-酸窒化物後接着層である。4Cおよび4D。
一実施形態では、AlONが炭素-Al基板上に配置される。
一実施形態では、AlONがW-Cu基板上に配置される。
一実施形態では、AlONがCTEに近い整合基板上に配置される。
図4Cは一実施形態による、基板からAlONに遷移し、さらに応力緩和のためにAl上面に遷移するAlを有する組成勾配を有する金属酸窒化物層を含むIMSを示す。図4Cに示すように、IMS 400Cは、基板3上のAlON堆積誘電体層7Eの組成勾配を含む。組成勾配7EはAlON堆積誘電体層7Eと基板3との間の界面17からAl金属で始まり、AlON 21に遷移し、さらにAl金属に遷移し、AlON堆積誘電体層7Eの上面19でAl金属が終わる。
図4Dは、一実施形態による、ポスト金属酸窒化物接着層を用いた応力緩和のための図4Aの組成勾配を有する金属酸窒化物層を含むIMSを示す。図4Dに示すように、IMS 400Dは、基板3上のAlON堆積誘電体層7Fの組成勾配を含む。組成勾配7FはAlON堆積誘電体層7Fと基板3との間の界面23からAlONで始まり、Al金属に遷移し、AlON堆積誘電体層7Fの上面25上でAl金属が終わる。IMS 400Dはまた、金属から形成され得る金属酸窒化物後接着層27を含む。この金属は、金属酸窒化物層であってもよい堆積誘電体層7F中の金属とは異なっていてもよい。
図5Cは、一実施形態による、応力緩和のための2つの金属酸窒化物層の間に薄い金属内サブレイヤを含むIMSを示す。図5Cに示すように、IMS 500Cは、第1のAlON堆積誘電体層7と、基板3上にある第2のAlON堆積誘電体層7との間に応力低減層29を含む。一実施形態では、IMS 500Cが応力低減方法としてAlON~Al~AlONを含み、Alは応力低減金属層27である。
図6Aは、一実施形態による、基板上にパターン化された堆積誘電体層を含むIMSを示す。図6Aに示すように、IMS 600Aは、基板3上にエッチングされた部分31を有する堆積誘電体層7を含む。
図6Bは、一実施形態による、図6AのIMS上に後続の金属層を含むIMSボードを示す。図6Bに示すように、IMS基板600Bは、基板3上にエッチング部分31を有する堆積誘電体層7を含む。IMS基板600Bはまた、堆積誘電体層7の上に後続の金属層33を含み、また、基板3に直接接触するように堆積誘電体層7のエッチングされた部分31を充填する。後続の層33は、例えばエッチングによって、堆積された誘電体層7の頂部上にギャップ34を有するようにパターニングされる。
一実施形態では、基板3の両面が応力除去のために堆積誘電体層7でコーティングすることができる。
一実施形態では、基板3の両面を堆積誘電体層7でコーティングして、その後のIMSの使用における次のレベルのステップへの統合を促進することができる。
一実施形態では、基板3の両面を同じ厚さのAlON 7でコーティングすることができる。
一実施形態では、基板3の両面が異なる厚さのAlON 7でコーティングすることができる。
図7Cは、一実施形態による、基板の上部および2つの側壁の上に金属酸窒化物層を含むIMSを示す。図7Cに示すように、IMS 700Cは、基板3と、基板の上部および側壁上の堆積誘電体層7とを含む。
コアメタル基板
図8Aは、一実施形態による、フィン付き基板上に金属酸窒化物層を含むIMSを示す。図8Aに示すように、IMS 800Aは、誘電体層7の反対側にフィン付き部分35を有するコア金属基板3上に堆積誘電体層7を含む。フィン付き部分35は、より良好な熱抽出のために基板3の表面積を拡大する。図8Bは、一実施形態による、テクスチャ加工された基板上に金属酸窒化物層を含むIMSを示す。
一実施形態では、基板が堆積によるあらゆる変形に対抗するように予め成形することができる。図8Cは、一実施形態によるプレストレス基板を示す。図8Cに示すように、基板3は、機械的手段によって予め応力を加えることができる。コア-金属-基板のプレストレス/歪み制御は、物理的な手段によっても達成することができる。
一実施形態では、コア-金属-基板がより良好な熱抽出のために能動的に冷却されてもよい。
一実施形態では基板が後続のサブコンポーネントに切断することができ、ここで、基板は依然として1つまたは多数の小さな取り付け点を介して取り付けられる。
一実施形態では、基板がキャリアウェーハに結合することができる。キャリアウェハは、任意の材料であってよい。
一実施形態では、コア-金属-基板がより良好な応力/歪み管理のためにテクスチャ加工される。
一実施形態では、基板がウェーハの裏面にコーティングを施すことによってプレストレスを受けることができる。このコーティングは、固体である必要はなく、パターン化されたコーティングを有することが好ましい場合がある。
一実施形態では、基板の変形が前面または背面のいずれかにコーティングを塗布することによって軽減することができる。このコーティングは、固体である必要はなく、パターン化されたコーティングを有することが好ましい場合がある。
一実施形態では、基板が熱の反りまたは変形を軽減するために、堆積中に冷却することができる。
IMS委員会
図9Aは、一実施形態による、図2AのIMS上に後続の金属層を含むIMSボードを示す。図9Aに示すように、IMS基板900Aはコア金属基板3上に配置された堆積誘電体層7(例えば、金属酸窒化物層またはAl x O y N z)上の後続の金属層41を含む。
図9Bは、一実施形態による、図4AのIMS上に後続の金属層を含むIMSボードを示す。図9Bに示すように、IMS基板900Bは、コア金属基板3上に配置された堆積誘電体層7Gの組成勾配上に後続の金属層41を含む。
図9Cは、一実施形態による、基板上の組成勾配層および堆積誘電体層を含むIMS上の後続の金属層を含むIMSボードを示す。図9Cに示すように、IMSボード900Cは堆積誘電体層7Hの組成勾配上に続く金属層41を含み、堆積誘電体層7の上に配置され、これはさらにコア金属基板3の上に配置される。
図9Dは、一実施形態による、複数の応力低減層および堆積誘電体層を含むIMS上に後続の金属層を含むIMSボードを示す。図9Dに示すように、IMS基板900Dは、第1の応力低減層29の上の第1の後続の金属層41と、堆積誘電体層7と、基板3の上の第2の応力低減層29とを含む。IMS基板900Dはまた、基板3の底部上に第3のより厚い応力低減層29を含む。IMS基板900Dは、第3の後続金属層41に隣接する第2の後続金属層41をさらに含む。
IMSのシステム
一実施形態では、金属酸窒化物層は基板がるつぼまたは3次元(3D)の形状である基板に適用される。次いで、るつぼは、LED、IGBT、および圧電デバイスなどの電子デバイスを保持するために使用される。
高電気絶縁と高熱伝導率
いくつかの実施形態では、電気スタンドオフ電圧がCuおよびSiAl基板上で達成された250ボルト/ミクロン程度の高さであり得る。この電気的スタンドオフ電圧は、電子デバイスの場合、190~200ボルト/ミクロンの標準電気的スタンドオフ電圧を超える。
AlON誘電体層中の酸素含有量が増加すると、酸素含有量が増加することにつれて結合が改善される。また、電気絶縁電圧は、酸素含有量と共に増加する。例えば、酸素含有量が比較的低い場合、AlNの柱状構造はランダム化構造に向かって変化している。酸素含有量が閾値を超えると、柱状構造を無くすことができる。その代わりに、図2Bに示すように、ランダム化構造6が基板3上に形成される。
一実施形態では、他の元素または化合物を使用して、堆積中に熱伝導率を増大させることができる。
一実施形態では、IMSが50 V/μmを超える降伏電圧を有する。
基板への接着
一実施形態では、金属-金属-O結合(下側基板に結合する非柱状微結晶構造)が強いAl-Cu結合の両方を可能にする。
いくつかの実施形態では、遊離金属対金属-酸窒化物の比率が金属-酸窒化物層の接着を強化するために、後続の金属層の堆積表面からさらに減少する。
一実施形態では、他の要素を使用して、堆積中に接着力を増大させて応力プロファイルを変更することができる。
一実施形態では、他の要素がAl、Cu、Ti、W、Si、Ni、Ta、Os、Siであってもよく、個々にまたはそれらの任意の混合物であってもよい。
一実施形態では、S、P、As、Cr、V、Ag、Au、in、Cd、B、Mg、Gaなどの他の化合物を、個別に、またはそれらの任意の混合物中で、堆積中の接着性を増大させるために使用することができる。
熱膨張係数(CTE)不整合力
一実施形態では、遊離金属対金属-酸窒化物の比率が堆積表面からさらに減少して、金属-酸窒化物層の応力低減を強化する。
一実施形態では、CTE不整合から応力/歪みを低減するために、基板3の両面を同じ厚さまたは異なる厚さのAlON 7でコーティングすることができる。
一実施形態では、基板3の両面をAlON 7で一方の面を被覆し、第2の面を応力/歪み緩和層で被覆することができる。
一実施形態では、層のCTEを変化させるために、または基板材料のCTEにより良く一致させるために、酸素対窒素比を勾配内で変化させることができる。
一実施形態では、基板がコーティングの適用によって事前マスキングすることができる。
一実施形態では、基板が基板上の所望の塗布領域のネガ画像の形態で物理的ハードマスクを塗布することによって、事前マスクすることができる。
基板表面の調製および酸素処理
一実施形態では、表面と反応した酸素をさらに使用して、コーティングの結晶構造を優先的に変化させて、金属-酸窒化物コーティングと基板との機械的結合を増大させる。
一実施形態では、酸化された前処理を基板上で使用して、金属-酸窒化物コーティングと基板との化学結合を強化する。
一実施形態では、酸化前処理を使用して基板を粗くし、金属-酸窒化物コーティングと基板との機械的結合を増大させる。
一実施形態では、基板の酸化前処理を使用して、金属-酸窒化物コーティングと基板との化学結合を増大させる。
IMS堆積プロセス
いくつかの実施形態では、酸素源がとりわけ、O2、O3、H2O、H2O2清浄乾燥空気を含むことができる。
いくつかの実施形態では、窒素源がとりわけ、N2、アンモニア(NH3)、クリーンドライエア、N2O、N2O、N2O2を含むことができる。
いくつかの実施形態では、AlONが堆積された誘電体層の電気絶縁を強化するために、追加のドーパント水素を使用して堆積されてもよい。
いくつかの実施形態では、AlONの堆積がとりわけ、スパッタリング、CVD、プラズマ強化CVD(PECVD)を含むことができる。
IMSボード処理
第1の方法は、基板上に金属組成勾配層を形成することができる。金属組成勾配はAlONから、後続の金属層のための堆積表面における金属へと遷移することができる。この金属組成勾配は、原子の厚さから数十μmまでの範囲とすることができる。金属組成勾配層は任意の金属または化合物から、また金属の合金または金属と化合物の混合物から作ることができることに留意されたい。この金属組成勾配層は完全に組み立てられたIMS基板を作るために、後続の金属層のためのシード層として作用することができる。
電気的または音響的装置を支持するためのIMSは、強化された接着性を有し得る。他の元素または化合物の添加によって、さらなる増強を行うことができる。
金属組成勾配を形成するプロセスは、とりわけ、基板上に金属組成勾配層を堆積するためのスパッタリング、原子層堆積、化学気相堆積(CVD)、プラズマ強化化学気相堆積(PECVD)、液相エピタキシ、物理気相堆積(PVD)を含むことができる。金属組成勾配層は、基板上の金属酸窒化物コーティングまたは堆積誘電体層で置き換えることができる。
一実施形態では、プロセスがCu基板上の厚さ10μmのAlON、厚さ2μmのAl金属組成勾配、厚さ0.25μmのAl副層、電気化学銅(ECu)、EPd、およびIGを含む。
一実施形態では、プロセスがCu基板上の厚さ1μmのAlON、厚さ0.25μmのTi副層、追加のシード層(例えば、とりわけTi、Cr、TiW)の電解堆積、およびECu堆積を含む。
一実施形態では、プロセスがCu基板上の厚さ1μmのAlON、厚さ0.05μmのCr副層、追加のシード層(例えば、とりわけTi、Cr、TiW)の電解堆積、およびECu堆積を含む。
一実施形態では、このプロセスがAl層の亜鉛酸塩/スズ酸塩処理、EC 5μm Cu、追加のシード層(例えば、とりわけTi、Cr、TiW)の電着、10μm電着金(EG)5μmを含む。Al層をマスクし、エッチングして、後続の金属層に接着するためのパターンを形成し、完全に組み立てられたIMS基板を作製することができる。
一実施形態では、プロセスが清浄なCu基板、ラップCu基板、電解研磨Cu基板、Cu基板上の厚さ10μmのAlON、厚さ2μmのAl金属組成勾配、Alマスクおよびエッチング(パターニング)、追加のシード層(例えば、とりわけTi、Cr、TiW)の電解堆積、EC、EP、およびIGを含む。
Al層はAlと、AlおよびTiNなどの金属窒化物との混合物とすることができる(ここでも簡略化のためにTiNを示すが、任意の元素金属窒化物または化合物を使用することができ、とりわけTiN、TiW、TiCrに限定されない)。Alの量はゼロとすることができる。
金属リッチ表面の形成方法
成長中または成長後に、他の材料を添加することができる。一例では、成長中にAlONにCuを添加することができる。次に、このCuをマスクすることができ、Cuをエッチング除去して、優先的な金属リッチ領域を残すことができる。この方法は、任意の金属リッチ表面の場合にも使用することができる。
さらに、上記のいずれの方法も、当業者に知られている従来の方法を用いてパターン化することができる。
金属リッチ表面を含むIMSを形成するためのプロセスは、以下の実施形態を含むことができる。
一実施形態では、プロセスがCu基板を洗浄するステップと、Cu基板をラッピングするステップと、Cu基板を電解研磨するステップと、Cu基板上に10μmのAlONを形成するステップと、0.25μmのAlリッチAlONをAlON上に形成するステップと、シード層と、ECと、追加のシード層と、EPと、IGとを含むことができる。
一実施形態では、プロセスがCu基板を洗浄すること、Cu基板をラッピングすること、Cu基板を電解研磨すること、Cu基板上に10μmのAlONを形成すること、0.051μmの深さのパターンをレーザエッチングして、過剰なAlを有する凹型トレースパターンを生成すること、EC、追加のシード層、EP、およびIGを含むことができる。
一実施形態では、プロセスがCu基板を洗浄すること、Cu基板をラッピングすること、Cu基板を電解研磨すること、10μmのAlONからCu基板上に1μmのCuを形成すること、0.051μmの深さのパターンをレーザエッチングして、過剰なAlを有する凹型トレースパターンを生成すること、EC、追加のシード層、EP、およびIGを含むことができる。
一実施形態では、自由金属対金属-酸窒化物の比が後続の金属層の付着または後続の金属層の応力低減を強化するために、後続の金属層の堆積表面に近づくにつれて増加する。
一実施形態では、自由金属対金属-酸窒化物の比が塑性変形から応力低減層を作用させる後続の金属層の接着性を高めるために、後続の金属層の堆積表面に近づくにつれて増加する。
Al金属組成勾配または金属リッチ表面を含むIMSについては真空を破壊することなく前記製造方法を適用/実行することが好ましいが、必ずしも必要ではない。
金属-酸窒化物膜の性質
熱伝導率とスタンドオフ電圧
堆積された誘電体層は、十分な電気絶縁および熱絶縁を提供するのに十分な厚さであってもよい。いくつかの実施態様において、誘電体膜は、50nm~500μmの範囲、好ましくは1μm~100μmの範囲、最も好ましくは5μm~20μmの範囲の厚さを有する。
金属-酸窒化物膜の耐熱衝撃性
一実施形態では、基板上の金属-酸窒化物膜が-100から500℃まで循環させることができる。一実施形態では、基板上の金属-酸窒化物膜が-40から160℃まで循環させることができる。一実施形態では、基板上の金属-酸窒化物膜が0から100℃まで循環させることができる。一実施形態では、基板上の金属-酸窒化物膜が-40から700℃まで循環させることができる。一実施形態では、基板上の金属-酸窒化物膜が20から500℃まで循環させることができる。
一実施形態では、金属-酸窒化物層を含むIMSが500℃までの熱サイクル後の熱亀裂に対する耐性を有することができる。一実施形態では、IMSが400℃までの熱サイクル後の熱亀裂に対する耐性を有することができる。一実施形態では、IMSが300℃までの熱サイクル後の熱亀裂に対する耐性を有することができる。一実施形態では、IMSが200℃での熱サイクルに対する抵抗を有することができる。一実施形態では、IMSが100℃までの熱サイクル後の熱亀裂に対する耐性を有することができる。
一実施形態では、金属-酸窒化物層を含むIMSがAl2O3よりも低い耐熱性を有する。
一実施形態では、IMSがフィルム中に低~無自由金属を有する。
一実施形態では、IMSが10%未満のパーセント多孔率を有する。
いくつかの実施形態では、AlON層をマスクして、全被覆面積を減少させることができ、その結果、全応力ひずみ力が小さくなる。図12は、一実施形態によるCu基板上の誘電体層の光学画像である。図12に示されるように、IMS 1200は円または正方形のパターン化されたAlメタル層27と、パターン化された円または正方形の間にあり、また左半円上にあるAlxOyNz誘電体層7Fとを含む。以上の方法により、IMSが形成される。
図13に示すように、IMS 1300は、堆積誘電体層AlON 7とCu基板3とを含む。以上の方法によりAlONが形成される。
AlSi基板上に厚さ3.32μmのAlON膜を有するIMSの場合、降伏電圧は1500ボルトである。
本開示には下記<1>~<40>の態様が含まれる。
<1>
第1の面および第2の面を有する基板と、前記基板の第1の面上の第1の誘電体層とを含み、前記誘電体層は金属ベースの酸窒化物および/または半金属ベースの酸窒化物層を含み、前記誘電体層において酸素は0.1at%~49.9 at%であり、窒素は0.1at%~49.9 at%であり、酸素および窒素の合計は約50 at%である、絶縁金属基板(IMS)。
<2>
前記金属ベースの酸窒化物がA x O y N z を含み、ここでAは金属を表し、yは0.1at%~49.9at%であり、zは0.1at%~49.9at%であり、y+zは約50at%である、<1>に記載のIMS。
<3>
前記半金属ベースの酸窒化物がB x O y N z を含み、ここでBは半金属を表し、yは0.1at%~49.9at%であり、zは0.1at%~49.9at%であり、y+zは約50at%である、<1>に記載のIMS。
<4>
前記誘電体層は1つまたは複数の元素を含む、<1>に記載のIMS。
<5>
前記第1の誘電体層が、金属ベースの酸窒化物、III族金属ベースの酸窒化物、II族金属ベースの酸窒化物、IV族半金属ベースの酸窒化物、オキシハイドロナイトライド、およびオキシカルボナイトライドからなる群から選択される材料を含む、<1>~<4>のいずれか1つに記載のIMS。
<6>
前記第1の誘電体層は、アルミニウム酸窒化物(AlON)、アルミニウムオキシハイドロナイトライド(AlHON)、アルミニウムオキシカルボナイトライド(AlCON)、SiGeON、GaON、SiON、およびGeONからなる群から選択される材料を含む、<1>~<5>のいずれか1つに記載のIMS。
<7>
前記基板が、金属、金属合金、複合材料、およびポリマーからなる群から選択される材料を含む、<1>~<6>のいずれか1つに記載のIMS。
<8>
前記基板が、Cu、Al、AlSi、C-Al、W-Cu、およびTiのうちの1つを含む、<1>~<7>のいずれか1つに記載のIMS。
<9>
前記基板は、二次元形状または三次元形状である、<1>~<8>のいずれか1つに記載のIMS。
<10>
前記基板がフィン状構造を含む、<1>~<9>のいずれか1つに記載のIMS。
<11>
前記基板はプレストレスされている、<1>~<10>のいずれか1つに記載のIMS。
<12>
前記第1の誘電体層が、前記基板のテクスチャ表面上に配置される、<1>~<11>のいずれか1つに記載のIMS。
<13>
前記第1の誘電体層は、複数の凹部を備える、<1>~<12>のいずれか1つに記載のIMS。
<14>
前記基板と前記誘電体層との間に応力低減金属層をさらに備える、<1>~<13>のいずれか1つに記載のIMS。
<15>
前記基板の第1の側面上の第1の応力低減金属層と、前記基板の第2の側面上の第2の応力低減金属層とをさらに備える、<1>~<14>のいずれか1つに記載のIMS。
<16>
前記第1の誘電体層の上にプレメタル-酸窒化物接着層をさらに含む、<1>~<15>のいずれか1つに記載のIMS。
<17>
前記基板の側壁および/または底部を覆う第2の誘電体層をさらに備える、<1>~<16>のいずれか1つに記載のIMS。
<18>
前記第1の誘電体層は、第1の誘電体層および第2の誘電体層の交互層を含む、<1>~<17>のいずれか1つに記載のIMS。
<19>
前記第1の誘電体層が金属-酸窒化物組成勾配を含む、<1>~<18>のいずれか1つに記載のIMS。
<20>
前記基板の前記第2の側面上の第2の誘電体層をさらに備える、<1>~<19>のいずれか1つに記載のIMS。
<21>
前記第1の誘電体層は、50nm以上500μm以下の範囲の厚さを有する、<1>~<20>のいずれか1つに記載のIMS。
<22>
前記金属系酸窒化物がAlONを含み、前記AlONがランダム構造を含む、<1>~<21>のいずれか1つに記載のIMS。
<23>
前記第1の誘電体層は、1W/mk以上の熱伝導率と、50v/μmを超える電気スタンドオフ電圧とを有する、<1>~<22>のいずれか1つに記載のIMS。
<24>
第1の面および第2の面を有する基板と、前記基板の第1の面上に設けられた0.0001~15at%の酸素を含む酸素ドープAlN層と、を含む絶縁金属基板(IMS)。
<25>
第1の面および第2の面を有する基板と、前記基板の第1の面上に設けられた0.0001~15at%の窒素を含む窒素ドープAl 2 O 3 層と、を含む絶縁金属基板(IMS)。
<26>
前記基板が、金属、金属合金、複合材料、およびポリマーからなる群から選択される材料を含む、<24>または<25>に記載のIMS。
<27>
前記基板は、二次元形状または三次元形状である、<24>~<26>のいずれか1つに記載のIMS。
<28>
前記基板がフィン状構造を含む、<24>~<27>のいずれか1つに記載のIMS。
<29>
前記基板は、プレストレスされている、<24>~<28>のいずれか1つに記載のIMS。
<30>
前記第1のAlN層またはAl 2 O 3 層は、前記基板のテクスチャード表面の上に配置される、<24>~<29>のいずれか1つに記載のIMS。
<31>
前記AlN層またはAl 2 O 3 層は、複数の凹部を含む、<24>~<30>のいずれか1つに記載のIMS。
<32>
前記基板と前記AlN層との間に金属層をさらに含む、<24>~<31>のいずれか1つに記載のIMS。
<33>
前記AlN層またはAl 2 O 3 層は、前記基板の側面または底部を覆う、<24>~<32>のいずれか1つに記載のIMS。
<34>
前記基板の第2の面の上に第2のAlN層またはAl 2 O 3 層をさらに含む、<24>~<33>のいずれか1つに記載のIMS。
<35>
前記第1のAlNまたはAl 2 O 3 が、50nm~500μmの範囲の厚さを有する、<24>~<34>のいずれか1つに記載のIMS。
<36>
前記AlN層またはAl 2 O 3 層は、1W/mk以上の熱伝導率および50v/μmを超える電気スタンドオフ電圧を有する、<24>~<35>のいずれか1つに記載のIMS。
<37>
<1>~<36>のいずれか1つに記載のIMS上に更に金属層を備えるIMSボード。
<38>
<37>に記載のIMSボード上に配置された電子デバイスまたは音響デバイスを備える、IMSシステム。
<39>
前記電子デバイスが、発光ダイオード(LED)、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、およびトランジスタのうちの1つを備える、<38>に記載のIMSシステム。
<40>
前記音響デバイスは、圧電トランスデューサを備える、<38>に記載のIMSシステム。
Claims (40)
- 第1の面および第2の面を有する基板と、前記基板の第1の面上の第1の誘電体層とを含み、前記誘電体層はIII族金属ベースの酸窒化物層を含み、前記誘電体層において酸素は0.1at%~49.9 at%であり、窒素は0.1at%~49.9 at%であり、酸素および窒素の合計は50 at%である、絶縁金属基板(IMS)。
- 前記金属ベースの酸窒化物がAxOyNzを含み、ここでAは金属を表し、yは0.1at%~49.9at%であり、zは0.1at%~49.9at%であり、y+zは50at%である、請求項1に記載のIMS。
- 前記第1の誘電体層が、少なくとも1種のIII族金属ベースの酸窒化物、少なくとも1種のIII族金属ベースのオキシハイドロナイトライド、および少なくとも1種のIII族金属ベースのオキシカルボナイトライドからなる群から選択される材料を含む、請求項1または請求項2に記載のIMS。
- 前記第1の誘電体層は、アルミニウム酸窒化物(AlON)、アルミニウムオキシハイドロナイトライド(AlHON)、およびアルミニウムオキシカルボナイトライド(AlCON)からなる群から選択される材料を含む、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記基板が、金属、金属合金、複合材料、およびポリマーからなる群から選択される少なくとも1種の材料を含む、請求項1~請求項4のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記基板が、Cu、Al、AlSi、C-Al、W-Cu、またはTiの少なくとも1種を含む、請求項1~請求項5のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記第1の誘電体層が、前記基板のテクスチャ表面上に配置される、請求項1~請求項6のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記第1の誘電体層は、複数の凹部を備える、請求項1~請求項7のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記基板と前記誘電体層との間に応力低減金属層をさらに備える、請求項1~請求項8のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記基板の第1の側面上の第1の応力低減金属層と、前記基板の第2の側面上の第2の応力低減金属層とをさらに備える、請求項1~請求項9のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記第1の誘電体層の上に接着層をさらに含む、請求項1~請求項10のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記基板の端部および/または前記第2の面を覆う第2の誘電体層をさらに備える、請求項1~請求項11のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記第1の誘電体層は、第1の誘電体層および第2の誘電体層の交互層を含む、請求項1~請求項12のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記第1の誘電体層が金属-酸窒化物組成勾配を含む、請求項1~請求項13のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記第1の誘電体層は、50nm以上500μm以下の範囲の厚さを有する、請求項1~請求項14のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記金属ベースの酸窒化物がAlONを含み、前記AlONがランダム構造を含む、請求項1~請求項15のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記第1の誘電体層は、1W/mk以上の熱伝導率と、50v/μmを超える電気スタンドオフ電圧とを有する、請求項1~請求項16のいずれか1項に記載のIMS。
- 第1の面および第2の面を有する基板と、前記基板の第1の面上に設けられた0.0001~15at%の酸素を含む酸素ドープAlN層と、を含む絶縁金属基板(IMS)。
- 前記AlN層は、前記基板のテクスチャード表面の上に配置される、請求項18に記載のIMS。
- 前記AlN層は、複数の凹部を含む、請求項18または請求項19に記載のIMS。
- 前記基板と前記AlN層との間に金属層をさらに含む、請求項18~請求項20のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記AlN層は、前記基板の端部および/または第2の面を覆う、請求項18~請求項21のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記基板の第2の面の上に第2のAlN層をさらに含む、請求項18~請求項22のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記AlN層が、50nm~500μmの範囲の厚さを有する、請求項18~請求項23のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記AlN層は、1W/mk以上の熱伝導率および50v/μmを超える電気スタンドオフ電圧を有する、請求項18~請求項24のいずれか1項に記載のIMS。
- 第1の面および第2の面を有する基板と、前記基板の第1の面上に設けられた0.0001~15at%の窒素を含む窒素ドープAl2O3層と、を含む絶縁金属基板(IMS)。
- 前記Al 2 O 3 層は、前記基板のテクスチャード表面の上に配置される、請求項26に記載のIMS。
- 前記Al 2 O 3 層は、複数の凹部を含む、請求項26または請求項27に記載のIMS。
- 前記Al 2 O 3 層は、前記基板の端部および/または第2の面を覆う、請求項26~請求項28のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記基板の第2の面の上に第2のAl 2 O 3 層をさらに含む、請求項26~請求項29のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記Al 2 O 3 層が、50nm~500μmの範囲の厚さを有する、請求項26~請求項30のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記Al 2 O 3 層は、1W/mk以上の熱伝導率および50v/μmを超える電気スタンドオフ電圧を有する、請求項26~請求項31のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記基板が、金属、金属合金、複合材料、およびポリマーからなる群から選択される材料を含む、請求項18~請求項32のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記基板は、二次元形状または三次元形状である、請求項18~請求項33のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記基板がフィン状構造を含む、請求項18~請求項34のいずれか1項に記載のIMS。
- 前記基板は、プレストレスされている、請求項18~請求項35のいずれか1項に記載のIMS。
- 請求項1~請求項36のいずれか1項に記載のIMS上に更に金属層を備えるIMSボード。
- 請求項37に記載のIMSボード上に配置された電子デバイスまたは音響デバイスを備える、IMSシステム。
- 前記電子デバイスが、発光ダイオード(LED)、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、およびトランジスタのうちの1つを備える、請求項38に記載のIMSシステム。
- 前記音響デバイスは、圧電トランスデューサを備える、請求項38に記載のIMSシステム。
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