KR20020073538A - 전기 부품용 봉입물 및 그의 제조 방법 - Google Patents

전기 부품용 봉입물 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20020073538A
KR20020073538A KR1020027010114A KR20027010114A KR20020073538A KR 20020073538 A KR20020073538 A KR 20020073538A KR 1020027010114 A KR1020027010114 A KR 1020027010114A KR 20027010114 A KR20027010114 A KR 20027010114A KR 20020073538 A KR20020073538 A KR 20020073538A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
resin layer
frame structure
frame
auxiliary
Prior art date
Application number
KR1020027010114A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100742435B1 (ko
Inventor
볼프강 팔
발터 피셔
Original Assignee
에프코스 아게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에프코스 아게 filed Critical 에프코스 아게
Publication of KR20020073538A publication Critical patent/KR20020073538A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100742435B1 publication Critical patent/KR100742435B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/162—Disposition
    • H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip

Abstract

본 발명은 민감 부품 구조물(2)의 봉입을 위해, 상기 부품 구조물을 감광성 반응 수지로 이루어진 프레임 구조물(6)과 함께 밀봉하고, 이를 보조막(7)의 도포 후 구조화된 또 다른 반응 수지 층(8)으로 덮는 방법을 제안한다. 예컨대 구조화 임프린팅 또는 포토 구조화에 의해 상기 프레임 구조물(6) 위에 매칭되는 최상 구조물(10)이 제조될 수 있다. 노출된 보조막의 나머지 부분은 용해되거나 에칭에 의해 제거된다.

Description

전기 부품용 봉입물 및 그의 제조 방법{ENCAPSULATION FOR AN ELECTRICAL COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}
WO 95/30 276에는 전기 및 전자 부품을 위한 봉입물이 공지되어있다. 상기 봉입물은 부품 구조물을 둘러싸는 프레임 구조물과 지지 구조물, 그리고 그 위에 적층되는 커버층으로 구성되며, 상기 커버층은 프레임과 함께 민감한 구조물을 둘러싸는 밀폐식 캡을 형성할 수 있다. 이 때, 프레임 구조물뿐만 아니라 커버층도 바람직하게는 포토레지스트 재료 및 특히 포토레지스트 박막으로 제조된다. 이를 위해 포토레지스트 재료 및 포토레지스트 박막이 전체 면에 코팅되고, 마스크를 통해 노광 및 현상된다. 이 단계는 프레임 구조물 및 커버층에 대해 별도로 수행된다. 종합해볼때, 상기 방법은 비교적 비용이 많이 들고 다수의 방법 단계를 필요로 한다.
웨이퍼로부터 전기 및 전자 부품을 제조하는 경우, 이미 웨이퍼 상태에서, 즉 개별 부품들로 분리되기 전에 웨이퍼 상에 형성된 민감 부품 구조물에 커버를 제공해야 한다. 상기 커버는 우선 추후 제조 과정에서 외부의 영향에 대한 보호물로서 사용되거나 특정 하우징 기술을 위한 토대(베이스)를 형성할 수 있다. 특히 그러한 커버는 긁힘 및 충격에 대한 기계적 보호물, 추후 가공 공정에 사용되는 매체에 대한 밀봉 보호물 또는 오염물, 특히 소형화 부품에서 상당한 장애가 되는 도전 입자들에 대한 보호물을 의미할 수 있다. 이러한 커버를 기초로 하여 예컨대 수지를 이용한 주조, 플라스틱 압출, 추가 하우징 내로의 삽입 등을 통해 완전한 하우징이 구현될 수 있다.
예컨대 표면파 부품들은 미세 구조의 도체 스트립으로 형성된 인터디지털 변환기 및 리플렉터를 둘러쌀 수 있는 매우 민감한 부품 구조물들을 포함한다. 이러한 민감 구조물들은 통상 전술한 커버와 접촉되어서는 안된다. 그렇지 않으면 관련 표면파 부품의 특성이 허용될 수 없을 정도로, 그리고 재생될 수 없을 정도로 변동될 수 있기 때문이다. 이러한 구조물의 커버는 상기 구조물 위로 공동을 형성하는 봉입(encapsulation)에 의해서만 가능하다.
도 1 내지 8은 봉입물 제조시 봉입될 부품의 개략적 횡단면도에 따라 상이한 방법 단계를 나타낸 것이다.
도 9는 한 방법 단계동안의 부품을 개략적 평면도로 나타낸 것이다.
본 발명의 목적은 더 간단하게 수행될 수 있는, 그럼에도 불구하고 민감 부품 구조물도 안전하게 봉입될 수 있게 하는, 민감 부품 구조물의 봉입 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은 본 발명에 따라 청구항 제 1항에 따른 방법을 통해 달성된다. 본 발명의 바람직한 실시예 및 그에 따라 제조된 봉입물은 그 외 청구항들에 제시되어있다.
본 발명에 따른 방법은 바로 앞에서 기술한 공지된 봉입과 마찬가지로 두 부분, 즉 부품 구조물을 둘러싸는 프레임 구조물과 그 위에 적층되는 최상부 구조물로 이루어진 봉입을 기초로 한다. 그러나 공지된 방법과 달리 본 발명에서는 프레임 구조물뿐만 아니라 최상부 구조물에도 액체 상태로 제공될 수 있는 반응 수지가 사용된다. 상기 반응 수지는 추후에 경화된다. 제 1 반응 수지 층의 노광 및 현상에 의해 프레임 구조물이 형성된 후, 그 위에는 전체 면에 걸쳐서, 즉 개별 부품 위뿐만 아니라 경우에 따라 전체 웨이퍼 위에도 보조 박막이 적층되고, 상기 보조 박막은 기판 위에 생성된 전체 프레임 구조물을 덮으며 프레임 구조물 위에 단단하게 고착된다. 그런 다음 상기 보조 박막 위로 제 2 반응 수지 층이 구조화되어 적층된다. 마지막 단계에서는 프레임 구조물 외부 또는 최상부 구조물 사이에서 노출되는 보조 박막 영역이 바람직하게는 용매에 의해 용해되거나 플라즈마 처리를 통해 제거된다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는 제 2 반응 수지 층을 위해 UV 경화성 반응 수지가 사용되고, 상기 UV 경화성 반응 수지는 전체 면에 적층된 후 계속 구조화되어 노광, 현상 및 경화된다.
이 경우, 특히 액상 반응 수지의 스핀-온 증착이 제어하기 쉽고 간단한 방법 단계라는 점이 유리하며, 이 방법은 레지스트 박막의 코팅보다 더 간단하게 수행할 수 있고, 전체적으로 비용이 더 적게 든다. 이 경우, 최상부 구조물을 위해 제공되는 제 2 반응 수지 층이 봉입을 위해 충분한 기계적 안정성을 보증하는 바람직한 두께로 적층될 수 있다. 그러면 상기 최상부 구조물 위에 추가 층들을 적층할 필요가 없다.
이 때, 제 1 및 제 2 반응 수지 층의 패턴에 따른 노광은 각각 레이저, 특히 UV 레이저를 이용한 스캐닝에 의해 이루어진다. 이는 프로세스가 간단한 방법으로부품 구조물의 변동에 적합하게 매칭될 수 있고, 처음에 노광 프로세스를 위해 고가의 포토 마스크를 생성할 필요가 없다는 장점을 갖는다.
바람직한 방식으로 제 1 반응 수지 층 내에 프레임 구조가 제조되는 것에 병행하여 추가의 부품 구조물, 특히 표면파 부품의 댐핑 구조물이 함께 생성될 수 있다. 이 경우에는 반응 수지 층의 재료가 음향학적으로 적합한, 즉 적절한 경도 및 적절한 탄성 계수를 갖는 것이 바람직하다.
반응 수지 층의 현상은 바람직하게는 액상 현상제에 의해 이루어지거나, 사용된 수지 계열(resin system)에 따라 유기 용매 또는 수성 알칼리성 용매에 의해 이루어진다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는 구조화된 제 2 반응 수지 층이 프레임 구조물 위의 영역 내 보조 박막 상으로의 구조화 임프린팅 및 경화에 의해 생성된다. 구조화 임프린팅 방법으로는 실크 스크린 프린팅이 적합하다. 임프린팅은 보조 박막으로 인해 구조물 치수가 작은 부품 구조물에서도 위험하지 않다. 왜냐하면 프레임 구조물만이 제 2 반응 수지 층으로 덮여야 하기 때문이다. 이러한 목적을 위해서, 상기 프린팅 공정이 제 1 반응 수지 층의 제조에는 적합하지 않다 할지라도, 상기 프린팅 공정의 프린팅 정확성은 충분하다.
보조 박막으로는 얇은 플라스틱 박막 및 특히 얇은 열가소성 박막이 사용될 수 있다. 이러한 박막은 쉽게 펼쳐질 수 있기 때문에 프레임 구조물 위로 평면 커버를 생성시킨다는 장점을 갖는다. 또한 플라스틱 박막은 예컨대 접착, 용융 또는 용접에 의해 프레임 구조물과 잘 결합될 수 있다.
이 때, 플라스틱 박막의 재료는 다시 간단하게 제거될 수 있도록 선택될 수 있다. 특히 상기 재료는, 봉입에 의한 커버용으로 제공되지 않는 프레임 구조물들 사이의 영역 내에 있는 플라스틱 박막의 제거를 위해 사용될 수 있는 용매에 잘 용해될 수 있다.
상응하게 얇은 플라스틱 박막은 플라즈마, 특히 산소함유 플라즈마에서도 쉽게 제거될 수 있다. 이 때 제 2 반응 수지 층의 두께는, 상기 제거 프로세스에서 제 2 반응 수지 층 상에도 작용하는 용해시 미분 동작(derivative action)이 충분히 허용되게 하는데 충분하도록 선택된다. 플라스틱 박막의 재료로는 특히 폴리아미드 박막, PET 박막 또는 폴리카보네이트 박막이 적합하다. 이 때, 플라스틱 박막의 두께는 한 편으로는 가능한 한 얇도록, 그러나 다른 한 편으로는 너무 많이 휘지 않고도 제 2 반응 수지 층을 충분히 지지할 수 있도록 선택된다. 통상 박막 두께는 1㎛ 정도면 충분하다. 그러나 약 20㎛까지의 더 두터운 박막 또는 예컨대 0.5 내지 5㎛ 두께의 더 얇은 박막도 사용될 수 있다.
하기에는 실시예 및 그와 관련된 9 개의 도면을 참고로 본 발명이 더 자세히 설명된다.
실시예에에서는 표면파 부품의 민감 능동 부품 구조물들의 봉입에 대해 기술된다. 설명되는 도면들은 단지 개략적으로 도시되었기 때문에 축척이 정확하지 않다.
도 1에는 압전 기판(1), 예컨대 리튬탄탈레이트 또는 리튬니오베이트로 된 웨이퍼가 도시되어있다. 기판(1) 표면 상에는 상이한 부품 구조물, 특히 도전 구조물, 예컨대 알루미늄으로 된 금속층이 적층된다. 도 1에는 상기 금속층의 일부만, 즉 민감 부품 구조물(2)만 도시되어있다. 상기 부품 구조물들(2)은 하나의 웨이퍼 상에 배치되긴 하나 상이한 부품에 속할 수 있다. 기판(1) 위에는 상기 부품 구조물(2) 위로 전체 면에 걸쳐서 감광성 반응 수지 층(3)이 예컨대 약 50㎛의 두께로 스핀-온 증착된다. 이 때 상기 반응 수지 층(3)의 두께는, 부품 구조물(2)의 상부 에지와 반응 수지 층(3) 사이의 높이차가 부품 구조물(2)의 커버를 위한 확실한 간격을 보증할 정도로 상기 반응 수지 층이 부품 구조물(2)의 두께를 초과하도록 선택된다.
반응 수지로서 바람직하게는 UV 방사 하에서 경화될 수 있는 양이온 개시형 UV 경화성 무용매 에폭시 수지가 적층된다. 양이온 경화성 에폭시화물 외에도 상기 반응 수지는 노광원에 적합한 광 개시제 또는 광 개시제 계열을 함유하고 있다. 이와 같은 에폭시 수지는 예컨대 독일 특허 공개 명세서 제 DE-A 44 43 946호에 공지되어있다. 상기 문서는 본 발명과 전반적인 내용에 있어서 관련이 있다. 경화를 돕기 위해 반응 수지는 바람직하게는, 세일린 하이드록사이드(saline hydroxide) 군 또는 유기아민 군으로부터 선택될 수 있는 염기성 첨가물도 함유할수 있다.
도 2에서는 UV-레이저를 이용한 스캐닝 방식의 노광(4)을 통해 제 1 반응 수지 층(3) 내 특정 영역(5)이 노광되고 적어도 경화된다. 노광을 통해 현상액에 의한 현상을 가능하게 하는 제 1 반응 수지 층(3)의 노광된 영역(5)과 노광되지 않은 영역 사이의 용해도 편차가 제공된다.
도 3은 현상된 이후의 부품을 도시한 것이다. 본래의 제 1 반응 수지 층(3)에서 노광 및 현상 후 남겨진 영역(6)은 민감 부품 구조물들(2)을 둘러싸는 밀폐식 프레임 구조물(6)을 형성한다. 경우에 따라 상기 방법 단계에서 단시간의 온도 상승으로 인해, UV-레이저에 의해 경화되는, 경우에 따라서는 UV-레이저에 의해서만 경화되는 프레임 구조물(6)이 완전하게 경화될 수 있다. 완전 경화는 현상 되기 전에도 이루어질 수 있다.
이제 상기 프레임 구조물(6) 위에는 얇은 플라스틱 박막(7)이 빈틈없이 놓이도록 팽팽하게 펴진다. 바람직하게는 보조 박막으로 사용된 플라스틱 박막(7)이 전체 기판(1)에 걸쳐서 펴진다.
도 4는 상기 방법 단계 이후의 구조를 나타낸 것이다. 가열, 접착제가 코팅된 박막의 사용, 레이저 용접이나 마찰 용접 또는 유사한 조치를 통해 박막(7)과 프레임 구조물(6) 사이의 지속적인 결합이 야기된다.
이어서 상기 보조 박막(7) 위에는 마찬가지로 액상 감광성 반응 수지 층(8)이 전체 면에 걸쳐서 스핀-온 증착된다. 바람직하게는 제 1 반응 수지 층과 동일한 수지가 사용된다. 이 때, 상기 제 2 반응 수지 층(8)의 두께는 보조 박막(7)의두께보다 훨씬 더 두껍게 선택된다. 도 5는 이러한 방법 단계 이후의 구조를 보여준다.
제 1 반응 수지 층(8)에서도 경화 영역(9)을 생성하기 위한 구조화 노광이 일어나고, 이는 제 1 반응 수지 층(3)의 노광과 유사하게 역시 스캐닝 방식의 UV 레이저 방사를 통해 수행된다. 이 때 경화된 영역(9)은, 프레임 구조물(6)에 매칭되고 상기 경화 영역(9)의 외부 둘레에 의해 마감되는 최상부 구조물을 형성한다(도 6 참조).
도 7에 도시된 것처럼, 경우에 따라 상기 영역(9)에서의 경화를 완전하게 하기 위해 추가의 온도 단계가 수행된다. 이어서 액상 현상제에 의해, 사용된 수지 계열에 따라 유기 용매 또는 수성 알칼리성 용매에 의해 제 2 반응 수지 층(8)의 노광되지 않은 영역이 제거되고, 이 때 최상부 구조는 남게 된다.
다음 단계에서는 이제 플라스틱 박막(7)의, 최상부 구조물(10)에 의해 덮이지 않은 영역이 적절한, 예컨대 산소를 함유한 플라즈마 내에서의 단시간의 회화(灰化) 처리를 통해 제거된다. 상기 에칭 단계에서 플라스틱 박막(7)의, 노출되어 덮이지 않은 영역이 완전히 제거된다. 동시에 최상부 구조물(10)의 부분적인 층 제거가 실시된다. 도 8은 그 결과로서 완전히 봉입된 부품 구조물(2)을 나타내며, 이 때 봉입물은 프레임 구조물(6)과 최상부 구조물(10) 및 이들 사이에 놓인 보조 박막(11)의 잔여물로 이루어져있다. 부품 구조물(2)은 이제 밀봉되고, 예컨대 추가의 침식성 방법 단계에 대해 보호된다. 부품 구조물들 사이 또는 봉입물들 사이에 있는 기판(6)이 예컨대 절단(sawing) 공정에 의해 분할됨으로써, 부품들이 상기 단계에서 분리되는 것도 가능하다.
도 9는 민감 부품 구조물(2)을 둘러싸는 프레임 구조물(6)을 개략도로 나타낸 것으로서, 상기 민감 부품 구조물들(2)은 여기서 미로 형태로 개략적으로만 도시되어있다. 민감 부품 구조물은 도체 스트립에 의해 기판(1) 상에 있는 전기 접속면(12)과 연결될 수 있다. 그런 다음 프레임 구조물(6)이 상기 민감 부품 구조물(2)을 둘러싸도록 배치된다. 그러나 접속면(12)은, 경우에 따라 상기 접속면을 위한 전기 리드선의 일부와 함께, 프레임 구조물(6)의 외부에 놓인다. 이 때, 상기 전기 리드선의 일부는 프레임 구조물에 의해 덮인다. 프레임 구조물(6)의 둘레와 일치하는 외부 경계선을 갖는 최상부 구조물(11, 10)이 적층된 후에는 전기 접속면(12)도 접근하기 쉽게 남겨지고 외부로부터 접촉될 수 있다. 이는 예컨대 플립 칩 본딩을 통해 구현될 수 있으며, 이 경우 접속면(12)은 소위 범프를 통해 베이스 플레이트와 연결된다. 그러나 본딩 와이어를 이용하여 접속면(12)을 통한 부품 접속을 수행하는 것도 가능하다.
민감 부품 구조물이 기판의, 베이스 플레이트 쪽을 향하는 표면 상에 놓이는 플립 칩 본딩에 의한 추가 가공이 바람직하며, 그로 인해 상기 민감 부품들이 추가로 보호된다. 기판(1)과 베이스 플레이트(도면에는 도시되지 않음) 사이 공간의 추가 시일링을 통해 부품이 더욱 밀봉될 수 있다.
본 발명은 1 가지 실시예에만 의거하여 기술되었으나, 여기에만 제한되는 것은 아니다. 본 발명을 이용하여 다른 부품들도 봉입할 수 있으며, 이 때 다른 기판 재료, 다른 반응 수지 또는 다른 방식의 노광도 사용될 수 있다. 이 경우, 봉입될 부품 내지는 부품 구조물의 종류는 광범위하게 변동 가능한 봉입물의 구조적 치수도 결정한다.

Claims (15)

  1. 전기 부품 상의 민감 부품 구조물을 선택적으로 봉입하기 위한 방법으로서,
    - 민감 부품 구조물을 포함하는 부품 기판(1)의 표면 상에 액상의 제 1 감광성 반응 수지 층(3)이 전체 면에 걸쳐서 스핀-온 증착되는 단계,
    - 제 1 반응 수지 층이 패턴에 따라 노광 및 현상되고, 상기 부품 구조물(2)을 둘러싸는 프레임 구조물(6)이 남겨지는 단계,
    - 상기 기판(1)의 전체 프레임 구조물(6) 위에 보조 박막(7)이 도포되는 단계,
    - 상기 프레임 구조물(6) 위의 영역 내에서, 상기 프레임(6)으로 마감되고 상기 프레임(6)과 함께 공동을 형성하는 최상부 구조물(10)이 남겨지도록, 보조 박막의 표면 상에 구조화된 제 2 반응 수지 층(8)이 생성되는 단계,
    - 상기 최상부 구조물(10) 내 노출된 영역에서 상기 보조 박막(7)을 제거하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    구조화된 상기 제 2 반응 수지 층(8)은
    - 상기 보조 박막(7)의 표면 위에 액상의 제 2 감광성 반응 수지 층(8)이 전체 면에 걸쳐서 스핀-온 증착되는 단계,
    - 제 2 반응 수지 층이 패턴에 따라 노광 및 현상되고, 이 때 상기프레임(6)으로 마감되며 상기 프레임(6)과 함께 공동을 형성하는 최상부 구조물(10)이 남겨지는 단계를 통해 생성되는 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    제 1 및/또는 제 2 반응 수지 층(3, 8)의 패턴에 따른 노광은 레이저를 이용한 주사(4)를 통해 실시되는 방법.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    노광된 상기 제 1 및/또는 제 2 반응 수지 층(3, 8)의 현상은 액체 현상제에 의해 실시되는 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    구조화된 상기 제 2 반응 수지 층(8)은 프린팅 공정에 의해 구조화되어 보조 박막(7) 위에 적층되는 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 최상부 구조물(10)은 실크 스크린 프린팅 공정에 의해 적층된 후 경화되는 방법.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조 박막(7)으로서 얇은 플라스틱 박막이 사용되는 방법.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조 박막(7)은 프레임 구조물(6)과 접착되거나 용접되는 방법.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 최상부 구조물들 사이에서 노출되는 보조 박막(7)은 플라즈마를 이용한 회화(灰化) 처리를 통해 제거되는 방법.
  10. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 최상부 구조물들 사이에서 노출되는 보조 박막(7)은 보조 박막용 용매를 이용한 처리를 통해 제거되는 방법.
  11. 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 반응 수지 층(3)의 패턴에 따른 노광 및 현상시, 프레임 구조물(6)에 부가로 댐핑 구조물도 생성되는 방법.
  12. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보조 박막(7)은 폴리아미드 박막, PET 박막 또는 폴리카보네이트 박막 중에서 선택되고, 0.5 내지 5 ㎛의 두께를 갖는 방법.
  13. 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 반응 수지 층(3, 8)은 UV 경화성 에폭시 수지를 함유하는 방법.
  14. 기판(1) 위에 민감 부품 구조물(2)을 포함하는 전기 부품을 위한 봉입물로서,
    - 기판 상에 상기 민감 부품 구조물들을 둘러싸는, 경화 반응 수지로 된 프레임 구조물(6)을 포함하고,
    - 상기 프레임 구조물(6)을 덮고, 그와 함께 하나의 공동을 형성하도록 상기 프레임 구조물(6)을 밀폐하는, 플라스틱 박막(11) 및 그 위에 배치된 경화 반응 수지 층(10)으로 이루어진 캡을 포함하는 봉입물.
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 플라스틱 박막(7)은 열가소성 수지를 함유하고, 폴리아미드 박막, PET 박막 또는 폴리카보네이트 박막 중에서 선택되는 봉입물.
KR1020027010114A 2000-02-14 2001-02-02 전기 부품용 밀봉부 및 그의 제조 방법 KR100742435B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10006446.9 2000-02-14
DE10006446A DE10006446A1 (de) 2000-02-14 2000-02-14 Verkapselung für ein elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020073538A true KR20020073538A (ko) 2002-09-26
KR100742435B1 KR100742435B1 (ko) 2007-07-24

Family

ID=7630816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020027010114A KR100742435B1 (ko) 2000-02-14 2001-02-02 전기 부품용 밀봉부 및 그의 제조 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6984421B2 (ko)
EP (1) EP1256128B1 (ko)
JP (1) JP4970684B2 (ko)
KR (1) KR100742435B1 (ko)
CN (1) CN1205660C (ko)
CA (1) CA2399417A1 (ko)
DE (1) DE10006446A1 (ko)
WO (1) WO2001059827A1 (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3974346B2 (ja) 2001-03-30 2007-09-12 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置
DE10206919A1 (de) * 2002-02-19 2003-08-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Erzeugung einer Abdeckung, Verfahren zum Herstellen eines gehäusten Bauelements
DE10216267B4 (de) * 2002-04-12 2005-04-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses für einen Chip mit einer mikromechanischen Struktur
DE10253163B4 (de) 2002-11-14 2015-07-23 Epcos Ag Bauelement mit hermetischer Verkapselung und Waferscale Verfahren zur Herstellung
TWI275168B (en) 2003-06-06 2007-03-01 Sanyo Electric Co Semiconductor device and method for making the same
JP4704819B2 (ja) * 2005-06-30 2011-06-22 京セラキンセキ株式会社 圧電デバイスの製造方法
JP4585419B2 (ja) 2005-10-04 2010-11-24 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JP4712632B2 (ja) 2006-07-24 2011-06-29 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及びその製造方法
JP4886485B2 (ja) * 2006-11-28 2012-02-29 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP5113394B2 (ja) 2007-01-23 2013-01-09 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
DE102007058951B4 (de) * 2007-12-07 2020-03-26 Snaptrack, Inc. MEMS Package
JP5098851B2 (ja) * 2007-12-25 2012-12-12 日立化成工業株式会社 積層型封止用フィルム
DE102008040775A1 (de) 2008-07-28 2010-02-04 Robert Bosch Gmbh Verkapselung, MEMS sowie Verfahren zum selektiven Verkapseln
DE102008042106A1 (de) 2008-09-15 2010-03-18 Robert Bosch Gmbh Verkapselung, MEMS sowie Verfahren zum Verkapseln
US9241651B2 (en) * 2011-11-17 2016-01-26 Carnegie Mellon University Fabrication, methods, apparatuses, and systems for ultra-compliant probes for neural and other tissues
TWI497655B (zh) 2012-12-14 2015-08-21 Ind Tech Res Inst 環境敏感電子元件封裝體及其製作方法
JP7016240B2 (ja) * 2017-11-01 2022-02-21 株式会社カネカ 基板積層体、イメージセンサおよび基板積層体の製造方法
US11244876B2 (en) 2019-10-09 2022-02-08 Microchip Technology Inc. Packaged semiconductor die with micro-cavity

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100648751B1 (ko) 1994-05-02 2007-03-02 지멘스 마츠시타 컴포넌츠 게엠베하 운트 콤파니 카게 전자부품용밀봉장치
WO1996018182A1 (de) * 1994-12-09 1996-06-13 Siemens Aktiengesellschaft Oberflächenwellenbauelement und verfahren zur erzeugung einer dämpfungsstruktur dafür
DE19548051A1 (de) * 1995-12-21 1997-06-26 Siemens Matsushita Components Elektronisches Bauelement insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement -
EP0794616B1 (en) 1996-03-08 2003-01-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. An electronic part and a method of production thereof
US5729185A (en) * 1996-04-29 1998-03-17 Motorola Inc. Acoustic wave filter package lid attachment apparatus and method utilizing a novolac epoxy based seal
JPH11510666A (ja) 1996-05-24 1999-09-14 シーメンス マツシタ コンポーネンツ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ウント コンパニコマンデイート ゲゼルシヤフト 電子デバイス、特に表面音波で作動するデバイス―ｓａｗデバイス
WO2000000961A1 (de) * 1998-06-26 2000-01-06 Epcos Ag Verfahren zur dämpfenden beschichtung von oberflächenwellenbauelementen
JP2000165192A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP3408987B2 (ja) * 1999-03-30 2003-05-19 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
FR2799883B1 (fr) * 1999-10-15 2003-05-30 Thomson Csf Procede d'encapsulation de composants electroniques

Also Published As

Publication number Publication date
JP4970684B2 (ja) 2012-07-11
EP1256128A1 (de) 2002-11-13
CN1205660C (zh) 2005-06-08
WO2001059827A1 (de) 2001-08-16
JP2003523082A (ja) 2003-07-29
CN1401136A (zh) 2003-03-05
EP1256128B1 (de) 2013-04-03
DE10006446A1 (de) 2001-08-23
US20030012884A1 (en) 2003-01-16
CA2399417A1 (en) 2001-08-16
US6984421B2 (en) 2006-01-10
KR100742435B1 (ko) 2007-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100742435B1 (ko) 전기 부품용 밀봉부 및 그의 제조 방법
CN106158894B (zh) 电子模块及其制造方法
JP4686400B2 (ja) 光学デバイス、光学デバイス装置、カメラモジュールおよび光学デバイスの製造方法
CN1322583C (zh) 半导体器件及其制造方法
US7893514B2 (en) Image sensor package, method of manufacturing the same, and image sensor module including the image sensor package
JP4755486B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US7968961B2 (en) Solid-state image pickup device and method for manufacturing the same
US20060121184A1 (en) Photocurable-resin application method and bonding method
JPH1131751A (ja) 中空パッケージとその製造方法
JP2010062232A (ja) 素子の機能部を露出させた半導体装置の製造方法
KR20070095756A (ko) Ｍｅｍｓ 소자의 플라스틱 패키징 및 그 구조의 제조 방법
CN107093586A (zh) 一种芯片的封装结构以及封装方法
JP2009054979A (ja) 電子装置および電子装置の製造方法
JP4618639B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2009302221A (ja) 電子装置及びその製造方法
JP2003523082A5 (ko)
JP2006147864A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2007189032A (ja) 中空封止型半導体装置の製造方法
JP2004147220A (ja) Ｓａｗチップの構造、その製造方法、表面実装型ｓａｗデバイス、及びその製造方法
KR100494025B1 (ko) 이미지 센서의 제조 방법 및 그 이미지 센서를 패캐지하는 방법
JP2007150038A (ja) 光学半導体装置及びその製造方法
JP2006080297A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
US7998834B2 (en) Substrate level bonding method and substrate level package
KR20200035236A (ko) 이미지 센서 모듈 및 이의 제조 방법
CN207250481U (zh) 一种芯片的封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130712

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140715

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150713

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170710

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180705

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190709

Year of fee payment: 13