KR20200035236A - 이미지 센서 모듈 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이미지 센서 모듈 및 제조 방법을 제공한다. 이 제조 방법에서, 제1 캐리어 웨이퍼에 복수개의 제1 칩을 구비하는 제1 웨이퍼의 제1 표면을 접착하고; 제1 웨이퍼의 제2 표면에 패턴화 본딩층 또는 투명 본딩층을 적어도 포함하는 영구 본딩층을 형성하며; 제2 칩을 각각 중간의 영구 본딩층을 통해 제1 웨이퍼의 제1 칩과 본딩시킨다. 제1 칩은 투명 필터 칩과 이미지 센서 칩 중의 하나이다. 제2 칩은 투명 필터 칩과 이미지 센서 칩 중의 다른 하나이다. 이미지 센서는 투명 필터 칩을 향한 감광성 영역을 구비한다.

Description

이미지 센서 모듈 및 이의 제조 방법
본 발명은 이미지 센서 제조 분야에 관한 것으로, 구체적으로 이미지 센서 모듈 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
카메라 모듈은 휴대폰, 개인 휴대 정보 단말기 및 노트북과 같은 다양한 이동 단말기에 적용된다. 종래의 카메라 모듈의 형성은 일반적으로 우선 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 이미지 센서 칩을 인쇄 회로 기판(PCB)에 접착시킨 후, 홀더로 적외선 필터를 장착하고, 디스펜싱(dispensing) 공정을 이용하여 홀더와 적외선 필터를 이미지 센서와 본딩시켰다. 마지막으로 모터와 렌즈를 홀더에 장착하였다.
그러나, 패키징 과정에서, 이러한 제조 과정은 PCB의 이미지 센서를 주변 환경에 직접적으로 노출시켜, 감광성 영역이 오염되어 이미지 결함을 초래하기 쉽다. 이미지 센서를 PCB에 접착시킨 후, 홀더와 상기 홀더의 적외선 필터는 이미지 센서와 본딩될 수 있어, 홀더의 구조적 디자인과 크기가 더욱 제한될 수 있다.
본 발명에서 개시된 이미지 센서 모듈 및 제조 방법은 상기 문제 및 다른 관련 문제를 해결하는 방법을 제공하였다.
본 발명은 다양한 실시예를 통하여 이미지 센서 모듈의 형성 방법을 제공한다. 이 방법에서, 제1 캐리어 웨이퍼에 복수개의 제1 칩을 구비하는 제1 웨이퍼의 제1 표면을 접착하는 단계; 제1 웨이퍼의 제2 표면에 패턴화 본딩층 또는 투명 본딩층을 적어도 포함하는 영구 본딩층을 형성하는 단계; 및 제2 칩을 각각 중간의 영구 본딩층을 통해 제1 웨이퍼의 제1 칩과 본딩시키는 단계를 포함한다. 제1 칩은 이미지 센서 칩과 투명 필터 칩 중의 하나이다. 제2 칩은 이미지 센서 칩과 투명 필터 칩 중의 다른 하나이다. 또한, 이미지 센서는 투명 필터 칩을 향한 감광성 영역을 구비한다.
본 발명은 또한 다양한 실시예를 통하여 이미지 센서 모듈을 제공한다.
당업자는 해당 특허에서의 구체적인 실시형태, 청구범위 및 도면을 통하여 본 발명의 다양한 실시예를 이해할 수 있을 것이다.
하기 도면은 개시된 실시예를 해석하기 위한 예시도로서, 본 발명의 청구범위를 제한하지 않는다.
도 1 ~ 11은 본 발명의 예시적인 이미지 센서 모듈의 제조 방법을 순차적으로 실시하여 얻은 구조 단면도를 나타낸다.
도 12는 본 발명의 이미지 센서 모듈의 예시적인 제조 방법의 흐름도를 나타낸다.
도 13 ~ 17은 본 발명의 다른 예시적인 이미지 센서 모듈의 제조 방법을 순차적으로 실시하여 얻은 구조 단면도를 나타낸다.
본 발명의 목적, 특징 및 장점을 명백하고 쉽게 이해하기 위하여, 아래 도면에 결부하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. 상이한 도면에서의 동일한 도면 부호는 가능한 동일하거나 유사한 부재를 나타낸다.
본 발명은 이미지 센서 모듈 및 이의 제조 방법을 제공한다. 예를 들어, 제1 웨이퍼는 복수개의 제1 칩을 구비하고, 복수개의 제1 칩의 간격은 미리 결정된다. 제1 웨이퍼는 제1 표면을 구비한다. 이의 제1 표면(예를 들어, 배면)은 하나의 캐리어 웨이퍼에 접착된다. 제1 웨이퍼의 제2 표면(예를 들어, 제2 면)에 영구 본딩층이 형성될 수 있다. 영구 본딩층은 패턴화 본딩층 또는 투명 본딩층을 적어도 포함할 수 있다. 제2 칩은 중간의 영구 본딩층을 통해 제1 웨이퍼 중의 제1 칩과 본딩될 수 있다.
본 발명의 각 실시예에서, 제1 칩은 이미지 센서 칩과 투명 필터 칩 중의 하나이다. 제2 칩은 이미지 센서 칩과 투명 필터 칩 중의 다른 하나이다. 이미지 센서는 투명 필터 칩을 향한 감광성 영역을 구비한다.
설명의 편리를 위하여, 이미지 센서 웨이퍼/칩을 제1 웨이퍼/칩의 구체적인 예로 하고; 필터 웨이퍼/칩을 제2 웨이퍼/칩의 구체적인 예로 한다. 본 발명의 각 실시예에서, 이미지 센서 모듈 및 제조 방법에서, 제1 칩과 제2 칩의 작용과 배치는 호환될 수 있다.
예를 들어, 임시 본딩층 또는 정전 본딩 공정을 이용하여 이미지 센서 웨이퍼(또는 투명 필터 웨이퍼) 중의 제1 표면(예를 들어, 배면)을 제1 캐리어 웨이퍼에 접착시킬 수 있다. 이미지 센서 웨이퍼(또는 투명 필터 웨이퍼)에 패턴화 본딩층 또는 투명 본딩층과 같은 영구 본딩층을 형성할 수 있다. 다음, 투명 필터 칩(또는 이미지 센서 칩)을 영구 본딩층에 접착시켜 이미지 센서 웨이퍼(또는 투명 필터)와 본딩시킨다. 투명 필터 칩, 이미지 센서 웨이퍼와 영구 본딩층은 캐리어 웨이퍼에서 패키지 구조를 형성한다.
일부 실시예에서, 캐리어 웨이퍼를 제거할 수 있다. 따라서, 형성된 패키지 구조는 이송, 운반 및 저장되거나, 및/또는 임의의 용도로 추가 조립될 수 있다. 예를 들어, 캐리어 웨이퍼를 제거한 후, 패키지 구조를 PCB에 장착할 수 있고, 렌즈 어셈블리를 패키지 구조에 장착하여 예시적인 이미지 센서 모듈을 형성할 수도 있다. 본 실시예에서, PCB는 경성일 수 있고, 연성일 수도 있다.
본 발명의 각 실시예에 따라, 도 1 ~ 11은 본 발명의 예시적인 이미지 센서 모듈의 제조 방법을 순차적으로 실시하여 얻은 구조 단면도를 나타낸다. 도 12는 본 발명의 이미지 센서 모듈의 예시적인 제조 방법의 흐름도를 나타낸다. 도 13 ~ 17은 본 발명의 다른 예시적인 이미지 센서 모듈의 제조 방법을 순차적으로 실시하여 얻은 구조 단면도를 나타낸다.
도 12를 참조하면, 예시적인 이미지 센서 모듈을 제작하는 방법에서, 제1 캐리어 웨이퍼(예를 들어, S1202)를 제공한다. 도 1은 캐리어 웨이퍼의 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 제1 캐리어 웨이퍼(102)를 제공한다. 상기 제1 캐리어 웨이퍼의 재료는 실리콘(silicon), 유리, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 이들의 조합일 수 있다. 제1 캐리어 웨이퍼(102)의 두께는 약 350 ㎛ 내지 1000 ㎛ 범위이다. 일부 실시예에서, 제1 캐리어 웨이퍼(102)의 직경은 약 200 ㎜ 또는 300 ㎜일 수 있다.
또, 도 1을 참조하면, 선택 가능하게, 제1 캐리어 웨이퍼(102)에 제1 임시 본딩층(104)을 형성할 수 있다. 제1 임시 본딩층(104)으로서 예를 들어 방열층, 또는 임의의 적용되는 임시 본딩층을 포함할 수 있고; 임시 본딩층은 패키징 과정에서 패키지 구조에 대하여 지지 작용을 할 수 있고 패키지 구조를 형성한 후 분리될 수 있다.
제1 임시 본딩층(104)은 제1 캐리어 웨이퍼(102)에서 칩/다이(die)/웨이퍼에 본딩되기 위한 접착 메커니즘을 제공할 수 있다. 제1 캐리어 웨이퍼(102)에 제1 임시 본딩층(104)을 형성하는 공정으로서 라미네이션 공정, 코팅 공정 또는 인쇄 공정 등을 사용할 수 있다. 제1 임시 본딩층(104)의 두께는 약 50 ㎛ 내지 150 ㎛의 범위 내에 있을 수 있다. 제1 임시 본딩층(104)의 재료로서 열가소성 또는 열탄성 재료와 같은 폴리머 재료를 포함할 수 있다. 제1 임시 본딩층(104)은 단층 또는 다층의 재료 구조일 수 있다.
실시예에서 방열층이 사용될 경우, 방열층은 다층의 재료 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다층의 재료 구조는 이형 라이너층(release liner layer), 발포 접착제층, 폴리에스테르 고분자 필름과 같은 폴리머 필름, 압력감지층 및/또는 이형 라이너층을 포함할 수 있다. 상기 모든 다층 구조는 순서에 따라 적층될 수 있다. 발포 접착제층은 가열에 의해 발포되어 제1 캐리어 웨이퍼를 임시 본딩층면으로부터 분리시킬 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 방열층은 방열 테이프일 수 있다. 실온에서, 상기 테이프는 일반적인 접착 테이프와 같은 접착성을 갖고, 필요할 경우, 매우 쉽게 분리된다. 예를 들어, 간단한 가열로 이를 분리시킬 수 있다. 분리시키는 가열 온도는 90 ℃, 120 ℃, 150 ℃, 170 ℃ 또는 제1 임시 본딩층(104) 재료에 따른 임의의 하나의 적합한 온도를 선택할 수 있다.
또 도 12에서의 S1204를 참조하면, 제1 웨이퍼, 예를 들어 이미지 센서 웨이퍼를 제1 캐리어 웨이퍼에 접착시킬 수 있고, 이의 구조는 도 2에 도시된 바와 같다.
도 2를 참조하면, 제1 임시 본딩층(104)을 사용하여, 제1 웨이퍼, 예를 들어 이미지 센서 웨이퍼(141a)를 제1 캐리어 웨이퍼(102)에 접착시키거나 본딩시킬 수 있다.
이미지 센서 웨이퍼(141a)는 CIS 웨이퍼일 수 있고, 여기서, CMOS이미지 센서(CIS) 웨이퍼 또는 전하 결합 소자(CCD)의 이미지 센서(CIS)를 포함한다. 이미지 센서 웨이퍼(141a)는 임의의 가능한 카메라 모듈 또는 이미 제조된 집적 회로(ICs)를 포함할 수 있다. 상기 이미지 센서 웨이퍼(141a)는 제1 캐리어 웨이퍼와 본딩될 수 있다. 따라서, 제1 웨이퍼(120w)는 한 층 또는 다층의 회로 및/또는 형성된 전자 기능 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 웨이퍼(120s)는 도선, 바이어(via), 커패시터, 다이오드, 트랜지스터, 레지스터, 인덕터 및/또는 다른 전자 소자를 포함할 수 있다.
예를 들어, 이미지 센서 웨이퍼(141a)는 정면(143)과 같은 제2 표면을 포함할 수 있다. 이미지 센서 웨이퍼(141a)는 복수개의 이미지 센서 칩을 포함할 수 있다. 이미지 센서 칩의 정면은 감광성 영역과 패드 영역을 구비할 수 있다. 상기 패드 영역으로서 예를 들어 복수개의 연결패드를 포함할 수 있고; 연결패드는 적어도 일부가 감광성 영역을 둘러싸고 있다. 연결패드의 제조 재료는 구리, 금, 구리니켈 합금, 구리은 합금, 구리금 합금, 땜납, 주석-은 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
본딩 후의 이미지 센서 웨이퍼(141a)의 정면(143)은 제1 캐리어 웨이퍼(102)를 향하고, 이미지 센서 웨이퍼(141a)의 제1 표면(예를 들어, 배면)을 노출시킬 수 있다.
상이한 방법은 이미지 센서 웨이퍼(141a)를 제1 캐리어 웨이퍼(102)에 접착시킬 수 있다. 사용되는 방법은 필요한 본딩 메커니즘에 의해 결정된다. 예를 들어, 이미지 센서 웨이퍼(141a)를 적용하여 제1 임시 본딩층(104)에 본딩시키는 것은 방열층일 수 있고, 임시 본딩층(104)에 압력을 가할 수 있는데, 예를 들어, 압력 방향은 제1 캐리어 웨이퍼(102)로부터 이미지 센서 웨이퍼(141a)로의 위로 가압되는 방향이거나, 이미지 센서 웨이퍼(141a)로부터 제1 캐리어 웨이퍼(102)의 아래로 가압되는 방향이거나, 두 가지 방법의 조합일 수 있다.
하나의 예시적인 실시예에서, 이미지 센서 웨이퍼(141a)는 제1 캐리어 웨이퍼(102)의 제1 임시 본딩층(104)에 접착된다. 예를 들어, 이미지 센서 웨이퍼(141a)는 정렬된 후 제1 캐리어 웨이퍼(102)의 제1 임시 본딩층(104)에 접착될 수 있다. 상기 정렬 방법은 노치(notch) 정렬 방법이고, 이의 정확도는 50 ㎛ 내지 약 100 ㎛이다. 웨이퍼 본딩 과정에서, 실온에서, 제1 캐리어 웨이퍼(102)을 약 1E-5 mBar 내지 약 100 mBar 진공에서 3분 내지 약 10분 동안 방치할 수 있다. 이미지 센서 웨이퍼(141a)와 제1 캐리어 웨이퍼(102)를 본딩할 때, 이에 가해지는 압력은 약 1500 N 내지 약 7000 N이다.
일부 실시예에서, 제1 임시 본딩층(104)은 생략될 수 있다(미도시). 예를 들어, 정전 본딩 공정과 같은 다른 본딩 공정을 이용하여, 어떠한 본딩층을 사용하지 않는 조건 하에, 이미지 센서 웨이퍼(141a)를 제1 캐리어 웨이퍼(102)와 임시 접착시킨다.
하나의 예시적인 정전 본딩 공정에서, 제1 캐리어 웨이퍼는 전원의 양극에 연결될 수 있고, 이미지 센서 웨이퍼는 전원의 음극에 연결된 후 전압이 인가될 수 있다. 이 과정에서 이미지 센서 웨이퍼/제1 캐리어 웨이퍼를 가열할 수 있다. 전압이 인가될 때, 공핍층은 제1 캐리어 웨이퍼(예를 들어, 실리콘 웨이퍼)에 인접한 이미지 센서 웨이퍼의 표면에 형성될 수 있다. 제1 캐리어 웨이퍼와 이미지 센서 웨이퍼 사이에 거대한 정전 흡인이 생성되어 본딩에 유리하도록 밀착 접촉시킨다.
또 도 12에서의 S1206을 참조하면, 제1 캐리어 웨이퍼에 본딩된 이미지 센서 웨이퍼는 더 박화되어 박화 이미지 센서 웨이퍼를 제공할 수 있고, 이의 구조는 도 3에 도시된 바와 같다.
박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)는 제1 캐리어 웨이퍼(102)에 형성될 수 있다. 이의 공정은 이미지 센서 웨이퍼(141a)의 배면을 박화하여 이미지 센서 웨이퍼(141a)의 정면을 제1 캐리어 웨이퍼(102)에 본딩시키는 것이다.
임의의 적합한 박화 공정을 이용하여 이미지 센서 웨이퍼(141a)를 박화할 수 있다. 예를 들어, 연마 공정 또는 화학적 기계 연마 공정(CMP)을 이용하여 이미지 센서 웨이퍼(141a)의 두께를 감소시켜 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)의 두께는 약 80 ㎜ 내지 약 200 ㎜의 범위일 수 있다.
박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 분할하여 복수개의 이미지 센서 칩을 형성할 수 있다.
또 도 12에서의 S1208을 참조하면, 제2 캐리어 웨이퍼와 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 임시 본딩 접착시킬 수 있으며, 이의 예시적인 구조는 도 4에 도시된 바와 같다.
도 4에 도시된 바와 같이, 이 예에서, 제2 임시 본딩층(106)을 사용하여 제2 캐리어 웨이퍼(108)와 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 본딩시킬 수 있다. 각 실시예에서, 제1 임시 본딩층(104)과 동일하거나 유사한 재료 및 공정을 이용하여 제2 임시 본딩층(106)을 형성할 수 있다.
각 실시예에서, 정전 본딩 공정을 이용하여 제2 캐리어 웨이퍼를 박화 이미지 센서 웨이퍼와 본딩시킬 경우, 제2 임시 본딩층(106)(미도시)은 생략될 수 있다.
일부 실시예에서, 제1 임시 본딩층(104)을 사용하여 제1 캐리어 웨이퍼(102)와 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 본딩시킬 수 있다. 아울러, 정전 본딩 공정을 이용하여 어떠한 임시 본딩층을 사용하지 않고 제2 캐리어 웨이퍼(108)와 박화 이미지 센서 웨이퍼(141ｂ)를 접착시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 정전 본딩 공정을 이용하여 어떠한 임시 본딩층을 사용하지 않고 박화 이미지 센서 웨이퍼(141ｂ)와 제1 캐리어 웨이퍼(102)를 접착시킬 수 있다. 아울러, 제2 임시 본딩층(106)을 사용하여 제2 캐리어 웨이퍼(108)와 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 본딩시킬 수 있다. 또 다른 일부 실시예에서, 어떠한 임시 본딩층을 사용하지 않고 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)와 제1 캐리어 웨이퍼(102)를 정전 본딩시킬 수 있다. 아울러, 어떠한 임시 본딩층을 사용하지 않고 제2 캐리어 웨이퍼(108)와 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 정전 본딩시킬 수도 있다.
따라서, 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)의 정면은 제1 캐리어 웨이퍼(102)와 임시 본딩될 수 있고, 동시에 이의 배면은 제2 캐리어 웨이퍼(108)와 임시 본딩될 수 있다.
도 12에서의 S1210을 참조하면, 제1 캐리어 웨이퍼를 제거하여 박화 이미지 센서 웨이퍼의 정면을 노출시킬 수 있다. 박화 이미지 센서 웨이퍼의 배면은 제2 캐리어 웨이퍼에 접착된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)로부터 제1 캐리어 웨이퍼(102)를 제거하되, 제2 캐리어 웨이퍼(108)의 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)는 남길 수 있다.
예를 들어, 사용되는 재료에 기반하여, 제1 임시 본딩층(104)을 가열하여 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)로부터 제1 캐리어 웨이퍼(102)를 분리할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 임시 본딩층의 분리 조건은, 가열 온도는 약 150 ℃ 내지 약 250 ℃이고, 가열 시간은 약 1분 내지 약 10분이다.
또 다른 실시예에서, 제1 임시 본딩층은 생략된다. 정전 본딩 공정을 이용하여 박화 이미지 센서 웨이퍼와 제1 캐리어 웨이퍼를 접착시킨다. 필터와 제1 캐리어 웨이퍼 사이에 인가된 전압이 제거될 경우, 박화 이미지 센서 웨이퍼로부터 제1 캐리어 웨이퍼를 분리할 수 있다.
도 12에서의 S1212를 참조하면, 박화 이미지 센서 웨이퍼에 패턴화 본딩층 또는 투명 본딩층을 포함하는 영구 본딩층을 형성할 수 있다.
일부 실시예에서, 영구 본딩층은 패턴화 본딩층일 수 있고, 도 6에 도시된 바와 같다. 다른 실시예에서, 영구 본딩층은 투명 본딩층일 수 있고, 도 13에 도시된 바와 같다. 임의의 적용된 본딩층은 모두 웨이퍼와 웨이퍼, 또는 칩과 웨이퍼, 및/또는 웨이퍼와 유리를 접착시킴으로써, 본 발명의 다양한 실시예에 따라 패키지 구조를 형성할 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)에 패턴화 본딩층을 형성할 수 있다. 패턴화 본딩층은 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)의 복수개의 본딩층 패턴(1304)을 포함한다.
복수개의 본딩층 패턴(1304)은 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b) 상부에 위치할 수 있고, 각각의 본딩층 패턴(1304)은 그 중의 하나의 이미지 센서 칩에 있으며, 상기 이미지 센서 칩은 이후 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)로부터 분리될 수 있다. 예를 들어, 복수개의 본딩층 패턴(1304)은 미리 결정된 거리만큼 서로 이격될 수 있다. 미리 결정된 거리를 충분히 크게 하여 각각의 이미지 센서 칩을 용이하게 패키징할 수 있다.
일부 실시예에서, 수십 또는 수백 개 내지 더 많은 본딩층 패턴(1304)을 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)에 접착시켰다. 본딩층 패턴(1304)의 개수는 나중에 형성되는 이미지 센서 칩 크기, 캐리어 웨이퍼의 크기 및 구체적 응용에 의해 결정된다.
예를 들어, 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)의 본딩층 패턴(1304)은 방죽(cofferdam) 형상 또는 임의의 적합한 형상을 구비할 수 있다. 본딩층 패턴(1304)을 위치 결정 및 정렬하여 이미지 센서 웨이퍼에서 대응되는 이미지 센처 칩 감광성 영역의 표면 영역을 적어도 감싸거나 폐쇄할 수 있다.
본딩층 패턴(1304)은 일정한 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 이의 폭은 50 ㎜보다 크게 하여 후속적인 필터 칩과 이미지 센서 칩의 본딩 공정에 충분한 지지 작용과 안정성을 제공할 수 있다.
패턴화 본딩층은 본딩층 패턴(1304)을 포함하고, 단층 구조일 수 있고, 다층 구조일 수도 있다. 패턴화 본딩층은 일정한 두께를 구비할 수 있다. 이미지 센서 웨이퍼(141b) 표면에 기반하여, 패턴화 본딩층의 두께는 약 20 ㎛ 내지 약 1000 ㎛의 범위 내에 있을 수 있고, 예를 들어, 약 20 ㎛ 내지 약 600 ㎛의 범위 또는 약 20 ㎛ 내지 약 60 ㎛ 범위에 속한다.
패턴화 본딩층은 다층 구조일 수 있다. 다층 구조로서 다층 폴리머층과 폴리머층 사이에 개재된 감광성 층을 포함한다. 여기서, 폴리머층은 폴리에틸렌 테레프타레이트(PET)층 또는 폴리에스테르 고분자층(PE) 또는 임의의 적합한 폴리머층일 수 있다. 감광성 층은 감광성 재료의 합성 단량체, 광중합 개시제, 폴리머 접착제 및 첨가제(예를 들어, 촉매 및 염료)를 포함할 수 있다. 합성 단량체는 패턴화 본딩층의 조성 성분 중의 하나이다.
일부 실시예에서, 포토리소그래피 공정을 이용하여 패턴화 본딩층을 형성할 수 있다. 예를 들어, 패턴화 본딩층은 패턴화 드라이 필름일 수 있다. 패턴화 드라이 필름의 제조 과정은 박화 이미지 센서 웨이퍼에 드라이 필름을 형성하고, 포토리소그래피 공정을 이용하여 드라이 필름을 패턴화하여 패턴화 드라이 필름을 형성하는 단계를 포함한다.
하나의 예시적인 포토리소그래피 공정 과정에서, 약 50 Pa 내지 약 500 Pa의 진공과 약 80 ℃ 내지 약 130 ℃의 온도의 조건 하에서, 드라이 필름을 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)에 코팅한다. 약 110 ℃ 내지 약 150 ℃의 온도에서, 드라이 필름을 약 80초 내지 약 200초 동안 사전 소성(pre-bake)시킨다. 다음, 드라이 필름은 복사 에너지 밀도가 약 800 mJ/cm2 내지 약 1500 mJ/cm2인 노출 공정을 거친다.
노출 과정 후, 패턴화 드라이 필름을 약 110 ℃ 내지 약 150 ℃의 온도와 약 80초 내지 약 200초 시간의 조건 하에서 더 소성시킨다. 다음, 상기 패턴화 드라이 필름은 현상 공정을 거치되, 이의 조건은, 이소프로판올 용액에서 약 100초 내지 약 300초 동안 진행하거나, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 용액에서 약 60초 내지 약 200초 동안 진행하는 것이다. 마지막으로 IPA 헹굼 과정을 거친다.
다른 실시예에서, 도 6에 도시된 바와 같이, 스크린 인쇄 공정을 이용하여 패턴화 본딩층(1304)을 형성할 수 있다. 임의의 적합한 재료는 모두 스크린 인쇄 공정에 의해 패턴화 본딩층을 형성할 수 있다. 상기 적합한 재료의 예는 구조 접착제, 자외선(UV)-양면 본딩층, 투명 접착제 및 이들의 조합을 포함한다. 구조 접착제는 에폭시 접착제일 수 있는데, 예를 들어, 2성분형 연성 에폭시 수지 접착제일 수 있다. 다른 적합한 재료도 사용될 수 있고, 상기 재료에 제한되지 않는다.
각 실시예에서, 도 6에 도시된 바와 같이, UV-양면 본딩층을 패턴화 본딩층으로 하여 이미지 센서 웨이퍼(141b)와 투명 필터 칩을 본딩시킬 경우, UV-경화 전구체는 이미지 센서 웨이퍼(141b)에 코팅된 후 패턴화될 수 있다.
유의해야 할 점은, UV-경화 전구체의 패턴화 과정은 UV복사 및/또는 가열을 포함하는 어떠한 공정을 사용할 수 없다. 예를 들어, 포토리소그래피 공정을 이용하여 UV경화 전구체를 패턴화할 수 없다. 대신에, 스크린 인쇄 공정 또는 UV 복사 및/또는 가열을 포함하지 않는 임의의 공정을 이용하여 이미지 센서 웨이퍼(141b)의 UV-경화 전구체를 패턴화할 수 있다.
일 실시예에서, 도 6에 도시된 바와 같이, UV-경화 전구체는 패턴화 본딩층(1304)과 동일하거나 유사한 패턴을 구비할 수 있다. 투명 필터 칩 접착이 완료된 후, 패턴화된 UV-경화 전구체를 경화 반응시킨다. 경화 반응은 이미지 센서 웨이퍼(141b)와, 접착된 투명 필터 칩 사이에 영구 본딩층을 형성한다(도 7에 도시된 바와 같음). 사용된 UV-경화 전구체 재료에 기반하여, 일정한 파장을 갖는 UV 복사를 이용하여 UV-경화 본딩층을 형성한다.
정전 본딩 공정을 이용하여 제2 캐리어 웨이퍼(108)와 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 본딩할 경우, 적합한 스크린 인쇄 공정을 이용하여 패턴화 본딩층을 형성하여 영구 본딩층으로 할 수 있다(예를 들어, 이에 반해, 포토리소그래피 공정은 박화 이미지 센서 웨이퍼와 제2 캐리어 웨이퍼 사이의 정전 본딩에 영향을 줄 수 있음).
또는, 영구 본딩층은 투명 본딩층일 수 있다. 예를 들어, 도 13을 참조하면, 투명 본딩층(1306)을 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)에 인가할 수 있고, 구체적으로, 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)의 정면에 인가하게 된다. 투명 본딩층(1306)은 양면 접착제층일 수 있고, 이미지 센서를 받아들여 이미지 센서와, 대응되는 투명 필터를 본딩시킨다.
도 12에서의 S1214를 참조하면, 박화 이미지 센서 웨이퍼의 영구 본딩층을 사용하여 복수개의 투명 필터 칩과 상기 이미지 센서 웨이퍼를 본딩시킬 수 있다.
도 7a ~ 7b 및 도 14는 이의 예시적인 구조를 나타낸다. 도 7a는 도 7b에서 A-A＇선에 따른 횡단면을 나타낸다. 도 7b는 도 7a의 평면도이다.
도 7a ~ 7b에 도시된 영구 본딩층 또는 도 1에 도시된 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)의 영구 본딩층(1306)을 통해, 복수개의 투명 필터 칩(120)과 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 본딩시킬 수 있다.
투명 필터 칩(120)은 매우 투명한 광학 유리 웨이퍼일 수 있다. 예를 들어, 제1 웨이퍼(120ｗ)는 적외선 필터 특성을 구비하는 적외선(IR) 유리 웨이퍼일 수 있다.
도 7a ~ 7b를 참조하면, 투명 필터 칩(120)은 본딩층 패턴(1304)의 대응되는 위치에 장착된다. 본딩층 패턴(1304)은 1304ｍ과 1304ｎ인 두 개의 교차되는 재료 패턴에 의해 정의될 수 있다. 본딩층 패턴(1304ｍ)의 패턴은 서로 평행될 수 있다. 본딩층 패턴(1304ｎ)의 패턴도 서로 평행될 수 있다. 그러나, 본딩층 패턴(1304ｍ)의 패턴과 본딩층 패턴(1304ｎ)의 패턴은 서로 평행되지 않을 수 있다. 예를 들어, 본딩층 패턴(1304ｍ)의 복수개의 패턴은 제1 방향에 평행될수 있다. 그러나 본딩층 패턴(1304ｎ)의 복수개의 패턴은 제2 방향에 평행된다. 본딩층 패턴(1304)이 교차되고 인접된 본딩층 패턴(1304ｍ)/본딩층 패턴(1304ｎ)으로 형성되도록, 제1 방향과 제2 방향은 서로 평행되지 않을 수 있다. 본딩층 패턴(1304)은 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)의 1표면 영역을 감쌀 수 있다. 투명 필터 칩(120)은 적어도 본딩층 패턴(1304)의 폐쇄 영역을 커버하여 패키지 구조를 형성할 수 있다. 상기 폐쇄 영역과, 대응되는 이미지 센서 칩의 감광성 영역은 정렬된다.
픽앤플레이스(pick and place) 공정 또는 임의의 적합한 공정을 이용하여 투명 필터 칩(120)을 본딩층 패턴(1304)에 접착시킬 수 있다. 예를 들어, 픽앤플레이스 머신(pick-and-place machine)으로 투명 필터 칩(120)을 본딩층 패턴(1304)의 미리 결정된 위치에 장착할 수 있다. 픽앤플레이스 과정에서, 압력을 가할 수 있다. 예를 들어, 압력 방향은 제2 캐리어 웨이퍼(108)로부터 투명 필터 칩(120)로의 위로 가압되는 방향이거나, 투명 필터 칩(120)으로부터 제2 캐리어 웨이퍼(102)로의 아래로 가압되는 방향이거나, 두 가지 방법의 조합일 수 있다.
일 실시예에서, 약 130 ℃ 내지 약 170 ℃의 온도와 약 0.1분 내지 약 5분의 시간의 조건 하에서, 투명 필터 칩(120)을 본딩층 패턴(1304)과 정렬시켜 접착시킬 수 있고, 예를 들어, 시간은 약 0.5분 내지 약 5분이다. 상기 본딩층 패턴(1304)은 드라이 필름 패턴일 수 있다. 다음, 약 160 ℃ 내지 약 200 ℃의 온도 하에서, 상기 투명 필터 칩(120)과 본딩층 패턴(1304)을 약 0.5시간 내지 약 3시간 동안 소성시켰다.
또는, 도 13 ~ 14를 참조하면, 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)의 투명 본딩층(1306)을 통하여, 투명 필터 칩(120)과 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 본딩시킬 수 있다. 또한, 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)와 투명 필터 칩(120)의 간격은 투명 본딩층(1306)의 두께보다 작거나 같다.
또 도 12에서의 S1216을 참조하면, 제2 캐리어 웨이퍼를 제거하여 박화 이미지 센서 웨이퍼를 노출시킬 수 있다. 일부 실시예에 있어서, 노출된 박화 이미지 센서 웨이퍼를 지지 소자에 장착할 수 있다. 도 8은 이의 구조를 나타낸다.
도 8에 도시된 바와 같이, 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)로부터 제2 캐리어 웨이퍼(108)와 제2 임시 본딩층(106)을 동시에 제거하여 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 노출시킬 수 있다. 예를 들어, 사용된 재료에 기반하여, 제2 임시 본딩층(106)을 가열하여 제2 캐리어 웨이퍼(108)가 방출되어 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)로부터 디본딩(de-bonding)될 수 있도록 한다. 일 실시예에서, 디본딩의 반응 조건은, 온도는 약 150 ℃ 내지 약 250 ℃이고, 가열 시간은 약 1분 내지 약 10분이다.
다른 예에서, 임의의 제2 임시 본딩층을 사용하지 않는 조건 하에서, 정전 본딩 공정을 이용하여 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)와 제2 캐리어 웨이퍼를 본딩시켰다. 필터와 제1 캐리어 웨이퍼 사이의 전압이 제거된 후, 제2 캐리어 웨이퍼는 박화 이미지 센서 웨이퍼로부터 분리된다.
노출된 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 지지 소자(160)에 장착할 수 있는데, 예를 들어, 실온에서 지지 소자(160)에 본딩된 접착 테이프(107)를 통해 장착할 수 있다. 이 외에, 접착 테이프(107)를 사용하여 프레임(109)을 지지 소자(160)에 장착할 수 있다. 프레임(109)의 적어도 일부분은 지지 소자(160)에 장착된다. 프레임(109)은 지지 소자(160)를 둘러싸는 링 형상일 수 있다.
각 실시예에서, 지지 소자(160)의 접착 테이프(107)와 제1 임시 본딩층(104)/제2 임시 본딩층(106)은 동일할 수 있고, 상이할 수도 있다. 임의의 동일한 성능을 갖는 적합한 접착 테이프는 모두 사용될 수 있다.
도 12에서의 S1218을 참조하면, 지지 소자의 박화 이미지 센서 웨이퍼를 복수개의 이미지 센서 칩으로 분할할 수 있다.
도 9a ~ 9b에 도시된 바와 같이, 지지 소자(160)에 위치한 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)는 복수개의 이미지 센서 칩(140)으로 분할될 수 있다. 선택 가능하게, 기계적 분할 또는 레이저 절단으로 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 분할할 수 있다. 따라서, 복수개의 패키지 구조(234)는 지지 소자(160)에 형성되어, 이동, 운반, 저장 및/또는 다른 용도를 위한 패키지 구조(234)의 추가 조립을 용이하게 한다.
예를 들어, 패키지 구조(234)는 투명 필터 칩(120)을 포함할 수 있고, 상기 투명 필터 칩(120)은 중간의 패턴화 본딩층(1304)을 통하여 이미지 센서 칩(140)과 본딩된다(필터 칩(120)은 정면에 위치한다). 투명 필터 칩(120), 이미지 센서 칩(140) 및 패턴화 본딩층(1304)으로 캐비티(24)가 형성되고, 도 10에 도시된 바와 같다.
이미지 센서 칩(140)의 전면에 감광성 영역(144)과 패드 영역이 구비된다. 패드 영역에는 이미지 센서 칩(140)과, 관련된 외부 회로를 연결시키는 복수개의 연결패드(146)가 구비된다. 패키지 구조 중 이미지 센서 칩(140)의 감광성 영역(144)은 캐비티(24) 내에 노출되고 이의 내면에서 필터 칩(120)을 향할 수 있다. 따라서, 이미지 센서 칩(140)의 감광성 영역(144)은 보호되어 주변 환경의 영향을 받지 않을 수 있다. 예를 들어, 감광성 영역(144)은 패키징 공정의 초기 단계부터 먼지 입자의 오염을 받지 않을 수 있다.
일부 실시예에서, 도 10에 도시된 바와 같이, 이미지 센서 칩(140)에 형성된 복수개의 연결패드(146c)의 위치가 후속적으로 투명 필터 칩(120)과 본딩될 경우, 투명 필터 칩(120)의 표면과 정렬되고 적어도 일부분이 중첩된다. 예를 들어, 적어도 복수개의 연결패드(146c)의 일부분이 이미지 센서(140)와 투명 필터 칩(120) 사이에 위치한다. 따라서, 복수개의 연결패드(146c)는 적어도 일부가 이미지 센서 칩(140)과 투명 필터 칩(120) 중간의 본딩 영역 내에 개재될 수 있다.
다른 실시예에서(미도시), 연결패드를 이미지 센서 칩의 가장자리 영역인 동시에 투명 필터 칩(120)인 본딩 영역 밖에 형성할 수 있다. 예를 들어, 형성된 연결패드의 적어도 일부분이 투명 필터 칩과 이미지 센서 칩의 본딩 영역을 둘러싼다. 선택 가능하게, 패키지 구조(234)는 이미지 센서 칩을 보호하고 전체 구조를 형성하기 위한 언더필층(underfill layer)(미도시)을 포함할 수 있다.
더 나아가, 도 10에 도시된 패키지 구조(234)에서, 마이크로 렌즈(148)는 이미지 센서 칩(140)이 캐비티 내에 있는 감광성 영역에 장착될 수 있다. 마이크로 렌즈(148)가 차지하는 면적은 투명 필터 칩(120)이 캐비티 내에 노출된 표면 면적보다 작다.
도 15에 도시된 바와 같이, 박화 이미지 센서 웨이퍼(141b)를 복수개의 이미지 센서 칩(140)으로 분할한 후(이미지 센서 웨이퍼(141b)를 분할하는 동시에 투명 본딩층(1306)도 분할함), 지지 소자(160)에 복수개의 패키지 구조(264)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 도 16에 도시된 바와 같이, 패키지 구조(264)는 투명 필터 칩(120), 이미지 센서 칩(140)과 이 둘을 본딩시키는 투명 본딩층(1306)을 포함할 수 있다. 패키지 구조(264)에서, 이미지 센서 칩(140)과 투명 필터 칩(120)의 간격은 투명 본딩층(1306)의 두께와 같을 수 있다. 이 예에서, 형성된 패키지 구조는 캐비티를 포함하지 않는다.
이미지 센서 칩(140)의 정면에 감광성 영역(144)과 패드 영역이 구비될 수 있다. 패드 영역에 복수개의 연결패드(146)가 구비된다. 연결패드(146)는 이미지 센서 칩(140)과 외부 회로를 연결시킬 수 있다.
일 실시예에서, 이미지 센서 칩(140)의 정면은 아래로 향하고, 허용되는 정밀도 범위 내에서 이의 감광성 영역(144)을 투명 필터 칩(120)의 대응되는 영역에 정렬할 수 있다. 이미지 센서 칩(140)의 감광성 영역(144) 내면은 투명 필터 칩(120)을 향한다. 따라서, 이미지 센서(140)의 감광성 영역(144)은 보호되어 주변 환경의 영향을 받지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 패키지 구조 제조 과정의 초기 단계에서, 이미지 센서(140)의 감광성 영역(144)을 보호하여 주변 먼지 입자의 오염을 받지 않도록 할 수 있다.
도 16에 도시된 바와 같이, 일부 실시예에서, 복수개의 연결패드는 이미지 센서 칩에 형성될 수 있고, 이의 형성 위치는 적어도 후속적으로 본딩된 투명 필터 칩(120)에 부분적으로 중첩된다. 예를 들어, 적어도 복수개의 연결패드의 일부분이 이미지 센서 칩(140)과 투명 필터 칩(120) 사이에 개재된다.
다른 실시예에서(미도시), 연결패드를 이미지 센서 칩의 가장자리인 동시에 투명 필터 칩(120)인 본딩 영역 밖에 형성할 수 있다. 예를 들어, 형성된 연결패드의 적어도 일부분이 투명 필터 칩과 이미지 센서 칩의 본딩 영역을 둘러싼다. 선택 가능하게, 패키지 구조(234)는 이미지 센서 칩을 보호하고 전체 구조를 형성하기 위한 언더필층(미도시)을 포함할 수 있다.
더 나아가, 도 16에 도시된 바와 같이, 패키지 구조(264)에서 마이크로 렌즈(148)는 이미지 센서 칩(140)의 감광성 영역에 장착될 수 있다. 마이크로 렌즈(148)는 투명 본딩층(1306)에 본딩되고 투명 필터 칩(120)을 향한다. 따라서, 마이크로 렌즈(148)는 보호되어 주변 환경의 오염을 받지 않을 수 있다.
도 11 및 도 17은 예시적인 이미지 센서 모듈의 분해도이다. 분해도는 각 실시예에서의 패키지 구조를 포함한다. 상기 패키지 구조는 칩 크기 패키지(CSP)를 포함한다. 도 4a ~ 9b, 도 10 및 도 15 ~ 16은 각 실시예에서의 패키지 구조를 나타낸다.
예를 들어, 패키지 구조(236)/패키지 구조(264)는 PCB(180)의 연결층(170)에 장착될 수 있다.
패키지 구조에서, 연결패드는 투명 필터 칩과 이미지 센서 칩의 본딩 영역 내에 형성되어 본딩선(190)과 연결될 수 있다. 연결층(170), 본딩선(190)은 패키지 구조에서 이미지 센서 칩(140)과 PCB(180)의 회로를 결시킬 수 있다. 선택 가능하게, 본딩선(190)은 한 층의 보호 재료에 의해 커버되거나 금형에 의해 커버될 수 있다(미도시).
도 11 및 도 17에서의 이미지 센서 모듈은 렌즈 어셈블리를 더 포함할 수 있다. 상기 렌즈 어셈블리에는 렌즈(212), 렌즈 배럴(214) 및/또는 지지부재(216)가 포함된다. 렌즈 배럴(214) 장치를 조절하여 렌즈(212)의 초점을 조절할 수 있다.
지지부재(216)는 연결층(170)(및/또는 인쇄 회로 기판(PCB)(180))에 장착될 수 있다. 지지부재(216)는 패키지 구조 상부에 있고 연결층(170)의 패키지 구조를 둘러싸고 있다. 지지부재(216)는 렌즈 배럴(214)과 연결층(170)(및/또는 인쇄 회로 기판(PCB)(180)) 사이에 설치될 수 있다. 본 발명에서 개시된 패키지 구조에서, 지지부재(216)는 렌즈 배럴(214)을 기계적으로 지지할 수 있다.
종래의 지지 유리 칩의 홀더와 달리, 어떠한 칩도 지지부재(216)에 의해 잡히지 않으므로, 더욱 간단한 구조와 작은 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 이미지 센서 모듈에서 렌즈 어셈블리에서의 지지부재(216)는 더 단순화된 후, 상기 지지부재의 높이는 0.4 mm 또는 0.4 mm보다 작게 감소될 수 있다. 지지부재(216)의 제조 재료는 예를 들어 플라스틱, 고무, 세라믹 및 다른 적합한 재료일 수 있다.
따라서, 우선 필터와 이미지 센서를 본딩시키는 제조 방법은 패키지 구조가 칩의 크기를 가질 수 있도록 한다. 패키지 구조에서, 이미지 센서의 감광성 영역의 내면은 필터를 향하므로, 후속 제작 과정에서 감광성 영역은 주변 환경의 오염으로부터 보호된다. 따라서 패키지 구조의 생산량은 향상된다.
본 발명에 개시된 모듈과 제조 방법에서, 이미지 센서 모듈의 렌즈 어셈블리에서의 지지부재로서 단순화된 지지부재를 사용할 수 있다. 이는 우선 복수개의 칩이 일체로 본딩되어 패키지 구로를 형성하기 때문에, 지지부재로 임의의 칩을 잡을 필요가 없다.
각 실시예에 휴대폰, 개인 휴대 정보 단말기 및 노트북과 같은 이동 단말기가 더 포함된다. 이러한 실시예에 본 발명의 단순화된 구조와 축소된 크기를 갖는 이미지 센서 모듈이 포함된다.
본 발명의 개시는 단지 예시적인 것이다. 이의 응용, 장점, 변경, 수정 또는 본 발명에 개시된 실시예와 같은 부분은 당업자에게 있어서 자명할 것이므로, 모두 본 발명의 보호 범위 내에 속한다.

Claims (18)

  1. 이미지 센서 모듈의 제조 방법으로서,
    제1 캐리어 웨이퍼에 복수개의 제1 칩을 구비하는 제1 웨이퍼의 제1 표면을 접착하는 단계;
    제1 웨이퍼의 제2 표면에 패턴화 본딩층 또는 투명 본딩층을 적어도 포함하는 영구 본딩층을 형성하는 단계; 및
    제2 칩을 각각 중간의 영구 본딩층을 통해 제1 웨이퍼의 제1 칩과 본딩시키는 단계를 포함하고,
    상기 제1 칩은 이미지 센서 칩과 투명 필터 칩 중의 하나이고, 상기 제2 칩은 이미지 센서 칩과 투명 필터 칩 중의 다른 하나이며, 이미지 센서는 투명 필터 칩을 향한 감광성 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    제1 칩은 이미지 센서 칩이고，제1 칩의 제2 표면은 감광성 영역과 제1 칩 본딩 영역에서의 복수개의 연결패드를 포함하며, 상기 제1 칩은 감광성 영역 밖에 위치한 영구 본딩층과 본딩되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    영구 본딩층이 투명 본딩층일 경우, 제1 칩과 제2 칩의 간격은 투명 본딩층의 두께와 같거나 투명 본딩층의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    투명 본딩층은 투명 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    영구 본딩층이 패턴화 본딩층일 경우，제1 칩과 제2 칩 및 패턴화 본딩층으로 캐비티가 형성되고, 상기 이미지 센서 칩의 감광성 영역은 캐비티 내에 노출되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    포토리소그래피 공정을 이용하여 패턴화 본딩층을 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    패턴화 본딩층은 패턴화 드라이 필름을 포함하고, 상기 패턴화 드라이 필름은,
    제1 칩에 드라이 필름을 형성하는 단계; 및
    포토리소그래피 공정을 이용하여 상기 드라이 필름을 패턴화하여 패턴화 드라이 필름을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    스크린 인쇄 공정을 이용하여 패턴화 본딩층이 형성되는 단계를 더 포함하고,
    상기 패턴화 본딩층의 재료는 구조 접착제, UV-양면 본딩층, 투명 접착제 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    제1 캐리어 웨이퍼에 제1 웨이퍼의 제1 표면을 접착하는 단계는,
    제1 웨이퍼의 제2 표면을 제2 캐리어 웨이퍼에 임시 접착하는 단계;
    제2 캐리어 웨이퍼에서의 제1 웨이퍼의 제1 표면을 박화(thinning)하는 단계;
    상기 박화 단계가 완료된 후, 제1 웨이퍼의 제1 표면에 제1 캐리어 웨이퍼를 임시 접착하는 단계; 및
    제2 캐리어 웨이퍼를 제거하여 제1 캐리어 웨이퍼에 위치한 제1 웨이퍼의 제2 표면을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    박화 단계가 완료된 후, 제1 웨이퍼의 제2 표면을 제2 캐리어 웨이퍼에 임시 접착하는 공정과 제1 웨이퍼의 제1 표면을 제1 캐리어 웨이퍼에 임시 접착하는 공정 전부가,
    정전 본딩 공정을 이용하거나 임시 본딩층을 이용하여 임시 접착을 구현하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    정전 본딩 공정을 이용할 경우, 상기 이미지 센서 모듈의 제조 방법에서,
    제1 웨이퍼의 제2 표면에 영구 본딩층을 형성하는 단계는 스크린 인쇄 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    임시 본딩층을 이용할 경우, 상기 임시 본딩층은 방열층을 포함하고, 상기 방열층은 다층 구조의 양면 접착제층을 구비하며,
    상기 다층 구조는 발포 접착제층, 압력감지층 및 발포 접착제층과 압력감지층 사이에 개재된 폴리머 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    영구 본딩층이 UV-양면 본딩층을 포함할 경우, 제1 웨이퍼의 제2 표면에 영구 본딩층을 형성하는 공정과 영구 본딩층을 통해 제2 칩을 각각 제1 웨이퍼에서의 제1 칩과 본딩시키는 공정은,
    제1 웨이퍼의 제2 표면에 한 층의 UV-경화 전구체를 코팅하는 단계;
    스크린 인쇄 공정을 이용하여 UV-경화 전구체를 제1 웨이퍼의 제1 칩에 대응되게 패턴화하는 단계;
    제1 칩의 UV-경화 전구체에 제2 칩을 장착시키는 단계; 및
    제1 칩과 제2 칩 사이에 위치한 UV-경화 전구체를 경화시켜 영구 본딩층으로서 UV-양면 본딩층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  14. 제7항에 있어서,
    영구 본딩층을 통해 제2 칩을 제1 칩과 본딩시키는 단계는,
    약 130 ℃ 내지 170 ℃의 온도, 및 약 0.1 분 내지 5 분의 시간 조건에서 패턴화 드라이 필름을 통해 제1 칩과 제2 칩을 본딩하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    제2 칩의 본딩이 완료된 후, 제1 웨이퍼를 복수개의 제1 칩으로 분할하여 제1 캐리어 웨이퍼에 복수개의 패키지 구조를 형성하는 단계를 더 포함하고,
    각각의 상기 패키지 구조는 제1 칩, 제2 칩 및 제1 칩과 제2 칩 사이에 개재된 영구 본딩층을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    제2 칩과 제1 칩의 본딩 단계가 완료된 후 또는 제1 웨이퍼의 분할 단계가 완료된 후, 제1 캐리어 웨이퍼를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    패키지 구조 중 제1 칩의 제1 표면을 인쇄 회로 기판에 장착하는 단계를 더 포함하고,
    상기 인쇄 회로 기판은 경성 인쇄 회로 기판 또는 연성 인쇄 회로 기판을 포함하며,
    상기 인쇄 회로 기판에 장착된 제1 칩은 이미지 센서 칩인 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    각각의 패키지 구조에 렌즈 어셈블리를 장착하되, 상기 렌즈 어셈블리는 인쇄 회로 기판에 장착된 지지 소자를 포함하고, 상기 지지 소자는 패키지 구조 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈의 제조 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220181369A1 (en) * 2019-03-08 2022-06-09 Dexerials Corporation Method of manufacturing connection structure, connection structure, film structure, and method of manufacturing film structure
CN112630922B (zh) * 2020-11-30 2022-11-11 江西联创电子有限公司 镜头模组及其装配方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060080521A (ko) * 2005-01-05 2006-07-10 어드벤스드 칩 엔지니어링 테크놀로지, 인크. 이미지 센서용 ｆｂｇａ 및 ｃｏｂ 패키지 구조물
KR20070007482A (ko) * 2005-07-11 2007-01-16 삼성전자주식회사 투명 커버가 부착되어 있는 광학 장치의 제조방법 및 이를이용한 광학 장치 모듈의 제조방법
US20120187462A1 (en) * 2011-01-21 2012-07-26 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited High optical efficiency cmos image sensor
JP2015517201A (ja) * 2012-03-16 2015-06-18 スス マイクロテク リソグラフィー，ゲーエムベーハー 極薄ウェハーの仮接合の方法及び装置
WO2017160609A1 (en) * 2016-03-14 2017-09-21 3M Innovative Properties Company Surface protection film and related methods

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7335870B1 (en) * 2006-10-06 2008-02-26 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Method for image sensor protection
WO2008127429A2 (en) * 2006-11-21 2008-10-23 Ge Healthcare Bio-Sciences Corp. Assembling and utilizing rfid sensors in containers
US7851818B2 (en) * 2008-06-27 2010-12-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fabrication of compact opto-electronic component packages
US8351219B2 (en) * 2009-09-03 2013-01-08 Visera Technologies Company Limited Electronic assembly for an image sensing device
KR101647779B1 (ko) * 2009-09-09 2016-08-11 삼성전자 주식회사 이미지 센서, 그 제조 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치
US20120098080A1 (en) * 2010-10-26 2012-04-26 Jabil Circuit, Inc Method and package for an electro-optical semiconductor device
US9640574B2 (en) * 2010-12-30 2017-05-02 Stmicroelectronics Pte. Ltd. Image sensor circuit, system, and method
TW201351515A (zh) * 2012-06-07 2013-12-16 Subtron Technology Co Ltd 封裝載板及其製作方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060080521A (ko) * 2005-01-05 2006-07-10 어드벤스드 칩 엔지니어링 테크놀로지, 인크. 이미지 센서용 ｆｂｇａ 및 ｃｏｂ 패키지 구조물
KR20070007482A (ko) * 2005-07-11 2007-01-16 삼성전자주식회사 투명 커버가 부착되어 있는 광학 장치의 제조방법 및 이를이용한 광학 장치 모듈의 제조방법
US20120187462A1 (en) * 2011-01-21 2012-07-26 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited High optical efficiency cmos image sensor
JP2015517201A (ja) * 2012-03-16 2015-06-18 スス マイクロテク リソグラフィー，ゲーエムベーハー 極薄ウェハーの仮接合の方法及び装置
WO2017160609A1 (en) * 2016-03-14 2017-09-21 3M Innovative Properties Company Surface protection film and related methods

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