KR20020070296A - 세륨계 연마재 및 세륨계 연마재의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 산화세륨을 주성분으로 하고, 연마재 입자의 평균 입자경이 0.2∼3.0㎛인 산화세륨계 연마재에 있어서, 입자경 10㎛ 이상인 거친입자(粗粒子)의 농도가 1000ppm 이하(중량비)인 것, 또는, 자성입자의 농도가 1000ppm 이하(중량비)인 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재이다. 이들 거친입자, 자성입자는 300ppm 이하(중량비)인 것이 특히 바람직하다. 또한, 연마재 입자의 비 표면적의 평균값을 0.5∼30㎡/g 으로 하는 것에 의해, 보다 높은 절삭성을 가짐과 동시에 고 정밀도의 연마면을 형성할 수 있는 연마재로 된다.

이들 세륨계 연마재의 제조방법으로서는, 거친입자 농도는 분급점의 제어, 반복 분급의 실시에 의한다. 그리고, 자성입자 농도의 제어는 자성재료로 이루어진 필터의 적용, 분쇄매체의 변경 등을 단독 또는 적절히 조합하는 것에 의해 가능하게 된다.

Description

세륨계 연마재 및 세륨계 연마재의 제조방법{CERIUM BASED ABRASIVE MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING CERIUM BASED ABRASIVE MATERIAL}

최근, 여러가지 유리재료의 연마에 산화세륨(Ce0₂)을 주성분으로하는 세륨계 연마재가 사용되고 있다. 특히, 세륨계 연마재는, 종래 통상의 판유리 연마로부터, 최근에는 하드디스크 등의 자기 기록매체용 유리, 액정 디스플레이(LCD)의 유리기판과 같은 전기·전자기기로 사용되고 있는 유리재료의 연마에도 사용되고 있으며, 그 응용분야가 넓어지고 있다.

상기 세륨계 연마재는, 산화세륨(CeO₂) 입자를 주성분으로 하는 연마재 입자로부터 이루어진다. 그리고, 세륨계 연마재를 대별하면, 산화세륨의 함유량에 의해 고 세륨연마재와 저 세륨연마재로 분류된다. 고 세륨연마재는, 전희토(全希土)산화물 함유량(이하, TREO라고 한다)에 대하여 산화세륨이 70% 중량이상 함유되어 있고, 산화세륨 함유량이 비교적 많은 연마재이나, 저 세륨연마재는, 산화세륨 함유량이 TREO에 대하여 50%중량 전후로 비교적 적은 연마재이다. 이들 세륨계 연마재는, 그 산화세륨 함유량 및 원재료가 다르기는 하나, 원료조제후의 제조공정에 큰 차이는 없다.

도 1은, 이들 세륨계 연마재의 제조공정을 나타낸다. 고 세륨 연마재는, 모나자이트(monazite)로 불리는 희토광석을 화학처리하여 농축 조제된 염화희토를 원료로 하고 있다. 한편, 저 세륨연마재의 원료는, 종래는 바스트나사이트(bastnasite)로 불리는 희토광석을 선광(選鑛)한 바스트나사이트 정광(精鑛,concentrate)을 사용하는 일이 많았으나, 최근에는, 바스트나사이트 광이나 비교적 저렴한 중국산 복잡광을 원료로 하여 합성한 산화희토 또는 탄산희토를 원료로 하는 것이 많다. 그리고, 원료조제후의 공정에 있어서는, 양자 모두 원료를 화학처리(습식처리)하고, 여과 , 건조한 후에 배소(焙燒,roasting)하고, 이것을 분쇄, 분급(分級,classifying)하는 것에 의해 제조된다. 또한, 연마재를 구성하는 연마입자의 입자경은, 거친 다듬질(finishing)으로부터 최종 다듬질까지의 목적에도 따르기는 하나 평균 입자경으로 0.2∼3.0㎛ 이며, 상기 제조공정중, 배소공정에 있어서 온도의 조정이나 분쇄, 분급공정의 조정 등에 의해 제어하고 있다.

그런데, 세륨계 연마재가 넓게 사용되고 있는 이유로서, 세륨계 연마재에 의하면, 고 정밀도의 연마면을 형성할 수 있는 것에 덧붙여서, 비교적 단시간에 대량의 유리를 연마제거할 수 있어 높은 연마값을 얻을 수 있다고 하는 점이 있다. 여기서, 세륨계 연마재의 연마기구에 대해서는, 반드시 명확한 정설은 없으나, 연마재 중에 함유되는 불소성분이 큰 역할을 수행하고 있다고 되어 있다. 즉, 산화세륨에 의한 기계적 연마작용에 덧붙여서, 연마재 중에 함유되는 불소성분이 유리면과반응하여 유리를 불화물로 하여 유리표면의 침식을 빠르게 한다고 하는 화학적 연마작용이 동시에 생기는 것에 의한 것이라고 되어 있다. 그리고, 세륨계 연마재에 있어서는 기계적 작용과 화학적 작용의 쌍방이 충분히 기능하여 비로소 그 우수한 연마특성이 발휘된다고 생각되어 진다.

그리고, 연마특성이 우수한 연마재로 하기 위한 제 1의 기준으로서는, 이상 입자성장한 연마입자가 존재하는 일 없이 입자경 분포에 균일성이 있는 것을 들 수 있다. 그 때문에, 세륨계 연마재의 제조공정에 있어서는, 연마입자의 이상입자 성장을 억제하는 여러 방안이 실시되고 있다. 예를 들면, 화학처리 공정에서는, 염산, 황산 등의 광산(鑛酸)으로 분쇄한 원료를 처리하고 있다. 이것은, 원료중에 불순물로서 함유되어 있는 나트륨 등의 알카리 금속, 알카리 토류(土類)금속이, 그 후의 배소공정에 있어서 이상입자 성장의 요인으로 되기 때문에, 이들 알카리 금속, 알카리 토류 금속을 광산으로 용해 제거하기 위함이다.

또한, 이들의 제조공정에 있어서의 관리에 덧붙여서, 제조된 연마재에 대해서는, 임의로 제품검사를 하여 그 평균 입자경 및 입자경 분포를 조사하여, 이상입자 성장에 의한 거친입자의 유무를 검사하고 있다.

그리고, 이상과 같은, 제조공정에 있어서 연마재 입자의 입도분포 및 불소농도의 제어나 제품검사에 의해, 지금까지 우수한 연마재가 공급되어 오고 있다.

그러나, 세륨계 연마재에 대한 향후의 수요를 고려하면, 보다 우수한 연마재의 개발이 바람직 한 것은 당연하다. 특히, 하드디스크, LCD용의 유리기판 등의 분야에 있어서는 더욱 더 고 밀도화가 요구되고 있고, 그를 위해서는 매우 고 정밀도의 연마면으로 할 수 있을 뿐만 아니라, 고속으로 소정량의 연마를 할 수 있는 높은 절삭성을 가지는 연마재가 요구되어 진다.

그래서, 본 발명은, 종래 이상으로 고 정밀도의 연마면을 형성할 수 있고, 보다 절삭성이 양호한, 새로운 기준을 가지는 세륨계 연마재와 함께, 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 연마 정밀도가 우수함과 동시에, 절삭성이 양호한 산화세륨을 주성분으로 하는 세륨계 연마재에 관한 것이다.

도 1은, 종래의 세륨계 연마재의 제조공정을 나타내는 도이다. 도 2는, 레이저 회절법(回折法)으로 측정한 제 1 실시예에 따른 세륨 연마재의 입자경 분포를 나타내는 도이다.

또한, 도 3은, 본 실시예에 따른 거친입자 농도 분석법의 공정을 나타내는 도이며, 도 4는, 본 실시예에 따른 자성입자 농도 분석법의 공정을 나타내는 도이다.

도 5는, 제 2 ∼ 제 4실시예에서 사용한 자기필터 구조의 개략도이며, 도 6은 제 3 실시예에서 사용된 마그네트 케이스(magnet case)의 개략도이다.

본 발명자들은, 종래 세륨계 연마재의 연마특성에 관하여 상세한 검토를 한 바, 종래의 평균 입자경이 미소화되고, 더욱이 제품검사에서 입자경 분포에 문제가 없다고 하는 연마재를 사용한 경우에 있어서도, 연마면에 흠이 발생할 경우가 있다고 하는 문제를 발견했다. 그리고, 이와 같은 흠의 발생요인에 대하여 여러가지 검토를 한 결과, 상기 검사방법에 있어서 입자경 분포에 문제가 없다고 하는 종래의 연마재에는, 다음의 2가지 문제점이 있는 것을 알고 본 발명을 하기에 이르렀다.

종래의 세륨계 연마재에 있어서 제 1 문제점은, 종래의 제조방법에서는 혼입을 피할 수 없고, 또한, 종래의 검사방법으로 검출될 수 없었던 극미량의 거친입자가 존재한다. 여기서, 본 발명에 있어서 거친입자란, 연마재를 구성하는 연마재 입자의 평균 입자경 보다도 수배 큰 입자경을 가지고, 또한, 종래의 검사법에 의해 얻어지는 입자경 분포에서는 포착할 수 없는 범위의 입자경을 말하며, 10∼50㎛ 이상의 입자를 의미하는 것이다.

본 발명자들은, 지금까지 이상으로 고 정밀도의 연마재를 얻기 위해서는, 그 양이 미량이더라도 거친입자 농도와 연마면의 관계를 명확하게 하는 것이 필요한것을 알았다. 이러한 관점에 서서 본 발명자들은 예의(銳意) 연구를 한 결과, 종래의 검사법에 의해 문제가 없다고 된 것이라도, 10㎛ 이상의 거친입자가 중량비로 1500ppm 이상 존재하는 것을 알았다.

그리고, 본 발명자들은, 후술하는 바와 같이 종래의 제조방법을 변경한 제조방법으로 거친입자 농도가 다른 여러가지의 세륨계 연마재를 제조하여, 연마면에의 흠의 발생 정도를 검토한 결과, 본 발명의 제 1 발명으로서, 거친입자 농도를 적정화 하므로서 그 용도에 따른 연마재로 할 수 있는 것을 알기에 이르렀다.

즉, 본 발명의, 평균 입자경이 0.2∼3.0㎛인 산화세륨을 주성분으로 하는 산화세륨계 연마재에 있어서, 입자경 10㎛ 이상의 거친입자의 농도가 중량비로 1000ppm 이하인 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재이다.

제 1 발명에 따른 세륨계 연마재는, 종래의 것 보다 거친입자 농도가 감소된 것이나, 상기 거친입자의 농도가 중량비로 1000ppm 이하인 연마재는 브라운관, CRT 유리면의 연마에 알맞다. 상기 연마재에 의하면, 이들 제품의 유리면 연마에 있어서, 흠을 발생시키지 않고 소망하는 정밀도의 연마면을 얻을 수 있다.

그리고, 본 발명자들에 의하면, 거친입자 농도가 감소하는데 따라, 흠의 발생이 억제되고, 보다 고 정밀도의 연마면을 얻을 수 있는 것이 확인되었다. 특히, 최근 매우 고 정밀도의 연마면이 요구되는 하드디스크, LCD용의 유리기판 등의 다듬질연마에 대해서는, 흠이 거의 발생되지 않는 연마면이 요구되어진다. 그래서, 이와 같은 고 정밀도의 연마에 있어서는, 입자경 10㎛ 이상인 거친입자의 농도가 중량비로 300ppm 이하로 한 것을 적용하는 것이 바람직하다.

종래의 세륨계 연마재에 있어서 제 2의 문제점은 철, 니켈 등의 자성금속으로 이루어진 자성입자의 존재이다. 이와 같은 자성입자는, 원재료에 처음부터 함유되어 있거나, 그 제조공정에서 혼입하는 것으로 생각되어 진다. 특히, 제조공정에 있어서는, 습식 분쇄공정, 건조공정, 배소공정, 건식분쇄공정의 각 공정에서 습식 분쇄기, 건조기, 배소로, 건식 분쇄기 등의 구성재료에 기인하여 혼입하는 것으로 생각되어 진다. 그리고, 자성입자가 흠의 발생요인으로 되는 이유로서는, 자성입자(금속입자)와 연마재(산화세륨 등의 금속산화물)의 경도 차이에 의해, 균일한 연마를 할 수 없는 것에 의한 것으로 생각되어 진다.

본 발명자들은, 이상의 고찰을 기초로 자성입자의 함유량과 흠 발생정도의 관계를 검토하여, 자성입자의 농도를 소정범위 내로 하므로서, 흠 발생이 없는 고 정밀도의 세륨계 연마재로 하는 것이 가능함을 알고 본 발명의 제 2 발명을 하기에 이르렀다.

본 발명의 제 2 발명은, 평균 입자경이 0.2∼3.0㎛인 산화세륨을 주성분으로 하는 산화세륨계 연마재에 있어서, 자성입자의 농도가 1000ppm 이하(중량비)인 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재이다.

상기 제 2 발명에 따른 세륨계 연마재는, 종래의 세륨계 연마재보다도 자성입자의 함유량이 감소되고, 그 농도를 1000ppm 이하로 규제하는 것에 특징이 있다. 이와 같이 자성입자 농도를 1000ppm 이하로 한 것은, 본 발명자들이 검토한 결과, 종래의 흠 발생이 보이는 세륨계 연마재의 자성입자 농도가 중량비로 1500ppm 이상 존재하는 것을 확인한데 따른 것으로, 1000ppm 이하로 하므로서 확실하게 흠의 발생을 억제한다고 하는 검토결과에 의한 것이다.

그리고, 본 발명자들에 의하면, 자성입자 농도가 감소하는데 따라, 흠의 발생이 억제되고, 보다 고 정밀도의 연마면을 얻을 수 있는 것이 확인되었다. 예를 들면, 자성입자의 농도가 중량비로 1000ppm 이하인 연마재는 브라운관, CRT의 유리면 연마에 적합하다. 한편, 하드디스크, LCD용 유리기판 등의 다듬질연마에 대해서는, 최근 매우 고 정밀도의 연마면이 요구되고 있는 바, 자성입자 농도를 더욱 감소시키므로서 대응 가능하며, 자성입자의 농도가 중량비로 300ppm 이하로 한 것을 적용하는 것이 바람직하다. 또한, 특히 하드디스크에 대해서는, 연마후에 기판 표면에 자성입자가 잔류하면, 자기기록 및 재생의 시스템상 큰 문제로 되어 하드디스크의 신뢰성을 감소시키게 된다. 본 발명과 같이 자성입자 농도가 감소된 연마재를 사용하므로서, 이에 의하여 제조되는 하드디스크의 품질도 향상시킬 수 있다.

이상과 같이 본 발명에 관한 세륨계 연마재는, 거친입자 및 자성입자의 함유량을 소정범위 내로 하는 것으로, 이들의 세륨계 연마재에 의하면, 연마면에 흠이 발생하지 않는 고 정밀도의 연마재라고 말 할 수 있다.

그리고, 본 발명자들은, 거친입자 농도 또는 자성입자 농도를 제어할 뿐만 아니라, 더욱이 비(比) 표면적을 0.5∼30㎡/g 의 범위로 제어하면, 높은 절삭성을 가짐과 동시에 고 정밀도의 연마면을 형성할 수 있는 세륨계 연마재로 되는 것을 알았다.

비 표면적이 0.5㎡/g 미만에서는 소결의 과잉진행에 의해 연마재 입자가 너무 크게 되어 연마시에 흠이 발생하는 것으로 생각된다. 또한, 비 표면적이 30㎡/g을 초과하면 소결부족으로 연마재 입자가 작으므로 절삭성이 너무 낮게 되는 것으로 생각된다.

이상 설명한, 소정범위의 비 표면적의 연마재 입자로부터 이루어지며, 거친입자 농도 및 자성입자 농도가 감소된 세륨계 연마재에 의하면, 고 정밀도의 연마면을 형성할 수 있으나, 향후의 세륨계 연마재 용도의 확대를 생각하면, 이들을 안정적으로 대량 제조하는 것이 필요하다. 본 발명자들은, 종래의 세륨계 연마재 제조공정을 재검토하고, 상기 제조조건을 변경하므로서 비교적 간이하게 거친입자 농도, 자성입자 농도, 연마재 입자의 비 표면적을 제어할 수 있는 것을 알았다. 여기서, 종래 세륨계 연마재의 제조공정은 대별하면, 연마재 원료와 분산매(分散媒)를 혼합하여 슬러리(slurry)로 하는 공정, 상기 슬러리를 습식 분쇄기로 처리하는 것에 의해 상기 연마재 원료를 분쇄하는 공정, 그리고, 분쇄 후의 연마재 원료를 여과 및 건조한 후에 배소하는 공정과, 더욱이 배소후의 연마재 원료를 다시 분쇄한 후 분급처리 하는 공정에 따라 구성된다.

본 발명의 제 1의 특징인 거친입자 농도를 감소시키는 방법으로서는, 분급하는 공정에 있어서 이하 2점의 개량을 추가한 것이다.

제 1의 개량점은, 분급점(分級点)을 0.5 ∼15㎛로 하는 것에 의해 거친입자 농도를 감소시키는 것이다. 여기서, 분급점이란, 분급장치에 있어서 분리하는 입자의 경계로 되는 입자경을 가리키는 것으로, 일반적으로는 부분 분리효율(분급전의 입자량에 대한 분리된 미립자측의 입자량)이 50%가 되도록 한 입자경값을 나타낸다. 상기 분급점은, 일반적인 분급장치의 운전조건(예를 들면, 풍력형 분급기에서는 풍량, 회전수 등이 있다)에 대응하는 것으로, 본 발명에서는 분급점을 고정하는 것에 의해, 분급장치의 운전조건을 설정하여 분급처리를 하는 것이다. 그리고, 본 발명에서 분급점의 범위를 0.5 ∼ 15㎛로 한 것은, 15㎛ 이상에서는 거친입자 농도를 감소시킬 수 없는 한편, 분급점을 0.5㎛ 이하로 설정하여도 이에 대응하는 분급장치의 운전조건을 설정하는 것이 곤란하게 되기 때문이다. 그리고, 연마재의 제조효율을 고려하면, 특히 바람직한 분급점의 범위는 1 ∼ 10㎛이다.

또한, 이와 같은 분급점의 변경에 의한 분급처리는, 분급장치의 형식을 한정하는 것은 아니다. 따라서, 풍력 분급장치 등의 소위 건식 분급장치, 액체 사이클론(liquid cyclo 등의 소위 습식장치 모두에서도 실시가능하다.

그리고, 거친입자 농도를 감소시키는 제2의 방법으로서는, 분급후의 연마재를 적어도 1회 재 분급하는 것이다. 이것은, 1회의 분급만으로는 비록 분급점을 제한 하더라도 크기가 그 분급점 이상인 그 분급점 이상인 거친입자가 연마재 중에 혼입하는 경우가 있는 것을 고려한 것으로, 이 재분급의 실시에 의해 연마재 중의 거친입자 농도를 감소시킬 수 있다. 있다. 상기 재분급의 실시회수로서는, 연마재의 제조효율을 고려하면, 1회 정도로 충분하다. 또한, 상기 재분급의 실시는, 상기한 분급점의 제어와 조합하고, 즉, 분급점을 0.5 ∼ 15㎛의 범위로 제한하면서 행하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 다듬질연마용에 사용가능한 거친입자 농도 300ppm 이하의 연마재를 용이하게 제조할 수 있다. 또한, 이 경우의 재분급시 분급점은, 1회째 분급시의 분급점과 같은 값으로 설정하면 좋다.

한편, 자성입자 농도를 감소시키는 방법으로서는, 이하의 3점이 있다. 연마재 중의 자성입자를 감소시키는 제 1 방법으로서는, 습식 분쇄기에서 처리된 슬러리를 여자(勵磁)하여 자화된 자성재료로 이루어진 필터에 통과시키는 것이다. 이와 같이 슬러리 상태의 연마재 원료에 대하여 자성입자의 제거를 하는 것은, 슬러리 상태이면 입자끼리의 응집도 적고, 또한, 자성입자의 자장에 의한 이동이 쉽기 때문에 자성입자를 효율적으로 포착할 수 있기 때문이다. 그리고, 구체적으로는, 필터 주위에 자석을 배치하고, 상기 자석을 여자하여 필터부분에 자장을 인가하는 것에 의해 자화된 자기필터에 슬러리상의 연마재를 통과시킨다. 여기서. 자기필터를 자화하는 자석으로 전자석을 적용하는 것이 바람직하고, 또한, 발생시키는 자장의 세기는 자속밀도로 0.1∼2.0T 의 범위로 하는 것이 바람직하다. 0.1T 이하에서는 미소한 자성입자를 포착할 수 없는 한편, 2.0T 이상으로 하면 자석의 구동 코스트가 높아질 뿐만아니라, 필터의 유지보수시에 부착된 자성입자를 제거하는 것이 곤란하게 되어 생산효율이 감소되기 때문이다. 상기 슬러리상 연마재를 필터에 통과시키는 회수는 특별히 제한은 없으나, 복수회(複數回)로 하므로서 자성입자의 농도를 더욱 감소시킬 수 있다.

또한, 여기서 적용되는 습식분쇄기의 형식으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 습식 볼밀(ball mill), 비드밀(bead mill), 아트리트(attriter)의 이라고 한 분쇄기가 적용된다. 또한, 연마재 원료를 습식분쇄할 때에는, 연마재 원료와 분산매(分散媒)를 혼합하여 슬러리화 하는 것이 필요하게 되나, 이 때의 순서로서는, 미리 연마재 원료와 분산매를 혼합하여 슬러리를 제조하고, 상기 슬러리를 습식분쇄기에 투입하여 분쇄하는 경우 이외에, 습식분쇄기에 연마재 원료와 분산매를 투입하여 분쇄를 개시하고 분쇄 초기에 슬러리화하는 경우도 포함하는 것이다. 이들에 대해서는, 이하의 제조법에 대해서도 마찬가지 이다.

연마재 중의 자성입자를 감소시키는 제 2 방법으로서는, 슬러리를 분쇄하는 습식분쇄기에 충전되는 분쇄매체로서, 비자성 재료로 이루어진 분쇄매체를 사용하여 연마재 원료를 분쇄하는 것이다. 분쇄매체란, 분쇄기에 충전되어 분쇄기의 동작(회전, 진동)에 연동하여 운동하고, 이에 따라 분쇄효과를 달성하기 위한 물체로서, 상기한 습식 볼밀 등에서는 모두 볼 형상의 것이 사용되고 있다. 또한, 그 재질으로서는 코스트 및 분쇄효율을 고려하여 통상, 철 또는 내 마모강이 사용되고 있다.

여기서, 연마재 중에 자성입자가 혼입하는 요인으로서 제조공정 중의 원료 분쇄공정을 들 수 있다는 것은 이미 설명하였으나, 이것은 분쇄공정 중에 분쇄매체의 마모 또는 분쇄가 발생하고, 이것이 자성입자 혼입 요인의 하나라고 생각된다. 상기 제 2의 방법은, 분쇄매체의 재질을 비자성 재료로 하므로서 자성입자가 발생하는 것을 저지하고, 그 결과 연마재 중의 자성입자 농도를 감소시키는 것이다. 그리고, 여기서 분쇄매체의 구성재료로서는, 원료를 분쇄한다고 하는 본래의 기능을 고려하면, 지르코니아(zirconia) 또는 알루미나와 같이, 비자성이고 또한 경질의 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이와 같이 분쇄매체에 비자성 재료를 적용하는 경우에는, 분쇄장치에 있어서 슬러리가 접촉하는 분쇄기 내부나 배관류의 내면도 경질의 비자성 재료를 적용하는 것이 바람직하다.

연마재 중의 자성입자를 감소시키는 제 3의 방법으로서는, 배소후의 연마재 원료를, 자화한 자성재료로 이루어진 관상체, 판상체, 봉상체의 근방에 통과시키는 것이다. 상기 공정은, 연마재 제조공정에 있어서, 분급공정 전의 배소 및 분쇄공정을 경유한 조성적으로 최종제품에 가까운 상태에서의 처리로서, 앞의 슬러리상태에서의 처리에 대하여 건식처리이다.

상기 제 3의 방법은, 배소공정 또는 배소후의 분쇄공정에서 배소로 또는 분쇄기의 구성재료로부터 혼입하는 자성입자를 제거하는데 유효하다. 또한, 상기 건식에서의 자성입자 제거공정은, 배소후의 연마재 원료를 대상으로 하는 처리로서, 배소 직후의 건식분쇄후 또는 분급처리 전에 행하여도 좋으나, 건식분쇄후 또는 분급처리후의 어느 시점에서 행하여도 좋다. 또한, 상기 방법의 구체적 형태로서는, 여자하여 자화된 관체(管體) 또는 함체(函體)의 내부를 배소후의 연마재 원료를 통과시키는 것이나, 배소후의 연마재 원료의 이송통로상에 자석을 배치하고, 여기에 연마재 원료를 접촉시키는 것, 자화한 2매의 금속판 또는 금속봉 사이에 연마재 원료를 통과시키는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 여기서 자화시키는 자성재료의 자속밀도는, 이미 설명한 자기필터의 경우와 마찬가지의 이유에 의해, 0.1∼2.0T 의 범위로 하는 것이 바람직하다.

이상 설명한 3가지의 자성입자 농도를 감소시키는 방법에 의하면, 대규모의 설비를 추가하지 않고 효율적으로 자성입자의 제거를 할 수 있으며, 저 코스트로 고 품질의 세륨계 연마재를 제조할 수 있다. 그리고, 이들 의 자성입자의 제거처리는, 각각 행하여도 효과를 발휘하나, 이들 2개 또는 3개 모두를 조합하는 것에 의해, 더욱 효과적으로 자성입자 농도를 감소시킬 수 있다.

그리고, 상술한 바와 같이 세륨계 연마재에 있어서는, 거친입자 농도 또는 자성입자 농도를 제어할 뿐만 아니라, 비 표면적을 0.5∼30m²/g의 범위로 제어하면, 높은 절삭성을 가짐과 동시에 고 정밀도의 연마면을 형성할 수 있는 세륨계 연마재로 된다. 이와 같이, 연마재의 비 표면적을 상기의 적정범위로 하기 위해서는, 소결조건을 제어하는 것이 중요하다. 상기 소결조건으로서는, 소결방식이나 소결전의 연마재 원료의 입자경 등에 의해 다르나, 소결온도를 600 ∼ 1100℃, 소결시간을 1 ∼ 60 시간으로 하는 것이 바람직하다.

또한, 이상 설명한 세륨계 연마재의 제조방법에 있어서, 원료를 습식 분쇄할 때에는 원료를 분산매(分散媒)에 분산시키는 것이 필요하나, 상기 분산매로서는 유기용매도 적용할 수 있으나 바람직한 것으로서는 물을 주성분으로 한 것이 바람직하다. 또한, 상기 분산매에는 분산제나 pH 조제제를 적절히 첨가하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 소립자(素粒子) 또는 자성입자를 감소시킨 세륨계 연마재에 있어서는, 필요에 따라서 제조시에 불소를 적절히 첨가하여 화학처리를 해도 좋다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 비교예와 함께 설명한다.

A. 거친입자 농도와 연마특성의 관계

제 1 실시예: TREO 70 중량%, TREO 중의 산화세륨 함유량 50 중량%인 바스트나사이트 정광(精鑛)2㎏과 순수 2ℓ를 직경 5mm인 스틸볼(steel ball) 12㎏을 사용한 습식 볼밀(용량 5ℓ)에서 5시간 분쇄하고, 평균 입자경 (마이크로 트랙법(micro-track method) D 50(누적 50% 입자경)) 0.9㎛인 분체로 이루어진 슬러리로 했다. 그리고 상기 분체를 농도 1 mol/ℓ의 염산으로 처리하여 순수에서 세정후 여과하여 케이크(cake)를 얻었다. 다음으로, 상기 케이크를 건조한 후, 950℃에서 5 시간 정치로(靜置爐)에서 배소하고, 다시 분쇄한 후 분급하여 세륨계 연마재를 얻었다.

이 때의 분급공정에서는, 분급기로서 건식인 세로형 풍력분급기(상품명: 와이엠 마이크로 캇)(YM Micro Cut) : Yasukawa Electric Co.,Ltd.제품)를 사용하고, 분급점을 7㎛로 설정하고 분급회수를 1회로 하여 분급처리를 했다.

이와 같이 하여 제조된 연마재에 대하여, 종래의 검사법인 레이저 회절법으로 평균 입자경, 입자경 분포를 조사한 바, 상기 연마재의 평균 입자경(마이크로 트랙법 D 50(누적 50% 입자경)은 0.9 ㎛이며, 도 2에 나타낸 바와 같은 입자경 분포를 가지는 것이 확인되었다. 상기 입도분포에 의하면, 10㎛ 이상의 입자는 검출되지 않는다.

그리고, 상기 연마재에 대하여 거친입자 농도를 정량화하기 위하여 도 3에 나타내는 공정으로 거친입자 농도를 분석하였다. 상기 거친입자 농도의 분석방법을 도 3에 따라 설명한다.

(a) 우선, 세륨계 연마재 200g을 저울로 달아 채취하고, 이것을 0.1% 헥사메타인산 나트륨 용액에 분산시켜 2분간 교반하여 슬러리를 제조했다.

(b) 다음에, 상기 슬러리를 구멍경 10㎛의 마이크로 체(micro sieve)로 여과하고, 체 상(上)의 남은 찌꺼기를 회수했다.

(c) 그리고, 회수된 남은 찌꺼기를 다시 0.1% 헥사메타인산 나트륨 용액으로 분산시켜 슬러리화 했다. 이 때, 분산은 초음파 교반을 1분간 하여 행하였다. 그리고, 슬러리를 구멍경 10㎛의 마이크로 체로 여과했다.

(d) 더욱이, 상기 회수된 남은 찌꺼기의 재 슬러리화, 여과는 본 실시예에서는 2회 행했다.

(e) 마지막으로, 회수된 거친입자는, 충분히 건조시킨 후 양을 재었다.

상기 거친입자 농도의 분석결과에 의해 본 실시예로 제조된 세륨계 연마재로부터 200㎎의 거친입자가 채취되고, 상기 거친입자의 농도는 1000ppm(중량비)인 것을 알았다. 따라서, 본 실시예에서 제조된 세륨계 연마재는, 종래 일반적으로 적용되는 레이저 회절법에서는 10㎛ 이상의 거친입자는 검출되지 않으나, 실제로는 1000ppm으로, 미량이기는 하나 거친입자가 혼입되어 있는 것이 확인 되었다.

다음으로, 본 실시예에서 제조된 세륨계 연마재의 연마재 입자의 비 표면적을 측정했다. 상기 비 표면적의 측정은 다음과 같이 하여 행하였다. 충분히 건조된 시료(연마재)를 약 0.5g 저울로 달아, 표면적 측정장치(유아사 아이오닉스(주) 제품 전자동 표면적 측정장치 멀티솝(Multisorp)12)에 의해, 표면적을 측정했다. 측정조건은, 시험장치를 탈기(脫氣)후 흡착가스로서 질소 + 헬륨 혼합가스를 사용하고, 상대압을 0.3으로 하며, BET 1 점법에 의해 시료의 전 표면적을 구하여, 시료중량으로부터 비 표면적을 구했다.

제 2 ∼ 제 8 실시예: 다음으로, 원료조성, 배소온도 등의 제조조건을 제 1 실시예와 마찬가지로 하고, 분급점 및 분급회수를 표 1과 같이 변화시켜, 거친입자 농도가 다른 세륨계 연마재를 제조하고, 그 거친입자 농도를 분석했다. 표 1 중,「건식」으로 되어 있는 것은, 제 1 실시예와 마찬가지의 세로형 풍력 분급기에 의해 분급을 한 것이며,「습식」으로 되어 있는 것은, 케이크 분쇄후의 분말을 5 중량% 슬러리로 하고 액체 사이클론에서 분급한 것이다.

제 9 실시예: 본 실시예에서는, 원료는 제 1 ∼ 제 8 실시예와 같은 원료를 사용하고, 배소공정에 있어서 배소조건을 1000℃, 5시간으로 했다. 그 외의 제조조건은 제 1 ∼제 8 실시예와 마찬가지로 했다. 또한, 분급조건은, 제 3 실시예와 마찬가지로 했다.

제 10 실시예: 본 실시예에서는, 원료는 제 1 ∼ 제 8 실시예와 같은 원료를 사용하고, 배소공정에 있어서 배소조건을 800℃, 5 시간으로 했다.

그 외의 제조조건은 제 1 ∼ 제 8 실시예와 마찬가지로 했다. 그리고, 분급조건에 대해서는, 분급점을 10㎛로 하여 1회 만으로 했다.

제 11 실시예: 본 실시예에서는, 원료는 제 1 ∼ 제 8 실시예와 같은 원료를 사용하고, 배소공정에 있어서 배소조건을 700℃, 5시간으로 했다. 그 외의 제조조건은 제 1 ∼ 제 8 실시예와 마찬가지로 했다. 그리고, 분급조건에 대해서는, 분급점을 7㎛로 하여 1회 만으로 했다.

제 12 실시예: 본 실시예에서는, 원료는 제 1 ∼ 제 8 실시예와 같은 원료를 사용하고, 배소공정에 있어서 배소조건을 1100℃, 10시간으로 했다. 그 외의 제조조건은 제 1 ∼ 제 8 실시예와 마찬가지로 했다. 그리고, 분급조건에 대해서는, 분급점을 7 ㎛로 하여 2회 분급을 하였다.

제 13 실시예: 본 실시예에서는, 원료는 제 1 ~ 제 8 실시예와 같은 원료를 사용하고, 배소공정에 있어서 배소조건을 550℃, 10시간으로 했다. 그 외의 제조조건은 제 1 ∼ 제 8 실시예와 마찬가지로 했다. 그리고, 분급조건에 대해서는, 분급점을 7㎛로 하여 1회만으로 했다.

제 14 실시예: 본 실시예에서는, 연마재 원료를 바스트나사이트 정광(精鑛)대신에 산화희토로 하고, 불화 암모니움처리를 하는 것으로 불소성분을 첨가하여 연마재를 제조했다. 탄산희토를 배소하여 제조한 TREO 99 중량% 중의 TREO 산화세륨 함유량 60 중량%의 산화희토 2㎏과 물 2ℓ 를 혼합하고, 상기 슬러리를 직경 5 mm의 강제 분쇄매체 12㎏이 충전된 습식 볼 밀(용량 5ℓ)로 5시간 분쇄하여, 평균입자경(마이크로 트랙법 D50(누적 50% 입자경))이 0.9㎛인 분체로 이루어진 슬러리로 했다. 그리고, 상기 슬러리에 농도 1mol/ℓ 의 불화 암모니움 용액을 첨가하고, 순수(純水)로 세척후 여과하여 케이크를 얻었다. 다음으로, 상기 케이크를 건조후, 950℃로 5시간 배소하고, 다시 분쇄한 후 분급하여 세륨계 연마재를 얻었다.

이때의 분급공정에서는, 분급기로서 제 1 실시예와 마찬가지의 세로형 풍력 분급기를 사용하고, 분급점을 7㎛로 설정하고 분급회수를 2회로 하여 분급처리를 하였다.

제 15 실시예: 본 실시예에서는, 연마재 원료로서 중국산 파오타우산(包頭産) 산화세륨(99%)을 사용하고, 제 9 실시예와 마찬가지로 불화 암모니움처리를 하여 연마재를 제조했다. 원료 및 물의 혼합량 과 분쇄조건은 제 9 실시예와 마찬가지로 하여 습식분쇄하고, 평균 입자경(마이크로 트랙법 D50(누적 50% 입자경)이 1.4㎛인 분체로 이루어진 슬러리로 했다. 그리고, 제 9 실시예와 마찬가지의 조건으로 불화처리 및 건조한 후, 배소, 분쇄, 분급하여 세륨계 연마재를 얻었다.

이 때의 분급공정에서는, 분급기로서 제 1 실시예와 마찬가지의 세로형 풍력 분급기를 사용하고, 분급점을 7 ㎛로 설정하고 분급회수를 2회로 하여 분급처리를 했다.

이들 제 2 ∼ 제 12 실시예에서 제조된 연마재는, 제 1 실시예와 마찬가지로, 레이저 회절법에 의한 입도 분포검사에서는, 10㎛이상인 거친입자의 존재는 확인되지 않았으나, 상술한 제 1 실시예에 있어서 거친입자 농도 분석방법하에서는, 150 ∼ 1000ppm(중량비)인 거친입자의 존재가 확인되었다. 이들 거친입자 농도의측정결과를 표 1에 함께 나타낸다. 이 결과, 분급점을 작게 하고, 분급회수를 증대시키므로서 거친입자 농도가 감소하는 것이 확인되었다. 또한, 건식이나 습식의 분급기 형식에 의해서는 거친입자 농도감소의 효과에 차이가 없다는 것이 확인되었다. 또한, 도 1 에는 비 표면적의 측정값도 아울러 나타내었다.

이상의 실시예에 대하여, 비교예로서 다음과 같이 연마재의 제조조건(배소조건, 분급조건)을 변경하여 세륨계 연마재를 제조하고, 거친입자 농도, 비 표면적을 측정했다.

비교예 1: 본 비교예에서는 분급점을 20㎛로 한 이외는, 제 3 실시예와 마찬가지의 제조방법에 의해 세륨계 연마재를 제조하고, 그 거친입자 농도를 분석했다.

비교예 2: 본 비교예에서는 제 1 ∼ 8 실시예와 같은 원료를 사용하고, 배소조건을 1100℃, 10시간으로 했다. 그 외의 조건은 제 1 ∼ 8 실시예와 마찬가지로 했다. 그리고, 분급점을 18㎛로 하고 분급회수를 2회로 했다.

비교예 3: 본 비교예에서는, 제 1 ∼ 8 실시예와 같은 원료를 사용하고, 배소조건을 550℃, 10시간으로 했다. 그 외의 조건은 제 1 ∼ 8 실시예와 마찬가지로 했다. 그리고, 분급점을 30㎛로 하고 분급회수를 1회로 했다.

비교예 4: 본 비교예에서는, 제 1 ∼ 8 실시예와 같은 원료를 사용하고, 배소조건을 1200℃, 10시간으로 했다. 그 외의 조건은 제 1 ∼ 8 실시예와 마찬가지로 했다. 그리고, 분급점을 16㎛로 하고 분급회수를 2회로 했다.

이들의 비교예에 따른 연마재도, 제 1 ∼ 제 12 실시예와 마찬가지로, 레이저 회절법에 의한 입도(粒度) 분포검사에서는, 10㎛ 이상인 거친입자의 존재는 확인되지 않았으나, 본 발명에 따른 거친입자 농도 분석방법하에서는, 1500ppm(중량비)인 거친입자의 존재가 확인되었다.

다음으로, 제 1 ∼ 제 12 실시예 및 비교예 1 ∼ 3에서 제조한 세륨계 연마재를 사용하여, 유리재료의 연마를 하고, 연마상태를 비교 평가했다. 우선, 각 연마재를 물에 분산시켜서 10 중량%의 연마재 슬러리로 했다. 상기 연마재 슬러리는 연마시험중, 교반기로 항시 교반하여, 연마재가 침강하지 않도록 했다.

유리재료의 연마는, 오스카(Oscar)형 연마시험기 (타이토 세이키(주)(Taito Seiki Co.,Ltd.)사 제품 HSP - 2 I형)를 시험장치로서 사용하고, 60mmΦ의 평면판넬(panel)용 유리를 피 연마재로 하여 폴리우레탄재 연마패드(pad)를 사용하여 연마하였다. 연마조건은, 연마재 슬러리를 500mℓ/min의 속도로 공급하며, 연마면에 대한 압력을 100g/㎠으로 설정하고 연마기의 회전속도를 180rpm으로 하여 연마시간을 3분간으로 했다. 연마후의 유리재료는, 순수로 세척하여 먼지가 없는 상태로 건조시켰다.

상기 평가시험에 있어서 연마값의 측정은, 연마전후의 유리중량을 측정하므로서 연마에 의한 중량감소를 구하고, 비교예 1의 연마재를 사용한 때의 중량감소를 100으로 하여 다른 연마재에 의한 연마값을 나타내는 것으로 했다. 또한, 연마면의 표면 다듬질(仕上)의 평가는, 연마표면의 흠의 유무를 기준으로 하여 평가했다. 구체적으로는, 연마후의 유리표면에 30만 럭스(lux)의 할로겐 램프를 조사(照射)하고 반사법으로 유리표면을 관찰하는 것에 의해 행하였다. 이 때, 흠의 평가에 대해서는, 흠의 정도(크기) 및 그 수에 의해 점수를 붙여, 100점 만점으로부터 감점방식으로 평가하였다. 이 평가결과를 표 2에 나타낸다.

이 결과 제 1 ∼ 제 12 실시예에 따른 연마재는, 거친입자 농도의 현상에 따라 흠의 수, 크기가 모두 적게 되어 있고, 양호한 연마면인 것이 확인되었다. 또한, 연마값에 대해서는, 모두 비교예인 종래의 세륨계 연마재와 거의 동등하며, 거친입자량이 감소하여도 연마속도가 떨어지는 경우 없이 높은 연마효율을 유지하고 있는 것도 확인되었다.

한편, 비교예와 대비하면, 비교예 1, 2, 4에 따른 연마재는 연마값이 비교적 양호하였으나, 흠의 발생이 인정되어 연마면의 평가는 낮다. 이것은, 거친입자 농도가 높은 것에 의한 것이다. 또한 비교예 3에 따른 연마재는, 연마면의 평가가 낮은 것에 덧붙여 연마값도 낮게 되어 있다. 이것은, 높은 거친입자 농도에 덧붙여서 연마입자의 비 표면적이 너무 낮은 것에 의한 것이라고 생각되어진다.

B. 자성입자 농도와 연마특성의 관계

제 16실시예: TREO 70 중량%, TREO 중의 산화세륨 함유량 50 중량%의 바스트나사이트 정광 10㎏과 물을 슬러리 농도 1000g/ℓ가 되도록 혼합하고, 상기 슬러리를 직경 3mm 의 지르코니아 분쇄매체를 사용한 습식분쇄기로 4시간 분쇄하고, 평균입자경 0.9㎛의 분체로 이루어진 원료 슬러리로 했다. 그리고, 상기 원료 슬러리를 농도 1 mol/ℓ 의 염산으로 처리하여 순수로 세척후 여과하여 케이크를 얻었다. 계속하여, 상기 케이크를 건조한 후, 850℃, 4시간 정치로에서 배소하고, 이것을 아토마이저(atomizer)로 분쇄한 후 분급처리하여 평균 입자경(마이크로 트랙법 D 50(누적 50% 입자경))이 0.9㎛인 세륨계 연마재를 얻었다.

그리고, 상기 연마재에 대하여 자성입자 농도를 측정하기 위하여 본 발명에 따른 자성입자 농도 분석법의 1 형태로서, 도 4에 나타내는 공정으로 자성입자 농도를 분석했다.

(a) 세륨계 연마재 500g을 저울로 달아 채취하고, 이것을 물 1.5ℓ에 분산시켜, 분산제로서 헥사메타인산 나트륨을 다시 가하여 30분간 초음파 분산시켜 슬러리를 제조했다.

(b) 상기 슬러리에 자속밀도 2.0T의 자석을 30분간 침지(沈漬)했다. 30분 후 자석을 꺼내고 자석을 세척하여 부착물을 회수했다.

(c) 다음으로, 회수한 부착물을 마찬가지로 헥사메타인산 나트륨 수용액에 분산시켜 재차 슬러리화하고, 상기와 마찬가지로 0.2T의 자석을 30분간 침지했다.

(d) 상기 재 슬러리화, 자석 침지조작을 5회 반복하여 자성입자를 회수했다.

(e) 회수된 자성입자는, 충분히 건조시킨 후 저울로 양을 달았다.

상기 분석결과로부터, 상기 실시예에서 제조된 세륨계 연마재로부터 250㎎의 자성입자가 채취되고, 그 자성입자 농도는 500ppm(중량비)인 것을 알았다.

다음으로, 하기에 나타내는 조작에 의해 자성입자 농도가 다른 3종류의 세륨계 연마재를 제조하고, 그 자성입자 농도를 분석했다. 또한, 원료조성, 배소온도 등의 분급조건 이외의 제조조건은 제 1 실시예와 마찬가지로 하였다.

여기서, 이하에 나타내는 공정에 있어서, 자기필터에 의한 여과란, 도 5에 나타내는 바와 같이 자기필터(1)를 분쇄 후의 슬러리 배관에 설치하여 자성입자를 제거하는 것이다. 도 5에 있어서, 분쇄후의 슬러리(10)는 자기필터(1)의하부배관(11)에 도입되고, 자화된 필터(12)를 통과시키는 것에 의해 자성입자가 제거된다. 필터(12)는 그 주위를 포위하는 전자코일(14)을 여자하는 것에 의해 발생하는 자장을 이용하여 자화되어 있다. 그리고, 자성입자 제거 슬러리(10′)는, 상부 배관(13)으로부터 배출되고, 그 후의 공정으로 보내지도록 되어 있다.

또한, 도 6은, 마그네트 케이스(15)를 개략적으로 도시한 것이다. 마그네트 케이스(15)는, 2매의 금속판(16),(16')에 복수의 봉 자석(17)을 끼우고 있으며, 상기 봉자석 사이에 배소, 분쇄후의 연마재를 통과시키는 것에 의해, 연마재 원료중의 자성입자를 제거하는 것이다.

제 17 실시예: 제 16 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 제조한 원료 슬러리를 직경 3mm인 내마모강제의 분쇄매체를 사용하여 분쇄하고, 분쇄 후의 슬러리를 자기필터(자속밀도 0.65T, 구멍경 3mm)에 통과시켰다. 그 후, 제 1 실시예와 같은 공정으로 배소, 분쇄, 분급하여 세륨계 연마재를 제조했다.

제 18 실시예: 제 16 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 제조된 원료 슬러리를 직경 3mm의 내마모강제의 분쇄매체를 사용하여 분쇄하고, 분쇄 후의 슬러리를 제 2실시예와 마찬가지의 자기필터에 통과시켰다. 그 후, 제 1 실시예와 마찬가지의 공정으로 배소, 분쇄후, 상기 분체를 마그네트 케이스상을 통과시킨 후에 이것을 분급하여 세륨계 연마재를 제조했다.

제 19 실시예: 본 실시예에서는, 연마재 원료를 바스트나사이트 정광(精鑛)대신에 산화희토로 하고, 불화 암모니움처리를 하므로서 불소성분을 첨가하여 연마재를 제조했다. 탄산희토를 배소하여 제조한 TREO 99 중량%, TREO 중의 산화세륨함유량 60 중량%의 산화희토 2 ㎏과 물 2ℓ를 혼합하고, 상기 슬러리를 직경 5mm인 강제의 분쇄매체 12㎏이 충전된 습식 볼 밀(용량 5ℓ)로 5시간 분쇄하고, 분쇄 후의 슬러리를 자기필터에 통과시켰다. 그리고, 상기 슬러리에 농도 1mol/ℓ 의 불화 암모니움 용액을 첨가하고, 순수로 세척후 여과하여 케이크를 얻었다. 계속하여, 상기 케이크를 건조 후, 850℃, 4시간 정치로(靜置爐)에서 배소하고, 이것을 아토마이저로 분쇄한 후 분급처리하여 평균 입자경(마이크로 트랙법 D 50 (누적 50% 입자경))이 0.9㎛인 세륨계 연마재를 얻었다.

이들 제 16 ∼제 19 실시예에서 제조된 세륨계 연마재는 제 1 실시예와 마찬가지의 자성입자 농도 분석방법하에서는, 150 ∼ 1000ppm(중량비)의 자성입자 농도인 것이 확인되었다.

비교예 5: 이상의 제 16 ∼ 제 19 실시예에 대하여, 종래의 제조방법에 의해 세륨계 연마재를 제조했다. 즉, 제 16 실시예에 있어서 슬러리 분쇄시의 분쇄매체 재질을 내마모강으로 하고, 자기필터 및 마그네트 케이스를 통과시키지 않고 연마재를 제조하는 것이다. 그리고, 상기 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 그 자성입자 농도를 분석했다.

그 결과, 상기 비교예에 따른 세륨계 연마재의 자성입자 농도는 2000ppm(중량비)의 자성입자가 존재하고 있는 것이 확인되었다.

그리고, 이상의 제 16 ∼ 제 19 실시예 및 비교예 5에서 제조된 세륨계 연마재를 사용하여, 유리재료의 연마를 하고 연마상태를 비교 평가했다. 상기 연마시험의 방법은, 제 1 ∼ 제 15 실시예와 마찬가지로 했다. 상기 평가결과를 표 3에 나타낸다.

그 결과, 제 16 ∼ 제 19 실시예에 따른 연마재는, 비교예 5와 대비하면, 자성입자 농도의 현상에 따라 흠의 수, 크기가 모두 적게 되어 있으며, 양호한 연마면인 것이 확인되었다. 또한, 연마값은 모두 비교예인 종래의 세륨계 연마재와 동등하며, 자성입자량이 감소하여도 연마속도가 떨어지지 않고 높은 연마효율을 유지하고 있는 것이 확인되었다.

본 발명에 관한 거친입자 농도 및 자성입자 농도가 감소된 세륨계 연마재에 의하면, 흠 발생이 없는 고 정밀도의 연마면을 형성가능하다. 상기 세륨계 연마재는, 특히, 향후 고밀도·정밀화가 요구되는 하드디스크 등의 기록매체, LCD 등의 기판의 연마면에도 대응가능하다.

또한, 이들의 연마재는, 연마입자의 비 표면적을 소정범위로 하므로서 연마값도 우수하며, 이에 따라 높은 연마값으로 고 정밀도의 연마면을 형성할 수 있다고 하는 세륨계 연마재의 특징을 보다 효과적으로 발휘할 수 있다. 그리고, 상기 세륨계 연마재는, 종래의 제조방법을 대폭적으로 변경하지 않고 제조가능하다.

Claims (13)

1. 산화세륨을 주 성분으로 하고, 연마재 입자의 평균 입자경이 0.2 ∼ 3.0㎛인 산화세륨계 연마재에 있어서,

   입자경 10㎛ 이상의 거친입자 농도가 1000ppm 이하(중량비)인 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재.
2. 제 1항에 있어서,

   입자경 10㎛ 이상의 거친입자 농도가 300ppm 이하(중량비)인 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재.
3. 산화세륨을 주성분으로 하고, 연마재 입자의 평균 입자경이 0.2 ∼ 3.0㎛인 산화세륨계 연마재에 있어서,

   자성입자의 농도가 1000ppm 이하(중량비)인 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재.
4. 제 1항에 있어서,

   자성입자의 농도가 300ppm 이하(중량비)인 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재
5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,

   연마재 입자의 비 표면적의 평균값이 0.5 ∼30㎡/g 인 것을 특징으로 하는 산화세륨계 연마재.
6. 연마재 원료와 분산매를 혼합하여 슬러리로 하는 공정과, 상기 슬러리를 습식 분쇄기로 처리하는 것에 의해 상기 연마재 원료를 습식 분쇄하는 공정과, 분쇄후의 연마재 원료를 여과 및 건조한 후에 배소하는 공정과, 배소후의 연마재 원료를 건식 분쇄한 후 분급처리하는 공정을 가지는 세륨계 연마재의 제조방법에 있어서,

   분급점을 0.5 ∼15㎛ 범위로 제어하여 분급처리하는 세륨계 연마재의 제조방법.
7. 제 6항에 있어서,

   분급처리후의 연마재를 적어도 1회 반복하여 분급하는 공정을 포함하는 세륨계 연마재의 제조방법.
8. 연마재 원료와 분산매를 혼합하여 슬러리로 하는 공정과, 상기 슬러리를 습식 분쇄기로 처리하는 것에 의해 상기 연마재 원료를 습식 분쇄하는 공정과, 분쇄후의 연마재 원료를 여과 및 건조한 후에 배소하는 공정과, 배소후의 연마재 원료를 건식 분쇄한 후 분급처리하는 공정을 가지는 세륨계 연마재의 제조방법에 있어서,

   습식 분쇄기로 처리된 슬러리를, 여자하여 자화된 자성재료로 이루어진 필터에 통과시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재의 제조방법.
9. 제 8항에 있어서,

   자성재료로 이루어진 필터를, 자속밀도 0.1 ∼ 2.0T 의 범위로 자화하여 슬러리를 통과시키는 세륨계 연마재의 제조방법.
10. 연마재 원료와 분산매를 혼합하여 슬러리로 하는 공정과, 상기 슬러리를 습식 분쇄기로 처리하는 것에 의해 상기 연마재 원료를 습식 분쇄하는 공정과, 분쇄후의 연마재 원료를 여과 및 건조한 후에 배소하는 공정과, 배소후의 연마재 원료를 건식 분쇄한 후 분급처리하는 공정을 가지는 세륨계 연마재의 제조방법에 있어서,

    습식 분쇄기에 충전되는 분쇄매체로서, 비자성 재료로 이루어진 분쇄매체를 사용하여 연마재 원료를 습식 분쇄하는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재의 제조방법.
11. 제 10항에 있어서,

    분쇄매체를 구성하는 비자성 재료로서, 지르코니아 또는 알루미나를 사용하는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재의 제조방법.
12. 연마재 원료와 분산매를 혼합하여 슬러리로 하는 공정과, 상기 슬러리를 습식 분쇄기에서 처리하는 것에 의해 상기 연마재 원료를 습식 분쇄하는 공정과, 분쇄 후의 연마재 원료를 여과 및 건조한 후에 배소하는 공정과, 배소 후의 연마재 원료를 건식 분쇄한 후 분급처리하는 공정을 가지는 세륨계 연마재의 제조방법에 있어서,

    배소후의 연마재 원료를, 자화한 자성재료로 이루어진 관상체, 판상체, 봉상체의 근방으로 통과시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재의 제조방법.
13. 제 12항에 있어서,

    자성재료로 이루어진 관상체, 판상체, 봉상체를, 자속밀도 0.1 ∼2.0T 의 범위로 자화하여 슬러리를 통과시키는 것을 특징으로 하는 세륨계 연마재의 제조방법.